JPWO2011122232A1 - 金属支持フレキシブル基板ならびにそれを用いたテープオートメーテッドボンディング用金属支持キャリアテープ、led実装用金属支持フレキシブル回路基板および回路形成用銅箔積層済み金属支持フレキシブル回路基板 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 86
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 56
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims description 29
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 25
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 title claims description 21
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 84
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000539 dimer Substances 0.000 claims abstract description 37
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 claims abstract description 31
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 37
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 37
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 29
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 25
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 claims description 11
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 claims description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 21
- 238000004080 punching Methods 0.000 abstract description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 55
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 description 36
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 32
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 25
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 19
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 17
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 15
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 229920003987 resole Polymers 0.000 description 14
- LZDOYVMSNJBLIM-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butylphenol;formaldehyde Chemical compound O=C.CC(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 LZDOYVMSNJBLIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 13
- 238000013461 design Methods 0.000 description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 229920002614 Polyether block amide Polymers 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 9
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 9
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- -1 pt-butylphenol Chemical compound 0.000 description 8
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 7
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 6
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N Benzyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 3
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 3
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 3
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N antimony pentoxide Chemical compound O=[Sb](=O)O[Sb](=O)=O LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012787 coverlay film Substances 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BDJRBEYXGGNYIS-UHFFFAOYSA-N nonanedioic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCC(O)=O BDJRBEYXGGNYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 2
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N sebacic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCCC(O)=O CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- FBOUIAKEJMZPQG-AWNIVKPZSA-N (1E)-1-(2,4-dichlorophenyl)-4,4-dimethyl-2-(1,2,4-triazol-1-yl)pent-1-en-3-ol Chemical compound C1=NC=NN1/C(C(O)C(C)(C)C)=C/C1=CC=C(Cl)C=C1Cl FBOUIAKEJMZPQG-AWNIVKPZSA-N 0.000 description 1
- IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethylbenzene Natural products CC1=CC=CC(C)=C1 IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYCGBAJADAGLLK-UHFFFAOYSA-N 1-(cyclohepten-1-yl)cycloheptene Chemical compound C1CCCCC=C1C1=CCCCCC1 QYCGBAJADAGLLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKZQKPRCPNGNFR-UHFFFAOYSA-N 2-(3-hydroxyphenyl)phenol Chemical compound OC1=CC=CC(C=2C(=CC=CC=2)O)=C1 XKZQKPRCPNGNFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- WADSJYLPJPTMLN-UHFFFAOYSA-N 3-(cycloundecen-1-yl)-1,2-diazacycloundec-2-ene Chemical compound C1CCCCCCCCC=C1C1=NNCCCCCCCC1 WADSJYLPJPTMLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJEZBVHHZQAEDB-UHFFFAOYSA-N 6-oxabicyclo[3.1.0]hexane Chemical compound C1CCC2OC21 GJEZBVHHZQAEDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N Nonylphenol Natural products CCCCCCCCCC1=CC=C(O)C=C1 IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 235000019445 benzyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- YXVFYQXJAXKLAK-UHFFFAOYSA-N biphenyl-4-ol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1=CC=CC=C1 YXVFYQXJAXKLAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- ZWAJLVLEBYIOTI-UHFFFAOYSA-N cyclohexene oxide Chemical compound C1CCCC2OC21 ZWAJLVLEBYIOTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWFSEYBSWVRWGL-UHFFFAOYSA-N