JP4654647B2 - 回路基板用金属付きポリアミドイミドフィルム及びその製造方法 - Google Patents
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Description
ポリイミドフィルムをアルカリ水溶液で処理して厚さ100〜1500Åの改質層を形成し、改質層状に1μm以下の無電解メッキ金属層を形成し、加熱により金属を50Å以上かつ改質層全体厚さの範囲内で拡散させ、無電解メッキ、電解メッキにより導体層を所望の厚さにして導体層を形成する方法。
(2)特開平6−21157号公報(特許文献2)
ポリイミドフィルムを過マンガン酸塩または次亜塩素酸塩の水溶液で親水化し、不純物含有量が10質量%以下で厚みが0.01〜0.1μmであるニッケルメッキ層、コバルトメッキ層又はニッケル・コバルトメッキ層を無電解メッキで形成し、さらに無電解銅メッキ及び電解銅メッキにより導体層を形成する方法。
(3)特開平8−031881号公報(特許文献3)
ポリイミドフィルムを、ヒドラジン及びアルカリ金属水酸化物を含有する水溶液で処理し、触媒付与後、ニッケル、コバルト又は合金を無電解メッキにより設け、不活性雰囲気下で熱処理し、無電解銅メッキ及び電解銅メッキにより導体層を形成する方法。
(4)特開2000−289167号公報(特許文献4)
ポリイミド前駆体にパラジウム化合物を添加し加熱処理して得られたフィルムを希硫酸で活性化処理し、無電解銅メッキ及び電解銅メッキにより導体層を形成する方法。
(5)特開2002−208768号公報(特許文献5)
ポリイミドフィルムを、1級アミン含有有機ジスルフィド化合物又は1級アミン含有有機チオール化合物を含むアルカリ水溶液で処理し、洗浄、乾燥後、触媒を付与し、無電解銅メッキ及び電解銅メッキにより導体層を形成する方法。
(6)特開2002−256443号公報(特許文献6)
ポリイミドフィルムを、膨潤処理、アルカリ性過マンガン酸溶液による粗化処理、中和処理、脱脂処理、アルカリ処理によるイミド環を開環、銅イオン溶液処理による銅イオン吸着、還元処理による銅析出、無電解銅メッキ及び電解銅メッキにより導体層を形成する方法。
(7)特開2003−013243号公報(特許文献7)
ポリイミドフィルムを、アルカリ水酸化物水溶液で処理しイミド結合を加水分解、低分子の加水分解生成物を除去、触媒付与、無電解金属メッキ(強い密着強度が必要な場合無電解ニッケルメッキ後に無電解銅メッキを行うことが必要)を行う方法。
(8)特開2003−136632号公報(特許文献8)
アルコキシシラン変性ポリイミドによりポリイミドフィルムを作製し、パラジウム触媒溶液で処理後、無電解銅メッキ及び電解銅メッキにより導体層を形成する方法。
得るためにはやはり銅メッキに先立ってニッケルメッキが必要であり、ニッケルメッキ、コバルトメッキは、回路形成のためのエッチング工程で取り除きにくいという問題がある。また(3)及び(5)は特殊なアルカリ溶液が必要であることから、汎用性に欠け、コスト面でも不利である。
、(6)の方法は工程数が多く、操作が複雑で、いずれの方法も汎用性に欠け、コスト面で
も不利である。また、一般にポリイミドフィルムはアルカリ溶液により化学的に損傷を受けやすい傾向にあり、特により活性の高いアルカリ性過マンガン酸溶液については、処理時における表面制御の困難性などから、実際にはほとんど用いられてこなかった。
物を相当量使用する必要があり、また(8)のアルコキシシラン変性ポリイミドを使用する方法では、特殊なポリイミドを使用する必要があるため、何れも汎用性に欠け、コスト面でも不利である。
ポリアミドイミドは一般に溶剤可溶性であるためポリアミドイミドワニスを乾燥することにより容易にフィルム形成が可能であり、例えばポリアミック酸からポリイミドフィルムを形成する場合に比べ、フィルムの反りの問題も起こりにくく、また化学的に安定な原料を使用できるため、製造面で有利な場合がある。従って、ポリアミドイミドフィルム上にメッキにより密着強度の高い導体層を形成する方法、特に簡便で安価な該方法が求められている。
