CN1770491A - 半导体发光器件 - Google Patents

半导体发光器件 Download PDF

Info

Publication number
CN1770491A
CN1770491A CNA2005101199278A CN200510119927A CN1770491A CN 1770491 A CN1770491 A CN 1770491A CN A2005101199278 A CNA2005101199278 A CN A2005101199278A CN 200510119927 A CN200510119927 A CN 200510119927A CN 1770491 A CN1770491 A CN 1770491A
Authority
CN
China
Prior art keywords
fluorophor
light
semiconductor device
wavelength
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2005101199278A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100433386C (zh
Inventor
武泽初男
下村健二
押尾博明
白川康博
石井努
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seoul Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Materials Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Publication of CN1770491A publication Critical patent/CN1770491A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100433386C publication Critical patent/CN100433386C/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/0013—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor using fillers dispersed in the moulding material, e.g. metal particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

一种半导体发光器件，其包括：发射第一波长光的半导体发光元件；至少两种荧光体，其吸收第一波长光，然后发射波长变换的光；密封树脂，所述至少两种荧光体分散其中，并且所述半导体发光元件埋置其中；和粘结树脂；组合体，其中所述至少两种荧光体借助粘结树脂组合在一起，所述组合体分散在密封树脂中。

Description

半导体发光器件
本申请基于2004年9月2日提交的2004-255809号在先日本专利申请并要求其优先权，在此引入该在先申请的全部内容作为参考。
                      技术领域
本发明涉及基于半导体发光元件例如发光二极管(LED)的半导体发光器件，更具体地讲，本发明涉及用于白光源的半导体发光器件，包括与荧光体组合的半导体发光元件。
                      背景技术
近年来，半导体发光器件已经广泛用于各种光源，包括照明和显示器件。具体地，氮化镓基材料制成的发蓝光元件和紫外光元件的实现已经引人注目地扩展了白光器件的应用。希望将来能进一步用在LCD背光源、大屏幕或其它显示和照明灯等中。
通过把用于发射短波长光的半导体发光元件与用于转换发光波长的荧光体结合，可以制成这种半导体发光器件。亦即，可以把用于在不同波长发光的几种荧光体混合起来，获得具有预定光谱的发光。
例如，通过适当选择吸收紫外光辐射并将波长分别转换成蓝、绿和红的三种荧光体的混合比例，可以实现期望的发光颜色(例如日本公开专利申请2003-324215)。为了实现发白光，存在与其对应的荧光体的最佳混合比例。另外，也可以通过用紫外光辐射照射发蓝光和黄光的荧光体，并且混合发射的蓝光和黄光，实现发白光。
但是，不同种类的荧光体各自具有不同的比重和颗粒尺寸分布。这导致一个问题，那就是制造工艺中的各种因素引起产品的色调变化和生产率的降低。
