CN1972557A - 挠性覆铜层压板和薄膜载带及其制造方法、以及挠性印刷电路板、半导体装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于，提供与现有市场上的浅轮廓电解铜箔相比，使用更浅轮廓并且高强度电解铜箔的挠性覆铜层压板等。为此，将电解铜箔粘在树脂薄膜上而构成的挠性覆铜层压板上，上述电解铜箔的析出面，具有表面粗糙度(Rzjis)小于等于1.5μm，且光泽度(Gs(60°))大于等于400的浅轮廓光泽表面，并使用将该析出面与树脂薄膜相粘合为特点的挠性覆铜层压板。通过利用该挠性覆铜层压板，可以容易地制造COF带等的薄膜载带状的挠性印刷电路板，该COF带具有形成的电路的间距为小于等于35μm的细间距电路。

Description

挠性覆铜层压板和薄膜载带及其制造方法、以及挠性印刷电路板、 半导体装置
技术领域
本发明涉及挠性覆铜层压板以及利用该挠性覆铜层压板制成的挠性印刷电路板。特别涉及在构成该挠性覆铜层压板的铜层上，使用特征为析出表面是浅轮廓的电解铜箔，且要求具有称为三层TAB带、COF带的细微电路布线，并且可以进行电子元件表面安装的挠性印刷电路板(含薄膜载带)。
背景技术
一直以来，作为印刷电路板的基础材料可广泛使用电解铜箔，并且对于使用印刷电路板较多的电子及电气设备，要求达到小型化、轻量化等所谓轻薄短小化。一直以来，为了实现电子及电气设备的轻薄短小化、使信号电路尽可能细间距化，而要求采用更薄的铜箔，缩短通过蚀刻法形成电路时的过量蚀刻的设定时间，提高形成电路的蚀刻因子(etching factor)。
即，对于实现了小型化、轻量化的电子及电气设备，同时也要求高功能化。因此，从在有限的基板面积中，尽可能确保元件安装面积的观点来看，也要求使电路蚀刻因子良好。特别是，对于直接搭载IC芯片等的三层带式自动焊接(Tape Automated Bonding)基板(三层TAB带)、芯片薄膜(Chip on Film)基板(COF带)，要求比通常的印刷电路板更浅的浅轮廓电解铜箔，并要求尽可能确保电路表面的面积。另外，浅轮廓是指铜箔与基材树脂的结合面上的凹凸较小。
含有上述三层TAB带以及COF带的挠性印刷电路板，随着表面安装的半导体元件的小型化，也要求缩小电路(导线)之间间距的细间距电路，同时要求确保电路之间没有短路的可靠绝缘性。该挠性印刷电路板，通过在以聚酰亚胺树脂薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜等为代表的树脂薄膜层上，对具有导电层的挠性覆铜层压板进行蚀刻加工而制成。并且，该挠性覆铜层压板具有两种类型。
即，一种类型是以三层TAB带为代表，在树脂薄膜层与导电层之间借助粘合剂进行层压的具有三层结构的挠性覆铜层压板，被称为“三层挠性覆铜层压板”。通常是在聚酰亚胺树脂薄膜等基膜上设置粘合剂层，在该粘合剂层上粘贴金属箔而制成。因此，对于减少所使用金属箔的厚度具有一定的限度，其结果是形成一定水平以上的细间距电路比较困难。对此，另一种类型是用于COF带等的制造，是去掉三层挠性覆铜层压板中的粘合剂层的类型，被称为“两层挠性覆铜层压板”，可采用浇铸法或者金属喷镀法制成。浇铸法是在规定厚度的金属箔表面上涂抹聚酰亚胺前体清漆，进行加热，发生亚胺化反应，形成聚酰亚胺树脂层的方法。金属喷镀法是在聚酰亚胺树脂薄膜的表面上通过溅射蒸镀等方法形成薄层，在该薄层上以电解法形成规定厚度的铜层等。由于金属喷镀法可以形成均匀且较薄的导电层，所以适用于形成细间距电路。虽然树脂薄膜层与金属层的分界面平滑，容易形成细间距电路，但是树脂薄膜层与金属层的粘合性低，存在使用范围较窄的问题。另外，为了确保良好的耐迁移性，需要利用形成铜布图时的蚀刻，去除使用了镍等成分的薄层，因而增加了工序，导致生产性降低。
利用该浇铸法制造两层挠性覆铜层压板时，通常使用电解铜箔等电解金属箔。该电解金属箔是通过，在呈鼓状的旋转阴极表面上电析金属成分，形成箔的形式，再将其连续剥离、卷缠而制成。以下，将该阶段的金属箔称为“析离箔”
从与该析离箔的旋转阴极相接触的状态剥离的表面，复制经镜面加工的旋转阴极的表面形状，是具有光泽的平滑的表面，因此称其为光泽面。但是为了不使从旋转阴极析出的金属箔脱落而保持一定的粗糙度。对此，析出侧的析离箔的表面形状，由于析出铜的结晶成长速度在每个结晶面上不相同，所以呈山形的凹凸形状，被称为粗糙面。该粗糙面为与制造覆铜层压板时的绝缘材料粘在一起的面。以上和以下对析离箔的说明中，使用“粗糙面”术语。
其次，该析离箔通过表面处理工序，对粗糙面进行粗糙化处理与防锈处理。因此，将析出附着了微小铜颗粒的粗糙面称为“粗糙化面”。另外，所说的粗糙化处理与防锈处理可任意进行，并可按照电解铜箔的使用状况以及挠性印刷电路板基材的种类而任意实施。然后，在表面处理工序中，对铜箔的表面与里面进行防锈处理、干燥、卷缠，由此制成用于制造挠性印刷电路板的电解铜箔。本领域技术人员，为了加以区分，通常将其称为“表面处理箔”，但是在市场上将经过表面处理的也称为电解铜箔，因此，在本说明书中，不论是否进行粗糙化处理和表面处理，明确地都称之为电解铜箔。
由上述可以看出，在挠性覆铜层压板的情况下的、电解金属箔与树脂薄膜相粘合时的电解金属箔的粘合面(粗糙面或者粗糙化面)具有一定的凹凸。为了对该电解金属箔进行蚀刻加工形成电路形状，则要蚀刻去除该凹凸，因此就需要比形成电路形状的蚀刻时间更长的过量蚀刻时间。其结果会引起电路侧蚀刻，且蚀刻因子劣化，难以形成电路间距小于等于35μm的细微电路布线。
因此，在挠性印刷电路板的领域中，为了解决这样的问题，需要使电解铜箔粗糙面的粗糙度更接近光泽面的粗糙度，并缩短过量蚀刻时间。从这种观点考虑时，适合用于制造挠性印刷电路板的电解铜箔具有多种产品。例如有，专利文献1(日本专利申请特开2004-35918号公报)记载的通过硫酸酸性铜电镀液的电解而制造的电解铜箔，是在厚度为10μm的情况下，该电解铜箔与其绝缘基材粘合的面的粗糙度(析出面的粗糙度)为，Rz＝1.0±0.5μm程度的浅轮廓(粗糙度)电解铜箔。专利文献2(日本专利申请特开2004-107786号公报)记载的作为添加剂，使用含有特定骨架的胺化合物和有机硫黄化合物的铜电解液而获取的表面粗糙度Rz在0.9～1.23μm范围内的浅轮廓电解铜箔。还有专利文献3(日本专利申请特开平9-143785号公报)公开的电解铜箔，其特征为，在未处理铜箔的析出面的表面粗糙度Rz与该未处理铜箔的光泽面的表面粗糙度Rz相同，或者比其小的箔析出面上进行粗糙化处理。
利用上述专利文献1至专利文献3所公开的制造方法制造电解铜箔时，则能够形成具有良好的浅轮廓的粗糙面(以下也称为“析出面”)，作为浅轮廓电解铜箔具有非常出色的蚀刻性能，通过将其用作挠性覆铜层压板的构成材料，有助于提高含有小于等于35μm间距电路的挠性印刷电路板的生产效率。
但是近年来，平面显示板(TFT面板、等离子显示板等)的大屏幕化正在飞速发展。在随着大屏幕化的同时，向地面波数字播放的转换，高清晰度电视的影像高清晰化也在进行。其结果是，对于电子电路、印刷电路板，要求达到小型化、高功能化、也要求电路达到细间距化。
另外，作为代表电子或者电气设备的个人电脑，其时钟频率也迅速提高，演算速度正在飞速加快。并且，电脑已不仅限于原来的作用，即简单的数据处理，而是还对电脑附加与AV设备同样的使用功能，不仅附加播放音乐的功能，还不断附加DVD的录像放像功能、TV显像录像功能、以及电视电话功能等。
因此，个人电脑的监控器不再是简单的数据监控器，而是要求具有即使播放电影也能长时间视听的画质，并要求可以大量廉价地供给这类品质的监控器。现在，该监控器大多使用液晶监控器，该液晶面板的驱动器通常使用上述的带式自动焊接基板(三层TAB带)或者芯片薄膜基板(COF带)，为了实现监控器的高清晰度，要求上述的驱动器形成更细微的电路。
因此，与现有市场上所提供的浅轮廓电解铜箔相比，需要具有更浅轮廓和更高强度的电解铜箔，也需要利用该铜箔的挠性覆铜层压板、薄膜载带等。
发明内容
本发明人等专心研究的结果，发现在一定条件下制造的电解铜箔优于现有的浅轮廓铜箔，通过将其用于挠性覆铜层压板上，可以大大提高包含电路间距小于等于30μm的细间距电路的挠性印刷电路板的生产品质。以下对本发明进行说明。
本发明的挠性覆铜层压板：本发明的挠性覆铜层压板是将电解铜箔粘在树脂薄膜上而构成，其特征在于，所述电解铜箔析出面为，表面粗糙度(Rzjis)小于等于1.5μm，光泽度(Gs(60°))大于等于400的浅轮廓光泽表面，并且将该析出面与树脂薄膜相粘合。
本发明的挠性覆铜层压板优选为，使用的所述电解铜箔是常态下的拉伸强度大于等于33kgf/mm2，加热后(180℃×60分钟，大气压下)的拉伸强度大于等于30kgf/mm2。
另外，本发明的挠性覆铜层压板优选为，使用所述电解铜箔是常态下的拉伸率为大于等于5％，加热后(180℃×60分钟，大气压下)的拉伸率为大于等于8％。
本发明的挠性覆铜层压板优选为，使用所述电解铜箔是在硫酸系铜电解液中添加4级铵盐聚合物的二烯丙基二甲基氯化铵，并进行电解来制造。
本发明的挠性覆铜层压板的所述电解铜箔可以使用，在其析出面上进行粗糙化处理、防锈处理、硅烷偶合剂的任何一种或者两种以上的表面处理而制造的电解铜箔。
本发明的挠性覆铜层压板优选，所述电解铜箔，其表面处理后析出面的表面粗糙度(Rzjis)为小于等于5μm的浅轮廓。
本发明的挠性印刷电路板：利用上述本发明的挠性覆铜层压板可以获得高品质的挠性印刷电路板。
本发明的挠性印刷电路板优选使用，经过所述挠性印刷电路板的制造流程后，电解铜箔的拉伸强度大于等于25kgf/mm2，并且拉伸率大于等于10％。
特别是利用本发明的挠性覆铜层压板，即使在挠性印刷电路板中，也可容易地制造具有电路间距小于等于35μm细间距电路的薄膜载带状挠性印刷电路板。
并且在上述的薄膜载带上，所述电路通过将表面粗糙度(Rzjis)小于等于1.5μm，并且光泽度(Gs(60°))大于等于400的电解铜箔的浅轮廓析出面与树脂薄膜相粘接，再进行蚀刻而获得。
本发明的半导体装置：通过利用上述的挠性覆铜层压板，可提供高品质的半导体装置。
本发明的挠性覆铜层压板的制造方法：其特征为，在表面粗糙度(Rzjis)小于等于1.5μm，且(Gs(60°))大于等于400的浅轮廓光泽表面上形成树脂薄膜层。
本发明的薄膜载带的制造方法：其特征为，在电解铜箔的表面粗糙度(Rzjis)小于等于1.5μm，且(Gs(60°))大于等于400的浅轮廓光泽表面上，形成树脂薄膜层，制成带状挠性覆铜层压板，然后，对该电解铜箔进行蚀刻加工成电路形状，制成薄膜载带。
本发明的挠性覆铜层压板是，与现在市场上供应的浅轮廓电解铜箔相比，具有更浅轮廓和良好光泽的析出面，将该析出面粘在树脂薄膜上而制成。因此在上述析出面上进行所述表面处理，成为具有比现有产品更浅轮廓的铜箔。这些电解铜箔特别适合于要求电路良好的蚀刻因子的三层带式自动焊接基板(三层TAB带)、芯片薄膜基板(COF带)等形成细间距电路。
另外观察电解铜箔时，其两个表面的粗糙度极小，所以在进行耐折试验时，成为弯折应力集中部位的凹凸部分较少。因此使用该电解铜箔的挠性覆铜层压板或者挠性印刷电路板时，也提高了耐折特性。
由于电解铜箔层的蚀刻特性良好，所以利用本发明的挠性覆铜层压板所得的挠性印刷电路板，可以具有稳定的电路间距小于等于35μm的细间距电路。因此，在挠性覆铜层压板中，比较适用于作为带状产品的带式自动焊接基板(三层TAB带)、芯片薄膜基板(COF带)等的用途。
附图说明
图1为表示实验用COF带试样形状的示意图。
图2为表示MIT耐折实验器的结构概要的示意图。
具体实施方式
本发明的挠性覆铜层压板的形态：本发明的挠性覆铜层压板是将电解铜箔粘在树脂薄膜上而构成，其特征在于，所述电解铜箔析出面具有表面粗糙度(Rzjis)小于等于1.5μm，且光泽度(Gs(60°))大于等于400的浅轮廓光泽表面，将该析出面与树脂薄膜相粘接。
首先对这里使用的电解铜箔进行说明。严格地说，电解铜箔析出面的粗糙度是指根据电解铜箔的厚度而变化。但是，用于本发明挠性覆铜层压板的电解铜箔的表面粗糙度以及光泽度的概念是指，对于生产的厚度小于等于450μm的电解铜箔需满足以下条件，即其析出面的表面粗糙度(Rzjis)为小于等于1.5μm的浅轮廓，并且该析出面的光泽度(Gs(60°))大于等于400。另外，优选该析出面的表面粗糙度(Rzjis)为小于等于1.2μm，更优选为小于等于1.0μm。该析出面具有上述范围的光泽度，其表面粗糙度(Rzjis)的值越小，越容易形成细间距电路。
为了容易地理解用于本发明挠性覆铜层压板的电解铜箔，再次说明电解铜箔的制造顺序。电解铜箔是指未对其进行任何的表面处理，通常称之为“未处理箔”或者“析离箔”等。但是在本发明的说明书中，不论是否进行粗糙化处理和表面处理，均称为“电解铜箔”。
该电解铜箔通常采用连续生产法，在制成鼓状的旋转阴极，与沿着该旋转阴极的形状相对配置的铅系阳极或者不溶性阳极(DSA)之间，流动有硫酸铜系溶液，利用电解反应在旋转阴极的鼓表面析出铜，该析出的铜为箔状态，从旋转阴极上进行连续剥离、卷缠、从而生产出电解铜箔。在该阶段中，没有进行任何防锈处理等表面处理，电解后的铜处于活性状态，很容易被空气中的氧气氧化。
从与该电解铜箔的旋转阴极接触的状态而被剥离的表面，复制了经过镜面加工的旋转阴极表面的形状，是具有光泽的平滑的面，即称为光泽面。对此，析出侧的表面形状由于析出铜的结晶成长速度在每个结晶面上均不相同，所以表现为山形的凹凸状，称为粗糙面或者析出面(本说明书以下称为析出面)。该析出面在制造覆铜层压板时，成为与绝缘层粘在一起的面。并且，该析出面的粗糙度越小，越是出色的浅轮廓电解铜箔。更进一步对于本发明的电解铜箔，由于其析出面的粗糙度，通常比使用电解鼓所制铜箔的光泽面平滑，所以不使用粗糙面的单词，而简单地称为“析出面”。
电解铜箔一般通过表面处理工序，对析出面进行粗糙化处理和防锈处理。对析出面的粗糙化处理是指，在硫酸铜溶液中流过烧镀条件的电流，在析出面上析出附着微小铜粒，立即在平滑镀条件的电流范围内进行覆镀，可防止微小铜粒脱落。而且，将析出附着微小铜粒的析出面称为“粗糙化处理面”。然后在表面处理工序中，在电解铜箔的表面与里面通过镀锌、镀锌合金、镀铬等而进行防锈处理，再通过干燥、卷缠，从而制造作为产品的电解铜箔。
一般按照上述专利文献1至专利文献3所公开的制造方法，制造没有进行粗糙化处理的电解铜箔时，则析出面的粗糙度(Rzjis)值超过1.2μm。对此，本发明的电解铜箔如实施例所示，通过最优化条件，可以获得析出面的表面粗糙度(Rzjis)小于等于0.6μm的浅轮廓。对其下限值不作特别限定，但粗糙度的下限一般为0.1μm左右。
另外，作为表示用于本发明挠性覆铜层压板的电解铜箔析出面的光滑度的指标，可使用光泽度，清楚地看出与现有的浅轮廓电解铜箔的差异。本发明所用光泽度的测量按照下述方式进行，即、沿着电解铜箔的流动方向(MD方向)，以60°入射角向该铜箔的表面照射测量光，测量以60°反射角反射回来的光强度，利用日本电色工学株式会社制造的数字变角光泽计VG-1D型，根据光泽度的测量方法JISZ8741-1983进行测量。其结果是，按照上述专利文献1至专利文献3所公开的方法，制造出12μm厚的电解铜箔，测量其析出面的光泽度(Gs(60°))，则在250～380的范围内。对此，本发明电解铜箔的光泽度(Gs(60°))超过400，具有更光滑的表面。更进一步，如实施例所示，通过最优化条件，可以使光泽度(Gs(60°))大于等于500。另外，对光泽度的上限值不作限定，但一般上限为780左右。
对于这类光滑的析出面，即使进行后述的表面处理、粗糙化处理、防锈处理等，也可以获得比现有的浅轮廓表面处理铜箔，具有更浅轮廓的粗糙化处理面的表面处理铜箔。并且，利用该表面处理铜箔与树脂薄膜粘接，则可以获得适当的物理固定效果，减小分界面的凹凸，因此在该分界面上可减少蚀刻液等的浸泡，从而减轻了耐药性差的问题。
用于本发明的挠性覆铜层压板的电解铜箔，具有常态下的拉伸强度大于等于33kgf/mm2，加热后(180℃×60分钟，大气压下)的拉伸强度大于等于30kgf/mm2的高机械特性。按照上述专利文献1至专利文献3所公开的制造方法，制造出厚12μm的电解铜箔，测量其拉伸强度时，则几乎所有的电解铜箔都显示出，常态下的拉伸强度小于33kgf/mm2，加热后(180℃×60分钟，大气压下)的拉伸强度小于30kgf/mm2的物理特性。从该拉伸强度可以看出，常态下的拉伸强度不大，在加工印刷电路板时，仅受到标准加热工艺的180℃×60分的加热，其拉伸强度就软化为20kgf/mm2的程度，故不适合需要形成悬空导线的三层TAB带。因此，可以说一旦受热，其后受到拉伸应力时，就容易断裂。对此，本发明的电解铜箔优选为，常态下的拉伸强度大于等于33kgf/mm2，更优选为大于等于37kgf/mm2，加热后(180℃×60分，大气压下)的拉伸强度大于等于30kgf/mm2，更优选为大于等于33kgf/mm2，并具有高机械特性。更进一步如实施例所示，通过最优化条件，可以获得常态下的拉伸强度大于等于38kgf/mm2，加热后(180℃×60分，大气压下)的拉伸强度大于等于35kgf/mm2的更高的机械特性。因此，适合于具有组件孔(device hole)、并成为三层TAB带的IC芯片安装部的内部导线(inner lead)。即，如果考虑三层TAB带的内部导线(悬空导线)的存在，常态与加热后的拉伸强度越高越好。如果常态下的拉伸强度大于等于33kgf/mm2，加热后的拉伸强度大于等于30kgf/mm2，则可以对应安装元件的一般性搭接。但是，如果该电解铜箔常态下的拉伸强度大于等于37kgf/mm2，且加热后的拉伸强度大于等于33kgf/mm2，并且，常态下的拉伸强度大于等于38kgf/mm2，且加热后的拉伸强度大于等于35kgf/mm2时，则可以使安装元件的搭接应力分阶段上升到临界值。
用于本发明的挠性覆铜层压板的电解铜箔，具有常态拉伸率大于等于5％，加热后(180℃×60分钟，大气压下)拉伸率大于等于8％的良好的机械特性。按照上述专利文献1至专利文献3所公开的制造方法，制造出厚12μm的电解铜箔，测量其拉伸强度，则几乎所有的电解铜箔都显示出常态拉伸率小于5％，加热后(180℃×60分钟，大气压下)的拉伸率小于7％的物理特性。确切地说，即使是该程度的拉伸率，在加工成印刷电路板，利用机械钻头形成通孔时，可以充分起到防止箔裂纹的作用。但是，在聚酰亚胺树脂薄膜、芳旋树脂薄膜、PET薄膜等挠性基材上，粘接电解铜箔制成挠性印刷电路板，在弯曲使用时，考虑到防止位于弯曲部位电路的裂纹产生，是不够的。用于本发明的挠性覆铜层压板的电解铜箔，由于具有常态拉伸率大于等于5％，加热后(180℃×60分钟，大气压下)拉伸率大于等于8％的良好的机械特性，所以即使弯曲使用挠性印刷电路板，也能达到充分耐用的拉伸率。
本发明的挠性印刷电路板，利用具有上述拉伸强度与拉伸率的电解铜箔进行制造，优选为经过挠性印刷电路板的制造工艺后，从该挠性印刷电路板分离收集的电解铜箔的常态拉伸强度大于等于25kgf/mm2，且常态拉伸率大于等于10％。如果满足该物理特性，则能确保挠性印刷电路板具有良好的耐折性能等。
用于本发明的挠性覆铜层压板的电解铜箔最适合，通过硫酸系铜电解液中含有4级铵盐聚合物的乙二烯二甲基氯化铵，进行电解来制造。
在硫酸系铜电解液中包含具有环状结构、4级铵盐聚合物的乙二烯二甲基氯化铵，下面说明对其进行电解的方法。优选使用，添加具有环状结构的4级铵盐聚合物的乙二烯二甲基氯化铵、3-巯基-1-丙烷磺酸以及盐酸所得的硫酸系铜电解液。通过利用该组成的硫酸系铜电解液，可以稳定地制造本发明所用的浅轮廓电解铜箔。最优选在硫酸系铜电解液中，存在3-巯基-1-丙烷磺酸、具有环状结构的4级铵盐聚合物以及盐酸三种成分。无论缺少哪种成分，都会使浅轮廓电解铜箔的制造生产率变得不稳定。
制造用于本发明挠性覆铜层压板的电解铜箔所使用的硫酸系铜电解液中，3-巯基-1-丙烷磺酸浓度优选为3ppm～50ppm，更优选为4ppm～30ppm，再优选为4ppm～25ppm。该3-巯基-1-丙烷磺酸的浓度小于3ppm时，电解铜箔析出面变得粗糙，难以获得浅轮廓的电解铜箔。另一方面，3-巯基-1-丙烷磺酸的浓度超过50ppm时，也不会提高所得电解铜箔析出面的平滑效果，还会使电析不稳定。另外，本发明所说的3-巯基-1-丙烷磺酸也包含3-巯基-1-丙烷磺酸盐，浓度的记载值是作为钠盐的3-巯基-1-丙烷磺酸钠的换算值。另外，3-巯基-1-丙烷磺酸浓度是指，除了3-巯基-1-丙烷磺酸以外，也包含3-巯基-1-丙烷磺酸的双聚体等电解液中的变性物的浓度。
在本发明的用于电解铜箔的制造方法中，硫酸系铜电解液中的4级铵盐聚合物浓度优选为1ppm～50ppm，更优选为2ppm～30ppm，最优选为3ppm～25ppm。作为4级铵盐聚合物可以使用各种物质，但如果考虑到形成浅轮廓析出面的效果，则优选4级铵盐的氮原子为一部分5环构造的化合物，最优选使用乙二烯二甲基氯化铵。
而且，考虑到与上述3-巯基-1-丙烷磺酸浓度的关系，该乙二烯二甲基氯化铵在硫酸系铜电解液中的浓度，优选为1ppm～50ppm，更优选为2ppm～30ppm，最优选为3ppm～25ppm。当乙二烯二甲基氯化铵在硫酸系铜电解液中的浓度小于1ppm时，则无论如何提高3-巯基-1-丙烷磺酸的浓度，电解铜箔的析出面都会变得粗糙，难以获得浅轮廓的电解铜箔。乙二烯二甲基氯化铵在硫酸系铜电解液中的浓度超过50ppm时，则铜的析出状态变得不稳定，难以获得浅轮廓电解铜箔。
并且，上述硫酸系铜电解液中氯浓度优选为5ppm～60ppm，更优选为10ppm～20ppm。该氯浓度小于5ppm时，电解铜箔析出面变得粗糙，不能维持浅轮廓。另一方面，如果氯浓度超过60ppm，则电解铜箔析出面变得粗糙，电析状态不稳定，不能形成浅轮廓的析出面。
如上所述，上述硫酸系铜电解液中的3-巯基-1-丙烷磺酸，与乙二烯二甲基氯化铵和氯之间的成分平衡很重要，这些物质的量平衡如果脱离上述范围，其结果会使电解铜箔的析出面变得粗糙，不能维持浅轮廓。
另外，本发明所述硫酸系铜电解液的铜浓度设想为50g/L～120g/L，游离硫酸浓度为60g/L～250g/L左右的溶液。
利用上述硫酸系铜电解液制造电解铜箔时，优选在电解液温度为20℃～60℃，电流密度为30A/dm2～90A/dm2的条件下进行电解。电解液温度优选为20℃～60℃，更优选为40℃～55℃。电解液温度小于20℃时，析出速度降低，拉伸率以及拉伸强度等机械物理性能的偏差变大。另一方面，电解液温度超过60℃时，则蒸发的水分量增加，电解液的浓度变化较快，所获得的电解铜箔析出面不能维持良好的平滑性。另外，电流密度优选为30A/dm2～90A/dm2，更优选为40A/dm2～70A/dm2。电流密度小于30A/dm2时，铜的析出速度变小，工业生产效率差。另一方面，电流密度超过90A/dm2时，所得电解铜箔析出面的粗糙度变大，不能生产品质超过现有的浅轮廓电解铜箔的产品。
本发明的电解铜箔可以使用，对其粗糙面进行粗糙化处理、防锈处理、硅烷偶合剂处理中的任意一种或两种以上的表面处理后的电解铜箔。
粗糙化处理可以采用在电解铜箔的表面附着形成微小金属颗粒、或者利用蚀刻法形成粗糙化表面的任何一种方法。前者的附着形成微小金属颗粒的方法，以在粗糙面上附着形成微小铜颗粒为例进行说明，该粗糙化处理工序包括，在电解铜箔的粗糙面上析出附着微小铜颗粒的工序，以及用于防止该微小铜颗粒脱落的覆镀工序。
在电解铜箔的粗糙面上析出附着微小铜颗粒的工序中，其电解条件采用烧镀的条件。因此，通常在析出附着微小铜颗粒的工序中，所使用的溶液浓度为了容易形成烧镀条件，而采用较低的浓度。但是，本发明所使用的电解铜箔，由于其析出面比现有的浅轮廓铜箔平坦，且具有更浅的轮廓，因此即使实施烧镀，由于物理性突起等电流集中部位较少，所以也会附着形成极微小且均匀的微小铜颗粒。对该烧镀条件不做特别限定，考虑生产线的特性后再定。例如使用硫酸铜系溶液，则条件为，铜浓度5～20g/L，硫酸浓度50～200g/L，其他的有，根据需要加入的添加剂(α-萘醌、糊精、胶、硫脲等)、电解液温度为15℃～40℃、电流密度为10A/dm2～50A/dm2等条件。
防止微小铜颗粒脱落的覆镀工序，是为了防止析出附着微小铜颗粒的脱落，在平滑镀条件下，使铜均匀析出以覆盖微小铜颗粒的工序。因此，与上述容积铜的形成槽中所用的相同溶液，可作为铜离子供给源使用。对该平滑镀条件不做特别限定，考虑生产线的特性后再定。例如使用硫酸铜系溶液，则采用条件为，铜浓度为50～80g/L，硫酸浓度为50～150g/L，电解液温度为40～50℃，电流密度为10～50A/dm2等。
其次，对形成防锈处理层的方法进行说明，该防锈处理层是为了在覆铜层压板和印刷电路板的制造过程中不造成障碍，防止电解铜箔层表面发生氧化腐蚀。防锈处理所用方法可以是使用苯并三唑、咪唑等有机防锈，或者是利用锌、铬酸盐、锌合金等无机防锈，无论采用哪种方法都没有问题。可以配合电解铜箔的使用目的来选择防锈方法。在有机防锈的情况下，可以采用浸泡涂覆有机防锈剂、喷淋涂覆、电极沉积法等方法。在无机防锈的情况下，可以采用通过电解，在电解铜箔层表面析出防锈元素的方法，另外也可用置换析出法等。例如进行锌防锈处理时，可以利用焦磷酸锌电镀液、氰化锌电镀液、硫酸锌电镀液等。例如，如果是焦磷酸锌电镀液，则锌浓度为5～30g/L，焦磷酸钾浓度为50～500g/L，电解液温度为20～50℃，pH为9～12，电流密度为0.3～10A/dm2等。
对防锈处理的种类没有上述限定，不对本发明所用电解铜箔进行粗糙化处理，而直接使用的情况下，为了尽可能提高树脂薄膜与铜箔表面的沾湿性和粘合性，优选利用以下的防锈处理。即优选使用作为防锈处理层的镍锌合金。特优选使用，构成防锈处理层的镍锌合金除了不可避免的不纯物外，含有镍为50wt％～99wt％、锌为50wt％～1wt％组成的物质。这是因为防锈处理层中的镍，具有显著改善与基材的构成树脂相粘合的倾向。利用该镍锌合金形成的防锈处理层，如果镍含量小于50wt％，则不能提高与各种基材的粘合性。另外镍含量不宜超过99wt％，因为蚀刻后残留的倾向较强。根据本发明人等的研究，具有树脂层的附带载体箔的电解铜箔，在形成镍以及锌的防锈处理层时，优选镍和锌的合计附着量在20mg/m2～100mg/m2的范围内。特别是形成镍锌合金的防锈处理层，在难以确保粘合密度的特殊基板上进行粘接时，电解铜箔不容易从该粘合面剥离，并具有出色的耐药性、耐湿特性或者焊料耐热特性。合计附着量小于20mg/m2时，则不能获得均匀厚度的防锈处理层，粘合强度的偏差变大。另一方面，合计附着量超过100mg/m2时，则形成导体电路的蚀刻时，会产生镍成分的蚀刻残留的现象，故不推荐。
而且镍含量较多时，具有提高粘合强度、耐药性、耐湿特性、焊料耐热特性的倾向，如果增加锌含量，则耐药性、焊料耐热特性下降。并且，在形成镍-锌合金的防锈处理层时，其镍与锌的总附着量为20～100mg/m2时，在实际应用上，其镍与锌的合适比率为镍∶锌＝6∶4～8∶2的范围内。镍的比率超过80wt％时，则在形成电路时，具有产生蚀刻残留的倾向。另外锌的比率超过40wt％时，则具有使耐药性和焊料耐热特性下降的倾向。
优选以镍-锌合金层与后述铬酸盐层构成的防锈处理层。由于具有铬酸盐层，在提高耐腐蚀性的同时，具有与树脂层的粘合性同时提高的倾向。此时铬酸盐层的形成，可以采用根据常规法的置换法、电解法的任何一种方法。
硅烷偶合剂处理是在粗糙化处理、防锈处理等完成后，以化学方式提高与绝缘层构成材料的粘合性的处理。对用于硅烷偶合剂处理的硅烷偶合剂不作特别限定，考虑使用的绝缘层构成材料、印刷电路板制造工序中使用的电镀液等情况，而在环氧树脂系硅烷偶合剂、氨基系硅烷偶合剂、巯基系硅烷偶合剂等中任意选择使用。
更具体地说，可以与用于预浸渍制品的玻璃纱布一样，在印刷电路板上以偶合剂为中心使用乙烯三甲氧基硅烷、乙烯苯基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯丙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油丙基三甲氧基硅烷、4-缩水甘油丁基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-β(氨基乙烷基)γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-3-(4-(3-氨基丙氧基)丁氧基)丙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、咪唑硅烷、三氨杂苯硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷等。
在该析出面上实施上述所希望的表面处理后的表面处理铜箔，具有与树脂薄膜基材相粘合面的表面粗糙度(Rzjis)小于等于5μm浅轮廓的特征。因此，具有此类浅轮廓的粗燥化处理面，在与树脂薄膜层粘接时，没有实用上的障碍并确保粘接性，同时也确保了良好的蚀刻性能，作为基板可以获得无实用障碍的耐热性、耐药性与剥离强度。
挠性覆铜层压板的制造方式：利用上述的电解铜箔制造本发明的挠性覆铜层压板。本说明书所述挠性覆铜层压板是指，包含上述三层挠性覆铜层压板或者两层挠性覆铜层压板的两种。并且对这些挠性覆铜层压板的制造方法不作特别限定，可以采用公知的任何一种方法。
即，在三层挠性覆铜层压板时，在树脂薄膜的表面设置粘合剂层，使该粘合剂层处于半硬化的状态，对该粘合剂层进行加热，使其再次流动，将电解铜箔制成层压板，晾干，由此制成电解铜箔层/粘合剂层/树脂薄膜层的三层挠性覆铜层压板。
在两层挠性覆铜层压板时，列举利用浇铸法的情况。在电解铜箔的析出面上利用金属型涂料机、辊子涂料机、旋转涂料机、刮刀涂料机、刮刀片等公知的涂布方法，将聚酰亚胺系清漆直接涂布后，加热干燥该清漆制成。对所使用的聚酰亚胺系清漆不需要特别限定。通常可以广泛利用通过将二胺系药剂与酸酐发生反应获得的聚酰胺酸清漆、聚酰胺酸在溶液的状态下进行化学反应、或者加热而成亚胺化的聚酰亚胺树脂清漆等。即，酸酐只要通过加热干燥能获得所希望组成的聚酰亚胺系树脂，就可以选择适当成份，使用偏苯三酸酐、苯均四酸二酐、联二邻苯二甲酸二酐、二苯甲酮四酸二酐等，不需要特别限定。作为二胺系药剂可以将间苯二胺、二铵基二苯基甲烷、二铵基二苯砜、二铵基二苯基醚等的一种或2种以上适当组合加以使用。另外，只要满足制造挠性印刷电路板时要求的质量，在这些清漆中包含有添加聚酰亚胺树脂、二马来酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂等含聚酰胺系的复合清漆。
本发明的挠性印刷电路板：利用上述本发明的挠性覆铜层压板，可以获得高质量的挠性印刷电路板。另外，这里所说的挠性印刷电路板包含有薄膜载带。
对于用挠性覆铜层压板制造挠性印刷电路板的制造方法不作特别限定，可以利用公知的蚀刻加工工艺。因此，在这里省略其详细说明。即使利用公知的蚀刻加工工艺，特别是通过使用本发明的挠性覆铜层压板，可以大幅度提高在挠性印刷电路板中具有电路间距小于等于35μm，优选小于等于30μm的细间距电路的薄膜载带状的挠性印刷电路板制造品质。
作为挠性印刷电路板的制造方法的一个例子，对薄膜载带的制造方法进行说明。形成电路形状的薄膜载带包括：树脂薄膜、在其表面上形成的电路布图、以及从该电路布图上配置成露出端子部分的焊锡保护层或者覆盖层等绝缘树脂保护层。
作为树脂薄膜使用聚酰亚胺薄膜、氨基聚酰亚胺薄膜、聚酯薄膜、聚苯硫醚薄膜、聚醚亚胺薄膜、氟树脂薄膜以及液晶聚合物薄膜等。即，这些树脂薄膜具有不会被蚀刻时所使用的蚀刻液、或者洗净时所使用的碱溶液等腐蚀的耐药性。还具有不会由于安装电子元件等时的加热而引起热变形的耐热性。具有这类特性的树脂薄膜特优选聚酰亚胺薄膜。
这类树脂薄膜通常具有5～150μm，优选5～125μm，特优选25～75μm的平均厚度。在上述树脂薄膜上，通过穿孔方法来设置中导孔，器件孔、弯曲切口、定位孔等必要的贯通孔或贯通区域。
并且，通过对配置于上述树脂薄膜表面的铜层(本发明为电解铜箔层)进行蚀刻来形成电路图案。上述铜层的厚度通常为2～70μm，优选6～35μm的范围内。
上述电解铜箔不使用粘合剂就可以配置在树脂薄膜的表面，也可以形成粘合剂层来进行粘接。用于粘接导电性金属箔的粘合剂层，可以利用环氧树脂系粘合剂、聚酰亚胺树脂系粘合剂、丙烯酸系树脂来形成。粘合剂层的厚度通常在1～30μm，优选5～20μm的范围内。
而且，通过对上述形成于树脂薄膜表面的电解铜箔层，进行蚀刻来形成电路图案。即，在电解铜箔层的表面涂抹UV感光性的蚀刻膜液，在70℃～130℃的温度条件下，干燥1～10分钟，形成蚀刻膜层，通过在该蚀刻膜层上对蚀刻膜图案进行曝光、显像，形成所希望的保护层图案，将保护层的图案作为掩膜，对电解铜箔有选择地进行蚀刻，由此可以形成电路图案。另外，在不形成电路图案的领域，通常由于各种目的，有时会设置不进行电连接的虚设图案。并且，在使用两层挠性覆铜层压板的COF带的情况下，通常不将引导孔周围的电解铜箔蚀刻除去，为了加固，而采用将其原样留下的“留铜”的制造方法。
在树脂薄膜表面形成的电路图案，以端子部分露出的方式利用树脂保护层进行覆盖。并且，根据需要在形成树脂保护层前，为了防止氧化等目的，也可以进行电镀处理(也称先电镀处理)，可覆盖形成的电路图案。
在形成上述电镀层时，优选有选择地利用镀锡层、镀金层、镀镍金层、镀焊料层、镀游离铅焊料层、镀铅层、镀镍层、镀锌层以及镀铬层等。另外，这些电镀层也可以是将多种电镀层层叠的复合电镀层。特别是在本发明中，优选镀锡层、镀金层、镀镍层、镀镍金层。这是因为在进行电子元件表面安装时，其结合稳定性良好。
电镀层的厚度可以通过电镀的种类来适当选择。但是通常设定为0.005～5.0μm，优选0.005～3.0μm范围的厚度。另外，在镀锡之后，通常进行70℃～200℃×0.3小时～3.0小时的固化。在电路的整个表面上进行电镀(以下称为“第一电镀处理”)，使端子部分露出，形成树脂保护层之后，也可以进一步在从树脂保护层上露出的部分，即端子部分上再次进行与第一电镀处理相同或者不同的电镀处理(第二电镀处理)。作为该电镀层的形成方法可以利用电解法、非电解法的任何一种方法。
根据需要形成以上的电镀层之后，留下电路图案的端子部分，形成覆盖电路图案以及位于电路图案之下的树脂薄膜层的树脂保护层。该树脂保护层例如可以通过利用丝网印刷技术，在所希望的部分上涂抹环氧系、尿烷系、聚酰亚胺系等的结合保护层，再进行100℃～180℃、30分～300分的固化方式来形成。并且，也可以通过如下方式来形成，通过对该树脂薄膜预先进行冲切加工等来形成所希望的形状，再对该树脂薄膜进行热压合。
在预先不进行电镀时，形成树脂保护层之后，在从该树脂薄膜层露出的电路(导线)表面形成电镀层(称为“隆起电镀)。该电镀处理(有时称为后电镀处理)在将电子元件安装于该薄膜载带上时，使得该电子元件上所形成的块状(Bump)电极与该薄膜载带的端子的电连接变得容易。更进一步，也是为了将安装有该电子元件的薄膜载体(半导体装置)组装在电子设备上时，薄膜载体与其他部件之间可以进行电连接。
为了形成该隆起电镀层，可以有选择地利用镀锡层、镀金层、镀银层、镀镍金层、镀焊料层、镀游离铅焊料层、镀钯层、镀镍层、镀锌层以及镀铬层等。另外该镀层是上述电镀层的单层，也可以是层叠了多层电镀层的复合电镀层。上述电镀层如果以后受到加热等，则会与处于层叠状态的金属(构成电路的铜成分、构成基层的金属成分)产生相互扩散。
所述隆起电镀层与先前使用的电镀层一样，可利用电解法或者非电解法等通常的电镀法来形成。并且该块状电镀层的平均厚度根据产品特性、构成电镀层的金属种类、适当的厚度而不同，但是通常处于0.3～12μm的范围。与上述的镀锡以及预先镀的情况一样，在后电镀之后进行固化。另外，在构成多层电镀层的情况下，上述的平均厚度是指形成后电镀层的总厚度。按照上述方法可以完成薄膜载带的制造。在本发明的情况下，从上述制造完成的薄膜载带上，可利用聚酰亚胺蚀刻剂等化学药品除去树脂层，从虚设图案或者残铜部分采集宽度为2.0～5.0mm，长度为80mm～100mm铜层或者被电镀的铜层。对该铜层进行拉伸试验，其拉伸强度为25kgf/mm2～30kgf/mm2，拉伸率为10％～15％的范围内，另外，有关镀锡的铜层，对利用市场销售的碱性镀锡剥离剂除去电镀层后的铜层，实施拉伸试验。
以下表示制造，本发明挠性覆铜层压板和含有间距为30μm电路的COF带的实施例。并与制造现有的浅轮廓铜箔，利用该铜箔制造同样的COF带时的制造品质相对比。
对于COF带稍加详细说明，一直以来，要求形成细间距电路，安装有IC等芯片元件的挠性印刷电路板，采用TAB(带式自动焊接基板)带、ASIC带等薄膜载带。其中，作为可搭载在电子设备的狭小空间的，与缩小化相对应的技术，引人注目的是芯片薄膜(COF)。该COF型的薄膜载带由于没必要如TAB带那样形成组件孔，所以不存在悬空导线(内部导线)。即，电路的所有部位都由作为基材的树脂薄膜所支撑。因此，由于有树脂薄膜作为元件安装区域的电路支撑体，所以即使将安装元件的电路微小化，在进行芯片元件的结合时，也可以确保所要求电路的强度。电路整体的细间距化变得容易进行。
本发明半导体装置的形态：本发明半导体装置在利用上述挠性覆铜层压板所制成的挠性印刷电路板或者薄膜载带上安装IC等芯片元件，并进行了树脂封装，从而可以提供配线耐折性优良的高品质的半导体装置。
实施例1
电解铜箔的制造：在该实施例中，作为硫酸系铜电解液是硫酸铜溶液，并使用铜浓度为80g/L，游离硫酸为140g/L，3-巯基-1-丙烷磺酸的浓度为4ppm、1，5-己二烯二甲基氯化铵的浓度(使用100Lセンカ(株)制造的ユニセンスFPA)为3ppm、氯浓度为10ppm、溶液温度为50℃的溶液，在电流密度为60A/dm2的条件下进行电解，获得了12μm厚度的电解铜箔。该电解铜箔的一个表面是复制了钛制电极表面形状的光泽面(Ra＝1.02μm)，另一面的析出面粗糙度为Rzjis＝0.53μm，Ra＝0.09μm，光泽度(Gs(60°))为669，常态拉伸强度为39.9kgf/mm2，加热后的拉伸强度为3 5.2kgf/mm2，常态下的拉伸率为7.6％，加热后的拉伸率为14.3％。
作为上述电解铜箔的表面处理，是在该粗糙面上析出附着微小铜颗粒，形成粗糙处理面。在该粗糙处理面形成之前，对该电解铜箔的表面进行酸洗处理，来实施净化。该酸洗处理的条件为，利用浓度为100g/L、溶液温度为30℃的稀硫酸溶液浸泡30秒。
酸洗处理完成之后，作为在电解铜箔的粗糙面上形成微小铜颗粒的工序，实施了在粗糙面上析出附着微小铜颗粒的工序，以及用于防止该微小铜颗粒脱落的覆镀工序。前者的析出附着微小铜颗粒的工序中，使用硫酸铜系溶液，在浓度为铜7g/L、硫酸100g/L、溶液温度为25℃、电流密度为10A/dm2的条件下，进行电解10秒。
在粗糙面上附着形成微小铜颗粒之后，作为用于防止微小铜颗粒脱落的工序，在平滑镀条件下，以覆盖微小铜颗粒的方式均匀地析出铜。平滑镀的条件是，使用硫酸铜溶液，在浓度为铜60g/L、硫酸150g/L，溶液温度为45℃，电流密度为15A/dm2的条件下，进行电解20秒。
上述粗糙化处理完成之后，接着在该铜箔的两个表面实施防锈处理，采用了下述条件的无机防锈。使用硫酸锌溶液，在硫酸浓度为70g/L，锌浓度为20g/L，溶液温度为40℃，电流密度为15A/dm2时，进行锌防锈处理。
更进一步在本实施例的情况下，在上述锌防锈处理的基础上，通过电解形成铬酸盐层。此时的电解条件为、铬酸5.0g/L，PH值为11.5，溶液温度为35℃，电流密度为8A/bm2，电解时间为5秒。
上述防锈处理完成后，进行水洗，然后，立即在硅烷偶合剂处理槽中，进行硅烷偶合剂吸附于粗糙化表面的防锈处理层上。
硅烷偶合剂处理完成之后，最后放入电加热器使箔温度达到140℃，用4秒快速通过已调整加热周围温度的炉内，除去水分，促进硅烷偶合剂的缩聚反应，制成了电解铜箔。经过该表面处理后粗糙化处理的表面粗糙度为Rzjis＝4.6μm。
挠性覆铜层压板的制造：在上述经过粗糙化处理的电解铜箔表面上，涂抹市场上销售的包含有聚酰胺酸溶液的聚酰亚胺前体清漆，通过加热使其聚酰亚胺化，利用浇注法，形成40μm厚的聚酰亚胺树脂薄膜层。其结果是，制成由大约12μm厚的电解铜箔层和40μm厚的聚酰亚胺树脂薄膜层构成的两层挠性覆铜层压板。
COF带的制造：在具有规定的宽度、呈带状的上述覆铜层压板上，通过冲切加工形成中导孔以及所需的贯通孔。(以下为了说明将其称为“带状挠性覆铜层压板”)。
将缠绕在鼓状旋转阴极上的挠性覆铜层压板卷缠起来，利用制造COF带的蚀刻生产线，在形成的电路图案以及中导孔的周围形成用于加强的残铜部。在铜箔表面上使用液体抗蚀剂，并在100℃的条件下进行固化，形成铜蚀刻保护层。在该蚀刻保护层上烧制显像图案，使其显像形成抗蚀剂图案。此时的显像图案是预定形成电路的一部分导线宽度为15μm，导线间距为30μm(L/S＝15/15)的电路。这就是导线宽度相当于导线间距50％的电路。
然后，按照规定的方法在氯化铜溶液中进行铜蚀刻，以剥离抗蚀剂图案并进行充分水洗。然后对布线及残铜部位进行无电解镀锡，从而形成厚度为0.45μm的镀锡层，以135℃进行热处理。如图1所示，利用丝网印刷方法，在电路的上部区域涂布阻焊剂液，在120℃的条件下进行晾干。可制成电子元件安装用薄膜载带(COF带)。实验用的COF带试样1在聚酰亚胺树脂基材2的表面，具有从端子部3电导通的梳形电路4，并利用阻焊剂5覆盖该梳形电路4的上部区域。
COF带的评价结果：其结果在任何产品上都未发现蚀刻残留部分，并形成了15μm宽的电路，获得30±0.001μm的电路间距。而且，反映出在通常的工序中产生的制造偏差，其制造合格率是96％。另外利用自动检查装置(AOI)，检测的聚酰亚胺树脂层的透光性也良好。
为了调查该COF带的耐折特性，利用图2所示的MIT耐折实验器，负荷载重100gf，在图1所示试样的弯折位置6(具有阻焊剂层5的位置)进行规定次数的弯折(反复弯折)，确定梳形电路4的配线断裂的状况。其结果，在R(0.5mm)的情况下，平均弯折次数为53次。在这里，对MIT耐折实验器加以简单的说明。在掺合器(blunger)11的顶端安装可施加载荷的试件固定部12。利用该试件固定部12，夹持固定图1所示薄长方形的测量试件1的中间部位。此时试件1的具有端子部3的顶端一侧，从试件固定部12向外部突出，将该端子部3与导线14连接，电检测断裂时间。另一方面，试件1的另一端，利用固定配置在弯折装置安装台15上的弯折装置16来进行固定。此时的弯折装置16俯视时呈圆弧状，夹住从其中心部分离构成用于夹住测量试件1切口17。，该弯折装置安装台15通过以左右均等的角度进行旋转，显然使弯折装置以左右均等的角度进行摆动，在试件1施加拉伸载荷的状态下，施加弯折载荷。另外，根据弯折装置16顶端部R的水平和测量时的载荷，作为弯折实验的精确度发生变化。
利用市场上销售的聚酰亚胺蚀刻剂，除去聚酰亚胺树脂薄膜层，从COF带的残留铜部分采集镀锡宽2.0mm、长80mm的铜箔。利用市场上销售的镀锡剥离液，从该铜箔上除去镀锡层，再进行拉伸实验，其结果，拉伸强度为27kgf/mm2，拉伸率为12％。
实施例2
在该实施例中，使用实施例1电解铜箔的制造方法，但省去粗糙化处理，在防锈处理层上采用下述的锌-镍合金防锈层。此时的镀锌-镍合金处理条件是利用硫酸镍，镍浓度为0.3g/L，利用焦磷酸锌，锌浓度为2.5g/L，并在焦磷酸钾100g/L，溶液温度为40℃的条件下进行电解，形成含有镍为71wt％、锌为29wt％(总附着量45mg/m2)的镀锌-镍合金层。并且，与实施例1同样，实施铬酸盐处理。由于以下的工序与实施例1相同，所以省略说明。
COF带的评价结果：对该实施例获得的电子元件安装用薄膜载带(COF)带进行评价，其结果是在任何产品上都未发现蚀刻残留部分，并形成了15μm宽的电路，获得了30±0.001μm的电路间距。反映出在通常的工序内产生的制造偏差，其制造合格率是98％。另外利用自动检查装置(AOI)检测的聚酰亚胺树脂层的透光性也良好。
为了调查该COF带的耐折特性，采用与实施例1同样的方式，其结果，在R(0.5mm)的情况下，平均弯折次数为56次。另外与实施例1同样进行测量，其拉伸强度为28kgf/mm2，拉伸率为14％。
比较例1
电解铜箔的制造：专利文献1公开的实施例1的跟踪实验，是将硫酸铜(试剂)与硫酸(试剂)溶解在纯水中，硫酸铜(换算为5水合物)为280g/L，游离硫酸浓度为90g/L，添加1，5-己二烯二烷基铵盐与二氧化硫的共聚物(日东纺织株式会社制，商品名为PAS-A-5，重量平均分子量为4000∶4ppm)、聚乙二醇(平均分子量为1000∶10ppm)、以及3-巯基-1-丙烷磺酸(1ppm)，再用氯化钠，将氯浓度调制为20ppm，调制了硫酸酸性铜电镀液。
作为阴极，使用钛板电极，利用2000号的研磨纸对其表面进行研磨。将表面粗糙度Ra调整到0.20μm。阳极利用铅板，在上述电解液的溶液温度为40℃，电流密度为50A/dm2时进行电解，获得12μm厚的电解铜箔。该电解铜箔的一个表面是复制了钛制电极表面形状的光泽面(Ra＝1.02μm)，另一侧的表面析出面的粗糙度为Rzjis＝0.85μm，Ra＝0.16μm，光泽度(Gs(60°))为283，常态拉伸强度为36.2kgf/mm2，加热后的拉伸强度为32.4kgf/mm2，常态下的拉kg率为4.0％，加热后的拉伸率为5.6％。
然后，与实施例1同样，制造了进行粗糙化处理以及防锈处理的电流铜箔。经过该表面处理后粗糙化处理面的粗糙度为Rzjis＝4.5μm。
以下与实施例1同样，制造挠性覆铜层压板，形成30μm间距的电路图案，获得电子元件安装用的薄膜载带(COF带)。
COF带的评价结果：对该比较例获得的电子元件安装用薄膜载带(COF带)进行评价。其结果在任何产品上都未发现蚀刻残留部分。反映出在通常工序中产生的制造偏差时，其制造合格率是80％。另外利用自动检查装置(AOI)检测的聚酰亚胺树脂层，其透光性也没有问题。
并且，为了调查该COF带的耐折特性，采用与实施例1同样的方式，其结果，在R(0.5mm)的情况下，平均弯折次数为29次。另外与实施例1同样进行测量的拉伸强度为22kgf/mm2，拉伸率为7％。
比较例2
电解铜箔的制造在该比较例中，硫酸系铜电解液是硫酸铜溶液，利用铜浓度为80g/L、游离硫酸140g/L、1，5-己二烯二甲基氯化铵的浓度为4ppm(使用100Lセンカ(株)制造的ユニセンスFAP)、氯的浓度为15ppm、溶液温度为50℃的溶液，在电流密度为60A/dm2的条件下进行电解，获得12μm厚的电解铜箔。该电解铜箔的一个表面是复制了钛制电极表面形状的光泽面(Ra＝1.02μm)，另一面的析出面粗糙度为Rzjis＝3.6μm，Ra＝0.55μm，光泽度(Gs(60°))为0.7，常态下拉伸强度为40.5kgf/mm2，加热后的拉伸强度为39.5kgf/mm2，常态下的拉伸率为3.6％，加热后的拉伸率为4.4％。
然后，与实施例1同样，制造了进行粗糙化处理以及防锈处理的电流铜箔。该表面处理后的粗糙化处理面的粗糙度为Rzjis＝8.2μm。
以下与实施例1同样，制造挠性覆铜层压板，形成电路图案，获得安装电子元件用的薄膜载带(COF带)。
COF带的评价结果：对该比较例获得的电子元件安装用薄膜载带(COF带)进行评价。其结果在任何产品上都没有形成很好的蚀刻。电路宽度偏差较大，难以形成产品化水平的30μm间距的电路。但是利用自动检查装置(AOI)，检测的聚酰亚胺树脂层的透光性没有问题。
并且，为了调查该COF带的耐折特性，采用与实施例1同样的方式，其结果，在R(0.5mm)的情况下，平均弯折次数为13次。另外与实施例1同样进行测量的拉伸强度为25kgf/mm2，拉伸率为5％。
比较例3
电解铜箔的制造在该比较例中，硫酸系铜电解液是硫酸铜溶液，利用铜浓度为80g/L、游离硫酸140g/L、1，5-己二烯二甲基氯化铵的浓度为4ppm(使用100Lセンカ(株)制造的ユニセンスFPA)、低分子量胶(平均分子量为1560∶6ppm)，氯的浓度为15ppm、溶液温度为50℃的溶液，在电流密度为60A/dm2的条件下进行电解，获得12μm厚的电解铜箔。该电解铜箔的一个表面是复制了钛制电极表面形状的光泽面(Ra＝1.02μm)，另一面的析出面的粗糙度为Rzjis＝3.59μm，Ra＝0.54μm，光泽度(Gs(60°))为1.0，常态下拉伸强度为38.6kgf/mm2，加热后的拉伸强度为37.4kgf/mm2，常态下的拉伸率为4.6％，加热后的拉伸率为4.8％。
