JP2000151046A - ポリイミドフィルム及びフレキシブル基板 - Google Patents
ポリイミドフィルム及びフレキシブル基板Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フレキシブル基板に適したポリイミドフィル
ムと、その上にドライプロセスにより形成される金属薄
膜との間の密着性を向上させ、同時に熱履歴の内容によ
らずカールの発生を抑制する。 【解決手段】 導体層上に絶縁層が配設されてなるフレ
キシブル基板の当該絶縁層を構成するためのポリイミド
フィルムを、第１ポリイミド層１、第２ポリイミド層２
及び第３ポリイミド層３の３層構造とし、第２ポリイミ
ド層２として導体と略同一の熱線膨張係数を有するもの
を使用し、導体層に接する側に配設する第１ポリイミド
層１をスルホン基含有ポリイミドから構成する。
ムと、その上にドライプロセスにより形成される金属薄
膜との間の密着性を向上させ、同時に熱履歴の内容によ
らずカールの発生を抑制する。 【解決手段】 導体層上に絶縁層が配設されてなるフレ
キシブル基板の当該絶縁層を構成するためのポリイミド
フィルムを、第１ポリイミド層１、第２ポリイミド層２
及び第３ポリイミド層３の３層構造とし、第２ポリイミ
ド層２として導体と略同一の熱線膨張係数を有するもの
を使用し、導体層に接する側に配設する第１ポリイミド
層１をスルホン基含有ポリイミドから構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フレキシブル基板
の絶縁ベースとして有用なポリイミドフィルム及びそれ
を用いたフレキシブル基板に関する。
の絶縁ベースとして有用なポリイミドフィルム及びそれ
を用いたフレキシブル基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】フレキシブル基板の一般的な作製方法と
しては、絶縁層であるポリイミドフィルム上に、ウェッ
トプロセスにより金属メッキ層を導体層として形成する
方法が挙げられる。ここで、ポリイミドフィルムは、酸
二無水物とジアミン（ピロメリット酸二無水物／ジアミ
ノジフェニルエーテル、ジフェニルテトラカルボン酸二
無水物／パラフェニレンジアミン等）とから誘導された
単層構造の市販品が広く使用されている。
しては、絶縁層であるポリイミドフィルム上に、ウェッ
トプロセスにより金属メッキ層を導体層として形成する
方法が挙げられる。ここで、ポリイミドフィルムは、酸
二無水物とジアミン（ピロメリット酸二無水物／ジアミ
ノジフェニルエーテル、ジフェニルテトラカルボン酸二
無水物／パラフェニレンジアミン等）とから誘導された
単層構造の市販品が広く使用されている。
【０００３】ところで、単層構造の市販のポリイミドフ
ィルムは、そのままでは金属メッキ層との密着性が十分
でないので、金属メッキ層の形成に先だって水酸化カリ
ウム水溶液やヒドラジン水溶液等の強アルカリ性水溶液
で表面処理が施されている。しかしながら、一定の表面
状態になるように表面処理を制御することは非常に難し
く、しかも有害ガスの発生や大量の排水を処理する必要
があり、ハイコストな環境汚染対策が必要となってい
る。
ィルムは、そのままでは金属メッキ層との密着性が十分
でないので、金属メッキ層の形成に先だって水酸化カリ
ウム水溶液やヒドラジン水溶液等の強アルカリ性水溶液
で表面処理が施されている。しかしながら、一定の表面
状態になるように表面処理を制御することは非常に難し
く、しかも有害ガスの発生や大量の排水を処理する必要
があり、ハイコストな環境汚染対策が必要となってい
る。
【０００４】そこで、単層構造の市販のポリイミドフィ
ルムの表面処理を、比較的制御の容易なドライプロセス
（例えば、グロー放電処理、プラズマ放電処理、イオン
ビーム照射処理、プラズマ励起反応性イオン照射等）に
より行い、引き続きスパッタ法等のドライプロセスによ
り金属薄膜をポリイミドフィルム上に形成し、更にその
上にウェットプロセス（電解メッキ法）により電解メッ
キ金属層を形成することが試みられている。
ルムの表面処理を、比較的制御の容易なドライプロセス
（例えば、グロー放電処理、プラズマ放電処理、イオン
ビーム照射処理、プラズマ励起反応性イオン照射等）に
より行い、引き続きスパッタ法等のドライプロセスによ
り金属薄膜をポリイミドフィルム上に形成し、更にその
上にウェットプロセス（電解メッキ法）により電解メッ
キ金属層を形成することが試みられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ポリイ
ミドフィルムの表面処理をドライプロセスにより行った
場合において、単層構造の市販のポリイミドフィルムの
ドライプロセス処理表面と金属薄膜との密着性が十分で
ないという問題があった。
ミドフィルムの表面処理をドライプロセスにより行った
場合において、単層構造の市販のポリイミドフィルムの
ドライプロセス処理表面と金属薄膜との密着性が十分で
ないという問題があった。
【０００６】また、作製したフレキシブル基板がカール
してしまい、部品実装に支障をきたす場合があった。
してしまい、部品実装に支障をきたす場合があった。
【０００７】本発明は、以上の従来の技術の問題点を解
決しようとするものであり、フレキシブル基板に適した
ポリイミドフィルムと、その上にドライプロセスにより
形成される金属薄膜との間の密着性を向上させ、且つカ
ールの発生を抑制することを目的とする。
決しようとするものであり、フレキシブル基板に適した
ポリイミドフィルムと、その上にドライプロセスにより
形成される金属薄膜との間の密着性を向上させ、且つカ
ールの発生を抑制することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、ポリイミド
フィルムを３層構造とし、それらの中央のポリイミド層
として、ポリイミドフィルム上に形成する導体層の熱線
膨張係数とほぼ同等の熱線膨張係数を有するものを使用
することにより、通常のフレキシブル基板製造工程にお
