JP2011228602A - Led発光装置およびその製造方法 - Google Patents

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宙夫 清水
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Yoshio Nogami
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Abstract

【課題】放熱性に優れ、かつ生産性の高いLED発光装置を提供すること。
【解決手段】(c)金属箔、(d)絶縁性接着剤層および(e)銅箔をこの順に有するフレキシブル基板に発光ダイオード(LED)チップが実装されたLED発光装置であって、複数のLEDチップが(c)金属箔上に直接実装されており、かつLEDチップと(e)銅箔とがワイヤーボンディングにより電気的に接続されていることを特徴とするLED発光装置。
【選択図】図3

Description

本発明は、発光ダイオード(LED)を複数実装したLED発光装置およびその製造方法に関する。より詳しくは、銅箔/接着剤/金属箔構造のフレキシブル基板を用いたLED発光装置およびその製造方法に関する。
発光ダイオード(LED)を適用した発光装置は長寿命、低消費電力、水銀を使用していない点などで従来の白熱電球、蛍光灯と比較して優位であり、置き換えが進んでいる。特にLED発光装置の用途のひとつである液晶テレビや液晶ディスプレイのバックライト用途では低消費電力化、機器の薄型化、水銀不使用の点から冷陰極管からの置き換えが急激に進んでいる。
近年、LEDバックライトの輝度向上が要求され、輝度向上にともなう発熱量の増加が課題となっている。またLEDバックライトのコストダウンの要求も多い。従来型のLEDバックライトの構造の1態様を図1に示す。アルミ等熱伝導性の高い金属基板上に絶縁層を形成し、その上に回路を形成した金属ベース基板上にLEDパッケージが実装されている。
金属ベース基板は板状の部材であることから配線基板実装やLEDパッケージの実装が基板一枚ごとのバッチ生産となり、生産性に乏しい。例えば、配線基板としての金属ベース基板は次のようにして製造される。まず、絶縁樹脂を溶剤に溶解した塗料を銅箔へ塗布、乾燥する手法や、事前にシート化した絶縁樹脂を銅箔へ積層する手法などにより、樹脂付き銅箔を作製する。それを放熱板となる厚み1〜2mm程度の金属板(アルミや銅)に積層し、加熱加圧することにより、銅箔/絶縁樹脂層/放熱板の構成を有する金属ベース基板を得る。さらに、その銅箔面へのレジスト塗布、露光、現像、銅箔エッチング、レジスト剥離の工程を経て、回路が形成された金属ベース基板が得られる。金属ベース基板やセラミック基板のサイズは、数十〜500mm角程度が一般的であり、基板へLEDパッケージを複数実装し、LED発光装置が製造される。
近年では放熱性を向上させるため、金属ベース基板の金属面にLEDチップを直接実装する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)しかしながら、金属ベースが板状であるため、生産は基板1枚ごとのバッチ生産である点は変わりなく、生産性に乏しいという課題があった。
特開2009−81194号公報
本発明はかかる従来技術の課題に鑑み、生産性と放熱性に優れるLED発光装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明は主として以下の構成を有する。すなわち、(c)金属箔、(d)絶縁性接着剤層および(e)銅箔をこの順に有するフレキシブル基板にLEDチップが実装されたLED発光装置であって、複数のLEDチップが(c)金属箔上に直接実装されており、かつLEDチップと(e)銅箔とがワイヤーボンディングにより電気的に接続されていることを特徴とするLED発光装置である。
本発明のLED発光装置は、LEDチップの発熱を効率よく放熱層へ伝達することが可能であり、LED発光装置の信頼性向上につながる。また、LEDをチップで直接実装するため、パッケージ製造のコストが削減される。また、実装基板を構成する材料が柔軟であるため、生産工程においてロールtoロールの加工が可能となり、生産性向上、生産コストの低減が可能である。
従来型のLED照明装置の一態様を示す模式図である。 本発明のLED発光装置の一態様を示す斜視図および断面図である。 本発明のLED発光装置の製造方法を示す模式図である。 本発明のLED実装基板の別の一態様を示す断面図である。 本発明のLED実装基板の別の一態様を示す模式図である。 本発明のLED実装基板の別の一態様を示す断面図である。
本発明のLED発光装置には(c)金属箔、(d)絶縁性接着剤層および(e)銅箔をこの順に有するフレキシブル基板が使用される。(c)金属箔はフレキシブル基板のベース材料であると同時に、LEDで発生した熱を放熱する機能を有する。(c)金属箔をベース材料として使用することで一般的なベース材料であるポリイミドフィルムを使用したフレキシブル基板と比較して放熱性が著しく向上する。(c)金属箔の種類としては特に限定はされないが、その材料として、アルミニウム、金、銀、亜鉛、鉄、銅、ニッケル、ステンレスなどが使用される。この中でも価格面で実用的で、かつ、放熱性を重視するのであればアルミニウム箔、銅箔などが使用され、加工性の面からベース材料の剛性を重視するのであればステンレス箔などが使用される。(c)金属箔の厚みは、フレキシブル基板として取り扱いが可能な厚みであれば特に制限はないが、15〜100μmが好ましい。
(c)金属箔の表面には接着剤との接着性を向上させるための表面粗化処理、黒化処理などの表面処理を施しても良い。
(e)銅箔はフレキシブル基板の回路パターンを形成するために使用される。銅箔の製法により圧延銅箔と電解銅箔があるが、特に制限されない。(e)銅箔の厚みには特に制限はないが、パターン加工性の点から8〜80μmが好ましい。また、回路パターン形成前の(e)銅箔の表面に酸化防止のためのメッキ処理等の表面処理を施しても良い。
(d)絶縁性接着剤層は(e)銅箔と(c)金属箔を積層後に硬化可能なものであればその化学構造は限定されない。硬化方法には加熱、紫外線照射、放射線照射等の方法があるが、耐熱性、接着性、コストの点から熱硬化性の樹脂からなる接着剤が好ましい。
熱硬化性樹脂としてはエポキシ樹脂が耐熱性、接着性、絶縁性の点で特に好ましい。エポキシ樹脂は、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型骨格を含有するエポキシ樹脂、ナフタレン骨格含有エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、およびハロゲン化エポキシ樹脂等が挙げられる。この中でも、接着性、耐熱性、コストの点からビスフェノールA型エポキシ樹脂が特に好ましい。またエポキシ樹脂を単独または2種以上用いても良い。
エポキシ樹脂は、それ単体でも硬化するが、接着性、耐熱性向上のためにエポキシ基と架橋反応する硬化剤を添加しても良い。硬化剤の例としては、3,3’,5,5’−テトラメチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’,5,5’−テトラエチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジメチル−5,5’−ジエチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジクロロ−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2’,3,3’−テトラクロロ−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’−ジアミノベンゾフェノン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,4,4’−トリアミノジフェニルスルホン等の芳香族ポリアミン、三フッ化ホウ素トリエチルアミン錯体等の三フッ化ホウ素のアミン錯体、ジシアンジアミド、フェノールノボラック、クレゾールノボラックなどのノボラック樹脂、ビスフェノールAなどのビスフェノール化合物等が使用できる。この中でも耐熱性に優れることからフェノール系の硬化剤が好ましい。これらを単独または2種以上用いても良い。
エポキシ樹脂と硬化剤の混合比は、硬化剤中の活性水素の総モル数Hとエポキシ樹脂中のエポキシ基の総モル数Eの比H/Eが0.4〜1.0の範囲であることが好ましい。H/Eがこの範囲で混合されることで、接着剤の耐熱性、接着性が更に向上する。
(d)絶縁性接着剤層は、熱可塑性樹脂を含有しても良い。熱可塑性樹脂を含有することにより、靱性を付与することができ、接着性の向上、可撓性の向上、熱応力の緩和等の効果が得られる。
