JP2007027431A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高い光出力で発光むらのない発光が可能な発光装置を提供する。
【解決手段】容器、前記容器内に配置され、ＳｉＣ基板を有する上面が多角形の発光チップ（１）、発光チップ（１）の上面に設けられた電極パッド（５）、前記容器の底面に設けられたリード電極（７）、発光チップ１上面の角部の上方を経由し、発光チップ（１）の側面を縦方向に画定する辺（４ａ）に沿って設けられ、電極パッド（５）とリード電極（７）とを接続する導電性ワイヤー（６）、および、発光チップ（１）を封止し、蛍光体が透光性部材に分散されてなる蛍光体層を具備することを特徴とする。
【選択図】図２

Description

本発明は、発光装置に係り、特に半導体基板を用いたＬＥＤチップを有する発光装置に関する。

半導体発光素子と蛍光体とを組み合わせた発光装置は、照明光源や液晶バックライト光源などの分野で利用されている。こうした発光装置は、例えばシリコーン樹脂やガラス等の透光性部材の材料中に蛍光物質を含有させた後、発光素子が搭載された凹部内にディスペンサなどで滴下注入し、熱硬化させることにより形成される。（例えば、特許文献１参照）
ＳｉＣ基板やＧａＮ基板等の半導体基板を用いたＬＥＤチップにおいては、正電極および負電極は、ＬＥＤチップの上面および下面に形成され、こうした半導体基板を用いたＬＥＤチップは、光取り出し効率を改善するために素子基板の側面部分が斜め方向に加工されている。これによって、チップの上面だけでなく、斜めに加工した側面からも発光が得られる。こうした構造において、チップが覆われずに露出してしまう部分が生じ、これによって色ずれの原因ともなる。（例えば、特許文献２参照）
一般に、蛍光体は、粒径が大きいほど光変換効率が高いので、大粒径の蛍光体を高濃度に含有する蛍光体層でＬＥＤチップをコーティングすることが望ましい。蛍光体を含有した樹脂をＬＥＤチップに塗布する際、樹脂は導電性ワイヤーに引き寄せられやすく、ＬＥＤチップ周辺に均一な厚さの蛍光体層を形成できない。また、大粒径の蛍光体は沈降しやすいため導電性ワイヤーの下に回りこみにくく、蛍光体層における蛍光体の密度が不均一となる。不均一な厚さの蛍光体層や蛍光体の大きな密度分布は、色むらの原因となる。
特開平７−９９３４５号公報 特開２００４−２７４０４０号公開

本発明は、高い光出力で発光むらのない発光が可能な発光装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様にかかる発光装置は、容器、
前記容器内に配置され、半導体基板を有する上面が多角形の発光チップ、
前記発光チップの上面に設けられた電極パッド、
前記容器の底面に設けられた第１のリード電極、
前記発光チップ上面の角部の上方を経由し、前記発光チップの側面を縦方向に画定する辺に沿って設けられ、前記電極パッドと前記第１のリード電極とを接続する導電性ワイヤー、および
前記発光チップを封止し、蛍光体が透光性部材に分散されてなる蛍光体層
を具備することを特徴とする。

本発明によれば、高い光出力で発光むらのない発光が可能な発光装置が提供される。

以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。

図１は、本発明の一実施形態にかかる発光装置の断面図である。

図示する発光装置においては、容器としてのパッケージカップ１１の底面のリード電極７の上にＬＥＤチップ１が配置されている。ＬＥＤチップ１の上面の電極パッド（図示せず。図２の番号５に相当する。）は、導電性ワイヤー６によってパッケージカップ１１の底面のリード電極８と接続されている。図示する発光装置においては、ＬＥＤチップ１の上面からおよびパッケージカップ１１の底面にわたって蛍光体層１０が配置されている。

図示する発光装置の上面図を、図２に示す。図示するように、リード電極７の上には上面が四角形の発光チップ１が下面３上にマウントされ、チップの上面２の中央領域には電極パッド５が設けられる。なお、中央領域とは、図２に示されたようなチップの上面２のほぼ重心位置を中心とする領域をさす。電極パッド５とリード電極８とは導電性ワイヤー６により接続され、この導電性ワイヤー６は、発光チップ１の側面４を横切ることなく、チップ側面を縦方向に画定する辺４ａに沿って配置されている。