ける熱履歴の内容によらずフレキシブル基板のカール発
生を抑制することができ、しかも金属薄膜に接する側の
ポリイミド層をスルホン基含有ポリイミドから構成する
ことにより、ポリイミドフィルムと金属薄膜との間の密
着性を向上させることができることを見出し、本発明を
完成させるに至った。
フィルムを３層構造とし、それらの中央のポリイミド層
として、ポリイミドフィルム上に形成する導体層の熱線
膨張係数とほぼ同等の熱線膨張係数を有するものを使用
することにより、通常のフレキシブル基板製造工程にお
ける熱履歴の内容によらずフレキシブル基板のカール発
生を抑制することができ、しかも金属薄膜に接する側の
ポリイミド層をスルホン基含有ポリイミドから構成する
ことにより、ポリイミドフィルムと金属薄膜との間の密
着性を向上させることができることを見出し、本発明を
完成させるに至った。
【０００９】即ち、本発明は、導体層上に絶縁層が配設
されてなるフレキシブル基板の当該絶縁層を構成するた
めのポリイミドフィルムであって、第１ポリイミド層、
第２ポリイミド層及び第３ポリイミド層の３層構造を有
し、それらの中央に位置する第２ポリイミド層は導体層
と略同一の熱線膨張係数を有し、導体層に接する側に配
設される第１ポリイミド層がスルホン基含有ポリイミド
から構成されているポリイミドフィルムを提供する。
されてなるフレキシブル基板の当該絶縁層を構成するた
めのポリイミドフィルムであって、第１ポリイミド層、
第２ポリイミド層及び第３ポリイミド層の３層構造を有
し、それらの中央に位置する第２ポリイミド層は導体層
と略同一の熱線膨張係数を有し、導体層に接する側に配
設される第１ポリイミド層がスルホン基含有ポリイミド
から構成されているポリイミドフィルムを提供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１１】本発明のポリイミドフィルムは、導体層上
に絶縁層が配設されてなるフレキシブル基板の当該絶縁
層を構成するためのポリイミドフィルムであって、図１
に示すように、第１ポリイミド層１、第２ポリイミド層
２及び第３ポリイミド層３の３層構造を有する。
に絶縁層が配設されてなるフレキシブル基板の当該絶縁
層を構成するためのポリイミドフィルムであって、図１
に示すように、第１ポリイミド層１、第２ポリイミド層
２及び第３ポリイミド層３の３層構造を有する。
【００１２】本発明においては、第１ポリイミド層１と
第３ポリイミド層３とに挟持されている中央の第２ポリ
イミド層２として、導体層と略同一の熱線膨張係数を有
するものを使用する。これにより、通常の熱履歴（常温
保存、はんだディップ処理等）の内容によらずフレキシ
ブル基板のカール発生を抑制することができる。
第３ポリイミド層３とに挟持されている中央の第２ポリ
イミド層２として、導体層と略同一の熱線膨張係数を有
するものを使用する。これにより、通常の熱履歴（常温
保存、はんだディップ処理等）の内容によらずフレキシ
ブル基板のカール発生を抑制することができる。
【００１３】第２ポリイミド層２の熱線膨張係数は、フ
レキシブル基板に一般的に用いられている導体の熱線膨
張係数が表１に示される数値である点に鑑みて、好まし
くは（１０〜２５）×１０-6／Ｋ、より好ましくは（１
８〜２３）×１０-6／Ｋに調整することが好ましい。
レキシブル基板に一般的に用いられている導体の熱線膨
張係数が表１に示される数値である点に鑑みて、好まし
くは（１０〜２５）×１０-6／Ｋ、より好ましくは（１
８〜２３）×１０-6／Ｋに調整することが好ましい。
【００１４】また、第１ポリイミド層１及び第３ポリイ
ミド層３の熱線膨張係数は、カールを抑制する効果の点
から、両者の差の絶対値が３×１０-6／Ｋ以内であるこ
とが好ましい。勿論同一であってもよいし、また、第２
ポリイミド層２とほぼ同一であってもいっこうに差し支
えない。
ミド層３の熱線膨張係数は、カールを抑制する効果の点
から、両者の差の絶対値が３×１０-6／Ｋ以内であるこ
とが好ましい。勿論同一であってもよいし、また、第２
ポリイミド層２とほぼ同一であってもいっこうに差し支
えない。
【００１５】
【表１】
【００１６】また、本発明のポリイミドフィルムにおい
ては、導体層に接する側の第１ポリイミド層１は、スル
ホン基含有ポリイミドから構成する。スルホン基の存在
により、それと金属薄膜との間の密着力を向上させるこ
とができる。しかも通常の熱履歴によっても安定した密
着性を確保することができる。
ては、導体層に接する側の第１ポリイミド層１は、スル
ホン基含有ポリイミドから構成する。スルホン基の存在
により、それと金属薄膜との間の密着力を向上させるこ
とができる。しかも通常の熱履歴によっても安定した密
着性を確保することができる。
【００１７】なお、第３ポリイミド層３もスルホン基含
有ポリイミドから構成した場合には、その熱線膨張係数
を第１ポリイミド層１の熱線膨張係数と容易に略同一に
することができ、しかも第３ポリイミド層３上にも良好
な密着性で金属薄膜を形成することができるので、両面
フレキシブル基板を製造する上で好ましい。
有ポリイミドから構成した場合には、その熱線膨張係数
を第１ポリイミド層１の熱線膨張係数と容易に略同一に
することができ、しかも第３ポリイミド層３上にも良好
な密着性で金属薄膜を形成することができるので、両面
フレキシブル基板を製造する上で好ましい。
【００１８】ここで、スルホン基含有ポリイミドとして
は、酸二無水物とジアミンとから誘導されたものを好ま
しく使用することができ、そのスルホン基は酸二無水物
及びジアミンの少なくともいずれか一方に予め存在する
スルホン基に由来する。特に、酸二無水物及びジアミン
の双方にスルホン基が存在する場合に得られるスルホン
基含有ポリイミドを好ましく使用することができる。
は、酸二無水物とジアミンとから誘導されたものを好ま
しく使用することができ、そのスルホン基は酸二無水物
及びジアミンの少なくともいずれか一方に予め存在する
スルホン基に由来する。特に、酸二無水物及びジアミン
の双方にスルホン基が存在する場合に得られるスルホン