熱可塑性樹脂としては、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体(NBR)、アクリロニトリル−ブタジエンゴム−スチレン樹脂(ABS)、ポリブタジエン、スチレン−ブタジエン−エチレン樹脂(SEBS)、炭素数1〜8の側鎖を有するアクリル酸および/またはメタクリル酸エステル樹脂(アクリルゴム)、ポリビニルブチラール、ポリアミド、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリウレタン等が例示される。
これらの熱可塑性樹脂は、前述のエポキシ樹脂との反応が可能な官能基を有することが好ましい。具体的には、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、水酸基、メチロール基、イソシアネート基等である。これらの官能基によりエポキシ樹脂との結合が強固になり、耐熱性が向上するので好ましい。
(d)絶縁性接着剤層は熱伝導性を向上させる目的で、無機粒子を含有していることが好ましい。無機粒子の種類は特に限定されないが、熱伝導率が高く絶縁性のアルミナ、酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、窒化ホウ素、窒化珪素、炭化珪素、ダイヤモンド粉末などが挙げられる。この中でも熱伝導性とコストとのバランスに優れるアルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素などが無機粒子として特に好ましい。
また、無機粒子と接着剤組成物中のその他の有機成分とのぬれ性を向上させるためにシランカップリング剤で表面処理することが好ましい。このような表面処理を施すことで、無機粒子が接着剤組成物中でより均一に分散し、結果として半田耐熱性、接着性を向上させることができる。シランカップリング剤の具体例としては3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、2−(3、4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、p−スチリルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、N−2(アミノエチル)3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−2(アミノエチル)3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−2(アミノエチル)3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−トリエトキシシリル−N−(1、3−ジメチル−ブチリデン)プロピルアミン、3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−イソシアネートプロピルトリエトキシシランなどがあるが、この中でも特にN−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシランが無機粒子と樹脂組成物中のその他の有機成分とのぬれ性を向上させる点で好ましい。シランカップリング剤は単独で使用しても、上記のシランカップリング剤を混合して使用しても良く、処理に使用する量は、無機粒子100重量部に対して0.3〜1重量部が好ましい。
(d)絶縁性接着剤層は硬化速度の調整等のために硬化触媒を含有しても良い。例として2−メチルイミダゾール、2,4−ジメチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾールなどのイミダゾール化合物、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルメチルアミン、2−(ジメチルアミノメチル)フェノール、2,4,6−トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7などの3級アミン化合物、トリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリ−n−ブチルホスフィン、トリ−n−オクチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリベンジルホスフィン、トリ−o−トリルホスフィン、トリ−m−トリルホスフィン、トリ−p−トリルホスフィン、トリス−(p−メトキシフェニル)ホスフィン、ジフェニルシクロヘキシルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィントリフェニルボラン、トリ(ノニルフェニル)ホスフィンなどホスフィン系の化合物、ジルコニウムテトラメトキシド、ジルコニウムテトラプロポキシド、テトラキス(アセチルアセトナト)ジルコニウム、トリ(アセチルアセトナト)アルミニウムなどの有機金属化合物などが挙げられる。
(d)絶縁性接着剤層の厚みは特に制限されないが、接着性、絶縁性の点から10〜100μmが好ましい。(d)絶縁性接着剤層に無機粒子を添加する場合、絶縁性の点から無機粒子の平均粒径は接着剤層の厚みの1/2以下であることが好ましい。
本発明のLED発光装置は上記のフレキシブル基板に複数のLEDチップを直接実装する。LEDチップを直接実装することで、LEDパッケージを実装する場合と比較し、放熱性の向上、製造コストの低減、LEDの高密度実装が可能となる。
LEDチップとは、P型半導体とN型半導体が接合されたPN接合部での発光を利用した発光素子である。P型電極、N型電極を素子上面、下面に設けた構造と、素子片面にP型、N型電極の双方が設けられた構造が提案されている。さらに、後者の構造の中に、電極設置面が発光の取り出し面となる構造と、電極設置面の反対面が発光の取り出し面となる構造がある。いずれの構造のLEDチップも、本発明のLED発光装置に用いることができる。
LEDパッケージとは、LEDチップを配線基板上に実装、封止したものを指し、外部と電気的接続を行うための端子(電極)を有する。
また、LEDチップはフレキシブル基板の(c)金属箔に直接実装されていることを特徴とする。放熱機能をもつ金属箔部分にLEDチップを直接実装することにより、本発明のLED発光装置の点灯時にLEDから発生する熱が金属箔に速やかに拡散し、放熱性が大きく向上する。
LEDチップと(c)金属箔との接合に用いる接合剤としては導電性ペーストや半田などの導電性接合剤、樹脂成分からなる絶縁性接合剤のいずれも使用可能であるが、放熱性の点から導電性ペーストや半田などの導電性接合剤が好ましい。
本発明のLED発光装置のLEDチップと回路パターンと(e)銅箔はワイヤーボンディングにより電気的に接続されることが特徴である。P型、N型電極の一方を素子上面、もう一方を下面に設けた構造のLEDチップの場合、素子上面と回路パターンとをワイヤーボンディングにより電気的に接続し、素子下面と(c)金属箔とは半田接合や銀ペーストのような導電性の接合方法が採用される。一方、一般的なGaN系青色発光ダイオードのようなP型、N型電極が同一面に設けられた構造のLEDチップの場合、電極が設けられた面を上面とし、P型、N型それぞれの電極をワイヤーボンディングにより回路パターンと電気的に接続する。素子下面と(c)金属箔とは電気的に接続される必要はなく、半田接合や銀ペーストのような導電性の接合方法に加え、(d)絶縁性接着剤による接合も可能である。
本発明のLED発光装置に搭載されるLEDチップは蛍光体を含有する封止材により封止されていても良い。
ここでいう封止とはLEDチップの周囲に部材を配置し、水分、ホコリ、酸素等の外部環境からLEDチップを保護することをいう。LEDチップを封止する場合、LEDチップの発光を外部に取り出す必要があり、透明な樹脂からなる封止材の使用が好ましい。また、青色LEDチップをYAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)蛍光体などの黄色蛍光体を含有する封止材で封止することにより白色の発光が得られる。封止材の成分は特に制限されないが耐熱性、透明性の点からシリコーン系の封止材が好ましい。
本発明のLED発光装置はLEDチップの発光経路に蛍光体を含有するフィルムを有しても良い。例えば青色LEDチップから発せられた青色光がYAG蛍光体を含有するフィルムを通過することで、白色の発光が得られる。フィルムの原料は特に制限されないが耐熱性、透明性の点からシリコーン系の原料が好ましい。
本発明のLED発光装置は放熱性の向上の目的で(c)金属箔に接し、(d)絶縁性接着剤層の反対側に(b)熱伝導性接着剤層および(a)放熱板をこの順に有しても良い。(a)放熱板を積層することで放熱性が更に向上する。ここでいう熱伝導性接着剤とは接着剤に熱伝導率の高いフィラーを添加したものである。熱伝導率の高いフィラーの例としては、前述したような熱伝導率の高く絶縁性のアルミナ、酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、窒化ホウ素、窒化珪素、炭化珪素、ダイヤモンド粉末などに加え、銀、銅、アルミニウムなどの金属粉末、グラファイト、カーボンナノチューブ、黒鉛などの炭素化合物などが挙げられるが特に限定されるものではない。
