JP2000191910A - 耐熱性樹脂組成物、層間絶縁膜及び多層回路基板 - Google Patents
耐熱性樹脂組成物、層間絶縁膜及び多層回路基板Info
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- JP2000191910A JP2000191910A JP36690298A JP36690298A JP2000191910A JP 2000191910 A JP2000191910 A JP 2000191910A JP 36690298 A JP36690298 A JP 36690298A JP 36690298 A JP36690298 A JP 36690298A JP 2000191910 A JP2000191910 A JP 2000191910A
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- resin
- polyimide
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐熱性、導体密着力、絶縁性及び高温高湿下
における絶縁信頼性のすべてに優れた樹脂絶縁膜を形成
することのできる新規な樹脂組成物を提供すること。 【解決手段】 アルカリ溶液に不溶でありかつ耐熱性を
有する樹脂を加熱により形成可能な熱硬化性材料と、ア
ルカリ溶液に可溶であるかもしくはアルカリ溶液の作用
により樹脂組成物から分離可能であるポリイミド樹脂を
加熱により形成可能なポリイミド形成材料とを含んでな
るように構成する。
における絶縁信頼性のすべてに優れた樹脂絶縁膜を形成
することのできる新規な樹脂組成物を提供すること。 【解決手段】 アルカリ溶液に不溶でありかつ耐熱性を
有する樹脂を加熱により形成可能な熱硬化性材料と、ア
ルカリ溶液に可溶であるかもしくはアルカリ溶液の作用
により樹脂組成物から分離可能であるポリイミド樹脂を
加熱により形成可能なポリイミド形成材料とを含んでな
るように構成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は耐熱性樹脂組成物に
関し、さらに詳しく述べると、ビルトアップ配線用耐熱
性樹脂組成物に関する。本発明は、特に、多層回路基
板、例えばMCM−L/D基板、SCM−L/D基板な
どや、シングルチップパッケージ基板などの製造におい
て層間絶縁膜として有利に使用することができる耐熱性
樹脂組成物に関する。本発明は、また、このような樹脂
組成物を使用した層間絶縁膜及び多層回路基板に関す
る。
関し、さらに詳しく述べると、ビルトアップ配線用耐熱
性樹脂組成物に関する。本発明は、特に、多層回路基
板、例えばMCM−L/D基板、SCM−L/D基板な
どや、シングルチップパッケージ基板などの製造におい
て層間絶縁膜として有利に使用することができる耐熱性
樹脂組成物に関する。本発明は、また、このような樹脂
組成物を使用した層間絶縁膜及び多層回路基板に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来より、電子部品をコンパクトに電子
機器に組み込むために、プリント基板が一般的に使用さ
れている。プリント基板は、積層板に張り合わせた銅箔
を電子回路パターンに従ってエッチングするものである
ので、高密度に電子部品を実装することは困難である
が、コストの面で有利である。一方、ハイブリッドIC
用としては、ビルトアップ法に基づくビルトアップ多層
配線構造を有する基板が以前より使用されている。この
基板は、セラミック基板上に導体と絶縁体の厚膜ペース
トを順次印刷して積み重ね、最後に高温で焼成を行うも
のである。
機器に組み込むために、プリント基板が一般的に使用さ
れている。プリント基板は、積層板に張り合わせた銅箔
を電子回路パターンに従ってエッチングするものである
ので、高密度に電子部品を実装することは困難である
が、コストの面で有利である。一方、ハイブリッドIC
用としては、ビルトアップ法に基づくビルトアップ多層
配線構造を有する基板が以前より使用されている。この
基板は、セラミック基板上に導体と絶縁体の厚膜ペース
トを順次印刷して積み重ね、最後に高温で焼成を行うも
のである。
【0003】近年、電子機器に対する小型化、高性能化
及び低価格化などの要求が高まるにつれて、プリント基
板の電子回路の微細化、多層化、そして電子部品の高密
度実装化が急速に進み、今まで対象とされなかったプリ
ント基板に対しても、ビルトアップ多層配線構造の検討
が活発化してきた。ビルトアップ多層配線構造は、その
電子回路の層と層の間にビルトアップ配線用絶縁膜を有
するものであって、それぞれの絶縁膜は、下層の電子回
路のうち、上層の電子回路と接続されるべき部位(一般
に「ビアホール」と称される部分)を除いた全面に対し
て被着せしめられる。
及び低価格化などの要求が高まるにつれて、プリント基
板の電子回路の微細化、多層化、そして電子部品の高密
度実装化が急速に進み、今まで対象とされなかったプリ
ント基板に対しても、ビルトアップ多層配線構造の検討
が活発化してきた。ビルトアップ多層配線構造は、その
電子回路の層と層の間にビルトアップ配線用絶縁膜を有
するものであって、それぞれの絶縁膜は、下層の電子回
路のうち、上層の電子回路と接続されるべき部位(一般
に「ビアホール」と称される部分)を除いた全面に対し
て被着せしめられる。
【0004】従来のビルトアップ多層配線構造を有する
基板の作製プロセスは、その一例を示すと、次の通りで
ある:まず、配線パターンと絶縁樹脂で穴埋めしたスル
ーホールとを有する両面配線板をコア基板として用意す
る。次に、このコア基板の両面の全体に感光性の絶縁膜
形成性樹脂を塗布した後、パターン露光及び現像を行っ
て、ビアホールを備えた絶縁膜を形成する。次いで、得
られた絶縁膜の上に、例えば無電解メッキ、電解メッキ
などのメッキ法によって導体を形成し、さらにこれをエ
ッチングして配線パターンを形成する。配線パターンの
形成後、必要に応じて、絶縁膜の形成から配線パターン
の形成までの一連の工程を反復して、所望とする多層配
線構造を有する基板を形成する。
基板の作製プロセスは、その一例を示すと、次の通りで
ある:まず、配線パターンと絶縁樹脂で穴埋めしたスル
ーホールとを有する両面配線板をコア基板として用意す
る。次に、このコア基板の両面の全体に感光性の絶縁膜
形成性樹脂を塗布した後、パターン露光及び現像を行っ
て、ビアホールを備えた絶縁膜を形成する。次いで、得