例如可以与发蓝光元件组合使用单一种类的荧光体来解决这一问题。更具体地讲，通过用蓝光照射黄荧光体获得的黄光，可以与来自发光元件的蓝光混合，获得白光。
但是，在这种情形中，由于发光元件中的发光对温度的依赖性与荧光体中的波长转换对温度的依赖性不同，所以存在相应于环境温度变化的色调不稳定的问题。此外，由于可实现的颜色范围受限于两种颜色的合成，所以半导体发光元件和单一种类荧光体的组合也是不利的。
                      发明内容
根据本发明的一个方案，提供一种半导体发光器件，其包括：
发射第一波长光的半导体发光元件；
至少两种荧光体，其吸收第一波长光，然后发射波长变换的光；
密封树脂，其中分散有所述至少两种荧光体，并且所述半导体发光元件埋置其中；和
粘结树脂，
组合体(combined bodies)，其中所述至少两种荧光体借助粘结树脂组合在一起，所述组合体分散在密封树脂中。
根据本发明的另一方案，提供一种半导体发光器件，其包括：
发射第一波长光的半导体发光元件；
荧光体颗粒，其吸收第一波长光，然后发射波长变换的光；
密封树脂，其中分散有荧光体颗粒，并且所述半导体发光元件埋置其中；和
粘结树脂，
组合体，其中所述荧光体颗粒与粘结树脂组合在一起，所述组合体分散在密封树脂中。
根据本发明的又一方案，提供一种半导体发光器件，其包括：
发射第一波长光的半导体发光元件；
至少两种荧光体，其吸收第一波长光，然后发射波长变换的光；
密封树脂，其中分散有所述至少两种荧光体，并且所述半导体发光元件埋置其中；
所述至少两种荧光体中的至少一种荧光体具有其上附着有细微粉末的表面，并分散在密封树脂中，所述细微粉末由与所述至少两种荧光体不同的材料制成并且其颗粒尺寸比所述荧光体小。
                      附图说明
图1是根据本发明第一种实施方式的半导体发光器件的相关部分结构的剖面示意图。
图2是根据第一种实施方式的半导体发光器件中组合荧光体(combined phosphors)分散在透明树脂300中的示意图。
图3是本发明人在实现本发明期间研究的半导体发光器件对比例的剖面示意图。
图4是利用箱线图(box plot)显示时间对色调的影响的实验结果的曲线图。
图5是根据第一种实施方式的半导体发光器件组装工序的部分示意图。
图6是形成组合荧光体的方法流程图。
图7是通过组合处理形成的组合荧光体的SEM(扫描电镜)放大照片。
图8是颗粒尺寸分布随组合处理的有或无而变化的曲线图。
图9是在半导体发光元件100附近沉积的组合荧光体的示意图。
图10A是根据本发明第二种实施方式的半导体发光器件的相关部分结构的剖面示意图。
图10B是荧光体的剖面放大示意图。
图11是形成附着粉末的荧光体的方法流程图。
                  具体实施方式
以下将结合附图对本发明的实施例予以说明。
图1是根据本发明第一实施例的半导体发光器件的相关部分结构的剖面示意图。
更具体地讲，本实施例的半导体发光器件属于表面安装器件(SMD)，适合于高密度封装在安装电路板上。使用粘结剂530把半导体发光元件100粘结在第一引线510上。设置在半导体发光元件100上表面的第一电极通过连接线540与第一引线510连接。设置在半导体发光元件100上表面的第二电极通过连接线与第二引线512连接。通过注射模制成型等方式把预先与引线框架连接的引线510、512埋置固定在热塑树脂520中。可以在热塑树脂520中混合光反射材料，在埋置引线510和512之后，形成光反射斜面521。
半导体发光元件100例如由GaN基或InGaAlP基材料制成。GaN基发光元件发射波带例如在330-400纳米的紫外光辐射。InGaAlP基发光元件发射波带例如在400-700纳米的可见光。
半导体发光元件100被透明树脂300密封。组合荧光体220、221、223分散在透明树脂300中。从半导体发光元件100发射的初始光被组合荧光体220、221、223吸收，其波长被转换后二次发光。
图2是在根据本实施例的半导体发光器件的透明树脂300中分散的组合荧光体的示意图。
组合荧光体220-223由蓝荧光体21、绿荧光体22和红荧光体23构成，这些荧光体借助粘结树脂25组合在一起。为了获得希望的白光，优选这些荧光体21、22、23按预定混合比例组合。蓝荧光体21例如可以是(Sr、Ca、Ba、Eu)10(PO4)6:Cl2。绿荧光体22例如可以是3(Ba、Mg、Eu、Mn)O:8Al2O。红荧光体23例如可以是La2O2S:(Eu、Sm)。