ここでいう熱伝導性とは熱伝導率が0.5(Wm−1−1)以上であることを指す。熱伝導率は、例えばアルバック理工(株)社製熱定数測定装置TC−7000を用い、測定温度100℃、ルビーレーザー光を照射光とするレーザーフラッシュ法により測定される熱拡散定数、試料の比重、比熱の積から計算される。
熱伝導性接着剤は常温で液状でも固体状であってもよく、取り扱い性の点でシート状の熱伝導性接着剤が特に好ましい。
(b)熱伝導性接着剤層の厚みは特に限定されないが、接着層の厚みが薄いほど(c)金属箔から(a)放熱板への熱抵抗が低下するため好ましい。
(a)放熱板は放熱機能を有するものであれば絶縁体、導電体のいずれであってもよく、材料も特に限定されない。銅、鉄、アルミニウム、金、銀、ニッケル、チタン、ステンレスなどの金属や、アルミナ、ジルコニア、窒化アルミニウム、グラファイトなどの無機材料を用いることができ、これらの複合材料を用いても良い。また、その形状は特に制限されないが空気との表面積を大きくするために突起を設けたり、フィン状の形状を持たせたりしても良い。
本発明のLED発光装置は実装されたLEDチップの周囲であって、かつ(e)銅箔に接し、(d)絶縁性接着剤層の反対側に、リフレクタを備えることが好ましい。ここでいうリフレクタとは、LEDの発光を反射し、所定の方向へ導くための反射面を持つ部材のことである。
リフレクタの材質は特に制限されないが、白色樹脂の様な光を反射する材質で形成すればその表面でLEDチップから発せられた光は反射する。また、リフレクタの表面に光反射処理を施し、光反射性を持たせることによって反射面とすることもできる。ここでいう、光反射処理とはアルミ、銀などの金属の蒸着やメッキ処理、白色塗料の塗布などが挙げられる。
リフレクタの装着方法は特に制限されないが、例えばあらかじめ成形したリフレクタとフレキシブル基板とを接着剤、粘着剤を使用して貼り合わせる方法、溶着させる方法、フレキシブル基板上にトランスファーモールド成形により熱硬化性樹脂で直接成形する方法、射出成形により熱可塑性樹脂で直接形成する方法などが挙げられる。
リフレクタのLEDチップの周囲の形状、すなわちLEDからの発光を反射する部分の形状は反射光が効果的に所定の方向へ反射されるものであれば特に制限されないが、円形状、もしくは楕円状であると反射光が均一になるため好ましい。
本発明のLED発光装置に用いられるフレキシブル基板は(e)銅箔に接し、(d)絶縁性接着剤層の反対側に、(f)光反射層を有していても良い。その表面にLEDチップからの光を反射する処理が施されていても良い。光反射層を有することにより、LEDチップからフレキシブル基板方向に発せられた光の反射量が増加し、LED発光装置から外部へ発せられる光量が増加する。光反射層はアルミ、銀などの金属蒸着やメッキ処理、白色塗料の塗布、白色フィルムの積層などにより形成できるが特に制限されるものではない。
また、本発明のLED発光装置に用いられるフレキシブル基板は(e)銅箔に接し、(d)絶縁性接着剤層の反対側に、(f)光反射層を有し、かつ、実装されたLEDチップの周囲であって、かつ(f)光反射層に接し、(e)銅箔の反対側に、リフレクタを備えていても良い。(f)光反射層とリフレクタの相乗効果により、LEDの発光を外部に取り出す効率がさらに向上する。
以下、本発明のLED発光装置について、図面を用いて説明する。
図2は、本発明のLED発光装置の一態様を示す斜視図および断面図である。フレキシブル基板6は、(c)金属箔7、(d)絶縁性接着剤層8、回路パターン層9を有し、LEDチップ10は(c)金属箔に接合剤11を介してLED直接実装されている。LEDチップの電極はボンディングワイヤー12により回路パターンと接続される。
本構造においては、LEDチップ10の発熱が接合剤11を介して、放熱層にあたる(c)金属箔7に伝達される。放熱層との間に熱抵抗となる物質がないため放熱性に優れる。
次に本発明のLED発光装置の製造方法の例について図3を用いて説明する。本発明のLED発光装置の製造方法は、(1)(d)絶縁性接着剤層および(e)銅箔の積層体をパンチングで打ち抜き、LEDチップ実装用の孔を形成する工程、(2)パンチングされた上記積層体と(c)金属箔を積層しフレキシブル基板を作成する工程、(3)フレキシブル基板の(e)銅箔面に回路形成をする工程、(4)LEDチップを実装する工程をこの順に有する。
まず、(1)(d)絶縁性接着剤層および(e)銅箔の積層体をパンチングで打ち抜き、LEDチップ実装用の孔を形成する工程について説明する。
(1−1)(e)銅箔上に、絶縁性接着剤を溶剤に溶解した塗料を、ロールコーターなどにより塗布し、溶剤を乾燥して(d)絶縁性接着剤層を形成する。絶縁性接着剤を溶解する溶剤は特に限定されないが、トルエン、キシレン、クロルベンゼンなどの芳香族系溶剤、イソプロピルアルコール、ベンジルアルコールなどのアルコール系溶剤、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系溶剤、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドンなどの非プロトン系極性溶剤などが挙げられる。これらの溶剤を2種以上用いても良い。溶剤の乾燥条件は100〜200℃で1〜5分間程度が好ましい。(d)絶縁性接着剤の厚みを増す場合は(d)絶縁性接着剤層を複数回積層すればよい。さらに(d)絶縁性接着剤層上に離型性を有するポリエステルあるいはポリオレフィン系フィルムを保護層としてラミネートし、(d)絶縁性接着剤層と(e)銅箔の積層体(絶縁性接着剤付き銅箔)を得る。(図3(i))上記の接着剤の塗布、乾燥、保護層のラミネートはロールtoロール方式で連続的に行うことができる。なお本発明においてロールtoロール方式とは、ロール状に巻いた長尺の材料を巻き出し、連続的に加工を行った後、巻き取ってロール状の長尺製品を得る加工法をいう。
上記工程で(e)銅箔の代わりに離型性を有するポリエステルフィルム上に塗料を塗布・乾燥したのち、(e)銅箔とラミネートして絶縁性接着剤付き銅箔としてもよい。
(1−2)次に、絶縁性接着剤付き銅箔に打ち抜き加工を実施し、LEDチップ実装用の孔を形成する(図3(ii))。この打ち抜き加工を実施することで、LEDチップをフレキシブル基板の金属層に直接実装することができる。
打ち抜き加工の形状は実装されるLEDチップより大きければ特に限定されないが、円、楕円または長穴であることが好ましい。これらの形状で打ち抜くことにより、加工工程で打ち抜き部分にかかる応力が分散する。ここでいう長穴とは2個の半円を平行な線分で結んだ形状のことである。
次に、(2)パンチングされた上記絶縁性接着剤付き銅箔と(c)金属箔を積層しフレキシブル基板を作成する工程ついて説明する。
(2−1)接着剤付き銅箔の保護フィルムを剥離しながら(c)金属箔を温度100〜170℃でラミネートし、(e)銅箔/(d)絶縁性接着剤層/(c)金属箔の3層構造からなるフレキシブル基板を得る(図3(iii))。ラミネートは加温、加圧できる金属ロールまたはシリコーンゴムなどの耐熱ゴムロールを有するラミネーターを用いてロールtoロール方式で連続的に実施することができる。
(2−2)ラミネート後、エアオーブンなどを用いて接着剤層を加熱硬化させる。加熱硬化条件はステップ加熱が好ましく、50〜90℃の低温領域から、150〜180℃まで徐々に昇温することが好ましい。これにより配線パターン加工前のフレキシブル基板が得られる。
次に(3)フレキシブル基板の(e)銅箔面に回路形成をする工程について説明する。
(3−1)上記(2−2)で作製した回路形成前のフレキシブル基板の銅箔上に、ドライフィルムレジストのラミネートもしくはフォトレジスト液塗布により、フォトレジスト層を設ける。
(3−2)次に、フォトマスクを通じて紫外線露光を行い、炭酸ナトリウム水溶液などによる現像を行うことで、回路パターンのフォトレジストパターンを形成する。
(3−3)さらに、塩化第二鉄水溶液などの酸による銅箔エッチングを行い、水酸化ナトリウム水溶液などを用いたフォトレジスト剥離を経て、(e)銅箔層/(d)絶縁性接着剤層/(c)金属箔層の3層構造で回路パターンが形成され、LED実装部の(c)金属箔が露出したフレキシブル基板が得られる(図3(iv))。必要により、回路表面や金属箔露出部に、金、銀、錫などのメッキ処理を施してもよい。また、回路パターンの保護、絶縁の目的で、回路パターン表面に保護層を設けても良い。保護層はカバーレイフィルムの積層、ソルダーレジストの塗布、硬化などが挙げられるがこれに限定されるものではない。また、カバーレイフィルムのフィルム層やソルダーレジストが光を反射する処理がされているとLEDチップからフレキシブル基板方向に発せられた光の反射量が増加し、LED発光装置から外部へ発せられる光量が増加するため好ましい。