基含有ポリイミドを好ましく使用することができる。
【００１９】酸二無水物の例としては、ピロメリット酸
二無水物（ＰＭＤＡ）、３，４，３′，４′−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、３，４，
３′，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
（ＢＴＤＡ）、３，３′，４，４′−ジフェニルスルホ
ンテトラカルボン酸二無水物（ＤＳＤＡ）が好ましく挙
げられる。
二無水物（ＰＭＤＡ）、３，４，３′，４′−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、３，４，
３′，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
（ＢＴＤＡ）、３，３′，４，４′−ジフェニルスルホ
ンテトラカルボン酸二無水物（ＤＳＤＡ）が好ましく挙
げられる。
【００２０】ジアミンの例としては、４，４′−ジアミ
ノジフェニルエーテル（ＤＰＥ）、パラフェニレンジア
ミン（ＰＤＡ）、４，４′−ジアミノベンズアニリド
（ＤＡＢＡ）、４，４′−ビス（ｐ−アミノフェノキ
シ）ジフェニルスルホン（ＢＡＰＳ）が好ましく挙げら
れる。
ノジフェニルエーテル（ＤＰＥ）、パラフェニレンジア
ミン（ＰＤＡ）、４，４′−ジアミノベンズアニリド
（ＤＡＢＡ）、４，４′−ビス（ｐ−アミノフェノキ
シ）ジフェニルスルホン（ＢＡＰＳ）が好ましく挙げら
れる。
【００２１】第１ポリイミド層１、第２ポリイミド層２
及び第３ポリイミド層３の層厚に関し、第２ポリイミド
層２の厚みは、第１ポリイミド層１及び第３ポリイミド
層３よりも厚いことが好ましい。具体的には、第２ポリ
イミド層の厚みは、薄すぎると熱線膨張係数を（１０〜
２５）×１０-6／Ｋの範囲に収めることが困難となり、
厚すぎるとポリイミドフィルム自体が硬くなり、所定の
大きさのロール巻きができなくなるので、好ましくは１
０〜２００μｍとする。また、第１ポリイミド層１と第
３ポリイミド層３の厚みは、薄すぎると成膜しにくくな
り、厚すぎると第２ポリイミド層２の熱線膨張係数に依
存させているポリイミドフィルム全体の熱線膨張係数と
導体の熱線膨張係数と差が大きくなる可能性があるの
で、好ましくは１〜１０μｍとする。
及び第３ポリイミド層３の層厚に関し、第２ポリイミド
層２の厚みは、第１ポリイミド層１及び第３ポリイミド
層３よりも厚いことが好ましい。具体的には、第２ポリ
イミド層の厚みは、薄すぎると熱線膨張係数を（１０〜
２５）×１０-6／Ｋの範囲に収めることが困難となり、
厚すぎるとポリイミドフィルム自体が硬くなり、所定の
大きさのロール巻きができなくなるので、好ましくは１
０〜２００μｍとする。また、第１ポリイミド層１と第
３ポリイミド層３の厚みは、薄すぎると成膜しにくくな
り、厚すぎると第２ポリイミド層２の熱線膨張係数に依
存させているポリイミドフィルム全体の熱線膨張係数と
導体の熱線膨張係数と差が大きくなる可能性があるの
で、好ましくは１〜１０μｍとする。
【００２２】図１に示すような本発明のポリイミドフィ
ルムは、その片面に、又は第３ポリイミド層３もスルホ
ン基含有ポリイミドから構成した場合にはその両面に、
ドライプロセスにより形成された金属薄膜とその金属薄
膜上に形成された電解メッキ金属層とからなる導体層を
設けることにより、それぞれ片面又は両面フレキシブル
基板となる。
ルムは、その片面に、又は第３ポリイミド層３もスルホ
ン基含有ポリイミドから構成した場合にはその両面に、
ドライプロセスにより形成された金属薄膜とその金属薄
膜上に形成された電解メッキ金属層とからなる導体層を
設けることにより、それぞれ片面又は両面フレキシブル
基板となる。
【００２３】このフレキシブル基板は、スルホン基含有
ポリイミド層（第１ポリイミド層のみ、又は第１ポリイ
ミド層と第３ポリイミド層との両層）が表面に存在し、
内部に導体層と略同一の熱線膨張係数のポリイミド層
（第２ポリイミド層）を有する本発明のポリイミドフィ
ルムを使用しているので、ドライプロセスにより形成さ
れる金属薄膜の密着性は通常の熱履歴に対しても良好な
ものとなる。しかも、ポリイミドフィルム全体の熱線膨
張係数を実質的に規定する第２ポリイミド層の熱線膨張
係数が導体層のそれとほぼ同一であるので、常温及び部
品実装温度におけるカールの発生を大きく抑制すること
ができる。
ポリイミド層（第１ポリイミド層のみ、又は第１ポリイ
ミド層と第３ポリイミド層との両層）が表面に存在し、
内部に導体層と略同一の熱線膨張係数のポリイミド層
（第２ポリイミド層）を有する本発明のポリイミドフィ
ルムを使用しているので、ドライプロセスにより形成さ
れる金属薄膜の密着性は通常の熱履歴に対しても良好な
ものとなる。しかも、ポリイミドフィルム全体の熱線膨
張係数を実質的に規定する第２ポリイミド層の熱線膨張
係数が導体層のそれとほぼ同一であるので、常温及び部
品実装温度におけるカールの発生を大きく抑制すること
ができる。
【００２４】金属薄膜はドライプロセスにより形成され
るが、ドライプロセスとしては一般的な物理蒸着法（例
えば、真空蒸着プロセス、イオンプレーティングプロセ
ス、スパッタプロセス等）を利用することができる。
るが、ドライプロセスとしては一般的な物理蒸着法（例
えば、真空蒸着プロセス、イオンプレーティングプロセ
ス、スパッタプロセス等）を利用することができる。
【００２５】金属薄膜としては、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｚ
ｒ、Ｐｄ、Ｃｕあるいはこれらの合金の薄膜が好まし
い。特に、耐金メッキ性や耐スズメッキ性等を考慮する
と、スパッタプロセスにより形成されるＮｉ−Ｃｕ薄膜
（５０〜５００Å厚）／銅薄膜（１００〜２０００Å
厚）の２層構造薄膜が好ましい。
ｒ、Ｐｄ、Ｃｕあるいはこれらの合金の薄膜が好まし
い。特に、耐金メッキ性や耐スズメッキ性等を考慮する
と、スパッタプロセスにより形成されるＮｉ−Ｃｕ薄膜
