JP2015192096A - 発光装置 - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 123
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 108
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 48
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims abstract description 48
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 104
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 46
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 16
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 abstract 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 99
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 20
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- XPIIDKFHGDPTIY-UHFFFAOYSA-N F.F.F.P Chemical compound F.F.F.P XPIIDKFHGDPTIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000009193 crawling Effects 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009503 electrostatic coating Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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Abstract
【解決手段】発光装置10は、各LEDチップ12と、各LEDチップ12の上面および側面を被覆する発光色変換層20とを備える。発光色変換層20は、蛍光体と分散結合材とが凝集した結合体粒子を、透光性を有する合成樹脂材料に混合して形成される。分散結合材は、透光性と、蛍光体に対する結合性とを有する材料である。そして、各LEDチップ12から放射された励起光である一次光と、その一次光の一部が発光色変換層20に含有される蛍光体で励起されることにより発光色変換された二次光とが混色されて混色光が生成され、その混色光が発光色変換層20から発光装置10の外部へ放射される。
【選択図】 図1
Description
また、特許文献2には、発光素子をコーティング層により被覆する際に、コーティング層となる塗布液をスプレーコーティングによって発光素子に付着させた後に乾燥させることが記載されている。
また、蛍光体の粒径が大きいと、蛍光体同士の隙間が広くなり、蛍光体に入射しない光が増える。
そのため、特許文献1の技術において、発光装置(LEDランプ)の発光色の均一性を向上させて均一な色度分布を得ると共に、蛍光体による光遮蔽(内部散乱)によって光量が低下するのを防止するには、小粒径の蛍光体を発光素子(LEDチップ)の光放射面(上面および側面)の近傍に均一かつ高密度に分散させる必要がある。
そこで、特許文献1には記載されていないが、蛍光体を分散させるための分散材(拡散材)の粉末(分散材粒子)を蛍光体に混合することが考えられる。
しかし、蛍光体をより均一に分散させるために、合成樹脂材料(ポリマー樹脂)中における分散材粉末の濃度を高くすると、合成樹脂材料中で蛍光体が沈降し難くなる。
すなわち、分散材を用いたとしても、蛍光体を発光素子の光放射面の近傍に均一かつ高密度に分散させることは困難であった。
しかし、特許文献2の技術では、有機溶剤中で蛍光体同士が凝集したり、スプレーコーティングの直後に蛍光体同士が凝集してしまうため、小粒径の蛍光体の会合・凝集を防止するには不十分であり、蛍光体を均一に分散させることは困難であった。
第1の局面は、
光を放射する発光素子と、
発光素子の光放射面を被覆する発光色変換層と
を備えた発光装置であって、
発光色変換層は、蛍光体と分散結合材とを混合して結合させた結合体粒子を、透光性を有する合成樹脂材料に混合して形成され、
分散結合材は、透光性と、蛍光体に対する結合性とを有する材料であり、
発光素子から放射された励起光である一次光と、その一次光の一部が発光色変換層に含有される蛍光体で励起されることにより発光色変換された二次光とが混色されて混色光が生成され、その混色光が発光色変換層から外部へ放射される。
そのため、第1の局面では、蛍光体の粒径を小さくしても、結合体粒子の粒径を十分に大きくすることにより、結合体粒子を会合・凝集させることなく液状の合成樹脂材料中に均一に分散させることができる。
尚、結合体粒子は、蛍光体の粒子と分散結合材の粒子とを会合・凝集させた粒子、または、蛍光体と分散結合材との焼結体の粒子のいずれでもよい。