られた絶縁膜の上に、例えば無電解メッキ、電解メッキ
などのメッキ法によって導体を形成し、さらにこれをエ
ッチングして配線パターンを形成する。配線パターンの
形成後、必要に応じて、絶縁膜の形成から配線パターン
の形成までの一連の工程を反復して、所望とする多層配
線構造を有する基板を形成する。
【0005】ところで、最近の傾向として、上記したよ
うな従来のビルトアップ法に基づく基板作製プロセス
で、希薄なアルカリ水溶液で現像可能な感光性組成物が
絶縁膜の形成のための感光性樹脂として用いられてい
る。このようなアルカリ水溶液で現像可能な感光性組成
物としては、例えば、エポキシ樹脂に不飽和モノカルボ
ン酸を反応させ、さらに多塩基酸無水物を付加させた反
応生成物をベースポリマーとする感光性組成物(特公昭
56−40329号公報及び特公昭57−45785号
公報を参照)や、ノボラック型エポキシ樹脂をベースポ
リマーとする、優れた耐熱性及び耐薬品性を有する感光
性組成物(特開昭61−243869号公報を参照)が
ある。
うな従来のビルトアップ法に基づく基板作製プロセス
で、希薄なアルカリ水溶液で現像可能な感光性組成物が
絶縁膜の形成のための感光性樹脂として用いられてい
る。このようなアルカリ水溶液で現像可能な感光性組成
物としては、例えば、エポキシ樹脂に不飽和モノカルボ
ン酸を反応させ、さらに多塩基酸無水物を付加させた反
応生成物をベースポリマーとする感光性組成物(特公昭
56−40329号公報及び特公昭57−45785号
公報を参照)や、ノボラック型エポキシ樹脂をベースポ
リマーとする、優れた耐熱性及び耐薬品性を有する感光
性組成物(特開昭61−243869号公報を参照)が
ある。
【0006】さらに、ビルトアップ法に基づく基板作製
プロセスでは、樹脂絶縁膜の上に導体をメッキする際
に、樹脂絶縁膜と導体メッキとの密着性の向上のため、
メッキ工程に先がけて樹脂絶縁膜の表面を粗化し、凹凸
パターンを付与することが一般に行われている。樹脂絶
縁膜の表面粗化のためには、従来より、絶縁膜の導体形
成面に化学的エッチングによって多数の微細な凹みを設
ける方法が知られている。例えば、特開平8−2904
78号公報には、配線パターンを形成した基板の上に、
薬液に可溶性の粉末(一般に、「充填材」あるいは「フ
ィラー」という)を混合した樹脂絶縁膜を形成し、金属
メッキで配線パターンを形成する前に、その樹脂絶縁膜
からエッチング処理(表面粗化処理)によって粉末を溶
解除去し、微細な凹みを絶縁膜表面に設けることを特徴
とする多層配線板の製造方法が開示されている。凹みの
形成のための粉末としては、例えば、硫酸バリウム、炭
酸カルシウム、シリカ等の無機粉末や、シリコーンゴ
ム、ポリメチルメタクリレート等の有機粉末がある。樹
脂絶縁膜から粉末を溶解除去するための薬液としては、
その粉末の種類に依存するけれども、例えば、硫酸、塩
酸等の無機酸類や、カセイソーダ等のアルカリ水溶液あ
るいは有機溶剤がある。
プロセスでは、樹脂絶縁膜の上に導体をメッキする際
に、樹脂絶縁膜と導体メッキとの密着性の向上のため、
メッキ工程に先がけて樹脂絶縁膜の表面を粗化し、凹凸
パターンを付与することが一般に行われている。樹脂絶
縁膜の表面粗化のためには、従来より、絶縁膜の導体形
成面に化学的エッチングによって多数の微細な凹みを設
ける方法が知られている。例えば、特開平8−2904
78号公報には、配線パターンを形成した基板の上に、
薬液に可溶性の粉末(一般に、「充填材」あるいは「フ
ィラー」という)を混合した樹脂絶縁膜を形成し、金属
メッキで配線パターンを形成する前に、その樹脂絶縁膜
からエッチング処理(表面粗化処理)によって粉末を溶
解除去し、微細な凹みを絶縁膜表面に設けることを特徴
とする多層配線板の製造方法が開示されている。凹みの
形成のための粉末としては、例えば、硫酸バリウム、炭
酸カルシウム、シリカ等の無機粉末や、シリコーンゴ
ム、ポリメチルメタクリレート等の有機粉末がある。樹
脂絶縁膜から粉末を溶解除去するための薬液としては、
その粉末の種類に依存するけれども、例えば、硫酸、塩
酸等の無機酸類や、カセイソーダ等のアルカリ水溶液あ
るいは有機溶剤がある。
【0007】さらに具体的に説明すると、従来のビルト
アップ法に基づく基板作製プロセスでは、表面粗化処理
のための充填材として、絶縁膜の膜厚(通常、40〜1
00μm)を考慮して、1〜10μmの平均粒径、すな
わち、累積分布の50%に相当する粒子径、を有する粒
子状充填材を使用してきている。この充填材は、通常、
天然に産出する鉱物(例えば、石灰石)を粉砕、分級し
たもの、例えば、重質炭酸カルシウムである。
アップ法に基づく基板作製プロセスでは、表面粗化処理
のための充填材として、絶縁膜の膜厚(通常、40〜1
00μm)を考慮して、1〜10μmの平均粒径、すな
わち、累積分布の50%に相当する粒子径、を有する粒
子状充填材を使用してきている。この充填材は、通常、
天然に産出する鉱物(例えば、石灰石)を粉砕、分級し
たもの、例えば、重質炭酸カルシウムである。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ビルトアップ配線用絶
縁膜の膜厚は、上記したように、通常40〜100μm
程度であるけれども、近年の電子回路の微細化、多層
化、そして電子部品の高密度実装化に伴い、薄膜化が進
行し、最近では20μm前後の膜厚を有する絶縁膜まで
開発されつつある。また、ビアホールも高密度化が要求
され、最近では直径50μm前後のビアホールも検討さ
れている。しかし、このような絶縁膜において、今まで
多用されてきた通常の充填材(すなわち、1〜10μm
の平均粒径を有する天然産出鉱物由来の粒子状充填材)
を使用した場合には、一般的に行われている銅メッキ配
線時の湿式粗化によって所望とするよりも過大なサイズ
(直径5〜10μm程度)の孔が開き、絶縁性が低下し
てしまうという問題が発生する。
縁膜の膜厚は、上記したように、通常40〜100μm
程度であるけれども、近年の電子回路の微細化、多層
化、そして電子部品の高密度実装化に伴い、薄膜化が進
行し、最近では20μm前後の膜厚を有する絶縁膜まで
開発されつつある。また、ビアホールも高密度化が要求
され、最近では直径50μm前後のビアホールも検討さ
れている。しかし、このような絶縁膜において、今まで
多用されてきた通常の充填材(すなわち、1〜10μm
の平均粒径を有する天然産出鉱物由来の粒子状充填材)
を使用した場合には、一般的に行われている銅メッキ配