然后，与实施例1同样，制造了进行粗糙化处理以及防锈处理的电流铜箔。经过该表面处理后的粗糙化处理面的粗糙度为Rzjis＝8.0μm。
以下与实施例1同样，制造挠性覆铜层压板，形成电路图案，获得电子元件安装用的薄膜载带(COF带)。
COF带的评价结果：对该比较例获得的电子元件安装用薄膜载带(COF带)进行评价。其结果在任何产品上没有形成良好的蚀刻。电路宽度偏差较大，难以形成产品化水平的30μm间距的电路。但是利用自动检查装置(AOI)，检测的聚酰亚胺树脂层的透光性没有问题。
并且为了调查该COF带的耐折特性，采用与实施例1同样的方式，其结果，在R(0.5mm)的情况下，平均弯折次数为15次。另外与实施例1同样进行测量的拉伸强度为24kgf/mm2，拉伸率为6％。
实施例与比较例的对比
将以上的实施例与比较例进行对比，各比较例与实施例的对比结果表示如下。
实施例与比较例的对比：首先对实施例与比较例中使用的电解铜箔的差异进行说明。比较实施例与比较例的析出面粗糙度时，则本发明实施例的电解铜箔析出面的粗糙度，与比较例1电解铜箔的析出面粗糙度的差异不大。并且，即使比较实施了粗糙化处理的电解铜箔，实施例与比较例1的粗糙度几乎没有差异。即，仅从利用触针式粗糙度计测量的轮廓(例如Rzjis)来判断，比较例1的电解铜箔也可以实现良好的浅轮廓化。但是，观察光泽度时，比较例1的光泽度为283，对此各实施例的光泽度为669，两者比较显示出完全不同的值。因此，与比较例1的电解铜箔相比，实施例中使用的电解铜箔具有更平坦的接近镜面的析出面。即使观察物理特性，与比较例1的电解铜箔相比，实施例的各电解铜箔具有更优良的物理特性。
比较例2中使用的电解铜箔是，为了观察用于制造的铜电解液中无3-巯基-1-丙烷磺酸时的效果。从上述结果可以看出，在铜电解液中不含有3-巯基-1-丙烷磺酸时，就不能实现电解铜箔的浅轮廓化。至于光泽度，则由于几乎处于没有光泽的状态，所以光泽度极低。在物理特性方面，可以看出拉伸率变低。并且该物理特性可以理解为，完全不适合电子元件安装用薄膜载带产品的制造。
再者观察比较例3，在铜电解液中代替3-巯基-1-丙烷磺酸而添加低分子胶时的效果，从上述结果可以看出，即使在铜电解液中，代替3-巯基-1-丙烷磺酸而含有低分子胶，也不能实现电解铜箔的浅轮廓化。并且，因为处于没有光泽的状态，所以光泽度极低，在物理特性方面，其拉伸率变低。
通过实施例与比较例的对比可以看出，由于以上用于制造挠性覆铜层压板的电解铜箔的差异，在挠性印刷电路板上进行加工时的电路蚀刻性、电路拉伸率、耐折性显著不同。首先，如果比较各个实施例时，则实施例1是利用粗糙化处理的电解铜箔来制造两层挠性覆铜层压板。实施例2是利用省去粗糙化处理工序的电解铜箔来制造两层挠性覆铜层压板。将实施例1与实施例2进行对比，省去粗糙化处理的实施例2的COF带的制造合格率较高，耐折性也稍微变好。
观察各个比较例的COF带的制造合格率，表现出比各个实施例差，形成小于等于35μm间距的细间距电路的能力也比实施例差。特别是可以看出，比较例2以及比较例3在工业上不能发挥经济上合理的生产性。
本发明的挠性覆铜层压板在其导电层的构成方面，与现有市场上供应的浅轮廓电解铜箔相比，其特征为，具有更浅轮廓，且具有适用于高强度的机械物理特性的电解铜箔。该电解铜箔即使在其析出面上实施了粗糙化处理以及防锈处理，也可成为过去所没有的浅轮廓表面处理铜箔。并可以控制与树脂薄膜等基膜的良好粘接性。因此，本发明的挠性覆铜层压板适合于，形成具有小于等于35μm电路间距的带式自动焊接基板(三层TAB带)或者芯片薄膜基板(COF带)的细间距电路。另外，本发明挠性覆铜层压板所使用的电解铜箔，其粗糙面的粗糙度小于等于光泽面的粗糙度，并具有两个表面都具有光泽的平滑面。因此，在进行耐折试验时，显示出良好的特性，在以弯折状态进行使用的挠性印刷电路板等领域上，是很有用的。

Claims (13)

1、一种挠性覆铜层压板，其在树脂薄膜上粘贴电解铜箔而成，其特征在于，
所述电解铜箔的析出面是，表面粗糙度(Rzjis)小于等于1.5μm，并且光泽度(Gs(60°))大于等于400的浅轮廓光泽面，该析出面与树脂薄膜相粘接。
2、根据权利要求1所述的挠性覆铜层压板，其特征在于，
所述电解铜箔在常态下的拉伸强度大于等于33kgf/mm2，在180℃×60分钟，大气压下加热后的拉伸强度大于等于30kgf/mm2。
3、根据权利要求1所述的挠性覆铜层压板，其特征在于，
所述电解铜箔在常态下的拉伸率为大于等于5％，在180℃×60分钟，大气压下加热后的拉伸率为大于等于8％。
4、根据权利要求1所述的挠性覆铜层压板，其特征在于，
所述电解铜箔通过在硫酸系铜电解液中包含作为4级铵盐聚合物的1，5-己二烯二甲基氯化铵，并进行电解来制造。
5、根据权利要求1所述的挠性覆铜层压板，其特征在于，
所述电解铜箔在其析出面上进行粗糙化处理、防锈处理、硅烷偶合剂处理中的任何一种或者两种以上的表面处理
6、根据权利要求5所述的挠性覆铜层压板，其特征在于，
所述电解铜箔的表面处理后的析出面具有表面粗糙度(Rzjis)为小于等于5μm的浅轮廓。
7、一种挠性印刷电路板，其特征在于，
使用权利要求1所述的挠性覆铜层压板制成。
8、根据权利要求7所述的挠性印刷电路板，其特征在于，
经过所述挠性印刷电路板的制造工艺之后的电解铜箔的拉伸强度大于等于25kgf/mm2，并且拉伸率大于等于10％。
9、一种薄膜载带，其特征在于，
在使用权利要求1所述挠性覆铜层压板制造的挠性印刷电路板上，具有形成的电路是35μm以下的细间距电路。
10、根据权利要求9所述的薄膜载带，其特征在于，
所述电路通过将表面粗糙度(Rzjis)小于等于1.5μm，并且光泽度(Gs(60°))大于等于400的电解铜箔的浅轮廓析出面与树脂薄膜相粘接，再进行蚀刻而获得。
11、一种半导体装置，其特征在于，
使用权利要求1所述的挠性覆铜层压板制成。
12、一种挠性覆铜层压板的制造方法，是权利要求1所述的挠性覆铜层压板的制造方法，其特征在于，
在电解铜箔的浅轮廓光泽表面上形成树脂薄膜层，所述的浅轮廓光泽表面的表面粗糙度(Rzjis)小于等于1.5μm，并且(Gs(60°))大于等于400。
13、一种薄膜载带的制造方法，是权利要求9所述的薄膜载带的制造方法，其特征在于，
在电解铜箔的浅轮廓光泽表面上形成树脂薄膜层，制成带状挠性覆铜层压板，所述的浅轮廓光泽表面的表面粗糙度(Rzjis)小于等于1.5μm，并且(Gs(60°))大于等于400，然后，对该电解铜箔进行蚀刻加工成电路形状，制成薄膜载带。
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