JP2003071983A - 放電処理ポリイミドフィルム、放電処理方法、金属薄膜付きポリイミドフィルムおよびその製造方法 - Google Patents
放電処理ポリイミドフィルム、放電処理方法、金属薄膜付きポリイミドフィルムおよびその製造方法Info
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- JP2003071983A JP2003071983A JP2002161098A JP2002161098A JP2003071983A JP 2003071983 A JP2003071983 A JP 2003071983A JP 2002161098 A JP2002161098 A JP 2002161098A JP 2002161098 A JP2002161098 A JP 2002161098A JP 2003071983 A JP2003071983 A JP 2003071983A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】耐熱性を有するポリイミド層と金属薄膜とが、
高い接着力で一体に接合されて積層され、接着剤を使用
することなくポリイミドからなる支持体と金属薄膜とを
強固に積層できるポリイミドフィルム、そのようなポリ
イミドフィルムを与える放電処理方法および剥離強度の
大きい金属薄膜付きポリイミドフィルムを提供する。 【解決手段】ビフェニルテトラカルボン酸成分を含む高
耐熱性の芳香族ポリイミド層を中心層として有し、表面
層が主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミド層であ
るポリイミドフィルムの該柔軟性ポリイミド層表面を減
圧放電処理してなり、処理面が網目構造の凸部を有する
凹凸形状を有し、減圧放電処理面に少なくとも２層の金
属薄膜を形成してなる金属薄膜付きポリイミドフィルム
が１Ｋｇｆ／ｃｍ以上の初期剥離強度を示す放電処理ポ
リイミドフィルム、前記に関する放電処理ポリイミドフ
ィルムを使用した金属薄膜付きポリイミドフィルム。
高い接着力で一体に接合されて積層され、接着剤を使用
することなくポリイミドからなる支持体と金属薄膜とを
強固に積層できるポリイミドフィルム、そのようなポリ
イミドフィルムを与える放電処理方法および剥離強度の
大きい金属薄膜付きポリイミドフィルムを提供する。 【解決手段】ビフェニルテトラカルボン酸成分を含む高
耐熱性の芳香族ポリイミド層を中心層として有し、表面
層が主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミド層であ
るポリイミドフィルムの該柔軟性ポリイミド層表面を減
圧放電処理してなり、処理面が網目構造の凸部を有する
凹凸形状を有し、減圧放電処理面に少なくとも２層の金
属薄膜を形成してなる金属薄膜付きポリイミドフィルム
が１Ｋｇｆ／ｃｍ以上の初期剥離強度を示す放電処理ポ
リイミドフィルム、前記に関する放電処理ポリイミドフ
ィルムを使用した金属薄膜付きポリイミドフィルム。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は放電処理ポリイミドフ
ィルム、放電処理方法、金属薄膜付きポリイミドフィル
ムおよびその好適な製造方法に関し、さらに詳しくは熱
硬化性の接着剤等をまったく使用せずに直接金属薄膜を
形成して大きな接着力を示す放電処理ポリイミドフィル
ム、放電処理方法、金属薄膜付きポリイミドフィルムお
よびその好適な製造方法に関するものである。この発明
の金属薄膜付きポリイミドフィルムは、フレキシブル印
刷回路基板、ＴＡＢテ−プ、多層基板等に有用である。
ィルム、放電処理方法、金属薄膜付きポリイミドフィル
ムおよびその好適な製造方法に関し、さらに詳しくは熱
硬化性の接着剤等をまったく使用せずに直接金属薄膜を
形成して大きな接着力を示す放電処理ポリイミドフィル
ム、放電処理方法、金属薄膜付きポリイミドフィルムお
よびその好適な製造方法に関するものである。この発明
の金属薄膜付きポリイミドフィルムは、フレキシブル印
刷回路基板、ＴＡＢテ−プ、多層基板等に有用である。
【０００２】
【従来の技術】上記ＴＡＢテ−プは、ポリイミドフィル
ムを熱硬化性の接着剤で銅箔と張合わせた複合材料が一
般的である。しかし、使用できる接着剤の耐熱性が２０
０℃以下であり、ハンダ工程等で高温にさらされる場合
は使用できなかったり、電気特性がポリイミドフィルム
に比べ満足できないという問題があり、銅箔とポリイミ
ドフィルムとの張合わせ複合材料としてはより耐熱性の
あるものが期待されていた。また、この場合、銅箔の厚
さに制限があり、薄い複合材料を製造できないという問
題がある。すなわち、エッチングでファインパタ−ンの
回路を形成することが困難となり、一部の用途に適用で
きなくなる。
ムを熱硬化性の接着剤で銅箔と張合わせた複合材料が一
般的である。しかし、使用できる接着剤の耐熱性が２０
０℃以下であり、ハンダ工程等で高温にさらされる場合
は使用できなかったり、電気特性がポリイミドフィルム
に比べ満足できないという問題があり、銅箔とポリイミ
ドフィルムとの張合わせ複合材料としてはより耐熱性の
あるものが期待されていた。また、この場合、銅箔の厚
さに制限があり、薄い複合材料を製造できないという問
題がある。すなわち、エッチングでファインパタ−ンの
回路を形成することが困難となり、一部の用途に適用で
きなくなる。
【０００３】その対策として接着剤を使用しないで、ポ
リイミドフィルム支持体に銅層が形成されている「無接
着剤型の複合材料」を製造する方法が提案されている。
しかし、ポリイミドフィルムは接着性が低いため、ポリ
イミドフィルムの接着性を改善するために種々の試みが
なされている。例えば、デスミア処理やアルカリ処理等
の湿式処理が挙げられるが、湿式処理後の洗浄を十分に
行う必要があり金属薄膜を形成する前に十分な乾燥が必
要なため、工程上不利でありコストも高くなる。また、
表面改質プラズマ処理としてコロナ放電処理等が知られ
ているが、表面張力の改善には効果があるものの金属薄
膜に対する十分な密着力は得られない。
リイミドフィルム支持体に銅層が形成されている「無接
着剤型の複合材料」を製造する方法が提案されている。
しかし、ポリイミドフィルムは接着性が低いため、ポリ
イミドフィルムの接着性を改善するために種々の試みが
なされている。例えば、デスミア処理やアルカリ処理等
の湿式処理が挙げられるが、湿式処理後の洗浄を十分に
行う必要があり金属薄膜を形成する前に十分な乾燥が必
要なため、工程上不利でありコストも高くなる。また、
表面改質プラズマ処理としてコロナ放電処理等が知られ
ているが、表面張力の改善には効果があるものの金属薄
膜に対する十分な密着力は得られない。
【０００４】一方、ベ−スフィルムとして、剛性が高
く、熱収縮が小さく、吸湿が小さいビフェニルテトラカ
ルボン酸成分とフェニレンジアミン成分を使用したポリ
イミドフィルム、例えば、ＵＰＩＬＥＸ−Ｓ（宇部興産
社製）をフィルム基材として金属層を無電解メッキまた
は蒸着・スパッタにより直接形成した二層フィルムの検
討されている。しかし、ＵＰＩＬＥＸ−Ｓはその特長で
ある分子鎖の剛直性や面配向性のため、真空蒸着や無電
解メッキ等によって形成される金属層との接合性（接着
性）が悪いという問題がある。
く、熱収縮が小さく、吸湿が小さいビフェニルテトラカ
ルボン酸成分とフェニレンジアミン成分を使用したポリ
イミドフィルム、例えば、ＵＰＩＬＥＸ−Ｓ（宇部興産
社製）をフィルム基材として金属層を無電解メッキまた
は蒸着・スパッタにより直接形成した二層フィルムの検
討されている。しかし、ＵＰＩＬＥＸ−Ｓはその特長で
ある分子鎖の剛直性や面配向性のため、真空蒸着や無電
解メッキ等によって形成される金属層との接合性（接着
性）が悪いという問題がある。
【０００５】この問題を解決する目的で、金属層との接
合性の良いピロメリット酸二無水物と４，４’−ジアミ
ノジフェニルエ−テルから得られるポリイミド（ＰＭＤ
Ａ系ポリイミド）を上記ＵＰＩＬＥＸ−Ｓの表面に塗
布、加熱した後、ＰＭＤＡ系ポリイミド層の中間層を形
成し、その上に金属蒸着層や金属メッキ層を設ける方法
（特開平６−１２４９７８号、特開平６−２１０７９４
号公報）が提案されている。しかし、この方法ではＵＰ
ＩＬＥＸ−ＳのフィルムとＰＭＤＡ系ポリイミドとの接
着強度が小さく、フィルム表面をアルカリ等で処理して
も満足出来る剥離強度の大きい金属薄膜付きポリイミド
フィルムを得ることは困難である。
合性の良いピロメリット酸二無水物と４，４’−ジアミ
ノジフェニルエ−テルから得られるポリイミド（ＰＭＤ
Ａ系ポリイミド）を上記ＵＰＩＬＥＸ−Ｓの表面に塗
布、加熱した後、ＰＭＤＡ系ポリイミド層の中間層を形
成し、その上に金属蒸着層や金属メッキ層を設ける方法
（特開平６−１２４９７８号、特開平６−２１０７９４
号公報）が提案されている。しかし、この方法ではＵＰ
ＩＬＥＸ−ＳのフィルムとＰＭＤＡ系ポリイミドとの接
着強度が小さく、フィルム表面をアルカリ等で処理して
も満足出来る剥離強度の大きい金属薄膜付きポリイミド
フィルムを得ることは困難である。
【０００６】また、ピロメリット酸系のポリイミドフィ
ルム（カプトン）をグロ−放電プラズマ処理により表面
張力を５４dyne／ｃｍ以上としたポリイミドフィルムを
使用して金属蒸着層を設け、その上に電気メッキ法で厚
膜の銅層を積層してフレキシブルプリント配線用基板を
得た例が特開平１−３２１６８７号公報に記載されてい
る。しかし、実施例によれば金属薄膜付きポリイミドフ
ィルムの初期剥離強度が０．５〜０．８Ｋｇｆ／ｃｍ程
度であり実用的には不充分であり、しかも、この発明を
