JP2006108175A - 回路基板用金属付きポリイミドフィルム及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 無機充填材含有ポリイミドフィルムをアルカリ性過マンガン酸溶液で処理した後、無電解銅メッキを行うか、または、無電解銅メッキ及び電解銅メッキを順次行う。好ましくは、アルカリ性過マンガン酸溶液として、過マンガン酸カリウム溶液または過マンガン酸ナトリウム溶液を用いる。
【選択図】 なし
Description
ポリイミドフィルムをアルカリ水溶液で処理して厚さ100〜1500Åの改質層を形成し、該改質層上に1μm以下の無電解メッキ金属層を形成し、加熱により金属を50Å以上かつ改質層全体厚さの範囲内で拡散させ、無電解メッキ、電解メッキにより導体層を所望の厚さにして導体層を形成する方法。
(2)特開平6−21157号公報(特許文献2)
ポリイミドフィルムを過マンガン酸塩または次亜塩素酸塩の水溶液で親水化し、不純物含有量が10質量%以下で厚みが0.01〜0.1μmであるニッケルメッキ層、コバルトメッキ層又はニッケル・コバルトメッキ層を無電解メッキで形成し、さらに無電解銅メッキ及び電解銅メッキにより導体層を形成する方法。
(3)特開平8−031881号公報(特許文献3)
ポリイミドフィルムを、ヒドラジン及びアルカリ金属水酸化物を含有する水溶液で処理し、触媒付与後、ニッケル、コバルト又は合金を無電解メッキにより設け、不活性雰囲気下で熱処理し、無電解銅メッキ及び電解銅メッキにより導体層を形成する方法。
(4)特開2000−289167号公報(特許文献4)
ポリイミド前駆体にパラジウム化合物を添加し加熱処理して得られたフィルムを希硫酸で活性化処理し、無電解銅メッキ及び電解銅メッキにより導体層を形成する方法。
(5)特開2002−208768号公報(特許文献5)
ポリイミドフィルムを、1級アミン含有有機ジスルフィド化合物又は1級アミン含有有機チオール化合物を含むアルカリ水溶液で処理し、洗浄、乾燥後、触媒を付与し、無電解銅メッキ及び電解銅メッキにより導体層を形成する方法。
(6)特開2002−256443号公報(特許文献6)
ポリイミドフィルムを、膨潤処理、アルカリ性過マンガン酸溶液による粗化処理、中和処理、脱脂処理、アルカリ処理によるイミド環を開環、銅イオン溶液処理による銅イオン吸着、還元処理による銅析出、無電解銅メッキ及び電解銅メッキにより導体層を形成する方法。
(7)特開2003−013243号公報(特許文献7)
ポリイミドフィルムを、アルカリ水酸化物水溶液で処理しイミド結合を加水分解、低分子の加水分解生成物を除去、触媒付与、無電解金属メッキ(強い密着強度が必要な場合無電解ニッケルメッキ後に無電解銅メッキを行うことが必要)を行う方法。
(8)特開2003−136632号公報(特許文献8)
アルコキシシラン変性ポリイミドによりポリイミドフィルムを作製し、パラジウム触媒溶液で処理後、無電解銅メッキ及び電解銅メッキにより導体層を形成する方法。
特に、ポリイミドフィルム層の少なくとも片面に密着強度の高い導体層を有し、かつ、耐熱性にも優れ、それを用いることで、電気絶縁性、耐熱性及び機械強度に優れた回路基板を実現できる、回路基板用の金属付きポリイミドフィルム、及びそのような金属付きポリイミドフィルムを、特殊な材料を使用することなく、しかも比較的少ない工程数で製造することがきる、金属付きポリイミドフィルムの製造方法を提供することである。
(1)無機充填材含有ポリイミドフィルムを、アルカリ性過マンガン酸溶液で処理し、無電解銅メッキを行うことを特徴とする、回路基板用金属付きポリイミドフィルムの製造方法。
(2)ポリアミック酸及び/又はポリイミド、並びに無機充填材を含有する樹脂組成物ワニスを加熱乾燥して得られる無機充填材含有ポリイミドフィルムを、アルカリ性過マンガン酸溶液で処理し、無電解銅メッキを行うことを特徴とする、上記(1)記載の方法。
(3)ポリアミック酸及び/又はポリイミド、並びに無機充填材を含有する樹脂組成物ワニスを支持体上に塗布し、加熱乾燥して得られる無機充填材含有ポリイミドフィルムに対して、アルカリ性過マンガン酸溶液処理及び無電解銅メッキを順次行うことを特徴とする、上記(1)記載の方法。
(4)支持体が銅箔であることを特徴とする、上記(3)記載の方法。