为了通过三色混合获得白光，必须含有较高混合比例(重量比)的发射强度比其它荧光体低的红荧光体23。按重量比表示的示例混合比是蓝∶绿∶红＝0.7∶1∶5。一般，红荧光体23具有约5-15微米(μm)的颗粒尺寸。蓝荧光体21和绿荧光体22具有约3-12微米的颗粒尺寸。红荧光体23具有约5.7的比重，大于蓝荧光体21的比重(约4.2)和绿荧光体22的比重(约3.8)。因此，在固化之前，红荧光体23在透明树脂300中具有更高的沉积速率。
在透明树脂300固化前，液态透明树脂中的荧光体(组合荧光体)沉积速率可以由斯托克斯公式(Stokes’formula)近似表示。亦即，荧光体的沉积速率正比于(颗粒尺寸的平方×比重)。
由于具有高混合比的红荧光体23一般具有大的颗粒尺寸，所以红荧光体23的沉积速率更加增大。
图3是本发明人在实现本发明期间研究的半导体发光器件对比例的剖面示意图。本对比例的半导体发光器件也是表面安装发光器件(SMD)。就此图而言，与图1和2的上述说明相似的元件采用相同的附图标记，不再详细说明。
半导体发光元件100被透明树脂300密封。透明树脂300在加热固化前处于液态，其中荧光体(用于按蓝21、绿22和红23发光)按预定混合比例混合。这些荧光体用于吸收从半导体发光元件100发射的紫外光辐射，并且把波长转换成为蓝光201、绿光202和红光203。通过适当选择荧光体的混合比例可以实现期望的发光颜色。
然而，本对比例的半导体发光器件存在以下问题。不同种类的荧光体分别具有不同的比重和颗粒尺寸分布。结果，即使这些荧光体按预定混合比例在液态透明树脂材料中混合(热固化前)，在把树脂材料注射到半导体发光元件100周围之前，沉积速率的差异也会引起给料器中的混合比例的不均匀性。同样，即使在把树脂材料注射到半导体发光元件100周围之后，在热固化前也会发生沉积，导致荧光体的混合比例依赖于其在透明树脂300中的位置。
如图3所示，比重比其它荧光体更大的红荧光体23，其沉积比其它荧光体(蓝荧光体21和绿荧光体22)更快。此外，辐射强度比其它荧光体低的红荧光体必须按更高的混合比例(重量比)含有。为此，优选增大颗粒尺寸。然而，如上所述，液态透明树脂300中的沉积速率大致正比于颗粒尺寸的平方。因此，进一步增大红荧光体23的沉积速率。
基于上述原因，大量的红荧光体23靠近半导体发光元件100分布，并且经受热固化。从半导体发光元件100发射的紫外光辐射10因被红荧光体23吸收转换成为红光203，因被蓝荧光体21吸收转换成为蓝光201，因被绿荧光体22吸收转换成为绿光202。然而，由于大量红荧光体23分布在半导体发光元件100附近，作为初始光的紫外光辐射更多的是被红荧光体23吸收。这导致色调具有较强的红色。
图4是利用箱线图显示时间对色调的影响的实验结果的曲线图。
更具体地讲，该图的水平轴表示三色荧光体在液态树脂300中混合并被给料器注入半导体发光元件100周围之后，到热固化开始之前，所经历的时间。垂直轴采用色标O-Cx表示制成的白光器件的色调。实心方块表示平均值。
从图4可见，随着热固化开始之前的经历时间的增加，色标Cx及其变化增大，从而色调的变化增大。批量生产时，在注射液态透明树脂300之后、开始热固化之前的过程中，不可避免地产生一定范围(的变化)。这导致产品的色调变化，产率自然也就降低了。
为了避免这一问题，优选不单独布置红荧光体23，而是与其它颜色的荧光体组合布置。优选把三种荧光体组合在一起，从混合比例与各自的颗粒尺寸之间的关系来看，并不总是能够实现的。本实施例主要公开了以下四种类型组合的组合荧光体，虽然其它组合也是可能的(例如相同种类的荧光体组合)。
组合荧光体220由通过粘结树脂25组合的三种荧光体(红、蓝和绿)制成。组合荧光体221由通过粘结树脂25组合的两种荧光体(红和绿)制成。组合荧光体222由通过粘结树脂25组合的两种荧光体(绿和蓝)制成。最后，组合荧光体223由通过粘结树脂25组合的两种荧光体(红和蓝)制成。
这些组合可以防止红荧光体23单独沉积，从而明显地减轻了红色的增强。
如图1所示，组合荧光体吸收紫外光辐射10，例如各个荧光体进行波长转换，分别发射蓝光201、绿光202和红光203。作为这些三种颜色的混合获得白光。
如上所述，可以在透明树脂300中形成并分散组合荧光体，防止仅仅比重大的红荧光体23位于发光元件100周围。通过按预定混合比例混合各种荧光体，然后利用粘结树脂把这些荧光体颗粒组合在一起，这样可以形成这种组合荧光体。以下将详细说明所用的方法。
图5是根据本实施例的半导体发光器件组装工序的部分示意图。
