CN103579453A - 发光装置 - Google Patents
发光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103579453A CN103579453A CN201210370276.XA CN201210370276A CN103579453A CN 103579453 A CN103579453 A CN 103579453A CN 201210370276 A CN201210370276 A CN 201210370276A CN 103579453 A CN103579453 A CN 103579453A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- wafer
- emitting device
- transparent substrates
- led wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 47
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 36
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 146
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 37
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N aluminum indium Chemical compound [Al].[In] AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000000904 thermoluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/13—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明提供一种发光装置，包括透光基板及多个发光二极管晶片。这些发光二极管晶片配置在透光基板上，且这些发光二极管晶片选自垂直式发光二极管晶片、水平式发光二极管晶片及覆晶式发光二极管晶片中的至少其中两种。
Description
技术领域
本发明是有关于一种发光装置，且特别是有关于一种采用发光二极管(light-emitting diode，简称LED)的发光装置。
背景技术
随着光电技术的演进，发光元件的发光机制也随之演进。举例而言，从白炽灯泡的热致发光演进至发光二极管的电致发光。发光二极管的电致发光的发光效率优于白炽灯泡的热致发光的发光效率，因此发光二极管特别符合现今环保及节能减碳的潮流。此外，相较于日光灯管，发光二极管还有反应速率快的优点。再者，相较于白炽灯与日光灯管，发光二极管还具有使用寿命长的优点。
由于发光二极管具有上述优点，因此除了广泛应用于交通信号灯、电气产品的指示灯、户外大型看板等各领域之外，近年来还推广至室内照明、路灯、车灯等主要照明领域。此外，以前的液晶显示器的背光模块是采用冷阴极萤光灯管来作为光源，而近年来则有大幅度地以发光二极管来取代冷阴极萤光灯管的趋势，进而使可携式电子装置更为省电，且使用寿命延长。
虽然发光二极管具有上述的优点，但由于其结构上的特性，使得发光二极管晶片具有特定的出光光型，因而无法随意地应用于各类照明领域。此外，由于现有发光二极管晶片是配置在导线架上，且现有的导线架为不透光的导线架，如此使得发光二极管封装体为单侧发光，进而限制了发光二极管封装体的光型变化。
发明内容
本发明提供一种发光装置，其结构有助于调整光型。
本发明的一实施例提出一种发光装置，包括透光基板及多个发光二极管晶片。这些发光二极管晶片配置在透光基板上，且这些发光二极管晶片选自垂直式发光二极管晶片、水平式发光二极管晶片及覆晶式发光二极管晶片中的至少其中两种。
由于本发明的实施例的发光装置采用了透光基板，因此发光装置可以达到双面发光的效果。此外，由于发光装置同时采用了多种不同类型的发光二极管晶片，且不同类型的发光二极管晶片的光型不同，因此通过将不同类型的发光二极管晶片适当地排列在透光基板上，便可使发光装置的整体光型符合需求。因此，本发明的实施例的发光装置的结构有助于调整光型。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明的一实施例的发光装置的剖面示意图；
图2A为图1中的垂直式发光二极管晶片的放大图；
图2B为图1中的水平式发光二极管晶片的放大图；
图2C为图1中的覆晶式发光二极管晶片的放大图；
图3A、图3B与图3C分别为图1中的垂直式发光二极管晶片、水平式发光二极管晶片及覆晶式发光二极管晶片的正面出光的光型分布图；