(5)支持体がポリイミドフィルムであることを特徴とする、上記(3)記載の方法。
(6)アルカリ性過マンガン酸溶液処理の前に、無機充填材含有ポリイミドフィルムをアルカリ溶液で膨潤処理することを特徴とする、上記(1)〜(5)のいずれか一つに記載の方法。
(7)無電解銅メッキの後、さらに電解銅メッキを行うことを特徴とする、上記(1)〜(6)のいずれか一つに記載の方法。
(8)無電解銅メッキの前に、無機充填材含有ポリアミドフィルム表面に触媒を付与することを特徴とする、上記(1)〜(7)のいずれか一つに記載の方法。
(9)触媒がパラジウムであることを特徴とする、上記(8)記載の方法。
(10)無機充填材が、シリカ、シリコン粒子及び炭酸カルシウムからなる群から選択される1種又は2種以上であることを特徴とする、上記(1)〜(9)のいずれか一つに記載の方法。
(11)無機充填材がシリカであることを特徴とする、上記(1)〜(10)のいずれか一つに記載の方法。
(12)無機充填材の平均粒径が0.01〜5μmであることを特徴とする、上記(1)〜(11)のいずれか一つに記載の方法。
(13)ワニス中の無機充填材の配合量がポリアミック酸及び/又はポリイミドに対して2〜100質量%であることを特徴とする、上記(1)〜(12)のいずれか一つに記載の方法。
(14)アルカリ性過マンガン酸溶液が過マンガン酸カリウム溶液又は過マンガン酸ナトリウム溶液であることを特徴とする、上記(1)〜(13)のいずれか一つに記載の方法。
(15)無機充填材含有ポリイミドフィルムの厚みが5〜125μm、無電解銅メッキ層の厚みが0.1〜3μmであることを特徴とする、上記(1)〜(6)、(8)〜(14)のいずれか一つに記載の方法。
(16)無機充填材含有ポリイミドフィルムの厚みが5〜125μm、無電解銅メッキ層の厚みが0.1〜3μmであり、無電解銅メッキ層と電解銅メッキ層の合計厚みが3〜35μmである、上記(7)〜(14)のいずれか一つに記載の方法。
(17)銅箔からなる支持体の厚みが3〜35μmである、上記(4)、(6)〜(16)のいずれか一つに記載の方法。
(18)ポリイミドフィルムからなる支持体の厚みが10〜125μmである、上記(5)〜(16)のいずれか一つに記載の方法。
(19)無電解銅メッキ又は電解銅メッキの後に、アニール処理を行うことを特徴とする、上記(1)〜(18)のいずれか一つに記載の方法。
(20)無機充填材含有ポリイミドフィルムが、さらにポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリベンゾオキサゾールおよびポリベンゾイミダゾールからなる群から選択される1種以上の耐熱性樹脂を30質量%以下で含むことを特徴とする、上記(1)〜(19)のいずれか一つに記載の方法。
(21)耐熱性樹脂が分子骨格中にフェノール性水酸基を有する耐熱性樹脂である、上記(20)記載の方法。
(22)ポリイミドフィルム層と、該ポリイミドフィルム層の少なくとも片面に形成された導体層とを含む金属付きポリイミドフィルムであって、
ポリイミドフィルム層が無機充填材を含有し、かつ導体層が形成されているポリイミドフィルム層の表面が粗化されていることを特徴とする回路基板用金属付きポリイミドフィルム。
(23)無機充填材を含有するポリイミドフィルム層が支持体上に形成されていることを特徴とする、上記(22)記載の金属付きポリイミドフィルム。
(24)支持体が銅箔層であることを特徴とする、上記(23)記載の金属付きポリイミドフィルム。
(25)支持体がポリイミドフィルム層であることを特徴とする、上記(23)記載の金属付きポリイミドフィルム。
(26)無機充填材がシリカ、シリコン粒子及び炭酸カルシウムからなる群から選択される1種又は2種以上であることを特徴とする、上記(22)〜(25)のいずれか一つに記載の金属付きポリイミドフィルム。
(27)無機充填材がシリカであることを特徴とする、上記(22)〜(25)のいずれか一つに記載の金属付きポリイミドフィルム。
(28)無機充填材の平均粒径が0.01〜5μmであることを特徴とする、上記(22)〜(27)のいずれか一つに記載の金属付きポリイミドフィルム。
(29)無機充填材を含有するポリイミドフィルム層中の無機充填材の含有量がポリイミドに対し2〜100質量%であることを特徴とする、上記(22)〜(28)のいずれか一つに記載の金属付きポリイミドフィルム。