cyclohexene oxide Natural products O=C1CCCC=C1 FWFSEYBSWVRWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001142 dicarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical class C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N edrophonium chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](C)(C)C1=CC=CC(O)=C1 BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005394 methallyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-diol Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(O)=CC=C21 NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N nonylphenol Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 1
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- KCNSDMPZCKLTQP-UHFFFAOYSA-N tetraphenylen-1-ol Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C2=C1C=CC=C2O KCNSDMPZCKLTQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
Description
は、(2)支持体に(3)支持体被覆層が配されたものに(1)接着剤層をラミネートすることになるが、その場合も(2)支持体へ(1)接着剤層を直接ラミネートする場合と同様の条件でラミネートすることが好ましい。
各実施例および比較例において得られた金属支持フレキシブル回路基板(導体幅50μm、導体間距離50μm)に130℃、85%RH環境下で100V電圧を印加し、抵抗値が106Ω以下まで低下するまでの時間を絶縁耐久時間とした。絶縁耐久時間は250時間以上であることが好ましい。
各実施例および比較例において得られた回路形成用銅箔付き金属支持フレキシブル基板の回路形成用銅箔を、塩化第二鉄を用いたサブトラクティブ法(エッチング)にて取り除いた後、35mm×190mmに裁断しカール量評価用金属支持フレキシブル基板とした。カール量評価用金属支持フレキシブル基板を23℃/55%RHにて24時間調湿を行った後、カールした基板の端部を上向きにガラスプレート上に静置した状態で、硬化済みカバーレイフィルム被着回路基板のガラスプレートからの最高高さ位置を計測しカール量とした。カール量は7mm以下であれば良好、3mm以下であれば極めて良好と判断できる。
上記(2)カール量評価用金属支持フレキシブル基板の(1)接着剤層を、金属顕微鏡にて観察し発泡評価を行った。直径5μm以上のものを発泡とし、全く発泡の無かったものを○、直径5μm以上50μm未満の発泡が1〜10個以内で確認されたものを△、直径50μm以上の発泡が確認されたか、直径5μm以上50μm未満の発泡が11個以上確認されたものを×とした。△以上であれば良好判断出来、○であれば極めて良好と判断できる。
各実施例および比較例において得られた金属支持フレキシブル回路基板(導体幅50μm、導体間距離50μm)にACFボンダー(TCW−125、日本アビオニクス株式会社製)で、200℃、1秒間、ツール圧力は配線一本当たり50g/2500μm2となるように熱圧を与え、ワイヤーボンディング等の耐圧接性評価を行った。耐圧接用サンプルのツール圧接面の回路パターン銅の沈み込み量を計測し、3.0μm以内であれば合格、2.0μm以内であれば良好、1.0μm以内であれば極めて良好であると判断できる。
各実施例および比較例において得られた金属支持フレキシブル基板を、プレス金型にて0.250mmφ、0.350mmφ、0.500mmφの丸穴を開け、その切断面を観察し、打ち抜き性評価とした。穴の断面に、長さ10μm以上の(1)接着剤層ダレやバリ、もしくは長さ10μm以上の(1)接着剤層割れや欠け、穴の周囲に(2)支持体との剥がれが無ければ、フライングリード形成やデバイス設計性の為にデバイスホールやビアホールを良好に形成する事が極めて良好、長さ20μm以上の(1)接着剤層ダレやバリ、もしくは長さ20μm以上の(1)接着剤層割れや欠け、穴の周囲に(2)支持体との剥がれが無ければ良好、穴の断面に、長さ20μm以上の(1)接着剤層ダレやバリ、もしくは長さ20μm以上の(1)接着剤層割れや欠け、穴の周囲に(2)支持体との剥がれ、が生じた場合には不良と判断できる。
各実施例および比較例において得られた金属支持フレキシブル基板、スプロケットホール付き金属支持フレキシブル基板を、1、塩化第二鉄溶液(40℃、37%)、2、水酸化ナトリウム液(30℃、1N)、3、無電解錫めっき液(70℃、“Timposit”LT−34、ロームアンドハース社製)にそれぞれ浸漬した後の外観を観察する事で薬液耐性評価とした。判断基準は以下のとおりである。