图4A、图4B与图4C分别为图1中的垂直式发光二极管晶片、水平式发光二极管晶片及覆晶式发光二极管晶片的背面出光的光型分布图；
图5A与图5B分别为图1的发光装置的正面出光与背面出光的光型分布图；
图6为本发明的另一实施例的发光装置的剖面示意图；
图7A与图7B分别为图6的发光装置的正面出光与背面出光的光型分布图；
图8为本发明的又一实施例的发光装置的剖面示意图；
图9A与图9B分别为图8的发光装置的正面出光与背面出光的光型分布图；
图10为本发明的再一实施例的发光装置的剖面示意图；
图11A与图11B分别为图10的发光装置的正面出光与背面出光的光型分布图；
图12A至图12H示出本发明的其他实施例的发光装置的剖面示意图；
图13A与图13B为本发明的其他实施例的发光装置的俯视图；
图14A至图14C为本发明的其他实施例的发光装置的俯视图；
图15为本发明的另一实施例的发光装置的俯视示意图；
图16为本发明的又一实施例的发光装置的俯视示意图；
图17为本发明的再一实施例的发光装置的俯视示意图。
附图标记说明：
100、100d、100e、100f、100g、100h、100i：发光装置；
110：透光基板；
120：导电线路；
200、200g1、200g2、200h1、200h2、200i1、200i2：发光二极管晶片；
200a：垂直式发光二极管晶片；
200b：水平式发光二极管晶片；
200c：覆晶式发光二极管晶片；
210a、210b：第一电极；
220a、220b：第一型掺杂半导体层；
222b：第一部分；
224b：第二部分；
230a、230b：发光层；
240a、240b：第二型掺杂半导体层；
250a、250b：第二电极；
260a：接合线；
262b：第一接合线；
264b：第二接合线；
270b：晶片基板；
280b：反射层。
具体实施方式
图1为本发明的一实施例的发光装置的剖面示意图，图2A为图1中的垂直式发光二极管晶片的放大图，图2B为图1中的水平式发光二极管晶片的放大图，而图2C为图1中的覆晶式发光二极管晶片的放大图。请参照图1及图2A至图2C，本实施例的发光装置100包括透光基板110及多个发光二极管晶片200。这些发光二极管晶片200配置在透光基板110上，且这些发光二极管晶片200选自垂直式发光二极管晶片200a、水平式发光二极管晶片200b及覆晶式发光二极管晶片200c中的至少其中两种。在本实施例中，这些发光二极管晶片200包括垂直式发光二极管晶片200a、水平式发光二极管晶片200b及覆晶式发光二极管晶片200c等三种发光二极管晶片200。
在本实施例中，透光基板110的光穿透率大于或等于50％。举例而言，透光基板110为蓝宝石(sapphire)基板、氮化铝(aluminum nitride)基板、碳化硅(SiC)基板或其他适当的透光基板。
在本实施例中，发光装置100包括多个导电线路120，配置在透光基板110上。此外，垂直式发光二极管晶片200a包括第一电极210a、第一型掺杂半导体层220a、发光层230a、第二型掺杂半导体层240a、第二电极250a及接合线260a。第一型掺杂半导体层220a配置在第一电极210a与透光基板110之间，发光层230a配置在第一型掺杂半导体层220a与透光基板110之间，第二型掺杂半导体层240a配置在发光层230a与透光基板之间110，第二电极250a配置在这些导电线路120之一上方，且配置在第二型掺杂半导体层240a与透光基板110之间，接合线260a连接第一电极210a与这些导电线路120之另一。
在本实施例中，水平式发光二极管晶片200b包括第一型掺杂半导体层220b、第一电极210b、发光层230b、第二型掺杂半导体层240b、第二电极250b、第一接合线262b及第二接合线264b。第一型掺杂半导体层220b配置在透光基板110上。在本实施例中，第一型掺杂半导体层220b通过晶片基板270b配置在透光基板110上。然而，在其他实施例中，水平式发光二极管晶片200b中也可不采用晶片基板270b。第一电极210b配置在第一型掺杂半导体层220b的第一部分222b上。发光层230b配置在第一型掺杂半导体层220b的第二部分224b上。第二型掺杂半导体层240b配置在发光层230b上，第二电极250b配置在第二型掺杂半导体层240b上，第一接合线262b连接第一电极210b与这些导电线路120之一，且第二接合线264b连接第二电极250b与这些导电线路120之另一。
在本实施例中，覆晶式发光二极管晶片200c与上述水平式发光二极管晶片200b类似，其中相同符号的膜层代表相同或相似的膜层。在本实施例的覆晶式发光二极管晶片200c中，第一型掺杂半导体层220b配置在透光基板110上方，发光层230b位于第一型掺杂半导体层220b与透光基板110之间，第二型掺杂半导体层240b位于发光层230b与透光基板110之间，第一电极210b连接该第一型掺杂半导体层220b与导电线路120之一，且位于该第一型掺杂半导体层220b与该透光基板110之间，第二电极250b电性连接第二型掺杂半导体层240b与导电线路120之另一，且位于第二型掺杂半导体层240b与透光基板110之间。