(30)無機充填材を含有するポリイミドフィルム層と該層の片面又は両面に形成された導体層とを含む積層体を構成し、無機充填材を含有するポリイミドフィルム層の厚みが5〜125μm、導体層の厚みが3〜35μmであることを特徴とする、上記(22)、(26)〜(29)のいずれか一つに記載の金属付きポリイミドフィルム。
(31)銅箔層/無機充填材を含有するポリイミドフィルム層/導体層の順に積層した積層体を構成し、銅箔層の厚みが3〜35μm、無機充填材を含有するポリイミドフィルム層の厚みが5〜125μm、導体層の厚みが3〜35μmであることを特徴とする、上記(24)、(26)〜(29)のいずれか一つに記載の金属付きポリイミドフィルム。
(32)ポリイミドフィルム層/無機充填材を含有するポリイミドフィルム層/導体層の順に積層した積層体を構成し、ポリイミドフィルム層の厚みが10〜125μm、無機充填材を含有するポリイミドフィルム層の厚みが5〜125μm、導体層の厚みが3〜35μmであることを特徴とする、上記(25)〜(29)のいずれか一つに記載の金属付きポリイミドフィルム。
(33)無機充填材を含有するポリイミドフィルム層の粗化された面の表面粗さが100〜1500nmであることを特徴とする、上記(22)〜(32)のいずれか一つに記載の金属付きポリイミドフィルム。
(34)導体層が銅メッキ層であることを特徴とする、上記(22)〜(33)のいずれか一つに記載の金属付きポリイミドフィルム。
(35)ポリイミドフィルム層の粗化された表面がアルカリ性過マンガン酸溶液処理により粗化されたものであることを特徴とする、上記(22)〜(34)のいずれか一つに記載の金属付きポリイミドフィルム。
(36)アルカリ性過マンガン酸溶液が過マンガン酸カリウム溶液又は過マンガン酸ナトリウム溶液であることを特徴とする、上記(35)記載の金属付きポリイミドフィルム。
(37)無機充填材含有ポリイミドフィルムが、さらにポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリベンゾオキサゾールおよびポリベンゾイミダゾールからなる群から選択される1種以上の耐熱性樹脂をポリイミドに対して30質量%以下で含むことを特徴とする、上記(22)〜(36)のいずれか一つに記載の金属付きポリイミドフィルム。
(38)耐熱性樹脂が分子骨格中にフェノール性水酸基を有する耐熱性樹脂である、上記(37)記載の方法。
この方法によりポリイミドワニスを形成するときの芳香族テトラカルボン酸無水物の具体例としては、例えば、ピロメリット酸、1,2,3,4−ベンゼンテトラカルボン酸、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、2,3,3’,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸、2,3,3’,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸、2,3,3’,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸、2,2−ビス(3,3’,4,4’−テトラカルボキシフェニル)テトラフルオロプロパン、2,2’−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシフェニル)スルホン、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン、ピリジン−2,3,5,6−テトラカルボン酸などの酸無水物が好ましく使用され、1種又は2種以上の化合物が使用される。また、芳香族テトラカルボン酸無水物の一部に換えて、シクロペンタンテトラカルボン酸、ブタン−1,2,3,4−テトラカルボン酸、2,3,5−トリカルボキシシクロペンチル酢酸無水物等の脂肪族又は脂環族テトラカルボン酸類の酸無水物を使用してもよい。ただし、その際の脂肪族又は脂環族テトラカルボン酸類の使用量は芳香族テトラカルボン酸類に対して50モル%以下であるのが好ましい。
中でも、特にピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物などが好適である。
