CN103811637B - 波长转换材料及其应用 - Google Patents

波长转换材料及其应用 Download PDF

Info

Publication number
CN103811637B
CN103811637B CN201210436492.XA CN201210436492A CN103811637B CN 103811637 B CN103811637 B CN 103811637B CN 201210436492 A CN201210436492 A CN 201210436492A CN 103811637 B CN103811637 B CN 103811637B
Authority
CN
China
Prior art keywords
particle
wavelength convert
particle size
light
transformation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201210436492.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN103811637A (zh
Inventor
刘如熹
王志铭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Epistar Corp
Original Assignee
Epistar Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epistar Corp filed Critical Epistar Corp
Priority to CN201210436492.XA priority Critical patent/CN103811637B/zh
Publication of CN103811637A publication Critical patent/CN103811637A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103811637B publication Critical patent/CN103811637B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

本发明公开一种波长转换材料及其应用,波长转换材料包含多个波长转换粒子,每一具有一颗粒尺寸,该些波长转换粒子的颗粒尺寸的一平均值大于5μm;其中,90%的波长转换粒子具有小于aμm的颗粒尺寸;50%的波长转换粒子具有小于bμm的颗粒尺寸;10%的波长转换粒子具有小于cμm的颗粒尺寸;

Description

波长转换材料及其应用
技术领域
本发明涉及一种波长转换材料,更具体而言,是涉及一种具有均匀颗粒尺寸的波长转换材料。
背景技术
固态发光元件中的发光二极管元件(Light Emitting Diode;LED)具有低耗电量、低发热量、操作寿命长、耐撞击、体积小、反应速度快、以及可发出稳定波长的色光等良好特光电性,因此常应用于家电、仪表的指示灯及光电产品等领域。
最近发展了一些技术可以将LED所发出的光,转换成其他颜色的光。举例来说,可于LED上覆盖一层荧光粉来达到此目的。荧光粉是一种光致发光的物质,它可以吸收LED所发出的第一光后发出不同于第一光的第二光。第一光与第二光互相混合后,可形成所需要的颜色。然而,不同的荧光粉颗粒尺寸会有不同的发光效率,进而影响整体LED的发光效率。
此外,以上发光二极管可进一步结合一次载体(sub-mount)而形成一发光装置,例如灯泡。所述发光装置包含一具有至少一电路的次载体;至少一焊料(solder)位于上述次载体上,通过此焊料将上述发光二极管固定于次载体上并使发光二极管的基板与次载体上的电路形成电连接;以及,一电连接结构,以电连接发光二极管的电极垫与次载体上的电路;其中,上述的次载体可以是导线架(lead frame)或大尺寸镶嵌基底(mountingsubstrate),以方便发光装置的电路规划并提高其散热效果。
发明内容
为解决上述问题,本发明公开一种波长转换材料,包含多个波长转换粒子,每一具有一颗粒尺寸,该些波长转换粒子的颗粒尺寸的一平均值大于5μm;其中,90%的波长转换粒子具有小于aμm的颗粒尺寸;50%的波长转换粒子具有小于bμm的颗粒尺寸;10%的波长转换粒子具有小于cμm的颗粒尺寸;
附图说明
图1为本发明第一实施例的一发光装置的一剖视图;
图2A为本发明的活性层的一剖视图;
图2B-图2D显示不同型态的第二型态粒子示意图;
图3A为本发明第二实施例的一发光装置的一剖视图;
图3B为本发明第三实施例的一发光装置的一剖视图。
主要元件符号说明
100:发光装置
10:基板
11、21、31:波长转换材料
111:第一型态粒子
112:第二型态粒子
13:发光叠层
131:第一型半导体层
132:活性层
133:第二型半导体层
14、34:第一电极
15、35:第二电极
18:透明胶材
19:碗杯
30:透明基板
40:载体
具体实施方式
以下实施例将伴随着附图说明本发明的概念,在附图或说明中,相似或相同的部分使用相同的标号,并且在附图中,元件的形状或厚度可扩大或缩小。需特别注意的是,图中未绘示或描述的元件,可以是熟习此技艺的人士所知的形式。
