JP2015177054A - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】発光効率の高い発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板と第１透光部と樹脂体と第１半導体発光素子と第２半導体発光素子とを含む発光装置が提供される。第１透光部は、基板の上に設けられ光透過性である。樹脂体は、基板と第１透光部との間に設けられ、光反射性であり、第１部分と第２部分と第３部分とを含む。第１部分は、第１透光部と接する。第２部分は、基板から第１透光部へ向かう第１方向と交差する第２方向において、第１部分と離間し、第１透光部と接する。第３部分は、第２方向において第１部分及び第２部分と離間し、第１部分と第２部分との間に設けられ、第１透光部と接する。第１半導体発光素子は、基板と第１透光部との間において、第１部分と第３部分との間に設けられる。第２半導体発光素子は、基板と第１透光部との間において、第２部分と第３部分との間に設けられる。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、発光装置及びその製造方法に関する。
例えば、半導体発光素子として、発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザがある。半導体発光素子と蛍光体とを組み合わせた発光装置が、例えば、表示装置や照明などに用いられている。このような発光装置において、発光効率の効率化が求められている。
特開２０１３−２２５７１３号公報
本発明の実施形態は、発光効率の高い発光装置及びその製造方法を提供する。
本発明の実施形態によれば、基板と、第１透光部と、樹脂体と、第１半導体発光素子と、第２半導体発光素子と、を含む発光装置が提供される。前記第１透光部は、前記基板の上に設けられ光透過性である。前記樹脂体は、前記基板と前記第１透光部との間に設けられ、光反射性であり、第１部分と、第２部分と、第３部分と、を含む。前記第１部分は、前記第１透光部と接する。前記第２部分は、前記基板から前記第１透光部へ向かう第１方向と交差する第２方向において、前記第１部分と離間し、前記第１透光部と接する。前記第３部分は、前記第２方向において前記第１部分及び前記第２部分と離間し、前記第１部分と前記第２部分との間に設けられ、前記第１透光部と接する。前記第１半導体発光素子は、前記基板と前記第１透光部との間において、前記第１部分と前記第３部分との間に設けられる。前記第２半導体発光素子は、前記基板と前記第１透光部との間において、前記第２部分と前記第３部分との間に設けられる。
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１の実施形態に係る発光装置を示す模式図である。 第１の実施形態に係る発光装置を示す模式的断面図である。 第１の実施形態に係る発光装置を示す模式的断面図である。 図４（ａ）〜図４（ｅ）は、第１の実施形態に係る発光装置の製造工程を示す模式的断面図である。 図５（ａ）及び図５（ｂ）は、第１の実施形態に係る発光装置の製造工程を示す模式的斜視図である。
以下に、各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
（第１の実施形態）
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。
図１（ａ）は、発光装置１０１を例示する模式的断面図である。
図１（ｂ）は、発光装置１０１を例示する模式的平面図である。図１（ａ）は、図１（ｂ）のＡ１−Ａ２線断面を例示している。
図１（ａ）及び図１（ｂ）に表したように、発光装置１０１は、基板１０と、第１透光部２０と、樹脂体３０（樹脂成形体）と、第１半導体発光素子４１と、第２半導体発光素子４２と、を含む。
基板１０は、発光装置におけるリードフレームである。基板１０には、例えば、銅（Ｃｕ）、銅を含む合金、及び、鉄（Ｆｅ）とニッケル（Ｎｉ）との合金の少なくともいずれかが用いられる。また、基板１０には、樹脂またはセラミックを用いてもよい。基板１０に樹脂またはセラミックが用いられる場合には、基板１０に後述する導電部（配線）が設けられる。導電部には、例えば、銅（Ｃｕ）または鉄（Ｆｅ）等が用いられる。
