KR100621550B1 - 테이프 배선 기판의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

생산공정을 간략화하여 생산비용을 절감할 수 있는 테이프 배선 기판의 제조방법이 제공된다. 이 테이프 배선 기판의 제조방법은, 베이스 필름을 준비하는 단계와, 베이스 필름 상에 금속층을 형성하는 단계와, 레이저를 이용하여 금속층을 배선패턴으로 가공하는 단계를 포함한다. 또한, 이러한 레이저에 의해 부분적으로 금속층을 식각하고, 후속하는 습식식각을 이용하여 배선패턴을 형성할 수 있다.
테이프 배선 기판, COF, TCP, 레이저

Description

테이프 배선 기판의 제조방법{Method for fabricating tape wiring substrate}
도 1a 또는 도 1d는 종래기술에 의한 테이프 배선 기판의 제조방법을 순차적으로 나타낸 단면도들이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 의한 테이프 배선 기판의 제조공정의 순서도이다.
도 3a 내지 도 3c는 도 2의 테이프 배선 기판의 제조공정을 순차적으로 나타낸 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 사용되는 노광장치의 구조를 나타내는 개략도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 의한 테이프 배선 기판의 제조공정의 순서도이다.
도 6a 내지 도 6d는 도 5의 테이프 배선 기판의 제조공정을 순차적으로 나타낸 단면도들이다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
310: 베이스 필름 320: 금속층
325: 배선패턴 330: 레이저
340: 솔더레지스트 400: 노광장치
410: 광원 420: 파리눈 렌즈
430: 구경 440: 콘덴서 렌즈
450: 마스크 460: 프로젝션 렌즈
470: 스테이지 622: 배선패턴 이외영역
625: 배선패턴
본 발명은 테이프 배선 기판의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 레이저를 이용하여 배선패턴을 형성하는 테이프 배선 기판의 제조방법에 관한 것이다.
최근 반도체 장치의 박형화, 소형화, 고집적화, 고속화 및 다핀화 추세에 따라서 반도체 칩 실장 기술 분야에서는 테이프 배선 기판의 사용이 늘어나고 있다. 테이프 배선 기판은 폴리이미드 수지 등의 절연 재료로 구성된 얇은 베이스 필름에 배선패턴층이 형성된 구조로서, 배선패턴층과 연결된 리드와 반도체 칩 상에 미리 형성된 범프를 일괄적으로 접합시키는 탭(TAB; Tape Automated Bonding) 기술의 적용이 가능하다. 이러한 특성으로 인하여 테이프 배선 기판은 탭 테이프(TAB tape)라 불리기도 한다.
도 1a 또는 도 1d는 종래기술에 의한 테이프 배선 기판의 제조방법을 순차적 으로 나타낸 단면도들이다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 폴리 이미드 수지와 같은 절연성 베이스 필름(110) 상에 라미네이팅(laminating) 또는 전해도금방식을 이용하여 동박(120)을 형성한다.
도 1b에 도시된 바와 같이, 동박(120)의 상에 포토 레지스트(Photo resist, 이하 PR)(130)을 도포한다. 이어서, 수백 ㎛ 의 파장을 가지는 광원(132)을 사용하여 노광공정을 수행한다.
도 1c에 도시된 바와 같이, 노광공정이 끝난 PR(130)을 현상하여, PR(130)을 패터닝한다.
도 1d에 도시된 바와 같이, 패터닝된 PR(135)을 식각마스크로 사용하여, 동박(120)을 식각한다. 이 때, 동박(120)의 식각은 주로 습식식각(Wet etching)이 이용된다. 그리고, 남아있는 PR(135)을 제거하면 배선패턴(125)이 형성된다.
이와 같이, 종래 기술에 의한 테이프 배선 기판의 제조공정을 살펴보면, 베이스 필름(110)을 제조한 후, 이 베이스 필름(110)에 동박(120)을 형성하고, 사진/식각 (Photo/Etching)공정을 이용하여 동박(120)을 배선패턴(125)으로 가공한다. 이러한 사진/식각 공정은 PR 도포공정, 노광공정, PR 현상공정, 동박 식각공정 등으로 많은 단계로 이루어져 있다.