此外，覆晶式发光二极管晶片200c可进一步包括反射层280b。反射层280b位于第二型掺杂半导体层240b与第二电极250b之间。
在本实施例中，优选地，上述的第一型掺杂半导体层220a(或220b)为N型半导体层，而第二型掺杂半导体层240a(或240b)为P型半导体层，其中N型半导体层例如为N型氮化镓(GaN)、N型氮化铝(AlN)、N型氮化铟(InN)、N型氮化铝镓(AlGaN)、N型氮化铝铟(AlInN)、N型氮化铟镓(InGaN)以及N型氮化铝铟镓(AlInGaN)其中之一或两者以上的混合或其他适当的N型半导体层，而P型半导体层例如为P型氮化镓(GaN)、P型氮化铝(AlN)、P型氮化铟(InN)、P型氮化铝镓(AlGaN)、P型氮化铝铟(AlInN)、P型氮化铟镓(InGaN)以及P型氮化铝铟镓(AlInGaN)其中之一或两者以上的混合或其他适当的P型半导体层。发光层230a、230b例如为多重量子井结构或单一量子井结构。第一电极210a、210b与第二电极250a、250b例如为金属电极。接合线260a、第一接合线262b及第二接合线264b例如为金属线。此外，晶片基板270b为适于磊晶成长的基板，例如为蓝宝石、氮化铝、碳化硅、硅、砷化镓、氧化锌以及具有六方体系结晶材料所构成群组中的一种材料而形成。图3A、图3B与图3C分别为图1中的垂直式发光二极管晶片、水平式发光二极管晶片及覆晶式发光二极管晶片的正面出光的光型分布图，而图4A、图4B与图4C分别为图1中的垂直式发光二极管晶片、水平式发光二极管晶片及覆晶式发光二极管晶片的背面出光的光型分布图。请参照图1、图3A至图3C及图4A至图4C，上述的正面出光所指的是往图1的透光基板110上方传递的光，而上述的背面出光所指的是往图1的透光基板110下方传递的光。在图3A至图3C及图4A至图4C中，横轴是代表出光角度，而纵轴是代表光强度。比较图3A至图3C可知，垂直式发光二极管晶片200a的正面出光的光型是集中于与透光基板垂直的方向。水平式发光二极管晶片200b的正面出光的光型分布在与基板法线夹角约正45度至负45度的方向。覆晶式发光二极管晶片200c的正面出光的光型则是分散在与基板法线夹角约正30度与负30度的方向。另外，比较图4A至图4C可知，垂直式发光二极管晶片200a的背面出光的光型是分散在二侧的方向。水平式发光二极管晶片200b的背面出光的光型分布虽然也是分散在二侧的方向但相较于垂直式发光二极管晶片200a则较为集中。另外，覆晶式发光二极管晶片200c的背面出光的光型则是分散在各个方向。
由于本实施例的发光装置100采用了透光基板110，因此发光装置100可以达到双面发光的效果。此外，由于发光装置100同时采用了多种不同类型的发光二极管晶片200(如垂直式发光二极管晶片200a、水平式发光二极管晶片200b及覆晶式发光二极管晶片200c)，且不同类型的发光二极管晶片200的光型不同，因此通过将不同类型的发光二极管晶片200适当地排列在透光基板110上，便可使发光装置100的整体光型符合需求。因此，本实施例的发光装置100的结构有助于调整光型。由于通过不同类型的发光二极管晶片200的适当排列就可让发光装置100整体的光型在一定程度上符合需求，因此当利用二次光学元件配置在发光装置100上以使整体光型进一步更加符合需求时，二次光学元件的设计负担便可以减轻。换言之，不同类型的发光二极管晶片200的适当排列的方式负担了至少一部分的光型需求。
图5A与图5B分别为图1的发光装置的正面出光与背面出光的光型分布图。请参照图1、图5A与图5B，由于发光装置100同时具有垂直式发光二极管晶片200a、水平式发光二极管晶片200b及覆晶式发光二极管晶片200c，因此发光装置100的正面出光的光型兼具了图3A、图3B与图3C的特性，亦即在各个方向上光型呈现较均匀分布的情形。另一方面，发光二极管100的背面出光的光型也兼具了图4A、图4B与图4C的特性，同样呈现较均匀分布的情形。
图6为本发明的另一实施例的发光装置的剖面示意图。请参照图6，本实施例的发光装置100d与图1的发光装置100类似，而两者的差异如下所述。在本实施例中，发光装置100d中的发光二极管晶片200选自垂直式发光二极管晶片200a、水平式发光二极管晶片200b及覆晶式发光二极管晶片200c中的其中两种(图6中是以选择水平式发光二极管晶片200b及覆晶式发光二极管晶片200c这两种发光二极管晶片200为例)，且不同种的这些发光二极管晶片200交替排列在透光基板110上。举例而言，水平式发光二极管晶片200b及覆晶式发光二极管晶片200c交替排列在透光基板110上。