第１透光部２０は、基板１０の上に設けられる。第１透光部２０は、光透過性である。第１透光部２０には、例えば、シリコーン樹脂またはエポキシ樹脂が用いられる。第１透光部２０は、例えば、発光装置におけるレンズである。
基板１０から第１透光部２０へ向かう方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｘ軸方向に対して垂直でＺ軸方向に対して垂直な１つの方向をＹ軸方向とする。
基板１０と、第１透光部２０との間に樹脂体３０が設けられる。樹脂体３０は、第１部分３１と、第２部分３２と、第３部分３３と、を含む。樹脂体３０には、例えば、白色の樹脂が用いられる。樹脂体３０は、例えば、光反射性である。
第１部分３１、第２部分３２及び第３部分３３のそれぞれは、第１透光部２０と接する。例えば、第１部分３１、第２部分３２及び第３部分３３のそれぞれは、基板１０と接する。
第２部分３２は、Ｚ軸方向（第１方向）と交差する方向（第２方向）において、第１部分３１と離間する。この例では、第２方向は、Ｘ軸方向である。
第３部分３３は、第２方向（この例ではＸ軸方向）において第１部分３１及び第２部分３２と離間する。第３部分３３は、第１部分３１と第２部分３２との間に設けられる。
発光装置１０１は、複数の半導体発光素子４０（第１半導体発光素子４１及び第２半導体発光素子４２）を含む。
第１半導体発光素子４１は、基板１０の上に設けられる。第１半導体発光素子４１は、第１透光部２０と基板１０との間において、第１部分３１と第３部分３３との間に設けられる。
第２半導体発光素子４２は、基板１０の上に設けられる。第２半導体発光素子４２は、第１透光部２０と基板１０との間において、第２部分３２と第３部分３３との間に設けられる。
この例では、発光装置１０１は、第３半導体発光素子４３及び第４半導体発光素子４４をさらに含む。第３半導体発光素子４３及び第４半導体発光素子４４のそれぞれも、基板１０の上に設けられる。第３半導体発光素子４３及び第４半導体発光素子４４のそれぞれも、第１透光部２０と基板１０との間に設けられる。
第３半導体発光素子４３は、第１方向及び第２方向と交差する第３方向（この例ではＹ軸方向）において、第１半導体発光素子４１と離間する。第４半導体発光素子４４は、第３方向（例えばＹ軸方向）において、第２半導体発光素子４２と離間する。第３半導体発光素子４３は、第２方向において、第４半導体発光素子４４と離間する。
すなわち、この例では、Ｘ軸方向において２つの半導体発光素子が並び、Ｙ軸方向において２つの半導体発光素子が並ぶ。このように、発光装置１０１は、４つの半導体発光素子を含む。実施形態においては、発光装置に含まれる半導体発光素子の数は、変更可能である。例えば、Ｘ軸方向において３つの半導体発光素子が並び、Ｙ軸方向に３つの半導体発光素子が並んでもよい。この場合、発光装置は、９つの半導体発光素子を含む。
Ｘ軸方向において並ぶ半導体発光素子の数と、Ｙ軸方向において並ぶ半導体発光素子の数が同じであることが好ましい。例えば、発光装置１０１のＸ軸方向に沿った長さは、発光装置１０１のＹ軸方向に沿った長さと、実質的に等しいことが好ましい。これにより、例えば、後述する製造工程において、発光装置を製造しやすくなり、製造コストを抑えることができる。
半導体発光素子４０は、例えばＬＥＤ（Light Emitting Diode）チップである。半導体発光素子４０は、例えば、ＧａＮ系窒化物半導体を材料とするＬＥＤである。例えば、半導体発光素子４０において、ｎ形半導体層５１（例えば、ｎ形ＧａＮ層）と、発光層５２（半導体発光層）と、ｐ形半導体層５３（例えば、ｐ形ＧａＮ層）と、が設けられる。ｎ形半導体層５１と基板１０との間にｐ形半導体層５３が配置される。ｎ形半導体層５１とｐ形半導体層５３との間に発光層５２が配置される。発光層５２には、窒化物半導体などの半導体層が用いられる。発光層５２は、例えば、多重量子井戸構造を有している。
半導体発光素子４０には、ｎ形半導体層５１と電気的に接続されたカソード（電極）５５と、ｐ形半導体層５３と電気的に接続されたアノード（電極）５４と、が設けられる。発光層５２は、アノード５４とカソード５５とを介して、通電されることで、発光する。