線時の湿式粗化によって所望とするよりも過大なサイズ
(直径5〜10μm程度)の孔が開き、絶縁性が低下し
てしまうという問題が発生する。
【0009】また、天然の鉱物を粉砕、分級して得た充
填材を添加する従来の方法は、膜厚20μm前後の薄膜
の絶縁膜に対して見た場合に、導体メッキの密着力、絶
縁性及び解像性のすべてにおいて要求を満足させること
ができないという問題を有している。また、特に、炭酸
カルシウムからなる充填材は、高温高湿下における絶縁
信頼性の面で問題がある。
填材を添加する従来の方法は、膜厚20μm前後の薄膜
の絶縁膜に対して見た場合に、導体メッキの密着力、絶
縁性及び解像性のすべてにおいて要求を満足させること
ができないという問題を有している。また、特に、炭酸
カルシウムからなる充填材は、高温高湿下における絶縁
信頼性の面で問題がある。
【0010】先に参照した特開平8−290478号公
報にも開示されているように、炭酸カルシウムに代え
て、その他の粒子を充填材として使用することも考えら
れる。しかし、他の粒子状充填材(有機粒子も含めて)
を使用しても、湿式粗化によって過大なサイズの孔が開
いてしまい、微細な凹みを形成することができない。実
際、本発明者は、市販の粒状ポリイミドを充填材として
使用して絶縁膜の表面粗化処理を行ったところ、約10
μmの直径を有する大きな凹みが形成されるという問題
に遭遇した。
報にも開示されているように、炭酸カルシウムに代え
て、その他の粒子を充填材として使用することも考えら
れる。しかし、他の粒子状充填材(有機粒子も含めて)
を使用しても、湿式粗化によって過大なサイズの孔が開
いてしまい、微細な凹みを形成することができない。実
際、本発明者は、市販の粒状ポリイミドを充填材として
使用して絶縁膜の表面粗化処理を行ったところ、約10
μmの直径を有する大きな凹みが形成されるという問題
に遭遇した。
【0011】本発明の目的は、従来の技術のこのような
問題を解消して、耐熱性、導体密着力、絶縁性及び高温
高湿下における絶縁信頼性のすべてに優れた樹脂絶縁膜
を形成することのできる新規な樹脂組成物を提供するこ
とにある。本発明のもう1つの目的は、本発明の樹脂組
成物を使用した層間絶縁膜を提供することにある。
問題を解消して、耐熱性、導体密着力、絶縁性及び高温
高湿下における絶縁信頼性のすべてに優れた樹脂絶縁膜
を形成することのできる新規な樹脂組成物を提供するこ
とにある。本発明のもう1つの目的は、本発明の樹脂組
成物を使用した層間絶縁膜を提供することにある。
【0012】本発明のさらにもう1つの目的は、本発明
の樹脂組成物から形成された層間絶縁膜を有する多層回
路基板を提供することにある。本発明のこれらの目的及
びその他の目的は、以下の詳細な説明から容易に理解す
ることができるであろう。
の樹脂組成物から形成された層間絶縁膜を有する多層回
路基板を提供することにある。本発明のこれらの目的及
びその他の目的は、以下の詳細な説明から容易に理解す
ることができるであろう。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明は、その1つの面
において、アルカリ溶液に不溶でありかつ耐熱性を有す
る樹脂を加熱により形成可能な熱硬化性材料と、アルカ
リ溶液に可溶であるかもしくはアルカリ溶液の作用によ
り樹脂組成物から分離可能であるポリイミド樹脂を加熱
により形成可能なポリイミド形成材料とを含んでなるこ
とを特徴とする耐熱性樹脂組成物にある。
において、アルカリ溶液に不溶でありかつ耐熱性を有す
る樹脂を加熱により形成可能な熱硬化性材料と、アルカ
リ溶液に可溶であるかもしくはアルカリ溶液の作用によ
り樹脂組成物から分離可能であるポリイミド樹脂を加熱
により形成可能なポリイミド形成材料とを含んでなるこ
とを特徴とする耐熱性樹脂組成物にある。
【0014】すなわち、本発明の上記した目的は、本発
明の好ましい1態様を参照して説明すると、耐熱性に優
れる熱硬化性樹脂と、加熱することでポリイミドを形成
するポリイミドの単量体又はポリイミド前駆体を、後者
の量が樹脂組成物の全量(溶媒を除く)の4〜40重量
%、好ましくは5〜20重量%の範囲となるように配合
して得た樹脂組成物を用いて樹脂膜を形成し、そしてそ
の樹脂膜から、特にその表面部分に存在するポリイミド
を、そのポリイミドが溶解可能なあるいは膜表面から分
離(脱離)可能なアルカリ溶液、好ましくは、例えば過
マンガン酸処理溶液で、浸漬、噴霧などにより表面処理
することにより、除去することによって達成することが
できる。表面処理の完了後、樹脂膜の表面には、ポリイ
ミドの溶解除去あるいは脱落に原因する微細な凹凸が形
成される。このようにして形成される凹みのサイズは、
20μm前後の小さな膜厚を有する絶縁膜にあわせて、
約1〜2μmの微小サイズである。
明の好ましい1態様を参照して説明すると、耐熱性に優
れる熱硬化性樹脂と、加熱することでポリイミドを形成
するポリイミドの単量体又はポリイミド前駆体を、後者
の量が樹脂組成物の全量(溶媒を除く)の4〜40重量
%、好ましくは5〜20重量%の範囲となるように配合
して得た樹脂組成物を用いて樹脂膜を形成し、そしてそ
の樹脂膜から、特にその表面部分に存在するポリイミド
を、そのポリイミドが溶解可能なあるいは膜表面から分
離(脱離)可能なアルカリ溶液、好ましくは、例えば過
マンガン酸処理溶液で、浸漬、噴霧などにより表面処理
することにより、除去することによって達成することが
できる。表面処理の完了後、樹脂膜の表面には、ポリイ
ミドの溶解除去あるいは脱落に原因する微細な凹凸が形
成される。このようにして形成される凹みのサイズは、
20μm前後の小さな膜厚を有する絶縁膜にあわせて、
約1〜2μmの微小サイズである。
【0015】また、本発明は、そのもう1つの面におい
て、本発明の耐熱性樹脂組成物から形成された樹脂膜で
あり、かつその樹脂膜の表面に、アルカリ溶液の作用の
結果として溶解除去あるいは分離されたポリイミド樹脂
に由来する微細な凹凸を有していることを特徴とする層
間絶縁膜にある。さらに、本発明は、そのもう1つの面
において、本発明の層間絶縁膜を備え、その層間絶縁膜
の凹凸保有面の上に配線パターンが被着されていること
を特徴とする多層回路基板にある。
て、本発明の耐熱性樹脂組成物から形成された樹脂膜で
あり、かつその樹脂膜の表面に、アルカリ溶液の作用の
結果として溶解除去あるいは分離されたポリイミド樹脂
に由来する微細な凹凸を有していることを特徴とする層