第2の局面は、第1の局面において、結合体粒子を分散させるための分散材粉末が合成樹脂材料に混合されている
第2の局面では、分散材粉末により、液状の合成樹脂材料中に結合体粒子をより均一に分散させることが可能になり、第1の局面の前記作用・効果を確実に得られる。
第3の局面は、第1の局面または第2の局面において、蛍光体はガーネット系蛍光体であり、分散結合材はアルミナである。
第3の局面によれば、第1の局面の前記作用・効果を確実に得ることが可能な発光色変換層を容易に形成できる。
また、第3の局面によれば、ガーネット系蛍光体はアルミニウム酸化物を含むため、蛍光体と分散結合材の構成元素が共通になることから、蛍光体と分散結合材の結合性を高めることができる上に、蛍光体と分散結合材の屈折率差が小さくなるため光損失を低減できる。
第4の局面は、第1〜第3の局面において、蛍光体の粒径と、分散結合材の粒径とが略同一であり、その粒径の範囲が1〜7μmである。
蛍光体の粒径がこの範囲より大きくなると、発光色変換層を薄く成形した際に、発光色変換層中にて蛍光体が存在しない部分が大きくなるため、均一な色度分布が得られなくなる。
蛍光体の粒径がこの範囲より小さくなると、蛍光体の励起による発光色変換の効率が低下するため、所望の発光色が得られなくなる。
また、蛍光体の粒径と分散結合材の粒径とを略同一にすることにより、蛍光体と分散結合材とを均一に混合して結合させることができる。
第5の局面は、第1〜第4の局面において、結合体粒子の粒径の範囲が10μm以上である。
結合体粒子の粒径がこの範囲より小さくなると、液状の合成樹脂材料中において結合体粒子が会合・凝集し易くなり、液状の合成樹脂材料中に結合体粒子を均一に分散させることが困難になる。
第6の局面は、第1〜第5の局面において、発光色変換層中にて、発光素子の光放射面に近い部分に結合体粒子が分布する。
第6の局面において、発光色変換層により発光素子の光放射面を被覆する際には、液状の発光色変換層を発光素子の光放射面に塗布し、結合体粒子が重力により合成樹脂材料中を沈降するまで待った後に、合成樹脂材料を硬化させる。
これにより、多数個の結合体粒子が発光素子の光放射面を均一かつ高密度に覆った状態を保持させることが可能になり、小粒径の蛍光体を発光素子の光放射面の近傍に均一かつ高密度に分散させることができる。
第7の局面は、第1〜第5の局面において、発光色変換層の膜厚の範囲は、結合体粒子の粒径の3倍以下である。
発光色変換層の膜厚がこの範囲より厚くなると、発光色変換層を薄く形成することによる後述の作用・効果が得られなくなる。
発光色変換層の膜厚がこの範囲より薄くなると、発光色変換層中にて蛍光体が存在しない部分が生じるおそれがあり、均一な色度分布が得られなくなる。
また、蛍光体の粒径を小さくすることにより、発光色変換層を薄く形成しても、発光色変換層の厚さ方向に複数の蛍光体が重なるように分布する状態を作製することが可能になり、発光色変換層中にて蛍光体または分散結合材の少なくともいずれか一方による光の散乱が生じることから更に均一な色度分布が得られる。
そこで、発光色変換層を薄く成形すれば、発光色変換層の中に熱がこもるのを防ぎ、発光色変換層の発熱を発光色変換層に隣接した発光素子を介して効率的に放熱させ、発光色変換層の温度上昇を抑制して発光色変換(波長変換)の効率低下を防止すると共に、発光装置の構成部材が発光色変換層の発熱によって劣化するのを防止し、発光装置の高出力化を図ることができる。
従って、薄く形成された発光色変換層を備えた第7の局面の発光装置によれば、高出力化と均一な色度分布との両方を容易に実現することができる。
また、各図面では、説明を分かり易くするために、各実施形態の構成部材の寸法形状および配置箇所を誇張して模式的に図示してあり、各構成部材の寸法形状および配置箇所が実物とは必ずしも一致しないことがある。
図1に示すように、第1実施形態の発光装置10は、絶縁基板11、LED(Light Emitting Diode)チップ12、枠体13、反射層14、発光色変換層20などを備える。
絶縁基板(実装基板)11は、例えば、絶縁材料(例えば、窒化アルミニウムなどのセラミックス材料、合成樹脂材料など)のバルク材から成る基板や、金属材料(例えば、アルミニウム合金、純銅、銅系合金など)の表面に絶縁層が設けられた基板などによって形成されている。
各LEDチップ12の下面側は、絶縁基板11の表面上に形成されている配線層(図示略)に対して、各種接合方法(例えば、ハンダ付け、スタッドバンプ接合、金属微粒子接合、表面活性化接合など)を用い、電気的に接続されると共に取付固定されている。
尚、LEDチップ12は、どのような半導体発光素子(例えば、EL(Electro Luminescence)素子など)に置き換えてもよい。
発光色変換層(波長変換層、蛍光体層)20は、各LEDチップ12の上面および側面を被覆するように絶縁基板11の表面上に形成されている。
尚、枠体13は、光反射性の高い材料(例えば、酸化チタン、酸化アルミニウムなど)の微粒子を含有する白色の合成樹脂材料(例えば、シリコン系樹脂、エポキシ系樹脂など)、光反射性のセラミックス材料(例えば、酸化アルミニウムなど)、光反射性の金属材料(例えば、アルミニウム合金など)などによって形成されており、リフレクタとしても機能する。
