TW201535794A - 發光裝置及其製造方法 - Google Patents

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TW201535794A
TW201535794A TW103123045A TW103123045A TW201535794A TW 201535794 A TW201535794 A TW 201535794A TW 103123045 A TW103123045 A TW 103123045A TW 103123045 A TW103123045 A TW 103123045A TW 201535794 A TW201535794 A TW 201535794A
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semiconductor light
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Kazuhiro Inoue
Masahiro Ogushi
Hidenori Egoshi
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Toshiba Kk
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Abstract

本發明提供一種發光效率高之發光裝置及其製造方法。 根據實施形態，提供一種包含基板、第1透光部、樹脂體、第1半導體發光元件、及第2半導體發光元件之發光裝置。第1透光部設置於基板上且為透光性。樹脂體設置於基板與第1透光部之間，為光反射性，且包含第1部分、第2部分、及第3部分。第1部分與第1透光部相接。第2部分於與自基板朝向第1透光部之第1方向交叉之第2方向上與第1部分隔開，且與第1透光部相接。第3部分於第2方向上與第1部分及第2部分隔開，設置於第1部分與第2部分之間，且與第1透光部相接。第1半導體發光元件於基板與第1透光部之間設置於第1部分與第3部分之間。第2半導體發光元件於基板與第1透光部之間設置於第2部分與第3部分之間。

Description

發光裝置及其製造方法
[相關申請案]
本申請案享受以日本專利申請案2014-52671號(申請日：2014年3月14日)為基礎申請案之優先權。本申請案以參照該基礎申請案之形式包含基礎申請案之所有內容。
本發明之實施形態係關於一種發光裝置及其製造方法。
例如，作為半導體發光元件有發光二極體(LED)或半導體雷射。組合半導體發光元件及螢光體而成之發光裝置例如用於顯示裝置或照明等。於此種發光裝置中，追求發光效率之效率化。
本發明之實施形態提供一種發光效率高之發光裝置及其製造方法。
根據本發明之實施形態，提供一種發光裝置，其包含基板、第1透光部、樹脂體、第1半導體發光元件、及第2半導體發光元件。上述第1透光部設置於上述基板上且為透光性。上述樹脂體設置於上述基板與上述第1透光部之間，為光反射性，且包含第1部分、第2部分、及第3部分。上述第1部分與上述第1透光部相接。上述第2部分於與自上述基板朝向上述第1透光部之第1方向交叉之第2方向上與上述第1部分隔開，且與上述第1透光部相接。上述第3部分於上述第2方向上與上述第1部分及上述第2部分隔開，設置於上述第1部分與上述第2部分 之間，且與上述第1透光部相接。上述第1半導體發光元件於上述基板與上述第1透光部之間設置於上述第1部分與上述第3部分之間。上述第2半導體發光元件於上述基板與上述第1透光部之間設置於上述第2部分與上述第3部分之間。
10‧‧‧基板
11‧‧‧第1導電部
12‧‧‧第2導電部
13‧‧‧第3導電部
20‧‧‧第1透光部
20l‧‧‧下表面
20p‧‧‧透鏡部
