TWI496871B - 製造螢光體的方法及包含此螢光體的發光裝置 - Google Patents
製造螢光體的方法及包含此螢光體的發光裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI496871B TWI496871B TW099142300A TW99142300A TWI496871B TW I496871 B TWI496871 B TW I496871B TW 099142300 A TW099142300 A TW 099142300A TW 99142300 A TW99142300 A TW 99142300A TW I496871 B TWI496871 B TW I496871B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- fluorescent material
- solution
- nano
- light
- producing
- Prior art date
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 141
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 16
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 12
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 claims description 8
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 claims description 4
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 claims description 4
- 229920010524 Syndiotactic polystyrene Polymers 0.000 claims description 4
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 claims description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 3
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229960001763 zinc sulfate Drugs 0.000 claims description 3
- 229910000368 zinc sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 claims 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XBSLKMQADAAKGP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropane-1,2,3-tricarboxylic acid;phosphane Chemical compound P.OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O XBSLKMQADAAKGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLKELDWPZFFKF-UHFFFAOYSA-N OC(C1=CC=CC=C1C(O)=O)=O.OC(C1=CC=CC=C1C(O)=O)=O.OC(C1=CC=CC=C1C(O)=O)=O.P.P Chemical compound OC(C1=CC=CC=C1C(O)=O)=O.OC(C1=CC=CC=C1C(O)=O)=O.OC(C1=CC=CC=C1C(O)=O)=O.P.P IGLKELDWPZFFKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- AUCDRFABNLOFRE-UHFFFAOYSA-N alumane;indium Chemical compound [AlH3].[In] AUCDRFABNLOFRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACWBQPMHZXGDFX-QFIPXVFZSA-N valsartan Chemical class C1=CC(CN(C(=O)CCCC)[C@@H](C(C)C)C(O)=O)=CC=C1C1=CC=CC=C1C1=NN=NN1 ACWBQPMHZXGDFX-QFIPXVFZSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/77342—Silicates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
本發明係關於一種製造螢光體的方法及一種包含上述方法所製造的螢光體的發光裝置。
化合物半導體材料的發光二極體(Light Emitting Diode,LED)可用來建構發光光源;例如,以砷化鎵(GaAs)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化鎵(GaN)、氮化銦鎵(InGaN)、及磷化銦鋁鎵(InGaAlP)等為基質的化合物半導體。此類發光二極體經過封裝後,成為可發出各種顏色的發光裝置,而此類發光裝置現已逐漸做為許多用途的光源,例如:彩色的照明指示器、特徵指示器、及影像顯示器。
