CN113584537B - 一种带树脂层的极低粗糙度的极薄铜箔及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及铜箔制备领域，具体涉及一种带树脂层的极低粗糙度的极薄铜箔及其制造方法。所述极薄铜箔包括树脂层、基础铜层和极薄铜层，其中基础铜层在树脂层和极薄铜层之间，基础铜层通过蒸镀或溅镀的方式附着在树脂层上，极薄铜层通过电镀的方式附着在基础铜层上。本发明使用溅镀或蒸镀的手段在树脂表面先形成一层基础铜层，然后进一步在基础铜层上电镀极薄铜层，得到的铜层和树脂之间相容性好，附着力强。

Description

一种带树脂层的极低粗糙度的极薄铜箔及其制造方法
技术领域
本发明涉及铜箔制备领域，具体涉及一种带树脂层的极低粗糙度的极薄铜箔及其制造方法。
背景技术
电解铜箔作为电子制造行业的功能性基础原材料，主要用于覆铜板和印制线路板的制作。随着电子终端产品轻、薄、短、小、快的趋势，特别是随着第五代移动通信(5G)的商用和第六代移动通信(6G)启动，电子产品要求传输速度越来越快，传输频率越来越高，作为电子产品的关建原材料铜箔亦需满足轻、薄、短、小、快的的要求。铜箔的厚度经历了35μm、18μm、12μm几个发展阶段，12μm以下的超薄铜箔以及8μm以下的极薄铜箔制备难度相对较大，需要特殊的制备工艺。
12μm以下的铜箔制备方法主要有微蚀法、加成法和剥离法。微蚀法是采用刻蚀的方法，将较厚的铜箔通过化学侵蚀减薄，此方法需要特殊的化学侵蚀液，对反应条件要求较高；加成法是把金属化后的PI膜与一个非常薄的铜箔进行电沉积便可得到超薄型铜箔，但此方法的敝处就是会导致针孔的产生，从而影响铜箔质量，而且铜箔表面的金属镀层需要使用一些比较特殊的化学用品去除，并且在热循环的作用下会导致铜箔的抗剥离强度降低从而得不到理想的超薄铜箔；剥离法则是一定厚度的载体箔上进行铜电沉积从而形成超薄铜箔层，载体的性质对成品的品质具有较大的影响。
为了满足越来越轻、薄、短、小、快以及高可靠性的趋势要求，需开发一种极低粗糙度的、高耐折性的极薄铜箔，但若采用现有的生产设备和技术，生产极低粗糙度的极薄铜箔难以实现。
发明内容
本发明的目的是基于市场的需求和现有设备及技术存在不足，本发明旨在提供一种适用于超低线宽、超低插损或高耐折性要求的线路板应用领域的一种带树脂层的极低粗糙度的极薄铜箔及其制造方法。
本发明的目的通过以下技术方案实现。
一种带树脂层的极低粗糙度的极薄铜箔，包括树脂层、基础铜层和极薄铜层，其中基础铜层在树脂层和极薄铜层之间。
进一步地，所述基础铜层通过蒸镀或溅镀的方式附着在树脂层上。
本发明对蒸镀或溅镀具体参数不做要求，采用本领域生产的常规技术手段即可，其目的是在树脂层上附着特定厚度的基础铜层。
进一步地，所述极薄铜层通过电镀的方式附着在基础铜层上。
进一步地，所述树脂层的材料选自环氧树脂、酚醛树脂、PI树脂、PPO树脂或PTFE树脂中的至少一种。
进一步地，所述树脂层的厚度为20-200μm。
进一步地，所述基础铜层的厚度为0.1-1.0μm。
进一步地，所述极薄铜层的厚度为0.1-5.0μm。
进一步地，所述基础铜层和极薄铜层的总厚度为1.0-5.0μm。
进一步度，所述极薄铜箔的粗糙度Rz≤1μm，优选为Rz≤0.7μm。
一种所述极薄铜箔的制备方法，包括以下步骤：
S1：取树脂层，采用蒸镀或溅镀的方式使所述树脂层上附着基础铜层；
S2：将S1中形成的所述基础铜层使用硫酸处理；
S3：再经过硫酸处理的基础铜层上电镀极薄铜层。
进一步地，S2中，所述硫酸浓度为100-160g/L，处理温度为10-60℃。
进一步地，S3中，电镀电解液组成为：Cu2+含量30～100g/L，H2SO4含量60～160g/L，Cl-含量0.02～0.1g/L，添加剂含量0.01～0.2g/L。
进一步地，所述Cu2+来源为包括硫酸铜。
进一步地，所述添加剂选自苯基二硫丙烷磺酸钠(BSP)、噻唑啉基二硫代丙烷磺酸钠(SH110)、己基苄基胺盐、2-巯基苯骈咪唑和十二烷基磺酸钠中的至少两种。