Aランク:1の薬液に5分間、次に2の薬液に5分間、さらに3の薬液に5分間順次浸漬した際に、下記(i)および(ii)の要件をいずれも満たす場合。
Bランク:上記Aランクの要件は満たさないが、1の薬液に3分間、次に2の薬液に3分間、さらに3の薬液に3分間順次浸漬した際に、下記(i)および(ii)の要件をいずれも満たす場合。
Cランク:1の薬液に3分間、次に2の薬液に3分間、さらに3の薬液に3分間順次浸漬した際に、下記(i)の要件は満たすが、下記(ii)の要件は満たさない場合。
Fランク:1の薬液に3分間、次に2の薬液に3分間、さらに3の薬液に3分間順次浸漬した際に、下記(i)および(ii)の要件をいずれも満たさない場合。
(i)(1)接着剤層の表面外観に薬液による著しい損傷が見られない。
(ii)(3)支持体被覆層を(2)支持体の(1)接着剤層の反対側に形成していない場合は、(2)支持体の(1)接着剤層と反対側の面の表面外観に薬液による著しい損傷が見られない。また(3)支持体被覆層を(2)支持体の(1)接着剤層の反対側に形成している場合は、(2)支持体の(1)接着剤層の反対側に形成した(3)支持体被覆層の(2)支持体と反対側の面の表面外観に薬液による著しい損傷が見られない。
Aランク:1の薬液に5分間、次に2の薬液に5分間、さらに3の薬液に5分間順次浸漬した際に、下記(i)〜(iii)の要件を全て満たす場合。
A’ランク:上記Aランクの要件は満たさないが、1の薬液に3分間、次に2の薬液に3分間、さらに3の薬液に3分間順次浸漬した際に、下記(i)〜(iii)の要件を全て満たす場合。
Bランク:1の薬液に3分間、次に2の薬液に3分間、さらに3の薬液に3分間順次浸漬した際に、下記(i)〜(iii)の要件のいずれか2つを満たす場合。
Cランク:1の薬液に3分間、次に2の薬液に3分間、さらに3の薬液に3分間順次浸漬した際に、下記(i)〜(iii)の要件のいずれか1つだけを満たす場合。
Fランク:1の薬液に3分間、次に2の薬液に3分間、さらに3の薬液に3分間順次浸漬した際に、下記(i)〜(iii)の要件を全て満たさない場合。
(i)(1)接着剤層の表面外観に薬液による著しい損傷が見られない。
(ii)(3)支持体被覆層を(2)支持体の(1)接着剤層の反対側に形成していない場合は、(2)支持体の(1)接着剤層と反対側の面の表面外観に薬液による著しい損傷が見られない。また(3)支持体被覆層を(2)支持体の(1)接着剤層の反対側に形成している場合は、(2)支持体の(1)接着剤層の反対側に形成した(3)支持体被覆層の(2)支持体と反対側の面の表面外観に薬液による著しい損傷が見られない。
(iii)ホール断面に薬液による著しい損傷が見られない。
各実施例および比較例において得られた金属支持フレキシブル回路基板(導体幅50μm)を用いて、導体をテンシロンUTM−11−5HR(東洋ボールドウィン社製)にて90度方向に50mm/分の速度で引き剥がし、その際の引き剥がし強度を測定した。8N/cm以上であれば極めて良好、6N/cm以上であれば良好と判断できる。
(a)接着剤層シートの作製
(A)ダイマー酸ポリアミド樹脂(“サンマイド”(登録商標)HT−100G、エアープロダクツジャパン社製、アミン価1、溶融粘度7.0Pa・s)100重量部、(B)レゾールフェノール樹脂(CKM1634 昭和高分子社製)50重量部、(C)エポキシ樹脂(“エピコート”(登録商標)YL980、ジャパンエポキシレジン社製)80重量部、(D)硬化促進剤(2エチル−4メチルイミダゾール(2E4MZ)、東京化成社製)2重量部に、エタノール/トルエン混合溶剤(混合重量比率 エタノール1:トルエン4)を加え、30℃で撹拌、混合して固形分濃度25重量%接着剤組成物を作製した。この接着剤組成物をバーコータで、(5)保護フィルム(シリコーン離型剤付きの厚さ25μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(藤森工業(株)製“フィルムバイナ”(登録商標)GT))に約12μmの乾燥厚さとなるように塗布し、150℃で4分間乾燥した後、形成された(1)接着剤層面に別の(5)保護フィルムを貼り合わせる事で両側を(5)保護フィルムでサンドされた接着剤層シートを作製した。
上記(a)に記載の方法で得られた接着剤層シートの(5)保護フィルムの片側を剥離し、(2)支持体(圧延銅箔(BHY−22B−T 70μm厚(日鉱金属株式会社製)線膨張係数16.0ppm/℃)に100℃、0.3MPaの条件でラミネートし、金属支持フレキシブル基板を得た。
接着剤層シートの作製に当たり、(A)〜(D)成分として(A)ダイマー酸ポリアミド樹脂(“トーマイド”(登録商標)TXC−232C、富士化成工業社製、アミン価10.0、溶融粘度24.0Pa・s)100重量部、(B)レゾールフェノール樹脂(CKM1634 昭和高分子社製)50重量部、(C)エポキシ樹脂(“エピコート”(登録商標)YL980、ジャパンエポキシレジン社製)80重量部、(D)硬化促進剤(2エチル−4メチルイミダゾール(2E4MZ)、東京化成社製)2重量部を用いた以外は実施例1と同様の方法で作製し、前記(1)〜(7)記載の評価を行った。