ジイソシアネート化合物としては、例えば、1,4−シクロヘキサンジイソシアネート、1,3−シクロヘキサンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−4,4’−ジイソシアネート等の脂環族ジイソシアネート;m−フェニレンジイソシアネート、p−フェニレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−4,4’−ジイソシアネート、ジフェニルエーテル−4,4’−ジイソシアネート、ジフェニルスルホン−4,4’−ジイソシアネート、(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジイソシアネート、(1,1’−ビフェニル)−3,3’−ジメチル−4,4’−ジイソシアネート、2,4−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート、キシレンジイソシアネート、1,4−ナフタレンジイソシアネート、1,5−ナフタレンジイソシアネート、2,6−ナフタレンジイソシアネート、2,7−ナフタレンジイソシアネート等の芳香族ジイソシアネート等が挙げられる。中でも、芳香族ジイソシアネートが好適である。これらはいずれか一種が単独で使用されるか、二種以上が併用される。
なおワニスとするためには、ポリイミドが溶剤可能性である必要があるが、用いる溶剤によりジカルボン酸無水物およびジイソシアネート化合物を適宜選択して溶剤可溶性のポリイミドを調製することができる。また次に記載するように市販品を用いることもできる。
ポリアミック酸またはポリイミドは2種以上を混合して用いることもできる。
また該スラリーをポリアミック酸ワニス及び/又はポリイミドワニスに混合して調製することもできる。
なお、本発明の金属付きポリイミドフィルム(最終製品)の具体的な積層構成は後述の通りである。
JIS C6481に準拠して行った。測定サンプルの導体メッキ厚は約30μmとした。
(1)導体層(銅メッキ層)/無機充填材含有ポリイミドフィルム層
(2)銅箔層(支持体)/無機充填材含有ポリイミドフィルム層/導体層(銅メッキ層)
(3)導体層(銅メッキ層)/無機充填材含有ポリイミドフィルム層/導体層(銅メッキ層)
(4) ポリイミドフィルム層(支持体)/無機充填材含有ポリイミドフィルム層/導体層(銅メッキ層)
(5)導体層(銅メッキ層)/無機充填材含有ポリイミドフィルム層/ポリイミドフィルム層(支持体)/無機充填材含有ポリイミドフィルム層/導体層(銅メッキ層)
該(1)の積層体を特にフレキシブル回路基板(FPC)用とする場合、無機充填材含有ポリイミドフィルム層の厚みは10〜75μm程度とするのが好ましい。
該(2)の積層体を特にフレキシブル回路基板(FPC)用とする場合、無機充填材含有ポリイミドフィルム層の厚みは10〜75μm程度とするのが好ましく、10〜50μm程度が特に好ましい。
該(3)の積層体を特にフレキシブル回路基板(FPC)用とする場合、無機充填材含有ポリイミドフィルム層の厚みは10〜75μm程度とするのが好ましい。
該(4)の積層体を特にフレキシブル回路基板(FPC)用とする場合、ポリイミドフィルム(支持体)の厚みは10〜75μm程度とするのが好ましく、無機充填材含有ポリイミドフィルム層の厚みは10〜75μm程度とするのが好ましく、10〜25μm程度が特に好ましい。
該(5)の積層体を特にフレキシブル回路基板(FPC)用とする場合、ポリイミドフィルム(支持体)の厚みは10〜50μm程度とするのが好ましく、無機充填材含有ポリイミドフィルム層の厚みは10〜25μm程度とするのが特に好ましい。
まず、ポリアミック酸ワニス「UイミドJM−A」(固形分14.5w%、ユニチカ(株)社製)70部にシリカ粒子(平均粒径:0.22μm)を2.5部混合し、自転・公転方式ミキサー(あわとり練太郎AR250、株式会社シンキー製)で12分間分散させ、樹脂組成物ワニス(a)を作成した。
続いて、この樹脂組成物ワニス(a)を、厚さ18μmの銅箔のマット面上に、乾燥後の樹脂厚みが30μmとなるようにバーコートにて塗布し、まず、75〜130℃(平均110℃)で約20分間乾燥させ、さらに、180℃で30分、260℃で1時間、350℃で2時間の順に段階的に乾燥を行った。