根據本發明的一方面,一實施例提供一種製造螢光材料的方法,其包括下列步驟:將一螢光材料放入一第一溶液,並攪動該螢光材料及該第一溶液;將一具有奈米尺寸的奈米螢光材料放入該第一溶液,並攪動該具有奈米尺寸的奈米螢光材料及該第一溶液;及自該含有該螢光材料的該第一溶液分離出上澄液,並乾燥該螢光材料。
該第一溶液選自去離子水、乙醇、丙酮、甲醇、及異丙醇中的至少一者。
在將該螢光材料放入該第一溶液並攪動該螢光材料及該第一溶液的步驟之前,此方法更包括:加熱並攪動該第一溶液,直到該第一溶液的溫度達到一預定的溫度。
將該螢光材料放入該第一溶液並攪動該螢光材料及該第一溶液的步驟更包括:加熱並攪動該第一溶液,使得該第一溶液的溫度不低於一預定的溫度。
根據本發明的另一方面,另一實施例提供一種發光裝置,其包含:一主體;一發光單元,其設置於一腔室內,該腔室形成於該主體內;一樹脂,其形成於該腔室內;及一第一螢光材料,其添加於該樹脂內;其中,一具有奈米尺寸的奈米螢光材料吸附於該第一螢光材料中。
以下將參照相關的圖示,詳細敘述本發明之實施例。在實施例的說明中,所揭露的項目用以決定本發明的精神與範圍。本發明的精神包含藉由對各實施例的零組件施以增減或變化等的修飾,都應視為本發明的進一步實施狀況。
圖1為根據本發明的發光裝置之結構示意圖。請參照圖1,一發光裝置100包含一封裝體110,一發光單元120,一樹脂125,及複數個導線架(lead frame)132和134。
該封裝體110係以注射鑄造(injected-mold)成預定的形狀,其組成材料選自聚鄰苯二甲醯胺(Polyphthalamide,PPA)、液晶聚合物(Liquid Crystal Polymer,LCP)、對位性聚苯乙烯(Syndiotactic polystyrene,SPS)中的至少一者。一具有固定深度的腔室115形成於該封裝體110的上半部112內。該腔室115的周側可以是傾斜的,相對於該腔室115底面的垂直軸傾斜一預定的角度。
該等導線架132和134水平設置於該封裝體110內。該腔室115為具有反射性的杯形,形成於該封裝體110的上半部112。
該等導線架132和134顯露於該腔室115的內部,且互相電性分離。該等導線架132和134的兩端顯露於該封裝體110的外部以作為電極。反射性的材料可以塗覆在該等導線架132和134的表面上。
該發光單元120可以晶粒黏合(die-bonded)於該等導線架中的第一導線架132。該發光單元120藉由導線122連接至該等導線架的第一導線架132及第二導線架134。
該發光單元120可以是相當於有顏色的發光二極體中的至少一者;例如,選自紅色發光二極體、綠色發光二極體、藍色發光二極體、及紫外線(UV)發光二極體中的至少一者。
該樹脂125形成於該腔室115內。該樹脂125包含透明的矽材料或環氧樹脂材料。螢光材料140添加入該樹脂125內,該螢光材料140可以是相當於矽酸鹽為基質的螢光材料;特別地,複數個奈米尺寸的螢光材料又形成於該螢光材料140的部份表面上。
一凸透鏡可以形成於該樹脂125上。用以保護該發光單元120的保護元件,例如齊納二極體(Zener diode),可以設置於該等導線架132和134上。
該添加於該樹脂125的螢光材料140可能包含許多裂隙200,其形成於該螢光材料140的表面(如圖2所示)。在習知的螢光材料製造方法中,螢光材料表面可能形成複數個裂隙,但其被壓入該表面一預定的深度。當內部形成有此類裂隙的螢光材料添加入該樹脂125內,該發光單元120所發出的光將會被此裂隙不規則地散射,而使光特性變差。
該奈米尺寸的螢光材料添加入該內部具有此裂隙的螢光材料140內,使得該奈米尺寸的螢光材料或粉末(以下將簡稱為奈米螢光材料)將會充填該等裂隙。也就是如圖3所示,球形的奈米螢光材料300將會塗覆或充填於該螢光材料140表面所形成的裂隙;因此,可以減少該裂隙所造成的光散射。該奈米螢光材料300可以是以熱噴霧分解(thermo spray decomposition)法所製作。
具有與該螢光材料140相同顏色與品質的該奈米螢光材料300可能是奈米粒子,能夠均勻平坦地充填該螢光材料140的不規則結構。該奈米螢光材料300可能包含矽酸鹽為基質的螢光材料,其同於螢光增白劑(fluorescer);例如,SrBaSiO:Eu。當採用與該螢光材料140相同材料組成及相同方式的奈米螢光材料300,該奈米螢光材料300及該螢光材料140會藉由凡得瓦力(van der vals force)互相黏附。因此,發光效率可提升最多20%至30%。
根據本發明的一實施例,以下將詳細描述該球形的奈米螢光材料300及塗覆該奈米螢光材料300於該螢光材料140表面(特別是該等裂隙)的方法。
圖4至8為根據本發明實施例的螢光材料製造方法的流程結構示意圖。請參照圖4,儲裝有溶液的燒杯430置於攪拌器410上。去離子水溶液401及磁棒420放入該燒杯430中,再啟動該攪拌器410。
該磁棒420可以不另用構件使之固定;例如,其旋轉軸。旋轉該磁棒420的攪拌器410並未接觸到該磁棒420;該攪拌器410可以是磁攪拌器,自外界施以磁力來旋轉該磁棒420。此時,該磁攪拌器藉由轉動的電磁場來產生旋轉的磁力。當所產生的磁力向外起作用,則該攪拌器外部的磁性體(磁棒)將受到該磁力的作用而旋轉。