20u‧‧‧上表面
21l‧‧‧第1下部
21u‧‧‧第1上部
22l‧‧‧第2下部
22u‧‧‧第2上部
23l‧‧‧第3下部
23u‧‧‧第3上部
24u‧‧‧第4上部
30‧‧‧樹脂體
30p‧‧‧部分(成形部)
31‧‧‧第1部分
31a‧‧‧第3面
32‧‧‧第2部分
33‧‧‧第3部分
33a‧‧‧第1面
33b‧‧‧第2面
33c‧‧‧第1側面
33d‧‧‧第2側面
40‧‧‧半導體發光元件
41~44‧‧‧第1~第4半導體發光元件
51‧‧‧n型半導體層
52‧‧‧發光層
53‧‧‧p型半導體層
54‧‧‧陽極
54a‧‧‧第1陽極
54b‧‧‧第2陽極
55‧‧‧陰極
55a‧‧‧第1陰極
55b‧‧‧第2陰極
61~65‧‧‧第1~第5配線
66‧‧‧配線
70‧‧‧第2透光部
71‧‧‧波長轉換層
90‧‧‧加工體
101~103‧‧‧發光裝置
H1、H2‧‧‧第1、第2長度
L1~L7‧‧‧第1~第7距離
P1、P2‧‧‧第1、第2下表面長度
Ps1、Ps2‧‧‧第1、第2位置
U1‧‧‧第1上表面長度
θ1‧‧‧第1角度
θ2‧‧‧第2角度
圖1(a)及圖1(b)係表示第1實施形態之發光裝置之模式圖。
圖2係表示第1實施形態之發光裝置之模式剖面圖。
圖3係表示第1實施形態之發光裝置之模式剖面圖。
圖4(a)~圖4(e)係表示第1實施形態之發光裝置之製造步驟之模式剖面圖。
圖5(a)及圖5(b)係表示第1實施形態之發光裝置之製造步驟之模式立體圖。
以下，一面參照圖式一面對各實施形態進行說明。
再者，圖式為模式性或概念性者，各部分之厚度與寬度之關係、部分間之大小之比率等未必與現實相同。又，即便於表示相同部分之情形時，亦有根據圖式而將彼此之尺寸或比率不同地示出的情況。
再者，於本案說明書及各圖中，對於與已就先提出之圖進行敍述者相同之要素標註相同之符號，並適當省略詳細之說明。
(第1實施形態)
圖1(a)及圖1(b)係例示第1實施形態之發光裝置之模式圖。
圖1(a)係例示發光裝置101之模式剖面圖。
圖1(b)係例示發光裝置101之模式俯視圖。圖1(a)例示圖1(b)之A1-A2線剖面。
如圖1(a)及圖1(b)所示，發光裝置101包含基板10、第1透光部 20、樹脂體30(樹脂成形體)、第1半導體發光元件41、及第2半導體發光元件42。
基板10為發光裝置中之引線框架。基板10係使用例如銅(Cu)、包含銅之合金、及鐵(Fe)與鎳(Ni)之合金之至少任一種。又，基板10亦可使用樹脂或陶瓷。於基板10使用樹脂或陶瓷之情形時，於基板10設置下述導電部(配線)。導電部係使用例如銅(Cu)或鐵(Fe)等。
第1透光部20設置於基板10上。第1透光部20為透光性。第1透光部20係使用例如矽酮樹脂或環氧樹脂。第1透光部20例如為發光裝置中之透鏡。
將自基板10朝向第1透光部20之方向設為Z軸方向。將相對於Z軸方向垂直之一個方向設為X軸方向。將相對於X軸方向垂直且相對於Z軸方向垂直之一個方向設為Y軸方向。
於基板10與第1透光部20之間設置有樹脂體30。樹脂體30包含第1部分31、第2部分32、及第3部分33。樹脂體30係使用例如白色之樹脂。樹脂體30例如為光反射性。
第1部分31、第2部分32及第3部分33之各者與第1透光部20相接。例如，第1部分31、第2部分32及第3部分33之各者與基板10相接。
第2部分32於與Z軸方向(第1方向)交叉之方向(第2方向)上與第1部分31隔開。於此例中，第2方向為X軸方向。
第3部分33於第2方向(此例中為X軸方向)上與第1部分31及第2部分32隔開。第3部分33設置於第1部分31與第2部分32之間。
發光裝置101包含複數個半導體發光元件40(第1半導體發光元件41及第2半導體發光元件42)。