これらの回路パターン加工を形成する工程についても、ロールtoロール方式で連続的に実施することができる。
次に(4)LEDチップを実装する工程につき説明する。素子片面にP型、N型の両電極が設けられたLEDチップの場合、電極が設けられている面を上面に配置し、下面を(c)金属箔と接合する。接合に用いる接合剤としては導電性ペーストや半田などの導電性接合剤、樹脂成分からなる絶縁性接合剤のいずれも使用可能であるが、放熱性の点から導電性ペーストや半田などの導電性接合剤が好ましい。また、素子片面にP型電極、もう片面にN型電極が設けられたLEDチップの場合はチップ片面を導電性ペーストや半田等の導電性接合剤で接合する必要がある。
次にフレキシブル基板の回路パターンとLEDチップ電極とを接続する。代表的な方法として、φ20〜30μmの金線などでワイヤーボンディングする方法が挙げられるがこれに限定されるものではない。
LEDチップを基板上に実装したのち、LEDチップ、ワイヤーボンディングを保護する目的でLEDチップ周辺を封止する。封止材は熱硬化性のシリコーン樹脂や蛍光体を含有する熱硬化性のシリコーン樹脂などが挙げられるがこれに限定されるものではない。封止方法についてはポッティングもしくはトランスファー成形、スクリーン印刷等が挙げられるがこれに限定されるものではない。封止材の熱硬化条件は100℃〜150℃で1〜5時間が一般的である。
これらLEDチップの実装工程はロールtoロール方式で連続的に実施することができる。
本発明のLED発光装置の製造方法は、LED発光装置が複数のLEDチップが直列に実装された回路を有し、あらかじめ個々のLEDチップを発光させて順方向降下電圧を測定、クラス分けし、直列に実装するLEDチップの順方向降下電圧の合計値が、あらかじめ設定した規格値範囲内となるようにLEDチップを選択して用いることが好ましい。またLEDチップの選択を容易にするため個々のLEDチップに2.0〜4.0Vの範囲内の特定の電圧をかけて定電流を流して発光させ、その際の各LEDチップの順方向降下電圧(V)の値により0.01〜0.05V間隔で、好ましくは0.01〜0.02間隔でLEDチップをクラス分けし、これを選択して用いることが好ましい。また上記間隔は0.01〜0.05Vの範囲内であれば、等間隔でなくてもよい。上記のようにLEDチップをクラス分けし、これを選択して使用することでLED発光装置の製品別のばらつきが少なくなり、歩留まりが上昇する。
LEDチップは製造時のばらつきにより、チップごとに光学特性が異なる。これはチップごとに順方向降下電圧(V)がわずかに異なることに起因する。そこでLEDチップに定電流を流し発光させ、それぞれのLEDチップの順方向降下電圧(V)に基づきクラス分けを実施する。
次に複数のLEDチップをLED発光装置に実装した場合にクラス分けを実施した際のVのデータを基にLED発光装置がどのような光学特性を発現するかシミュレーションを実施する。シミュレーションは実際にLED発光装置を作成しても良いし、光学特性のデータから計算で試算しても良い。これらのシミュレーション結果を基に、クラス分けされたLEDチップを選別し、かつ配列して実装することが好ましい。一例を挙げると、LEDチップをフレキシブル基板上に実装する際に、直列に実装された回路を形成するLEDチップのVの合計値と回路設計の際に設定した電圧Vdとの差異が0.1V未満になるように、分類したLEDチップから選別して実装する事が好ましい。これによりLED発光装置の製品別のばらつきが少なくなり、歩留まりが上昇する。Vdの設定方法は特に制限されるものではないが、LEDチップのクラス分けを実施した際に測定したVの平均値と、直列に実装するLEDチップの個数の積とすることが好ましい。
本発明のLED発光装置は液晶テレビや液晶ディスプレイなどのバックライトモジュール、店舗、住居向けの屋内照明、街路灯などの屋外照明に用いられる。
バックライトモジュールは直下型とエッジライト型の2方式が提案、採用されている。直下型バックライトモジュールは液晶パネルの裏面にLEDを格子状に配列させ、これらを発光させることで面発光を行い、画面全面に向けて発光する。格子状に配列したLEDの発光状態を制御することで、パネル内の輝度をエリアごとに制御することが可能であり、高画質化が可能である。エッジライト型バックライトモジュールは、画面の4辺部にLEDを線状に配置し、アクリル板等の導光板の端部へ光を当てることで導光板内での表面反射を繰り返すことで導光板全体の均一な面発光へと変換する。厚みを有するLED発光装置を4辺部に配置することで液晶モジュールの薄型化が可能である。
本発明のLED発光装置をバックライトモジュール、屋内照明、屋外照明に用いることにより、LEDの放熱性が向上し、装置の寿命の向上につながる。また、ロールtoロールにより連続的な生産が可能となるため、生産コストの大幅に低下が可能となる。またフレキシブル基板であるため、LED発光装置を多面体や円状などの多様な形状の構造体と貼り合わせることが可能となり、照明構造の設計の自由度が大幅に向上する。
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
製造例1(フレキシブル基板1の製造)
ダイマー酸ポリアミド樹脂(“MACROMELT(登録商標)”6900:ヘンケルジャパン(株)製)100重量部、レゾール型フェノール樹脂(CKM1634:昭和高分子(株)製)50重量部、エポキシ樹脂(jER828:ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ当量190、ジャパンエポキシレジン(株)製)50重量部、ノボラック型フェノール樹脂(CKM2400:昭和高分子(株)製)20重量部、硬化触媒(2エチル−4メチルイミダゾール:東京化成工業(株)製)2重量部にエタノール/トルエン混合溶剤(重量混合比1/4)を加え、30℃で撹拌、混合して固形分濃度35重量%の接着剤溶液1を作製した。
コンマコーターにて、銅箔(“3EC−VLP”厚み18μm、三井金属鉱業(株)製)のロールを巻きだし側にセットし、上記接着剤溶液1を乾燥厚みが50μmとなるように銅箔の粗化面に連続塗布し、コーターオーブン中で100℃で1分、160℃で4分間の乾燥を施し、保護フィルム(“トレファン(登録商標)”:ポリプロピレンフィルム、厚さ12μm、東レ(株)製)をインラインで貼りあわせ、ロール状に巻き取り、接着剤つき銅箔を作成した。
次にこの接着剤銅箔にLED実装部を円形に打ち抜くパターンを有するパンチング用金型を設置したプレス機によって連続的にパンチング処理を施した。続いて接着剤つき銅箔の保護フィルムを剥がしながら、接着剤層側にアルミ箔(厚み35μm)を130℃でラミネートしたのち、ロール状に巻き取った。その後巻き取ったロールをエアオーブン中で80℃1時間、100℃2時間、150℃5時間の条件で順次加熱処理を実施し、回路パターン形成前のフレキシブルプリント基板を得た。
続いて、スプロケットホールを打ち抜くパターンを有するパンチング用金型を用いて連続的にパンチング処理を実施し、スプロケットホールを形成した。
続いて、フォトリソグラフィによる回路パターン加工を実施した。LED発光装置1単位あたりに実装されるLEDチップの総数は30個とし、10個のLEDを直列に接続する回路を3並列持つ回路パターンとし、直列回路の設計上の降下電圧Vdを35.00Vとした。上記の回路パターン形成前のフレキシブル基板の銅箔側に、フォトレジスト液を塗布してフォトレジスト層を設けた。次に、フォトマスクを通じて紫外線露光を行い、35℃の炭酸ナトリウム3重量%水溶液を用いたシャワー現像により、回路パターンのフォトレジストパターンを形成した。さらに、酸による銅箔エッチング(35℃、塩化第二鉄38重量%水溶液シャワー)を行い、フォトレジスト剥離(40℃、水酸化ナトリウム3重量%水溶液シャワー)を経て、回路形成銅箔/接着剤層/金属箔の3層構造でLED実装部分に金属箔が露出したフレキシブル基板1を得た。
次に、スクリーン印刷によりLED実装部分以外に白色ソルダーレジスト(PSR−4000:太陽インキ製造(株)製)を乾燥厚み20μmになるように塗布し、150℃で1時間加熱した。
さらに、LED実装部分の金属箔が露出した部分に銀メッキを施し、フレキシブル基板の表面に光反射層を形成した。
上記工程は工程開始部、工程終了部にそれぞれロールの巻きだし装置、巻き取り装置を設置し、ロール状のフレキシブル基板をセットすることでロールtoロールで実施した。
製造例2(フレキシブル基板2の製造)
上記接着剤溶液1の代わりに以下の方法で作成した接着剤溶液2を使用した以外は製造例1と同様の方法でフレキシブル基板を製造し、フレキシブル基板2を得た。
接着剤溶液2の製造方法