接着剤層シートの作製に当たり、(A)〜(D)成分として(A)ダイマー酸ポリエーテルアミド樹脂(“トーマイド”(登録商標)PA−200、富士化成工業社製、アミン価3、溶融粘度40.0Pa・s)100重量部、(B)レゾールフェノール樹脂(CKM1634 昭和高分子社製)50重量部、(C)エポキシ樹脂(“エピコート”(登録商標)YL980、ジャパンエポキシレジン社製)80重量部、(D)硬化促進剤(2エチル−4メチルイミダゾール(2E4MZ)、東京化成社製)2重量部を用いた以外は実施例1と同様の方法で作製し、前記(1)〜(7)記載の評価を行った。
接着剤層シートの作製に当たり、(A)〜(D)成分として(A)ダイマー酸ポリエーテルアミド樹脂(“トーマイド”(登録商標)PA−200、富士化成工業社製、アミン価3、溶融粘度40.0Pa・s)100重量部、(B)レゾールフェノール樹脂(CKM1634 昭和高分子社製)50重量部、(C)エポキシ樹脂(“エピコート”(登録商標)YL980、ジャパンエポキシレジン社製)80重量部、(D)硬化促進剤(2エチル−4メチルイミダゾール(2E4MZ)、東京化成社製)2重量部を用い、また、エタノール/トルエン混合溶剤(混合重量比率 エタノール1:トルエン4)に、(E)アルミナ充填材(“アドマファイン”(登録商標)AO−502、平均粒径 0.7μm、株式会社アドマテックス社製)300重量部が添加されるよう、予めサンドミルで分散処理した混合溶剤を用いた以外は実施例1と同様の方法で作製し、前記(1)〜(7)記載の評価を行った。
(a)接着剤層シートの作製
接着剤層シートの作製に当たり、(A)〜(D)成分として(A)ダイマー酸ポリエーテルアミド樹脂(“トーマイド”(登録商標)PA−200、富士化成工業社製、アミン価3、溶融粘度40.0Pa・s)100重量部、(B)レゾールフェノール樹脂(CKM1634 昭和高分子社製)50重量部、(C)エポキシ樹脂(“エピコート”(登録商標)YL980、ジャパンエポキシレジン社製)80重量部、(D)硬化促進剤(2エチル−4メチルイミダゾール(2E4MZ)、東京化成社製)2重量部を用いた以外は実施例1と同様の方法で接着剤シートを作製した。
上記(a)に記載の方法で得られた接着剤層シートを30mm幅にカットした後、(5)保護フィルムの片側を剥離し、(2)支持体(アルミ箔 50μm厚 35mm幅(住軽アルミ株式会社製)線膨張係数 22.0ppm)に100℃、0.3MPaの条件でラミネートし、金属支持フレキシブル基板を得た。
(2)支持体であるアルミ箔(50μm厚(住軽アルミ株式会社製)線膨張係数 22.0ppm)の両面を、(3)支持体被覆層としてTg300℃、重量平均分子量11000、エポキシ樹脂混合比率10%のポリアミドイミド樹脂3.0μmで被覆したものを用いた以外は実施例5と同様の方法で作製し、前記(1)〜(7)記載の評価を行った。
(2)支持体であるアルミ箔(50μm厚(住軽アルミ株式会社製)線膨張係数 22.0ppm)の両面を、(3)支持体被覆層としてTg300℃、重量平均分子量11000、エポキシ樹脂混合比率10%のポリアミドイミド樹脂1.5μmで被覆したものを用いた以外は実施例5と同様の方法で作製し、前記(1)〜(7)記載の評価を行った。
(2)支持体であるアルミ箔(50μm厚(住軽アルミ株式会社製)線膨張係数 22.0ppm)の両面を、(3)支持体被覆層としてTg250℃、重量平均分子量8000、エポキシ樹脂混合比率10%のポリアミドイミド樹脂3.0μmで被覆したものを用いた以外は実施例5と同様の方法で作製し、前記(1)〜(7)記載の評価を行った。
(2)支持体であるアルミ箔(50μm厚(住軽アルミ株式会社製)線膨張係数 22.0ppm)の両面を、(3)支持体被覆層としてTg300℃、重量平均分子量12000のポリイミド樹脂3.0μmで被覆したものを用いた以外は実施例5と同様の方法で作製し、前記(1)〜(7)記載の評価を行った。
接着剤層シートの作製に当たり、(A)成分として(A)ダイマー酸ポリアミド樹脂(“トーマイド”(登録商標)PA−100、富士化成工業社製、アミン価0、溶融粘度180.0Pa・s)100重量部を用いた以外は実施例6と同様の方法で作製し、前記(1)〜(7)記載の評価を行った。
接着剤層シートの作製に当たり、(A)成分として(A)ダイマー酸ポリアミド樹脂(“トーマイド”(登録商標)PA−100、富士化成工業社製、アミン価0、溶融粘度180.0Pa・s)100重量部を用いた以外は実施例7と同様の方法で作製し、前記(1)〜(7)記載の評価を行った。
(2)支持体であるアルミ箔(50μm厚(住軽アルミ株式会社製)線膨張係数 22.0ppm)の(1)接着剤層側を、(3)支持体被覆層としてTg300℃、重量平均分子量11000のポリイミド樹脂3μmで被覆し、反対面側をポリエチレンテレフタレートフィルムに粘着剤が構成された裏打ちテープKT−50(河村産業社製)(剥離性粘着剤層20μm、ポリエチレンテレフタレートフィルム50μm)を30℃でロールラミネートしたものを用いた以外は実施例5と同様の方法で作製し、前記(1)〜(7)記載の評価を行った。
スプロケットホール付き金属支持フレキシブル基板の作製に当たり、スプロケットホール断面に、樹脂分がエポキシ樹脂系である電着塗料エレコートAMG(株式会社シミズ製)を膜厚10μmに電着し、100℃、15分の乾燥処理を行い、(4)ホール断面被覆層を形成した以外は、実施例6と同様の方法で作製し、前記(1)〜(7)記載の評価を行った。
スプロケットホール付き金属支持フレキシブル基板の作製に当たり、(4)ホール断面被覆層を、樹脂分がポリイミド樹脂系である電着塗料エレコートPI(株式会社シミズ製)とした以外は、実施例13と同様の方法で作製し、前記(1)〜(7)記載の評価を行った。