尚、反射層14は、光反射性の高い材料(例えば、酸化チタン、酸化アルミニウムなど)の微粒子を含有する白色の合成樹脂材料(例えば、シリコン系樹脂、エポキシ系樹脂など)によって形成されている。
図2(A)に示すように、蛍光体21と分散結合材22とを混合し、蛍光体21と分散結合材22とを会合・凝集させることにより結合体粒子(発光色変換粒子)23を作製する。
蛍光体21には、ガーネット系蛍光体(例えば、YAG蛍光体、LuAG蛍光体、TAG蛍光体など)、SiAlON蛍光体、CASN蛍光体、フッ化物系蛍光体、BOS蛍光体のいずれを用いてもよいが、熱的な安定性が高いガーネット系蛍光体が好適である。
蛍光体21にガーネット系蛍光体を用いる場合、ガーネット系蛍光体はアルミニウム酸化物を含むため、分散結合材22にはアルミナを用いることが望ましい。
また、蛍光体21と分散結合材22とを会合・凝集させるには、どのような方法(例えば、蛍光体21と分散結合材22とを単純に混合する方法、蛍光体21および分散結合材22を適宜な溶液に混合してスラリーを形成した後に溶液を除去する方法、蛍光体21と分散結合材22とを凝集させた後に焼結する方法など)を用いてもよい。
蛍光体21の粒径がこの範囲より大きくなると、発光色変換層20を薄く形成した際に、発光色変換層20中にて蛍光体21が存在しない部分が大きくなるため、均一な色度分布が得られなくなる。
蛍光体21の粒径がこの範囲より小さくなると、蛍光体の励起による発光色変換の効率が低下するため、所望の発光色が得られなくなる。
また、分散結合材22の粒径と、蛍光体21の粒径とを略同一にすることにより、蛍光体21と分散結合材22とを均一に混合させて会合・凝集させることができる。
結合体粒子23の粒径がこの範囲より小さくなると、液状の合成樹脂材料25中において結合体粒子23が会合・凝集し易くなり、液状の合成樹脂材料25中に結合体粒子23を均一に分散させることが困難になる。
ここで、分散材粉末24が合成樹脂材料25に混合されているため、塗布装置の内部(例えば、シリンジ内など)において、合成樹脂材料25中の結合体粒子23が会合・凝集するのを防止できる。
その後、多数個の結合体粒子23がLEDチップ12の上面および側面を均一かつ高密度に覆った状態が保持されるように、合成樹脂材料25を硬化させる。
尚、合成樹脂材料25の硬化方法は、合成樹脂材料25の硬化性(例えば、熱硬化性、光硬化性、反応硬化性、溶剤揮発硬化性など)に合わせた適宜な方法を用いればよい。
第1実施形態の発光装置10では、LEDチップ(発光素子)12から放射された励起光である一次光(青色光)と、その一次光の一部が発光色変換層20に含有される蛍光体21で励起されることにより発光色変換された二次光(黄色光)とが混色されて混色光(白色光)が生成され、その混色光が発光色変換層20を介して発光装置10から外部へ放射される。
結合体粒子23では、分散結合材22により蛍光体21が分散された状態で結合されている。換言すれば、分散結合材22は、蛍光体21を結合する機能と、蛍光体21を分散させる機能とを有する。
そのため、蛍光体21の粒径を小さくしても、結合体粒子23の粒径を十分に大きくすることにより、結合体粒子23を会合・凝集させることなく液状の合成樹脂材料25中に均一に分散させることができる。
尚、結合体粒子23の粒径を十分に大きくすれば、合成樹脂材料25中において会合・凝集し難くなるため、分散材粉末24を省いてもよい。
すると、合成樹脂材料25中を沈降した結合体粒子23により、発光色変換層20中にて、各LEDチップ12の上面および側面に近い部分に結合体粒子23が分布した状態になる。
換言すれば、発光色変換層20中にて各LEDチップ12の上面および側面に近い部分に結合体粒子23が分布した状態であれば、その結合体粒子23は液状の合成樹脂材料25中を沈降したものであるといえる。
これにより、多数個の結合体粒子23がLEDチップ12の上面および側面を均一かつ高密度に覆った状態を保持させることが可能になり、小粒径の蛍光体21を各LEDチップ12の上面および側面の近傍に均一かつ高密度に分散させることができる。
しかし、第1実施形態では、液状の合成樹脂材料25中に結合体粒子23を均一に分散させることが可能であるため、合成樹脂材料25中における分散材粉末24の濃度を高くする必要がないことから、結合体粒子23の沈降が妨げられることはない。
それに対して、結合体粒子23を用いず、大粒径(例えば、15μm以上)の蛍光体21を合成樹脂材料25に混合した場合には、LEDチップ12の上面および側面を被覆する発光色変換層20の厚さ方向に位置する蛍光体21が1個または2個程度となってしまい、発光色変換層20の厚さ方向に複数の蛍光体21が重なるように分布する状態を作製できないため、蛍光体21の間をLEDチップ12の放射光が直接通過することから、均一な色度分布が得られなくなる。
図3に示すように、第2実施形態の発光装置30は、絶縁基板11、LEDチップ12、枠体13、反射層14、発光色変換層20などを備える。
第2実施形態の発光装置30において、第2実施形態の発光装置10と異なるのは、発光色変換層20の膜厚が薄く形成されている点である。
発光色変換層20の膜厚を薄くすると、合成樹脂材料25中を結合体粒子23が沈降しなくなるので、発光色変換層20を塗布したら、すぐに合成樹脂材料25を硬化させればよい。