图7A与图7B分别为图6的发光装置的正面出光与背面出光的光型分布图。由图7A与图7B可知，当发光装置100d同时采用水平式发光二极管晶片200b及覆晶式发光二极管晶片200c时，无论是正面出光或背面出光的光型，皆可加强基板中心法线二侧的光场对称度。
图8为本发明的又一实施例的发光装置的剖面示意图。请参照图8，本实施例的发光装置100e与图6的发光装置100d类似，而两者的差异如下所述。本实施例的发光装置100e同时采用垂直式发光二极管晶片200a与水平式发光二极管晶片200b，且垂直式发光二极管晶片200a与水平式发光二极管晶片200b交替排列在透光基板110上。
图9A与图9B分别为图8的发光装置的正面出光与背面出光的光型分布图。由图9A与图9B可知，当发光装置100e同时采用水平式发光二极管晶片200b及垂直式发光二极管晶片200a时，无论是正面出光或背面出光的光型，均呈现出各个方向的光强度较为一致。
图10为本发明的再一实施例的发光装置的剖面示意图。请参照图10，本实施例的发光装置100f与图6的发光装置100d类似，而两者的差异如下所述。本实施例的发光装置100f同时采用垂直式发光二极管晶片200a与覆晶式发光二极管晶片200c，且垂直式发光二极管晶片200a与覆晶式发光二极管晶片200c交替排列在透光基板110上。
图11A与图11B分别为图10的发光装置的正面出光与背面出光的光型分布图。由图11A与图11B可知，当发光装置100f同时采用覆晶式发光二极管晶片200c及垂直式发光二极管晶片200a时，无论是正面出光或背面出光的光型，皆可加强垂直方向的光强度。
图12A至图12H示出本发明的其他实施例的发光装置的剖面示意图。请参照图12A至图12H，这些实施例的发光装置与图6的发光装置类似，而差异如下所述。在这些实施例中，发光二极管晶片200选自垂直式发光二极管晶片200a、水平式发光二极管晶片200b及覆晶式发光二极管晶片200c中的其中两种，且这些发光二极管晶片200的其中一种配置在这些发光二极管晶片200的另一种的外侧。举例而言，如图12A所示出，这些覆晶式发光二极管晶片200c配置在这些水平式发光二极管晶片200b的外侧。如图12B所示出，这些覆晶式发光二极管晶片200c配置在一个水平式发光二极管晶片200b的外侧。如图12C所示出，这些覆晶式发光二极管晶片200c配置在垂直式发光二极管晶片200a的外侧。如图12D所示出，这些水平式发光二极管晶片200b配置在这些覆晶式发光二极管晶片200c的外侧。如图12E所示出，这些水平式发光二极管晶片200b配置在一个覆晶式发光二极管晶片200c的外侧。如图12F所示出，这些水平式发光二极管晶片200b配置在这些垂直式发光二极管晶片200a的外侧。如图12G所示出，这些垂直式发光二极管晶片200a配置在水平式发光二极管晶片200b的外侧。如图12H所示出，这些垂直式发光二极管晶片200a配置在覆晶式发光二极管晶片200c的外侧。上述这些不同的发光二极管晶片200可形成不同的光型，而设计者可依实际的光型需求而选择适当的排列方式。
图13A与图13B为本发明的其他实施例的发光装置的俯视图。请参照图13A与图13B，此两图中的发光二极管晶片200与透光基板110的说明可参照前述实施例的说明，在此不再重述。此外，在图13A与图13B中，这些发光二极管晶片200的数量为奇数。
图14A至图14C为本发明的其他实施例的发光装置的俯视图。请参照图14A至图14C，此三图中的发光二极管晶片200与透光基板110的说明可参照前述实施例的说明，在此不再重述。此外，在图14A与图14C中，这些发光二极管晶片200的数量为偶数。
具有奇数发光二极管晶片200的发光装置与具有偶数发光二极管晶片200的发光装置在光型分布的对称性上会有所不同，因此使用者可依实际需求而选择采用奇数个发光二极管晶片200的设计或偶数个发光二极管晶片200的设计。
图15为本发明的另一实施例的发光装置的俯视示意图。请参照图15，本实施例的发光装置100g与图6的发光装置100d类似，而两者的差异如下所述。在本实施例的发光装置100g中，至少部分这些发光二极管晶片200的尺寸不相同。举例而言，发光二极管晶片200g1的尺寸小于发光二极管晶片200g2的尺寸。
图16为本发明的又一实施例的发光装置的俯视示意图。请参照图16，本实施例的发光装置100h与图6的发光装置100d类似。在本实施例的发光装置100h中，至少部分这些发光二极管晶片封装体200的形状不相同。举例而言，发光二极管晶片200h1的形状不同于发光二极管晶片200h2的形状。
选择不同的发光二极管晶片200的尺寸可达到改变发光装置的效果，因此设计者可依对光型的实际需求来作选择。