이러한 많은 단계로 이루어진 사진/식각 공정으로 인하여 생산라인이 늘어나고, 고정적으로 소비되는 물질(예를 들어, PR, PR현상액 또는 동박 식각액 등)이 많으므로 생산비용이 증가하는 문제점이 발생한다.
또한, 종래 기술에 의한 사진/식각 공정에서는 수백 ㎛ 의 파장을 가지는 광원(132)을 사용하므로, 동박(120)에 미세 피치(Fine pitch)를 가지는 미세 배선패턴(125)을 형성하기 어려운 문제점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 생산공정을 간략화하여 생산비용을 절감할 수 있고, 미세 피치를 가지는 미세패턴을 형성할 수 있는 테이프 배선 기판의 제조방법을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해되어질 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 테이프 배선 기판의 제조방법은, 베이스 필름을 준비하는 단계와, 상기 베이스 필름 상에 금속층을 형성하는 단계와, 레이저를 이용하여 상기 금속층을 배선패턴으로 가공하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 테이프 배선 기판의 제조방법은, 베이스 필름을 준비하는 단계와, 상기 베이스 필름 상에 금속층을 형성하는 단계와, 레이저를 이용하여 상기 금속층 중 배선패턴 이외영역을 부분적으로 제거하는 단계와, 남아있는 상기 배선패턴 이외영역을 식각하여 배선패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본원에서 사용되는 테이프 배선 기판으로는 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package, 이하 TCP) 또는 칩 온 필름(Chip On Film, 이하 COF) 등과 같이 베이스 필름 상에 배선패턴이 형성된 플렉스블 인쇄회로기판(Flexible Printed Circuit Board, 이하 FPC)이 사용될 수 있다. 본원에서 사용되는 테이프 배선 기판은 폴리이미드 수지 등의 절연 재료로 구성된 얇은 필름에 배선패턴 및 그와 연결된 내부리드(inner lead)가 형성된 구조로서, 반도체 칩 상에 미리 형성된 범프와 테이프 배선 기판의 내부리드를 일괄적으로 접합시키는 탭(TAB, Tape Automated Bonding) 기술이 적용되는 배선기판을 포함한다. 위에서 언급한 테이프 배선 기판은 예시적인 것에 불과하다.
이하, 본 발명의 제1 실시예를 도 2 내지 도 4에 근거하여 설명한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 의한 테이프 배선 기판의 제조공정의 순서 도이다. 그리고, 도 3a 내지 도 3c는 도 2의 테이프 배선 기판의 제조공정을 순차적으로 나타낸 단면도들이다. 그리고, 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 사용되는 노광장치의 구조를 나타내는 개략도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 우선 베이스 필름을 준비한다(S210). 도 3a를 참조하면, 여기서 베이스 필름(310)은 두께 20∼100㎛의 절연성 재질로 이루어져 있다. 이러한 절연성 베이스 필름(310)은 폴리이미드 수지, 폴리에스테르 수지 등의 절연 재료가 주재료로서 이용될 수 있다. 그리고, 이러한 베이스 필름(310) 중 폴리이미드 박막은 전구체인 폴리아믹산(Polyamic acid, PAA) 용액을 일정한 용기 내에 도포시킨 후 얻어진 막에서 용매를 제거하고, 그 후 열경화에 의해 얻을 수 있다.
그리고, 도 2에 도시된 바와 같이, 베이스 필름 상에 금속층을 형성한다(S220). 도 3a를 참조하면, 베이스 필름(310) 상에 형성된 금속층(320)은 5㎛ ∼ 20㎛ 정도의 두께로 형성되어 있고, 일반적으로 동박(Cu) 등의 금속 재료가 이용되고 있다.
베이스 필름(310) 위에 금속층(320)의 일 예인 동박을 형성하는 방법은 캐스팅(casting), 라미네이팅(laminating), 전기도금(electroplating) 등이 있다.
캐스팅은 압연 동박 위에 액상 베이스 필름(310)을 뿌려서 열경화를 시키는 방법이다.
라미네이팅은 베이스 필름(310) 상에 압연 동박을 놓고 열압착하는 방법이다.