特に、ポリアミドイミドフィルム層の少なくとも片面に密着強度の高い導体層を有し、かつ、耐熱性にも優れ、それを用いることで、電気絶縁性、耐熱性及び機械強度に優れた回路基板を実現できる、回路基板用の金属付きポリアミドイミドフィルム、及びそのような金属付きポリアミドイミドフィルムを、特殊な材料を使用することなく、しかも比較的少ない工程数で製造することがきる、金属付きポリアミドイミドフィルムの製造方法を提供することである。
(1)ポリアミドイミドフィルム層(但し、ポリアミドイミドが熱硬化性樹脂である場合を除く。)と、該ポリアミドイミドフィルム層の少なくとも片面に形成された銅メッキ層による導体層とを含む金属付きポリアミドイミドフィルムであって、
ポリアミドイミドフィルム層が平均粒径が0.01〜2μmのシリカをポリアミドイミドに対し5〜45質量%含有し、かつ導体層が形成されているポリアミドイミドフィルム層の表面が、当該ポリアミドイミドフィルム層をアルカリ溶液で膨潤処理した後、アルカリ性過マンガン酸溶液で処理することによって算術平均粗さ(Ra)が200〜800nmに粗化されており、
ポリアミドイミドフィルム層に対する導体層のピール強度が0.5kgf/cm以上であることを特徴とする回路基板用金属付きポリアミドイミドフィルム。
(2)シリカを含有するポリアミドイミドフィルム層が支持体上に形成されていることを特徴とする、上記(1)記載の金属付きポリアミドイミドフィルム。
(3)支持体が銅箔層であることを特徴とする、上記(2)記載の金属付きポリアミドイミドフィルム。
(4)支持体がポリイミドフィルム層であることを特徴とする、上記(2)記載の金属付きポリアミドイミドフィルム。
(5)シリカを含有するポリアミドイミドフィルム層と該層の片面又は両面に形成された導体層とを含む積層体を構成し、シリカを含有するポリアミドイミドフィルム層の厚みが5〜125μm、導体層の厚みが3〜35μmであることを特徴とする、上記(3)記載の金属付きポリアミドイミドフィルム。
(6)銅箔層/シリカを含有するポリアミドイミドフィルム層/導体層の順に積層した積層体を構成し、銅箔層の厚みが3〜35μm、シリカを含有するポリアミドイミドフィルム層の厚みが5〜125μm、導体層の厚みが3〜35μmであることを特徴とする、上記(3)記載の金属付きポリアミドイミドフィルム。
(7)ポリイミドフィルム層/シリカを含有するポリアミドイミドフィルム層/導体層の順に積層した積層体を構成し、ポリイミドフィルム層の厚みが10〜125μm、シリカを含有するポリアミドイミドフィルム層の厚みが5〜125μm、導体層の厚みが3〜35μmであることを特徴とする、上記(4)記載の金属付きポリアミドイミドフィルム。
(8)シリカを含有するポリアミドイミドフィルム層が、さらにポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリベンゾオキサゾールおよびポリベンゾイミダゾールからなる群から選択される1種以上の耐熱性樹脂をポリイミドに対して30質量%以下で含み、平均粒径が0.01〜2μmのシリカをポリアミドイミドと耐熱性樹脂との合計量に対して5〜45質量%含有するものであることを特徴とする、上記(1)〜(4)のいずれかに記載の金属付きポリアミドイミドフィルム。
(9)耐熱性樹脂が分子骨格中にフェノール性水酸基を有する耐熱性樹脂である、上記(8)記載の金属付きポリアミドイミドフィルム。
(10)上記(1)に記載の回路基板用金属付きポリアミドイミドフィルムを製造する方法であって、
平均粒径が0.01〜2μmのシリカをポリアミドイミドに対し5〜45質量%含有する、厚みが5〜125μmの無機充填材含有ポリアミドイミドフィルム(但し、ポリアミドイミドが熱硬化性樹脂である場合を除く。)をアルカリ溶液で膨潤処理した後、40〜80℃のアルカリ性過マンガン酸溶液で処理し、厚みが0.1〜3μmの無電解銅メッキ層、電解銅メッキ層を順次形成して、無電解銅メッキ層と電解銅メッキ層の合計厚みを3〜35μmとし、150〜200℃で30分〜100時間アニール処理をすることを特徴とする、回路基板用金属付きポリアミドイミドフィルムの製造方法。