图17为本发明的再一实施例的发光装置的俯视示意图。请参照图17，本实施例的发光装置100i与图6的发光装置100d类似，而两者的差异如下所述。在本实施例的发光装置100i中，至少部分这些发光二极管晶片200所发出的光的波长不相同。举例而言，发光二极管晶片200i1所发出的光的波长不同于发光二极管晶片200i2所发出的光的波长。在一实施例中，不同发光二极管晶片200所发出的光的波长的最大差异例如大于5纳米。举到而言，多种发光二极管晶片200所发出的光的波长例如分别为446纳米、451纳米、456纳米、525纳米及530纳米。通过采用不同波长的发光二极管晶片200，设计者可调整发光装置100i的整体发光颜色或发光色温。
通过俯视各实施例的不同的发光二极管晶片的各种不同特性的其中至少一种不同特性的搭配，再加上适当选择这些不同特性的发光二极管晶片，可形成偏右型光型、偏左型光型或是其他集中于特定角度的光型。
综上所述，由于本发明的实施例的发光装置采用了透光基板，因此发光装置可以达到双面发光的效果。此外，由于发光装置同时采用了多种不同类型的发光二极管晶片，且不同类型的发光二极管晶片的光型不同，因此通过将不同类型的发光二极管晶片适当地排列在透光基板上，便可使发光装置的整体光型符合需求。因此，本发明的实施例的发光装置的结构有助于调整光型。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (11)
1.一种发光装置，其特征在于，包括：
透光基板；以及
多个发光二极管晶片，配置在该透光基板上，其中该多个发光二极管晶片选自垂直式发光二极管晶片、水平式发光二极管晶片及覆晶式发光二极管晶片中的至少其中两种。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包括多个导电线路，配置在该透光基板上，其中该垂直式发光二极管晶片包括：
第一电极；
第一型掺杂半导体层，配置在该第一电极与该透光基板之间；
发光层，配置在该第一型掺杂半导体层与该透光基板之间；
第二型掺杂半导体层，配置在该发光层与该透光基板之间；
第二电极，配置在该多个导电线路之一上，且位于该第二型掺杂半导体层与该透光基板之间；以及
接合线，连接该第一电极与该多个导电线路之另一。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包括多个导电线路，配置在该透光基板上，其中该水平式发光二极管晶片包括：
第一型掺杂半导体层，配置在该透光基板上；
第一电极，配置在该第一型掺杂半导体层的第一部分上；
发光层，配置在该第一型掺杂半导体层的第二部分上；
第二型掺杂半导体层，配置在该发光层上；
第二电极，配置在该第二型掺杂半导体层上；
第一接合线，连接该第一电极与该多个导电线路之一；以及
第二接合线，连接该第二电极与该多个导电线路之另一。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包括多个导电线路，配置在该透光基板上，其中该覆晶式发光二极管晶片包括：
第一型掺杂半导体层，配置在该透光基板上方；
发光层，位于该第一型掺杂半导体层与该透光基板之间；
第二型掺杂半导体层，位于该发光层与该透光基板之间；
第一电极，连接该第一型掺杂半导体层与该多个导电线路之一，且位于该第一型掺杂半导体层与该透光基板之间；以及
第二电极，连接该第二电极与该多个导电线路之另一，且位于该第二型掺杂半导体层与该透光基板之间。
5.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该透光基板的光穿透率大于或等于50％。
6.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该透光基板为蓝宝石基板、氮化铝基板或碳化硅基板。
7.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，发光二极管晶片选自垂直式发光二极管晶片、水平式发光二极管晶片及覆晶式发光二极管晶片中的其中两种，且不同种的该多个发光二极管晶片交替排列在该透光基板上。
8.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，发光二极管晶片选自垂直式发光二极管晶片、水平式发光二极管晶片及覆晶式发光二极管晶片中的其中两种，且该多个发光二极管晶片的其中一种配置在该多个发光二极管晶片的另一种的外侧。
9.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，至少部分该多个发光二极管晶片的尺寸不相同。
10.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，至少部分该多个发光二极管晶片所发出的光的波长不相同。
11.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，至少部分该多个发光二极管晶片封装体的形状不相同。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW101128091 | 2012-08-03 | ||