第１半導体発光素子４１は、第１アノード５４ａと第１カソード５５ａとを含む。第２半導体発光素子４２は、第２アノード５４ｂと第２カソード５５ｂとを含む。
この例では、アノード５４及びカソード５５は、半導体発光素子４０の上面（第１透光部２０と対向する面）に設けられている。実施形態においては、例えば、アノード５４を、半導体発光素子４０の下面に設けてもよい。すなわち、ｐ形半導体層５３と基板１０との間にアノード５４を設けてもよい。
カソード５５及びアノード５４の両方を、半導体発光素子４０の下面に設けてもよい。すなわち、半導体発光素子４０は、フリップチップチップ型のＬＥＤであってもよい。
実施形態においては、半導体発光素子４０は、ＬＥＤに限らずＬＤ（Laser Diode）であってもよい。
この例では、第１透光部２０は、１つのレンズとして設けられる。例えば、第１透光部２０は、上面２０ｕと下面２０ｌとを有する。下面２０ｌは、上面２０ｕと基板１０との間に設けられる。例えば、上面２０ｕは、第１上部２１ｕと、第２上部２２ｕと、第３上部２３ｕと、を有する。
第１部分３１は、第１上部２１ｕと基板１０との間に設けられる。第２部分３２は、第２上部２２ｕと基板１０との間に設けられる。第３部分３３は、第３上部２３ｕと基板１０との間に設けられる。
基板１０と第１上部２１ｕとの間のＺ軸方向に沿った第１距離Ｌ１は、基板１０と第３上部２３ｕとの間のＺ軸方向に沿った第３距離Ｌ３よりも短い。
基板１０と第２上部２２ｕとの間のＺ軸方向に沿った第２距離Ｌ２は、第３距離Ｌ３よりも短い。すなわち、第１透光部２０は、Ｘ−Ｙ平面に投影したときの中心部において、凸部が形成されたレンズ状である。
この例では、発光装置１０１は、光透過性の第２透光部７０をさらに含む。第２透光部７０は、第１半導体発光素子４１と第１透光部２０との間、及び、第２半導体発光素子４２と第１透光部２０との間、に設けられる。第２透光部７０には、例えば、透明樹脂が用いられる。
第１半導体発光素子４１と第１透光部２０との間、及び、第２半導体発光素子４２と第１透光部２０との間には、波長変換層７１を設けてもよい。波長変換層７１には、例えば、蛍光樹脂が用いられる。
例えば、第１半導体発光素子４１は、第１ピーク波長を有する第１光を出射する。波長変換層７１は、第１光のすくなくとも一部を吸収して第２光を放出する。第２光は、第１ピーク波長とは異なる第２ピーク波長を有する。
半導体発光素子４０どうしの間のそれぞれにおいて、樹脂体３０の一部が設けられる。すなわち、第１半導体発光素子４１と第３半導体発光素子４３との間、第２半導体発光素子４２と第４半導体発光素子４４との間、及び、第３半導体発光素子４３と第４半導体発光素子４４との間のそれぞれにおいても、樹脂体３０の一部が設けられる。
このように発光装置１０１は、基板の上に複数の半導体発光素子４０が、一体として設けられる。これにより、小型で、出力の高い発光装置を得ることができる。
さらに、発光装置１０１においては、半導体発光素子４０どうしの間のそれぞれにおいて、樹脂体３０の一部が設けられる。樹脂体３０は、複数の半導体発光素子４０のそれぞれの周囲を囲うように設けられる。樹脂体３０の形状は、例えば、リフレクター形状である。すなわち、半導体発光素子４０のそれぞれから出射された光の一部は、樹脂体３０において、反射し、第１透光部２０へ向けて進行する。これにより、例えば、半導体発光素子４０のそれぞれから取り出される光の損失を低減することができる。
半導体発光素子４０どうしの間のそれぞれに樹脂体３０の一部が設けられない場合に比べて、実施形態に係る発光装置１０１においては、発光効率を向上させることができる。
上述したように、樹脂体３０の形状は、リフレクター形状である。例えば、樹脂体３０の高さは、第１半導体発光素子４１の高さよりも高く形成される。すなわち、Ｚ軸方向に沿った樹脂体３０（例えば第３部分３３）の長さ（第１長Ｈ１）は、Ｚ軸方向に沿った第１半導体発光素子４１の長さ（第２長Ｈ２）よりも長い。
例えば、第３部分３３は、第１面３３ａと、第２面３３ｂと、第１側面３３ｃと、第２側面３３ｄと、を有する。
第１面３３ａは、基板１０と対向する面である。すなわち、第１面３３ａは、第３部分３３の下面である。