(11)ポリアミドイミド及びシリカを含有する樹脂組成物ワニスを支持体上に塗布し、加熱乾燥して得られる無機充填材含有ポリアミドイミドフィルムに対して、アルカリ溶液による膨潤処理、アルカリ性過マンガン酸溶液処理、無電解銅メッキ、及び電解銅メッキを順次行い、アニール処理を行うことを特徴とする、上記(10)記載の方法。
(12)支持体が銅箔であることを特徴とする、上記(11)記載の方法。
(13)支持体がポリイミドフィルムであることを特徴とする、上記(11)記載の方法。
(14)無電解銅メッキの前に、無機充填材含有ポリアミドイミドフィルム表面に触媒を付与することを特徴とする、上記(10)〜(13)のいずれかに記載の方法。
(15)触媒がパラジウムであることを特徴とする、上記(14)記載の方法。
(16)アルカリ性過マンガン酸溶液が過マンガン酸カリウム溶液又は過マンガン酸ナトリウムであることを特徴とする、上記(10)〜(15)のいずれかに記載の方法。
(17)無機充填材含有ポリアミドイミドフィルムの厚みが5〜125μm、無電解銅メッキ層の厚みが0.1〜3μmであることを特徴とする、上記(10)〜(16)のいずれかに記載の方法。
(18)銅箔からなる支持体の厚みが3〜35μmである、上記(12)記載の方法。
(19)ポリイミドフィルムからなる支持体の厚みが10〜125μmである、上記(13)記載の方法。
(20)無機充填材含有ポリアミドイミドフィルムが、さらにポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリベンゾオキサゾールおよびポリベンゾイミダゾールからなる群から選択される1種以上の耐熱性樹脂をポリアミドイミドに対して5〜30質量%含み、平均粒径が0.01〜2μmのシリカをポリアミドイミドと耐熱性樹脂との合計量に対して5〜45質量%含有するものであることを特徴とする、上記(10)〜(19)のいずれかに記載の方法。
(21)耐熱性樹脂が分子骨格中にフェノール性水酸基を有する耐熱性樹脂である、上記(20)記載の方法。
(22)上記(1)〜(9)のいずれかに記載の金属付きポリアミドイミドフィルムの導体層に回路形成を行うことを特徴とする、回路基板の製造方法。
(23)上記(3)又は(6)に記載の金属付きポリアミドイミドフィルムの導体層と銅箔層に回路形成を行うことを特徴とする回路基板の製造方法。
ポリアミドイミドは1種を用いても2種以上を混合して用いてもよい。
また該スラリー中で上記縮重合反応を行い、ポリアミドイミドワニスを調製することもできる。
法により測定することができる。具体的にはレーザー回折式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材を超音波により水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折式粒度分布測定装置としては、株式会社堀場製作所製 LA−500等を使用することができる。
なお、本発明の金属付きポリアミドイミドフィルム(最終製品)の積層構成は後述の通りである。
T3300により測定することができる。該表面粗さ(算術平均粗さ(Ra))は100〜1500nmであるのが好ましく、100〜1200nmであるのがより好ましく、200〜800nmであるのがさらに好ましい。100nm未満の場合、十分なメッキピール強度が得られない傾向となり、1500nmを超えると、微細回路の形成が困難になる傾向となるため、好ましくない。
JIS C6481に準拠して行った。測定サンプルの導体メッキ厚は約30μmとした。
(1)導体層(銅メッキ層)/無機充填材含有ポリアミドイミドフィルム層
(2)銅箔層(支持体)/無機充填材含有ポリアミドイミドフィルム層/導体層(銅メッキ層)
(3)導体層(銅メッキ層)/無機充填材含有ポリアミドイミドフィルム層/導体層(銅
メッキ層)
(4) ポリイミドフィルム層(支持体)/無機充填材含有ポリアミドイミドフィルム層/導体層(銅メッキ層)
(5)導体層(銅メッキ層)/無機充填材含有ポリアミドイミドフィルム層/ポリイミド