| TW101128091A TWI473294B (zh) | 2012-08-03 | 2012-08-03 | 發光裝置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103579453A true CN103579453A (zh) | 2014-02-12 |
Family
ID=50050802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210370276.XA Pending CN103579453A (zh) | 2012-08-03 | 2012-09-27 | 发光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103579453A (zh) |
| TW (1) | TWI473294B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107516656A (zh) * | 2016-06-18 | 2017-12-26 | 苏州科医世凯半导体技术有限责任公司 | 一种多类型led芯片组合封装模组 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050099808A1 (en) * | 2003-11-12 | 2005-05-12 | Cheng Tzu C. | Light-emitting device |
| KR20060088941A (ko) * | 2005-02-02 | 2006-08-07 | 럭스피아 주식회사 | 엘이디 패키지 |
| US20070194333A1 (en) * | 2006-02-23 | 2007-08-23 | Lg Innotek Co., Ltd | Light emitting diode package and method of manufacturing the same |
| EP2159780A2 (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-03 | Oki Data Corporation | Display device |
| US20100252842A1 (en) * | 2007-06-13 | 2010-10-07 | Advanced Optoelectronic Technology Inc. | Package structure of light emitting diode for backlight |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201007091A (en) * | 2008-05-08 | 2010-02-16 | Lok F Gmbh | Lamp device |
| US8461613B2 (en) * | 2008-05-27 | 2013-06-11 | Interlight Optotech Corporation | Light emitting device |
| TWM374153U (en) * | 2009-03-19 | 2010-02-11 | Intematix Technology Ct Corp | Light emitting device applied to AC drive |
| TW201039468A (en) * | 2009-04-24 | 2010-11-01 | Formosa Epitaxy Inc | Light emitting element |
| KR101039994B1 (ko) * | 2010-05-24 | 2011-06-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 이를 구비한 라이트 유닛 |
| TWM422765U (en) * | 2011-03-23 | 2012-02-11 | Linco Technology Co Ltd | Light emitting diode package structure |
-
2012
- 2012-08-03 TW TW101128091A patent/TWI473294B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-09-27 CN CN201210370276.XA patent/CN103579453A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050099808A1 (en) * | 2003-11-12 | 2005-05-12 | Cheng Tzu C. | Light-emitting device |