ＬＥＤチップ１としては、蛍光体を励起可能な発光波長の光を発光するものが用いられる。本発明の実施形態においては、ＳｉＣ基板上に成長した窒化物半導体からなるＬＥＤチップを用いる。ＬＥＤチップ１の厚さは、発光装置等に応じて適宜決定することができる。

白色系の光を発光させるため、蛍光体からの発光波長との補色関係を考慮して、発光チップ（ＬＥＤチップ）１の発光波長は、４００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下に設定することが好ましく、４２０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下がより好ましい。蛍光体の種類によって、４００ｎｍ以下の紫外域の光を発光するＬＥＤチップを適用することもできる。紫外域の光を発光するＬＥＤチップを用いる場合は、紫外域の光により赤色、黄色、緑色、青色等に発光する蛍光体を組み合わせて用い、それらの混色により白色系の光を発光させることができる。赤色、黄色、緑色、青色等に発光する蛍光体としては、後述する蛍光体を用いることが可能である。なお、紫外域の光により青色に発光する蛍光体としては、例えば（Ｓｒ，Ｃａ）₁₀（ＰＯ₄）₆Ｃｌ₂：Ｅｕ²⁺やＢａＭｇ₂Ａｌ₁₅Ｏ₂₇：Ｅｕ²⁺等を用いることができる。

ＬＥＤチップ１の上面形状は、三角形以上の多角形であり、光取り出し効率を高めるためには、素子基板の側面部分を当該側面が斜め上を向くように斜め方向に加工しておくことが望ましい。例えばＬＥＤチップの形状が四角形の場合は、電極などが形成された半導体ウエハにスクライブラインを引いた後に、外力により分割し、ＬＥＤチップを成型する。四角形以外の形状のＬＥＤチップの場合も、上述した方法によりＬＥＤチップを成型することができる。外力により半導体ウエハを分割できない場合は、塩素系ドライエッチング法などを用いてＬＥＤチップを成型することができる。また、ＳｉＣ基板、もしくは窒化物半導体薄膜上に六角形のフォトマスクでＳｉＯ₂を蒸着することにより、六角柱状の結晶を成膜してもよい。

こうしたＬＥＤチップ１の電極パッド５とリード電極８とを接続する導電性ワイヤー６としては、電極パッドとのオーミック性、機械的接続性、電気伝導性および熱伝導性がよいものが求められる。具体的には、金、銅、白金、アルミニウムなどの金属、およびそれらの合金を用いた導電性ワイヤーが挙げられる。本実施形態では、金製の導電性ワイヤーを使用した。なお、ＬＥＤチップ１の形状やワイヤーの材質によらず、導電性ワイヤー６の直径は、１０μｍ以上４５μｍ以下とすることが望まれる。直径が１０μｍ未満の場合には、機械的強度が低下する。一方、４５μｍを越えると、ＬＥＤチップからの光を遮蔽するおそれがある。このような導電性ワイヤーは、ワイヤーボンディング機器によってＬＥＤチップの電極パッドとリード電極とを接続する。

図１に示す発光装置においては、ＬＥＤチップ１の上面および側面、さらにパッケージカップ１１の底面に蛍光体層１０が設けられている。

蛍光体層１０は、蛍光体が分散された透光性部材から構成され、透光性部材としては、例えば、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂などの各種樹脂を用いることができる。場合によっては、ＬＥＤチップをパッケージに固定するための絶縁性接着剤（例えば、硝子のような透光性無機部材）を透光性部材として用いてもよい。蛍光体は、こうした透光性部材中に４０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下、望ましくは５０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下の濃度で分散されていることが好ましい。蛍光体の濃度が４０ｗｔ％未満の場合には、青色発光部が強すぎるため白色化が困難となる。一方、６０ｗｔ％を越えると光を遮蔽するおそれがある。