さらに引き続き、前記粗化処理を施した樹脂組成物層表面に無電界銅メッキの触媒付与を行ない、続いて無電解銅メッキ液に32℃で30分浸漬して1.5μmの無電解銅メッキ被膜を形成した。このものを150℃で30分乾燥後、酸洗し、続いて、含リン銅板をアノードとし陰極電流密度2.0A/dm2で12分間電気銅メッキを行い、厚さ5μmの銅メッキ被膜を形成させた。180℃で30分間アニールを行なった後、このメッキ被膜と樹脂組成物層間の接着強度(メッキピール強度)を測定したところ、0.66kgf/cmであった。また、このものをさらに、150℃、100時間アニール処理を行ってからメッキ被膜と樹脂組成物層間の接着強度(メッキピール強度)を測定したところ、0.68kgf/cmであった。
まず、ポリアミック酸ワニス「UイミドJM−C」(固形分14.5w%、ユニチカ(株)社製)70部にシリカ粒子(平均粒径:0.22μm)を2.5部混合し、自転・公転方式ミキサー(あわとり練太郎AR250、株式会社シンキー製)で12分間分散させ、樹脂組成物ワニス(b)を作製した。
続いて、この樹脂組成物ワニス(b)を、厚さ18μmの銅箔のマット面上に、乾燥後の樹脂厚みが30μmとなるようにバーコーターにて塗布し、まず、75〜130℃(平均110℃)で約20分間乾燥させ、さらに、180℃で30分、260℃で1時間、350℃で2時間の順に段階的に乾燥を行った。
さらに引き続き、粗化処理を施した樹脂組成物層表面に無電界銅メッキの触媒付与を行ない、続いて無電解メッキ液に32℃で30分浸漬して1.5μmの無電解銅メッキ被膜を形成した。このものを150℃で30分乾燥後、酸洗し、続いて、含リン銅板をアノードとし陰極電流密度2.0A/dm2で12分間電気銅メッキを行い、厚さ5μmの銅メッキ被膜を形成させた。180℃で30分間アニールを行なった後、このメッキ被膜と樹脂組成物層間の接着強度(メッキピール強度)を測定したところ、0.91kgf/cmであった。また、このものをさらに、150℃で100時間アニール処理を行ってからメッキ被膜と樹脂組成物層間の接着強度(メッキピール強度)を測定したところ、1.02kgf/cmであった。
まず、ポリアミック酸ワニス「KPI−100」(固形分15.0w%、日本化薬(株)社製)67部にシリカ粒子(平均粒径:1.1μm)を2.5部混合し、自転・公転方式ミキサー(あわとり練太郎AR250、株式会社シンキー製)で12分間分散させ、樹脂組成物ワニス(c)を作成した。
続いて、この樹脂組成物ワニス(c)を、厚さ18μmの銅箔のマット面上に、乾燥後の樹脂厚みが30μmとなるようにバーコートにて塗布し、まず、75〜130℃(平均110℃)で約20分間乾燥させ、さらに、180℃で30分、260℃で1時間、350℃で2時間の順に段階的に乾燥を行った。
さらに引き続き、粗化処理を施した樹脂組成物層表面に無電界銅メッキの触媒付与を行ない、続いて無電解メッキ液に32℃で30分浸漬して1.5μmの無電解銅メッキ被膜を形成した。このものを150℃で30分乾燥後、酸洗し、続いて、含リン銅板をアノードとし陰極電流密度2.0A/dm2で12分間電気銅メッキを行い、厚さ5μmの銅メッキ被膜を形成させた。180℃で30分間アニールを行なった後、このメッキ被膜と樹脂組成物層間の接着強度(メッキピール強度)を測定したところ、0.98kgf/cmであった。また、このものをさらに、150℃100時間アニール処理を行ってからメッキ被膜と樹脂組成物層間の接着強度(メッキピール強度)を測定したところ、1.04kgf/cmであった。
まず、可溶性ポリイミド「マトリミド5218」(バンティコ(株)社製)をN−メチル−2−ピロリドンに溶解し、25w%の溶液を調製した。また、フェノール性OH基含有ポリアミド樹脂「CPAM702」(フェノール水酸基当量677g/eq、日本化薬(株)社製)をN−メチル−2−ピロリドンに溶解し、40w%の溶液を調製した。続いて、このマトリミド5218の25w%溶液32部とCPAM702溶液5部を混合し、さらにシリカ粒子(平均粒径:1.1μm)を2.5部混合して、自転・公転方式ミキサー(あわとり練太郎AR250、株式会社シンキー製)で12分間分散させ、樹脂組成物ワニス(d)を作成した。
続いて、この樹脂組成物ワニス(d)を、厚さ18μmの銅箔のマット面上に、乾燥後の樹脂厚みが30μmとなるようにバーコートにて塗布し、まず、75〜130℃(平均110℃)で約20分間乾燥させ、さらに、180℃で30分、240℃で20時間、260℃で5時間の順に段階的に乾燥を行った。