在热固化和使用给料器600下滴(注射)在发光元件100上之前，在液态透明树脂300中混合组合荧光体200-203。组合荧光体在液态透明树脂300中的混合重量比优选20-30％。在批量生产中，注射透明树脂之前大量的半导体发光器件700排列在引线框架515上，依次进行液态透明树脂的注射。此时，按箭头所指方向自动传送引线框架。接着，进行热固化处理，形成透明树脂300。透明树脂300的例子包括环氧树脂、聚碳酸酯、聚苯乙烯、丙烯酸树脂和硅氧烷树脂。这些树脂之中，具体地讲，硅氧烷树脂不存在因半导体发光元件100发射的紫外光辐射而产生劣化，例如变色，并且随着时间的推移能够实现稳定的发射特性。
当荧光体在液态透明树脂300中混合时开始出现沉积。在用于批量生产的给料器600中，从荧光体的混合直到在发光元件100上注射树脂300之前，可能要几个小时。在此时间内，荧光体发生沉积。
图5中，部分A和部分B是局部放大图，展示了在液态透明树脂中混合的组合荧光体。如图所示，在上部分A的组合荧光体的浓度低于在下部分B的组合荧光体的浓度。即使组合荧光体的浓度发生变化，在部分A和部分B中三种荧光体也都应按预定混合比例混合。结果，不会象对比例那样产生红色增强的发光元件。此外，如果生产中以规则的时间间隔搅拌给料器600中的内容物，则可使部分A和部分B之间的浓度差极小。
以下，将说明组合荧光体200-203的形成方法。
图6是形成组合荧光体的方法流程图。
首先，按预定比例称量的至少两种荧光体分散在液体中(步骤S110)。用于分散荧光体的溶剂例如可以是水或有机溶剂如乙醇。
随后，添加粘结剂(步骤S120)。粘结剂例如可以是丙烯酸树脂或者硅氧烷基树脂。虽然丙烯酸树脂具有高的粘结强度，但却会因半导体发光元件发射的短波长光而产生变色，这会降低发光强度。
粘结剂相对于溶剂的浓度可以例如在0.01-0.5％。此外，可以交换步骤S110和S120的顺序。亦即，可以预先在溶剂中添加粘结剂，然后在溶剂中分散荧光体。
接着，通过搅拌(例如一小时)，使荧光体絮凝(步骤S130)。分散在溶剂中的荧光体颗粒被絮凝在一起。借助粘结树脂涂层促使荧光体颗粒组合。
随后进行过滤和干燥(步骤S140)，然后使用筛子(例如200目)进行分选(步骤S150)。
图7是通过这种组合处理形成的组合荧光体在放大镜下的SEM(扫描电镜)照片。
如图所示，粘结剂涂层B形成在荧光体颗粒表面上，邻近的荧光体颗粒被涂层B组合在一起。
图8是颗粒尺寸分布随组合处理的有或无而变化的曲线图。
更具体地讲，该图中的水平轴表示荧光体(组合荧光体)的平均颗粒尺寸(微米)。垂直轴表示每个颗粒尺寸组中的颗粒在全部荧光体中所占的体积比(百分比)。
在本例中，组合处理前的荧光体的平均颗粒尺寸是9微米(红)、7微米(绿)、和6微米(蓝)。混合比例(重量比)是红∶绿∶蓝＝5∶1∶0.7。
未进行组合处理时，平均颗粒尺寸是6-10微米。然而，使用粘结树脂的组合处理使组合荧光体的平均颗粒尺寸增大到12-16微米，这表明荧光体颗粒被组合了。
从荧光体分散在透明树脂300中并注射在发光元件100上之后，直到树脂300热固化之前的持续时间优选得以缩短。但是，在实际批量生产中可能需要几个小时。在此时间期间荧光体(组合荧光体)也会发生沉积。
图9是在半导体发光元件100附近沉积的组合荧光体的示意图。
如该图所示，组合荧光体220、221、222、223已经沉积在半导体发光元件100附近。但是，根据本实施例，即使发生这种沉积，因为蓝、绿和红荧光体的混合比例是固定的，所以色调的变化也可以降低到极小的范围。根据本发明人的试生产，基于色标的色度变化，对于图3和4中如上所述的对比例是±0.024，而对于根据本实施例的半导体发光元件色度变化可以降低到±0.005以内。结果，重复获得变化极小的特性分布(尤其是色调)，这对于批量生产是极为有利的。
另一方面，荧光体的亮度取决于其颗粒尺寸。例如，颗粒尺寸为15微米的蓝荧光体，比颗粒尺寸为6微米的亮度要高10-15％。但是，随着荧光体颗粒尺寸的增大，沉积速率速加快，导致色度变化变大，并且合格率降低。相反，根据本实施例，通过把荧光体组合在一起的工艺，即使颗粒尺寸增大，也能够降低色度变化。这样可以批量生产高亮度灯。
在半导体发光器件中，由于半导体发光元件100和荧光体布置的非常靠近，所以荧光体分布与其颜色的任何关联都会明显地影响整个色调。因此，与荧光灯相比，重要的是固定荧光体的混合比例，使其与激发光源(例如半导体发光元件)的距离无关。在此方面，根据本实施例，通过对荧光体实施组合处理，形成组合荧光体，能够固定荧光体的混合比例，与荧光灯相比，使其与半导体发光元件的距离无关，能够确切地和容易地降低色度的变化和离散。
以下，说明本发明的第二种实施方式。