本发明意外地发现，通过添加合适种类的至少两种添加剂可以使最终产品具有较低的粗糙度，而使用单一的添加剂时，想要得到较低粗糙度的效果，对催化剂种类及含量要求较为苛刻，产品质量不稳定。
进一步地，所述电镀温度为20～60℃，电解液流量为10～50m3/h，电流密度20～60A/dm2,电镀时间10s～60s。
进一步地，所述制备方法中，S3之后，还包括电镀耐热层步骤，所述电镀耐热层步骤中，电解液组成为：Zn2+含量3-9g/L，Ni2+含量2-6g/L，酒石酸钾钠含量10-90g/L，pH值8～12。
进一步地，所述Zn2+来源包括硫酸锌。
进一步地，所述Ni2+来源包括硫酸镍。
进一步地，电镀耐热层步骤中：温度20～50℃，电解液流量10～30m3/h，电流密度0.5～5A/dm2，电镀时间1s～10s。
进一步地，所述制备方法中，S3之后，还包括电镀防氧化层步骤，所述电镀防氧化层步骤中，电解液组成为：钼酸钠含量20～60g/L，磷酸盐含量10～30g/L，单宁酸含量10～20g/L，pH值2～6。
进一步地，所述磷酸盐包括磷酸二氢钠或磷酸二氢钾。
进一步地，所述电镀防氧化层步骤中：温度20～50℃，电解液流量10～30m3/h，电流密度0.5～5A/dm2，电镀时间1s～10s。
进一步地，所有电镀步骤均完成后，将得到的铜箔烘干，具体条件为50～200℃烘10～60s。
本发明的优势在于：
1.本发明采用合适的方法在树脂上形成铜箔，得到以树脂为载体的铜箔，耐折性强，弯折20000次以上，铜箔不断裂。
2.本发明采用合适的电镀方法，得到总厚度5μm以下的铜箔，粗糙度Rz达到1μm以下，甚至是0.7μm以下。
3.本发明在整个制备过程中，想要得到最终产品极低粗糙度的效果，需要电镀铜层步骤、电镀耐热层步骤、电镀防氧化层步骤中的参数需要相互配合，如电镀铜层时，电解液需解离搭配，单独使用一种电解液时，难以得到本申请最终具有极低粗糙度的极薄铜层。
4.本发明使用溅镀或蒸镀的手段在树脂表面先形成一层基础铜层，然后进一步在基础铜层上电镀极薄铜层，得到的铜层和树脂之间附着力强。相比于需要在铜箔表面使用偶联剂处理后，采用压制的方式制备带有树脂层铜箔的方案，本发明工序更简单。
具体实施方式
实施例1
一种带树脂层的极低粗糙度的极薄铜箔，通过以下方法进行制备
S1：在50μm的环氧树脂层上蒸镀0.3μm的基础铜层；
S2：基础铜层使用120g/L的H2SO4，在30℃下进行处理；
S3：在S2处理后的基础铜层上进行电镀形成极薄铜层，电镀电解液组成为：Cu2+含量50g/L，H2SO4含量100g/L，Cl-含量0.05g/L，添加剂A含量0.1g/L；
其中添加剂A中，按重量份数计，苯基二硫丙烷磺酸钠(BSP)：己基苄基胺盐：十二烷基磺酸钠＝2：1：4；
电镀温度40℃，电解液流量50m3/h，电流密度40A/dm2,电镀时间20s；
S4：在极薄铜层上电镀耐热层，电镀电解液组成为：Zn2+含量6g/L，Ni2+含量4g/L，酒石酸钾钠含量80g/L，pH值9；
电镀温度40℃，电解液流量20m3/h，电流密度1A/dm2，电镀时间3s；
S5：在耐热层上电镀抗氧化层，电镀电解液组成为：钼酸钠含量30g/L，磷酸盐含量20g/L，单宁酸含量12g/L，pH值3；
温度30℃，电解液流量20m3/h，电流密度1.5A/dm2，电镀时间3s；
S6：将S5电镀后的铜箔在130℃烘干30s，即得所述带树脂层的极低粗糙度的极薄铜箔。
树脂上铜箔厚度整体为2μm，铜箔表面粗糙度Rz≤0.7μm，耐折性≥25000次，铜箔的剥离强度为0.6kgf/cm。
实施例2
一种带树脂层的极低粗糙度的极薄铜箔，通过以下方法进行制备
S1：在75μm的环氧树脂层上蒸镀0.5μm的基础铜层；
S2：基础铜层使用130g/L的H2SO4，在35℃下进行处理；