第1半導體發光元件41設置於基板10上。第1半導體發光元件41於第1透光部20與基板10之間設置於第1部分31與第3部分33之間。
第2半導體發光元件42設置於基板10上。第2半導體發光元件42於第1透光部20與基板10之間設置於第2部分32與第3部分33之間。
於此例中，發光裝置101進而包含第3半導體發光元件43及第4半導體發光元件44。第3半導體發光元件43及第4半導體發光元件44之各者亦設置於基板10上。第3半導體發光元件43及第4半導體發光元件44之各者亦設置於第1透光部20與基板10之間。
第3半導體發光元件43於與第1方向及第2方向交叉之第3方向(此例中為Y軸方向)上與第1半導體發光元件41隔開。第4半導體發光元件44於第3方向(例如Y軸方向)上與第2半導體發光元件42隔開。第3半導體發光元件43於第2方向上與第4半導體發光元件44隔開。
即，於此例中，於X軸方向上排列兩個半導體發光元件，於Y軸方向上排列兩個半導體發光元件。如此，發光裝置101包含4個半導體發光元件。於實施形態中，發光裝置所包含之半導體發光元件之個數可變更。例如，亦可於X軸方向上排列3個半導體發光元件，於Y軸方向上排列3個半導體發光元件。於此情形時，發光裝置包含9個半導體發光元件。
較佳為於X軸方向上排列之半導體發光元件之個數與在Y軸方向上排列之半導體發光元件之個數相同。例如，較佳為發光裝置101之沿X軸方向之長度與發光裝置101之沿Y軸方向之長度實質上相等。藉此，例如於下述製造步驟中，變得容易製造發光裝置，可抑制製造成本。
半導體發光元件40例如為LED(Light Emitting Diode，發光二極體)晶片。半導體發光元件40係以例如GaN系氮化物半導體為材料之LED。例如，於半導體發光元件40中，設置有n型半導體層51(例如n型GaN層)、發光層52(半導體發光層)、及p型半導體層53(例如p型GaN層)。於n型半導體層51與基板10之間配置有p型半導體層53。於n型半 導體層51與p型半導體層53之間配置有發光層52。發光層52係使用氮化物半導體等之半導體層。發光層52例如具有多重量子井構造。
於半導體發光元件40，設置有與n型半導體層51電性連接之陰極(電極)55、及與p型半導體層53電性連接之陽極(電極)54。發光層52經由陽極54及陰極55被通電，藉此發光。
第1半導體發光元件41包含第1陽極54a及第1陰極55a。第2半導體發光元件42包含第2陽極54b及第2陰極55b。
於此例中，陽極54及陰極55設置於半導體發光元件40之上表面(與第1透光部20對向之面)。於實施形態中，例如亦可將陽極54設置於半導體發光元件40之下表面。即，亦可於p型半導體層53與基板10之間設置陽極54。
亦可將陰極55及陽極54兩者設置於半導體發光元件40之下表面。即，半導體發光元件40亦可為覆晶型之LED。
於實施形態中，半導體發光元件40並不限於LED，亦可為LD(Laser Diode，雷射二極體)。
於此例中，第1透光部20係作為一個透鏡而設置。例如，第1透光部20具有上表面20u及下表面20l。下表面20l設置於上表面20u與基板10之間。例如，上表面20u包含第1上部21u、第2上部22u、及第3上部23u。
第1部分31設置於第1上部21u與基板10之間。第2部分32設置於第2上部22u與基板10之間。第3部分33設置於第3上部23u與基板10之間。
基板10與第1上部21u之間之沿著Z軸方向之第1距離L1短於基板10與第3上部23u之間之沿著Z軸方向之第3距離L3。
基板10與第2上部22u之間之沿著Z軸方向之第2距離L2短於第3距離L3。即，第1透光部20係於投影至X-Y平面時之中心部形成有凸部 之透鏡狀。
於此例中，發光裝置101進而包含透光性之第2透光部70。第2透光部70設置於第1半導體發光元件41與第1透光部20之間、及第2半導體發光元件42與第1透光部20之間。第2透光部70係使用例如透明樹脂。