图10A是根据本发明第二种实施方式的半导体发光器件的相关部分结构的剖面示意图。图10B是荧光体的剖面放大示意图。
再次参见这些图，与参见图1-9如上所述相同的元件标以相同的附图标记，不再详细说明。
在本实施方式中，在几种荧光体之中(例如蓝荧光体21、绿荧光体22、红荧光体23)，透明细微粉末210附着在荧光体(例如红荧光体23)表面，类似于沉积，从而形成附着粉末的荧光体230。透明细微粉末210由不同于荧光体23的材料制成，且具有比荧光体23更小的颗粒尺寸。透明细微粉末210可以例如由对可见光或紫外光辐射有良好透射性的材料制成，例如二氧化硅或氧化铝。对二氧化硅和氧化铝可以进行表面改性(例如附着一定的功能基团)，以提高其在固化之前对液态树脂300的亲溶剂性。结果，能够降低沉积速率。此外，附着的细微粉末210防止荧光体颗粒组合在一起，从而能够抑制因颗粒尺寸增大而导致的沉积。
细微粉末210的平均颗粒尺寸优选在0.01-0.08微米的范围内。如果平均颗粒尺寸超过0.08微米，则细微粉末210的表面积减小，降低了改善对树脂的亲溶剂性的效果。另一方面，如果细微粉末210的平均颗粒尺寸低于0.01微米，则细微粉末的微粒易于絮凝在一起。结果，难以获得将粉末附着在荧光体表面的处理液所需要的单分散胶体。
另一方面，细微粉末不附着于蓝荧光体21和绿荧光体22。结果，附着粉末的荧光体的沉积速率相对降低，接近蓝和绿荧光体的沉积速率。
在附着粉末的荧光体230之后，在液态透明树脂中混合蓝荧光体21和绿荧光体22，并充入给料器600，如图5所示。随后，进行向发光元件100的注射和热固化。在本实施例中，由于附着粉末的荧光体230(在本例中含有红荧光体23)的沉积速率接近蓝荧光体21和绿荧光体22，所以不会发生象传统技术中那样的红荧光体的浓度过高。亦即，本实施例能够消除仅有红荧光体23沉积在半导体发光元件100周围，而使色度偏向红色这样的问题。结果，即使批量生产，也可以降低产品之间的混合比例差。例如，虽然对于未附着细微粉末210形成的半导体发光元件，色度变化是±0.024。但是在本实施例中可以降低到±0.013，因而减小了色调变化。按此方式，合格率和生产率的提高均可实现。
在第二种实施方式中，因为荧光体并不组合在一起，每个荧光体颗粒都具有较小的颗粒尺寸，因此，沉积速率可以比第一种实施方式更慢。
如果给料器600中的沉积过快，则在下滴树脂的工序中，工序早期在半导体发光器件中下滴的荧光体的量增多，而工序后期在半导体发光器件中下滴的荧光体的量减少。同样，工艺早期进行下滴处理的半导体发光器件有大量的荧光体沉积在半导体发光元件100周围，而工艺后期进行下滴处理的半导体发光器件只有少量的荧光体沉积在半导体发光元件100周围。亦即，每个产品的荧光体的含量和/或分布可能不同，导致发光强度变化。
相反，根据第二种实施方式，有利的是，荧光体的沉积速率不增加，因此每个产品发光强度的变化减少。
虽然半导体发光元件100也存在发光强度的变化，但是可以通过例如使用驱动电流来调节。因此，第一种实施方式中的一定范围内的发光强度的变化实际上可以完全得到解决。
以下，将说明附着粉末的荧光体230的形成方法。
图11是形成附着粉末的荧光体的方法流程图。
首先，将对可见光或紫外光有良好透射率的透明细微粉末210(例如二氧化硅或氧化铝)投入到溶剂例如水或有机溶剂中(例如乙醇)，在超声波的作用下充分分散(工序S210)。随后，一边搅拌一边缓慢添加荧光体23(工序S220)。持续搅拌一定时间之后(工序S230)，干燥荧光体浆料(例如在100-150℃)，由此获得附着粉末的荧光体230(工序S240)。如此形成的附着粉末的荧光体230与其它荧光体(例如绿和蓝荧光体230)在液态透明树脂(例如硅氧烷或环氧树脂)中混合，然后下滴和热固化。
已经结合实例说明了本发明的实施方式。但是，本发明并不限于这些实例。
例如，半导体发光元件100不限于InGaAlP基和GaN基元件，可以使用GaAlAs基、InP基、各种其它III-V族化合物半导体、II-VI族化合物半导体或各种其它半导体。
同样，从半导体发光元件发射的光不限于紫外光，可以是可见光或红外光。也可以适当选择荧光体的种类和混合比例，以便获得任何发射颜色。例如，荧光体不限于蓝、绿和红三种颜色。采用两种颜色或四种颜色或更多颜色可以实现同样的效果。
对于本领域技术人员来说是显而易见的任何形状、尺寸、材料、包括半导体发光元件在内的各种元件的设置、引线、埋置树脂、荧光体、细微粉末和构成半导体发光器件的密封树脂，也都包含在本发明的范围内，只要它们包括本发明的特征即可。