接着剤層シートの作製に当たり、(A)〜(D)成分として(A)ダイマー酸ポリエーテルアミド樹脂(“トーマイド”(登録商標)PA−200、富士化成工業社製、アミン価3、溶融粘度40.0Pa・s)100重量部、(B)レゾールフェノール樹脂(CKM1634 昭和高分子社製)50重量部、(C)エポキシ樹脂(“エピコート”(登録商標)YL980、ジャパンエポキシレジン社製)80重量部、(D)硬化促進剤(2エチル−4メチルイミダゾール(2E4MZ)、東京化成社製)2重量部を用い、また、エタノール/トルエン混合溶剤(混合重量比率 エタノール1:トルエン4)に、(E)アルミナ充填材(“アドマファイン”(登録商標)AO−502、平均粒径 0.7μm、株式会社アドマテックス社製)300重量部が添加されるよう、予めサンドミルで分散処理した混合溶剤を用い、更に(2)支持体として、SUS316箔(70μm厚(東洋精箔株式会社製)線膨張係数 18.5ppm)を用いた以外は実施例1と同様の方法で作製し、前記(1)〜(7)記載の評価を行った。
接着剤層シートの作製に当たり、(A)〜(D)成分として(A)ダイマー酸ポリエーテルアミド樹脂(“トーマイド”(登録商標)PA−200、富士化成工業社製、アミン価3、溶融粘度40.0Pa・s)100重量部、(B)レゾールフェノール樹脂(CKM1634 昭和高分子社製)50重量部、(C)エポキシ樹脂(“エピコート”(登録商標)YL980、ジャパンエポキシレジン社製)80重量部、(D)硬化促進剤(2エチル−4メチルイミダゾール(2E4MZ)、東京化成社製)2重量部を用い、また、エタノール/トルエン混合溶剤(混合重量比率 エタノール1:トルエン4)に、(E)アルミナ充填材(“アドマファイン”(登録商標)AO−502、平均粒径 0.7μm、株式会社アドマテックス社製)300重量部が添加されるよう、予めサンドミルで分散処理した混合溶剤を用い、更に(2)支持体として、アルミ箔(50μm厚(住軽アルミ株式会社製)線膨張係数 22.0ppm)を用いた以外は実施例1と同様の方法で作製し、前記(1)〜(7)記載の評価を行った。
接着剤層シートの作製に当たり、(A)〜(D)成分として(A)ダイマー酸ポリエーテルアミド樹脂(“トーマイド”(登録商標)PA−200、富士化成工業社製、アミン価3、溶融粘度40.0Pa・s)100重量部、(B)レゾールフェノール樹脂(CKM1634 昭和高分子社製)50重量部、(C)エポキシ樹脂(“エピコート”(登録商標)YL980、ジャパンエポキシレジン社製)80重量部、(D)硬化促進剤(2エチル−4メチルイミダゾール(2E4MZ)、東京化成社製)2重量部を用い、また、エタノール/トルエン混合溶剤(混合重量比率 エタノール1:トルエン4)に、(E)窒化アルミニウム充填材(H、平均粒径 1.7μm、株式会社トクヤマ社製)300重量部が添加されるよう、予めサンドミルで分散処理した混合溶剤を用いた以外は実施例1と同様の方法で作製し、前記(1)〜(7)記載の評価を行った。
接着剤層シートの作製に当たり、(A)〜(D)成分として(A)ダイマー酸ポリエーテルアミド樹脂(“トーマイド”(登録商標)PA−200、富士化成工業社製、アミン価1、溶融粘度40.0Pa・s)と、ダイマー酸ポリアミド樹脂(“トーマイド”(登録商標)PA−100、富士化成工業社製、アミン価0、溶融粘度180.0Pa・s)とダイマー酸ポリアミド樹脂(“トーマイド”(登録商標)535、富士化成工業社製、アミン価50、溶融粘度1.0Pa・s)との重量比2:1:0.5混合物(アミン価7.1 溶融粘度 80Pa・s)(ダイマー酸ポリエーテルアミド樹脂1)100重量部、(B)レゾールフェノール樹脂(CKM1634 昭和高分子社製)50重量部、(C)エポキシ樹脂(“エピコート”(登録商標)YL980、ジャパンエポキシレジン社製)80重量部、(D)硬化促進剤(2エチル−4メチルイミダゾール(2E4MZ)、東京化成社製)2重量部を用いた以外は実施例1と同様の方法で作製し、前記(1)〜(7)記載の評価を行った。
(実施例19)
接着剤層シートの作製に当たり、(A)〜(D)成分として(A)ダイマー酸ポリアミド樹脂(“マクロメルト”(登録商標)6900、ヘンケルジャパン社製、アミン価0、溶融粘度10Pa・s)100重量部、(B)レゾールフェノール樹脂(CKM1634 昭和高分子社製)50重量部、(C)エポキシ樹脂(“エピコート”(登録商標)YL980、ジャパンエポキシレジン社製)80重量部、(D)硬化促進剤(2エチル−4メチルイミダゾール(2E4MZ)、東京化成社製)2重量部を用いた以外は実施例1と同様の方法で作製し、前記(1)〜(7)記載の評価を行った。
接着剤層シートの作製に当たり、(A)〜(D)成分として(A)ダイマー酸ポリアミド樹脂(“トーマイド”(登録商標)1350、富士化成工業社製、アミン価10、溶融粘度3.0Pa・s)100重量部、(B)レゾールフェノール樹脂(CKM1634 昭和高分子社製)50重量部、(C)エポキシ樹脂(“エピコート”(登録商標)YL980、ジャパンエポキシレジン社製)80重量部、(D)硬化促進剤(2エチル−4メチルイミダゾール(2E4MZ)、東京化成社製)2重量部を用いた以外は実施例1と同様の方法で作製し、前記(1)〜(7)記載の評価を行った。