蛍光体層１０は、８０μｍ以上２４０μｍ以下の均一な膜厚で、ＬＥＤチップ１の上面および側面、さらにパッケージカップ１１底面に存在することが好ましい。この範囲内の膜厚では、蛍光体の光変換効率を最大限に利用することができる。８０μｍ未満の場合には、高い光変換効率を確保することができない。一方、２４０μｍを越えると、光取り出し効率が低下するおそれがある。蛍光体層１０の厚さは、１００μｍ以上１５０μｍ以下がより好ましい。

特に、蛍光体層１０の蛍光体の濃度が４０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下の場合には、蛍光体層１０表面には、蛍光体の形状を反映した微細な凹凸が形成される。このため、光は、蛍光体層と外部との界面で効果的に拡散されるので、発光色の色むらを防止することが可能となる。パッケージカップ１１の底部から５００μｍ程度の高さまでであれば、図１に示したようにカップ凹部の側面にも、同様の膜厚で蛍光体層１０が設けられていてもよい。

蛍光体層１０中に分散される蛍光体としては、窒化物半導体を発光層とする半導体ＬＥＤチップから発光された光で励起されて発光する種々の蛍光体を利用することができる。青色ＬＥＤチップと黄色蛍光体とを用いた場合には、白色光が得られる。こうした蛍光体に赤色蛍光体や黄緑色蛍光体を混合してもよく、混合することによって演色性を高めることができる。

使用し得る蛍光体としては、以下のものが挙げられる。

黄色発光が可能な蛍光体としては、例えばＹを含み、かつＣｅあるいはＰｒで付活されたイットリウム・アルミニウムガーネット酸化物蛍光体（ＹＡＧ蛍光体）や、ケイ酸塩蛍光体、例えば（Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ）₂ＳｉＯ₄：Ｅｕで表わされるユウロピウム賦活アルカリ土類金属シリケート系蛍光体などが挙げられる。

赤色発光が可能な蛍光体としては、例えば（Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ）₂ＳｉＯ₄：Ｅｕで表されるユウロピウム賦活アルカリ土類金属シリケート系蛍光体等のケイ酸塩蛍光体が挙げられる。Ｓｒの一部をＢａで置換することによって、発光スペクトルが短波長側へシフトし、Ｓｒの一部をＣａで置換することによって、発光スペクトルが長波長側へシフトする。このように組成を変化することで、発光色を連続的に調節することが可能である。または、Ｎを含み、かつＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、およびＺｎから選択された少なくとも一つの元素と、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、およびＨｆから選択された少なくとも一つの元素とを含み、希土類元素から選択された少なくとも一つの元素で付活された窒化物蛍光体が挙げられる。ほかには、赤色破断面を有する破断粒子から構成され、赤色領域の発光を行なう（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）₂Ｓｉ₅Ｎ₈：Ｅｕで表されるユウロピウム賦活アルカリ土類シリコンナイトライド系蛍光体、規則的な結晶成長形状としてほぼ球形状を有する成長粒子から構成され、赤色領域の発光を行なう（Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ）₂Ｏ₂Ｓ：Ｅｕで表されるユウロピウム賦活希土類オキシカルコゲナイト系蛍光体等が挙げられる。

緑色発光が可能なものとしては、例えば、破断面を有する破断粒子から構成され、緑色領域の発光を行なう（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）Ｓｉ₂Ｏ₂Ｎ₂：Ｅｕで表されるユウロピウム賦活アルカリ土類シリコンオキシナイトライド系蛍光体、破断面を有する破断粒子から構成され、緑色領域の発光を行なう（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）₂ＳｉＯ₄：Ｅｕで表されるユウロピウム賦活アルカリ土類マグネシウムシリケート系蛍光体などが挙げられる。

上述したような蛍光体は、単独でも２種類以上を混合して用いてもよい。また、発光チップと組み合わせて任意の色調を得ることができる。例えば、青色を発光する半導体発光素子と、黄色蛍光体とを組み合わせることによって白色光を発光する発光装置が得られる。蛍光体を黄色蛍光体と赤色蛍光体との混合物に変更した場合には、暖色系の白色光となる。