３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物系のポリイミドフィルム、例えばユ−ピレックス−
Ｓ（宇部興産社製）に適用すると、金属薄膜付きポリイ
ミドフィルムの初期剥離強度は０．５Ｋｇｆ／ｃｍ未満
と小さく、フレキシブル基板として使用できない。
ルム（カプトン）をグロ−放電プラズマ処理により表面
張力を５４dyne／ｃｍ以上としたポリイミドフィルムを
使用して金属蒸着層を設け、その上に電気メッキ法で厚
膜の銅層を積層してフレキシブルプリント配線用基板を
得た例が特開平１−３２１６８７号公報に記載されてい
る。しかし、実施例によれば金属薄膜付きポリイミドフ
ィルムの初期剥離強度が０．５〜０．８Ｋｇｆ／ｃｍ程
度であり実用的には不充分であり、しかも、この発明を
３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物系のポリイミドフィルム、例えばユ−ピレックス−
Ｓ（宇部興産社製）に適用すると、金属薄膜付きポリイ
ミドフィルムの初期剥離強度は０．５Ｋｇｆ／ｃｍ未満
と小さく、フレキシブル基板として使用できない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は、耐
熱性を有するポリイミド層と金属薄膜とが、高い接着力
で一体に接合されて積層され、接着剤を使用することな
くポリイミドからなる支持体と金属薄膜とを強固に積層
できるポリイミドフィルム、そのようなポリイミドフィ
ルムを与える放電処理方法および剥離強度の大きい金属
薄膜付きポリイミドフィルムを提供することである。
熱性を有するポリイミド層と金属薄膜とが、高い接着力
で一体に接合されて積層され、接着剤を使用することな
くポリイミドからなる支持体と金属薄膜とを強固に積層
できるポリイミドフィルム、そのようなポリイミドフィ
ルムを与える放電処理方法および剥離強度の大きい金属
薄膜付きポリイミドフィルムを提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明者らは、ポリイ
ミドフィルム表面を減圧放電処理、特に減圧プラズマ放
電処理して適当量エッチングすることによって金属薄膜
付きポリイミドフィルムの剥離強度を改善することがで
きることを見出し、この発明を完成した。すなわち、こ
の発明は、ビフェニルテトラカルボン酸成分を含む高耐
熱性の芳香族ポリイミド層を中心層として有し、表面層
が主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミド層である
ポリイミドフィルムの該柔軟性ポリイミド層表面を減圧
放電処理してなり、処理面が網目構造の凸部を有する凹
凸形状を有し、減圧放電処理面に少なくとも２層の金属
薄膜を形成してなる金属薄膜付きポリイミドフィルムが
１Ｋｇｆ／ｃｍ以上の初期剥離強度を示す放電処理ポリ
イミドフィルムに関する。
ミドフィルム表面を減圧放電処理、特に減圧プラズマ放
電処理して適当量エッチングすることによって金属薄膜
付きポリイミドフィルムの剥離強度を改善することがで
きることを見出し、この発明を完成した。すなわち、こ
の発明は、ビフェニルテトラカルボン酸成分を含む高耐
熱性の芳香族ポリイミド層を中心層として有し、表面層
が主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミド層である
ポリイミドフィルムの該柔軟性ポリイミド層表面を減圧
放電処理してなり、処理面が網目構造の凸部を有する凹
凸形状を有し、減圧放電処理面に少なくとも２層の金属
薄膜を形成してなる金属薄膜付きポリイミドフィルムが
１Ｋｇｆ／ｃｍ以上の初期剥離強度を示す放電処理ポリ
イミドフィルムに関する。
【０００９】また、この発明は、ビフェニルテトラカル
ボン酸成分を含む高耐熱性の芳香族ポリイミド層を中心
層として有し、表面層が主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟
性ポリイミド層であるポリイミドフィルムの該柔軟性ポ
リイミド層表面を減圧放電処理によりエッチングして処
理面に網目構造の凸部を有する凹凸形状を形成せしめ、
金属との接着力を改善するポリイミドフィルムの放電処
理方法に関する。
ボン酸成分を含む高耐熱性の芳香族ポリイミド層を中心
層として有し、表面層が主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟
性ポリイミド層であるポリイミドフィルムの該柔軟性ポ
リイミド層表面を減圧放電処理によりエッチングして処
理面に網目構造の凸部を有する凹凸形状を形成せしめ、
金属との接着力を改善するポリイミドフィルムの放電処
理方法に関する。
【００１０】また、この発明は、ビフェニルテトラカル
ボン酸成分を含む高耐熱性の芳香族ポリイミドの層を中
心層として有し、表面層が主鎖中に屈曲性結合を含む柔
軟性ポリイミド層であるポリイミドフィルムの該柔軟性
ポリイミド層表面を減圧放電処理した、網目構造の凸部
を有する凹凸形状の減圧放電処理面に少なくとも２層の
金属薄膜を形成してなり、１Ｋｇｆ／ｃｍ以上の初期剥
離強度を示す金属薄膜付きポリイミドフィルムに関す
る。
ボン酸成分を含む高耐熱性の芳香族ポリイミドの層を中
心層として有し、表面層が主鎖中に屈曲性結合を含む柔
軟性ポリイミド層であるポリイミドフィルムの該柔軟性
ポリイミド層表面を減圧放電処理した、網目構造の凸部
を有する凹凸形状の減圧放電処理面に少なくとも２層の
金属薄膜を形成してなり、１Ｋｇｆ／ｃｍ以上の初期剥
離強度を示す金属薄膜付きポリイミドフィルムに関す
る。
【００１１】また、この発明は、芳香族ポリイミドフィ
ルムの少なくとも片面に金属薄膜が、ビフェニルテトラ
カルボン酸成分を含む高耐熱性の芳香族ポリイミドの層
の少なくとも片面に主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポ
リイミド層が一体に積層されている多層ポリイミドフィ
ルムの該柔軟性ポリイミド層表面を減圧放電処理した、
網目構造の凸部を有する凹凸形状の処理面に少なくとも
２層の金属薄膜を形成してなる金属薄膜付きポリイミド
フィルムに関する。
ルムの少なくとも片面に金属薄膜が、ビフェニルテトラ
カルボン酸成分を含む高耐熱性の芳香族ポリイミドの層
の少なくとも片面に主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポ
リイミド層が一体に積層されている多層ポリイミドフィ
ルムの該柔軟性ポリイミド層表面を減圧放電処理した、
網目構造の凸部を有する凹凸形状の処理面に少なくとも
２層の金属薄膜を形成してなる金属薄膜付きポリイミド
フィルムに関する。
【００１２】また、この発明は、芳香族ポリイミドフィ
ルムの少なくとも片面に少なくとも２層の金属蒸着層を
形成してなり、２層の金属蒸着層および金属メッキ層を
形成した金属薄膜付きポリイミドフィルムが、初期剥離
強度（９０度剥離、以下同じ）が１Ｋｇｆ／ｃｍ以上、
好適には１〜５Ｋｇｆ／ｃｍで、耐熱性試験（２００
℃、窒素中、２４時間）後の剥離強度が０．８Ｋｇｆ／
ｃｍ以上、好適には０．８〜５Ｋｇｆ／ｃｍで、ＰＣＴ
（１２０℃、２気圧、湿度８０％以上、２４時間）後の
剥離強度が０．５Ｋｇｆ／ｃｍ以上、好適には０．６〜
３Ｋｇｆ／ｃｍである金属薄膜付きポリイミドフィルム
に関する。
ルムの少なくとも片面に少なくとも２層の金属蒸着層を
形成してなり、２層の金属蒸着層および金属メッキ層を
形成した金属薄膜付きポリイミドフィルムが、初期剥離
強度（９０度剥離、以下同じ）が１Ｋｇｆ／ｃｍ以上、
好適には１〜５Ｋｇｆ／ｃｍで、耐熱性試験（２００
℃、窒素中、２４時間）後の剥離強度が０．８Ｋｇｆ／
ｃｍ以上、好適には０．８〜５Ｋｇｆ／ｃｍで、ＰＣＴ
（１２０℃、２気圧、湿度８０％以上、２４時間）後の
剥離強度が０．５Ｋｇｆ／ｃｍ以上、好適には０．６〜
３Ｋｇｆ／ｃｍである金属薄膜付きポリイミドフィルム
に関する。
【００１３】さらに、この発明は、ビフェニルテトラカ
ルボン酸成分を含む高耐熱性の芳香族ポリイミド層を中
心層として有し表面層が主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟
性ポリイミド層であるポリイミドフィルムの該柔軟性ポ
リイミド層表面を減圧放電処理によりエッチングして処
理面に網目構造の凸部を有する凹凸形状を形成せしめた
後、連続してあるいは一旦大気中に置いた後プラズマス
クリ−ニング処理によって清浄化した後、蒸着法によっ
て金属薄膜を形成する金属薄膜付きポリイミドフィルム
の製造方法に関する。この明細書において、処理面に網
目構造の凸部を有する凹凸形状を有しとは、処理面の少
なくとも（０．１〜９０％）一部の凸部が網目構造であ
ることを意味する。
ルボン酸成分を含む高耐熱性の芳香族ポリイミド層を中
心層として有し表面層が主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟
性ポリイミド層であるポリイミドフィルムの該柔軟性ポ
リイミド層表面を減圧放電処理によりエッチングして処
理面に網目構造の凸部を有する凹凸形状を形成せしめた
後、連続してあるいは一旦大気中に置いた後プラズマス
クリ−ニング処理によって清浄化した後、蒸着法によっ
て金属薄膜を形成する金属薄膜付きポリイミドフィルム
の製造方法に関する。この明細書において、処理面に網
目構造の凸部を有する凹凸形状を有しとは、処理面の少
なくとも（０．１〜９０％）一部の凸部が網目構造であ