さらに引き続き、粗化処理を施した樹脂組成物層表面に無電界銅メッキの触媒付与を行ない、続いて無電解メッキ液に32℃で30分浸漬して1.5μmの無電解銅メッキ被膜を形成した。このものを150℃で30分乾燥後、酸洗し、続いて、含リン銅板をアノードとし陰極電流密度2.0A/dm2で12分間電気銅メッキを行い、厚さ5μmの銅メッキ被膜を形成させた。180℃で30分間アニールを行なった後、このメッキ被膜と樹脂組成物層間の接着強度(メッキピール強度)を測定したところ、0.67kgf/cmであった。また、このものをさらに、150℃で100時間アニール処理を行ってからメッキ被膜と樹脂組成物層間の接着強度(メッキピール強度)を測定したところ、0.8kgf/cmであった。
下記表1に実施例1〜4の結果を示す。
Claims (38)
- 無機充填材含有ポリイミドフィルムを、アルカリ性過マンガン酸溶液で処理し、無電解銅メッキを行うことを特徴とする、回路基板用金属付きポリイミドフィルムの製造方法。
- ポリアミック酸及び/又はポリイミド、並びに無機充填材を含有する樹脂組成物ワニスを加熱乾燥して得られる無機充填材含有ポリイミドフィルムを、アルカリ性過マンガン酸溶液で処理し、無電解銅メッキを行うことを特徴とする、請求項1記載の方法。
- ポリアミック酸及び/又はポリイミド、並びに無機充填材を含有する樹脂組成物ワニスを支持体上に塗布し、加熱乾燥して得られる無機充填材含有ポリイミドフィルムに対して、アルカリ性過マンガン酸溶液処理及び無電解銅メッキを順次行うことを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 支持体が銅箔であることを特徴とする、請求項3記載の方法。
- 支持体がポリイミドフィルムであることを特徴とする、請求項3記載の方法。
- アルカリ性過マンガン酸溶液処理の前に、無機充填材含有ポリイミドフィルムをアルカリ溶液で膨潤処理することを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項記載の方法。
- 無電解銅メッキの後、さらに電解銅メッキを行うことを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項記載の方法。
- 無電解銅メッキの前に、無機充填材含有ポリアミドフィルム表面に触媒を付与することを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一項記載の方法。
- 触媒がパラジウムであることを特徴とする、請求項8記載の方法。
- 無機充填材が、シリカ、シリコン粒子及び炭酸カルシウムからなる群から選択される1種又は2種以上であることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか一項記載の方法。
- 無機充填材がシリカであることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか一項記載の方法。
- 無機充填材の平均粒径が0.01〜5μmであることを特徴とする、請求項1〜11のいずれか一項記載の方法。
- ワニス中の無機充填材の配合量がポリアミック酸及び/又はポリイミドに対して2〜100質量%であることを特徴とする、請求項1〜12のいずれか一項記載の方法。
- アルカリ性過マンガン酸溶液が過マンガン酸カリウム溶液又は過マンガン酸ナトリウム溶液であることを特徴とする、請求項1〜13のいずれか一項記載の方法。
- 無機充填材含有ポリイミドフィルムの厚みが5〜125μm、無電解銅メッキ層の厚みが0.1〜3μmであることを特徴とする、請求項1〜6、8〜14のいずれか一項記載の方法。
- 無機充填材含有ポリイミドフィルムの厚みが5〜125μm、無電解銅メッキ層の厚みが0.1〜3μmであり、無電解銅メッキ層と電解銅メッキ層の合計厚みが3〜35μmである、請求項7〜14のいずれか一項記載の方法。
- 銅箔からなる支持体の厚みが3〜35μmである、請求項4、6〜16のいずれか一項記載の方法。
- ポリイミドフィルムからなる支持体の厚みが10〜125μmである、請求項5〜16のいずれか一項記載の方法。
- 無電解銅メッキ又は電解銅メッキの後に、アニール処理を行うことを特徴とする、請求項1〜18のいずれか一項記載の方法。