（５０〜５００Å厚）／銅薄膜（１００〜２０００Å
厚）の２層構造薄膜が好ましい。
【００２６】電解メッキ金属層としては、５〜５０μｍ
厚の電解銅メッキ層が好ましい。電解銅メッキ層の形成
は、適宜選択することができ、例えば電流密度０．２〜
１０Ａ／ｄｍ2の硫酸銅浴メッキにより形成することが
できる。
厚の電解銅メッキ層が好ましい。電解銅メッキ層の形成
は、適宜選択することができ、例えば電流密度０．２〜
１０Ａ／ｄｍ2の硫酸銅浴メッキにより形成することが
できる。
【００２７】なお、金属薄膜の形成に先だって、ポリイ
ミドフィルムの表面に対し、グロー放電処理やプラズマ
放電処理（酸化窒素ガス、酸素、アルゴン等のガス又は
混合ガス雰囲気）、紫外線照射処理等の表面改質処理を
施すことが、密着性を向上させる点から好ましい。
ミドフィルムの表面に対し、グロー放電処理やプラズマ
放電処理（酸化窒素ガス、酸素、アルゴン等のガス又は
混合ガス雰囲気）、紫外線照射処理等の表面改質処理を
施すことが、密着性を向上させる点から好ましい。
【００２８】以下に、本発明のポリイミドフィルムの製
造例を説明する。
造例を説明する。
【００２９】まず、第１ポリイミド層形成用ポリアミッ
ク酸ワニスを、剥離ベース（例えば、ステンレススチー
ルドラムもしくはベルト、耐熱性樹脂剥離シート、金属
箔等）上にＴダイ等により塗工し、揮発分（溶剤や縮合
により生ずる水等）含有量が７〜５０重量％の範囲内に
収まるように約８０〜１４０℃で乾燥して、第１ポリイ
ミド層形成用ポリアミック酸フィルムを作製する。
ク酸ワニスを、剥離ベース（例えば、ステンレススチー
ルドラムもしくはベルト、耐熱性樹脂剥離シート、金属
箔等）上にＴダイ等により塗工し、揮発分（溶剤や縮合
により生ずる水等）含有量が７〜５０重量％の範囲内に
収まるように約８０〜１４０℃で乾燥して、第１ポリイ
ミド層形成用ポリアミック酸フィルムを作製する。
【００３０】ここで、揮発分含有量が７重量％未満であ
ると、過度にイミド化が進行していることを意味し、第
２ポリイミド層との密着性が不十分になるおそれがあ
り、５０重量％を超えると、最終的なイミド化時に発泡
し、所望の性能のポリイミドフィルムが得られないおそ
れがある。
ると、過度にイミド化が進行していることを意味し、第
２ポリイミド層との密着性が不十分になるおそれがあ
り、５０重量％を超えると、最終的なイミド化時に発泡
し、所望の性能のポリイミドフィルムが得られないおそ
れがある。
【００３１】次に、第１ポリイミド層形成用ポリアミッ
ク酸フィルム上に、第２ポリイミド層形成用ポリアミッ
ク酸ワニスを同様に塗工し、揮発分含有量が７〜５０重
量％の範囲内に収まるように約８０〜１４０℃で乾燥し
て、第２ポリイミド層形成用ポリアミック酸フィルムを
作製する。
ク酸フィルム上に、第２ポリイミド層形成用ポリアミッ
ク酸ワニスを同様に塗工し、揮発分含有量が７〜５０重
量％の範囲内に収まるように約８０〜１４０℃で乾燥し
て、第２ポリイミド層形成用ポリアミック酸フィルムを
作製する。
【００３２】次に、第２ポリイミド層形成用ポリアミッ
ク酸フィルム上に、第３ポリイミド層形成用ポリアミッ
ク酸ワニスを同様に塗工し、揮発分含有量が７〜５０重
量％の範囲内に収まるように約８０〜１４０℃で乾燥し
て、第３ポリイミド層形成用ポリアミック酸フィルムを
作製する。これにより、３層構造のポリアミック酸フィ
ルムが得られる。
ク酸フィルム上に、第３ポリイミド層形成用ポリアミッ
ク酸ワニスを同様に塗工し、揮発分含有量が７〜５０重
量％の範囲内に収まるように約８０〜１４０℃で乾燥し
て、第３ポリイミド層形成用ポリアミック酸フィルムを
作製する。これにより、３層構造のポリアミック酸フィ
ルムが得られる。
【００３３】次に、得られた３層構造のポリアミック酸
フィルムを、剥離ベースから剥離し、窒素ガス等の不活
性ガス雰囲気下、２３０〜３５０℃で完全イミド化する
ことにより本発明のポリイミドフィルムが得られる。
フィルムを、剥離ベースから剥離し、窒素ガス等の不活
性ガス雰囲気下、２３０〜３５０℃で完全イミド化する
ことにより本発明のポリイミドフィルムが得られる。
【００３４】なお、剥離ベースとして金属箔を用いた場
合には、金属箔から３層構造のポリアミック酸フィルム
を剥離する前に完全イミド化し、金属箔をエッチング除
去することによりポリイミドフィルムが得られる。
合には、金属箔から３層構造のポリアミック酸フィルム
を剥離する前に完全イミド化し、金属箔をエッチング除
去することによりポリイミドフィルムが得られる。
【００３５】本発明のポリイミドフィルムを用いて片面
フレキシブル基板の製造例を以下に説明する。
フレキシブル基板の製造例を以下に説明する。
【００３６】まず、ポリイミドフィルムの表面に、ドラ
イプロセス（真空蒸着法、イオンプレーティング法、ス
パッタ法等）により金属薄膜を形成する。
イプロセス（真空蒸着法、イオンプレーティング法、ス
パッタ法等）により金属薄膜を形成する。
【００３７】なお、この金属薄膜の形成に先だって、ポ
リイミドフィルム表面に表面改質処理（グロー放電、プ
ラズマ放電処理等）を予め施すことが好ましい。
リイミドフィルム表面に表面改質処理（グロー放電、プ
ラズマ放電処理等）を予め施すことが好ましい。
【００３８】次に、形成された金属薄膜上に電解メッキ
金属層を形成する。これにより、片面フレキシブル基板
が得られる。以上の同様の操作を、ポリイミドフィルム
裏面に繰り返すことにより、両面フレキシブル基板が得
られる。
金属層を形成する。これにより、片面フレキシブル基板
が得られる。以上の同様の操作を、ポリイミドフィルム
裏面に繰り返すことにより、両面フレキシブル基板が得
られる。
【００３９】
【実施例】以下、本発明を具体的に説明する。
【００４０】参考例Ａ１（スルホン基を有する酸二無水物を使用したポリアミッ
ク酸ワニスの調製） ジャケット付きの６０リットルの反
応釜に、パラフェニレンジアミン（ＰＤＡ、三井化学社
製）０．４３３ｋｇ（４．００モル）と、４，４′−ジ