在該去離子水401及磁棒420放入該燒杯430之後,該攪拌器410開始動作。此時,加熱並攪動該去離子水401及磁棒420,直到該去離子水401的溫度達到一預定的溫度。該預定的溫度必須約為攝氏50度。在此實施例中,該去離子水401亦可以是乙醇、丙酮、甲醇、異丙醇(isopropyl alcohol)、或其類似物。此外,更多不同的溶液亦可以依據此實施例而使用。
接著如圖5所示,100公克的螢光材料510放入該去離子水401中,並另再攪動約30分鐘。此時,必須加熱並攪動該去離子水401及該螢光材料510,使得該去離子水401的溫度不會低於該預定的溫度(大約攝氏50度)。
該螢光材料510可以是由矽酸鹽為基質的材料所組成,且平均的粒子直徑為15μm。然而,該螢光材料510的尺寸及種類可以依據螢光材料的製造方法而有不同的變化,在此不予詳細描述。該去離子水401及該螢光材料510係混合於該燒杯430中。
如圖6所示,奈米螢光材料610放入該燒杯430中並加以攪動。該奈米螢光材料610係由尺寸為100nm至400nm的螢光材料所組成。經由一種熱噴霧分解處理(thermo spray decomposition process),可以形成具有奈米尺寸的奈米螢光材料。倘若該奈米螢光材料610的尺寸小於100nm,則其發光特性可能會變差。特別是,該奈米螢光材料610的螢光材料成份與上述的螢光材料510具有相同的顏色。例如,當該螢光材料510為黃色的矽酸鹽螢光材料,該奈米螢光材料610也是該黃色的矽酸鹽螢光材料。這使得添加該螢光材料510的樹脂所發出的光具有相同的顏色,因為該奈米螢光材料610係塗覆於該螢光材料510的表面。
根據此實施例,10公克的該奈米螢光材料610放入該燒杯430中。此時,不僅該奈米螢光材料300的奈米尺寸粉末緩緩放入該燒杯430,而且一預定量的醋酸也放入該燒杯430中。例如,1毫升的醋酸連同該奈米螢光材料610一起放入該燒杯430中。該燒杯430中溶液的溫度不應該等於或低於一預定的溫度,其較佳溫度約為攝氏50度。上述的攪動進行大約一小時。操作人員在檢查該燒杯430時,必須檢視其中螢光材料的分布情形。
以上放入醋酸的原因,是藉由酸蝕去該螢光材料510粗糙的表面,使得該奈米螢光材料610能充分地吸附於該等裂隙中。任何足以蝕刻該螢光材料510表面的溶液及該醋酸,皆可以依據此實施例而多樣的運用。
如圖7所示,關掉該攪拌器410的加熱器,則該燒杯430中溶液的溫度將會下降。當該燒杯430中溶液的溫度達到約攝氏20度,10%的硫酸鋅溶液放入該燒杯430,並再多攪動約一小時。以上放入硫酸鋅溶液的原因,是藉由離子化該燒杯430中的溶液,增加該溶液中粒子之間的靜電力,使得該奈米螢光材料610能較佳地吸附於該螢光材料510的表面。
經過一段預定的時間(大約一小時)之後,關掉該攪拌器410並檢視該溶液的分布狀態,也就是檢視該螢光材料上的上澄液(supernatant)是否變得清澈透明。
如圖8所示,檢視該上澄液810是否變得清澈透明,且攪動的時間可依據該上澄液810的透明度而增加或減少。倘若該上澄液810變得透明(此透明度可以視實施狀況或操作人員而有不同的決定),這表示該奈米螢光材料610充分地吸附於該螢光材料510的表面。藉此,該上澄液810可以自該包含螢光材料的溶液820中分離出。此處可以藉由迴轉幫浦(rotary pump),自該包含螢光材料的溶液820中分離出該上澄液810。經過分離之後,乾燥該包含螢光材料的溶液820。
因此,完成吸附該奈米螢光材料610的螢光材料510的製作。所製作的螢光材料510相當於如圖1所示的螢光材料140。由該發光單元120所發出的光行經表面粗糙度大幅減低的螢光材料,藉此而減少因光散射所致的發光效率降低。
唯以上所述者,包含:特徵、結構、及其它類似的效果,僅為本發明之較佳實施例,當不能以之限制本發明的範圍。此外,本發明可以不同的方式進行修改或變動,但並不因此而脫離本發明的基本特徵。例如,各實施例所使用的元件或單元,可為該領域所屬的技藝人士進行修改及實現,仍將不失本發明之要義。
100...發光裝置
110...封裝體
112...上半部
115...腔室
132...第一導線架
134...第二導線架
120...發光單元
122...導線
125...樹脂
140...螢光材料
200...裂隙
300...奈米螢光材料
401...去離子水溶液
420...磁棒
510...螢光材料
610...奈米螢光材料
810...上澄液
820...溶液
圖1為本發明的發光裝置之結構示意圖。
圖2為裂隙形成於螢光材料表面的示意圖。
圖3為根據本發明實施例之該奈米螢光材料吸附於該螢光材料表面裂隙的示意圖。
圖4至8為根據本發明實施例的螢光材料製造方法的流程結構示意圖。
100...發光裝置
110...封裝體
112...上半部
115...腔室
132...第一導線架
134...第二導線架
120...發光單元
122...導線
125...樹脂
140...螢光材料
Claims (18)
- 一種製造螢光材料的方法,其包括下列步驟:將一包含至少一裂隙的螢光材料放入一第一溶液,並攪動該螢光材料及該第一溶液;將一具有奈米尺寸的奈米螢光材料放入該第一溶液,並攪動該具有奈米尺寸的奈米螢光材料及該第一溶液,使得該奈米螢光材料被吸附於該至少一裂隙中;及自該被攪動後的該第一溶液分離出上澄液(supernatant),並乾燥該螢光材料。
- 如申請專利範圍第1項所述之製造螢光材料的方法,其中該第一溶液選自去離子水、乙醇、丙酮、甲醇、及異丙醇中的至少一者。