於第1半導體發光元件41與第1透光部20之間、及第2半導體發光元件42與第1透光部20之間，亦可設置波長轉換層71。波長轉換層71係使用例如螢光樹脂。
例如，第1半導體發光元件41射出具有第1峰值波長之第1光。波長轉換層71吸收第1光之至少一部分並發出第2光。第2光具有與第1峰值波長不同之第2峰值波長。
於半導體發光元件40彼此之間分別設置有樹脂體30之一部分。即，分別於第1半導體發光元件41與第3半導體發光元件43之間、第2半導體發光元件42與第4半導體發光元件44之間、及第3半導體發光元件43與第4半導體發光元件44之間亦設置有樹脂體30之一部分。
如此，發光裝置101係於基板上一體地設置有複數個半導體發光元件40。藉此，可獲得小型且輸出高之發光裝置。
進而，於發光裝置101中，於半導體發光元件40彼此之間分別設置有樹脂體30之一部分。樹脂體30係以包圍複數個半導體發光元件40各者之周圍之方式設置。樹脂體30之形狀例如為反射器形狀。即，自半導體發光元件40各者射出之光之一部分於樹脂體30反射並朝向第1透光部20行進。藉此，例如可減少自半導體發光元件40各者所提取之光之損失。
與於半導體發光元件40彼此之間均未設置樹脂體30之一部分之情形相比，於實施形態之發光裝置101中可提高發光效率。
如上所述，樹脂體30之形狀為反射器形狀。例如，樹脂體30之 高度形成為高於第1半導體發光元件41之高度。即，沿著Z軸方向之樹脂體30(例如第3部分33)之長度(第1長度H1)長於沿著Z軸方向之第1半導體發光元件41之長度(第2長度H2)。
例如，第3部分33具有第1面33a、第2面33b、第1側面33c、及第2側面33d。
第1面33a為與基板10對向之面。即，第1面33a為第3部分33之下表面。
第2面33b於Z軸方向上與第1面33a隔開，且與第1透光部20對向。即，第2面33b為第3部分33之上表面。
第1側面33c及第2側面33d設置於第1面33a與第2面33b之間。第1側面33c及第2側面33d與第2方向(例如X軸方向)交叉。於第2側面33d與第1部分31之間配置有第1側面33c。
第1面33a之沿著第2方向之長度(第1下表面長度P1)長於第2面33b之沿著第2方向之長度(第1上表面長度U1)。
第1面33a與第1側面33c之間之第1角度θ1為30度以上且為90度以下。第1面33a與第2側面33d之間之第2角度θ2為0度以上且為120度以下。
設置於半導體發光元件40彼此之間之樹脂體之形狀為此種反射器形狀。藉此，自半導體發光元件40射出之光於樹脂體30處朝向第1透光部20高效率地反射。可提高發光裝置之發光效率。
第1部分31具有第3面31a。第3面31a為與基板10對向之面。即，第3面31a為第1部分31之下表面。
例如，第3面之沿著第2方向(例如X軸方向)之長度(第2下表面長度P2)係為第1面33a之沿著第2方向之長度(第1下表面長度P1)之0.4倍以上且為0.6倍以下。第2下表面長度P2例如為第1下表面長度P1之一半。
於此例中，基板10包含第1導電部11、第2導電部12、及第3導電部13。第2導電部12於第2方向上與第1導電部11隔開。第3導電部13與第1導電部11及第2導電部12於第2方向上隔開。例如，第3導電部13設置於第1導電部11與第2導電部12之間。
第1半導體發光元件41之至少一部分設置於第1導電部11與第1透光部20之間。例如，第1部分31之至少一部分設置於第1導電部11與第1透光部20之間。
第2半導體發光元件42之至少一部分設置於第2導電部12與第1透光部20之間。例如，第2部分32之至少一部分設置於第2導電部12與第1透光部20之間。
第3部分33之至少一部分設置於第3導電部13與第1透光部20之間。