ることを意味する。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下にこの発明の好ましい態様を
列記する。 １）ポリイミドフィルムが、ビフェニルテトラカルボン
酸成分を含む高耐熱性の芳香族ポリイミドと主鎖中に屈
曲性結合を含む柔軟性ポリイミドとの多層構造を有する
上記の金属薄膜付きポリイミドフィルム。 ２）高耐熱性の芳香族ポリイミドが、１０モル％以上の
３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物と５モル％以上のｐ−フェニレンジアミンからなる
上記の金属薄膜付きポリイミドフィルム。 ３）柔軟性ポリイミド層が、引張弾性率２００〜７００
Ｋｇ／ｍｍ2の芳香族ポリイミド層である上記の金属薄
膜付きポリイミドフィルム。
列記する。 １）ポリイミドフィルムが、ビフェニルテトラカルボン
酸成分を含む高耐熱性の芳香族ポリイミドと主鎖中に屈
曲性結合を含む柔軟性ポリイミドとの多層構造を有する
上記の金属薄膜付きポリイミドフィルム。 ２）高耐熱性の芳香族ポリイミドが、１０モル％以上の
３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物と５モル％以上のｐ−フェニレンジアミンからなる
上記の金属薄膜付きポリイミドフィルム。 ３）柔軟性ポリイミド層が、引張弾性率２００〜７００
Ｋｇ／ｍｍ2の芳香族ポリイミド層である上記の金属薄
膜付きポリイミドフィルム。
【００１５】４）減圧放電処理が、減圧真空プラズマ放
電処理である上記の金属薄膜付きポリイミドフィルム。 ５）放電処理ポリイミドフィルムにレ−ザ−加工、機械
加工あるいは湿式法によって孔空加工した後、２層の金
属蒸着層または２層の金属蒸着層および金属メッキ層を
形成してなる上記の金属薄膜付きポリイミドフィルム。 ６）主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミド層を両
面に有し、ポリイミドフィルムの他の面に熱伝導性を改
良するための金属蒸着層あるいはセラミック蒸着層を有
する上記の金属薄膜付きポリイミドフィルム。
電処理である上記の金属薄膜付きポリイミドフィルム。 ５）放電処理ポリイミドフィルムにレ−ザ−加工、機械
加工あるいは湿式法によって孔空加工した後、２層の金
属蒸着層または２層の金属蒸着層および金属メッキ層を
形成してなる上記の金属薄膜付きポリイミドフィルム。 ６）主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミド層を両
面に有し、ポリイミドフィルムの他の面に熱伝導性を改
良するための金属蒸着層あるいはセラミック蒸着層を有
する上記の金属薄膜付きポリイミドフィルム。
【００１６】以下、この発明について、図面も参考にし
て、詳しく説明する。図１は、この発明の一例であるポ
リイミドフィルムを減圧プラズマ処理して得られた網目
構造の凸部を有する凹凸形状の減圧放電処理面のＳＥＭ
観察図であり、図２は、比較例１の未処理のポリイミド
フィルムの表面ＳＥＭ観察図であり、図３は比較例２の
ポリイミドフィルムを過度に減圧プラズマ処理して得ら
れた網目構造がなくなった凸部を有する凹凸形状の減圧
放電処理面のＳＥＭ観察図である。
て、詳しく説明する。図１は、この発明の一例であるポ
リイミドフィルムを減圧プラズマ処理して得られた網目
構造の凸部を有する凹凸形状の減圧放電処理面のＳＥＭ
観察図であり、図２は、比較例１の未処理のポリイミド
フィルムの表面ＳＥＭ観察図であり、図３は比較例２の
ポリイミドフィルムを過度に減圧プラズマ処理して得ら
れた網目構造がなくなった凸部を有する凹凸形状の減圧
放電処理面のＳＥＭ観察図である。
【００１７】この発明におけるポリイミドフィルムは、
ビフェニルテトラカルボン酸成分を含む高耐熱性の芳香
族ポリイミドの層を中心層として有し、片面あるいは両
面の表面層が主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミ
ド層であるポリイミドフィルムを挙げることができる。
このようなポリイミドフィルムとしては、例えば高耐熱
性ポリイミドを与えるビフェニルテトラカルボン酸成分
を含むポリアミック酸成分と主鎖中に屈曲性結合を含む
柔軟性ポリイミド層を与えるポリアミック酸成分との混
合物から得られるブロック共重合ポリイミドあるいはブ
レンドポリイミドからなる単一層のポリイミドフィルム
であってもよいが、好適には中心層がビフェニルテトラ
カルボン酸成分を含む高耐熱性の芳香族ポリイミド層で
表面層が主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミド層
の２層構造あるいは３層構造の多層ポリイミドフィルム
が挙げられる。
ビフェニルテトラカルボン酸成分を含む高耐熱性の芳香
族ポリイミドの層を中心層として有し、片面あるいは両
面の表面層が主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミ
ド層であるポリイミドフィルムを挙げることができる。
このようなポリイミドフィルムとしては、例えば高耐熱
性ポリイミドを与えるビフェニルテトラカルボン酸成分
を含むポリアミック酸成分と主鎖中に屈曲性結合を含む
柔軟性ポリイミド層を与えるポリアミック酸成分との混
合物から得られるブロック共重合ポリイミドあるいはブ
レンドポリイミドからなる単一層のポリイミドフィルム
であってもよいが、好適には中心層がビフェニルテトラ
カルボン酸成分を含む高耐熱性の芳香族ポリイミド層で
表面層が主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミド層
の２層構造あるいは３層構造の多層ポリイミドフィルム
が挙げられる。
【００１８】前記の多層ポリイミドフィルムとしては、
好適には多層押出ポリイミドフィルムが挙げられる。多
層押出ポリイミドフィルムは、好適にはビフェニルテト
ラカルボン酸成分を含む高耐熱性の芳香族ポリイミドの
前駆体溶液と主鎖中に屈曲性結合を有する芳香族ポリイ
ミドの前駆体溶液とを多層押出法によって押出した後、
得られた積層物を８０〜２００℃の範囲内の温度で乾燥
し、次いで熱３００℃以上の温度、好ましくは３００〜
５５０℃の範囲内の温度での熱処理段階を含む熱処理に
付すことにより製造した主鎖中に屈曲性結合を有する芳
香族ポリイミド層を表面に有する多層芳香族ポリイミド
フィルムが挙げられる。前記の前駆体溶液はいずれも５
００〜５０００ポイズであることが好ましい。
好適には多層押出ポリイミドフィルムが挙げられる。多
層押出ポリイミドフィルムは、好適にはビフェニルテト
ラカルボン酸成分を含む高耐熱性の芳香族ポリイミドの
前駆体溶液と主鎖中に屈曲性結合を有する芳香族ポリイ
ミドの前駆体溶液とを多層押出法によって押出した後、
得られた積層物を８０〜２００℃の範囲内の温度で乾燥
し、次いで熱３００℃以上の温度、好ましくは３００〜
５５０℃の範囲内の温度での熱処理段階を含む熱処理に
付すことにより製造した主鎖中に屈曲性結合を有する芳
香族ポリイミド層を表面に有する多層芳香族ポリイミド
フィルムが挙げられる。前記の前駆体溶液はいずれも５
００〜５０００ポイズであることが好ましい。
【００１９】特に、高耐熱性の芳香族ポリイミドとし
て、１０モル％以上、特に１５モル％以上のビフェニル
テトラカルボン酸成分と５モル％以上、特に１５モル％
以上のｐ−フェニレンジアミン成分とから、重合および
イミド化によって得られる芳香族ポリイミドであること
が、耐熱性、機械的強度、寸法安定性の点から好まし
い。他の残部の（もし２種類のテトラカルボン酸二無水
物および／またはジアミンを使用する場合）芳香族テト
ラカルボン酸二無水物としてはピロメリット酸二無水物
が、また芳香族ジアミンとしては４，４−ジアミノジフ
ェニルエ−テルが好ましい。
て、１０モル％以上、特に１５モル％以上のビフェニル
テトラカルボン酸成分と５モル％以上、特に１５モル％
以上のｐ−フェニレンジアミン成分とから、重合および
イミド化によって得られる芳香族ポリイミドであること
が、耐熱性、機械的強度、寸法安定性の点から好まし
い。他の残部の（もし２種類のテトラカルボン酸二無水
物および／またはジアミンを使用する場合）芳香族テト
ラカルボン酸二無水物としてはピロメリット酸二無水物
が、また芳香族ジアミンとしては４，４−ジアミノジフ
ェニルエ−テルが好ましい。
【００２０】上記の有機極性溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、
Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−メチルカプロラクタ
ムのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチ
ルフォスホルアミド、ジメチルスルホン、テトラメチレ
ンスルホン、ジメチルテトラメチレンスルホン、ピリジ
ン、エチレングリコール等を挙げることができる。
メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、
Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−メチルカプロラクタ
ムのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチ
ルフォスホルアミド、ジメチルスルホン、テトラメチレ
ンスルホン、ジメチルテトラメチレンスルホン、ピリジ
ン、エチレングリコール等を挙げることができる。
【００２１】この発明における主鎖中に屈曲性結合を含
む芳香族ポリイミドは、一般式(1)
む芳香族ポリイミドは、一般式(1)