２種類以上の蛍光体を混合調整させることによって、所望の白色系の混色光などを得ることができる。具体的には、発光チップの発光波長に合わせて色度点の異なる蛍光体の量を調整して、含有させることでその蛍光体間と発光チップで結ばれる色度図上の任意の点を発光させることができる。

青色光源による励起強度を考慮すると、上述したような蛍光体のうちでも、黄色蛍光体として、ケイ酸塩化合物、組成式（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）₂ＳｉＯ₄：Ｅｕをベースとしたものを用いることが好ましい。その他の種類の黄色蛍光体として例えば、イットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光体、ＹＡＧ：Ｃｅや硫化物などの蛍光体を用いても白色を作製できる。

光変換効率を高めるため、蛍光体の粒径は、２０μｍ以上７５μｍ以下に設定することが好ましく、２０μｍ以上４５μｍ以下がさらに好ましい。粒径が２０μｍ以上７５μｍ以下とは、顕微鏡などで蛍光体層を観察した際、面積０．０４ｍｍ²中の蛍光体数の３分の１以上の蛍光体粒子の粒径が２０μｍ以上７５μｍ以下にわたって分布していることをさす。

本発明の実施形態にかかる発光装置においては、電極パッドとリード電極とを接続する導電性ワイヤーは、チップ上面の角部上方を通過し、チップの側面を縦方向に画定する辺に沿って配置されている。すなわち、導電性ワイヤーはＬＥＤチップの側面を横切ることがないので、出力の低下を引き起こすことがなく、高い光出力を得ることが可能となった。

ＬＥＤチップ上に配置される蛍光体層の厚さ、および蛍光体層に含有される蛍光体の濃度を特定の範囲内に規定した場合には、発光出力がさらに高められる。上述したように、蛍光体の濃度が４０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下の場合には、蛍光体の形状を反映した凹凸が蛍光体層の表面に生じる。こうした凹凸が存在することによって光は、蛍光体層と外部との界面で効果的に拡散される。その結果、発光色の色むらを防止して均一な発光を得ることが可能となる。

本発明の実施形態にかかる発光装置は、例えば、以下のような方法によって作製することができる。

まず、外部との電気的接続が可能な正および負のリード電極が底面に設けられたパッケージカップを用意し、上面に電極パッドを有するＬＥＤチップ等の半導体発光素子を常法により搭載する。ワイヤーボンディングに当たっては、パッケージカップ底面のリード電極に、導電性ワイヤーをボンディングする。その後、導電性ワイヤーを、ＬＥＤチップの側面を縦方向に画定する辺に沿って配線し、チップ上面の角部の上方を経由して、ＬＥＤチップの上面に設けられた電極パッドにボンディングする。

一方、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂などの透光性部材の材料中に２０μｍ以上７５μｍ以下の蛍光体を所定の濃度で分散させて、蛍光体層原料を調製する。蛍光体の粒径は、分級によって予め所定の範囲内に調節しておく。蛍光体層原料中における蛍光体の濃度は、４０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下に規定される。

その後、蛍光体層原料を加熱して、パッケージカップに搭載されたＬＥＤチップの上面にディスペンサなどで滴下注入して塗布膜を形成する。

加熱温度は、透光性部材の熱硬化温度に応じて選択することができ、少なくとも蛍光体層原料が硬化する温度まで加熱することが必要である。例えば、透光性部材としてシリコーン樹脂を用いる場合には、１５０℃以上に加熱することが望まれる。

塗布に当たっては、固化後の蛍光体層の厚さが８０μｍ以上２４０μｍ以下となるように、量を調節して微量を滴下する。蛍光体は、液状樹脂のような透光性部材よりも比重が大きいため、凝集沈降しやすい。蛍光体の沈降を防止して蛍光体が均一に存在する蛍光体層を得るためには、滴下される蛍光体層原料は最低限の量であることが望まれる。