熱伝導粒子として窒化アルミニウム粉末(Hグレード:平均粒径1.7μm、熱伝導率100Wm−1−1、(株)トクヤマ製)54.4重量部、球状アルミナ粉末(AO−502:平均粒径0.7μm、熱伝導率30Wm−1−1、(株)アドマテックス製)13.6重量部を秤量し、ミキサー内で2分間混合した。次に熱伝導粒子をさらに混合しながらシランカップリング剤(3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)0.3重量部を霧吹きで噴霧し、シラン処理を行った。その後、エポキシ樹脂(jER828:ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ当量190、ジャパンエポキシレジン(株)製)10重量部、硬化剤(PSM4326:フェノールノボラック樹脂、水酸基当量105、群栄化学工業(株)製)5.5重量部、熱可塑性樹脂(SG−P3:エチルアクリレート、ブチルアクリレート、アクリロニトリルを重合モノマー成分とするエポキシ基含有アクリルゴム、重量平均分子量85万、ナガセケムテックス(株)製)16重量部、硬化触媒(2P4MZ:2−フェニル−4−メチルイミダゾール、四国化成工業(株)製)0.2重量部を添加し、固形分濃度35重量%となるようにジメチルホルムアミド/モノクロルベンゼン/メチルイソブチルケトンの等重量混合溶媒に40℃で撹拌、溶解して接着剤溶液2を作製した。
製造例3(高熱伝導接着剤つきアルミ板の作製)
上記接着剤溶液2をコンマコーターにて、ベースフィルム(SR:シリコーン離型剤付きのポリエチレンテレフタレートフィルム、厚さ38μm、大槻工業(株)製)のロールを巻き出し側にセットし、この高熱伝導接着剤溶液を50μmの乾燥厚さとなるように連続塗布し、コーターオーブン中にて120℃で5分間の乾燥を施し、保護フィルム(“フィルムバイナ(登録商標)”GT:シリコーン離型剤付きのポリエチレンテレフタレートフィルム、厚さ38μm、藤森工業(株)製)をインラインで貼り合わせ、ロール状に巻き取り、高熱伝導接着剤シートを作製した。(得られた高熱伝導接着剤シートの接着剤層を170℃で1時間加熱硬化後、熱伝導率を測定したところ、1.8Wm−1−1であった。)
この高熱伝導接着剤シートを厚さ1.0mmのアルミ板に130℃で保護フィルムを剥がしながらラミネートし、高熱伝導接着剤つきアルミ板を作製した。
実施例1(図4)
製造例1で得られたフレキシブル基板1のLEDチップ実装部に熱硬化型銀ペースト(“ドータイト(登録商標)”SA−2024:藤倉化成(株)製)を塗布した。P型、N型電極を素子上面に持つ青色LEDチップ(順方向降下電圧V=3.5V)を銀ペースト上に圧着し、120℃で1時間、150℃で1時間加熱することにより、LEDチップをフレキシブル基板の金属箔上に直接実装した。次いで、直径30μmの金線からなるボンディングワイヤーによりLEDチップ上面の各電極から回路パターン部へのボンディング接続を実施した。LEDチップ実装後に液状透明封止樹脂(NT−8032:日東電工(株)製)をLEDチップ上方より適量滴下することでLEDチップ、ワイヤーボンディングを透明封止樹脂で被覆した。その後、120℃のオーブン中を10分かけて連続的に通過させ透明封止樹脂の仮硬化を実施して巻き取った。上記工程はロールtoロールで実施し、透明封止樹脂を仮硬化させたフレキシブル基板を巻き取る際にはスペーサーを挟むことにより、透明封止樹脂に負荷がかからないようにした。
その後巻き取ったロールに125℃で90分間の加熱処理を実施し、透明封止樹脂の熱硬化を実施した。
次いで、フレキシブル基板をLED発光装置の単位で切断し、本発明のLED発光装置を得た。LEDチップが放熱性の高い金属箔に実装されているため、LED装置発光時の熱が効率的に放熱される。その結果LED発光装置の長寿命化が期待できる。また、本発明の工程はロールtoロールで実施されるため、高い生産性を持つ。
実施例2
製造例2で得られたフレキシブル基板2を使用した以外は実施例1と同様にLED発光装置を作製した。熱伝導率の高い接着剤を使用したフレキシブル基板を使用することで、LED発光装置の放熱性がさらに向上し、その結果実施例1と比較してLED発光装置のさらなる長寿命化が期待できる。
実施例3
液状透明封止樹脂(NT−8032)の代わりにYAG蛍光体“P46−Y3”(化成オプトニクス(株)製)9重量部と液状透明封止樹脂(NT−8032:日東電工(株)製)91重量部とを均一に混合した蛍光体入り液状透明封止樹脂を使用した以外は、実施例1と同様にLED発光装置を作製した。YAG蛍光体入りの封止樹脂で青色LEDチップを覆うことにより、LED発光装置より取り出される発光は白色光となる。
実施例4
液状透明封止樹脂(NT−8032)の代わりにYAG蛍光体“P46−Y3”(化成オプトニクス(株)製)9重量部と液状透明封止樹脂(NT−8032:日東電工(株)製)91重量部とを均一に混合した蛍光体入り液状透明封止樹脂を使用した以外は、実施例2と同様にLED発光装置を作製した。YAG蛍光体入りの封止樹脂で青色LEDチップを覆うことにより、LED発光装置より取り出される発光は白色光となり、さらに、熱伝導率の高い接着剤を使用したフレキシブル基板を使用することで、LED発光装置の放熱性がさらに向上し、その結果実施例1と比較してLED発光装置のさらなる長寿命化が期待できる。
実施例5(図5)
製造例1で得られたフレキシブル基板1のLEDチップ実装部の周囲にスクリーン印刷で粘着材を20μmの厚みで塗布し、その粘着材を塗布した部分に“シベラス”(東レ(株)製)で形成されたリフレクタを貼り付けた。リフレクタの反射面にはアルミ蒸着を施した。次に、フレキシブル基板1のLEDチップ実装部に熱硬化型銀ペースト(“ドータイト(登録商標)”SA−2024:藤倉化成(株)製)を塗布した。P型、N型電極を素子上面に持つ青色LEDチップ(順方向降下電圧V=3.5V)を銀ペースト上に圧着し、120℃で1時間、150℃で1時間加熱することにより、LEDチップをフレキシブル基板の金属箔上に直接実装した。次いで、Φ30μmの金線からなるボンディングワイヤーによりLEDチップ上面の各電極から回路パターン部へのボンディング接続を実施した。そののちにLEDチップを液状透明封止樹脂(NT−8032:日東電工(株)製)をフレキシブル基板上のリフレクタに挟まれた部分に滴下することでLEDチップ、ワイヤーボンディングを透明封止樹脂で被覆した。その後、120℃のオーブン中を10分かけて連続的に通過させ透明封止樹脂の仮硬化を実施した。
次いで、フレキシブル基板をLED発光装置の単位で切断し、125℃で90分間の加熱処理を実施し、透明封止樹脂の熱硬化を実施して本発明のLED発光装置を得た。LEDチップ周囲にリフレクタを配置することで実施例1と比較して光の取り出し効率が向上する。
実施例6
製造例2で得られたフレキシブル基板2を用いた以外は実施例5と同様にLED発光装置を作製した。LEDチップ周囲にリフレクタを配置することで光の取り出し効率が向上し、さらに、熱伝導率の高い接着剤を使用したフレキシブル基板を使用することで、LED発光装置の放熱性がさらに向上し、その結果実施例1と比較してLED発光装置のさらなる長寿命化が期待できる。
実施例7
液状透明封止樹脂(NT−8032)の代わりにYAG蛍光体“P46−Y3”(化成オプトニクス(株)製)9重量部と液状透明封止樹脂(NT−8032:日東電工(株)製)91重量部とを均一に混合した蛍光体入り液状透明封止樹脂を使用した以外は、実施例5と同様にLED発光装置を作製した。LEDチップ周囲にリフレクタを配置することで実施例1と比較して光の取り出し効率が向上し、さらに、YAG蛍光体入りの封止樹脂で青色LEDチップを覆うことにより、LED発光装置より取り出される発光は白色光となる。
実施例8
液状透明封止樹脂(NT−8032)の代わりにYAG蛍光体“P46−Y3”(化成オプトニクス(株)製)9重量部と液状透明封止樹脂(NT−8032:日東電工(株)製)91重量部とを均一に混合した蛍光体入り液状透明封止樹脂を使用した以外は、実施例6と同様にLED発光装置を作製した。LEDチップ周囲にリフレクタを配置することで実施例1と比較して光の取り出し効率が向上し、さらに、YAG蛍光体入りの封止樹脂で青色LEDチップを覆うことにより、LED発光装置より取り出される発光は白色光となる。さらに、熱伝導率の高い接着剤を使用したフレキシブル基板を使用することで、LED発光装置の放熱性がさらに向上し、その結果実施例1と比較してLED発光装置のさらなる長寿命化が期待できる。
実施例9(図6)
実施例3で得られたLED発光装置の金属箔面と製造例3で得られた高熱伝導性アルミ板の接着剤面とを130℃でラミネートした。ラミネートしたのち、100℃6時間の条件で高熱伝導性接着剤を硬化させ、アルミの放熱板つきのLED発光装置を得た。YAG蛍光体入りの封止樹脂で青色LEDチップを覆うことにより、LED発光装置より取り出される発光は白色光となる。また、高熱伝導性接着剤を介してアルミ放熱板が配置されているため、効率的に放熱が行われ、その結果実施例1と比較してLED発光装置のさらなる長寿命化が期待できる。