フィルム層(支持体)/無機充填材含有ポリアミドイミドフィルム層/導体層(銅メッキ層)
カリ性過マンガン酸溶液処理及び無電解銅メッキ処理を順次行って無電解銅メッキ層を形成する、或いは、当該無電解銅メッキ層の形成後、さらに電解銅メッキ層を形成し、その後、無機充填材含有ポリアミドイミドフィルムから支持体を剥離することで作製される。
該(1)の積層体を特にフレキシブル回路基板(FPC)用とする場合、無機充填材含有
ポリアミドイミドフィルム層の厚みは10〜75μm程度が好ましい。
リ性過マンガン酸溶液処理及び無電解銅メッキ処理を順次行って無電解銅メッキ層を形成する、或いは、当該無電解銅メッキ層の形成後、さらに電解銅メッキ層を形成することで作製される。
該(2)の積層体を特にフレキシブル回路基板(FPC)用とする場合、無機充填材含有
ポリアミドイミドフィルム層の厚みは5〜75μm程度が好ましく、10〜50μm程度が特に好ましい。
体を剥離し、無機充填材含有ポリアミドイミドフィルムの両面にアルカリ性過マンガン酸溶液処理及び無電解銅メッキ処理を順次行って無電解銅メッキ層を形成する、或いは、当該無電解銅メッキ層の形成後、さらに電解銅メッキ層を形成することで作製される。
該(3)の積層体を特にフレキシブル回路基板(FPC)用とする場合、無機充填材含有
ポリアミドイミドフィルム層の厚みは10〜75μm程度が好ましい。
ミドフィルムを作製後、該無機充填材含有ポリアミドイミドフィルムにアルカリ性過マンガン酸溶液処理及び無電解銅メッキ処理を順次行って無電解銅メッキ層を形成する、或いは、当該無電解銅メッキ層の形成後、さらに電解銅メッキ層を形成することで作製される。
該(4)の積層体を特にフレキシブル回路基板(FPC)用とする場合、ポリイミドフィ
ルム(支持体)の厚みは10〜75μm程度が好ましく、無機充填材含有ポリイミドフィルム層の厚みは10〜75μm程度が特に好ましく、10〜25μm程度が特に好ましい。
ミドフィルムを作製後、該両面の無機充填材含有ポリアミドイミドフィルムにアルカリ性過マンガン酸溶液処理及び無電解銅メッキ処理を順次行って無電解銅メッキ層を形成する、或いは、当該無電解銅メッキ層の形成後、さらに電解銅メッキ層を形成することで作製される。
該(5)の積層体を特にフレキシブル回路基板(FPC)用とする場合、ポリイミドフィ
ルム(支持体)の厚みは10〜50μm程度が好ましく、無機充填材含有ポリアミドイミドフィルム層の厚みは10〜25μm程度が特に好ましい。
まず、ポリアミドイミドワニス「バイロマックスHR16NN」(固形分14w%、東洋紡績(株)社製)70部にシリカ粒子(平均粒径:0.22μm)を2.5部混合し、自転・公転方式ミキサー(あわとり練太郎AR250、株式会社シンキー製)で12分間分散させ、樹脂組成物ワニス(a)を作成した。
続いて、この樹脂組成物ワニス(a)を、厚さ18μmの銅箔のマット面上に、乾燥後の樹脂厚みが30μmとなるようにバーコートにて塗布し、75〜130℃(平均110℃)で約20分間乾燥させ、さらに、180℃で30分、240℃で20時間、260℃で5時間の順に段階的に乾燥を行った。
Securiganth P」(アトテックジャパン(株)社製)を用いた膨潤液に60℃で5分間浸漬し、続いてアルカリ性過マンガン酸溶液に80℃で20分間浸漬して樹脂組成物層の表面の粗化を行い、最後に表面に残ったマンガンを還元除去した(表面粗さ:764nm)。
さらに引き続き、前記粗化処理を施した樹脂組成物層表面に無電界銅メッキの触媒付与を行ない、続いて無電解メッキ液に32℃で30分浸漬して1.5μmの無電解銅メッキ被膜を形成した。このものを150℃で30分乾燥後、酸洗し、続いて、含リン銅板をアノードとし陰極電流密度2.0A/dm2で12分間電気銅メッキを行い、厚さ5μmの銅メッキ被膜を形成させた。180℃で30分間アニールを行なった後、このメッキ被膜と樹脂組成物層間の接着強度(メッキピール強度)を測定したところ、0.55kgf/cmであった。また、このものをさらに、150℃、100時間アニール処理を行ってからメッキ被膜と樹脂組成物層間の接着強度(メッキピール強度)を測定したところ、0.55kgf/cmであった。