第２面３３ｂは、Ｚ軸方向において第１面３３ａと離間し、第１透光部２０と対向する。すなわち、第２面３３ｂは、第３部分３３の上面である。
第１側面３３ｃ及び第２側面３３ｄは、第１面３３ａと第２面３３ｂとの間に設けられる。第１側面３３ｃ及び第２側面３３ｄは、第２方向（例えばＸ軸方向）と交差する。第２側面３３ｄと第１部分３１との間に第１側面３３ｃが配置される。
第１面３３ａの第２方向に沿った長さ（第１下面長Ｐ１）は、第２面３３ｂの第２方向に沿った長さ（第１上面長Ｕ１）よりも長い。
第１面３３ａと、第１側面３３ｃと、の間の第１角度θ１は、３０度以上９０度以下である。第１面３３ａと、第２側面３３ｄと、の間の第２角度θ２は、０度以上１２０度以下である。
半導体発光素子４０どうしの間に設けられる樹脂体の形状は、このようなリフレクター形状である。これにより、半導体発光素子４０から出射された光は、樹脂体３０において、第１透光部２０へ向けて、効率よく反射される。発光装置の発光効率を向上させることができる。
第１部分３１は、第３面３１ａを有する。第３面３１ａは、基板１０と対向する面である。すなわち、第３面３１ａは、第１部分３１の下面である。
例えば、第３面の第２方向（例えばＸ軸方向）に沿った長さ（第２下面長Ｐ２）は、第１面３３ａの第２方向に沿った長さ（第１下面長Ｐ１）の長さの０．４倍以上０．６倍以下である。第２下面長Ｐ２は、例えば、第１下面長Ｐ１の半分である。
この例では、基板１０は、第１導電部１１と、第２導電部１２と、第３導電部１３と、を含む。第２導電部１２は、第２方向において第１導電部１１と離間する。第３導電部１３は、第１導電部１１及び第２導電部１２と第２方向において離間する。例えば、第３導電部１３は、第１導電部１１と第２導電部１２との間に設けられる。
第１半導体発光素子４１の少なくとも一部は、第１導電部１１と第１透光部２０との間に設けられる。例えば、第１部分３１の少なくとも一部は、第１導電部１１と第１透光部２０との間に設けられる。
第２半導体発光素子４２の少なくとも一部は、第２導電部１２と第１透光部２０との間に設けられる。例えば、第２部分３２の少なくとも一部は、第２導電部１２と第１透光部２０との間に設けられる。
第３部分３３の少なくとも一部は、第３導電部１３と第１透光部２０との間に設けられる。
例えば、第１半導体発光素子４１の第１アノード５４ａは、第１導電部１１と電気的に接続される。例えば、第１配線６１を用いて、第１アノード５４ａと第１導電部１１とが接続される。
例えば、第１半導体発光素子４２の第１カソード５５ａは、第３導電部１３と電気的に接続される。例えば、第２配線６２を用いて、第１カソード５５ａと第３導電部１３とが接続される。
例えば、第２半導体発光素子４２の第２アノード５４ｂは、第３導電部１３と電気的に接続される。例えば、第３配線６３を用いて、第２アノード５４ｂと第３導電部１３とが接続される。
例えば、第２半導体発光素子４２の第２カソード５５ｂは、第２導電部１２と電気的に接続される。例えば、第４配線６４を用いて、第２カソード５５ｂと第２導電部１２とが接続される。第１〜第４配線６１〜６４は、例えば、ボンディングワイヤである。
このように、第１半導体発光素子４１の第１カソード５５ａと、第２半導体発光素子４２の第２アノード５４ｂと、は、第３導電部１３を介して電気的に接続される。これにより、例えば、第１半導体発光素子４１の電極及び第２半導体発光素子４２の電極のそれぞれに接続される配線の長さを短くすることができ、発光効率を向上させることができる。
例えば、電極に接続される配線は、半導体発光素子４０から出射された光を吸収してしまう場合がある。このため、電極のそれぞれに接続される配線の長さが長い場合、発光装置の発光効率を低下させてしまう場合がある。
これに対して、発光装置１０１においては、第３導電部１３が第３部分３３の下に設けられる。この第３導電部１３を介して、第１カソード５５ａと、第２アノード５４ｂと、が電気的に接続される。このため、配線の長さを短くすることができ、発光効率を向上させることができる。
図２は、第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。