图1为本发明第一实施例的一发光装置100的示意图。
发光装置100包含:一基板10;一发光叠层13,包含一第一型半导体层131;一活性层132形成于第一型半导体层131上且发出一具有一主波长的第一光;及一第二型半导体层133形成于活性层132上。发光装置100更包含一第一电极14形成于第一型半导体层131上及一第二电极15形成于第二型半导体层133上。如附图所示,本实施例中的发光装置100为一水平式结构,但也可为一垂直式结构或其他不同形式结构的设计。发光装置100固定于一碗杯19中,且充填一波长转换材料12于碗杯19内。在本实施例中,波长转换材料12位于发光叠层13上且具有多个分散于一透明胶材18的波长转换粒子11,以吸收第一光并发射出一第二光,第二光的主波长与第一光的主波长不同。透明胶材18可为环氧树脂(Epoxy)或硅胶(Silicone)。
参照图2A,波长转换粒子包含多个第一型态粒子111及多个第二型态粒子112。多个第一型态粒子111各具有一第一颗粒尺寸(D1),于一实施例中,第一型态粒子111的第一颗粒尺寸的平均值大于5μm且小于20μm。于本实施例中,第一型态粒子111可用肉眼或仪器所辨别出的单颗粒子,其形状可为圆形、椭圆形、或不规则形状。相对于第一型态粒子111,第二型态粒子112由肉眼或仪器所辨别出为多个粒子聚集且不可分离,其形状可为圆形、椭圆形、或不规则形状。在此所指”不可分离”意即利用分离方法,例如:筛分法、水流法、旋风分离法或沉降法也无法将聚集的粒子分离。多个第二型态粒子112各具一第二颗粒尺寸(D2),于一实施例中,第二型态粒子112的第二颗粒尺寸(D2)的平均值大于5μm且小于20μm。多个粒子粘结在一起形成第二型态粒子112时,所量测到的最大长度即定义为第二颗粒尺寸(D2)。图2B-图2C显示不同型态的第二型态粒子112。90%的波长转换粒子具有小于aμm的颗粒尺寸;50%的波长转换粒子具有小于bμm的颗粒尺寸;10%的波长转换粒子具有小于cμm的颗粒尺寸;其中,a、b、c符合公式:颗粒尺寸可为第一颗粒尺寸或/及第二颗粒尺寸。详言之,量测每一波长转换粒子的颗粒尺寸(包含第一颗粒尺寸或/及第二颗粒尺寸),将量测值由小至大排列,从最小颗粒计算至某颗颗粒且累积超过波长转换粒子的总数的90%时,所指某颗颗粒的颗粒尺寸值即定义为aμm;同理,从最小颗粒计算至某颗颗粒且累积超过波长转换粒子的总数的50%时,所指某颗颗粒的颗粒尺寸值即定义为bμm;从最小颗粒计算至某颗颗粒且累积超过波长转换粒子的总数的10%时,所指某颗颗粒的颗粒尺寸值即定义为cμm。在一实施例中,在另一实施例中,第一型态粒子111的数量约为波长转换粒子的70%以上。
需注意的是,发光装置所发出的第一光经过不同尺寸的波长转换粒子时,其发射出的第二光的发光亮度,例如光激发荧光(Photoluminescence,PL)会有所不同。尺寸越小的波长转换粒子,其发射出的第二光的发光亮度越低;反之,尺寸大的波长转换粒子发射出的第二光的发光亮度越高。于本实施例中,波长转换粒子具有一第一区域及一第二区域;第一区域的发光亮度(PL1)与第二区域的发光亮度(PL2)的比值不大于10%。
图3A为本发明第二实施例的一发光装置200的示意图。第二实施例的发光装置200与第一实施例的发光装置100具有相似的结构,除了波长转换材料21直接形成在发光叠层13上。第一电极14及第二电极15分别形成在第一型半导体层131及第二型半导体层133上。
图3B为本发明第三实施例的一发光装置300的示意图。第三实施例的发光装置300与第一实施例的发光装置100具有相似的结构。发光装置300为一倒装式发光装置。发光叠层13形成在透明基板30上,第一电极34及第二电极35分别形成在第一型半导体层131及第二型半导体层133上。第一电极34与第二电极35利用一倒装方式电连结于一载体40上。波长转换材料31直接形成于透明基板30上且覆盖发光叠层13的侧壁。
波长转换粒子的材料选自于Y3Al5O12、Gd3Ga5O12:Ce、(Lu、Y)3Al5O12:Ce、SrS:Eu、SrGa2S4:Eu、(Sr、Ca、Ba)(Al、Ga)2S4:Eu、(Ca、Sr)S:(Eu、Mn)、(Ca、Sr)S:Ce、(Sr、Ba、Ca)2Si5N8:Eu、(Ba、Sr、Ca)2SiO4:Eu、(Ca、Sr、Ba)Si2O2N2:Eu、及CdZnSe所组成的群组。
第一型半导体层可为n型半导体层且第二型半导体层可为p型半导体,第一型半导体层及第二型半导体层且包含选自于AlGaAs、AlGaInP、AlInP及InGaP所构成材料群组中的一种材料或AlInGaN、InGaN、AlGaN及GaN所构成材料群组中的一种材料;选择性地,第一型半导体层可为p型半导体层且第二型半导体层可为n型半导体;活性层可包含选自于AlGaAs、AlInGaP、InGaP及AlInP所构成材料群组中的一种材料或AlInGaN、InGaN、AlGaN及GaN所构成材料群组中的一种材料;基板则包含选自砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、锗(Ge)、蓝宝石、玻璃、钻石、碳化硅(SiC)、硅、氮化镓(GaN)、及氧化锌(ZnO)所构成材料组群中的至少一种材料或其它替代性材料取代之。
本发明所列举的各实施例仅用以说明本发明,并非用以限制本发明的范围。任何人对本发明所作的任何显而易知的修饰或变更皆不脱离本发明的精神与范围。