例如，第1半導體發光元件41之第1陽極54a與第1導電部11電性連接。例如，使用第1配線61連接第1陽極54a與第1導電部11。
例如，第1半導體發光元件42之第1陰極55a與第3導電部13電性連接。例如，使用第2配線62連接第1陰極55a與第3導電部13。
例如，第2半導體發光元件42之第2陽極54b與第3導電部13電性連接。例如，使用第3配線63連接第2陽極54b與第3導電部13。
例如，第2半導體發光元件42之第2陰極55b與第2導電部12電性連接。例如，使用第4配線64連接第2陰極55b與第2導電部12。第1~第4配線61~64例如為接合線。
如此，第1半導體發光元件41之第1陰極55a與第2半導體發光元件42之第2陽極54b經由第3導電部13而電性連接。藉此，例如可使與第1半導體發光元件41之電極及第2半導體發光元件42之電極之各者連接的配線之長度較短，而可提高發光效率。
例如，有連接於電極之配線吸收自半導體發光元件40射出之光 之情形。因此，於與各個電極連接之配線之長度較長之情形時，有導致使發光裝置之發光效率降低之情形。
與此相對，於發光裝置101中，第3導電部13設置於第3部分33之下。經由該第3導電部13而電性連接第1陰極55a與第2陽極54b。因此，可使配線之長度較短，而可提高發光效率。
圖2係例示第1實施形態之發光裝置之模式剖面圖。
圖2例示發光裝置102。於發光裝置102中，亦設置有基板10、第1透光部20、樹脂體30、第1半導體發光元件41及第2半導體發光元件42等。該等可應用與在發光裝置101中所說明之構成相同之構成。
於發光裝置102中，第1陰極55a與第2陽極54b經由第5配線65而電性連接。如此，例如亦可藉由接合線而將第1陰極55a與第2陽極54b連接。
如此，藉由使用接合線，而不論設置於基板10之導電部(例如第3導電部13)之圖案如何均可將半導體發光元件40彼此連接。
如下所述，於實施形態之發光裝置之製造步驟中，可選擇設置於發光裝置之半導體發光元件40之個數。於此情形時，使用接合線將半導體發光元件40彼此連接。藉此，例如可避開基板10之規格變更。可抑制發光裝置之製造成本，且可提高製造效率。
圖3係例示第1實施形態之發光裝置之模式剖面圖。
圖3例示發光裝置103。於發光裝置103中亦設置有基板10、樹脂體30、第1半導體發光元件41及第2半導體發光元件42等。該等可應用與在發光裝置101中所說明之構成相同之構成。
發光裝置103之第1透光部20與發光裝置101之第1透光部20同樣地具有上表面20u、及下表面20l。
於發光裝置103中，上表面20u亦包含第1上部21u、第2上部22u、及第3上部23u。上表面20u進而包含第4上部24u。
第1部分31設置於第1上部21u與基板10之間。第3部分33設置於第3上部23u與基板10之間。第1半導體發光元件41設置於第4上部24u與基板10之間。
於發光裝置103中，基板10與第1上部21u之間之沿著Z軸方向之第1距離L1短於基板10與第4上部24u之間之沿著Z軸方向之第4距離L4。
於發光裝置103中，基板10與第3上部23u之間之沿著Z軸方向之第3距離L3短於基板10與第4上部24u之間之沿著Z軸方向之第4距離L4。如此，於實施形態中，第1透光部20之形狀亦可為於複數個半導體發光元件40之各者上設置有凸部之透鏡狀。
例如，如發光裝置101及發光裝置103中所例示般調整透鏡之形狀。藉此，例如可調整發光裝置之配光特性。
於發光裝置101~103中，下表面20l包含第1下部21l、第2下部22l、及第3下部23l。第1部分31設置於第1下部21l與基板10之間。第1半導體發光元件41設置於第2下部22l與基板10之間。第3部分33設置於第3下部23l與基板10之間。
基板10與第1下部21l之間之沿著Z軸方向之第5距離L5長於基板10與第2下部22l之間之沿著Z軸方向之第6距離L6。基板10與第3下部23l之間之沿著Z軸方向之第7距離L7長於第6距離L6。即，於實施形態之發光裝置101~103中，於複數個半導體發光元件40之各者上，第1透光部20具有向下凸之形狀。藉此，例如可調整發光裝置之配光特性，而可獲得較高之發光效率。
圖4(a)~圖4(e)係例示第1實施形態之發光裝置之製造步驟之模式剖面圖。
圖5(a)及圖5(b)係例示第1實施形態之發光裝置之製造步驟之模式立體圖。
如圖4(a)所示，於基板10(引線框架)上形成樹脂體30。樹脂體30包含例如於X軸方向上相互隔開之複數個部分30p(成形部)。部分30p例如包含第1~第3部分31~33等。圖5(a)係如此般於基板上例示出樹脂體30。例如，樹脂體30亦包含於Y軸方向上相互隔開之複數個部分30p。例如，樹脂體30為網狀。
如圖4(b)所示，分別於相互鄰接之複數個部分30p彼此之間，於基板10上配置半導體發光元件40。例如使用配線66(接合線)將半導體發光元件40之各者與基板10連接。
如圖4(c)所示，將透明樹脂滴下至複數個半導體發光元件40之各者上而形成第2透光部70。
如圖4(d)所示，於樹脂體30及複數個半導體發光元件40上形成第1透光部20。第1透光部20例如藉由模鑄成形而形成。第1透光部20與複數個部分30p之各者相接。以此方式形成加工體90。圖5(b)例示加工體90。於此例中，第1透光部20包含於X-Y平面上排列之複數個透鏡部20p。於一個透鏡部20p與基板10之間配置有4個半導體發光元件40。
於圖4(e)中，對包含基板10、樹脂體30、半導體發光元件40、及透光部(第1透光部20)之加工體90進行切割(切斷)。切割係使用例如刀切。
於切割步驟中，切斷第1透光部20、樹脂體30、及基板10。例如，加工體90於包含第1位置Ps1及第2位置Ps2之複數個位置被切斷。例如，配合透鏡部20p之形狀而實施切割。
加工體90包含設置於第1位置Ps1與第2位置Ps2之間之至少一個部分30p。於此例中，於第1位置Ps1與第2位置Ps2之間設置有一個部分30p。
加工體90包含設置於第1位置Ps1與第2位置Ps2之間之複數個(至 少兩個)半導體發光元件40。於此例中，於第1位置Ps1與第2位置Ps2之間設置有兩個半導體發光元件40。如此，完成發光裝置101。
以此方式製造之發光裝置101之第3部分33例如為無縫之形狀。藉此，可縮小半導體發光元件40彼此間之間隔。可獲得每單位面積之發光效率高之發光裝置。
如此，於實施形態中提供一體地形成有複數個半導體發光元件40及樹脂體30之發光裝置。藉此，例如與將包含1個半導體發光元件40之晶片複數相連在一起而製造發光裝置之情形相比，可使發光裝置小型化。可提供每單位面積之發光效率高之發光裝置。
例如，亦可於第1位置Ps1與第2位置Ps2之間設置兩個以上之部分30p。亦可於第1位置Ps1與第2位置Ps2之間設置3個以上之半導體發光元件40。例如，可藉由改變切斷之位置而製造大小不同之發光裝置。可選擇一個發光裝置中所包含之半導體發光元件40之個數。
如上所述，於實施形態中，使用有一種設計之引線框架(基板10)及一種設計之樹脂體30。可藉由變更形成於該等上之第1透光部20之形狀、及切割位置，而製造大小不同之發光裝置。例如，可不改變引線框架之設計而自同一框架形成各種大小尺寸之封裝體。可使用形成同一樹脂體之模具而形成各種大小尺寸之封裝體。
例如，於封裝體設計變更時，有新製作形成樹脂體之模具的情況。於此情形時，製作模具之工期及成本較大，於封裝體設計變更時會成為較大之負擔。
與此相對，根據實施形態，可謀求製造樹脂體之模具之共有化，而抑制開發及量產時之成本。如此，能以高製造效率提供發光效率高之發光裝置。
根據實施形態，可提供發光效率高之發光裝置及其製造方法。