【化１】
【００２２】（但し、ＸはＯ、ＣＯ、Ｓ、ＳＯ2、Ｃ
Ｈ2、Ｃ（ＣＨ3）2から選ばれた基である。）で示され
る芳香族テトラカルボン酸二無水物またはその誘導体、
あるいは一般式(2)
Ｈ2、Ｃ（ＣＨ3）2から選ばれた基である。）で示され
る芳香族テトラカルボン酸二無水物またはその誘導体、
あるいは一般式(2)
【００２３】
【化２】
【００２４】（但し、ＸはＯ、ＣＯ、Ｓ、ＳＯ2、Ｃ
Ｈ2、Ｃ（ＣＨ3）2から選ばれた基であり、ｎは０〜４
の整数である。）で示される芳香族ジアミン化合物の少
なくても一方を必須成分として使用した芳香族ポリイミ
ドが好適である。
Ｈ2、Ｃ（ＣＨ3）2から選ばれた基であり、ｎは０〜４
の整数である。）で示される芳香族ジアミン化合物の少
なくても一方を必須成分として使用した芳香族ポリイミ
ドが好適である。
【００２５】前記一般式（１）の芳香族テトラカルボン
酸二無水物またはその誘導体としては、芳香族テトラカ
ルボン酸、およびその酸無水物、塩、エステル等を挙げ
ることができるが、特に、酸二無水物が好ましい。芳香
族テトラカルボン酸としては、例えば、３，３’，４，
４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、２，２−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン、ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン、ビス（３，
４−ジカルボキシフェニル）エ−テル、ビス（３，４−
ジカルボキシフェニル）チオエ−テル、ビス（３，４−
ジカルボキシフェニル）スルホン等を挙げることがで
き、それらを単独、あるいは混合物として使用できる。
酸二無水物またはその誘導体としては、芳香族テトラカ
ルボン酸、およびその酸無水物、塩、エステル等を挙げ
ることができるが、特に、酸二無水物が好ましい。芳香
族テトラカルボン酸としては、例えば、３，３’，４，
４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、２，２−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン、ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン、ビス（３，
４−ジカルボキシフェニル）エ−テル、ビス（３，４−
ジカルボキシフェニル）チオエ−テル、ビス（３，４−
ジカルボキシフェニル）スルホン等を挙げることがで
き、それらを単独、あるいは混合物として使用できる。
【００２６】前記一般式（２）の芳香族ジアミン化合物
として、一般式（２）で示される化合物が使用される場
合には、芳香族テトラカルボン酸として、さらに３，
３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、２，
３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、２，
３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、ピロメ
リット酸等を単独あるいは混合物として使用でき、さら
に、上記一般式（１）の成分との混合物としても使用で
きる。
として、一般式（２）で示される化合物が使用される場
合には、芳香族テトラカルボン酸として、さらに３，
３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、２，
３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、２，
３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、ピロメ
リット酸等を単独あるいは混合物として使用でき、さら
に、上記一般式（１）の成分との混合物としても使用で
きる。
【００２７】前記一般式（２）で示される芳香族ジアミ
ン化合物としては、４，４’−ジアミノジフェニルエ−
テル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，
３’−ジアミノジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミ
ノジフェニルチオエ−テル等のジフェニル（チオ）エ−
テル系ジアミン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、
４，４’−ジアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン
系ジアミン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、
４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジア
ミノジフェニルプロパン、４，４’−ジアミノジフェニ
ルプロパン等のジフェニルアルキレン系ジアミン、３，
３’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジア
ミノジフェニルスルフィド等のジフェニルスルフィド系
ジアミン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、
４，４’−ジアミノジフェニルスルホン等のジフェニル
スルホン系ジアミン、１，３−ビス（３−アミノフェノ
キシ）ベンゼン等のビス（アミノフェノキシ）ベンゼン
系ジアミン、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）
ビフェニル等のビス（アミノフェノキシ）ビフェニル系
ジアミン、ビス〔（４−アミノフェノキシ）フェニル〕
スルホン等のビス〔（アミノフェノキシ）フェニル〕ス
ルホン系、等を挙げることができ、それらを単独、ある
いは混合物として使用できる。
ン化合物としては、４，４’−ジアミノジフェニルエ−
テル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，
３’−ジアミノジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミ
ノジフェニルチオエ−テル等のジフェニル（チオ）エ−
テル系ジアミン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、
４，４’−ジアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン
系ジアミン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、
４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジア
ミノジフェニルプロパン、４，４’−ジアミノジフェニ
ルプロパン等のジフェニルアルキレン系ジアミン、３，
３’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジア
ミノジフェニルスルフィド等のジフェニルスルフィド系
ジアミン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、
４，４’−ジアミノジフェニルスルホン等のジフェニル
スルホン系ジアミン、１，３−ビス（３−アミノフェノ
キシ）ベンゼン等のビス（アミノフェノキシ）ベンゼン
系ジアミン、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）
ビフェニル等のビス（アミノフェノキシ）ビフェニル系
ジアミン、ビス〔（４−アミノフェノキシ）フェニル〕
スルホン等のビス〔（アミノフェノキシ）フェニル〕ス
ルホン系、等を挙げることができ、それらを単独、ある
いは混合物として使用できる。
【００２８】芳香族テトラカルボン酸化合物として、一
般式（１）で示される化合物が使用される場合には、ジ
アミン化合物として、さらに、１，４−ジアミノベンゼ
ン（ｐ−フェニレンジアミン）、１，３−ジアミノベン
ゼン、１，２−ジアミノベンゼン等のベンゼン系ジアミ
ン、ベンチジン、３，３’−ジメチルベンチジン等のベ
ンチジン類等を単独、あるいは混合物として使用でき、
さらに上記一般式（２）のジアミン成分との混合物とし
ても使用できる。
般式（１）で示される化合物が使用される場合には、ジ
アミン化合物として、さらに、１，４−ジアミノベンゼ
ン（ｐ−フェニレンジアミン）、１，３−ジアミノベン
ゼン、１，２−ジアミノベンゼン等のベンゼン系ジアミ
ン、ベンチジン、３，３’−ジメチルベンチジン等のベ
ンチジン類等を単独、あるいは混合物として使用でき、
さらに上記一般式（２）のジアミン成分との混合物とし
ても使用できる。
【００２９】多層押出ポリイミドフィルムの厚さは、７
〜１００μｍ、特に７〜５０μｍが好ましい。また、主
鎖中に屈曲性結合を含む芳香族ポリイミド層の厚さ（単
層）は０．１〜１０μｍ、特に０．２〜５μｍであり、
残部が高耐熱性の芳香族ポリイミド層であることが好ま
しい。
〜１００μｍ、特に７〜５０μｍが好ましい。また、主
鎖中に屈曲性結合を含む芳香族ポリイミド層の厚さ（単
層）は０．１〜１０μｍ、特に０．２〜５μｍであり、
残部が高耐熱性の芳香族ポリイミド層であることが好ま
しい。
【００３０】この発明においては、前記の高耐熱性の芳
香族ポリイミドの層を中心層として有し、表面層が主鎖
中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミド層であるポリイ