Claims (20)

1.一种半导体发光器件，其包括：
发射第一波长光的半导体发光元件；
至少两种荧光体，其吸收第一波长光，然后发射波长变换的光；
密封树脂，其中分散有所述至少两种荧光体，并且所述半导体发光元件埋置其中；和
粘结树脂，
组合体，其中所述至少两种荧光体借助粘结树脂组合在一起，所述组合体分散在密封树脂中。
2.根据权利要求1的半导体发光器件，其中所述粘结树脂是硅氧烷基树脂。
3.根据权利要求1的半导体发光器件，其中所述粘结树脂是丙烯酸树脂。
4.根据权利要求1的半导体发光器件，其中
所述第一波长的至少一部分处于紫外光区；
所述至少两种荧光体包括发射第二波长蓝光的蓝荧光体、发射第三波长绿光的绿荧光体和发射第四波长红光的红荧光体。
5.根据权利要求4的半导体发光器件，其中作为蓝光、绿光和红光的混合，所述器件发射白光。
6.根据权利要求4的半导体发光器件，其中所述密封树脂是硅氧烷树脂。
7.一种半导体发光器件，其包括：
发射第一波长光的半导体发光元件；
荧光体颗粒，其吸收第一波长光，然后发射波长变换的光；
密封树脂，其中分散有荧光体颗粒，并且所述半导体发光元件埋置其中；和
粘结树脂，
组合体，其中所述荧光体颗粒与粘结树脂组合在一起，所述组合体分散在密封树脂中。
8.根据权利要求7的半导体发光器件，其中所述粘结树脂是硅氧烷基树脂。
9.根据权利要求7的半导体发光器件，其中所述粘结树脂是丙烯酸树脂。
10.根据权利要求7的半导体发光器件，其中
所述第一波长的至少一部分处于紫外光区；
所述荧光体颗粒包括发射第二波长蓝光的蓝荧光体颗粒、发射第三波长绿光的绿荧光体颗粒和发射第四波长红光的红荧光体颗粒。
11.根据权利要求10的半导体发光器件，其中作为蓝光、绿光和红光的混合，所述器件发射白光。
12.根据权利要求10的半导体发光器件，其中所述密封树脂是硅氧烷树脂。
13.一种半导体发光器件，其包括：
发射第一波长光的半导体发光元件；
至少两种荧光体，其吸收第一波长光，然后发射波长变换的光；
密封树脂，其中分散有所述至少两种荧光体，并且所述半导体发光元件埋置其中；
所述至少两种荧光体中的至少一种荧光体具有其上附着有细微粉末的表面，并分散在密封树脂中，所述细微粉末由与所述至少两种荧光体不同的材料制成并且其颗粒尺寸比所述荧光体小。
14.根据权利要求8的半导体发光器件，其中所述细微粉末是二氧化硅。
15.根据权利要求8的半导体发光器件，其中所述细微粉末是氧化铝。
16.根据权利要求8的半导体发光器件，其中所述细微粉末的平均颗粒尺寸不小于0.01微米，并且不大于0.08微米。
17.根据权利要求13的半导体发光器件，其中
所述第一波长的至少一部分处于紫外光区；
所述至少两种荧光体包括发射第二波长蓝光的蓝荧光体、发射第三波长绿光的绿荧光体和发射第四波长红光的红荧光体。
18.根据权利要求17的半导体发光器件，其中所述细微粉末附着在所述荧光体的表面。
19.根据权利要求17的半导体发光器件，其中作为蓝光、绿光和红光的混合，所述器件发射白光。
20.根据权利要求17的半导体发光器件，其中所述密封树脂是硅氧烷树脂。
CNB2005101199278A 2004-09-02 2005-09-02 半导体发光器件 Active CN100433386C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP255809/2004 2004-09-02
JP2004255809A JP4880887B2 (ja) 2004-09-02 2004-09-02 半導体発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1770491A true CN1770491A (zh) 2006-05-10
CN100433386C CN100433386C (zh) 2008-11-12