再者，於本案說明書中，「垂直」不僅包含嚴格意義上之垂直， 亦包含例如製造步驟中之偏差等，只要實質上垂直即可。
以上，一面參照具體例一面對本發明之實施形態進行了說明。然而，本發明之實施形態並不限定於該等具體例。例如，關於基板、透光部、樹脂體、半導體發光元件及波長轉換層等各要素之具體構成，只要業者可藉由自公知之範圍適當選擇而同樣地實施本發明，並獲得同樣之效果，則包含於本發明之範圍內。
又，將各具體例之任意兩個以上之要素於技術上可行之範圍內組合而成者只要包含本發明之主旨，則亦包含於本發明之範圍內。
此外，業者可基於已作為本發明之實施形態敍述之發光裝置及其製造方法進行適當設計變更而實施之所有發光裝置及其製造方法只要包含本發明之主旨，則亦屬於本發明之範圍。
此外，於本發明之思想範疇中，業者可想到各種變更例及修正例，應瞭解該等變更例及修正例亦屬於本發明之範圍。
已對本發明之若干實施形態進行了說明，但該等實施形態係作為示例而提出者，並不意圖限定發明之範圍。該等新穎之實施形態能以其他各種形態實施，於不脫離發明之主旨之範圍內可進行各種省略、替換、變更。該等實施形態或其變化包含於發明之範圍或主旨中，並且包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等之範圍內。
10‧‧‧基板
11‧‧‧第1導電部
12‧‧‧第2導電部
13‧‧‧第3導電部
20‧‧‧第1透光部
20l‧‧‧下表面
20u‧‧‧上表面
21u‧‧‧第1上部
22u‧‧‧第2上部
23u‧‧‧第3上部
30‧‧‧樹脂體
31‧‧‧第1部分
32‧‧‧第2部分
33‧‧‧第3部分
33a‧‧‧第1面
33b‧‧‧第2面
33c‧‧‧第1側面
33d‧‧‧第2側面
40‧‧‧半導體發光元件
41‧‧‧第1半導體發光元件
42‧‧‧第2半導體發光元件
51‧‧‧n型半導體層
52‧‧‧發光層
53‧‧‧p型半導體層
54a‧‧‧第1陽極
54b‧‧‧第2陽極
55a‧‧‧第1陰極
55b‧‧‧第2陰極
61‧‧‧第1配線
62‧‧‧第2配線
63‧‧‧第3配線
64‧‧‧第4配線
101‧‧‧發光裝置
H1‧‧‧第1長度
H2‧‧‧第2長度
L1‧‧‧第1距離
L2‧‧‧第2距離
L3‧‧‧第3距離
P1‧‧‧第1下表面長度
P2‧‧‧第2下表面長度
U1‧‧‧第1上表面長度
θ1‧‧‧第1角度
θ2‧‧‧第2角度

Claims (14)

  1. 一種發光裝置，其包含：基板；透光性之第1透光部，其設置於上述基板之上方；樹脂體，其為光反射性之樹脂體，設置於上述基板與上述第1透光部之間，且包含第1部分、第2部分及第3部分，上述第1部分與上述第1透光部相接，上述第2部分於與自上述基板朝向上述第1透光部之第1方向交叉之第2方向上與上述第1部分隔開，且與上述第1透光部相接，上述第3部分於上述第2方向上與上述第1部分及上述第2部分隔開，設置於上述第1部分與上述第2部分之間，且與上述第1透光部相接；第1半導體發光元件，其於上述基板與上述第1透光部之間設置於上述第1部分與上述第3部分之間；及第2半導體發光元件，其於上述基板與上述第1透光部之間設置於上述第2部分與上述第3部分之間。
  2. 如請求項1之發光裝置，其中沿著上述第1方向之上述第3部分之長度長於沿著上述第1方向之上述第1半導體發光元件之長度。
  3. 如請求項1之發光裝置，其中上述第3部分具有與上述基板對向之第1面、及與上述第1透光部對向之第2面，且上述第1面之沿著上述第2方向之長度長於上述第2面之沿著上述第2方向之長度。
  4. 如請求項1之發光裝置，其中上述第3部分更具有第1側面，該第1側面設置於上述第1面與上述第2面之間，且與上述第2方向交 叉，上述第1面與上述第1側面之間之角度為30度以上且為90度以下。