実施例10
実施例4で得られたLED発光装置の金属箔面と製造例3で得られた高熱伝導性接着剤つきアルミ板の接着剤面とを130℃でラミネートした。ラミネートしたのち、100℃6時間の条件で高熱伝導性接着剤を硬化させ、アルミの放熱板つきのLED発光装置を得た。YAG蛍光体入りの封止樹脂で青色LEDチップを覆うことにより、LED発光装置より取り出される発光は白色光となる。また、熱伝導率の高い接着剤を使用したフレキシブル基板を使用し、さらに高熱伝導性接着剤を介してアルミ放熱板が配置されているため、効率的に放熱が行われ、その結果実施例9と比較してLED発光装置の更なる長寿命化が期待できる。
実施例11
LEDチップのクラス分け
あ順方向降下電圧(V)の平均値が3.50VのP型、N型電極を素子上面に持つ青色LEDチップに定電流を流した際のVをチップ毎に測定し、3.00V〜3.01V、3.02V〜3.03Vの様にLEDチップのVを0.02Vごとにクラス分けした。
製造例1で得られたフレキシブル基板1のLEDチップ実装部の周囲にスクリーン印刷で粘着材を20μmの厚みで塗布し、その粘着材を塗布した部分に“シベラス”(東レ(株)製)で形成されたリフレクタを貼り付けた。リフレクタの反射面にはアルミ蒸着を施した。次に、フレキシブル基板1のLEDチップ実装部に熱硬化型銀ペースト(“ドータイト(登録商標)”SA−2024:藤倉化成(株)製)を塗布した。上記LEDチップのクラス分け工程でクラス分けした青色LEDチップを銀ペースト状に圧着し、120℃で1時間、150℃で1時間加熱することにより、LEDチップをフレキシブル基板の金属箔上に直接実装した。このとき、クラス分けされたLEDチップを直列回路部分それぞれでのVの合計値を35.00VとなるようLEDチップを選択して実装した。次いで、直径30μmの金線からなるボンディングワイヤーによりLEDチップ上面の各電極から回路パターン部へのボンディング接続を実施した。LEDチップ実装後にYAG蛍光体“P46−Y3”(化成オプトニクス(株)製)9重量部と液状透明封止樹脂(NT−8032:日東電工(株)製)91重量部とを均一に混合した蛍光体入り液状透明封止樹脂をフレキシブル基板上のリフレクタに挟まれた部分に滴下することでLEDチップ、ワイヤーボンディングを透明封止樹脂で被覆した。その後、120℃のオーブン中を10分かけて連続的に通過させ透明封止樹脂の仮硬化を実施して巻き取った。上記工程はロールtoロールで実施し、透明封止樹脂を仮硬化させたフレキシブル基板を巻き取る際にはスペーサーを挟むことにより、透明封止樹脂に負荷がかからないようにした。
その後巻き取ったロールに125℃で90分間の加熱処理を実施し、透明封止樹脂の熱硬化を実施した。
次いで、フレキシブル基板1と製造例3で得られた高熱伝導性接着剤つきアルミ板の接着剤面とを130℃でラミネートした。ラミネートしたのち、100℃6時間の条件で高熱伝導性接着剤を硬化させ、LED発光装置の単位で切断し、アルミの放熱板つきのLED発光装置を得た。LEDチップの周囲にリフレクタを配置し、さらにYAG蛍光体入りの封止樹脂で青色LEDチップを覆っているため、白色光が効率よくLEDより取り出せる。また、高熱伝導性接着剤を介してアルミ放熱板が配置されているため、効率的に放熱が行われ、その結果実施例1と比較してLED発光装置の更なる長寿命化が期待できる。また、LED発光装置内のそれぞれの直列回路部分の降下電圧が等しいため、実施例1と比較してモジュール内での発光ムラが少ない。また、モジュール間の明るさのムラも少なく、実施例1と比較して均一な品質のLED発光モジュールの大量生産が可能となる。
実施例12
製造例2で得られたフレキシブル基板2を使用した以外は実施例11と同様にLED発光装置を作製した。LEDチップの周囲にリフレクタを配置し、さらにYAG蛍光体入りの封止樹脂で青色LEDチップを覆っているため、白色光が効率よくLEDより取り出せる。また、熱伝導率の高い接着剤を使用したフレキシブル基板を使用し、さらに高熱伝導性接着剤を介してアルミ放熱板が配置されているため、LED発光装置の放熱性がさらに向上し、その結果実施例1と比較してLED発光装置のさらなる長寿命化が期待できる。さらに、LED発光装置内のそれぞれの直列回路部分の降下電圧が等しいため、実施例1と比較してモジュール内での発光ムラが少ない。また、モジュール間の明るさのムラも少なく、実施例1と比較して均一な品質のLED発光モジュールの大量生産が可能となる。
これら実施例に示した通り、本発明のLED発光装置はロールtoロール方式で連続的に生産することが可能であるため生産性が高く、また、LED素子が放熱製の高い金属箔に実装されているため優れた放熱性が得られる。
本発明のLED発光装置は放熱性に優れるため、高輝度のLED素子を実装することが可能である。このため、本発明のLED発光装置は高輝度が要求される照明用途や、液晶ディスプレイ、液晶テレビのバックライト用途として好適である。
1 LEDパッケージ
2 金属ベース基板
3 銅箔(回路パターン)
4 絶縁層
5 金属板
6 フレキシブル基板
7 (c)金属箔
8 (d)絶縁性接着剤層
9 (e)銅箔(回路パターン)
10 LEDチップ
11 接合剤
12 ボンディングワイヤー
13 (e)銅箔
14 (d)絶縁性接着剤層
15 保護層
16 パンチング孔
17 (c)金属箔
18 LED実装部
19 (e)銅箔(回路パターン)
20 白色ソルダーレジスト
21 銀メッキ
22 透明封止樹脂
23 リフレクタ
24 高熱伝導性接着剤つきアルミ板
25 (b)高熱伝導性接着剤
26 (a)放熱板(アルミ板)

Claims (11)

  1. (c)金属箔、(d)絶縁性接着剤層および(e)銅箔をこの順に有するフレキシブル基板に発光ダイオード(LED)チップが実装されたLED発光装置であって、複数のLEDチップが(c)金属箔上に直接実装されており、かつLEDチップと(e)銅箔とがワイヤーボンディングにより電気的に接続されていることを特徴とするLED発光装置。
  2. 前記LEDチップが蛍光体を含有する封止材により封止されていることを特徴とする請求項1に記載のLED発光装置。
  3. 前記LEDチップの発光経路に蛍光体を含有するフィルムを有することを特徴とする請求項1または2に記載のLED発光装置。
  4. 更に(c)金属箔に接し、(d)絶縁性接着剤層の反対側に(b)熱伝導性接着剤層および(a)放熱板をこの順に有することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のLED発光装置。
  5. 実装されたLEDチップの周囲であって、かつ(e)銅箔に接し、(d)絶縁性接着剤層の反対側に、リフレクタを備えることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のLED発光装置。
  6. さらに(e)銅箔に接し、(d)絶縁性接着剤層の反対側に、(f)光反射層を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のLED発光装置。
  7. 実装された前記LEDチップの周囲であって、かつ(f)光反射層に接し、(e)銅箔の反対側に、リフレクタを備えることを特徴とする請求項6に記載のLED発光装置。
  8. (1)(d)絶縁性接着剤層および(e)銅箔の積層体をパンチングで打ち抜き、LEDチップ実装用の孔を形成する工程、(2)パンチングされた上記積層体と(c)金属箔を積層しフレキシブル基板を作成する工程、(3)フレキシブル基板の(e)銅箔面に回路形成をする工程、(4)LEDチップを実装する工程をこの順に有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のLED発光装置の製造方法。
  9. (1)(d)絶縁性接着剤層および(e)銅箔の積層体をパンチングで打ち抜き、LEDチップ実装用の孔を形成する工程において、打ち抜き形状が円形、楕円または長穴であることを特徴とする請求項8に記載のLED発光装置の製造方法。
  10. 上記(1)〜(4)のいずれかの工程においてロールtoロール方式でフレキシブル基板を運搬することを特徴とする請求項8または9に記載のLED発光装置の製造方法。
  11. 前記LED発光装置が複数のLEDチップが直列に実装された回路を1個または複数個有し、あらかじめ個々のLEDチップを発光させて順方向降下電圧を測定、クラス分けし、直列に実装するLEDチップの順方向降下電圧の合計値が、あらかじめ設定した規格値範囲内となるようにLEDチップを選択して用いることを特徴とする請求項8〜10のいずれか記載のLED発光装置の製造方法。