- 如申請專利範圍第1項所述之製造螢光材料的方法,在將該螢光材料放入該第一溶液並攪動該螢光材料及該第一溶液的步驟之前,更包括:加熱並攪動該第一溶液,直到該第一溶液的溫度達到一預定的溫度。
- 如申請專利範圍第1項所述之製造螢光材料的方法,其中將該螢光材料放入該第一溶液並攪動該螢光材料及該第一溶液的步驟更包括:加熱並攪動該第一溶液,使得該第一溶液的溫度不低於一預定的溫度。
- 如申請專利範圍第4項所述之製造螢光材料的方法,其 中該預定的溫度為攝氏50度。
- 如申請專利範圍第1項所述之製造螢光材料的方法,其中該奈米螢光材料係以熱噴霧分解法製作。
- 如申請專利範圍第1項所述之製造螢光材料的方法,其中將該奈米螢光材料放入的步驟包括:將醋酸及該奈米螢光材料放入。
- 如申請專利範圍第7項所述之製造螢光材料的方法,其中在將該醋酸及該奈米螢光材料放入的步驟之後,更包括:加熱並攪動該第一溶液,使得該第一溶液的溫度不低於一預定的溫度。
- 如申請專利範圍第1項所述之製造螢光材料的方法,其中在將該具有奈米尺寸的奈米螢光材料放入該第一溶液並攪動該具有奈米尺寸的奈米螢光材料及該第一溶液的步驟之後,更包括:將一硫酸鋅溶液放入該第一溶液,並加以攪動。
- 如申請專利範圍第1項所述之製造螢光材料的方法,其中該奈米螢光材料包括與該螢光材料相同的材料。
- 如申請專利範圍第1項所述之製造螢光材料的方法,其中該奈米螢光材料的尺寸為100nm至400nm。
- 一種發光裝置,其包括:一主體,包含一腔室;一發光單元,其設置於該腔室內;一樹脂,其形成於該腔室內;及 一第一螢光材料,其包含至少一裂隙並添加於該樹脂內;其中,一具有奈米尺寸的奈米螢光材料吸附於該第一螢光材料的該至少一裂隙中。
- 如申請專利範圍第12項所述之發光裝置,其中該奈米螢光材料係由一第二螢光材料所組成,該第二螢光材料具有與該第一螢光材料相同的顏色。
- 如申請專利範圍第12項所述之發光裝置,其中該奈米螢光材料的尺寸為100nm至400nm。
- 如申請專利範圍第12項所述之發光裝置,其中該主體的組成材料選自聚鄰苯二甲醯胺(Polyphthalamide,PPA)、液晶聚合物(Liquid Crystal Polymer,LCP)、對位性聚苯乙烯(Syndiotactic polystyrene,SPS)中的至少一者。
- 如申請專利範圍第12項所述之發光裝置,其中該發光單元選自紅色發光二極體、綠色發光二極體、藍色發光二極體、及紫外線發光二極體中的至少一者。
- 如申請專利範圍第12項所述之發光裝置,其中該樹脂包含透明的矽材料或環氧樹脂材料。
- 如申請專利範圍第12項所述之發光裝置,其中一凸透鏡形成於該樹脂上。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090120181A KR101072162B1 (ko) | 2009-12-04 | 2009-12-04 | 형광체 제조방법 및 상기 형광체를 포함하는 발광장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201137087A TW201137087A (en) | 2011-11-01 |
TWI496871B true TWI496871B (zh) | 2015-08-21 |
Family
ID=43587510
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW099142300A TWI496871B (zh) | 2009-12-04 | 2010-12-06 | 製造螢光體的方法及包含此螢光體的發光裝置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8465798B2 (zh) |
EP (1) | EP2330172B1 (zh) |
JP (1) | JP5903212B2 (zh) |
KR (1) | KR101072162B1 (zh) |
CN (1) | CN102154002B (zh) |
TW (1) | TWI496871B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101400343B1 (ko) * | 2012-02-10 | 2014-05-30 | 한국광기술원 | 상온 선택적 전극 보호 수용성 수지가 적용된 전극 노출형 침전 및 증발형 용제가 포함된 형광체 제조방법과 형광체 코팅층이 형성된 led 제조방법 |
KR101945808B1 (ko) * | 2012-08-06 | 2019-02-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 |
TWI484669B (zh) * | 2012-09-11 | 2015-05-11 | Brightek Optoelectronic Co Ltd | 發光元件之封裝方法 |
TWI484664B (zh) * | 2012-09-11 | 2015-05-11 | Brightek Optoelectronic Co Ltd | 螢光粉粒子之塗佈方法 |
CN108689712B (zh) * | 2018-06-26 | 2020-10-09 | 镭米光学科技(宁波)有限公司 | 一体式复合陶瓷荧光体及其制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4208448A (en) * | 1978-10-27 | 1980-06-17 | Westinghouse Electric Corp. | Method for improving the performance of low pressure fluorescent discharge lamp which utilizes zinc silicate as a phosphor blend constituent |