間絶縁膜にある。さらに、本発明は、そのもう1つの面
において、本発明の層間絶縁膜を備え、その層間絶縁膜
の凹凸保有面の上に配線パターンが被着されていること
を特徴とする多層回路基板にある。
【0016】
【発明の実施の形態】次いで、本発明をその好ましい実
施の形態を参照して説明する。本発明により提供される
耐熱性樹脂組成物は、上記したように、下記の2種類の
成分: (1)アルカリ溶液に不溶でありかつ耐熱性を有する樹
脂を加熱により形成可能な熱硬化性材料、及び(2)ア
ルカリ溶液に可溶であるかもしくはアルカリ溶液の作用
により樹脂組成物(ここで、「樹脂組成物」とは、樹脂
組成物から形成されるべき樹脂絶縁膜を指す)から分離
可能であるポリイミド樹脂を加熱により形成可能なポリ
イミド形成材料、を組み合わせて含有することを特徴と
する。
施の形態を参照して説明する。本発明により提供される
耐熱性樹脂組成物は、上記したように、下記の2種類の
成分: (1)アルカリ溶液に不溶でありかつ耐熱性を有する樹
脂を加熱により形成可能な熱硬化性材料、及び(2)ア
ルカリ溶液に可溶であるかもしくはアルカリ溶液の作用
により樹脂組成物(ここで、「樹脂組成物」とは、樹脂
組成物から形成されるべき樹脂絶縁膜を指す)から分離
可能であるポリイミド樹脂を加熱により形成可能なポリ
イミド形成材料、を組み合わせて含有することを特徴と
する。
【0017】熱硬化性材料は、絶縁膜の主体を構成する
ものであるので、良好な絶縁特性を奏するものであるこ
とはもちろんのこと、樹脂組成物から形成された樹脂膜
に対して表面粗化処理を施した時にその処理に使用され
るアルカリ溶液に溶解するものであってはならず、かつ
良好な耐熱性を有していることが必要である。さらに、
熱硬化性材料は、それに組み合わせて用いられるポリイ
ミド形成材料の良好な分散を保証するものであることが
好ましい。
ものであるので、良好な絶縁特性を奏するものであるこ
とはもちろんのこと、樹脂組成物から形成された樹脂膜
に対して表面粗化処理を施した時にその処理に使用され
るアルカリ溶液に溶解するものであってはならず、かつ
良好な耐熱性を有していることが必要である。さらに、
熱硬化性材料は、それに組み合わせて用いられるポリイ
ミド形成材料の良好な分散を保証するものであることが
好ましい。
【0018】本発明の実施において用いられる熱硬化性
材料は、好ましくは熱硬化性の樹脂であり、さらに好ま
しくは、ポリアミドイミド樹脂、縮合多環多核芳香族樹
脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂などである。これ
らの樹脂は、通常、単独で使用されるけれども、必要に
応じて2種以上を混合して使用してもよい。ポリアミド
イミド熱硬化性樹脂は、通常、その前駆体の状態で樹脂
組成物中に含まれ、加熱によりポリアミドイミドとなる
ことができる。このような熱硬化性樹脂は、例えば、日
立化成社から「HPC−5000」(商品名)として商
業的に入手可能である。
材料は、好ましくは熱硬化性の樹脂であり、さらに好ま
しくは、ポリアミドイミド樹脂、縮合多環多核芳香族樹
脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂などである。これ
らの樹脂は、通常、単独で使用されるけれども、必要に
応じて2種以上を混合して使用してもよい。ポリアミド
イミド熱硬化性樹脂は、通常、その前駆体の状態で樹脂
組成物中に含まれ、加熱によりポリアミドイミドとなる
ことができる。このような熱硬化性樹脂は、例えば、日
立化成社から「HPC−5000」(商品名)として商
業的に入手可能である。
【0019】また、縮合多環多核芳香族熱硬化性樹脂
は、通常、その前駆体の状態で樹脂組成物中に含まれ、
加熱することで縮合多環多核芳香族樹脂を形成すること
ができるものである。形成される縮合多環多核芳香族樹
脂は、例えばそのガラス転移温度(Tg)が250℃前後
であり、耐熱性が高く、比誘電率は約3.1であり、ポ
リイミド樹脂よりも低く、また、吸水率は約0.37%
であり、ポリイミド樹脂よりも著しく低い。また、ポリ
イミド樹脂の長期耐熱温度は約200℃にすぎないが、
本発明で使用する縮合多環多核芳香族樹脂のそれは約2
60℃であり、高密度多層配線にも耐える耐熱性を有し
ている。このような熱硬化性樹脂は、好ましくは、縮合
多環芳香族化合物(例えば、ナフタレン、アントラセ
ン、ピレン等)又は縮合多環芳香族化合物と単環芳香族
化合物(例えば、フェノール、レゾルシン、アルキルベ
ンゼン等)との混合物からなる原料物質を、酸触媒(例
えば、スルホン酸等)の存在下、少なくとも2個のヒド
ロキシメチル基又はハロメチル基を有する芳香族化合物
からなる架橋剤(例えば、キシリレングリコール、ジヒ
ドロキシメチルキシレン、トリヒドロキシメチル等のヒ
ドロキシメチル化合物)と反応させることによって、得
ることができる。このような熱硬化性樹脂は、一般的に
は「コプナ樹脂」なる名称で呼ばれている。
は、通常、その前駆体の状態で樹脂組成物中に含まれ、
加熱することで縮合多環多核芳香族樹脂を形成すること
ができるものである。形成される縮合多環多核芳香族樹
脂は、例えばそのガラス転移温度(Tg)が250℃前後
であり、耐熱性が高く、比誘電率は約3.1であり、ポ
リイミド樹脂よりも低く、また、吸水率は約0.37%
であり、ポリイミド樹脂よりも著しく低い。また、ポリ
イミド樹脂の長期耐熱温度は約200℃にすぎないが、
本発明で使用する縮合多環多核芳香族樹脂のそれは約2
60℃であり、高密度多層配線にも耐える耐熱性を有し
ている。このような熱硬化性樹脂は、好ましくは、縮合
多環芳香族化合物(例えば、ナフタレン、アントラセ
ン、ピレン等)又は縮合多環芳香族化合物と単環芳香族
化合物(例えば、フェノール、レゾルシン、アルキルベ
ンゼン等)との混合物からなる原料物質を、酸触媒(例
えば、スルホン酸等)の存在下、少なくとも2個のヒド
ロキシメチル基又はハロメチル基を有する芳香族化合物
からなる架橋剤(例えば、キシリレングリコール、ジヒ
ドロキシメチルキシレン、トリヒドロキシメチル等のヒ
ドロキシメチル化合物)と反応させることによって、得
ることができる。このような熱硬化性樹脂は、一般的に
は「コプナ樹脂」なる名称で呼ばれている。
【0020】得られる樹脂絶縁膜において表面粗化処理
の結果として微細な凹みを形成するために用いられるポ
リイミド形成材料は、好ましくは、本発明に従い加熱を
行う時にポリイミド樹脂を形成することができる材料、