アミノジフェニルエーテル（ＤＰＥ、和歌山精化社製）
０．８０１ｋｇ（４．００モル）とを、窒素ガス雰囲気
下で溶剤Ｎ−メチル−ピロリドン（ＮＭＰ、三菱化学社
製）約３５．３ｋｇに溶解した。その後、２５℃におい
て、３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカ
ルボン酸二無水物（ＤＳＤＡ、新日本理化社製）２．６
９０ｋｇ（８．０８モル）を徐々に加えながら、３時間
反応させた。これにより、固形分約１０％、粘度２０Ｐ
ａ・Ｓ（２５℃）のポリアミック酸ワニスを調製した。
ク酸ワニスの調製） ジャケット付きの６０リットルの反
応釜に、パラフェニレンジアミン（ＰＤＡ、三井化学社
製）０．４３３ｋｇ（４．００モル）と、４，４′−ジ
アミノジフェニルエーテル（ＤＰＥ、和歌山精化社製）
０．８０１ｋｇ（４．００モル）とを、窒素ガス雰囲気
下で溶剤Ｎ−メチル−ピロリドン（ＮＭＰ、三菱化学社
製）約３５．３ｋｇに溶解した。その後、２５℃におい
て、３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカ
ルボン酸二無水物（ＤＳＤＡ、新日本理化社製）２．６
９０ｋｇ（８．０８モル）を徐々に加えながら、３時間
反応させた。これにより、固形分約１０％、粘度２０Ｐ
ａ・Ｓ（２５℃）のポリアミック酸ワニスを調製した。
【００４１】得られたポリアミック酸ワニスを銅箔の上
に塗布し、８０〜１６０℃の連続炉で溶剤を飛散させた
後、雰囲気温度を２３０〜３５０℃まで昇温し、３５０
℃で３０分間処理してイミド化した。そして銅箔を塩化
第２鉄溶液でエッチング除去することにより２５μｍ厚
の単層ポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミド
フィルムの熱線膨張係数（使用測定装置：サーマルメカ
ニカルアナライザー（ＴＭＡ／ＳＣＣ１５０ＣＵ、ＳＩ
Ｉ社製（引張法：使用荷重２．５ｇ〜５ｇ））は３６×
１０-6／Ｋであった。
に塗布し、８０〜１６０℃の連続炉で溶剤を飛散させた
後、雰囲気温度を２３０〜３５０℃まで昇温し、３５０
℃で３０分間処理してイミド化した。そして銅箔を塩化
第２鉄溶液でエッチング除去することにより２５μｍ厚
の単層ポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミド
フィルムの熱線膨張係数（使用測定装置：サーマルメカ
ニカルアナライザー（ＴＭＡ／ＳＣＣ１５０ＣＵ、ＳＩ
Ｉ社製（引張法：使用荷重２．５ｇ〜５ｇ））は３６×
１０-6／Ｋであった。
【００４２】参考例Ａ２（スルホン基を有するジアミンを使用したポリアミック
酸ワニスの調製） 参考例Ａ１と同様に、４，４′−ビス
（ｐ−アミノフェノキシ）ジフェニルスルホン（ＢＡＰ
Ｓ、和歌山精化社製）３．４６０ｋｇ（８．００モル）
を、窒素ガス雰囲気下で溶剤Ｎ−メチル−ピロリドン
（ＮＭＰ、三菱化学社製）約５４．５ｋｇに溶解した。
その後、２５℃において、３，３′，４，４′−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ、ダイセ
ル化学社製）２．６０３ｋｇ（８．０８モル）を徐々に
加えながら、３時間反応させた。これにより、固形分約
１０％、粘度１５Ｐａ・Ｓ（２５℃）のポリアミック酸
ワニスを調製した。
酸ワニスの調製） 参考例Ａ１と同様に、４，４′−ビス
（ｐ−アミノフェノキシ）ジフェニルスルホン（ＢＡＰ
Ｓ、和歌山精化社製）３．４６０ｋｇ（８．００モル）
を、窒素ガス雰囲気下で溶剤Ｎ−メチル−ピロリドン
（ＮＭＰ、三菱化学社製）約５４．５ｋｇに溶解した。
その後、２５℃において、３，３′，４，４′−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ、ダイセ
ル化学社製）２．６０３ｋｇ（８．０８モル）を徐々に
加えながら、３時間反応させた。これにより、固形分約
１０％、粘度１５Ｐａ・Ｓ（２５℃）のポリアミック酸
ワニスを調製した。
【００４３】得られたポリアミック酸ワニスを参考例Ａ
１と同様に処理することにより、単層ポリイミドフィル
ムを得た（熱線膨張係数：４３×１０-6／Ｋ）。
１と同様に処理することにより、単層ポリイミドフィル
ムを得た（熱線膨張係数：４３×１０-6／Ｋ）。
【００４４】参考例Ａ３（スルホン基を有する酸無水物とスルホン基を有するジ
アミンとを使用したポリアミック酸ワニスの調製） 参考
例Ａ１と同様に、４，４′−ビス（ｐ−アミノフェノキ
シ）ジフェニルスルホン（ＢＡＰＳ、和歌山精化社製）
３．４６０ｋｇ（８．００モル）を、窒素ガス雰囲気下
で溶剤Ｎ−メチル−ピロリドン（ＮＭＰ、三菱化学社
製）約５５．３ｋｇに溶解した。その後、２５℃におい
て、３，３′−４，４′−ジフェニルスルホンテトラカ
ルボン酸二無水物（ＤＳＤＡ、新日本理化社製）２．６
９０ｋｇ（８．０８モル）を徐々に加えながら、３時間
反応させた。これにより、固形分約１０％、粘度１２Ｐ
ａ・Ｓ（２５℃）のポリアミック酸ワニスを調製した。
アミンとを使用したポリアミック酸ワニスの調製） 参考
例Ａ１と同様に、４，４′−ビス（ｐ−アミノフェノキ
シ）ジフェニルスルホン（ＢＡＰＳ、和歌山精化社製）
３．４６０ｋｇ（８．００モル）を、窒素ガス雰囲気下
で溶剤Ｎ−メチル−ピロリドン（ＮＭＰ、三菱化学社
製）約５５．３ｋｇに溶解した。その後、２５℃におい
て、３，３′−４，４′−ジフェニルスルホンテトラカ
ルボン酸二無水物（ＤＳＤＡ、新日本理化社製）２．６
９０ｋｇ（８．０８モル）を徐々に加えながら、３時間
反応させた。これにより、固形分約１０％、粘度１２Ｐ
ａ・Ｓ（２５℃）のポリアミック酸ワニスを調製した。
【００４５】得られたポリアミック酸ワニスを参考例Ａ
１と同様に処理することにより、単層ポリイミドフィル
ムを得た（熱線膨張係数：５３×１０-6／Ｋ）。
１と同様に処理することにより、単層ポリイミドフィル
ムを得た（熱線膨張係数：５３×１０-6／Ｋ）。
【００４６】参考例Ｂ１〜Ｂ６（熱線膨張係数の異なるポリイミドフィルムを作製する