  5. 如請求項1之發光裝置，其中上述第1部分具有與上述基板對向之第3面，且上述第3面之沿著上述第2方向之長度係為上述第1面之沿著上述第2方向之長度的0.4倍以上且為0.6倍以下。
  6. 如請求項1之發光裝置，其中上述基板包含：第1導電部；第2導電部，其於上述第2方向上與上述第1導電部隔開；及第3導電部，其於上述第2方向上與上述第1導電部及上述第2導電部隔開；上述第1半導體發光元件之至少一部分設置於上述第1導電部與上述第1透光部之間；上述第2半導體發光元件之至少一部分設置於上述第2導電部與上述第1透光部之間；且上述第3部分之至少一部分設置於上述第3導電部與上述第1透光部之間。
  7. 如請求項6之發光裝置，其中上述第1半導體發光元件包含第1陰極及第1陽極，上述第2半導體發光元件包含第2陰極及第2陽極，上述第1陰極與上述第3導電部電性連接，上述第2陽極與上述第3導電部電性連接。
  8. 如請求項1之發光裝置，其中上述第1透光部具有上表面、及設置於上述上表面與上述基板之間之下表面， 上述上表面包含第1上部、第2上部、及第3上部，上述第1部分設置於上述第1上部與上述基板之間，上述第2部分設置於上述第2上部與上述基板之間，上述第3部分設置於上述第3上部與上述基板之間，上述基板與上述第1上部之間之沿著上述第1方向之距離短於上述基板與上述第3上部之間之沿著上述第1方向之距離，上述基板與上述第2上部之間之沿著上述第1方向之距離短於上述基板與上述第3上部之間之沿著上述第1方向之距離。
  9. 如請求項1之發光裝置，其中上述第1透光部具有上表面、及設置於上述上表面與上述基板之間之下表面，上述上表面包含第1上部、第3上部、及第4上部，上述第1部分設置於上述第1上部與上述基板之間，上述第3部分設置於上述第3上部與上述基板之間，上述第1半導體發光元件設置於上述第4上部與上述基板之間，上述基板與上述第1上部之間之沿著上述第1方向之距離短於上述基板與上述第4上部之間之沿著上述第1方向之距離，上述基板與上述第3上部之間之沿著上述第1方向之距離短於上述基板與上述第4上部之間之沿著上述第1方向之距離。
  10. 如請求項8或9之發光裝置，其中上述下表面包含第1下部、第2下部、及第3下部，上述第1部分設置於上述第1下部與上述基板之間，上述第1半導體發光元件設置於上述第2下部與上述基板之間，上述第3部分設置於上述第3下部與上述基板之間，上述基板與上述第1下部之間之沿著上述第1方向之距離長於 上述基板與上述第2下部之間之沿著上述第1方向之距離，上述基板與上述第3下部之間之沿著上述第1方向之距離長於基板與上述第2下部之間之沿著上述第1方向之距離。
  11. 如請求項1之發光裝置，其中上述第3部分係無縫。
  12. 如請求項1之發光裝置，其更包含透光性之第2透光部，其設置於上述第1半導體發光元件與上述第1透光部之間。
  13. 如請求項1之發光裝置，其更包含波長轉換層，其設置於上述第1半導體發光元件與上述第1透光部之間，上述第1半導體發光元件射出具有第1峰值波長之光，上述波長轉換層吸收上述光之至少一部分，且發出具有與上述第1峰值波長不同之第2峰值波長之光。
  14. 一種發光裝置之製造方法，其包括以下步驟：準備加工體，該加工體包含樹脂體、複數個半導體發光元件及透光部，上述樹脂體形成於基板之主面之上方且包含複數個部分，上述複數個半導體發光元件分別於相鄰之上述複數個部分彼此之間配置於上述主面之上方，上述透光部設置於上述樹脂體及上述複數個半導體發光元件上，且與上述複數個部分之各者相接；及於上述加工體之第1位置及第2位置之各者，將上述透光部、上述樹脂體、及上述基板切斷；上述加工體包含：設置於上述第1位置與上述第2位置之間之至少一個上述部分；及設置於上述第1位置與上述第2位置之間之至少兩個上述半導體發光元件。
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