例えば、ポリイミド樹脂の出発化合物としての単量体
(例えば、ポリアミド酸、ポリメリット酸二無水物、芳
香族ジアミン及びその無水物、その他)であるか、ある
いは高分子化学の分野においてよく知られているポリイ
ミド前駆体である。ポリイミド樹脂は、一般的にアルカ
リ溶液に対する耐性が低く、したがって、通常のポリイ
ミドを形成するワニスが使用可能である。このようなポ
リイミド形成材料は、例えば、日立化成社から「PIX
シリーズ」として、あるいは東レ社から「セミコファイ
ンシリーズ」として、それぞれ入手可能である。
の結果として微細な凹みを形成するために用いられるポ
リイミド形成材料は、好ましくは、本発明に従い加熱を
行う時にポリイミド樹脂を形成することができる材料、
例えば、ポリイミド樹脂の出発化合物としての単量体
(例えば、ポリアミド酸、ポリメリット酸二無水物、芳
香族ジアミン及びその無水物、その他)であるか、ある
いは高分子化学の分野においてよく知られているポリイ
ミド前駆体である。ポリイミド樹脂は、一般的にアルカ
リ溶液に対する耐性が低く、したがって、通常のポリイ
ミドを形成するワニスが使用可能である。このようなポ
リイミド形成材料は、例えば、日立化成社から「PIX
シリーズ」として、あるいは東レ社から「セミコファイ
ンシリーズ」として、それぞれ入手可能である。
【0021】上記したようなポリイミド形成材料は、耐
熱性樹脂組成物の全量(しかし、樹脂成分の溶解のため
に使用された溶媒が組成物中に含まれるような場合に
は、溶媒を除く)を基準にして4〜40重量%の量で含
まれることが好ましく、さらに好ましくは、5〜20重
量%の量で含まれる。しかし、上述のような適用可能な
組み合わせは汎用的なものではない。例えば、縮合多環
多核芳香族樹脂(コプナ樹脂)とエポキシ基を含有する
化合物を混合した場合には、それらの混合後に両者の間
で反応が生じ、ゲル化を起こしてしまう。
熱性樹脂組成物の全量(しかし、樹脂成分の溶解のため
に使用された溶媒が組成物中に含まれるような場合に
は、溶媒を除く)を基準にして4〜40重量%の量で含
まれることが好ましく、さらに好ましくは、5〜20重
量%の量で含まれる。しかし、上述のような適用可能な
組み合わせは汎用的なものではない。例えば、縮合多環
多核芳香族樹脂(コプナ樹脂)とエポキシ基を含有する
化合物を混合した場合には、それらの混合後に両者の間
で反応が生じ、ゲル化を起こしてしまう。
【0022】本発明の耐熱性樹脂組成物には、必要に応
じて、各種の添加剤を任意に添加することができる。例
えば、好ましい添加剤として、無機充填材、シリカ、ア
ルミナ、アエロジルTMなどの微粉末を挙げることができ
る。その他の有用な添加剤としては、例えば、フタロシ
アニン等の着色顔料、シリコーン、フッ素系化合物等の
消泡剤、レベリング剤、酸化防止剤などを挙げることが
できる。
じて、各種の添加剤を任意に添加することができる。例
えば、好ましい添加剤として、無機充填材、シリカ、ア
ルミナ、アエロジルTMなどの微粉末を挙げることができ
る。その他の有用な添加剤としては、例えば、フタロシ
アニン等の着色顔料、シリコーン、フッ素系化合物等の
消泡剤、レベリング剤、酸化防止剤などを挙げることが
できる。
【0023】本発明の耐熱性樹脂組成物は、一般的には
ワニス状のものとして処理基板上へ塗布される。ワニス
状の樹脂組成物は、好ましくは、上記したような成分を
適当な溶媒に溶解することによって調製することができ
る。ここで有利に使用することのできる溶媒は、以下に
列挙するものに限定されるわけではないけれども、例え
ば、エチレングリコールモノエーテル類、アセテート
類、シクロヘキサノン、トルエン、キシレン、N−メチ
ルピロリドン等の有機溶剤を挙げることができる。
ワニス状のものとして処理基板上へ塗布される。ワニス
状の樹脂組成物は、好ましくは、上記したような成分を
適当な溶媒に溶解することによって調製することができ
る。ここで有利に使用することのできる溶媒は、以下に
列挙するものに限定されるわけではないけれども、例え
ば、エチレングリコールモノエーテル類、アセテート
類、シクロヘキサノン、トルエン、キシレン、N−メチ
ルピロリドン等の有機溶剤を挙げることができる。
【0024】本発明の耐熱性樹脂組成物は、それを加熱
硬化すると、熱硬化樹脂と、その樹脂中にある粒径をも
って粒状に分離し、分散せしめられたポリイミド樹脂と
からなる複合樹脂が、好ましくは樹脂膜の形で得られ
る。なお、得られる複合樹脂において、熱硬化樹脂とポ
リイミド樹脂の分布状態やポリイミド樹脂の粒径など
は、いろいろなファクタ、例えば、熱硬化性樹脂及びポ
リイミド樹脂の種類、組成比などによって変化するの
で、これらのファクタを考慮して、本発明の目的に合致
した耐熱性樹脂組成物を調製することが好ましい。例え
ば、ポリイミド樹脂の含有量を40重量%以下、さらに
好ましくは20重量%以下とすることで、樹脂膜をアル
カリ溶液で表面粗化処理した時に、表層のポリイミドの
みを樹脂膜から分離させ、よって、ポリイミドの脱落に
原因する微細な凹凸を樹脂膜の表面に形成することがで
きる。なお、樹脂膜の表面粗化処理に関して、有利に用
いることのできるアルカリ溶液は、過マンガン酸溶液や
それに類する作用を有する溶液であり、また、処理工程
は、浸漬法によって行うことが好ましいが、必要に応じ
て、噴霧法やその他の方法を使用してもよい。
硬化すると、熱硬化樹脂と、その樹脂中にある粒径をも
って粒状に分離し、分散せしめられたポリイミド樹脂と
からなる複合樹脂が、好ましくは樹脂膜の形で得られ
る。なお、得られる複合樹脂において、熱硬化樹脂とポ
リイミド樹脂の分布状態やポリイミド樹脂の粒径など
は、いろいろなファクタ、例えば、熱硬化性樹脂及びポ
リイミド樹脂の種類、組成比などによって変化するの
で、これらのファクタを考慮して、本発明の目的に合致
した耐熱性樹脂組成物を調製することが好ましい。例え
ば、ポリイミド樹脂の含有量を40重量%以下、さらに
好ましくは20重量%以下とすることで、樹脂膜をアル
カリ溶液で表面粗化処理した時に、表層のポリイミドの
みを樹脂膜から分離させ、よって、ポリイミドの脱落に
原因する微細な凹凸を樹脂膜の表面に形成することがで
きる。なお、樹脂膜の表面粗化処理に関して、有利に用
いることのできるアルカリ溶液は、過マンガン酸溶液や
それに類する作用を有する溶液であり、また、処理工程
は、浸漬法によって行うことが好ましいが、必要に応じ
て、噴霧法やその他の方法を使用してもよい。