図２は、発光装置１０２を例示している。発光装置１０２においても、基板１０、第１透光部２０、樹脂体３０、第１半導体発光素子４１及び第２半導体発光素子４２などが設けられる。これらには、発光装置１０１において説明した構成と同様の構成を適用することができる。
発光装置１０２においては、第１カソード５５ａと第２アノード５４ｂとが、第５配線６５を介して、電気的に接続されている。このように、例えば、ボンディングワイヤによって、第１カソード５５ａと第２アノード５４ｂとを接続してもよい。
このように、ボンディングワイヤを用いることで、基板１０に設けられる導電部（例えば第３導電部１３）のパターンに依らずに、半導体発光素子４０どうしを接続することができる。
後述するように、実施形態に係る発光装置の製造工程において、発光装置に設けられる半導体発光素子４０の数を選択することができる。この場合に、ボンディングワイヤを用いて、半導体発光素子４０どうしを接続する。これにより、例えば、基板１０の仕様変更を避けることができる。発光装置の製造コストを抑えることができ、製造効率を向上させることができる。
図３は、第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。
図３は、発光装置１０３を例示している。発光装置１０３においても、基板１０、樹脂体３０、第１半導体発光素子４１及び第２半導体発光素子４２などが設けられる。これらには、発光装置１０１において説明した構成と同様の構成を適用することができる。
発光装置１０３の第１透光部２０は、発光装置１０１の第１透光部２０と同様に、上面２０ｕと、下面２０ｌと、を有する。
発光装置１０３においても、上面２０ｕは、第１上部２１ｕと第２上部２２ｕと第３上部２３ｕとを含む。上面２０ｕは、第４上部２４ｕをさらに含む。
第１部分３１は、第１上部２１ｕと基板１０との間に設けられる。第３部分３３は、第３上部２３ｕと基板１０との間に設けられる。第１半導体発光素子４１は、第４上部２４ｕと基板１０との間に設けられる。
発光装置１０３においては、基板１０と第１上部２１ｕとの間のＺ軸方向に沿った第１距離Ｌ１は、基板１０と第４上部２４ｕとの間のＺ軸方向に沿った第４距離Ｌ４よりも短い。
発光装置１０３においては、基板１０と第３上部２３ｕとの間のＺ軸方向に沿った第３距離Ｌ３は、基板１０と第４上部２４ｕとの間のＺ軸方向に沿った第４距離Ｌ４よりも短い。このように、実施形態においては、第１透光部２０の形状は、複数の半導体発光素子４０のそれぞれの上において凸部が設けられたレンズ状であってもよい。
例えば、発光装置１０１及び発光装置１０３において例示したように、レンズの形状を調整する。これにより、例えば、発光装置の配光特性を調整することができる。
発光装置１０１〜１０３において、下面２０ｌは、第１下部２１ｌと、第２下部２２ｌと、第３下部２３ｌとを有する。第１部分３１は、第１下部２１ｌと基板１０との間に設けられる。第１半導体発光素子４１は、第２下部２２ｌと基板１０との間に設けられる。第３部分３３は、第３下部２３ｌと基板１０との間に設けられる。
基板１０と第１下部２１ｌとの間のＺ軸方向に沿った第５距離Ｌ５は、基板１０と第２下部２２ｌとの間のＺ軸方向に沿った第６距離Ｌ６よりも長い。基板１０と第３下部２３ｌとの間のＺ軸方向に沿った第７距離Ｌ７は、第６距離Ｌ６よりも長い。すなわち、実施形態に係る発光装置１０１〜１０３においては、複数の半導体発光素子４０のそれぞれの上において、第１透光部２０は、下に凸の形状を有する。これにより、例えば、発光装置の配光特性を調整することができ、高い発光効率を得ることができる。
図４（ａ）〜図４（ｅ）は、第１の実施形態に係る発光装置の製造工程を例示する模式的断面図である。
図５（ａ）及び図５（ｂ）は、第１の実施形態に係る発光装置の製造工程を例示する模式的斜視図である。
図４（ａ）に表したように、基板１０（リードフレーム）の上に、樹脂体３０を形成する。樹脂体３０は、例えば、Ｘ軸方向において互いに離間した複数の部分３０ｐ（成形部）を含む。部分３０ｐは、例えば、第１〜第３部分３１〜３３などを含む。図５（ａ）は、このように基板の上に樹脂体３０を例示している。例えば、樹脂体３０は、Ｙ軸方向において互いに離間した複数の部分３０ｐも含む。例えば、樹脂体３０は、網状である。
図４（ｂ）に表したように、互いに隣合う複数の部分３０ｐどうしの間のそれぞれにおいて、基板１０の上に半導体発光素子４０を配置する。半導体発光素子４０のそれぞれを、例えば、配線６６（ボンディングワイヤ）を用いて、基板１０と接続する。
図４（ｃ）に表したように、複数の半導体発光素子４０のそれぞれの上に、透明樹脂を滴下し、第２透光部７０を形成する。
図４（ｄ）に表したように、樹脂体３０及び複数の半導体発光素子４０の上に第１透光部２０を形成する。第１透光部２０は、例えば、モールド成形によって、形成される。第１透光部２０は、複数の部分３０ｐのそれぞれと接する。このようにして加工体９０が形成される。図５（ｂ）は、加工体９０を例示している。この例では、第１透光部２０は、Ｘ−Ｙ平面において並ぶ複数のレンズ部２０ｐを含む。１つのレンズ部２０ｐと、基板１０との間に、４つの半導体発光素子４０が配置されている。
図４（ｅ）において、基板１０と樹脂体３０と半導体発光素子４０と透光部（第１透光部２０）とを含む加工体９０を、ダイシング（切断）する。ダイシングには、例えば、ブレードダイシングが用いられる。
ダイシング工程においては、第１透光部２０と、樹脂体３０と、基板１０と、が切断される。例えば、加工体９０は、第１位置Ｐｓ１及び第２位置Ｐｓ２を含む複数の位置で切断される。例えば、レンズ部２０ｐの形状に合わせてダイシングが実施される。
加工体９０は、第１位置Ｐｓ１と第２位置Ｐｓ２との間に設けられた少なくとも１つの部分３０ｐを含む。この例では、第１位置Ｐｓ１と第２位置Ｐｓ２との間には、１つの部分３０ｐが設けられている。
加工体９０は、第１位置Ｐｓ１と第２位置Ｐｓ２との間に設けられた複数の（少なくとも２つの）半導体発光素子４０を含む。この例では、第１位置Ｐｓ１と第２位置Ｐｓ２との間には、２つの半導体発光素子４０が設けられている。このようにして、発光装置１０１は、完成する。
このようにして製造された発光装置１０１の第３部分３３は、例えば、シームレスな形状である。これにより、半導体発光素子４０どうしの間の間隔を小さくすることができる。面積あたりの発光効率の高い発光装置を得ることができる。
このように実施形態においては、複数の半導体発光素子４０と樹脂体３０とが一体として形成された発光装置が提供される。これにより、例えば、１つの半導体発光素子４０を有するチップを複数繋ぎ合わせて発光装置を製造する場合に比べて、発光装置を小型化することができる。面積あたりの発光効率の高い発光装置を提供することができる。
例えば、第１位置Ｐｓ１と第２位置Ｐｓ２との間には、２つ以上の部分３０ｐが設けられていても良い。第１位置Ｐｓ１と第２位置Ｐｓ２との間には、３つ以上の半導体発光素子４０が設けられていても良い。例えば、切断する位置を変えることで、大きさの異なる発光装置を製造することができる。１つの発光装置に含まれる半導体発光素子４０の数を選択することができる。
このように、実施形態においては、１つのデザインのリードフレーム（基板１０）及び１つのデザインの樹脂体３０が用いられる。これらの上に形成される第１透光部２０の形状と、ダイシング位置と、を変更することで、大きさの異なる発光装置を製造することができる。例えば、リードフレームのデザインを変えることなく、大小さまざまなサイズのパッケージを同一のフレームから形成することができる。同一の樹脂体を形成する金型を用いて、大小さまざまなサイズのパッケージを形成することができる。
例えば、パッケージデザインの変更時に、樹脂体を形成する金型を新たに製作する場合がある。この場合、金型を製作する工期及びコストが大きく、パッケージデザインの変更時において大きな負担となる。
これに対して、実施形態によれば、樹脂体をつくる金型の共有化を図ることができ、開発及び量産時のコストを抑えることができる。このように、高い製造効率で、発光効率の高い発光装置を提供することができる。
実施形態によれば、発光効率の高い発光装置及びその製造方法が提供できる。