- 無機充填材含有ポリイミドフィルムが、さらにポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリベンゾオキサゾールおよびポリベンゾイミダゾールからなる群から選択される1種以上の耐熱性樹脂を30質量%以下で含むことを特徴とする、請求項1〜19のいずれか一項記載の方法。
- 耐熱性樹脂が分子骨格中にフェノール性水酸基を有する耐熱性樹脂である、請求項20記載の方法。
- ポリイミドフィルム層と、該ポリイミドフィルム層の少なくとも片面に形成された導体層とを含む金属付きポリイミドフィルムであって、
ポリイミドフィルム層が無機充填材を含有し、かつ導体層が形成されているポリイミドフィルム層の表面が粗化されていることを特徴とする回路基板用金属付きポリイミドフィルム。 - 無機充填材を含有するポリイミドフィルム層が支持体上に形成されていることを特徴とする、請求項22記載の金属付きポリイミドフィルム。
- 支持体が銅箔層であることを特徴とする、請求項23記載の金属付きポリイミドフィルム。
- 支持体がポリイミドフィルム層であることを特徴とする、請求項23記載の金属付きポリイミドフィルム。
- 無機充填材がシリカ、シリコン粒子及び炭酸カルシウムからなる群から選択される1種又は2種以上であることを特徴とする、請求項22〜25のいずれか一項記載の金属付きポリイミドフィルム。
- 無機充填材がシリカであることを特徴とする、請求項22〜25のいずれか一項記載の金属付きポリイミドフィルム。
- 無機充填材の平均粒径が0.01〜5μmであることを特徴とする、請求項22〜27のいずれか一項記載の金属付きポリイミドフィルム。
- 無機充填材を含有するポリイミドフィルム層中の無機充填材の含有量がポリイミドに対し2〜100質量%であることを特徴とする、請求項22〜28のいずれか一項記載の金属付きポリイミドフィルム。
- 無機充填材を含有するポリイミドフィルム層と該層の片面又は両面に形成された導体層とを含む積層体を構成し、無機充填材を含有するポリイミドフィルム層の厚みが5〜125μm、導体層の厚みが3〜35μmであることを特徴とする、請求項22、26〜29のいずれか一項記載の金属付きポリイミドフィルム。
- 銅箔層/無機充填材を含有するポリイミドフィルム層/導体層の順に積層した積層体を構成し、銅箔層の厚みが3〜35μm、無機充填材を含有するポリイミドフィルム層の厚みが5〜125μm、導体層の厚みが3〜35μmであることを特徴とする、請求項24、26〜29のいずれか一項記載の金属付きポリイミドフィルム。
- ポリイミドフィルム層/無機充填材を含有するポリイミドフィルム層/導体層の順に積層した積層体を構成し、ポリイミドフィルム層の厚みが10〜125μm、無機充填材を含有するポリイミドフィルム層の厚みが5〜125μm、導体層の厚みが3〜35μmであることを特徴とする、請求項25〜29のいずれか一項記載の金属付きポリイミドフィルム。
- 無機充填材を含有するポリイミドフィルム層の粗化された面の表面粗さが100〜1500nmであることを特徴とする、請求項22〜32のいずれか一項記載の金属付きポリイミドフィルム。
- 導体層が銅メッキ層であることを特徴とする、請求項22〜33のいずれか一項記載の金属付きポリイミドフィルム。
- ポリイミドフィルム層の粗化された表面がアルカリ性過マンガン酸溶液処理により粗化されたものであることを特徴とする、請求項22〜34のいずれか一項記載の金属付きポリイミドフィルム。
- アルカリ性過マンガン酸溶液が過マンガン酸カリウム溶液又は過マンガン酸ナトリウム溶液であることを特徴とする、請求項35記載の金属付きポリイミドフィルム。
- 無機充填材含有ポリイミドフィルムが、さらにポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリベンゾオキサゾールおよびポリベンゾイミダゾールからなる群から選択される1種以上の耐熱性樹脂をポリイミドに対して30質量%以下で含むことを特徴とする、請求項22〜36のいずれか一項記載の金属付きポリイミドフィルム。
- 耐熱性樹脂が分子骨格中にフェノール性水酸基を有する耐熱性樹脂である、請求項37記載の方法。
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