Claims (9)

1.一种波长转换材料,包含:
多个波长转换粒子,包含多个单颗粒子以及多个聚集型粒子;
其中,90%的该多个波长转换粒子具有小于aμm的颗粒尺寸;50%的该多个波长转换粒子具有小于bμm的颗粒尺寸;10%的该多个波长转换粒子具有小于cμm的颗粒尺寸;且
2.如权利要求1所述的波长转换材料,其中,
3.如权利要求1所述的波长转换材料,其中,该多个单颗粒子具有一大于5μm的第一平均颗粒尺寸。
4.如权利要求1所述的波长转换材料,其中,该多个聚集型粒子具有一大于5μm的第二平均颗粒尺寸。
5.如权利要求1所述的波长转换材料,其中,该多个单颗粒子的数量为该多个波长转换粒子的70%以上。
6.如权利要求1所述的波长转换材料,其中,该多个波长转换粒子的平均颗粒尺寸大于5μm且小于20μm。
7.如权利要求1所述的波长转换材料,其中,该些波长转换粒子的材料选自于Y3Al5O12、Gd3Ga5O12:Ce、(Lu、Y)3Al5O12:Ce、SrS:Eu、SrGa2S4:Eu、(Sr、Ca、Ba)(Al、Ga)2S4:Eu、(Ca、Sr)S:(Eu、Mn)、(Ca、Sr)S:Ce、(Sr、Ba、Ca)2Si5N8:Eu、(Ba、Sr、Ca)2SiO4:Eu、(Ca、Sr、Ba)Si2O2N2:Eu、及CdZnSe所组成的群组。
8.一种发光装置,包含:
发光叠层,发出一具有一第一主波长的第一光;及
波长转换材料具有多个波长转换粒子且位于该发光叠层上,以吸收该第一光并发射出具有与该第一主波长不同的第二主波长的第二光;
其中,该多个波长转换粒子包含多个单颗粒子以及聚集型粒子;及
其中,90%的该多个波长转换粒子具有小于aμm的颗粒尺寸;50%的该多个波长转换粒子具有小于bμm的颗粒尺寸;10%的该多个波长转换粒子具有小于cμm的颗粒尺寸,且
9.如权利要求8所述的发光装置,其中,该些波长转换粒子分散于一胶体内。
CN201210436492.XA 2012-11-05 2012-11-05 波长转换材料及其应用 Active CN103811637B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210436492.XA CN103811637B (zh) 2012-11-05 2012-11-05 波长转换材料及其应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210436492.XA CN103811637B (zh) 2012-11-05 2012-11-05 波长转换材料及其应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103811637A CN103811637A (zh) 2014-05-21
CN103811637B true CN103811637B (zh) 2018-01-30