なお、本願明細書において、「垂直」は、厳密な垂直だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直であれば良い。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、基板、透光部、樹脂体、半導体発光素子及び波長変換層などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施の形態として上述した発光装置及びその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての発光装置及びその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１０…基板、 １１…第１導電部、 １２…第２導電部、 １３…第３導電部、 ２０…第１透光部、 ２０ｌ…下面、 ２０ｐ…レンズ部、 ２０ｕ…上面、 ２１ｕ…第１上部、 ２１ｌ…第１下部、 ２２ｕ…第２上部、 ２２ｌ…第２下部、 ２３ｕ…第３上部、 ２３ｌ…第３下部、 ２４ｕ…第４上部、 ３０…樹脂体、 ３０ｐ…部分（成形部）、 ３１…第１部分、 ３１ａ…第３面、 ３２…第２部分、 ３３…第３部分、 ３３ａ…第１面、 ３３ｂ…第２面、 ３３ｃ…第１側面、 ３３ｄ…第２側面、 ４０…半導体発光素子、 ４１〜４４…第１〜第４半導体発光素子、 ５１…ｎ形半導体層、 ５２…発光層、 ５３…ｐ形半導体層、 ５４…アノード、 ５４ａ…第１アノード、 ５４ｂ…第２アノード、 ５５…カソード、 ５５ａ…第１カソード、 ５５ｂ…第２カソード、 ６１〜６５…第１〜第５配線、 ６６…配線、 ７０…第２透光部、 ７１…波長変換層、 ９０…加工体、 θ１…第１角度、 θ２…第２角度、 １０１〜１０３…発光装置、 Ｈ１、Ｈ２…第１、第２長、 Ｌ１〜Ｌ７…第１〜第７距離、 Ｐ１、Ｐ２…第１、２下面長、 Ｐｓ１、Ｐｓ２…第１、第２位置、 Ｕ１…第１上面長

Claims (14)

  1. 基板と、
    前記基板の上に設けられた光透過性の第１透光部と、
    前記基板と前記第１透光部との間に設けられた光反射性の樹脂体であって、
    前記第１透光部と接する第１部分と、
    前記基板から前記第１透光部へ向かう第１方向と交差する第２方向において、前記第１部分と離間し、前記第１透光部と接する第２部分と、
    前記第２方向において前記第１部分及び前記第２部分と離間し、前記第１部分と前記第２部分との間に設けられ、前記第１透光部と接する第３部分と、
    を含む樹脂体と、
    前記基板と前記第１透光部との間において、前記第１部分と前記第３部分との間に設けられた第１半導体発光素子と、
    前記基板と前記第１透光部との間において、前記第２部分と前記第３部分との間に設けられた第２半導体発光素子と、
    を備えた発光装置。
  2. 前記第１方向に沿った前記第３部分の長さは、前記第１方向に沿った前記第１半導体発光素子の長さよりも長い請求項１記載の発光装置。
  3. 前記第３部分は、前記基板と対向する第１面と、前記第１透光部と対向する第２面と、を有し、
    前記第１面の前記第２方向に沿った長さは、前記第２面の前記第２方向に沿った長さよりも長い請求項１または２記載の発光装置。
  4. 前記第３部分は、前記第１面と前記第２面との間に設けられ、前記第２方向と交差する第１側面をさらに有し、
    前記第１面と前記第１側面との間の角度は、３０度以上９０度以下である請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。
  5. 前記第１部分は、前記基板と対向する第３面を有し、
    前記第３面の前記第２方向に沿った長さは、前記第１面の前記第２方向に沿った長さの０．４倍以上０．６倍以下である請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置。
  6. 前記基板は、
    第１導電部と、
    前記第２方向において前記第１導電部と離間した第２導電部と、
    前記第２方向において前記第１導電部及び前記第２導電部と離間した第３導電部と、
    を含み、
    前記第１半導体発光素子の少なくとも一部は、前記第１導電部と前記第１透光部との間に設けられ、
    前記第２半導体発光素子の少なくとも一部は、前記第２導電部と前記第１透光部との間に設けられ、