【0025】樹脂膜、すなわち、絶縁膜の形成後、好ま
しくは、その表面(凹凸保有面)に配線パターンを常法
に従って施すことができる。特に本発明の場合、得られ
た絶縁膜を層間絶縁膜として使用して、多層回路基板を
有利に形成することができる。例えば、配線パターンの
形成のために無電解銅メッキや電解銅メッキを行う場合
には、絶縁膜表面の微細な凹凸が銅のアンカーとして作
用して、絶縁膜とその上のメッキ層とを強固に結合させ
ることができる。なお、加熱によって形成されるポリイ
ミド樹脂は、得られる絶縁膜中に5重量%以上の量で含
まれるのが好ましく、特に10重量%以上の量で含まれ
るのが好ましい。なぜならば、このポリイミド樹脂の量
が少なすぎると、形成される凹凸が僅かとなり、銅のア
ンカーとして作用することができず、所望とする密着性
が得られなくなるからである。
しくは、その表面(凹凸保有面)に配線パターンを常法
に従って施すことができる。特に本発明の場合、得られ
た絶縁膜を層間絶縁膜として使用して、多層回路基板を
有利に形成することができる。例えば、配線パターンの
形成のために無電解銅メッキや電解銅メッキを行う場合
には、絶縁膜表面の微細な凹凸が銅のアンカーとして作
用して、絶縁膜とその上のメッキ層とを強固に結合させ
ることができる。なお、加熱によって形成されるポリイ
ミド樹脂は、得られる絶縁膜中に5重量%以上の量で含
まれるのが好ましく、特に10重量%以上の量で含まれ
るのが好ましい。なぜならば、このポリイミド樹脂の量
が少なすぎると、形成される凹凸が僅かとなり、銅のア
ンカーとして作用することができず、所望とする密着性
が得られなくなるからである。
【0026】引き続いて、本発明の耐熱性樹脂組成物を
用いてビルトアップ法により多層回路基板を作製する方
法について説明する。なお、以下に記載する方法は一例
であって、本発明の範囲内において任意の変更を行い得
ることを理解されたい。まず、本発明の樹脂組成物を、
例えばスクリーン印刷、カーテンコート、ロールコー
ト、スピンコートなどの塗布法により電子回路基板上に
塗布する。形成される樹脂皮膜の厚さは、任意に変更可
能であるけれども、最近の薄膜化に対応して、通常、2
0μmもしくはそれ以下である。次いで、適当な温度、
例えば50〜150℃の温度に加熱して樹脂皮膜を乾燥
させる。次いで、樹脂皮膜をさらに高温(例えば、15
0〜250℃)で加熱して、熱硬化性樹脂及びポリイミ
ド形成材料をそれぞれ対応の熱硬化樹脂及びポリイミド
樹脂に加熱硬化させる。その後、電子回路基板のうち
の、引き続いて上層に形成される電子回路と接続される
べき部位(ビアホール部分)を、例えばレーザー加工に
より形成する。レーザー加工機としては、例えば、炭酸
ガスレーザー、エキシマレーザー、YAGレーザーなど
を用いた装置を使用することができる。
用いてビルトアップ法により多層回路基板を作製する方
法について説明する。なお、以下に記載する方法は一例
であって、本発明の範囲内において任意の変更を行い得
ることを理解されたい。まず、本発明の樹脂組成物を、
例えばスクリーン印刷、カーテンコート、ロールコー
ト、スピンコートなどの塗布法により電子回路基板上に
塗布する。形成される樹脂皮膜の厚さは、任意に変更可
能であるけれども、最近の薄膜化に対応して、通常、2
0μmもしくはそれ以下である。次いで、適当な温度、
例えば50〜150℃の温度に加熱して樹脂皮膜を乾燥
させる。次いで、樹脂皮膜をさらに高温(例えば、15
0〜250℃)で加熱して、熱硬化性樹脂及びポリイミ
ド形成材料をそれぞれ対応の熱硬化樹脂及びポリイミド
樹脂に加熱硬化させる。その後、電子回路基板のうち
の、引き続いて上層に形成される電子回路と接続される
べき部位(ビアホール部分)を、例えばレーザー加工に
より形成する。レーザー加工機としては、例えば、炭酸
ガスレーザー、エキシマレーザー、YAGレーザーなど
を用いた装置を使用することができる。
【0027】電子回路基板にビアホールを形成した後、
絶縁膜中に含まれるポリイミド樹脂を除去するための表
面粗化処理を実施する。処理液としては、好ましくは、
過マンガン酸の水溶液等のアルカリ溶液を有利に使用す
ることができ、また、処理液の適用には、浸漬法を有利
に使用することができる。絶縁膜の表面から粒子状のポ
リイミドが選択的に除去されて、約1〜3μmの直径を
有する微細な凹みや細孔が形成される。引き続いて、表
面粗化処理後の絶縁膜の上に配線パターンを形成する。
配線パターンの形成は、常法に従って行うことができ
る。例えば、絶縁膜の表面を清浄にした後、無電解メッ
キ、電解メッキなどにより導体(例えば、銅)の薄膜を
形成し、さらにこれをパターニングする。このようにし
て導体パターン(配線パターン)を形成した後、樹脂組
成物の塗布から導体パターンの形成までの一連の工程を
所定の回数にわたって繰り返す。
絶縁膜中に含まれるポリイミド樹脂を除去するための表
面粗化処理を実施する。処理液としては、好ましくは、
過マンガン酸の水溶液等のアルカリ溶液を有利に使用す
ることができ、また、処理液の適用には、浸漬法を有利
に使用することができる。絶縁膜の表面から粒子状のポ
リイミドが選択的に除去されて、約1〜3μmの直径を
有する微細な凹みや細孔が形成される。引き続いて、表
面粗化処理後の絶縁膜の上に配線パターンを形成する。
配線パターンの形成は、常法に従って行うことができ
る。例えば、絶縁膜の表面を清浄にした後、無電解メッ
キ、電解メッキなどにより導体(例えば、銅)の薄膜を
形成し、さらにこれをパターニングする。このようにし
て導体パターン(配線パターン)を形成した後、樹脂組
成物の塗布から導体パターンの形成までの一連の工程を
所定の回数にわたって繰り返す。
【0028】上記のようにして作製することのできる多
層回路基板は、本発明の樹脂組成物を使用したことによ
り、すなわち、絶縁膜の表面に微細な凹みや細孔を形成
する成分としてポリイミドを使用したことにより、従来
の多層回路基板(絶縁膜にあらかじめ無機フィラーを添
加し、分散しておいて表面粗化処理を行ったもの)に比
較して、耐熱性が高く、しかも絶縁信頼性に優れる層間
絶縁膜を備えることができる。
層回路基板は、本発明の樹脂組成物を使用したことによ
り、すなわち、絶縁膜の表面に微細な凹みや細孔を形成
する成分としてポリイミドを使用したことにより、従来
の多層回路基板(絶縁膜にあらかじめ無機フィラーを添
加し、分散しておいて表面粗化処理を行ったもの)に比
較して、耐熱性が高く、しかも絶縁信頼性に優れる層間