| KR20060088941A (ko) * | 2005-02-02 | 2006-08-07 | 럭스피아 주식회사 | 엘이디 패키지 |
| US20070194333A1 (en) * | 2006-02-23 | 2007-08-23 | Lg Innotek Co., Ltd | Light emitting diode package and method of manufacturing the same |
| US20100252842A1 (en) * | 2007-06-13 | 2010-10-07 | Advanced Optoelectronic Technology Inc. | Package structure of light emitting diode for backlight |
| EP2159780A2 (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-03 | Oki Data Corporation | Display device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107516656A (zh) * | 2016-06-18 | 2017-12-26 | 苏州科医世凯半导体技术有限责任公司 | 一种多类型led芯片组合封装模组 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI473294B (zh) | 2015-02-11 |
| TW201407808A (zh) | 2014-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9835309B2 (en) | Light emitting device module including lens with patterned protrusion | |
| JP4762849B2 (ja) | 窒化物系半導体発光素子 | |
| TWI604631B (zh) | 發光裝置 | |
| CN104103659B (zh) | 单晶双光源发光元件 | |
| KR101580739B1 (ko) | 발광 장치 | |
| KR20120006409A (ko) | 발광 소자 | |
| KR102189129B1 (ko) | 발광 소자 모듈 | |
| TWI565095B (zh) | 發光模組 | |
| TW201539789A (zh) | 發光裝置 | |
| US8513690B2 (en) | Light emitting diode structure having two lighting structures stacked together and driven by alternating current | |
| CN101740557A (zh) | 垂直型交流发光二极管 | |
| CN105627111B (zh) | 发光模块以及包括该发光模块的照明设备 | |
| US10193023B2 (en) | Light-emitting diode chip | |
| KR101659359B1 (ko) | 발광 소자 | |
| CN103579453A (zh) | 发光装置 | |
| KR102231646B1 (ko) | 발광 소자 | |
| KR20140028288A (ko) | 발광 소자 | |
| US10217902B2 (en) | Light emitting device and lighting apparatus including the same | |
| KR102239628B1 (ko) | 렌즈 및 이를 포함하는 발광소자 모듈 | |
| KR102346157B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
| TWI404230B (zh) | Light emitting diodes with multi-layer stacking structure | |
| US20190363071A1 (en) | Light-emitting device package | |
| TWI630730B (zh) | 發光裝置 | |
| KR101205529B1 (ko) | 다수의 발광셀을 갖는 발광소자 및 그 제조 방법 | |
| TW201236197A (en) | Light emitting diode structure |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140212 |