S3：在S2处理后的基础铜层上进行电镀形成极薄铜层，电镀电解液组成为：Cu2+含量45g/L，H2SO4含量120g/L，Cl-含量0.04g/L，添加剂A含量0.08g/L；
其中添加剂A中，按重量份数计，噻唑啉基二硫代丙烷磺酸钠(SH110)：2-巯基苯骈咪唑：十二烷基磺酸钠＝5：1：10；
电镀温度50℃，电解液流量45m3/h，电流密度30A/dm2,电镀时间14s；
S4：在极薄铜层上电镀耐热层，电镀电解液组成为：Zn2+含量5g/L，Ni2+含量3g/L，酒石酸钾钠含量70g/L，pH值10；
电镀温度30℃，电解液流量20m3/h，电流密度0.8A/dm2，电镀时间2s；
S5：在耐热层上电镀抗氧化层，电镀电解液组成为：钼酸钠含量40g/L，磷酸盐含量20g/L，单宁酸含量16g/L，pH值4；
电镀温度40℃，电解液流量20m3/h，电流密度1.2A/dm2，电镀时间2s；
S6：将S5电镀后的铜箔在120℃烘干20s，即得所述带树脂层的极低粗糙度的极薄铜箔。
树脂上铜箔厚度整体为3μm，铜箔表面粗糙度Rz≤0.7μm，耐折性≥23000次，铜箔的剥离强度为0.62kgf/cm。。
实施例3
一种带树脂层的极低粗糙度的极薄铜箔，通过以下方法进行制备
S1：在75μm的环氧树脂层上蒸镀0.5μm的基础铜层；
S2：基础铜层使用130g/L的H2SO4，在35℃下进行处理；
S3：在S2处理后的基础铜层上进行电镀形成极薄铜层，电镀电解液组成为：Cu2+含量45g/L，H2SO4含量120g/L，Cl-含量0.04g/L，添加剂A含量0.08g/L；
其中添加剂A中，按重量份数计，噻唑啉基二硫代丙烷磺酸钠(SH110)：己基苄基胺盐＝1：2；电镀温度50℃，电解液流量45m3/h，电流密度30A/dm2,电镀时间14s；
S4：在极薄铜层上电镀耐热层，电镀电解液组成为：Zn2+含量5g/L，Ni2+含量3g/L，酒石酸钾钠含量70g/L，pH值10；
电镀温度30℃，电解液流量20m3/h，电流密度0.8A/dm2，电镀时间2s；
S5：在耐热层上电镀抗氧化层，电镀电解液组成为：钼酸钠含量40g/L，磷酸盐含量20g/L，单宁酸含量16g/L，pH值4；
电镀温度40℃，电解液流量20m3/h，电流密度1.2A/dm2，电镀时间2s；
S6：将S5电镀后的铜箔在120℃烘干20s，即得所述带树脂层的极低粗糙度的极薄铜箔。
树脂上铜箔厚度整体为2μm，铜箔表面粗糙度Rz≤0.9μm，耐折性≥22000次，铜箔的剥离强度为0.67kgf/cm。
对比例1
和实施例1相比，添加剂A只使用十二烷基磺酸钠。
树脂上铜箔厚度整体为2μm，铜箔表面粗糙度Rz＝1.5μm，耐折性11000次，铜箔的剥离强度为0.65kgf/cm。
对比例2
和实施例1相比，S3添加剂种类及组成不同。
所述添加剂组成为，聚二硫二丙烷磺酸钠：四氢噻唑硫酮：十六烷基磺酸钠＝2：1：4
树脂上铜箔厚度整体为2μm，铜箔表面粗糙度Rz＝1.42μm，耐折性12000次，铜箔的剥离强度为0.51kgf/cm。
对比例3
和实施例1相比，省略S2的硫酸处理步骤。
此时发现，未经硫酸处理的基础铜层，在进行电镀极薄铜层时，极薄铜层无法均匀地电镀在基础铜层之上，最终形成的铜箔铜箔表面粗糙度Rz＝2.56μm，耐折性9000次，铜箔的剥离强度为0.36kgf/cm。
可以看出，本发明在树脂上采用先蒸镀或溅镀基础铜层再电镀极薄铜层的方式，大大简化了铜箔的制备过程，同时克服了压制法制备铜箔可能出现的铜箔不平整，粗糙度高的问题。而且采用先蒸镀或溅镀基础铜层在电镀极薄铜层的方式，可以提高铜层和树脂之间的相容性，使铜箔的比例强度大大提高。
最后应当说明的是，以上内容仅用以说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制，本领域的普通技术人员对本发明的技术方案进行的简单修改或者等同替换，均不脱离本发明技术方案的实质和范围。

Claims (5)