ためのポリアミック酸ワニスの調製） ジャケット付きの
６０リットルの反応釜に、表２に示す一種又は二種のジ
アミン（合計１０．０モル）を、窒素ガス雰囲気下で溶
剤Ｎ−メチル−ピロリドン（ＮＭＰ、三菱化学社製）約
４６ｋｇに溶解した。その後、５０℃において、表２の
酸二無水物（１０．１モル）を徐々に加えながら、３時
間反応させた。これにより、固形分約１０％で表２の粘
度のポリアミック酸ワニスを調製した。
ためのポリアミック酸ワニスの調製） ジャケット付きの
６０リットルの反応釜に、表２に示す一種又は二種のジ
アミン（合計１０．０モル）を、窒素ガス雰囲気下で溶
剤Ｎ−メチル−ピロリドン（ＮＭＰ、三菱化学社製）約
４６ｋｇに溶解した。その後、５０℃において、表２の
酸二無水物（１０．１モル）を徐々に加えながら、３時
間反応させた。これにより、固形分約１０％で表２の粘
度のポリアミック酸ワニスを調製した。
【００４７】得られたポリアミック酸ワニスを銅箔の上
に塗布し、８０〜１６０℃の連続炉で溶剤を飛散させた
後、雰囲気温度を２３０〜３５０℃まで昇温し、３５０
℃で３０分間処理してイミド化した。そして銅箔を塩化
第２鉄溶液でエッチング除去することにより、表２の熱
線膨張係数を示す２５μｍ厚の単層ポリイミドフィルム
を得た。
に塗布し、８０〜１６０℃の連続炉で溶剤を飛散させた
後、雰囲気温度を２３０〜３５０℃まで昇温し、３５０
℃で３０分間処理してイミド化した。そして銅箔を塩化
第２鉄溶液でエッチング除去することにより、表２の熱
線膨張係数を示す２５μｍ厚の単層ポリイミドフィルム
を得た。
【００４８】なお、表２中において使用した酸二無水物
及びジアミンの略称は以下の通りである。
及びジアミンの略称は以下の通りである。
【００４９】酸二無水物 ＰＭＤＡ： ピロメリット酸二無水物 ＢＰＤＡ： ３，４，３′，４′−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物 ＢＴＤＡ： ３，４，３′，４′−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物 ＤＳＤＡ： ３，３′，４，４′−ジフェニルスルホン
テトラカルボン酸二無水物ジアミン ＤＰＥ： ４，４′−ジアミノジフェニルエーテル ＰＤＡ： パラフェニレンジアミン ＤＡＢＡ： ４，４′−ジアミノベンズアニリド
ルボン酸二無水物 ＢＴＤＡ： ３，４，３′，４′−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物 ＤＳＤＡ： ３，３′，４，４′−ジフェニルスルホン
テトラカルボン酸二無水物ジアミン ＤＰＥ： ４，４′−ジアミノジフェニルエーテル ＰＤＡ： パラフェニレンジアミン ＤＡＢＡ： ４，４′−ジアミノベンズアニリド
【００５０】
【表２】 参考例 酸二無水物 ジアミン モル比 粘度 熱線膨張係数 （ａ） （ｂ） (a)／(b) Pa・S ×10-6/K Ｂ１ ＢＰＤＡ ＤＰＥ ＤＡＢＡ 20／80 ２０ １８ Ｂ２ ＢＰＤＡ ＤＰＥ − 100／0 １８ ３５ Ｂ３ ＰＭＤＡ ＤＰＥ ＰＤＡ 50／50 １５ ２０ Ｂ４ ＰＭＤＡ ＤＰＥ ＰＤＡ 70／30 ２４ ２４ Ｂ５ ＤＳＤＡ ＤＰＥ ＰＤＡ 90／10 ２０ ３９ Ｂ６ ＤＳＤＡ ＤＰＥ − 100／0 １６ ５０
【００５１】実験例１〜１０（３層構造のポリイミドフィルムの作製） 鏡面仕上げの
ステンレススチール製ベルト（幅３００ｍｍ）上に、表
３又は表４に示すポリアミック酸ワニスを使用して第１
ポリイミド層となるポリアミック酸膜（残存揮発分含有
量約２５％〜３５％）を形成した。
ステンレススチール製ベルト（幅３００ｍｍ）上に、表
３又は表４に示すポリアミック酸ワニスを使用して第１
ポリイミド層となるポリアミック酸膜（残存揮発分含有
量約２５％〜３５％）を形成した。
【００５２】次に、このポリアミック酸膜上に、第２ポ
リイミド層となるポリアミック酸膜残存揮発分含有量約
２５％〜３５％）を形成し、更に、第３ポリイミド層と
なるポリアミック酸膜（残存揮発分含有量約２５％〜３
５％）を形成した。得られた３層構造のポリアミック酸
フィルムをベルトから剥離したところ、３層合わせての
残存揮発分含有量は約２５％〜約３５％であった（詳細
は表３及び表４参照）。また、発泡等の欠陥も観察され
なかった。
リイミド層となるポリアミック酸膜残存揮発分含有量約
２５％〜３５％）を形成し、更に、第３ポリイミド層と
なるポリアミック酸膜（残存揮発分含有量約２５％〜３
５％）を形成した。得られた３層構造のポリアミック酸
フィルムをベルトから剥離したところ、３層合わせての
残存揮発分含有量は約２５％〜約３５％であった（詳細
は表３及び表４参照）。また、発泡等の欠陥も観察され
なかった。
【００５３】この３層構造のポリアミック酸フィルム
を、１７０℃から３５０℃の窒素雰囲気の連続炉中で加
熱し、更に３５０℃で３０分間イミド化し、３層構造の
ポリイミドフィルムを得た。
を、１７０℃から３５０℃の窒素雰囲気の連続炉中で加
熱し、更に３５０℃で３０分間イミド化し、３層構造の
ポリイミドフィルムを得た。
【００５４】なお、実験例１０として、ポリイミドフィ
ルムとして市販の単層のポリイミドフィルム（カプトン
１００Ｈ、デュポン社製）を使用した。
ルムとして市販の単層のポリイミドフィルム（カプトン
１００Ｈ、デュポン社製）を使用した。
【００５５】実験例１１〜２０（フレキシブル基板の作製） 得られた実験例１〜１０の
ポリイミドフィルムの表面に対し、プラズマドライクリ
ーナー装置（ＰＸ−１０００、Ｍａｒｃｈ社製）を使用
し、真空度８０ｍｍＴｏｒｒ、高周波出力１２０Ｗとい
う条件で発生させたアルゴンプラズマを照射することに
より表面処理を行った。次いで、その処理表面に、ＤＣ
マグネトロンスパッタ法を適用して、Ｎｉ−Ｃｕ合金
（５０％／５０％）ターゲットから１５０Å厚のＮｉ／
Ｃｕ合金薄膜を形成した。更に、Ｃｕターゲットから厚
さ約１０００ÅのＣｕ薄膜を形成させた。必要に応じ
て、同様な手法によりポリイミドフィルム裏面に同様の