絶縁膜を備えることができる。
【0029】
【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。例1 ポリアミドイミド熱硬化性樹脂(日立化成社製、HPC
−5000)及びポリイミドモノマーワニス(東レ社
製、セミコファインSP−433)をそれらの重量比が
80:20(溶媒を除く)となるように配合してワニス
状樹脂組成物を調製した。
−5000)及びポリイミドモノマーワニス(東レ社
製、セミコファインSP−433)をそれらの重量比が
80:20(溶媒を除く)となるように配合してワニス
状樹脂組成物を調製した。
【0030】得られた樹脂組成物を銅箔基板上に20μ
mの厚さで塗布し、120℃で30分間にわたって加熱
乾燥した。引き続いて、200℃まで40分を要して昇
温し、200℃で60分間にわたって加熱した後、室温
まで放冷した。次いで、樹脂膜付きの銅箔基板を、前処
理剤(シップレー社製、コンディショナー)に60℃で
10分間、酸化剤(シップレー社製、プロモータ、pH=
11)に70℃で10分間、そして中和剤(シップレー
社製、ニュートライザー)に60℃で10分間、順次浸
漬して処理した。このような処理の結果、樹脂膜の表面
に典型的には1μm径を有する微細な凹凸が形成され
た。
mの厚さで塗布し、120℃で30分間にわたって加熱
乾燥した。引き続いて、200℃まで40分を要して昇
温し、200℃で60分間にわたって加熱した後、室温
まで放冷した。次いで、樹脂膜付きの銅箔基板を、前処
理剤(シップレー社製、コンディショナー)に60℃で
10分間、酸化剤(シップレー社製、プロモータ、pH=
11)に70℃で10分間、そして中和剤(シップレー
社製、ニュートライザー)に60℃で10分間、順次浸
漬して処理した。このような処理の結果、樹脂膜の表面
に典型的には1μm径を有する微細な凹凸が形成され
た。
【0031】上記のようにして表面粗化処理を完了した
後、樹脂膜の凹凸表面の上に無電解銅メッキ・電解銅メ
ッキを施した。膜厚30μmの銅の薄膜が形成された。
この銅薄膜の樹脂膜に対する密着力を評価するため、ピ
ール強度を測定したところ、500g/cmであった。な
お、ピール強度の測定は、JIS C−6481(プリ
ント配線板用銅張積層板の試験方法)に記載の指針に従
って実施した。例2 前記例1に記載の手法を繰り返したが、本例の場合、ポ
リアミドイミド熱硬化性樹脂(日立化成社製、HPC−
5000)、ポリイミドモノマーワニス(日立化成社
製、PIX−3400)及びシリカ粉末(平均粒径4μ
m)をそれらの重量比が60:20:20(溶媒を除
く)となるように配合してワニス状樹脂組成物を調製し
た。得られた結果は前記例1に記載のものに比較可能で
あり、また、ピール強度は700g/cmであった。例3 前記例1に記載の手法を繰り返したが、本例の場合、コ
プナ樹脂(住友金属工業社製、SKレジン)、ポリイミ
ドモノマーワニス(日立化成社製、PIX−3400)
及びシリカ粉末(平均粒径4μm)をそれらの重量比が
60:20:20(溶媒を除く)となるように配合して
ワニス状樹脂組成物を調製し、また、調製した樹脂組成
物を、銅箔基板上に20μmの厚さで塗布した後、12
0℃で20分間にわたって加熱乾燥し、引き続いて、1
80℃で30分間にわたって加熱し、さらに220℃で
60分間にわたって加熱した後、室温まで放冷した。
後、樹脂膜の凹凸表面の上に無電解銅メッキ・電解銅メ
ッキを施した。膜厚30μmの銅の薄膜が形成された。
この銅薄膜の樹脂膜に対する密着力を評価するため、ピ
ール強度を測定したところ、500g/cmであった。な
お、ピール強度の測定は、JIS C−6481(プリ
ント配線板用銅張積層板の試験方法)に記載の指針に従
って実施した。例2 前記例1に記載の手法を繰り返したが、本例の場合、ポ
リアミドイミド熱硬化性樹脂(日立化成社製、HPC−
5000)、ポリイミドモノマーワニス(日立化成社
製、PIX−3400)及びシリカ粉末(平均粒径4μ
m)をそれらの重量比が60:20:20(溶媒を除
く)となるように配合してワニス状樹脂組成物を調製し
た。得られた結果は前記例1に記載のものに比較可能で
あり、また、ピール強度は700g/cmであった。例3 前記例1に記載の手法を繰り返したが、本例の場合、コ
プナ樹脂(住友金属工業社製、SKレジン)、ポリイミ
ドモノマーワニス(日立化成社製、PIX−3400)
及びシリカ粉末(平均粒径4μm)をそれらの重量比が
60:20:20(溶媒を除く)となるように配合して
ワニス状樹脂組成物を調製し、また、調製した樹脂組成
物を、銅箔基板上に20μmの厚さで塗布した後、12
0℃で20分間にわたって加熱乾燥し、引き続いて、1
80℃で30分間にわたって加熱し、さらに220℃で
60分間にわたって加熱した後、室温まで放冷した。
【0032】得られた結果は前記例1に記載のものに比
較可能であり、また、ピール強度は800g/cmであっ
た。比較例1 前記例1に記載の手法を繰り返したが、本例の場合、比
較のため、コプナ樹脂(住友金属工業社製、SKレジ
ン)及びエポキシ化ポリブタジエン樹脂(ダイセル社
製、エポリード3400)をそれらの重量比が70:3
0(溶媒を除く)となるように配合してワニス状樹脂組
成物を調製した。しかし、得られた樹脂組成物は24時
間の経過後に非流動性のゲルとなり、引き続く工程で銅
箔基板上に塗布することができなかった。比較例2 前記例1に記載の手法を繰り返したが、本例の場合、比
較のため、ポリアミドイミド熱硬化性樹脂(日立化成社
製、HPC−5000)及びポリイミドモノマーワニス
(日立化成社製、PIX−3400)をそれらの重量比
が20:80(溶媒を除く)となるように配合してワニ
ス状樹脂組成物を調製した。
較可能であり、また、ピール強度は800g/cmであっ
た。比較例1 前記例1に記載の手法を繰り返したが、本例の場合、比
較のため、コプナ樹脂(住友金属工業社製、SKレジ
ン)及びエポキシ化ポリブタジエン樹脂(ダイセル社
製、エポリード3400)をそれらの重量比が70:3
0(溶媒を除く)となるように配合してワニス状樹脂組
成物を調製した。しかし、得られた樹脂組成物は24時
間の経過後に非流動性のゲルとなり、引き続く工程で銅
箔基板上に塗布することができなかった。比較例2 前記例1に記載の手法を繰り返したが、本例の場合、比
較のため、ポリアミドイミド熱硬化性樹脂(日立化成社
製、HPC−5000)及びポリイミドモノマーワニス
(日立化成社製、PIX−3400)をそれらの重量比