1.一种带树脂层的极低粗糙度的极薄铜箔，包括树脂层、基础铜层和极薄铜层，其中基础铜层在树脂层和极薄铜层之间；所述树脂层的材料选自环氧树脂、酚醛树脂、PI树脂、PPO树脂或PTFE树脂中的一种；所述基础铜层通过蒸镀的方式附着在树脂层上；所述极薄铜层通过电镀的方式附着在基础铜层上；所述基础铜层的厚度为0.1-1.0μm；所述极薄铜层的厚度为0.1-5.0μm；所述基础铜层和极薄铜层的总厚度为1.0-5.0μm；
所述极薄铜箔的制备方法，包括以下步骤：
S1：取树脂层，采用蒸镀的方式使所述树脂层上附着基础铜层；
S2：将S1中形成的所述基础铜层使用硫酸处理；
S3：再经过硫酸处理的基础铜层上电镀极薄铜层；
S3中，电镀电解液组成为：Cu2+含量30～100g/L，H2SO4含量60～160g/L，Cl-含量0.02～0.1g/L，添加剂含量0.01～0.2g/L；所述添加剂为重量比为2：1：4的苯基二硫丙烷磺酸钠、己基苄基胺盐、十二烷基磺酸钠的混合物或重量比为5：1：10的噻唑啉基二硫代丙烷磺酸钠、2-巯基苯骈咪唑、十二烷基磺酸钠的混合物或重量比为1：2的噻唑啉基二硫代丙烷磺酸钠、己基苄基胺盐的混合物；
所述制备方法中，S3之后，还包括电镀耐热层和电镀防氧化层步骤，所述电镀耐热层的步骤中，电解液组成为：Zn2+含量3-9 g/L， Ni2+含量2-6 g/L，酒石酸钾钠含量10-90 g/L，pH值8～12；
所述电镀防氧化层的步骤中，电解液组成为：钼酸钠含量20～60g/L，磷酸盐含量10～30g/L，单宁酸含量10～20g/L，pH值2～6。
2.根据权利要求1所述的极薄铜箔，其特征在于，所述树脂层的厚度为20-200μm。
3.根据权利要求1所述的极薄铜箔，其特征在于，所述极薄铜箔的粗糙度Rz≤1μm。
4.根据权利要求1所述的极薄铜箔，其特征在于，所述极薄铜箔的粗糙度Rz≤0.7μm。
5.一种权利要求1-4任一项所述极薄铜箔的制备方法，包括以下步骤：
S1：取树脂层，采用蒸镀的方式使所述树脂层上附着基础铜层；
S2：将S1中形成的所述基础铜层使用硫酸处理；
S3：再经过硫酸处理的基础铜层上电镀极薄铜层；
S3中，电镀电解液组成为：Cu2+含量30～100g/L，H2SO4含量60～160g/L，Cl-含量0.02～0.1g/L，添加剂含量0.01～0.2g/L；所述添加剂为重量比为2：1：4的苯基二硫丙烷磺酸钠、己基苄基胺盐、十二烷基磺酸钠的混合物或重量比为5：1：10的噻唑啉基二硫代丙烷磺酸钠、2-巯基苯骈咪唑、十二烷基磺酸钠的混合物或重量比为1：2的噻唑啉基二硫代丙烷磺酸钠、己基苄基胺盐的混合物；
所述制备方法中，S3之后，还包括电镀耐热层和电镀防氧化层步骤，所述电镀耐热层的步骤中，电解液组成为：Zn2+含量3-9 g/L， Ni2+含量2-6 g/L，酒石酸钾钠含量10-90 g/L，pH值8～12；
所述电镀防氧化层的步骤中，电解液组成为：钼酸钠含量20～60g/L，磷酸盐含量10～30g/L，单宁酸含量10～20g/L，pH值2～6。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114481080A (zh) * 2021-12-24 2022-05-13 重庆金美新材料科技有限公司 一种真空镀、水镀一体化设备和超薄铜箔的生产方法
CN114351217B (zh) * 2022-01-12 2024-03-22 华中科技大学 一种金属电镀复合薄膜及其制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1972557A (zh) * 2005-10-14 2007-05-30 三井金属矿业株式会社 挠性覆铜层压板和薄膜载带及其制造方法、以及挠性印刷电路板、半导体装置
CN101481812A (zh) * 2008-12-31 2009-07-15 清华大学 一种集成电路铜布线电沉积用的电解液