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Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012169289A1 (ja) * 2011-06-07 2012-12-13 東レ株式会社 樹脂シート積層体、その製造方法およびそれを用いた蛍光体含有樹脂シート付きledチップの製造方法
KR101257789B1 (ko) 2011-11-18 2013-04-24 배영수 고 열전도성 인쇄 회로 기판, 그 고 열전도성 인쇄 회로 기판을 사용하는 방열 모듈 및 그 방열 모듈을 사용하는 led 모듈
KR101306059B1 (ko) * 2013-03-06 2013-09-24 주식회사 이티엘 절연소재의 방열베이스와 다연배 플렉시블 인쇄회로 필름 부착방식의 led조명부 제조방법 및 led 조명등
KR101306064B1 (ko) * 2013-03-06 2013-09-24 주식회사 이티엘 인쇄회로 필름 부착방식의 bl 제조방법 및 이를 이용한 blu 장치
KR101338972B1 (ko) * 2013-06-07 2013-12-10 주식회사 이티엘 하이브리드 방열베이스 및 인서트 사출을 이용한 인쇄회로 필름 부착 방식의 led 조명 제조 방법 및 이를 이용한 led 조명 장치
KR101338971B1 (ko) * 2013-06-10 2013-12-10 주식회사 이티엘 하이브리드 방열베이스 및 인서트 사출을 이용한 dpm 방식의 led 조명 제조 방법 및 이를 이용한 led 조명 장치
KR20140042686A (ko) 2012-09-28 2014-04-07 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 보호 부재가 달린 발광 장치
DE202013010961U1 (de) 2012-12-08 2014-04-10 Nichia Corp. Bauelementmontagesubstratrolle
CN103762210A (zh) * 2011-12-31 2014-04-30 苏州晶品光电科技有限公司 无电路基板led阵列光源
KR101391371B1 (ko) * 2013-08-05 2014-05-02 주식회사 이티엘 인쇄회로 부착방식의 blu 제조방법 및 이를 이용한 blu
JP5503760B1 (ja) * 2013-02-06 2014-05-28 三菱化工機株式会社 光源装置およびこれを備える照明装置、光源装置の製造方法
KR101430914B1 (ko) * 2013-01-30 2014-08-18 주식회사 이티엘 다연배 베이스 방열판 및 다연배 플렉시블 인쇄회로 필름 부착방식의 led 조명 모듈 제조 방법
JP2014175393A (ja) * 2013-03-07 2014-09-22 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2015065256A (ja) * 2013-09-25 2015-04-09 日亜化学工業株式会社 部品実装基板の管理方法
KR20150059903A (ko) * 2013-11-25 2015-06-03 주식회사 토바 롤투롤을 활용한 플렉시블 모듈 제작 시스템 및 방법
JP2015201427A (ja) * 2014-04-04 2015-11-12 Hoya Candeo Optronics株式会社 光照射装置
JP2016009689A (ja) * 2014-06-20 2016-01-18 大日本印刷株式会社 実装基板の製造方法および実装基板
JP2016009690A (ja) * 2014-06-20 2016-01-18 大日本印刷株式会社 実装基板および実装基板の製造方法
WO2016063473A1 (ja) * 2014-10-20 2016-04-28 日清紡ホールディングス株式会社 Ledアレイ及びその製造方法
KR20160055441A (ko) * 2014-11-10 2016-05-18 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US9388951B2 (en) 2013-02-21 2016-07-12 Nichia Corporation Stacked assembly of light emitting devices
JP2016171199A (ja) * 2015-03-12 2016-09-23 イビデン株式会社 発光素子搭載基板
JP2017028190A (ja) * 2015-07-27 2017-02-02 大日本印刷株式会社 Led素子用のフレキシブル基板
JP2017069546A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 大日本印刷株式会社 発光素子用基板及びモジュール
US9714757B2 (en) 2012-12-28 2017-07-25 Nichia Corporation Light emitting device
JP2017130663A (ja) * 2016-01-20 2017-07-27 大日本印刷株式会社 Ledバックライト
JP2017152450A (ja) * 2016-02-22 2017-08-31 大日本印刷株式会社 Led表示装置
JP2017215576A (ja) * 2016-04-08 2017-12-07 台湾東電化股▲ふん▼有限公司 カメラモジュール
JP2019110338A (ja) * 2013-05-15 2019-07-04 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 光学エレメントとリフレクタを用いた発光デバイス
CN111512437A (zh) * 2017-11-14 2020-08-07 巴科股份有限公司 用于板载芯片发光二极管的系统和方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007035938A (ja) * 2005-07-27 2007-02-08 Noritsu Koki Co Ltd Led駆動装置及びled駆動装置の制御方法
JP2007141729A (ja) * 2005-11-21 2007-06-07 Minebea Co Ltd 面状照明装置
JP2008135387A (ja) * 2006-11-27 2008-06-12 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd バックライティングに使用するための薄型で高効率の照明装置
JP2009134965A (ja) * 2007-11-29 2009-06-18 Stanley Electric Co Ltd 照明装置及び照明装置の製造方法
JP2010010298A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd フレキシブルプリント配線基材及び半導体装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007035938A (ja) * 2005-07-27 2007-02-08 Noritsu Koki Co Ltd Led駆動装置及びled駆動装置の制御方法
JP2007141729A (ja) * 2005-11-21 2007-06-07 Minebea Co Ltd 面状照明装置
JP2008135387A (ja) * 2006-11-27 2008-06-12 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd バックライティングに使用するための薄型で高効率の照明装置
JP2009134965A (ja) * 2007-11-29 2009-06-18 Stanley Electric Co Ltd 照明装置及び照明装置の製造方法
JP2010010298A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd フレキシブルプリント配線基材及び半導体装置

Cited By (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5110229B1 (ja) * 2011-06-07 2012-12-26 東レ株式会社 樹脂シート積層体、その製造方法およびそれを用いた蛍光体含有樹脂シート付きledチップの製造方法
WO2012169289A1 (ja) * 2011-06-07 2012-12-13 東レ株式会社 樹脂シート積層体、その製造方法およびそれを用いた蛍光体含有樹脂シート付きledチップの製造方法