接着剤層シートの作製に当たり、(A)〜(D)成分として(A)ダイマー酸ポリアミド樹脂(“トーマイド”(登録商標)PA−100、富士化成工業社製、アミン価0、溶融粘度180.0Pa・s)100重量部、(B)フェノール樹脂(CKM1634 昭和高分子社製)50重量部、(C)エポキシ樹脂(“エピコート”(登録商標)YL980、ジャパンエポキシレジン社製)80重量部、(D)硬化促進剤(2エチル−4メチルイミダゾール(2E4MZ)、東京化成社製)2重量部を用いた以外は実施例1と同様の方法で作製し、前記(1)〜(7)記載の評価を行った。
接着剤層シートの作製に当たり、(A)、(C)、(D)成分として(A)ダイマー酸ポリアミド樹脂(“マクロメルト”(登録商標)6900、ヘンケルジャパン社製、アミン価0、溶融粘度10Pa・s)100重量部、(C)エポキシ樹脂(“エピコート”(登録商標)YL980、ジャパンエポキシレジン社製)80重量部、(D)硬化促進剤(2エチル−4メチルイミダゾール(2E4MZ)、東京化成社製)2重量部を用い、(B)成分を用いなかった以外は実施例1と同様の方法で作製し、前記(1)〜(7)記載の評価を行った。
接着剤層シートの作製に当たり、(A)〜(D)成分として、(A)アクリロニトリルポリブタジエン樹脂(“Nipol”(登録商標)1043、日本ゼオン社製、100重量部、(B)レゾールフェノール樹脂(CKM1634 昭和高分子社製)50重量部、(C)エポキシ樹脂(“エピコート”(登録商標)YL980、ジャパンエポキシレジン社製)80重量部、(D)硬化促進剤(2エチル−4メチルイミダゾール(2E4MZ)、東京化成社製)2重量部を用いた以外は実施例1と同様の方法で作製し、前記(1)〜(7)記載の評価を行った。
(2)支持体としてアルミ箔(50μm厚(住軽アルミ株式会社製)線膨張係数 22.0ppm)を用いた以外は比較例2と同様の方法で作製し、前記(1)〜(7)記載の評価を行った。
(2)支持体であるアルミ箔(50μm厚(住軽アルミ株式会社製)線膨張係数 22.0ppm)の両面を、(3)支持体被覆層としてTg300℃、重量平均分子量11000、エポキシ樹脂混合比率10%のポリアミドイミド樹脂3.0μmで被覆したものを用いた以外は比較例2と同様の方法で作製し、前記(1)〜(7)記載の評価を行った。
Claims (10)
- (1)接着剤層と、(2)支持体から構成される金属支持フレキシブル基板において、(2)支持体が金属箔にて構成されており、かつ、(1)接着剤層が、(A)ダイマー酸残基を含むポリアミド樹脂および、(B)フェノール樹脂を含有する事を特徴とする金属支持フレキシブル基板。
- (2)支持体の(1)接着剤層側および/またはその反対側に(3)支持体被覆層が構成されている事を特徴とする請求項1に記載の金属支持フレキシブル基板。
- (3)支持体被覆層が(2)支持体に対して剥離性を有する事を特徴とする請求項2に記載の金属支持フレキシブル基板。
- (3)支持体被覆層の厚みが2μm以上100μm以下である事を特徴とする請求項2または3に記載の金属支持フレキシブル基板。
- (3)支持体被覆層がポリアミドイミド樹脂を含有する事を特徴とする請求項2〜4のいずれかに記載の金属支持フレキシブル基板。
- (A)ダイマー酸残基を含むポリアミド樹脂のアミン価が、0.5〜10である事を特徴とする請求項1〜5いずれかに記載の金属支持フレキシブル基板。
- (2)支持体が、銅箔、ステンレス箔、アルミニウム箔およびニッケル箔から選ばれる一つである事を特徴とする請求項1〜6いずれかに記載の金属支持フレキシブル基板。
- 請求項1〜7いずれか記載の金属支持フレキシブル基板を用いた、テープオートメーテッドボンディング用金属支持キャリアテープ。
- 請求項1〜7いずれか記載の金属支持フレキシブル基板を用いた、LED実装用金属支持フレキシブル回路基板。
- 請求項1〜7いずれか記載の金属支持フレキシブル基板を用いた回路形成用銅箔積層済み金属支持フレキシブル回路基板であって、回路形成用の金属層によって形成された回路が、フライングリード構造を有している事を特徴とする、回路形成用銅箔積層済み金属支持フレキシブル回路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011512767A JP5682554B2 (ja) | 2010-03-30 | 2011-03-03 | 金属支持フレキシブル基板ならびにそれを用いたテープオートメーテッドボンディング用金属支持キャリアテープ、led実装用金属支持フレキシブル回路基板および回路形成用銅箔積層済み金属支持フレキシブル回路基板 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010077064 | 2010-03-30 | ||
JP2010077064 | 2010-03-30 | ||
JP2011512767A JP5682554B2 (ja) | 2010-03-30 | 2011-03-03 | 金属支持フレキシブル基板ならびにそれを用いたテープオートメーテッドボンディング用金属支持キャリアテープ、led実装用金属支持フレキシブル回路基板および回路形成用銅箔積層済み金属支持フレキシブル回路基板 |
PCT/JP2011/054916 WO2011122232A1 (ja) | 2010-03-30 | 2011-03-03 | 金属支持フレキシブル基板ならびにそれを用いたテープオートメーテッドボンディング用金属支持キャリアテープ、led実装用金属支持フレキシブル回路基板および回路形成用銅箔積層済み金属支持フレキシブル回路基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011122232A1 true JPWO2011122232A1 (ja) | 2013-07-08 |