ミドフィルムの該柔軟性ポリイミド層に減圧放電処理に
よりエッチングすることが必要であり、この組み合わせ
によって、処理面に網目構造の凸部を有する凹凸形状を
形成することができる。前記の減圧放電処理で使用する
ガスとしては、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｎ２、
ＣＦ４、Ｏ２などの単体あるいは混合ガスが挙げられ
る。なかでもＡｒは安価でフィルム表面の処理効果が良
好であり好ましい。圧力は０．３〜５０Ｐａ、特に６〜
２７Ｐａが好適である。温度は通常室温でよく、必要で
あれば−２０〜２０℃前後で冷却してもよい。この発明
においては減圧放電処理が必要であり、常圧プラズマ放
電処理やコロナ放電処理によっては、目的とする剥離強
度の大きい金属薄膜付きポリイミドフィルムを得ること
が困難である。
香族ポリイミドの層を中心層として有し、表面層が主鎖
中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミド層であるポリイ
ミドフィルムの該柔軟性ポリイミド層に減圧放電処理に
よりエッチングすることが必要であり、この組み合わせ
によって、処理面に網目構造の凸部を有する凹凸形状を
形成することができる。前記の減圧放電処理で使用する
ガスとしては、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｎ２、
ＣＦ４、Ｏ２などの単体あるいは混合ガスが挙げられ
る。なかでもＡｒは安価でフィルム表面の処理効果が良
好であり好ましい。圧力は０．３〜５０Ｐａ、特に６〜
２７Ｐａが好適である。温度は通常室温でよく、必要で
あれば−２０〜２０℃前後で冷却してもよい。この発明
においては減圧放電処理が必要であり、常圧プラズマ放
電処理やコロナ放電処理によっては、目的とする剥離強
度の大きい金属薄膜付きポリイミドフィルムを得ること
が困難である。
【００３１】この発明の方法において、ビフェニルテト
ラカルボン酸成分を含む高耐熱性の芳香族ポリイミド層
を中心層として有し表面層が主鎖中に屈曲性結合を含む
柔軟性ポリイミド層であるポリイミドフィルムの該柔軟
性ポリイミド層表面を減圧放電処理によりエッチングし
て処理面に網目構造の凸部を有する凹凸形状を形成せし
めた後連続して、あるいは減圧放電処理後一旦大気中に
置いた後プラズマスクリ−ニング処理によって清浄化し
た後、蒸着法によって金属薄膜を形成してもよい。この
発明の放電処理ポリイミドフィルムは、処理面が網目構
造の凸部を有する凹凸形状を形成せしめたもので、好適
には凹凸（粗さＲａ：平均粗さ）が０．０３〜０．１μ
ｍ、特に０．０４〜０．０８μｍの網目の構造となって
いることが必要である。
ラカルボン酸成分を含む高耐熱性の芳香族ポリイミド層
を中心層として有し表面層が主鎖中に屈曲性結合を含む
柔軟性ポリイミド層であるポリイミドフィルムの該柔軟
性ポリイミド層表面を減圧放電処理によりエッチングし
て処理面に網目構造の凸部を有する凹凸形状を形成せし
めた後連続して、あるいは減圧放電処理後一旦大気中に
置いた後プラズマスクリ−ニング処理によって清浄化し
た後、蒸着法によって金属薄膜を形成してもよい。この
発明の放電処理ポリイミドフィルムは、処理面が網目構
造の凸部を有する凹凸形状を形成せしめたもので、好適
には凹凸（粗さＲａ：平均粗さ）が０．０３〜０．１μ
ｍ、特に０．０４〜０．０８μｍの網目の構造となって
いることが必要である。
【００３２】この発明における少なくとも２層の金属薄
膜としては、好適には下地金属蒸着層と、その上の銅蒸
着層からなる２層の金属蒸着層が挙げられる。また、前
記の少なくとも２層の金属薄膜として、上記の２層の金
属蒸着層に金属メッキ層として電解メッキ、または無電
解メッキおよび電解メッキを設けた金属層が挙げられ
る。
膜としては、好適には下地金属蒸着層と、その上の銅蒸
着層からなる２層の金属蒸着層が挙げられる。また、前
記の少なくとも２層の金属薄膜として、上記の２層の金
属蒸着層に金属メッキ層として電解メッキ、または無電
解メッキおよび電解メッキを設けた金属層が挙げられ
る。
【００３３】この発明において、金属蒸着または金属蒸
着と金属メッキ層とで金属層を形成するための金属を蒸
着する方法としては真空蒸着法、スパッタリング法など
の蒸着法を挙げることができる。真空蒸着法において、
真空度が、１０−５〜１Ｐａ程度であり、蒸着速度が５
〜５００ｎｍ／秒程度であることが好ましい。スパッタ
リング法において、特にＤＣマグネットスパッタリング
法が好適であり、その際の真空度が１３Ｐａ以下、特に
０．１〜１Ｐａ程度であり、その層の形成速度が０．０
５〜５０ｎｍ／秒程度であることが好ましい。得られる
金属蒸着膜の厚みは１０ｎｍ以上、１μｍ以下であり、
そのなかでも０．１μｍ以上、０．５μｍ以下であるこ
とが好ましい。この上に好適には金属メッキにより肉厚
の膜を形成することが好ましい。その厚みは、約１〜２
０μｍ程度である。
着と金属メッキ層とで金属層を形成するための金属を蒸
着する方法としては真空蒸着法、スパッタリング法など
の蒸着法を挙げることができる。真空蒸着法において、
真空度が、１０−５〜１Ｐａ程度であり、蒸着速度が５
〜５００ｎｍ／秒程度であることが好ましい。スパッタ
リング法において、特にＤＣマグネットスパッタリング
法が好適であり、その際の真空度が１３Ｐａ以下、特に
０．１〜１Ｐａ程度であり、その層の形成速度が０．０
５〜５０ｎｍ／秒程度であることが好ましい。得られる
金属蒸着膜の厚みは１０ｎｍ以上、１μｍ以下であり、
そのなかでも０．１μｍ以上、０．５μｍ以下であるこ
とが好ましい。この上に好適には金属メッキにより肉厚
の膜を形成することが好ましい。その厚みは、約１〜２
０μｍ程度である。
【００３４】金属薄膜の材質としては、種々の組み合わ
せが可能である。金属蒸着膜として下地層と表面蒸着金
属層を有する２層以上の構造としてもよい。下地層とし
ては、クロム、チタン、パラジウム、亜鉛、モリブデ
ン、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、鉄等の少なく
とも１種が挙げられる。表面層（あるいは中間層）とし
ては銅が挙げられる。蒸着層上に設ける金属メッキ層の
材質としては、銅、銅合金、銀等、特に銅が好適であ
る。金属メッキ層の形成方法としては、無電解メッキ法
および電解メッキ法のいずれでもよい。また、真空プラ
ズマ放電処理したポリイミドフィルムの片面に、クロ
ム、チタン、パラジウム、亜鉛、錫、モリブデン、ニッ
ケル、コバルト、ジルコニウム、鉄等の金属や合金、例
えばニッケル−銅あるいはニッケル−クロム合金などの
下地金属層を形成し、その上に中間層として銅の蒸着層
を形成した後、銅の無電解メッキ層を形成し（無電解メ
ッキ層を形成することは発生したピンホ−ルをつぶすの
に有効である。）、あるいは、金属蒸着層の厚みを大き
くして、例えば０．１〜１．０μｍとして銅などの無電
解金属メッキ層を省略し、表面層として電解銅メッキ層
を形成してもよい。
せが可能である。金属蒸着膜として下地層と表面蒸着金
属層を有する２層以上の構造としてもよい。下地層とし
ては、クロム、チタン、パラジウム、亜鉛、モリブデ
ン、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、鉄等の少なく
とも１種が挙げられる。表面層（あるいは中間層）とし
ては銅が挙げられる。蒸着層上に設ける金属メッキ層の
材質としては、銅、銅合金、銀等、特に銅が好適であ
る。金属メッキ層の形成方法としては、無電解メッキ法
および電解メッキ法のいずれでもよい。また、真空プラ
ズマ放電処理したポリイミドフィルムの片面に、クロ
ム、チタン、パラジウム、亜鉛、錫、モリブデン、ニッ
ケル、コバルト、ジルコニウム、鉄等の金属や合金、例
えばニッケル−銅あるいはニッケル−クロム合金などの
下地金属層を形成し、その上に中間層として銅の蒸着層
を形成した後、銅の無電解メッキ層を形成し（無電解メ
ッキ層を形成することは発生したピンホ−ルをつぶすの
に有効である。）、あるいは、金属蒸着層の厚みを大き
くして、例えば０．１〜１．０μｍとして銅などの無電
解金属メッキ層を省略し、表面層として電解銅メッキ層
を形成してもよい。
【００３５】また、この発明において、放電処理ポリイ
ミドフィルムにレ−ザ−加工、機械加工あるいは湿式法
によって穴あけ加工した後、２層の金属蒸着層または２
層の金属蒸着層および金属メッキ層を形成してもよい。
この発明において、金属薄膜層の厚みは、蒸着用タ−ゲ
ット金属の均一部分を用いたり、電気メッキの外周部
（厚くなる）を除いたりして、５％以内の均一にするこ
とができる。また、この発明の金属薄膜付きポリイミド
フィルムは、主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミ
ド層を両面に有するポリイミドフィルムの片面に２層の
金属薄膜を形成し、他の面に熱伝導性を改良するために
金属（例えば前記の金属）を使用して金属蒸着層あるい
はセラミック蒸着層を形成したものであってもよい。
ミドフィルムにレ−ザ−加工、機械加工あるいは湿式法
によって穴あけ加工した後、２層の金属蒸着層または２
層の金属蒸着層および金属メッキ層を形成してもよい。
この発明において、金属薄膜層の厚みは、蒸着用タ−ゲ
ット金属の均一部分を用いたり、電気メッキの外周部
（厚くなる）を除いたりして、５％以内の均一にするこ
とができる。また、この発明の金属薄膜付きポリイミド
フィルムは、主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミ
ド層を両面に有するポリイミドフィルムの片面に２層の
金属薄膜を形成し、他の面に熱伝導性を改良するために
金属（例えば前記の金属）を使用して金属蒸着層あるい
はセラミック蒸着層を形成したものであってもよい。
【００３６】この発明の金属薄膜付きポリイミドフィル
ムは、金属薄膜とポリイミドフィルムとの剥離強度が大
きく、フレキシブル印刷回路基板、ＴＡＢテ−プ、多層
基板等に好適に使用することができる。
ムは、金属薄膜とポリイミドフィルムとの剥離強度が大
きく、フレキシブル印刷回路基板、ＴＡＢテ−プ、多層
基板等に好適に使用することができる。
【００３７】
【実施例】以下にこの発明の実施例を示す。以下の各例
において部は重量部を示し、各例の測定は以下に示す試
験方法によって行った。 表面張力：フィルム表面の接触角をＪＩＳ Ｋ６７６６
に準じて測定した。フィルム表面状態：ＳＥＭにより５
００００倍にて観察し、網目構造の有無を確認した。 初期剥離強度：銅メッキ後２４時間経過したサンプルを
１０ｍｍ幅に切り出し、ＪＩＳ６４７１に準じ９０度剥
離強度（５０ｍｍ／分の速度で剥離）を測定した。
において部は重量部を示し、各例の測定は以下に示す試
験方法によって行った。 表面張力：フィルム表面の接触角をＪＩＳ Ｋ６７６６
に準じて測定した。フィルム表面状態：ＳＥＭにより５
００００倍にて観察し、網目構造の有無を確認した。 初期剥離強度：銅メッキ後２４時間経過したサンプルを
１０ｍｍ幅に切り出し、ＪＩＳ６４７１に準じ９０度剥
離強度（５０ｍｍ／分の速度で剥離）を測定した。
【００３８】耐熱性−１：１５０℃、空気中、２４時間
経過後のサンプルについて、前記と同様にして９０度剥
離強度を測定した。 耐熱性−２：２００℃、窒素中、２４時間経過後のサン
プルについて、前記と同様にして９０度剥離強度を測定
した。 ＰＣＴ後の剥離強度：試料を１２１℃、２気圧、湿度１
００％の雰囲気で２４時間処理したサンプルについて、
前記と同様にして９０度剥離強度を測定した。 フィルム厚み：柔軟性ポリイミド層と高耐熱性ポリイミ
ド層の厚みを、各々断面を光学顕微鏡により測定した。
経過後のサンプルについて、前記と同様にして９０度剥
離強度を測定した。 耐熱性−２：２００℃、窒素中、２４時間経過後のサン
プルについて、前記と同様にして９０度剥離強度を測定
した。 ＰＣＴ後の剥離強度：試料を１２１℃、２気圧、湿度１
００％の雰囲気で２４時間処理したサンプルについて、
前記と同様にして９０度剥離強度を測定した。 フィルム厚み：柔軟性ポリイミド層と高耐熱性ポリイミ
ド層の厚みを、各々断面を光学顕微鏡により測定した。
【００３９】参考例１
内容積２００リットルの円筒重合槽に、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド（ＤＭＡｃ）４６００部およびｐ−フェ
ニレンジアミン（ＰＰＤ）２７０．３５部（２．５モ
ル）を入れ、窒素中室温（約３０℃）で攪拌しながら、
３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物７３５．５５部（２．５モル）を添加し、６時間攪
拌して濃度１８％の芳香族ポリアミック酸の溶液を得
た。この溶液の回転粘度は１６００ポイズであった。
ルアセトアミド（ＤＭＡｃ）４６００部およびｐ−フェ
ニレンジアミン（ＰＰＤ）２７０．３５部（２．５モ
ル）を入れ、窒素中室温（約３０℃）で攪拌しながら、
３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物７３５．５５部（２．５モル）を添加し、６時間攪
拌して濃度１８％の芳香族ポリアミック酸の溶液を得
た。この溶液の回転粘度は１６００ポイズであった。
【００４０】参考例２
内容積２００リットルの円筒重合槽に、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド（ＤＭＡｃ）５６００部および４，４’
−ジアミノジフェニルエ−テル（ＤＡＤＥ）５００．６
部（２．５モル）を入れ、窒素中室温（約３０℃）で攪
拌しながら、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物７３５．５５部（２．５モル）を添加
し、６時間攪拌して濃度１８％の芳香族ポリアミック酸
の溶液を得た。この溶液の回転粘度は１５００ポイズで
あった。
ルアセトアミド（ＤＭＡｃ）５６００部および４，４’
−ジアミノジフェニルエ−テル（ＤＡＤＥ）５００．６
部（２．５モル）を入れ、窒素中室温（約３０℃）で攪
拌しながら、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物７３５．５５部（２．５モル）を添加
し、６時間攪拌して濃度１８％の芳香族ポリアミック酸
の溶液を得た。この溶液の回転粘度は１５００ポイズで
あった。
【００４１】実施例１
参考例１のポリアミック酸溶液を第一のポリアミック酸
溶液として使用し、参考例２のポリアミック酸溶液を第
二のポリアミック酸溶液として使用し、３層押出ダイス
から平滑な金属性支持体の上面に押出して流延し、１４
０℃の熱風で連続的に乾燥し、固化フィルム（自己支持
性フィルム、揮発物含有量：３６重量％）を形成し、そ
の固化フィルムを支持体から剥離した後、加熱炉で２０
０℃から４５０℃まで徐々に昇温して、溶媒を除去する
と共にイミド化して、３層の芳香族ポリイミドフィルム
を得た。この多層ポリイミドフィルムは、柔軟性ポリイ
ミド層／高耐熱性ポリイミド層／柔軟性ポリイミド層の
厚みが３μｍ／４４μｍ／３μｍの厚み構成であった。
この多層ポリイミドフィルムについて以下の条件で処理
を行った。
溶液として使用し、参考例２のポリアミック酸溶液を第
二のポリアミック酸溶液として使用し、３層押出ダイス
から平滑な金属性支持体の上面に押出して流延し、１４
０℃の熱風で連続的に乾燥し、固化フィルム（自己支持
性フィルム、揮発物含有量：３６重量％）を形成し、そ
の固化フィルムを支持体から剥離した後、加熱炉で２０
０℃から４５０℃まで徐々に昇温して、溶媒を除去する
と共にイミド化して、３層の芳香族ポリイミドフィルム
を得た。この多層ポリイミドフィルムは、柔軟性ポリイ
ミド層／高耐熱性ポリイミド層／柔軟性ポリイミド層の
厚みが３μｍ／４４μｍ／３μｍの厚み構成であった。
この多層ポリイミドフィルムについて以下の条件で処理
を行った。
【００４２】処理１：減圧プラズマ処理装置によるエッ
チング 減圧プラズマ処理装置内にポリイミドフィルムを設置
後、０．１Ｐａ以下に減圧後、Ａｒガスを導入しＡｒ＝
１００％、圧力＝１３．３Ｐａ、パワ−＝５ＫＷ（４０
ＫＨｚ）にて２分処理を行った。
チング 減圧プラズマ処理装置内にポリイミドフィルムを設置
後、０．１Ｐａ以下に減圧後、Ａｒガスを導入しＡｒ＝
１００％、圧力＝１３．３Ｐａ、パワ−＝５ＫＷ（４０
ＫＨｚ）にて２分処理を行った。
【００４３】処理２：フィルム表面クリ−ニング
スパッタリング装置に処理１のポリイミドフィルムを基
板フォルダ−に設置し、２×１０−４Ｐａ以下の真空に
排気後、Ａｒを導入し、０．６７Ｐａとした後、ポリイ
ミドフィルムが接した電極に１３．５６ＭＨｚの高周波
電力３００Ｗで１分間処理した。
板フォルダ−に設置し、２×１０−４Ｐａ以下の真空に
排気後、Ａｒを導入し、０．６７Ｐａとした後、ポリイ
ミドフィルムが接した電極に１３．５６ＭＨｚの高周波
電力３００Ｗで１分間処理した。
【００４４】処理３：金属薄膜形成
処理２に連続して、Ａｒ０．６７Ｐａ雰囲気にてＤＣス
パッタリングにより、１５０Ｗにて、Ｃｒ薄膜を１０ｎ
ｍ形成後Ｃｕ薄膜を３００ｎｍ形成し、大気中に取り出
した。さらに、酸性硫酸銅溶液を用いて電解メッキを行
い、金属膜を２０μｍとなるように銅メッキを施した。
なお、酸性硫酸銅電解メッキは、アルカリ脱脂−水洗−
酸洗−メッキ処理の手順、電流値が１Ａ／ｄｍ２（５
分）次いで４．５Ａ／ｄｍ２（２０分）にて行った。得
られた金属薄膜付きポリイミドフィルムは、初期剥離強
度が１．５Ｋｇｆ／ｃｍ、耐熱性評価の前記１５０℃、
２００℃処理後の剥離強度がいずれも１Ｋｇｆ／ｃｍ、
ＰＣＴ後の剥離強度が１．３Ｋｇｆ／ｃｍであった。
パッタリングにより、１５０Ｗにて、Ｃｒ薄膜を１０ｎ
ｍ形成後Ｃｕ薄膜を３００ｎｍ形成し、大気中に取り出
した。さらに、酸性硫酸銅溶液を用いて電解メッキを行
い、金属膜を２０μｍとなるように銅メッキを施した。
なお、酸性硫酸銅電解メッキは、アルカリ脱脂−水洗−
酸洗−メッキ処理の手順、電流値が１Ａ／ｄｍ２（５
分）次いで４．５Ａ／ｄｍ２（２０分）にて行った。得
られた金属薄膜付きポリイミドフィルムは、初期剥離強
度が１．５Ｋｇｆ／ｃｍ、耐熱性評価の前記１５０℃、
２００℃処理後の剥離強度がいずれも１Ｋｇｆ／ｃｍ、
ＰＣＴ後の剥離強度が１．３Ｋｇｆ／ｃｍであった。
【００４５】実施例２〜３
処理１の処理時間を１分、または３分とした他は実施例
１と同様に実施した。実施例２では処理面の凸部のほぼ
全部が網目構造であり、実施例３では処理面の凸部の過
半数以上が網目構造である。得られた金属薄膜付きポリ
イミドフィルムについて、前記に従って評価した。表１
に結果を示す。
１と同様に実施した。実施例２では処理面の凸部のほぼ
全部が網目構造であり、実施例３では処理面の凸部の過
半数以上が網目構造である。得られた金属薄膜付きポリ
イミドフィルムについて、前記に従って評価した。表１
に結果を示す。
【００４６】比較例１
処理１の減圧放電処理を行わない他は実施例１と同様に
実施した。得られた金属薄膜付きポリイミドフィルム
は、初期剥離強度が１．２Ｋｇｆ／ｃｍであったが、耐
熱性評価の前記２００℃処理後の剥離強度が０．２Ｋｇ
ｆ／ｃｍと著しく低下した。表１に結果を示す。