JP2009173017A (ja) * 2007-12-28 2009-08-06 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 樹脂付銅箔および樹脂付銅箔の製造方法
JP2010070850A (ja) * 2008-08-21 2010-04-02 Mitsubishi Materials Corp 銅張積層板およびその製造方法並びにプリント配線板およびその製造方法
CN111254464A (zh) * 2020-01-17 2020-06-09 广东嘉元科技股份有限公司 一种高抗拉强度锂离子电池用极薄电解铜箔的制备方法
CN111394754A (zh) * 2020-04-30 2020-07-10 东强（连州）铜箔有限公司 一种第五代移动通信板用铜箔添加剂、铜箔及其生产工艺
CN111910223A (zh) * 2020-08-24 2020-11-10 九江德福科技股份有限公司 适用于hdi板的电解铜箔用添加剂及电解铜箔生产工艺

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0740636B2 (ja) * 1986-06-30 1995-05-01 東洋メタライジング株式会社 銅メツキフイルムの製造法
EP1407879A4 (en) * 2001-05-24 2006-04-12 Toray Industries RESISTANT PLASTIC FILM WITH METAL AND WIRE JOINT COVERS, MANUFACTURING METHOD
KR101199816B1 (ko) * 2007-12-27 2012-11-12 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 2 층 동장 적층판의 제조 방법 및 2 층 동장 적층판
JP2016102248A (ja) * 2014-11-28 2016-06-02 住友金属鉱山株式会社 フレキシブル配線板用の電気銅めっき液及び該電気銅めっき液を用いた積層体の製造方法
CN112176377A (zh) * 2020-10-14 2021-01-05 天水华洋电子科技股份有限公司 一种引线框架的电镀工艺

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1972557A (zh) * 2005-10-14 2007-05-30 三井金属矿业株式会社 挠性覆铜层压板和薄膜载带及其制造方法、以及挠性印刷电路板、半导体装置
JP2009173017A (ja) * 2007-12-28 2009-08-06 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 樹脂付銅箔および樹脂付銅箔の製造方法
JP2010070850A (ja) * 2008-08-21 2010-04-02 Mitsubishi Materials Corp 銅張積層板およびその製造方法並びにプリント配線板およびその製造方法
CN101481812A (zh) * 2008-12-31 2009-07-15 清华大学 一种集成电路铜布线电沉积用的电解液
CN111254464A (zh) * 2020-01-17 2020-06-09 广东嘉元科技股份有限公司 一种高抗拉强度锂离子电池用极薄电解铜箔的制备方法
CN111394754A (zh) * 2020-04-30 2020-07-10 东强（连州）铜箔有限公司 一种第五代移动通信板用铜箔添加剂、铜箔及其生产工艺
CN111910223A (zh) * 2020-08-24 2020-11-10 九江德福科技股份有限公司 适用于hdi板的电解铜箔用添加剂及电解铜箔生产工艺

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