まず、ポリアミドイミド「バイロマックスHR11NN」(固形分15w%、東洋紡績(株)社製)70部にシリカ粒子(平均粒径:0.22μm)を2.5部混合し、自転・公転方式ミキサー(あわとり練太郎AR250、株式会社シンキー製)で12分間分散させ、樹脂組成物ワニス(b)を作成した。
続いて、この樹脂組成物ワニス(b)を、厚さ18μmの銅箔のマット面上に、乾燥後の樹脂厚みが30μmとなるようにバーコーターにて塗布し、75〜130℃(平均110℃)で約20分間乾燥させ、さらに、180℃で30分、240℃で20時間、260℃で5時間の順に段階的に乾燥を行った。
Securiganth P」(アトテックジャパン(株)社製)を用いた膨潤液に60℃で5分間浸漬し、続いてアルカリ性過マンガン酸溶液に80℃で20分間浸漬して樹脂組成物層の表面の粗化を行い、最後に表面に残ったマンガンを還元除去した(表面粗さ:864nm)。
さらに引き続き、粗化処理を施した樹脂組成物層表面に無電界銅メッキの触媒付与を行ない、続いて無電解メッキ液に32℃で30分浸漬して1.5μmの無電解銅メッキ被膜を形成した。このものを150℃で30分乾燥後、酸洗し、続いて、含リン銅板をアノードとし陰極電流密度2.0A/dm2で12分間電気銅メッキを行い、厚さ5μmの銅メッキ被膜を形成させた。180℃で30分間アニールを行なった後、このメッキ被膜と樹脂組成物層間の接着強度(メッキピール強度)を測定したところ、0.6kgf/cmであった。また、このものをさらに、150℃で100時間アニール処理を行ってからメッキ被膜と樹脂組成物層間の接着強度(メッキピール強度)を測定したところ、0.71kgf/cmであった。
Claims (23)
- ポリアミドイミドフィルム層(但し、ポリアミドイミドが熱硬化性樹脂である場合を除く。)と、該ポリアミドイミドフィルム層の少なくとも片面に形成された銅メッキ層による導体層とを含む金属付きポリアミドイミドフィルムであって、
ポリアミドイミドフィルム層が平均粒径が0.01〜2μmのシリカをポリアミドイミドに対し5〜45質量%含有し、かつ導体層が形成されているポリアミドイミドフィルム層の表面が、当該ポリアミドイミドフィルム層をアルカリ溶液で膨潤処理した後、アルカリ性過マンガン酸溶液で処理することによって算術平均粗さ(Ra)が200〜800nmに粗化されており、
ポリアミドイミドフィルム層に対する導体層のピール強度が0.5kgf/cm以上であることを特徴とする回路基板用金属付きポリアミドイミドフィルム。 - シリカを含有するポリアミドイミドフィルム層が支持体上に形成されていることを特徴とする、請求項1記載の金属付きポリアミドイミドフィルム。
- 支持体が銅箔層であることを特徴とする、請求項2記載の金属付きポリアミドイミドフィルム。
- 支持体がポリイミドフィルム層であることを特徴とする、請求項2記載の金属付きポリアミドイミドフィルム。
- シリカを含有するポリアミドイミドフィルム層と該層の片面又は両面に形成された導体層とを含む積層体を構成し、シリカを含有するポリアミドイミドフィルム層の厚みが5〜125μm、導体層の厚みが3〜35μmであることを特徴とする、請求項3記載の金属付きポリアミドイミドフィルム。
- 銅箔層/シリカを含有するポリアミドイミドフィルム層/導体層の順に積層した積層体を構成し、銅箔層の厚みが3〜35μm、シリカを含有するポリアミドイミドフィルム層の厚みが5〜125μm、導体層の厚みが3〜35μmであることを特徴とする、請求項3記載の金属付きポリアミドイミドフィルム。
- ポリイミドフィルム層/シリカを含有するポリアミドイミドフィルム層/導体層の順に積層した積層体を構成し、ポリイミドフィルム層の厚みが10〜125μm、シリカを含有するポリアミドイミドフィルム層の厚みが5〜125μm、導体層の厚みが3〜35μmであることを特徴とする、請求項4記載の金属付きポリアミドイミドフィルム。