実施した。得られた金属薄膜付きポリイミドフィルム
は、初期剥離強度が１．２Ｋｇｆ／ｃｍであったが、耐
熱性評価の前記２００℃処理後の剥離強度が０．２Ｋｇ
ｆ／ｃｍと著しく低下した。表１に結果を示す。
【００４７】比較例２
処理１の処理時間を５分とした他は実施例１と同様に実
施した。処理面の凸部には網目構造が確認できなかっ
た。得られた金属薄膜付きポリイミドフィルムは、初期
剥離強度は１．４Ｋｇｆ／ｃｍであるが、ＰＣＴ後の剥
離強度が０．０７Ｋｇｆ／ｃｍと著しく低下した。
施した。処理面の凸部には網目構造が確認できなかっ
た。得られた金属薄膜付きポリイミドフィルムは、初期
剥離強度は１．４Ｋｇｆ／ｃｍであるが、ＰＣＴ後の剥
離強度が０．０７Ｋｇｆ／ｃｍと著しく低下した。
【００４８】比較例３
処理１、処理２を行った後、下地金属層：Ｃｒの形成を
行わず、直接Ｃｕ膜をＤＣスパッタリングにて形成し
た。得られた金属薄膜付きポリイミドフィルムは、初期
剥離強度が１．６Ｋｇｆ／ｃｍであったが、耐熱性評価
の１５０℃処理にて剥離強度０．３Ｋｇｆ／ｃｍ、２０
０℃処理後の剥離強度が０．１Ｋｇｆ／ｃｍ、ＰＣＴ後
の剥離強度は０．０２Ｋｇｆ／ｃｍと著しく低下した。
行わず、直接Ｃｕ膜をＤＣスパッタリングにて形成し
た。得られた金属薄膜付きポリイミドフィルムは、初期
剥離強度が１．６Ｋｇｆ／ｃｍであったが、耐熱性評価
の１５０℃処理にて剥離強度０．３Ｋｇｆ／ｃｍ、２０
０℃処理後の剥離強度が０．１Ｋｇｆ／ｃｍ、ＰＣＴ後
の剥離強度は０．０２Ｋｇｆ／ｃｍと著しく低下した。
【００４９】比較例４
ポリイミドフィルムとしてカプトンＨ（厚み５０μｍ）
を使用した他は実施例１と同様に実施した。得られた金
属薄膜付きポリイミドフィルムは、初期剥離強度が０．
６Ｋｇｆ／ｃｍと低く、ＰＣＴ後の剥離強度は０．６Ｋ
ｇｆ／ｃｍと初期強度と変わなかったが、耐熱性評価の
１５０℃処理にて剥離強度０．３Ｋｇｆ／ｃｍ、２００
℃処理後の剥離強度が０．０２Ｋｇｆ／ｃｍと著しく低
下した。
を使用した他は実施例１と同様に実施した。得られた金
属薄膜付きポリイミドフィルムは、初期剥離強度が０．
６Ｋｇｆ／ｃｍと低く、ＰＣＴ後の剥離強度は０．６Ｋ
ｇｆ／ｃｍと初期強度と変わなかったが、耐熱性評価の
１５０℃処理にて剥離強度０．３Ｋｇｆ／ｃｍ、２００
℃処理後の剥離強度が０．０２Ｋｇｆ／ｃｍと著しく低
下した。
【００５０】
【表１】
【００５１】実施例４
実施例１で得られたＣｕ蒸着した金属薄膜付きポリイミ
ドフィルムを、奥野製薬社製のＯＰＣ−５０（４０℃、
２分）、ＯＰＣ−１５０（２５℃、５分）で処理し、さ
らに奥野製薬社製のカッパ−ＬＰ（６０℃、１０分）で
ポリイミドフィルムの表面に０．５μｍの無電解メッキ
して銅被膜を形成した。さらにこの上に硫酸銅浴により
銅電解メッキ層１０μｍの厚さに形成し、金属薄膜付き
ポリイミドフィルムを得た。評価結果は実施例１と同等
であった。
ドフィルムを、奥野製薬社製のＯＰＣ−５０（４０℃、
２分）、ＯＰＣ−１５０（２５℃、５分）で処理し、さ
らに奥野製薬社製のカッパ−ＬＰ（６０℃、１０分）で
ポリイミドフィルムの表面に０．５μｍの無電解メッキ
して銅被膜を形成した。さらにこの上に硫酸銅浴により
銅電解メッキ層１０μｍの厚さに形成し、金属薄膜付き
ポリイミドフィルムを得た。評価結果は実施例１と同等
であった。
【００５２】実施例５〜９
蒸着金属として、Ｃｒに代えてＤＣスパッタリング法に
より、チタン、パラジウム、モリブデン、ニッケル、ま
たはコバルトである金属膜を１０ｎｍ形成し、次いで銅
を３００ｎｍ形成した後、銅を電解メッキした他は実施
例１と同様に実施して、金属薄膜付きポリイミドフィル
ムを得る。評価はいずれも実施例１と同等である。
より、チタン、パラジウム、モリブデン、ニッケル、ま
たはコバルトである金属膜を１０ｎｍ形成し、次いで銅
を３００ｎｍ形成した後、銅を電解メッキした他は実施
例１と同様に実施して、金属薄膜付きポリイミドフィル
ムを得る。評価はいずれも実施例１と同等である。
【００５３】実施例１０
常法によってポリイミドフィルムに貫通孔を形成した
後、実施例１と同様にしてフィルム両面及び貫通孔にＤ
Ｃスパッタリング法によってクロム金属層を設けた後、
銅層を形成し、さらに銅を電解メッキして得られた金属
薄膜付きポリイミドフィルムを使用して、２層プリント
回路用基板を得た。次いで、常法によって回路パタ−ン
形成し、金メッキを形成した２層方プリント回路基板を
得ることができた。
後、実施例１と同様にしてフィルム両面及び貫通孔にＤ
Ｃスパッタリング法によってクロム金属層を設けた後、
銅層を形成し、さらに銅を電解メッキして得られた金属
薄膜付きポリイミドフィルムを使用して、２層プリント
回路用基板を得た。次いで、常法によって回路パタ−ン
形成し、金メッキを形成した２層方プリント回路基板を
得ることができた。
【００５４】実施例１１
常法によってポリイミドフィルムに貫通孔を形成した
後、実施例５〜９と同様にしてフィルム両面及び貫通孔
にＤＣスパッタリング法によってチタン、パラジウム、
モリブデン、ニッケル、またはコバルトの金属層を設け
た後、銅層を形成し、さらに銅を電解メッキして得られ
た金属薄膜付きポリイミドフィルムを使用して、２層プ
リント回路用基板を得る。次いで、常法によって回路パ
タ−ン形成し、金メッキを形成した２層方プリント回路
基板を得ることができる。
後、実施例５〜９と同様にしてフィルム両面及び貫通孔
にＤＣスパッタリング法によってチタン、パラジウム、
モリブデン、ニッケル、またはコバルトの金属層を設け
た後、銅層を形成し、さらに銅を電解メッキして得られ
た金属薄膜付きポリイミドフィルムを使用して、２層プ
リント回路用基板を得る。次いで、常法によって回路パ
タ−ン形成し、金メッキを形成した２層方プリント回路
基板を得ることができる。
【００５５】実施例１２
蒸着下地金属としてＣｒに代えてＤＣスパッタリング法
により、チタン、パラジウム、モリブデン、ニッケル、
またはコバルトである金属膜を１０ｎｍ形成し、次いで
銅を３００ｎｍ形成した後、銅を電解メッキした他は実
施例１と同様に実施して、金属薄膜付きポリイミドフィ
ルムを得る。評価はいずれも実施例１と同等である。
により、チタン、パラジウム、モリブデン、ニッケル、
またはコバルトである金属膜を１０ｎｍ形成し、次いで
銅を３００ｎｍ形成した後、銅を電解メッキした他は実
施例１と同様に実施して、金属薄膜付きポリイミドフィ
ルムを得る。評価はいずれも実施例１と同等である。
【００５６】実施例１３
蒸着下地金属としてＣｒに代えてＤＣスパッタリングに
よりＮｉＣｒ合金（組成：Ｎｉ／Ｃｒ＝８０／２０、重
量比）をタ−ゲットとして、ポリイミドフィルム上へＮ
ｉＣｒ薄膜を５ｎｍ形成した他は実施例１と同様に実施
して、ポリイミドフィルム上へ５ｎｍのＮｉＣｒ薄膜、
３００ｎｍのＣｕ薄膜、２０μｍの銅メッキ層を順次形
成した。得られた金属薄膜付きポリイミドフィルムは、
初期剥離強度が１．４５Ｋｇｆ／ｃｍ、耐熱性評価の前
記１５０℃、２００℃処理後の剥離強度がいずれも０．
７７Ｋｇｆ／ｃｍ、ＰＣＴ後の剥離強度が０．７Ｋｇｆ
／ｃｍであった。
よりＮｉＣｒ合金（組成：Ｎｉ／Ｃｒ＝８０／２０、重
量比）をタ−ゲットとして、ポリイミドフィルム上へＮ
ｉＣｒ薄膜を５ｎｍ形成した他は実施例１と同様に実施
して、ポリイミドフィルム上へ５ｎｍのＮｉＣｒ薄膜、
３００ｎｍのＣｕ薄膜、２０μｍの銅メッキ層を順次形
成した。得られた金属薄膜付きポリイミドフィルムは、
初期剥離強度が１．４５Ｋｇｆ／ｃｍ、耐熱性評価の前
記１５０℃、２００℃処理後の剥離強度がいずれも０．
７７Ｋｇｆ／ｃｍ、ＰＣＴ後の剥離強度が０．７Ｋｇｆ
／ｃｍであった。
【００５７】
【発明の効果】この発明の放電処理ポリイミドフィルム
は、主鎖中に屈曲性結合を含む芳香族ポリイミド層を表
面に有する芳香族ポリイミドフィルムが、高い耐熱性、
寸法安定性および機械的物性を有していると共に、該主
鎖中に屈曲性結合を含むポリイミド層が減圧放電処理し
て処理面が網目構造の凸部を有する凹凸形状を有し、金
属蒸着層と芳香族ポリイミドフィルムとの間の接着が強
固である。
は、主鎖中に屈曲性結合を含む芳香族ポリイミド層を表
面に有する芳香族ポリイミドフィルムが、高い耐熱性、
寸法安定性および機械的物性を有していると共に、該主
鎖中に屈曲性結合を含むポリイミド層が減圧放電処理し
て処理面が網目構造の凸部を有する凹凸形状を有し、金
属蒸着層と芳香族ポリイミドフィルムとの間の接着が強
固である。
【００５８】さらに、この発明の金属薄膜付きポリイミ
ドフィルムは、主鎖中に屈曲性結合を含む芳香族ポリイ
ミド層を表面に有する芳香族ポリイミドフィルムと金属
薄膜との接合が、熱硬化性の接着剤等をまったく使用せ
ずに、主鎖中に屈曲性結合を含む芳香族ポリイミド層に
直接金属蒸着層が形成されているので、高い耐熱性を有
するものである。さらに、この発明の金属薄膜付きポリ
イミドフィルムは、金属層が金属蒸着層または金属蒸着
層と金属メッキ層とからなり、極めて薄い膜厚（０．２
〜２０μｍ）から通常の厚さまで任意の厚さとすること
が可能であり、幅広い用途に対応が可能となる。
ドフィルムは、主鎖中に屈曲性結合を含む芳香族ポリイ
ミド層を表面に有する芳香族ポリイミドフィルムと金属
薄膜との接合が、熱硬化性の接着剤等をまったく使用せ
ずに、主鎖中に屈曲性結合を含む芳香族ポリイミド層に
直接金属蒸着層が形成されているので、高い耐熱性を有
するものである。さらに、この発明の金属薄膜付きポリ
イミドフィルムは、金属層が金属蒸着層または金属蒸着
層と金属メッキ層とからなり、極めて薄い膜厚（０．２
〜２０μｍ）から通常の厚さまで任意の厚さとすること