    前記第３部分の少なくとも一部は、前記第３導電部と前記第１透光部との間に設けられる請求項１〜５のいずれか１つに記載の発光装置。
  7. 前記第１半導体発光素子は、第１カソードと、第１アノードと、を含み、
    前記第２半導体発光素子は、第２カソードと、第２アノードと、を含み、
    前記第１カソードは、前記第３導電部と電気的に接続され、
    前記第２アノードは、前記第３導電部と電気的に接続された請求項６記載の発光装置。
  8. 前記第１透光部は、上面と、前記上面と前記基板との間に設けられた下面と、を有し、
    前記上面は、第１上部と、第２上部と、第３上部と、を含み、
    前記第１部分は、前記第１上部と前記基板との間に設けられ、
    前記第２部分は、前記第２上部と前記基板との間に設けられ、
    前記第３部分は、前記第３上部と前記基板との間に設けられ、
    前記基板と前記第１上部との間の前記第１方向に沿った距離は、前記基板と前記第３上部との間の前記第１方向に沿った距離よりも短く、
    前記基板と前記第２上部との間の前記第１方向に沿った距離は、前記基板と前記第３上部との間の前記第１方向に沿った距離よりも短い請求項１〜７のいずれか１つに記載の発光装置。
  9. 前記第１透光部は、上面と、前記上面と前記基板との間に設けられた下面と、を有し、
    前記上面は、第１上部と、第３上部と、第４上部と、を含み、
    前記第１部分は、前記第１上部と前記基板との間に設けられ、
    前記第３部分は、前記第３上部と前記基板との間に設けられ、
    前記第１半導体発光素子は、前記第４上部と前記基板との間に設けられ、
    前記基板と前記第１上部との間の前記第１方向に沿った距離は、前記基板と前記第４上部との間の前記第１方向に沿った距離よりも短く、
    前記基板と前記第３上部との間の前記第１方向に沿った距離は、前記基板と前記第４上部との間の前記第１方向に沿った距離よりも短い請求項１〜７のいずれか１つに記載の発光装置。
  10. 前記下面は、第１下部と、第２下部と、第３下部と、を含み、
    前記第１部分は、前記第１下部と前記基板との間に設けられ、
    前記第１半導体発光素子は、前記第２下部と前記基板との間に設けられ、
    前記第３部分は、前記第３下部と前記基板との間に設けられ、
    前記基板と前記第１下部との間の前記第１方向に沿った距離は、前記基板と前記第２下部との間の前記第１方向に沿った距離よりも長く、
    前記基板と前記第３下部との間の前記第１方向に沿った距離は、基板と前記第２下部との間の前記第１方向に沿った距離よりも長い請求項８または９に記載の発光装置。
  11. 前記第３部分は、シームレスである請求項１〜１０のいずれか１つに記載の発光装置。
  12. 前記第１半導体発光素子と前記第１透光部との間に設けられた光透過性の第２透光部をさらに備えた１〜１１のいずれか１つに記載の発光装置。
  13. 前記第１半導体発光素子と前記第１透光部との間に設けられた波長変換層をさらに備え、
    前記第１半導体発光素子は、第１ピーク波長を有する光を出射し、
    前記波長変換層は、前記光の少なくとも一部を吸収して、前記第１ピーク波長とは異なる第２ピーク波長を有する光を放出する請求項１〜１２のいずれか１つに記載の発光装置。
  14. 基板の主面の上に形成された複数の部分を含む樹脂体と、
    互いに隣合う前記複数の部分どうしの間のそれぞれにおいて、前記主面の上に配置された複数の半導体発光素子と、
    前記樹脂体及び前記複数の半導体発光素子の上に設けられ、前記複数の部分のそれぞれと接する透光部と、
    を含む加工体を準備する工程と、
    前記加工体の第１位置及び第２位置のそれぞれにおいて、前記透光部と前記樹脂体と前記基板とを切断する工程と、
    を備え、
    前記加工体は、
    前記第１位置と前記第２位置との間に設けられた少なくとも１つの前記部分と、
    前記第１位置と前記第２位置との間に設けられた少なくとも２つの前記半導体発光素子と、
    を含む発光装置の製造方法。
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