- シリカを含有するポリアミドイミドフィルム層が、さらにポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリベンゾオキサゾールおよびポリベンゾイミダゾールからなる群から選択される1種以上の耐熱性樹脂をポリイミドに対して30質量%以下で含み、平均粒径が0.01〜2μmのシリカをポリアミドイミドと耐熱性樹脂との合計量に対して5〜45質量%含有するものであることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項記載の金属付きポリアミドイミドフィルム。
- 耐熱性樹脂が分子骨格中にフェノール性水酸基を有する耐熱性樹脂である、請求項8記載の金属付きポリアミドイミドフィルム。
- 請求項1に記載の回路基板用金属付きポリアミドイミドフィルムを製造する方法であって、
平均粒径が0.01〜2μmのシリカをポリアミドイミドに対し5〜45質量%含有する、厚みが5〜125μmの無機充填材含有ポリアミドイミドフィルム(但し、ポリアミドイミドが熱硬化性樹脂である場合を除く。)をアルカリ溶液で膨潤処理した後、40〜80℃のアルカリ性過マンガン酸溶液で処理し、厚みが0.1〜3μmの無電解銅メッキ層、電解銅メッキ層を順次形成して、無電解銅メッキ層と電解銅メッキ層の合計厚みを3〜35μmとし、150〜200℃で30分〜100時間アニール処理をすることを特徴とする、回路基板用金属付きポリアミドイミドフィルムの製造方法。 - ポリアミドイミド及びシリカを含有する樹脂組成物ワニスを支持体上に塗布し、加熱乾燥して得られる無機充填材含有ポリアミドイミドフィルムに対して、アルカリ溶液による膨潤処理、アルカリ性過マンガン酸溶液処理、無電解銅メッキ、及び電解銅メッキを順次行い、アニール処理を行うことを特徴とする、請求項10記載の方法。
- 支持体が銅箔であることを特徴とする、請求項11記載の方法。
- 支持体がポリイミドフィルムであることを特徴とする、請求項11記載の方法。
- 無電解銅メッキの前に、無機充填材含有ポリアミドイミドフィルム表面に触媒を付与することを特徴とする、請求項10〜13のいずれか一項記載の方法。
- 触媒がパラジウムであることを特徴とする、請求項14記載の方法。
- アルカリ性過マンガン酸溶液が過マンガン酸カリウム溶液又は過マンガン酸ナトリウムであることを特徴とする、請求項10〜15のいずれか一項記載の方法。
- 無機充填材含有ポリアミドイミドフィルムの厚みが5〜125μm、無電解銅メッキ層の厚みが0.1〜3μmであることを特徴とする、請求項10〜16のいずれか一項記載の方法。
- 銅箔からなる支持体の厚みが3〜35μmである、請求項12記載の方法。
- ポリイミドフィルムからなる支持体の厚みが10〜125μmである、請求項13記載の方法。
- 無機充填材含有ポリアミドイミドフィルムが、さらにポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリベンゾオキサゾールおよびポリベンゾイミダゾールからなる群から選択される1種以上の耐熱性樹脂をポリアミドイミドに対して5〜30質量%含み、平均粒径が0.01〜2μmのシリカをポリアミドイミドと耐熱性樹脂との合計量に対して5〜45質量%含有するものであることを特徴とする、請求項10〜19のいずれか一項記載の方法。
- 耐熱性樹脂が分子骨格中にフェノール性水酸基を有する耐熱性樹脂である、請求項20記載の方法。
- 請求項1〜9のいずれか1項記載の金属付きポリアミドイミドフィルムの導体層に回路形成を行うことを特徴とする、回路基板の製造方法。
- 請求項3又は6に記載の金属付きポリアミドイミドフィルムの導体層と銅箔層に回路形成を行うことを特徴とする回路基板の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004289113A JP4654647B2 (ja) | 2004-09-30 | 2004-09-30 | 回路基板用金属付きポリアミドイミドフィルム及びその製造方法 |