CN1770491A (zh) * | 2004-09-02 | 2006-05-10 | 株式会社东芝 | 半导体发光器件 |
CN1840606A (zh) * | 2005-03-31 | 2006-10-04 | 通用电气公司 | 制备磷光体的方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2514423B2 (ja) * | 1989-03-15 | 1996-07-10 | 日亜化学工業株式会社 | 二酸化ケイ素でコ―ティングされた蛍光体の製造方法 |
JP3189626B2 (ja) | 1994-09-09 | 2001-07-16 | 双葉電子工業株式会社 | 表示装置 |
JPH09255951A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-09-30 | Kasei Optonix Co Ltd | 青色発光蛍光体 |
JPH11256149A (ja) * | 1998-03-16 | 1999-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 赤色蛍光体とこれを用いた蛍光ランプ |
US6313578B1 (en) | 1998-09-28 | 2001-11-06 | Osram Sylvania Inc. | Phosphor coating for gas discharge lamps and lamp containing same |
KR100791564B1 (ko) * | 1999-12-21 | 2008-01-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 희토류 산화물이 코팅된 형광체 및 그의 제조방법 |
US6531074B2 (en) * | 2000-01-14 | 2003-03-11 | Osram Sylvania Inc. | Luminescent nanophase binder systems for UV and VUV applications |
JP2002038150A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-06 | Toshiba Corp | 真空紫外線励起蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
JP2002038148A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-06 | Toshiba Corp | 緑色蛍光体とその製造方法、およびそれを用いた発光装置 |
KR100768177B1 (ko) | 2001-03-13 | 2007-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 나노크기의 형광체가 부착된 형광체, 그의 제조방법 및이를 이용하여 제조된 음극선관 |
KR100717936B1 (ko) | 2005-02-01 | 2007-05-11 | 주식회사 엘지화학 | Blu 용 램프의 상하 색편차 개선을 위한 흐름성이우수한 신규 청색 형광체의 제조방법 및 그로부터 제조된청색 형광체 |
DE102005047609A1 (de) | 2005-10-05 | 2007-04-12 | Giesecke & Devrient Gmbh | Echtheitssicherung von Wertdokumenten mittels Merkmalsstoffen |
KR100803620B1 (ko) | 2006-12-28 | 2008-02-19 | 중앙대학교 산학협력단 | 유ㆍ무기 나노 복합체가 코팅된 pdp 및 led용 형광체 및 그의 제조방법 |
WO2008116079A1 (en) | 2007-03-20 | 2008-09-25 | Evident Technologies, Inc. | Powdered quantum dots |
DE102007016228A1 (de) | 2007-04-04 | 2008-10-09 | Litec Lll Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Leuchtstoffen basierend auf Orthosilikaten für pcLEDs |
-
2009
- 2009-12-04 KR KR1020090120181A patent/KR101072162B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-11-19 US US12/949,879 patent/US8465798B2/en active Active
- 2010-11-29 JP JP2010264854A patent/JP5903212B2/ja active Active