が可能であり、幅広い用途に対応が可能となる。
【図１】図１は、この発明の一例であるポリイミドフィ
ルムを減圧プラズマ処理して得られた網目構造の凸部を
有する凹凸形状の減圧放電処理面のＳＥＭ観察図（５０
０００倍拡大）である。
ルムを減圧プラズマ処理して得られた網目構造の凸部を
有する凹凸形状の減圧放電処理面のＳＥＭ観察図（５０
０００倍拡大）である。
【図２】図２は、比較例１の未処理のポリイミドフィル
ムの表面ＳＥＭ観察図（５００００倍拡大）である。
ムの表面ＳＥＭ観察図（５００００倍拡大）である。
【図３】図３は比較例２のポリイミドフィルムを過度に
減圧プラズマ処理して得られた網目構造がなくなった凸
部を有する凹凸形状の減圧放電処理面のＳＥＭ観察図
（５００００倍拡大）である。
減圧プラズマ処理して得られた網目構造がなくなった凸
部を有する凹凸形状の減圧放電処理面のＳＥＭ観察図
（５００００倍拡大）である。
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フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4F100 AB01D AB01E AB33D AB33E
AK49A AK49B AK49C BA05
BA06 BA10D BA10E DC16B
DC16C DD02B DD02C DD07B
DD07C EJ30 EJ302 EJ33
EJ332 EJ61 EJ612 EJ62
EJ622 GB41 JK06 JK17B
JK17C JL11
Claims (12)
- 【請求項１】ビフェニルテトラカルボン酸成分を含む高
耐熱性の芳香族ポリイミド層を中心層として有し、表面
層が主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミド層であ
るポリイミドフィルムの該柔軟性ポリイミド層表面を減
圧放電処理してなり、処理面が網目構造の凸部を有する
凹凸形状を有し、減圧放電処理面に少なくとも２層の金
属薄膜を形成してなる金属薄膜付きポリイミドフィルム
が１Ｋｇｆ／ｃｍ以上の初期剥離強度を示す放電処理ポ
リイミドフィルム。 - 【請求項２】ビフェニルテトラカルボン酸成分を含む高
耐熱性の芳香族ポリイミド層を中心層として有し、表面
層が主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミド層であ
るポリイミドフィルムの該柔軟性ポリイミド層表面を減
圧放電処理によりエッチングして処理面に網目構造の凸
部を有する凹凸形状を形成せしめ、金属との接着力を改
善するポリイミドフィルムの放電処理方法。 - 【請求項３】ビフェニルテトラカルボン酸成分を含む高
耐熱性の芳香族ポリイミドの層を中心層として有し、表
面層が主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミド層で
あるポリイミドフィルムの該柔軟性ポリイミド層表面を
減圧放電処理した、網目構造の凸部を有する凹凸形状の
減圧放電処理面に少なくとも２層の金属薄膜を形成して
なり、１Ｋｇｆ／ｃｍ以上の初期剥離強度を示す金属薄
膜付きポリイミドフィルム。 - 【請求項４】芳香族ポリイミドフィルムの少なくとも片
面に金属薄膜が、ビフェニルテトラカルボン酸成分を含
む高耐熱性の芳香族ポリイミドの層の少なくとも片面に
主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミド層が一体に
積層されている多層ポリイミドフィルムの該柔軟性ポリ
イミド層表面を減圧放電処理した、網目構造の凸部を有
する凹凸形状の処理面に少なくとも２層の金属薄膜を形
成してなる金属薄膜付きポリイミドフィルム。 - 【請求項５】芳香族ポリイミドフィルムの少なくとも片
面に少なくとも２層の金属蒸着層を形成してなり、２層
の金属蒸着層および金属メッキ層を形成した金属薄膜付
きポリイミドフィルムが、初期剥離強度（９０度剥離、
以下同じ）が１Ｋｇｆ／ｃｍ以上、耐熱性試験（２００
℃、窒素中、２４時間）後の剥離強度が０．８Ｋｇｆ／
ｃｍ以上、ＰＣＴ（１２０℃、２気圧、湿度８０％以
上、２４時間）後の剥離強度が０．５Ｋｇｆ／ｃｍ以上
である金属薄膜付きポリイミドフィルム。 - 【請求項６】ポリイミドフィルムが、ビフェニルテトラ
カルボン酸成分を含む高耐熱性の芳香族ポリイミドと主
鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミドとの多層構造
を有する請求項３〜５のいずれかに記載の金属薄膜付き
ポリイミドフィルム。 - 【請求項７】高耐熱性の芳香族ポリイミドが、１０モル
％以上の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物と５モル％以上のｐ−フェニレンジアミン
からなる請求項３〜５のいずれかに記載の金属薄膜付き
ポリイミドフィルム。 - 【請求項８】柔軟性ポリイミド層が、引張弾性率２００
〜７００Ｋｇ／ｍｍ2の芳香族ポリイミド層である請求
項３〜５のいずれかに記載の金属薄膜付きポリイミドフ
ィルム。 - 【請求項９】減圧放電処理が、減圧真空プラズマ放電処
理である３〜５のいずれかに記載の金属薄膜付きポリイ
ミドフィルム。 - 【請求項１０】主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイ
ミド層を両面に有し、ポリイミドフィルムの他の面に熱
伝導性を改良するための金属蒸着層あるいはセラミック
蒸着層を有する請求項３〜９記載の金属薄膜付きポリイ
ミドフィルム。 - 【請求項１１】請求項１記載の放電処理ポリイミドフィ
ルムにレ−ザ−加工、機械加工あるいは湿式法によって
孔空加工した後、２層の金属蒸着層または２層の金属蒸
着層および金属メッキ層を形成してなる請求項３〜９記
載の金属薄膜付きポリイミドフィルム。 - 【請求項１２】ビフェニルテトラカルボン酸成分を含む
高耐熱性の芳香族ポリイミド層を中心層として有し表面
層が主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミド層であ
るポリイミドフィルムの該柔軟性ポリイミド層表面を減
圧放電処理によりエッチングして処理面に網目構造の凸
部を有する凹凸形状を形成せしめた後、連続してあるい
は一旦大気中に置いた後プラズマスクリ−ニング処理に
よって清浄化した後、蒸着法によって金属薄膜を形成す
る金属薄膜付きポリイミドフィルムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002161098A JP4032831B2 (ja) | 2001-06-04 | 2002-06-03 | 放電処理ポリイミドフィルム、放電処理方法、金属薄膜付きポリイミドフィルムおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001168194 | 2001-06-04 | ||
| JP2001-168194 | 2001-06-04 | ||
| JP2002161098A JP4032831B2 (ja) | 2001-06-04 | 2002-06-03 | 放電処理ポリイミドフィルム、放電処理方法、金属薄膜付きポリイミドフィルムおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003071983A true JP2003071983A (ja) | 2003-03-12 |
| JP4032831B2 JP4032831B2 (ja) | 2008-01-16 |
Family
ID=26616289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002161098A Expired - Fee Related JP4032831B2 (ja) | 2001-06-04 | 2002-06-03 | 放電処理ポリイミドフィルム、放電処理方法、金属薄膜付きポリイミドフィルムおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4032831B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012128570A2 (ko) * | 2011-03-22 | 2012-09-27 | 주식회사 잉크테크 | 금속 박막 필름 제조방법 |
| KR20150143407A (ko) | 2013-04-16 | 2015-12-23 | 도요보 가부시키가이샤 | 금속박 적층체 |
| KR20190111332A (ko) * | 2018-03-22 | 2019-10-02 | 에스케이씨코오롱피아이 주식회사 | 무지향성 고분자 사슬을 포함하는 폴리이미드 필름, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 그라파이트 시트 |
| KR20200120506A (ko) * | 2019-04-12 | 2020-10-21 | 피아이첨단소재 주식회사 | 다층 구조의 블랙 폴리이미드 필름 및 이의 제조방법 |
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-
2002
- 2002-06-03 JP JP2002161098A patent/JP4032831B2/ja not_active Expired - Fee Related
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