Family

ID=50708111

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210436492.XA Active CN103811637B (zh) 2012-11-05 2012-11-05 波长转换材料及其应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103811637B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1770491A (zh) * 2004-09-02 2006-05-10 株式会社东芝 半导体发光器件
CN102618276A (zh) * 2011-01-26 2012-08-01 电气化学工业株式会社 α型赛隆、发光装置及其用途

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005064233A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Stanley Electric Co Ltd 波長変換型led
TW200531315A (en) * 2004-01-26 2005-09-16 Kyocera Corp Wavelength converter, light-emitting device, method of producing wavelength converter and method of producing light-emitting device
JP2006114637A (ja) * 2004-10-13 2006-04-27 Toshiba Corp 半導体発光装置
DE102005061828B4 (de) * 2005-06-23 2017-05-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wellenlängenkonvertierendes Konvertermaterial, lichtabstrahlendes optisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2010225960A (ja) * 2009-03-25 2010-10-07 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
CN103080270A (zh) * 2010-07-20 2013-05-01 电气化学工业株式会社 β型赛隆、β型赛隆的制备方法和发光装置
US9617469B2 (en) * 2011-01-06 2017-04-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Phosphor particles, making method, and light-emitting diode
CN102437272B (zh) * 2011-11-25 2014-01-01 深圳市光峰光电技术有限公司 波长转换装置和发光装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1770491A (zh) * 2004-09-02 2006-05-10 株式会社东芝 半导体发光器件
CN102618276A (zh) * 2011-01-26 2012-08-01 电气化学工业株式会社 α型赛隆、发光装置及其用途

Also Published As

Publication number Publication date
CN103811637A (zh) 2014-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5653503B2 (ja) 白色発光装置、バックライト、液晶表示装置および照明装置
US11788690B2 (en) Light emitting device with improved warm-white color point
EP2952553B1 (en) Light emitting device
KR101886070B1 (ko) 발광 장치의 제조 방법 및 발광 장치
CN101740557B (zh) 垂直型交流发光二极管
US8269233B2 (en) Vertical ACLED structure
JP2016157795A (ja) 発光モジュール
TWI644454B (zh) Light-emitting diode structure
JP5341154B2 (ja) 高演色性発光ダイオードランプユニット
JP2012195420A (ja) 白色発光装置
KR102401828B1 (ko) 발광소자 패키지
US9831380B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device package
CN103811637B (zh) 波长转换材料及其应用
CN106604976A (zh) 荧光体成分、包括荧光体成分的发光元件封装和照明系统
JP2010118620A (ja) 発光装置
CN106463586B (zh) 包含基于氮氧化物的荧光体的发光器件封装和包含其的照明装置
TWI545806B (zh) 波長轉換材料及其應用
JP6617452B2 (ja) 線状光源
EP3015531A2 (en) Light emitting device
CN103579453A (zh) 发光装置
JP2013211340A (ja) 発光装置及び照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant