JP2003340964A - 銅張り積層基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】耐熱性接着剤等を全く使用することなく銅メッ
キ膜が形成されており、微細な配線パタ−ンが可能で後
加工工程で不具合が発生することの少ない銅張り積層基
板を提供する。 【解決手段】ポリイミドフィルムの少なくとも片面に直
径１５μｍ以上の異常突起数が０〜２００個／ｍｍ^２の
電気銅メッキ層表面を有し、初期剥離強度が１ｋｇｆ／
ｃｍ以上、１５０℃で２４時間加熱後の剥離強度が０．
６ｋｇｆ／ｃｍ以上である銅張り積層基板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は銅張り積層基板に関
し、さらに詳しくは熱硬化性や熱可塑性の耐熱性接着剤
等をまったく使用しないで銅メッキ膜を形成した表面状
態が良好な銅張り積層基板に関するものである。この発
明の銅張り積層基板は、ＴＡＢ基板、フレキシブル印刷
回路基板（ＦＰＣ）に有用である。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＴＡＢテ−プやフレキシブル印刷
回路基板は、ポリイミドフィルムを熱硬化性の接着剤あ
るいは熱可塑性の接着剤で銅箔と張合わせた複合材料が
一般的である。しかし、使用できる接着剤の耐熱性が２
００℃以下であり、ハンダ工程等で高温にさらされる場
合は使用できなかったり、電気特性がポリイミドフィル
ムに比べ満足できないという問題があり、銅箔とポリイ
ミドフィルムとの張合わせ複合材料としてはより耐熱性
のあるものが期待されていた。また、この場合、銅箔の
厚さに制限があり、薄い複合材料を製造できないという
問題がある。すなわち、エッチングでファインパタ−ン
の回路を形成することが困難となり、微細な配線パタ−
ンが必要である用途に適用できなくなる。

【０００３】その対策として接着剤を使用しないで、ポ
リイミドフィルム支持体に銅層が形成されている「無接
着剤型の複合材料」が提案されている。しかし、ポリイ
ミドフィルムは接着性が低いため、銅層を形成するポリ
イミドフィルムの接着性を改善するために種々の試みが
なされている。例えば、デスミア処理やアルカリ処理等
の湿式処理が挙げられるが、湿式処理後の洗浄を十分に
行う必要があり金属薄膜を形成する前に十分な乾燥が必
要なため、工程上不利である。また、表面改質処理とし
てプラズマ放電処理やコロナ放電処理等が知られている
が、金属薄膜に対する十分な密着力は得られない。

【０００４】このため、ポリイミドフィルムとして共重
合ポリイミドフィルムあるいは多層ポリイミドフィルム
を使用し、放電処理した処理面にスパッタリング装置で
２種の金属を蒸着し、その金属蒸着面に銅メッキして、
銅とポリイミドフィルムとの剥離強度が大きい銅張り基
板が提案された。

【０００５】例えば、ピロメリット酸二無水物と４，
４’−ジアミノジフェニルエ−テルとから得られるポリ
イミド（ＰＭＤＡ系ポリイミド）を上記ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物とｐフェニレンジアミンとから得
られるポリイミドフィルムの表面に塗布、加熱した後、
ＰＭＤＡ系ポリイミド層の中間層を形成し、その上に金
属蒸着層や金属メッキ層を設けた銅張り基板（特開平６
−１２４９７８号、特開平６−２１０７９４号公報）が
提案されている。

【０００６】また、ピロメリット酸二無水物と３，
３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
とを併用した共重合ポリイミドフィルムをグロ−放電プ
ラズマ処理により処理して金属蒸着層を設け、その上に
電気メッキ法で厚膜の銅層を積層して得られる銅張り基
板が知られている。しかし、これらの銅張り基板は、初
期の剥離強度は大きいが、銅張り基板にレジストを塗工
する工程などのＩＣパッケ−ジ内部回路に成形するまで
の加工工程で不具合が発生するという問題が生じてい
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は、耐
熱性接着剤等を全く使用することなく銅メッキ膜が形成
されており、微細な配線パタ−ンが可能で後加工工程で
不具合が発生することの少ない銅張り積層基板を提供す
ることである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明者は、長尺の銅
張り積層基板において前記の不具合が銅メッキ表面に生
じた多数の異常突起に起因することおよび銅メッキのさ
いにメッキ液中に存在する未溶解もしくは液中にて析出
した銅金属粒子がフィルム上に付着し、異常突起が大き
くなりしかも多数生じることを見出し、さらに研究した
結果、この発明を完成した。すなわち、この発明は、ポ
リイミドフィルムの少なくとも片面に電気銅メッキ層を
有し、該電気銅メッキ層の表面における直径１５μｍ以
上の異常突起数が０〜２００個／ｍｍ^２であり、初期剥
離強度が１ｋｇｆ／ｃｍ以上、１５０℃で２４時間加熱
後の剥離強度が０．６ｋｇｆ／ｃｍ以上である銅張り積
層基板に関する。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下にこの発明の好ましい態様を
列記する。 １）ポリイミドフィルムが、ポリイミドフィルムの少な
くとも片面を減圧放電処理して網目構造の凸部を有する
凹凸形状を形成したものである上記の銅張り積層基板。 ２）ポリイミドフィルムが、ビフェニルテトラカルボン
酸成分および４，４’−ジアミノジフェニルエ−テルを
必須成分として含むものである上記の銅張り積層基板。 ３）ポリイミドフィルムが、中心層としての高耐熱性の
芳香族ポリイミド層および表面層としての主鎖中に屈曲
性結合を含む柔軟性ポリイミド層からなる多層ポリイミ
ドフィルムである上記の銅張り積層基板。 ４）電気銅メッキ層が、ポリイミドフィルムの少なくと
も片面に設けた少なくとも２層の金属蒸着層の上に銅メ
ッキして形成したものであり、全金属層の厚みが１〜２
０μｍである上記の銅張り積層基板。 ５）減圧放電処理が、真空プラズマ放電処理である上記
の銅張り積層基板。

【００１０】６）ポリイミドフィルムの他の面に熱伝導
性を改良するための金属蒸着層あるいはセラミック蒸着
層を有する上記の銅張り積層基板。 ７）電気銅メッキ層が、ポリイミドフィルムの両面にあ
る上記の銅張り積層基板。 ８）さらに、ＰＣＴ処理（１２１℃、２気圧、湿度１０
０％の雰囲気で１６８時間処理）後の剥離強度が０．６
ｋｇｆ／ｃｍ以上である上記の銅張り積層基板。 ９）電気銅メッキ層の表面における直径１５μｍ以上１
０００μｍ以下の異常突起数が０〜２００個／ｍｍ^２で
ある上記の銅張り積層基板。 １０）異常突起数が１〜２００個／ｍｍ^２である上記の
銅張り積層基板。 １１）異常突起数が０〜５０個／ｍｍ^２である上記の銅
張り積層基板。この明細書において、処理面に網目構造
の凸部を有する凹凸形状を有しとは、処理面の少なくと
も（０．１〜９０％）一部の連続した凸部を形成してお
り網目構造であることを意味する。

【００１１】以下、この発明について、図面も参考にし
て、詳しく説明する。図１は、この発明の一例である実
施例１で得られた銅張り積層基板の表面を示す顕微鏡写
真であり、図２はをフィルムを縦に配置して電気メッキ
した比較例１で得られた銅張り積層基板の表面を示す顕
微鏡写真である。

【００１２】この発明の銅張り積層基板は、好適には長
尺の表面処理されたポリイミドフィルムを地面に垂直に
（従って縦に）維持しながら電気メッキ液中を搬送し、
銅メッキ膜の製膜条件を最適化して少なくとも片面を銅
メッキすることによって、銅メッキ膜の特性を変えずに
異常突起を低減した銅張り積層基板として得ることがで
きる。

【００１３】この発明において、ポリイミドフィルムと
しては、好適にはビフェニルテトラカルボン酸成分を含
む高耐熱性の芳香族ポリイミド層を中心層として有し、
表面層が主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミド層
であるポリイミドフィルムの該柔軟性ポリイミド層表面
を減圧放電処理によりエッチングして処理面に網目構造
の凸部を有する凹凸形状を形成せしめた多層ポリイミド
フィルムが挙げられる。

【００１４】前記のポリイミドフィルムとしては、例え
ば高耐熱性ポリイミドを与えるビフェニルテトラカルボ
ン酸成分を含むポリアミック酸成分と主鎖中に屈曲性結
合を含む柔軟性ポリイミド層を与えるポリアミック酸成
分との混合物から得られるブロック共重合ポリイミドあ
るいはブレンドポリイミドからなる単一層のポリイミド
フィルムであってもよいが、好適には中心層がビフェニ
ルテトラカルボン酸成分を含む高耐熱性の芳香族ポリイ
ミド層で表面層が主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリ
イミド層の２層構造あるいは３層構造の多層ポリイミド
フィルムが挙げられる。

【００１５】前記の多層ポリイミドフィルムとしては、
好適には多層押出ポリイミドフィルムが挙げられる。多
層押出ポリイミドフィルムは、好適にはビフェニルテト
ラカルボン酸成分を含む高耐熱性の芳香族ポリイミドの
前駆体溶液と主鎖中に屈曲性結合を有する芳香族ポリイ
ミドの前駆体溶液とを多層押出法によって押出した後、
得られた積層物を８０〜２００℃の範囲内の温度で乾燥
し、次いで熱３００℃以上の温度、好ましくは３００〜
５５０℃の範囲内の温度での熱処理段階を含む熱処理に
付すことにより製造した主鎖中に屈曲性結合を有する芳
香族ポリイミド層を表面に有する多層芳香族ポリイミド
フィルムが挙げられる。前記の前駆体溶液はいずれも５
００〜５０００ポイズであることが好ましい。

【００１６】特に、高耐熱性の芳香族ポリイミドとし
て、１０モル％以上、特に１５モル％以上のビフェニル
テトラカルボン酸成分と５モル％以上、特に１５モル％
以上のｐ−フェニレンジアミン成分とから、重合および
イミド化によって得られる芳香族ポリイミドであること
が、耐熱性、機械的強度、寸法安定性の点から好まし
い。他の残部の（もし２種類のテトラカルボン酸二無水
物および／またはジアミンを使用する場合）芳香族テト
ラカルボン酸二無水物としてはピロメリット酸二無水物
が、また芳香族ジアミンとしては４，４−ジアミノジフ
ェニルエ−テルが好ましい。

【００１７】上記の有機極性溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、
Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−メチルカプロラクタ
ムのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチ
ルフォスホルアミド、ジメチルスルホン、テトラメチレ
ンスルホン、ジメチルテトラメチレンスルホン、ピリジ
ン、エチレングリコール等を挙げることができる。

【００１８】この発明における主鎖中に屈曲性結合を含
む芳香族ポリイミドは、一般式(1)

【化１】

【００１９】（但し、ＸはＯ、ＣＯ、Ｓ、ＳＯ₂、Ｃ
Ｈ₂、Ｃ（ＣＨ₃）₂から選ばれた基である。）で示され
る芳香族テトラカルボン酸二無水物またはその誘導体、
あるいは一般式(2)

【００２０】

【化２】

【００２１】（但し、ＸはＯ、ＣＯ、Ｓ、ＳＯ₂、Ｃ
Ｈ₂、Ｃ（ＣＨ₃）₂から選ばれた基であり、ｎは０〜４
の整数である。）で示される芳香族ジアミン化合物の少
なくても一方を必須成分として使用した芳香族ポリイミ
ドが好適である。

【００２２】前記一般式（１）の芳香族テトラカルボン
酸二無水物またはその誘導体としては、芳香族テトラカ
ルボン酸、およびその酸無水物、塩、エステル等を挙げ
ることができるが、特に、酸二無水物が好ましい。芳香
族テトラカルボン酸としては、例えば、３，３’，４，
４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、２，２−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン、ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン、ビス（３，
４−ジカルボキシフェニル）エ−テル、等を挙げること
ができ、それらを単独、あるいは混合物として使用でき
る。

【００２３】前記一般式（２）の芳香族ジアミン化合物
として、一般式（２）で示される化合物が使用される場
合には、芳香族テトラカルボン酸として、さらに３，
３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、２，
３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、２，
３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、ピロメ
リット酸等を単独あるいは混合物として使用でき、さら
に、上記一般式（１）の成分との混合物としても使用で
きる。

【００２４】前記一般式（２）で示される芳香族ジアミ
ン化合物としては、４，４’−ジアミノジフェニルエ−
テル、３，３’−ジアミノジフェニルエ−テル、３，
３’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベ
ンゾフェノン等のベンゾフェノン系ジアミン、３，３’
−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフ
ェニルメタン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）
ベンゼン等のビス（アミノフェノキシ）ベンゼン系ジア
ミン、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェ
ニル等のビス（アミノフェノキシ）ビフェニル系ジアミ
ン、等を挙げることができ、それらを単独、あるいは混
合物として使用できる。

【００２５】芳香族テトラカルボン酸化合物として、一
般式（１）で示される化合物が使用される場合には、ジ
アミン化合物として、さらに、１，４−ジアミノベンゼ
ン（ｐ−フェニレンジアミン）、ベンチジン、３，３’
−ジメチルベンチジン等のベンチジン類等を単独、ある
いは混合物として使用でき、さらに上記一般式（２）の
ジアミン成分との混合物としても使用できる。

【００２６】多層押出ポリイミドフィルムの厚さは、７
〜１００μｍ、特に７〜５０μｍが好ましい。また、主
鎖中に屈曲性結合を含む芳香族ポリイミド層の厚さ（単
層）は０．１〜１０μｍ、特に０．２〜５μｍであり、
残部が高耐熱性の芳香族ポリイミド層であることが好ま
しい。

【００２７】この発明においては、前記の高耐熱性の芳
香族ポリイミドの層を中心層として有し、表面層が主鎖
中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミド層であるポリイ
ミドフィルムの該柔軟性ポリイミド層に減圧放電処理に
よりエッチングすることが必要であり、この組み合わせ
によって、処理面に網目構造の凸部を有する凹凸形状を
形成することができる。前記の減圧放電処理で使用する
ガスとしては、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｎ_２、
ＣＦ_４、Ｏ_２などの単体あるいは混合ガスが挙げられ
る。なかでもＡｒは安価でフィルム表面の処理効果が良
好であり好ましい。圧力は０．３〜５０Ｐａ、特に６〜
２７Ｐａが好適である。温度は通常室温でよく、必要で
あれば−２０〜２０℃前後で冷却してもよい。前記の減
圧放電処理が好適であり、常圧プラズマ放電処理やコロ
ナ放電処理によっては、目的とする剥離強度の大きい金
属薄膜付きポリイミドフィルムを得ることが困難であ
る。

【００２８】前記の方法において、ビフェニルテトラカ
ルボン酸成分を含む高耐熱性の芳香族ポリイミド層を中
心層として有し表面層が主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟
性ポリイミド層であるポリイミドフィルムの該柔軟性ポ
リイミド層表面を減圧放電処理によりエッチングして処
理面に網目構造の凸部を有する凹凸形状を形成せしめた
後連続して、あるいは減圧放電処理後一旦大気中に置い
た後プラズマスクリ−ニング処理によって清浄化した
後、蒸着法によって金属薄膜を形成してもよい。前記の
放電処理ポリイミドフィルムは、処理面が網目構造の凸
部を有する凹凸形状を形成せしめたもので、好適には凹
凸（粗さＲａ：平均粗さ）が０．０３〜０．１μｍ、特
に０．０４〜０．０８μｍの網目の構造となっているこ
とが必要である。

【００２９】前記の方面処理ポリイミドフィルムは、好
適には少なくとも２層の金属薄膜、特に下地金属蒸着層
と、その上の銅蒸着層からなる２層の金属蒸着層が積層
される。また、前記の少なくとも２層の金属薄膜とし
て、上記の２層の金属蒸着層に金属メッキ層として電解
メッキ、または無電解メッキおよび電解メッキを設けた
金属層が積層される。

【００３０】前記の金属蒸着または金属蒸着と金属メッ
キ層とで金属層を形成するための金属を蒸着する方法と
しては真空蒸着法、スパッタリング法などの蒸着法を挙
げることができる。真空蒸着法において、真空度が、１
０^−５〜１Ｐａ程度であり、蒸着速度が５〜５００ｎｍ
／秒程度であることが好ましい。スパッタリング法にお
いて、特にＤＣマグネットスパッタリング法が好適であ
り、その際の真空度が１３Ｐａ以下、特に０．１〜１Ｐ
ａ程度であり、その層の形成速度が０．０５〜５０ｎｍ
／秒程度であることが好ましい。得られる金属蒸着膜の
厚みは１０ｎｍ以上、１μｍ以下であり、そのなかでも
０．１μｍ以上、０．５μｍ以下であることが好まし
い。この上に好適には金属メッキにより肉厚の膜を形成
することが好ましい。その厚みは、約１〜２０μｍ程度
である。

【００３１】金属薄膜の材質としては、種々の組み合わ
せが可能である。金属蒸着膜として下地層と表面蒸着金
属層を有する２層以上の構造としてもよい。下地層とし
ては、クロム、チタン、パラジウム、亜鉛、モリブデ
ン、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、鉄、ニッケル
−銅合金、ニッケル−金合金、ニッケル−モリブデン合
金等が挙げられる。表面層（あるいは中間層）としては
銅が挙げられる。蒸着層上に設ける金属メッキ層の材質
としては、銅、銅合金、銀等、特に銅が好適である。真
空プラズマ放電処理したポリイミドフィルムの片面に、
クロム、チタン、パラジウム、亜鉛、錫、モリブデン、
ニッケル、コバルト、ジルコニウム、鉄、ニッケル−銅
合金、ニッケル−金合金、ニッケル−モリブデン合金等
等の下地金属層を形成し、その上に中間層として銅の蒸
着層を形成した後、銅の無電解メッキ層を形成し（無電
解メッキ層を形成することは発生したピンホ−ルをつぶ
すのに有効である。）、あるいは、金属蒸着層の厚みを
大きくして、例えば０．１〜１．０μｍとして銅などの
無電解金属メッキ層を省略し、表面層として電気銅メッ
キ層を形成してもよい。

【００３２】また、表面処理ポリイミドフィルムにレ−
ザ−加工、機械加工あるいは湿式法によって穴あけ加工
した後、２層の金属蒸着層または２層の金属蒸着層およ
び金属メッキ層を形成してもよい。また、金属薄膜層の
厚みは、蒸着用タ−ゲット金属の均一部分を用いたり、
電気メッキの外周部（厚くなる）を除いたりして、５％
以内の均一にすることができる。また、銅張り積層基板
は、主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミド層を両
面に有するポリイミドフィルムの片面に２層の金属薄膜
を形成し、他の面に熱伝導性を改良するために金属（例
えば前記の金属）を使用して金属蒸着層あるいはセラミ
ック蒸着層を形成したものであってもよい。

【００３３】前記の電気銅メッキは、好適には前記の下
地金属薄膜層を有する長尺のポリイミドフィルムを送り
ロ−ルおよび巻き取りロ−ルと各槽内に配置されてフィ
ルムの上部および下部を把持する把持部材によって、垂
直搬送し、脱脂槽、酸洗浄槽、複数の銅メッキ槽、水洗
槽、乾燥工程、巻き取りロ−ルを経て、長尺の銅張り積
層フィルムを巻取ることによって、厚さ１〜２０μｍの
電気銅メッキ層を形成して、この発明の銅張り積層基板
を得ることができる。

【００３４】前記の電気銅メッキにおいて、例えば、硫
酸銅５０〜２００ｇ／ｌ、硫酸１００〜２５０ｇ／ｌお
よび光沢剤少量、温度１５〜４５℃、電流密度０．１〜
１０Ａ（アンペア）／ｄｍ^２、空気攪拌、搬送速度０．
１〜２ｍ／分、適量の塩素および光沢剤を添加、陰極が
銅の条件であることが好ましい。

【００３５】この発明の銅張り積層基板は、上記の方法
によって好適に得ることができ、ポリイミドフィルムの
少なくとも片面に直径１５μｍ以上の異常突起数が１〜
２００個／ｍｍ^２の電気銅メッキ層表面を有し、初期剥
離強度が１ｋｇｆ／ｃｍ以上、１５０℃で２４時間加熱
後の剥離強度が０．６ｋｇｆ／ｃｍ以上である。前記の
異常突起数が前記の下限より少なくても構わないが経済
的に高コストとなり不利であり、前記の異常突起数が前
記の上限より多いと銅張り基板へのレジスト塗工厚を薄
くすることが困難となる。また初期剥離強度および１５
０℃加熱後の剥離強度が前記の範囲外である（小さい）
とＩＣパッケ−ジ内部回路に成形するまでの加工工程で
不具合が発生するので適当ではない。この発明の銅張り
積層基板は、微細加工が可能でありフレキシブル印刷回
路基板、ＴＡＢテ−プ等に好適に使用することができ
る。

【００３６】

【実施例】以下にこの発明の実施例を示す。以下の各例
において、各例の測定は以下に示す試験方法によって行
った。 フィルム表面状態：ＳＥＭにより５００００倍にて観察
し、網目構造の有無を確認した。 銅張り積層基板の表面異常突起数は、対物レンズ１０倍
×１０＝１００倍の金属顕微鏡にて、１ｍｍ口の範囲を
観察し、直径が１５μｍ以上の異常突起の個数を観察
し、ｎ＝５の平均値にて、１ｍｍ^２単位の異常突起個数
とした。

【００３７】剥離強度：初期強度は、銅メッキ後２４時
間経過したサンプルを１０ｍｍ幅に切り出し、１５０℃
で２４〜１６８時間熱処理したサンプル、ＰＣＴ処理
（１２１℃、２気圧、湿度１００％の雰囲気で２４〜１
６８時間）処理したサンプルについて、ＪＩＳ６４７１
に準じ９０度剥離強度（５０ｍｍ／分の速度で剥離）を
測定した。 フィルム厚み：柔軟性ポリイミド層と高耐熱性ポリイミ
ド層の厚みを、各々断面を光学顕微鏡により測定した。

【００３８】実施例１ ｐ−フェニレンジアミンと３，３’，４，４’−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物とを溶媒中で反応させて
得られた芳香族ポリアミック酸の溶液と４，４’−ジア
ミノジフェニルエ−テルと３，３’，４，４’−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物とを溶媒中で反応させて
得られた芳香族ポリアミック酸の溶液とから共押し出し
流延製膜法によって製造した３層の芳香族ポリイミドフ
ィルム［柔軟性ポリイミド層／高耐熱性ポリイミド層／
柔軟性ポリイミド層の厚みが３μｍ／４４μｍ／３μｍ
の厚み構成］について以下の条件で表面処理および金属
薄膜形成を行った。

【００３９】処理１：減圧プラズマ処理装置によるエッ
チング 減圧プラズマ処理装置内にポリイミドフィルムを設置
後、０．１Ｐａ以下に減圧後、Ａｒガスを導入しＡｒ＝
１００％、圧力＝１３．３Ｐａ、パワ−＝５ＫＷ（４０
ＫＨｚ）にて２分処理 処理２：フィルム表面クリ−ニング スパッタリング装置に処理１のポリイミドフィルムを基
板フォルダ−に設置し、２×１０^−４Ｐａ以下の真空に
排気後、Ａｒを導入し、０．６７Ｐａとした後、ポリイ
ミドフィルムの接した電極に１３．５６ＭＨｚの高周波
電力３００Ｗで１分間処理

【００４０】処理３：銅薄膜形成 処理２に連続して、Ａｒ０．６７Ｐａ雰囲気にてＤＣス
パッタリングにより、１５０Ｗにて、Ｍｏ薄膜を３ｎｍ
形成後、Ｃｕ薄膜を３００ｎｍ形成し、大気中に取り出
した。

【００４１】その後、蒸着金属膜付きポリイミドフィル
ムを垂直に立てて搬送しながら、下記条件にて電解銅膜
を形成し、５μｍ厚の電気銅メッキ層を有する銅張り積
層基板を得た。

【００４２】硫酸銅濃度：１００ｇ／ｌ 硫酸：１５０ｇ／ｌ 添加物：適量の塩素および光沢剤 メッキ液温度：２３℃ 電流密度：１槽目１Ａ（アンペア）／ｄｍ^２、２〜４槽
３Ａ／ｄｍ^２ 空気攪拌 搬送速度：０．４ｍ／分

【００４３】得られた銅張り積層基板について、評価し
た。 物性評価方法 １．対物レンズ１０倍×１０＝１００倍の１００倍の光
学顕微鏡写真にて、１ｍｍ口の範囲を観察し、直径が１
５μｍ以上の異常突起の個数を観察した。ｎ＝５の平均
値にて、１ｍｍ^２単位の異常突起個数とした。 ２．異常突起による問題を確認するため、銅張り積層基
板上へ、液体レジストを塗工した、異常突起が原因とな
るレジストの塗工ムラやハジキの発生しない必要な厚さ
を測定した。評価は×がはじき、塗工ムラ有り、△がは
じき無し、塗工ムラ無し、○がはじき、塗工ムラ無し、
◎が良好（レジストパタ−ン形成に問題無し） 使用したレジスト：クラリアント社のＡＺ８１００ＤＢ
５（２３ｃｐ） 塗工方法：ロ−ルコ−タ− プリベク条件：１００℃、１２０秒

【００４４】結果 １．顕微鏡観察による異常突起個数（個／ｍｍ^２） ５個の試料平均：１８個 ２．初期剥離強度：１．２ｋｇｆ／ｃｍ ３．１５０℃熱処理後の剥離強度 ２４時間熱処理後 ：０．７ｋｇｆ／ｃｍ １００時間熱処理後：０．４ｋｇｆ／ｃｍ １６８時間熱処理後：０．４ｋｇｆ／ｃｍ ４．ＰＣＴ処理後の剥離強度 ２４時間熱処理後 ：０．８ｋｇｆ／ｃｍ １００時間熱処理後：０．８ｋｇｆ／ｃｍ ５．液体レジスト塗工結果 塗工厚１μｍ：△ 塗工厚２μｍ：○ 塗工厚３μｍ：◎ 塗工厚４μｍ：◎ 塗工厚５μｍ：◎

【００４５】比較例１ 電気銅メッキの際に、水平搬送によって５μｍ厚の電気
銅メッキ層を形成した他は実施例１と同様に実施して、
銅張り積層基板を得た。この銅張り積層基板について評
価した。 結果 １．顕微鏡観察による異常突起個数（個／ｍｍ^２） ５個の試料平均：２５０個 ２．３．４．の各剥離強度は実施例１と同等であった。 ５．液体レジスト塗工結果 塗工厚１μｍ：× 塗工厚２μｍ：× 塗工厚３μｍ：△ 塗工厚４μｍ：○ 塗工厚５μｍ：○

【００４６】実施例２ 銅メッキ層の厚さを２μｍとなるように、搬送速度を１
ｍ／分とした他は実施例１と同様に実施して、銅メッキ
層の厚さ２μｍの銅張り積層基板を得た。評価した結果
を次に示す。 結果 １．顕微鏡観察による異常突起個数（個／ｍｍ^２） ５個の試料平均：１５個 ２．初期剥離強度：１．１ｋｇｆ／ｃｍ ３．１５０℃熱処理後の剥離強度 ２４時間熱処理後 ：０．６ｋｇｆ／ｃｍ ４．ＰＣＴ処理後の剥離強度 ２４時間熱処理後 ：０．７ｋｇｆ／ｃｍ １００時間熱処理後：０．７ｋｇｆ／ｃｍ ５．液体レジスト塗工結果 塗工厚１μｍ：△ 塗工厚２μｍ：○ 塗工厚３μｍ：◎ 塗工厚４μｍ：◎ 塗工厚５μｍ：◎

【００４７】比較例２ 電気銅メッキの際に、水平搬送によって電気銅メッキ層
を形成した他は実施例２と同様に実施して、銅張り積層
基板を得た。この銅張り積層基板について評価した。 結果 １．顕微鏡観察による異常突起個数（個／ｍｍ^２） ５個の試料平均：２７３個 ２．３．４．各剥離強度は実施例２と同等であった。 ５．液体レジスト塗工結果 塗工厚１μｍ：× 塗工厚２μｍ：× 塗工厚３μｍ：△ 塗工厚４μｍ：○ 塗工厚５μｍ：○

【００４８】実施例３ 銅メッキ層の厚さを１２μｍとなるように、搬送速度を
０．２ｍ／分とした他は実施例１と同様に実施して、銅
メッキ層の厚さ１２μｍの銅張り積層基板を得た。評価
した結果を次に示す。 結果 １．顕微鏡観察による異常突起個数（個／ｍｍ^２） ５個の試料平均：１８個 ２．初期剥離強度：１．３ｋｇｆ／ｃｍ ３．１５０℃熱処理後の剥離強度 ２４時間熱処理後 ：０．７ｋｇｆ／ｃｍ １００時間熱処理後：０．４ｋｇｆ／ｃｍ １６８時間熱処理後：０．４ｋｇｆ／ｃｍ ４．ＰＣＴ処理後の剥離強度 ２４時間熱処理後 ：０．８ｋｇｆ／ｃｍ １００時間熱処理後：０．８ｋｇｆ／ｃｍ ５．液体レジスト塗工結果 塗工厚１μｍ：△ 塗工厚２μｍ：○ 塗工厚３μｍ：◎ 塗工厚４μｍ：◎ 塗工厚５μｍ：◎

【００４９】比較例３ 電気銅メッキの際に、水平搬送によって電気銅メッキ層
を形成した他は実施例３と同様に実施して、銅張り積層
基板を得た。この銅張り積層基板について評価した。 結果 １．顕微鏡観察による異常突起個数（個／ｍｍ^２） ５個の試料平均：３５０個 ２．３．４．各剥離強度は実施例３と同等であった。 ５．液体レジスト塗工結果 塗工厚１μｍ：× 塗工厚２μｍ：× 塗工厚３μｍ：× 塗工厚４μｍ：○ 塗工厚５μｍ：○

【００５０】

【発明の効果】この発明によれば、銅張り基板へのレジ
スト塗工厚を薄くすることが可能となり、より微細な配
線パタ−ンを与える銅張り基板を得ることができる。ま
た、ＩＣパッケ−ジ内部回路に成形するまでの加工工程
で不具合が発生することの少ない銅張り積層基板を得る
を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、実施例１の銅張り積層基板の表面を示
す１００倍の光学顕微鏡写真である。

【図２】図２は、比較例１のフィルムを横に配置して電
気メッキした銅張り積層基板の表面を示す１００倍の光
学顕微鏡写真である。

【図３】図３は、この発明の好適例に使用される表面減
圧プラズマ処理して得られた網目構造の凸部を有するポ
リイミドフィルムの凹凸形状の減圧放電処理面のＳＥＭ
観察図（５００００倍拡大）である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F100 AB01D AB01E AB17B AD00E AK49A AK49C BA02 BA03 BA04 BA05 BA10A BA10B EH17B EH66D EH66E EJ24A EJ52A EJ59A EJ61A GB43 JJ03C JK06 JK13A JK14A JK14B YY00B YY00D 4K024 AA09 AA10 AB01 BA09 BA12 BB11 BC01 CA01 EA01 GA01 GA02

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ポリイミドフィルムの少なくとも片面に電
   気銅メッキ層を有し、該電気銅メッキ層の表面における
   直径１５μｍ以上の異常突起数が０〜２００個／ｍｍ^２
   であり、初期剥離強度が１ｋｇｆ／ｃｍ以上、１５０℃
   で２４時間加熱後の剥離強度が０．６ｋｇｆ／ｃｍ以上
   である銅張り積層基板。
2. 【請求項２】ポリイミドフィルムが、ポリイミドフィル
   ムの少なくとも片面を減圧放電処理して網目構造の凸部
   を有する凹凸形状を形成したものである請求項１に記載
   の銅張り積層基板。
3. 【請求項３】ポリイミドフィルムが、ビフェニルテトラ
   カルボン酸成分および４，４’−ジアミノジフェニルエ
   −テルを必須成分として含むものである請求項１に記載
   の銅張り積層基板。
4. 【請求項４】ポリイミドフィルムが、中心層としての高
   耐熱性の芳香族ポリイミド層および表面層としての主鎖
   中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミド層からなる多層
   ポリイミドフィルムである請求項１に記載の銅張り積層
   基板。
5. 【請求項５】電気銅メッキ層が、ポリイミドフィルムの
   少なくとも片面に設けた少なくとも２層の金属蒸着層の
   上に銅メッキして形成したものであり、全金属層の厚み
   が１〜２０μｍである請求項１に記載の銅張り積層基
   板。
6. 【請求項６】減圧放電処理が、真空プラズマ放電処理で
   ある請求項２に記載の銅張り積層基板。
7. 【請求項７】ポリイミドフィルムの他の面に熱伝導性を
   改良するための金属蒸着層あるいはセラミック蒸着層を
   有する請求項１〜６記載のいずれかに記載の銅張り積層
   基板。
8. 【請求項８】電気銅メッキ層が、ポリイミドフィルムの
   両面にある請求項１に記載の銅張り積層基板。
9. 【請求項９】さらに、ＰＣＴ処理（１２１℃、２気圧、
   湿度１００％の雰囲気で１６８時間処理）後の剥離強度
   が０．６ｋｇｆ／ｃｍ以上である請求項１に記載の銅張
   り積層基板。
10. 【請求項１０】電気銅メッキ層の表面における直径１５
    μｍ以上１０００μｍ以下の異常突起数が０〜２００個
    ／ｍｍ^２である請求項１に記載の銅張り積層基板。
11. 【請求項１１】異常突起数が１〜２００個／ｍｍ^２であ
    る請求項１〜１０のいずれかに記載の銅張り積層基板。
12. 【請求項１２】異常突起数が０〜５０個／ｍｍ^２である
    請求項１〜１０のいずれかに記載の銅張り積層基板。