その後、例えばオーブン内に載置して、８０〜２００℃で３０分乃至３時間、透光性部材を加熱固化させる。蛍光体がＬＥＤチップ周辺に凝集すると、光出力の低下が引き起こされてしまう。凝集を防ぐため、滴下後には、直ちに透光性部材を硬化させる必要がある。これによって、蛍光体は、重なり合うことなく、ＬＥＤチップ周辺に分散されて蛍光体層が形成されるため、光出力の低下は回避される。

加熱固化の条件は、透光性部材の加熱硬化温度に応じて選択することができる。例えばシリコーン樹脂を透光性部材として用いる場合に、８０℃ないし２００℃で３０分ないし３時間の加熱により固化させることができる。

こうして、本発明の実施形態にかかる発光装置が得られる。

以下、本発明の具体例を示す。

（実施例１）
まず、ＬＥＤチップは、汎用のｎ型電極層と、ＳｉＣ層と、窒化物半導体（Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）からなる発光層と、ｐ型電極層とが積層して構成され青色領域の発光をなす。このＬＥＤチップは、ＳｉＣ基板を有し、上面が四角形である。また、チップのサイズは、底面３００μｍ角である。ＬＥＤチップ上面の中央領域、具体的には上面２００μｍ角の中心領域には、直径約１００μｍのＡｕＳｕ製の電極パッドが設けられている。

こうしたＬＥＤチップを、底面に銅板に金メッキを施したリード電極を有するパッケージカップに搭載し、リード電極に金ワイヤーをボンディングした。その後、チップの側面を縦方向に画定する辺に沿って配線し、チップ上面の角部の上方を経由して、ＬＥＤチップの上面に設けられた電極パッドにボンディングした。こうして、電極パッドとリード電極とを接続した。

一方、蛍光体として、（Ｓｒ_1.84Ｂａ_0.12）ＳｉＯ₄：Ｅｕで表わされる組成を有する黄色蛍光体を用意し、透光性部材原料としては、シリコーン樹脂を用意した。用いた蛍光体の粒径は２０μｍ以上４５μｍ以下である。粒径が２０μｍ以上４５μｍ以下とは、顕微鏡などで蛍光体層を観察した際、面積０．０４ｍｍ²中の蛍光体数の３分の１以上の蛍光体粒子の粒径が２０μｍ以上４５μｍ以下にわたって分布していることをさす。この蛍光体を５０ｗｔ％の濃度でシリコーン樹脂に分散して、蛍光体層原料を得た。

前述の蛍光体層原料を、ディスペンサを用いてＬＥＤチップ上に塗布した。その後、直ちにオーブン内に載置し、１５０℃で３時間放置して、本実施例の発光装置を完成した。得られた発光装置の断面を顕微鏡により観察したところ、膜厚１００μｍの均一な蛍光体層がＬＥＤチップの上面および側面、さらにパッケージカップの底面に配置されていた。

比較のために、導電性ワイヤーの方向（角度）を変更した以外は、上述と同様にして発光装置を作製した。具体的には、図３に示すように、ワイヤーが発光チップの側面を直交して横切る角度を０°（ａ）とし、上述の角部を通過する方向を４５°（ｃ）とした。その間の角度（ｂ）についても作製した。

各発光装置について光出力を光束測定装置により測定し、その結果を図４のグラフに示す。図４に示されるように、上面の角部上方を通過する方向に導電性ワイヤーを配置した場合（ｃ）には、光出力は側面を横切る場合（ａ）の１．４倍程度に増加する。導電性ワイヤーが、ＬＥＤチップの側面を横切らないように配線することによって、出力が高められることが確認された。なお、導電性ワイヤーの配線角度が０°の場合の光出力を１とする。

ＬＥＤチップとしては、六角形のものを用いることもできる。この場合の発光装置の上面図を図５に示す。図示する発光装置は、ＬＥＤチップ１が六角形である以外は、図２に示したものと同様である。図示するように、導電性ワイヤー６は、ＬＥＤチップ１の上面の角部上方を経由し、チップの側面を縦方向に画定する辺４ａに沿って設けられて、電極パッド５とリード電極８とを接続する。ＬＥＤチップの上面が六角形の場合には、配線方向は、四角形のＬＥＤチップよりも２方向増えるため、ワイヤーボンディングを容易に行なうことができる。また、ＬＥＤチップの発光パターンもより円形に近づくため、光の指向性がよくなる。