金属薄膜を形成した。
ポリイミドフィルムの表面に対し、プラズマドライクリ
ーナー装置（ＰＸ−１０００、Ｍａｒｃｈ社製）を使用
し、真空度８０ｍｍＴｏｒｒ、高周波出力１２０Ｗとい
う条件で発生させたアルゴンプラズマを照射することに
より表面処理を行った。次いで、その処理表面に、ＤＣ
マグネトロンスパッタ法を適用して、Ｎｉ−Ｃｕ合金
（５０％／５０％）ターゲットから１５０Å厚のＮｉ／
Ｃｕ合金薄膜を形成した。更に、Ｃｕターゲットから厚
さ約１０００ÅのＣｕ薄膜を形成させた。必要に応じ
て、同様な手法によりポリイミドフィルム裏面に同様の
金属薄膜を形成した。
【００５６】次に、形成した金属薄膜を電極として、電
解銅メッキ法により厚さ１８μｍのＣｕメッキ層を厚づ
けして導体層を形成した。これにより片面もしくは両面
フレキシブル基板を得た。
解銅メッキ法により厚さ１８μｍのＣｕメッキ層を厚づ
けして導体層を形成した。これにより片面もしくは両面
フレキシブル基板を得た。
【００５７】（評価）実験例１〜１０のポリイミドフィ
ルムについて、「熱線膨張係数」及び「カール」を以下
に説明するように測定した。また、実験例１１〜２０の
フレキシブル基板について、「熱線膨張係数」及び「カ
ール」に加えて、ポリイミドフィルムと導体層との間の
「接着強度」を以下に説明するように測定した。得られ
た結果を表５及び表６に示す。
ルムについて、「熱線膨張係数」及び「カール」を以下
に説明するように測定した。また、実験例１１〜２０の
フレキシブル基板について、「熱線膨張係数」及び「カ
ール」に加えて、ポリイミドフィルムと導体層との間の
「接着強度」を以下に説明するように測定した。得られ
た結果を表５及び表６に示す。
【００５８】熱線膨張係数の測定 参考例Ａ１と同様に、熱線膨張係数測定装置（サーマル
メカニカルアナライザー（ＴＭＡ／ＳＣＣ１５０ＣＵ、
ＳＩＩ社製））を用いて、引張法（使用荷重２．５ｇ〜
５ｇ）により測定した。
メカニカルアナライザー（ＴＭＡ／ＳＣＣ１５０ＣＵ、
ＳＩＩ社製））を用いて、引張法（使用荷重２．５ｇ〜
５ｇ）により測定した。
【００５９】カールの測定 ポリイミドフィルム及びフレキシブル基板を１０ｃｍ四
方の大きさに切り出し、下に凸の状態で水平板上に載せ
たときの四隅の高さの平均から曲率半径を算出した。実
用的には曲率半径が２００ｍｍ以上であることが望まれ
る。
方の大きさに切り出し、下に凸の状態で水平板上に載せ
たときの四隅の高さの平均から曲率半径を算出した。実
用的には曲率半径が２００ｍｍ以上であることが望まれ
る。
【００６０】接着強度の測定 導体層上に、液状レジスト（ＲＸ−２０，東京応化工業
社製）を塗布し、乾燥／露光／現像し、塩化第２鉄水溶
液でエッチングして導体パターンを作成し、ＪＩＳ Ｃ
６４７１ に従って９０度剥離を行ったときの接着強度
を測定した。
社製）を塗布し、乾燥／露光／現像し、塩化第２鉄水溶
液でエッチングして導体パターンを作成し、ＪＩＳ Ｃ
６４７１ に従って９０度剥離を行ったときの接着強度
を測定した。
【００６１】
【表３】 実験例 １ ２ ３ ４ ５ 第１ポリイミド層 ポリアミック酸ワニス Ａ１ Ａ２ Ａ３ Ａ１ Ａ３ 目標膜厚（μｍ） ２ ２ ２ ２ ２ 熱線膨張係数(×10-6/K) ３６ ４３ ５３ ３６ ５３ 第２ポリイミド層 ポリアミック酸ワニス Ｂ１ Ｂ１ Ｂ１ Ｂ３ Ｂ４ 目標膜厚（μｍ） ２２ ２２ ２２ ２２ ２５ 熱線膨張係数(×10-6/K) １８ １８ １８ ２０ ２４ 第３ポリイミド層 ポリアミック酸ワニス Ａ１ Ａ２ Ａ３ Ｂ２ Ｂ６ 目標膜厚（μｍ） ２ ２ ２ ２ ２ 熱線膨張係数(×10-6/K) ３６ ４３ ５３ ３５ ５０ 残存揮発分含有量（％） 25.8 30.0 27.6 31.5 34.0
【００６２】
【表４】 実験例 ６ ７ ８ ９ １０ 第１ポリイミド層 ポリアミック酸ワニス Ａ１ Ａ１ Ａ１ Ｂ５ − 目標膜厚（μｍ） ２ ２ ２ ２ − 熱線膨張係数(×10-6/K) ３６ ３６ ３６ ３６ − 第２ポリイミド層 ポリアミック酸ワニス Ｂ１ Ｂ１ Ｂ１ Ｂ１ − 目標膜厚（μｍ） ２５ ２２ ２２ ２２ − 熱線膨張係数(×10-6/K) １８ １８ １８ １８ − 第３ポリイミド層 ポリアミック酸ワニス Ｂ４ Ｂ４ Ａ３ Ｂ５ − 目標膜厚（μｍ） ２ ２ ２ ２ − 熱線膨張係数(×10-6/K) ３９ ２４ ５３ ３６ − 残存揮発分含有量（％） 32.4 25.0 24.5 20.0 −
【００６３】
【表５】 ポリイミドフィルム 熱線膨張係数 カール 実測厚実験例Ｎｏ． (×10-6/K) (曲率半径mm) (μｍ) １ １９ 無し（∞） ２６ ２ ２２ 無し（∞） ２５ ３ ２４ 無し（∞） ２６ ４ ２３ 無し（∞） ２６ ５ ２９ 有り(500<) ２７ ６ ２１ 有り(500<) ２７ ７ ２１ 有り(<10) ２６ ８ ２０ 有り(<10) ２６ ９ ２１ 無し（∞） ２６ １０ ２２ 無し（∞） ２６
【００６４】
【表６】 フレキシフ゛ル基板 ホ゜リイミト゛フィルム 導体層 カール 接着強度実験例No. 実験例No. 形成面 (曲率半径mm) kgf/cm １１ １ 両面 無し（∞） １．８５ １２ ２ 両面 無し（∞） ２．００ １３ ３ 両面 無し（∞） １．７０ １４ ４ 片面 無し（∞） １．８０ １５ ５ 両面 無し（∞） １．６５ １６ ６ 片面 無し（∞） １．９０ １７ ７ （カール大のため均一な導体層形成不可） １８ ８ （カール大のため均一な導体層形成不可） １９ ９ 両面 無し（∞） ０．２０ ２０ １０ 片面 有り(<200) ０．１０
【００６５】以上の実験結果から、第１ポリイミド層、
第２ポリイミド層及び第３ポリイミド層の３層構造を有
するポリイミドフィルムにおいて、それらの中央の第２
ポリイミド層として導体層と略同一の熱線膨張係数を有
するものを使用し、且つ導体層に接する側に配設する第
１ポリイミド層をスルホン基含有ポリイミドから構成す
ると、その上にドライプロセスにより金属薄膜を良好な