- 2010-12-03 EP EP10193699.5A patent/EP2330172B1/en not_active Not-in-force
- 2010-12-06 CN CN201010625147.1A patent/CN102154002B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-12-06 TW TW099142300A patent/TWI496871B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4208448A (en) * | 1978-10-27 | 1980-06-17 | Westinghouse Electric Corp. | Method for improving the performance of low pressure fluorescent discharge lamp which utilizes zinc silicate as a phosphor blend constituent |
CN1770491A (zh) * | 2004-09-02 | 2006-05-10 | 株式会社东芝 | 半导体发光器件 |
CN1840606A (zh) * | 2005-03-31 | 2006-10-04 | 通用电气公司 | 制备磷光体的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101072162B1 (ko) | 2011-10-10 |
JP2011116985A (ja) | 2011-06-16 |
EP2330172B1 (en) | 2017-06-28 |
JP5903212B2 (ja) | 2016-04-13 |
US8465798B2 (en) | 2013-06-18 |
EP2330172A1 (en) | 2011-06-08 |
KR20110063221A (ko) | 2011-06-10 |
CN102154002A (zh) | 2011-08-17 |
TW201137087A (en) | 2011-11-01 |
CN102154002B (zh) | 2015-12-16 |
US20110133630A1 (en) | 2011-06-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI496871B (zh) | 製造螢光體的方法及包含此螢光體的發光裝置 | |
JP6309448B2 (ja) | 被覆燐光体及びこれ含む発光デバイス | |
KR100869694B1 (ko) | 발광 장치 | |
JP2007027431A (ja) | 発光装置 | |
JP2005340813A (ja) | 蛍光物質を含む成形材料及びそれから作った発光デバイス | |
CN103489996B (zh) | 白光led封装工艺 | |
TWI789419B (zh) | 半導體發光裝置及製造其之方法 | |
WO2013001685A1 (ja) | 複合蛍光体および発光装置 | |
TW201341591A (zh) | 銀的表面處理劑及發光裝置 | |
TW200901502A (en) | Light emitting diode device and fabrication method thereof | |
KR20100049277A (ko) | 발광다이오드 패키지 및 이의 제조 방법 | |
JP7092474B2 (ja) | 発光装置 | |
TWI597869B (zh) | 發光裝置封裝結構及其製造方法 | |
JP2011222718A (ja) | 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法 | |
KR20110081798A (ko) | 발광 장치 | |
JP6739527B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6885055B2 (ja) | 充填材、樹脂組成物、パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法 | |
EP2375462A1 (en) | Light emitting diode package and method of fabricating the same | |
US20110248299A1 (en) | Light emitting diode package and method of fabricating the same | |
KR101608597B1 (ko) | 희토류 금속 산화물 입자를 포함하는 형광체 막, 이것을 이용하는 led 장치, 및 이의 제조방법 | |
KR20110103720A (ko) | 형광체 제조 방법 및 상기 형광체를 포함하는 발광 장치 | |
JP2015041664A (ja) | 絶縁反射基板およびledパッケージ | |
TWI467814B (zh) | 螢光粉膠體製備方法及相應的發光二極體封裝方法 | |
CN114891480A (zh) | 一种新型白胶及其制备方法和应用 | |
TWI242894B (en) | Light emitting device and fabrication method thereof |