（実施例２）
蛍光体を（Ｙ．Ｇｄ）₃（Ａｌ．Ｇｄ）₅Ｏ₁₂：Ｃｅに変更した以外は、実施例１と同様にして、発光装置を作製し、出力を調べた。その結果を図６のグラフに示す。図６に示されるように、上面の角部上方を通過する方向に導電性ワイヤーを配置した場合（ｃ）には、光出力は側面を横切る場合（ａ）の１．４倍程度に増加する。

なお、本発明は上記実施形態に限定されない。例えば、半導体基板としてＳｉＣ基板を用いたが、これに限らずＧａＮ基板等の他の半導体基板を用いることも可能である。半導体基板の対向する両面にそれぞれ電極を設け、両電極の間に電流を流す構成とすることができる。例えば、ｎ型ＧａＮ基板上に成長した窒化物半導体からなるＬＥＤチップを用いることができる。

また、図７に示すように、パッケージカップの底面にリード電極８ａ、８ｂを複数設け、これらの複数のリード電極８ａ、８ｂの各々とＬＥＤチップ１の上面の電極パッド５との間をそれぞれ導電性ワイヤー６ａ、６ｂにより接続する構成を採用することも可能である。この構成においても、導電性ワイヤー６ａ、６ｂの各々はＬＥＤチップ１の側面を横切ることなく、チップ側面を縦方向に画定する辺４ａ、４ｂに沿って配置される。図７では、ＬＥＤチップ上面の対角線上の二つの角部の上方を経由して導電性ワイヤー６ａ、６ｂが２本設けられている。導電性ワイヤーは、チップ側面を縦方向に画定する辺（図７では４つの辺）のうちすべての辺に沿って設けられても良いし、図７のように一部の辺に沿って設けられても良い。

その他、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

本発明の一実施形態にかかる発光装置の一例の断面図。 本発明の一実施形態にかかる発光装置の上面を表わす概略図。 導電性ワイヤーの配線方向を表わす模式図。 実施例１における導電性ワイヤーの配線角度と光出力との関係を表わすグラフ図。 本発明の他の実施形態にかかる発光装置の上面を表わす概略図。 実施例２における導電性ワイヤーの配線角度と光出力との関係を表わすグラフ図。 本発明の他の実施形態にかかる発光装置の上面を表わす概略図。

符号の説明

１…ＬＥＤチップ； ２…ＬＥＤチップ上面； ３…ＬＥＤチップ下面
４…ＬＥＤチップ側面； ４ａ，４ｂ…チップ側面を縦方向に画定する辺
５…上面電極パッド； ６，６ａ，６ｂ…導電性ワイヤー
７，８，８ａ，８ｂ…リード電極； １０…蛍光体層； １１…パッケージカップ。

Claims (5)

1. 容器、
   前記容器内に配置され、半導体基板を有する上面が多角形の発光チップ、
   前記発光チップの上面に設けられた電極パッド、
   前記容器の底面に設けられた第１のリード電極、
   前記発光チップ上面の角部の上方を経由し、前記発光チップの側面を縦方向に画定する辺に沿って設けられ、前記電極パッドと前記第１のリード電極とを接続する導電性ワイヤー、および
   前記発光チップを封止し、蛍光体が透光性部材に分散されてなる蛍光体層
   を具備することを特徴とする発光装置。
2. 前記蛍光体層は、８０μｍ以上２４０μｍ以下の厚さで前記発光チップの上から前記容器の底にわたって存在することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記半導体基板と前記容器の底面との間に第２のリード電極を備えることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
4. 前記蛍光体層における前記蛍光体は、ＹＡＧ蛍光体であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光装置。
5. 前記蛍光体層における前記蛍光体は、ケイ酸塩蛍光体であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光装置。

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