接着強度で、カールの発生を大きく抑制しつつ形成する
ことができる。
第２ポリイミド層及び第３ポリイミド層の３層構造を有
するポリイミドフィルムにおいて、それらの中央の第２
ポリイミド層として導体層と略同一の熱線膨張係数を有
するものを使用し、且つ導体層に接する側に配設する第
１ポリイミド層をスルホン基含有ポリイミドから構成す
ると、その上にドライプロセスにより金属薄膜を良好な
接着強度で、カールの発生を大きく抑制しつつ形成する
ことができる。
【００６６】また、第３ポリイミド層もスルホン基含有
ポリイミドから構成すると、第１ポリイミド層上にだけ
でなく、第３ポリイミド層上にもドライプロセスにより
金属薄膜を良好な接着強度で、カールの発生を大きく抑
制しつつ形成することができ、よって良好な特性の両面
フレキシブル基板を製造することができる。
ポリイミドから構成すると、第１ポリイミド層上にだけ
でなく、第３ポリイミド層上にもドライプロセスにより
金属薄膜を良好な接着強度で、カールの発生を大きく抑
制しつつ形成することができ、よって良好な特性の両面
フレキシブル基板を製造することができる。
【００６７】また、実験例１７及び１８の結果から、第
１ポリイミド層と第３ポリイミド層との間の熱線膨張係
数の差が比較的大きくなると、カール発生し易くなるこ
とがわかる。
１ポリイミド層と第３ポリイミド層との間の熱線膨張係
数の差が比較的大きくなると、カール発生し易くなるこ
とがわかる。
【００６８】
【発明の効果】本発明によれば、フレキシブル基板に適
したポリイミドフィルムとその上にドライプロセスによ
り形成される金属薄膜との間の密着性を向上させ、同時
に熱履歴の内容によらずカールの発生を抑制することが
できる。
したポリイミドフィルムとその上にドライプロセスによ
り形成される金属薄膜との間の密着性を向上させ、同時
に熱履歴の内容によらずカールの発生を抑制することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のポリイミドフィルムの断面図である。
１ 第１ポリイミド層 ２ 第２ポリイミド層 ３ 第３ポリイミド層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｇ 73/10 Ｃ０８Ｇ 73/10 Ｃ０８Ｊ 7/04 ＣＦＧ Ｃ０８Ｊ 7/04 ＣＦＧＥ // Ｃ０８Ｌ 79:08 Ｆターム(参考） 4F006 AA39 AB73 BA01 BA06 DA01 4F100 AB01E AB16E AB17E AK49A AK49B AK49C AK55A AK55C AR00D BA03 BA04 BA06 BA07 BA10A BA10C BA10D BA10E BA16 BA26 EH66E EH71E EJ531 GB43 JA02A JA02B JA02C JA02D JG01D JG01E JK06 JL04 JL11 JM02E YY00B 4J043 PA04 PA19 QB15 QB26 QB31 RA35 SA06 SB03 TA22 TB01 UA121 UA122 UA131 UA132 UA632 UA652 UA662 UA672 UB121 UB131 UB152 UB221 UB301 UB302 UB402 VA011 VA021 VA022 VA031 VA041 VA062 ZA31 ZA35 ZB50
Claims (10)
- 【請求項１】 導体層上に絶縁層が配設されてなるフレ
キシブル基板の当該絶縁層を構成するためのポリイミド
フィルムであって、第１ポリイミド層、第２ポリイミド
層及び第３ポリイミド層の３層構造を有し、それらの中
央に位置する第２ポリイミド層は導体層と略同一の熱線
膨張係数を有し、導体層に接する側に配設される第１ポ
リイミド層がスルホン基含有ポリイミドから構成されて
いるポリイミドフィルム。 - 【請求項２】 第３ポリイミド層がスルホン基含有ポリ
イミドから構成されている請求項１記載のポリイミドフ
ィルム。 - 【請求項３】 第２ポリイミド層の熱線膨張係数が、１
０×１０-6／Ｋ〜２５×１０-6／Ｋである請求項１又は
２記載のポリイミドフィルム。 - 【請求項４】 第１ポリイミド層と第３ポリイミド層と
の熱線膨張係数の差の絶対値が、３×１０-6／Ｋ以内で
ある請求項１又は２記載のポリイミドフィルム。 - 【請求項５】 スルホン基含有ポリイミドが、酸二無水
物とジアミンとから誘導されたものであり、酸二無水物
及びジアミンの少なくともいずれか一方にスルホン基が
存在する請求項１又は２記載のポリイミドフィルム。 - 【請求項６】 酸二無水物及びジアミンの双方にスルホ
ン基が存在する請求項５記載のポリイミドフィルム。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかに記載のポリイ
ミドフィルムの第１ポリイミド層側表面に、ドライプロ
セスにより形成された金属薄膜と、その金属薄膜上に形
成された電解メッキ金属層とからなる導体層が設けられ
ていることを特徴とするフレキシブル基板。 - 【請求項８】 請求項２〜６のいずれかに記載のポリイ
ミドフィルムの第１ポリイミド層側表面及び第３ポリイ
ミド層側表面に、導電層が設けられているフレキシブル
基板。 - 【請求項９】 金属薄膜がスパッタプロセスにより形成
されたＮｉ−Ｃｕ薄膜／銅薄膜の２層構造を有する請求
項７又は８記載のフレキシブル基板。 - 【請求項１０】 電解メッキ金属層が、電解銅メッキ層
である請求項９記載のフレキシブル基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31418698A JP3641952B2 (ja) | 1998-11-05 | 1998-11-05 | ポリイミドフィルム及びフレキシブル基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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