전기도금은 베이스 필름(310) 상에 시드층(seed layer)(미도시)를 증착하고 구리가 녹아있는 전해질 속에 베이스 필름(310)을 넣고 전기를 흘려서 동박을 형성하는 방법이다. 여기서, 시드층을 베이스 필름(310) 상에 스퍼터링(Sputtering)에 의하여 형성할 수 있다. 이러한 시드층(미도시)은 Cr, Ti 및 Ni 중에서 선택된 물질 또는 이들의 조합으로 이루어진 물질인 것이 바람직하다.
그리고, 도 2에 도시된 바와 같이, 레이저를 이용하여 배선패턴을 형성한다(S230). 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 레이저(330)를 이용하여 베이스 필름(310) 상에 형성된 금속층(320)을 선택적으로 식각하여 소정의 회로를 구성하는 배선패턴(325)을 형성한다.
그리고, 도 2에 도시된 바와 같이, 솔더 레지스트를 도포한다(S240). 도 3c을 참조하면, 베이스 필름(310) 상에 형성된 배선패턴(325)에서 외부단자와 전기적으로 접속하는 소정의 부분을 제외하고 외부환경으로부터 배선패턴(325)을 보호하기 위해 솔더 레지스트(Solder Resist, SR)(340)를 도포한다. 이러한 솔더레지스트(340)는 스크린 인쇄법(Screen printing)에 의해 도포될 수 있다.
바람직하게는, 이러한 배선패턴(325)의 전기적 특성을 향상시키기 위해 배선패턴(325)의 표면에 주석, 금, 니켈 또는 땜납의 도금을 실시한다. 이렇게 배선패턴(325)에 솔더레지스트(340)를 도포한 후 도금을 실시하는 것을 후도금방식이라 한다. 물론, 본 발명의 다른 실시예에서는 배선패턴(325)에 도금을 실시한 후 솔더레지스트(340)를 도포하는 선도금방식을 취할 수 있다.
이하, 도 4를 참조하여, 레이저를 이용하여 배선패턴을 형성하는 방법을 상 세히 설명한다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 레이저 발생 노광장치(400)는 광원(410), 렌즈어레이로 이루어진 파리눈 렌즈(Fly′s eye lens)(420), 소정 형상을 갖는 구경(430), 콘덴서 렌즈(Condenser lens)(440) 및 프로젝션 렌즈(Projection lens)(460)를 포함한다.
여기서, 광원(410)은 미세 피치(Fine pitch)를 가지는 배선패턴(325)을 구현하기 위해 550㎛ 이하의 파장을 가지는 레이저를 사용할 수 있다. 따라서, 광원(410)은 ArF, KrF, XeCl, F2, Nd-YAG(Neodymium-Yttrium Aluminum Garnet) 및 CO2로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 소스 기체를 사용할 수 있다. 또한, 이 광원(410)은 레이저 다이오드에서 발생하는 레이저를 사용할 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 파리의 눈처럼 육각형 혹은 여러 형태의 작은 렌즈들로 배열된 파리눈 렌즈(420)를 광원(410)으로부터 레이저가 지나가는 곳에 배치한다. 파리눈 렌즈(420)와 같은 빔 균일화 장치는 광원(410)으로부터 출력되는 레이저를 마스크(450)에 조사할 때 균일한 세기와 분포를 가질 수 있도록 한다.
그리고, 배선패턴의 크기가 작아지면서 조사되는 레이저의 해상도를 높이기 위해 광이 지나가는 부분에 구경(430)을 배치할 수 있다. 이러한 구경(430)은 양극형(Dipole), 사극형(Quadrupole), 고리형(Annular) 등으로 형성할 수 있다.
따라서, 광원(410)에서 생성된 레이저는 파리눈 렌즈(420)에 의해 평행광으로 전환되고, 구경(430)에 의해 부분적으로 제한된다.
그리고, 구경(430)을 통과한 레이저는 콘덴서 렌즈(440)를 통과하여 마스크(450)에 조사된다. 이러한 콘덴서 렌즈(440)는 광원(410)으로부터 발생한 레이저를 원하는 방향으로 집중시키는 렌즈로서, 상(Image)을 만드는 데에 직접적인 관여를 하지는 않지만 마스크(450)를 조사할 때 레이저의 균일도를 높여준다.
그리고, 마스크(450)에 도달한 레이저는 회절되고, 프로젝션 렌즈(460)를 통과하여 베이스 필름(310) 상에 형성된 금속층(320)을 노광한다. 여기서, 일반적으로 프로젝션 렌즈(460)는 마스크(450)을 투과하여 상기 마스크 패턴의 형상을 갖는 레이저를 금속층(320) 상에 축소 투영시킨다.
그리고, 스테이지(Stage)(470)는 금속층(320)이 형성된 베이스 필름(310)을 지지한다.
이와 같은 광원(410)으로부터 발생한 레이저를 베이스 필름(310) 상의 금속층(320)에 조사하는 방법으로는, 마스크(450)와 스테이지(470)가 정지된 시간동안 레이저를 조사하는 스테퍼(Stepper)를 이용한 스텝앤드리피트(Step-and-Repeat)와, 마스크(450)와 스테이지(470)를 서로 일정한 속도 차이를 가지고 반대 방향으로 이동하면서 노광하는 스캐너(Scanner)를 이용한 스텝앤드스캔(Step-and-Scan) 등을 사용할 수 있다.
여기에서, 금속층(320)을 배선패턴(325)으로 가공하기 위해 레이저로 배선패턴(325) 이외의 금속층(320)만을 정확하게 식각하고, 레이저로부터 발생하는 열에너지(Thermal energy)에 의해 금속층(320) 하부에 위치하는 베이스 필름(310)이 손상되는 것을 최소화하기 위해 펄스 타입(Pulse type)의 레이저를 사용하는 것이 바 람직하다.
본 발명의 제1 실시예에 의한 레이저의 출력 방법에 대하여 펄스 에너지가 200mJ인 ArF 엑시머 레이저(Excimer laser, 193nm)를 예를 들어 설명한다. 물론 레이저의 출력 방법은 설비 및 공정조건에 따라서 다를 수 있다. 여기서, 금속층(320)을 구리로, 베이스 필름(310)을 폴리이미드로 설명하지만, 본 발명이 이하의 구체적인 실시예에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 제1 실시예에 의한 ArF 엑시머 레이저의 구리에 대한 식각속도(Etching rate)가 약 160mJ/㎛이고, 폴리이미드에 대한 식각속도가 약 16mJ/㎛인 경우, 8㎛ 두께를 가지는 금속층(320)을 식각하여 배선패턴(325)으로 가공하는 공정을 살펴본다.
8㎛ 두께의 금속층(320)을 식각하기 위해서는 1280mJ (=160mJ/㎛ × 8㎛)의 에너지가 필요하다. ArF 엑시머 레이저의 펄스 에너지가 200mJ이므로, 8㎛ 두께의 금속층(320)을 식각하기 위해서 6.4 펄스(=1280mJ / 200mJ)가 필요하다. 따라서, 7 펄스의 ArF 엑시머 레이저를 금속층(320)에 조사하는 경우, 배선패턴(325)이 형성되는 부분 이외의 금속층(320)은 모두 식각되고, 0.6 펄스만큼의 120mJ 에너지(= 200㎛ × 0.6)가 베이스 필름(310)에 조사된다. 따라서, 베이스 필름(310)은 추가로 약 7.5㎛ (= 120mJ / 16mJ/㎛) 만큼 식각된다.
베이스 필름(310)인 폴리이미드의 두께가 약 40㎛ 일 때, 위와 같은 정도의 손상은 실험적으로 필름의 물성에 영향을 주지 않는다.
이와같은 펄스 방식의 레이저로 금속층(320)을 식각하는 경우, 레이저의 펄 스에너지는 레이저의 주파수(보통 50~300Hz) 및 출력 에너지(5~100W)를 조절하여 변경할 수 있다. 따라서, 펄스 에너지를 적절하게 조절하는 경우 금속층(320) 하부에 위치하는 폴리이미드와 같은 베이스 필름(310)의 식각량을 최소화할 수 있다. 본 발명은 이상의 실시예에서 언급한 수치에 한정되는 것은 아니며, 금속층(320)의 재질과 두께에 따라 레이저의 주파수와 출력 에너지를 조절하여 베이스 필름(310)의 식각량을 최소화하면서 금속층(320)을 식각하는 것을 말한다.