が20:80(溶媒を除く)となるように配合してワニ
ス状樹脂組成物を調製した。
【0033】前記例1に記載のようにして引き続く処理
を実施したけれども、本例の場合、樹脂膜の表面に微細
な凹凸は形成されず、したがって、銅薄膜の樹脂膜に対
する密着力(ピール強度)は100g/cmにも達しなか
った。
を実施したけれども、本例の場合、樹脂膜の表面に微細
な凹凸は形成されず、したがって、銅薄膜の樹脂膜に対
する密着力(ピール強度)は100g/cmにも達しなか
った。
【0034】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の耐熱性
樹脂組成物では、表面粗化用の充填材としてポリイミド
を使用し、また、組成物の段階ではそのポリイミドを前
駆体の状態で利用しているので、従来のものと比較し
て、耐熱性、導体密着力、絶縁性及び高温高湿下におけ
る絶縁信頼性のすべてに優れた樹脂絶縁膜を提供するこ
とができ、特に回路基板のビルトアップ配線用絶縁膜の
形成に大きく貢献することができる。また、この樹脂絶
縁膜を層間絶縁膜として組み込みことにより、最近の小
型化、高実装密度化、高性能化、低価格化などの要求を
満足させることができる多層回路基板を提供することが
できる。
樹脂組成物では、表面粗化用の充填材としてポリイミド
を使用し、また、組成物の段階ではそのポリイミドを前
駆体の状態で利用しているので、従来のものと比較し
て、耐熱性、導体密着力、絶縁性及び高温高湿下におけ
る絶縁信頼性のすべてに優れた樹脂絶縁膜を提供するこ
とができ、特に回路基板のビルトアップ配線用絶縁膜の
形成に大きく貢献することができる。また、この樹脂絶
縁膜を層間絶縁膜として組み込みことにより、最近の小
型化、高実装密度化、高性能化、低価格化などの要求を
満足させることができる多層回路基板を提供することが
できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/46 H05K 3/46 T // H05K 1/03 610 1/03 610N 3/38 3/38 A Fターム(参考) 4J002 CE00W CM04W CM04X DE146 DJ016 FD016 FD090 GQ01 5E343 AA16 AA18 BB24 BB67 CC43 ER31 ER39 GG01 5E346 AA12 AA15 BB01 CC08 CC10 DD03 EE33 EE38 EE39 FF12 GG02 GG15 GG16 GG17 GG19 GG27 HH07 HH08 HH11 HH18
Claims (5)
- 【請求項1】 アルカリ溶液に不溶でありかつ耐熱性を
有する樹脂を加熱により形成可能な熱硬化性材料と、ア
ルカリ溶液に可溶であるかもしくはアルカリ溶液の作用
により樹脂組成物から分離可能であるポリイミド樹脂を
加熱により形成可能なポリイミド形成材料とを含んでな
ることを特徴とする耐熱性樹脂組成物。 - 【請求項2】 前記熱硬化性材料が、ポリアミドイミド
樹脂、縮合多環多核芳香族樹脂又はビスマレイミド・ト
リアジン樹脂であることを特徴とする請求項1に記載の
耐熱性樹脂組成物。 - 【請求項3】 さらに無機充填材を含むことを特徴とす
る請求項1又は2に記載の耐熱性樹脂組成物。 - 【請求項4】 アルカリ溶液に不溶でありかつ耐熱性を
有する樹脂を加熱により形成可能な熱硬化性材料と、ア
ルカリ溶液に可溶であるかもしくはアルカリ溶液の作用
により樹脂組成物から分離可能であるポリイミド樹脂を
加熱により形成可能なポリイミド形成材料とを含んでな
る耐熱性樹脂組成物から形成された樹脂膜であり、かつ
その樹脂膜の表面に、アルカリ溶液の作用の結果として
溶解除去あるいは分離されたポリイミド樹脂に由来する
微細な凹凸を有していることを特徴とする層間絶縁膜。 - 【請求項5】 アルカリ溶液に不溶でありかつ耐熱性を
有する樹脂を加熱により形成可能な熱硬化性材料と、ア
ルカリ溶液に可溶であるかもしくはアルカリ溶液の作用
により樹脂組成物から分離可能であるポリイミド樹脂を
加熱により形成可能なポリイミド形成材料とを含んでな
る耐熱性樹脂組成物から形成された樹脂膜であり、かつ
その樹脂膜の表面に、アルカリ溶液の作用の結果として
溶解除去あるいは分離されたポリイミド樹脂に由来する
微細な凹凸を有している層間絶縁膜を備え、前記層間絶
縁膜の凹凸保有面の上に配線パターンが被着されている
ことを特徴とする多層回路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36690298A JP2000191910A (ja) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | 耐熱性樹脂組成物、層間絶縁膜及び多層回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36690298A JP2000191910A (ja) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | 耐熱性樹脂組成物、層間絶縁膜及び多層回路基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000191910A true JP2000191910A (ja) | 2000-07-11 |
Family
ID=18487979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP36690298A Withdrawn JP2000191910A (ja) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | 耐熱性樹脂組成物、層間絶縁膜及び多層回路基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000191910A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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1998
- 1998-12-24 JP JP36690298A patent/JP2000191910A/ja not_active Withdrawn
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