Family

ID=36124884

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005101199278A Active CN100433386C (zh) 2004-09-02 2005-09-02 半导体发光器件

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7884544B2 (zh)
JP (1) JP4880887B2 (zh)
CN (1) CN100433386C (zh)
MY (1) MY145275A (zh)
TW (1) TWI289942B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102144016A (zh) * 2008-09-04 2011-08-03 拜尔材料科学股份公司 发光器件及其制造方法
CN102260438A (zh) * 2011-05-09 2011-11-30 香港应用科技研究院有限公司 用于喷墨印刷的led荧光墨组合物
CN103650181A (zh) * 2011-06-29 2014-03-19 松下电器产业株式会社 发光装置
CN103811637A (zh) * 2012-11-05 2014-05-21 晶元光电股份有限公司 波长转换材料及其应用
TWI496871B (zh) * 2009-12-04 2015-08-21 Lg Innotek Co Ltd 製造螢光體的方法及包含此螢光體的發光裝置
CN104916755A (zh) * 2014-03-14 2015-09-16 株式会社东芝 发光装置及该发光装置的制造方法

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5086641B2 (ja) * 2004-09-22 2012-11-28 株式会社東芝 発光装置とそれを用いたバックライトおよび液晶表示装置
WO2007037120A1 (ja) * 2005-09-29 2007-04-05 Kabushiki Kaisha Toshiba 白色発光型ｌｅｄランプおよびそれを用いたバックライト並びに液晶表示装置
WO2007037339A1 (ja) * 2005-09-29 2007-04-05 Kabushiki Kaisha Toshiba 白色発光装置とその製造方法、およびそれを用いたバックライト並びに液晶表示装置
JP4213168B2 (ja) * 2006-03-28 2009-01-21 アルプス電気株式会社 発光装置
AU2007248758A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-15 Daniel Chandler Heat removal design for LED bulbs
JP2009535783A (ja) * 2006-05-02 2009-10-01 スーパーバルブス・インコーポレイテッド プラスチックｌｅｄ電球
KR20090008316A (ko) 2006-05-02 2009-01-21 슈퍼불브스, 인크. Ｌｅｄ 및 그것으로 제조된 전구를 위한 광 분산 및 특정 파장의 우선적 스캐터링 방법
US8344400B2 (en) * 2007-08-31 2013-01-01 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
US8733438B2 (en) * 2007-09-18 2014-05-27 Schlumberger Technology Corporation System and method for obtaining load measurements in a wellbore
US8439528B2 (en) 2007-10-03 2013-05-14 Switch Bulb Company, Inc. Glass LED light bulbs
WO2009054948A1 (en) 2007-10-24 2009-04-30 Superbulbs, Inc. Diffuser for led light sources
EP2257999B1 (en) * 2008-03-25 2014-10-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device, and method and apparatus for manufacturing same
US8471445B2 (en) * 2008-08-18 2013-06-25 Switch Bulb Company, Inc. Anti-reflective coatings for light bulbs
JP4949525B2 (ja) * 2010-03-03 2012-06-13 シャープ株式会社 波長変換部材、発光装置および画像表示装置ならびに波長変換部材の製造方法
US8591069B2 (en) 2011-09-21 2013-11-26 Switch Bulb Company, Inc. LED light bulb with controlled color distribution using quantum dots
KR101957700B1 (ko) * 2012-02-01 2019-03-14 삼성전자주식회사 발광 장치
GB201220929D0 (en) * 2012-11-21 2013-01-02 Airbus Operations Ltd Component bonding method & structure
US8890196B2 (en) * 2013-03-14 2014-11-18 Goldeneye, Inc. Lightweight self-cooling light sources
JP2015192096A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 豊田合成株式会社 発光装置
KR102360957B1 (ko) * 2015-03-27 2022-02-11 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지
US9985182B2 (en) * 2015-12-25 2018-05-29 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting apparatus and color-matching apparatus
JP6493348B2 (ja) * 2016-09-30 2019-04-03 日亜化学工業株式会社 発光装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11131059A (ja) * 1997-10-30 1999-05-18 Hitachi Ltd 蛍光体層およびそれを用いた表示装置
JP3511987B2 (ja) 1999-09-09 2004-03-29 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