第2実施形態の発光装置30では、蛍光体21の粒径を小さくすることにより、発光色変換層20を薄く形成しても、発光色変換層20中にて蛍光体21が存在しない部分が極小さくなるため、均一な色度分布が得られる。
また、蛍光体21の粒径を小さくすることにより、発光色変換層20を薄く形成しても、発光色変換層20の厚さ方向に複数の蛍光体21が重なるように分布する状態を作製することが可能になり、発光色変換層20中にて蛍光体21または分散結合材22の少なくともいずれか一方による光の散乱が生じることから更に均一な色度分布が得られる。
従って、薄く形成された発光色変換層20を備えた発光装置30によれば、高出力化と均一な色度分布との両方を容易に実現することができる。
発光色変換層20の膜厚がこの範囲より厚くなると、発光色変換層20を薄く形成することによる前記作用・効果が得られなくなる。
発光色変換層20の膜厚がこの範囲より薄くなると、発光色変換層20中にて蛍光体21が存在しない部分が生じるおそれがあり、均一な色度分布が得られなくなる。
尚、第2実施形態の発光装置30では、枠体13および反射層14を省いてもよい。
しかし、会合・凝集状態を制御するのは難しいため、結合体粒子23の粒径を制御するのは困難である。
そこで、蛍光体と分散結合材のそれぞれの原材料を混合した後に焼成することにより、粒子状の蛍光体と粒子状の分散結合材とが混ざり合った結合体を作製し、その結合体を粉末化することで結合体粒子23を作製する方法を用いてもよい。
この方法であれば、結合体粒子23を粉末化する既存技術を適用することが可能であり、生産性を向上できるため好ましい。
すなわち、結合体粒子(発光色変換粒子)23は、蛍光体の粒子と分散結合材の粒子とを会合・凝集させた粒子、または、蛍光体と分散結合材との焼結体の粒子のいずれでもよい。
12…LEDチップ(発光素子)
20…発光色変換層
21…蛍光体
22…分散結合材
23…結合体粒子
24…分散材粉末
25…合成樹脂材料
Claims (7)
- 光を放射する発光素子と、
前記発光素子の光放射面を被覆する発光色変換層と
を備えた発光装置であって、
前記発光色変換層は、蛍光体と分散結合材とを混合して結合させた結合体粒子を、透光性を有する合成樹脂材料に混合して形成され、
前記分散結合材は、透光性と、前記蛍光体に対する結合性とを有する材料であり、
前記発光素子から放射された励起光である一次光と、その一次光の一部が前記発光色変換層に含有される蛍光体で励起されることにより発光色変換された二次光とが混色されて混色光が生成され、その混色光が前記発光色変換層から外部へ放射される発光装置。 - 前記結合体粒子を分散させるための分散材粉末が前記合成樹脂材料に混合されている、
請求項1に記載の発光装置。 - 前記蛍光体はガーネット系蛍光体であり、前記分散結合材はアルミナである、
請求項1または請求項2に記載の発光装置。 - 前記蛍光体の粒径と、前記分散結合材の粒径とが略同一であり、その粒径の範囲が1〜7μmである、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記結合体粒子の粒径の範囲が10μm以上である、
請求項1〜4のいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記発光色変換層中にて、前記発光素子の光放射面に近い部分に前記結合体粒子が分布する、
請求項1〜5のいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記発光色変換層の膜厚の範囲は、前記結合体粒子の粒径の3倍以下である、
請求項1〜5のいずれか一項に記載の発光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014069748A JP2015192096A (ja) | 2014-03-28 | 2014-03-28 | 発光装置 |
US14/631,747 US9472730B2 (en) | 2014-03-28 | 2015-02-25 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014069748A JP2015192096A (ja) | 2014-03-28 | 2014-03-28 | 発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015192096A true JP2015192096A (ja) | 2015-11-02 |
Family
ID=54191574
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014069748A Pending JP2015192096A (ja) | 2014-03-28 | 2014-03-28 | 発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9472730B2 (ja) |
JP (1) | JP2015192096A (ja) |
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