JP5682554B2 JP5682554B2 (ja) | 2015-03-11 |
Family
ID=44711961
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5682554B2 (ja) |
KR (1) | KR20130018717A (ja) |
CN (1) | CN102822953A (ja) |
SG (1) | SG184257A1 (ja) |
TW (1) | TW201207968A (ja) |
WO (1) | WO2011122232A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI586230B (zh) | 2012-07-18 | 2017-06-01 | 鐘化股份有限公司 | 補強板一體型軟性印刷基板 |
TWI627875B (zh) | 2012-07-18 | 2018-06-21 | 鐘化股份有限公司 | 導電層一體型軟性印刷基板 |
TWI748740B (zh) * | 2020-11-11 | 2021-12-01 | 宸寰科技有限公司 | 散熱導電軟板 |
TWI800261B (zh) * | 2022-02-15 | 2023-04-21 | 台虹科技股份有限公司 | 卷狀層疊體的製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57120361A (en) * | 1981-01-17 | 1982-07-27 | Sanyo Electric Co Ltd | Structure of film substrate |
JPS57138167A (en) * | 1981-02-19 | 1982-08-26 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JP2004031931A (ja) * | 2002-05-09 | 2004-01-29 | Toray Ind Inc | 半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置 |
KR100621550B1 (ko) * | 2004-03-17 | 2006-09-14 | 삼성전자주식회사 | 테이프 배선 기판의 제조방법 |
JP4654647B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2011-03-23 | 味の素株式会社 | 回路基板用金属付きポリアミドイミドフィルム及びその製造方法 |
JP2007035869A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Nitto Denko Corp | Tab用テープキャリア |
CN1972557A (zh) * | 2005-10-14 | 2007-05-30 | 三井金属矿业株式会社 | 挠性覆铜层压板和薄膜载带及其制造方法、以及挠性印刷电路板、半导体装置 |
JP2008130772A (ja) * | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 可撓性配線基板製造用複合積層体およびその製造方法 |
-
2011
- 2011-03-03 CN CN2011800167659A patent/CN102822953A/zh active Pending
- 2011-03-03 WO PCT/JP2011/054916 patent/WO2011122232A1/ja active Application Filing
- 2011-03-03 SG SG2012071130A patent/SG184257A1/en unknown
- 2011-03-03 JP JP2011512767A patent/JP5682554B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-03 KR KR1020127025274A patent/KR20130018717A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-03-29 TW TW100110739A patent/TW201207968A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5682554B2 (ja) | 2015-03-11 |
CN102822953A (zh) | 2012-12-12 |
SG184257A1 (en) | 2012-11-29 |
TW201207968A (en) | 2012-02-16 |
WO2011122232A1 (ja) | 2011-10-06 |
KR20130018717A (ko) | 2013-02-25 |
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Date | Code | Title | Description |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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