US6703780B2 (en) * 2001-01-16 2004-03-09 General Electric Company Organic electroluminescent device with a ceramic output coupler and method of making the same
JP2003179269A (ja) * 2001-01-24 2003-06-27 Nichia Chem Ind Ltd 光半導体素子
JP4101468B2 (ja) 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
JP4114331B2 (ja) * 2001-06-15 2008-07-09 豊田合成株式会社 発光装置
JP4147755B2 (ja) * 2001-07-31 2008-09-10 日亜化学工業株式会社 発光装置とその製造方法
US6791116B2 (en) * 2002-04-30 2004-09-14 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode
JP2003324215A (ja) 2002-04-30 2003-11-14 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオードランプ
JP3978102B2 (ja) * 2002-08-29 2007-09-19 岡谷電機産業株式会社 発光ダイオード
JP3978101B2 (ja) 2002-08-29 2007-09-19 岡谷電機産業株式会社 発光ダイオード及びその製造方法
JP2004107572A (ja) * 2002-09-20 2004-04-08 Sharp Corp 蛍光体およびそれを含む照明装置と表示装置
JP3910517B2 (ja) * 2002-10-07 2007-04-25 シャープ株式会社 Ｌｅｄデバイス
JP4190258B2 (ja) 2002-11-08 2008-12-03 星和電機株式会社 蛍光体の製造方法
JP4529349B2 (ja) 2002-11-08 2010-08-25 日亜化学工業株式会社 窒化物系蛍光体および発光装置
JP4119734B2 (ja) 2002-11-12 2008-07-16 星和電機株式会社 蛍光体、発光ダイオード及び蛍光体の製造方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102144016A (zh) * 2008-09-04 2011-08-03 拜尔材料科学股份公司 发光器件及其制造方法
TWI496871B (zh) * 2009-12-04 2015-08-21 Lg Innotek Co Ltd 製造螢光體的方法及包含此螢光體的發光裝置
CN102260438A (zh) * 2011-05-09 2011-11-30 香港应用科技研究院有限公司 用于喷墨印刷的led荧光墨组合物
CN102260438B (zh) * 2011-05-09 2015-07-15 香港应用科技研究院有限公司 用于喷墨印刷的led荧光墨组合物
CN103650181A (zh) * 2011-06-29 2014-03-19 松下电器产业株式会社 发光装置
CN103811637A (zh) * 2012-11-05 2014-05-21 晶元光电股份有限公司 波长转换材料及其应用
CN103811637B (zh) * 2012-11-05 2018-01-30 晶元光电股份有限公司 波长转换材料及其应用
CN104916755A (zh) * 2014-03-14 2015-09-16 株式会社东芝 发光装置及该发光装置的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW200620707A (en) 2006-06-16
US7884544B2 (en) 2011-02-08
CN100433386C (zh) 2008-11-12
US20060071591A1 (en) 2006-04-06
JP4880887B2 (ja) 2012-02-22
MY145275A (en) 2012-01-13
JP2006073816A (ja) 2006-03-16
TWI289942B (en) 2007-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1770491A (zh) 半导体发光器件
CN1156029C (zh) 波长变换填料及其应用
CN1264228C (zh) 发光半导体器件、全色发光二极管显示装置及其应用
CN1874019A (zh) 发光器件及其制造方法
CN1193438C (zh) 半导体发光器件及其制造方法
CN1871714A (zh) 半导体光发射装置及其制造方法
CN101052696A (zh) 用于绿色交通灯的磷光体掺和物
CN1934721A (zh) 发光装置和照明装置
CN1898357A (zh) 磷光体及利用该磷光体的发光器件
CN1722485A (zh) 发射射线的半导体芯片及包含该半导体芯片的装置
JP2007049114A (ja) 発光装置とその製造方法
CN1918263A (zh) 荧光粉、其制造方法及利用该荧光粉的发光装置
CN1523683A (zh) 发光装置
CN1610137A (zh) 白光发光二极管
CN1934219A (zh) 氧氮化物荧光体及发光器件
CN1919965A (zh) 复合磷光粉、使用其的发光器件以及制备复合磷光粉的方法
JP2002076445A (ja) 半導体発光装置
JP2011151419A (ja) 発光装置とその製造方法
CN1977396A (zh) 发光器件以及使用该发光器件的照明装置和图像显示装置
TW200901502A (en) Light emitting diode device and fabrication method thereof
CN1941431A (zh) 白色发光元件及其制造方法
CN103236483A (zh) 发光二极管封装结构及封装方法
CN1854858A (zh) 发光装置、液晶显示装置和照明装置
CN111146324A (zh) 一种超高显色指数白光led器件
CN1885576A (zh) 发光二极管

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210629

Address after: Kanagawa Prefecture, Japan

Patentee after: TOSHIBA MATERIALS Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Toshiba Corp.

Patentee before: TOSHIBA MATERIALS Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20220124

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee after: Seoul Semiconductor Co.,Ltd.

Address before: Kanagawa

Patentee before: TOSHIBA MATERIALS Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right