KR101257789B1 (ko) 2011-11-18 2013-04-24 배영수 고 열전도성 인쇄 회로 기판, 그 고 열전도성 인쇄 회로 기판을 사용하는 방열 모듈 및 그 방열 모듈을 사용하는 led 모듈
CN103762210A (zh) * 2011-12-31 2014-04-30 苏州晶品光电科技有限公司 无电路基板led阵列光源
JP2014072353A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Nichia Chem Ind Ltd 保護部材付き発光装置
US9385283B2 (en) 2012-09-28 2016-07-05 Nichia Corporation Light emitting device equipped with protective member
TWI641164B (zh) * 2012-09-28 2018-11-11 日亞化學工業股份有限公司 附保護構件之發光裝置
KR102088278B1 (ko) 2012-09-28 2020-03-13 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 보호 부재가 달린 발광 장치
KR20140042686A (ko) 2012-09-28 2014-04-07 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 보호 부재가 달린 발광 장치
CN103715313A (zh) * 2012-09-28 2014-04-09 日亚化学工业株式会社 带保护部件的发光装置
JP2014116437A (ja) * 2012-12-08 2014-06-26 Nichia Chem Ind Ltd 部品実装基板の管理方法
DE202013010961U1 (de) 2012-12-08 2014-04-10 Nichia Corp. Bauelementmontagesubstratrolle
US9398734B2 (en) 2012-12-08 2016-07-19 Nichia Corporation Component mounting substrate and method of managing component mounting substrate
US9714757B2 (en) 2012-12-28 2017-07-25 Nichia Corporation Light emitting device
KR101430914B1 (ko) * 2013-01-30 2014-08-18 주식회사 이티엘 다연배 베이스 방열판 및 다연배 플렉시블 인쇄회로 필름 부착방식의 led 조명 모듈 제조 방법
JP5503760B1 (ja) * 2013-02-06 2014-05-28 三菱化工機株式会社 光源装置およびこれを備える照明装置、光源装置の製造方法
US9388951B2 (en) 2013-02-21 2016-07-12 Nichia Corporation Stacked assembly of light emitting devices
KR101306059B1 (ko) * 2013-03-06 2013-09-24 주식회사 이티엘 절연소재의 방열베이스와 다연배 플렉시블 인쇄회로 필름 부착방식의 led조명부 제조방법 및 led 조명등
KR101306064B1 (ko) * 2013-03-06 2013-09-24 주식회사 이티엘 인쇄회로 필름 부착방식의 bl 제조방법 및 이를 이용한 blu 장치
US9119331B2 (en) 2013-03-07 2015-08-25 Nichia Corporation Light emitting device including sealing members and resin member extending substantially parallel to sealing members
JP2014175393A (ja) * 2013-03-07 2014-09-22 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP7059222B2 (ja) 2013-05-15 2022-04-25 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 光学エレメントとリフレクタを用いた発光デバイス
JP2019110338A (ja) * 2013-05-15 2019-07-04 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 光学エレメントとリフレクタを用いた発光デバイス
KR101338972B1 (ko) * 2013-06-07 2013-12-10 주식회사 이티엘 하이브리드 방열베이스 및 인서트 사출을 이용한 인쇄회로 필름 부착 방식의 led 조명 제조 방법 및 이를 이용한 led 조명 장치
WO2014196711A1 (ko) * 2013-06-07 2014-12-11 주식회사 이티엘 하이브리드 방열베이스 및 인서트 사출을 이용한 인쇄회로 필름 부착 방식의 엘이디 조명 제조 방법 및 이를 이용한 엘이디 조명 장치
KR101338971B1 (ko) * 2013-06-10 2013-12-10 주식회사 이티엘 하이브리드 방열베이스 및 인서트 사출을 이용한 dpm 방식의 led 조명 제조 방법 및 이를 이용한 led 조명 장치
WO2014200169A1 (ko) * 2013-06-10 2014-12-18 주식회사 이티엘 하이브리드 방열베이스 및 인서트 사출을 이용한 디피엠 방식의 엘이디 조명 제조 방법 및 이를 이용한 엘이디 조명 장치
KR101391371B1 (ko) * 2013-08-05 2014-05-02 주식회사 이티엘 인쇄회로 부착방식의 blu 제조방법 및 이를 이용한 blu
JP2015065256A (ja) * 2013-09-25 2015-04-09 日亜化学工業株式会社 部品実装基板の管理方法
KR20150059903A (ko) * 2013-11-25 2015-06-03 주식회사 토바 롤투롤을 활용한 플렉시블 모듈 제작 시스템 및 방법
KR101597612B1 (ko) * 2013-11-25 2016-02-25 주식회사 토바 롤투롤을 활용한 플렉시블 모듈 제작 시스템 및 방법
JP2015201427A (ja) * 2014-04-04 2015-11-12 Hoya Candeo Optronics株式会社 光照射装置
JP2016009690A (ja) * 2014-06-20 2016-01-18 大日本印刷株式会社 実装基板および実装基板の製造方法
JP2016009689A (ja) * 2014-06-20 2016-01-18 大日本印刷株式会社 実装基板の製造方法および実装基板
WO2016063473A1 (ja) * 2014-10-20 2016-04-28 日清紡ホールディングス株式会社 Ledアレイ及びその製造方法
KR20160055441A (ko) * 2014-11-10 2016-05-18 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR102231647B1 (ko) 2014-11-10 2021-03-24 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
JP2016171199A (ja) * 2015-03-12 2016-09-23 イビデン株式会社 発光素子搭載基板
JP2017028190A (ja) * 2015-07-27 2017-02-02 大日本印刷株式会社 Led素子用のフレキシブル基板
JP2017069546A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 大日本印刷株式会社 発光素子用基板及びモジュール
JP2017130663A (ja) * 2016-01-20 2017-07-27 大日本印刷株式会社 Ledバックライト
JP2017152450A (ja) * 2016-02-22 2017-08-31 大日本印刷株式会社 Led表示装置
JP2017215576A (ja) * 2016-04-08 2017-12-07 台湾東電化股▲ふん▼有限公司 カメラモジュール
CN111512437A (zh) * 2017-11-14 2020-08-07 巴科股份有限公司 用于板载芯片发光二极管的系统和方法

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