TW94132340A TWI431700B (zh) | 2004-09-30 | 2005-09-19 | A metal-attached polymer film for a circuit board, and a method for producing the same |
KR20050091134A KR101203400B1 (ko) | 2004-09-30 | 2005-09-29 | 회로 기판용 금속 부착 중합체 필름 및 이의 제조방법 |
US11/239,320 US20060073315A1 (en) | 2004-09-30 | 2005-09-30 | Metallized polyamideimide film for substrate and production method thereof |
KR1020120104241A KR20120112329A (ko) | 2004-09-30 | 2012-09-19 | 회로 기판용 금속 부착 중합체 필름 및 이의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004289113A JP4654647B2 (ja) | 2004-09-30 | 2004-09-30 | 回路基板用金属付きポリアミドイミドフィルム及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006108174A JP2006108174A (ja) | 2006-04-20 |
JP4654647B2 true JP4654647B2 (ja) | 2011-03-23 |
Family
ID=36125892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004289113A Expired - Fee Related JP4654647B2 (ja) | 2004-09-30 | 2004-09-30 | 回路基板用金属付きポリアミドイミドフィルム及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060073315A1 (ja) |
JP (1) | JP4654647B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4701667B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2011-06-15 | 味の素株式会社 | 回路基板用金属付きポリイミドフィルム及びその製造方法 |
JP4584014B2 (ja) * | 2005-04-25 | 2010-11-17 | 日立マグネットワイヤ株式会社 | 耐部分放電性絶縁塗料、絶縁電線、及びそれらの製造方法 |
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-
2004
- 2004-09-30 JP JP2004289113A patent/JP4654647B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-09-30 US US11/239,320 patent/US20060073315A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060073315A1 (en) | 2006-04-06 |
JP2006108174A (ja) | 2006-04-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070703 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090626 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090707 |
|
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