또한, 레이저를 이용하여 배선패턴(325)을 형성하는 동안 금속층(320)과 레이저(330)가 닿는 부분 이외에 이와 인접한 금속층(320) 또는 베이스 필름(310)에 열에너지가 전달될 수 있다. 이러한 열에너지에 의해 주변의 금속층(320)이 식각되거나, 하부의 베이스 필름(310)이 변형될 수 있으므로, 레이저에 의해 배선패턴(325)을 형성하는 동안 금속층(320)과 레이저(330)가 닿는 부분 주위에 냉매를 공급하여 이러한 열에너지가 주변으로 전달되는 것을 막는 것이 바람직하다.
이와 같은 냉매로는 메틸 에테르, 염화 에틸, 메틸 포메이트, 이소부탄, 디클로로에틸렌, 염화 메틸렌, 에틸 에테르, 암모니아, 이산화탄소, 아황산가스, 염화메틸 및 CFC계 냉매(프레온) 등을 사용할 수 있다.
이하, 본 발명의 제2 실시예를 도 5 내지 도 6d에 근거하여 설명한다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 의한 테이프 배선 기판의 제조공정의 순서도이다. 그리고, 도 6a 내지 도 6d는 도 5의 테이프 배선 기판의 제조공정을 순차적으로 나타낸 단면도들이다. 설명의 편의상, 상기 제1 실시예의 도면에 나타낸 각 부재와 동일 기능을 갖는 부재는 동일 부호로 나타내고, 따라서 그 설명은 생략한 다.
도 5 및 도 6a에 도시된 바와 같이, 우선 베이스 필름(310)을 준비한다(S510). 그리고, 베이스 필름(310) 상에 금속층(320)을 형성한다(S520). 여기서, 금속층(320)은 제1 실시예와 동일하다.
도 5, 도 6a 및 도 6b를 참조하면, 레이저(330)를 이용하여 베이스 필름(310) 상에 형성된 금속층(320)을 선택적으로 식각하여 소정의 회로를 구성하는 배선패턴(625)을 형성한다(S530). 여기서 금속층(330)은 전기적 신호를 전달하는 배선패턴(625)과 이러한 배선패턴(625)을 형성하기 위해 제거되어야 하는 배서패턴 이외영역(622)으로 구성된다. 도 6b에 도시된 바와 같이, 배선패턴 이외영역(622)을 레이저(330)로 부분적으로 제거하여 소정의 두께만큼 남겨둔다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 8㎛ 두께의 동박을 금속층(320)으로 사용하는 경우 레이저(330)로 약 7.5㎛ 두께의 동박을 식각하고 약 0.5㎛ 두께의 동박을 남겨둔다. 본 발명은 이상의 실시예에서 언급한 수치에 한정되는 것은 아니며, 레이저 식각 이후 배선패턴 이외영역(622)을 다시 식각하는 조건 및 전체 공정의 편의성에 의해 레이저 식각 이후 남겨진 배선패턴 이외영역(622)의 두께는 변할 수 있다.
도 6c에 도시된 바와 같이, 배선패턴 이외영역(622)을 습식식각으로 제거한다(S540). 이러한 습식식각에 의해 배선패턴 이외영역(622)의 하부에 배치된 베이스 필름(310)이 금속층(320)으로부터 노출되도록 한다. 이와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예로서 배선패턴 이외영역(622)을 제거하기 위해 습식식각을 이용할 수 있다. 하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 플라즈마를 이용한 건식식각을 사 용하여 배선패턴 이외영역(622)을 제거할 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 동박의 금속층(320)을 사용하는 경우 FeCl3, FeCl 및 HCl을 포함하는 수용액을 식각액으로 사용하여 습식식각을 수행할 수 있다. 또한, 이 경우 CuCl2, CuCl 및 HCl을 포함하는 수용액을 식각액으로 사용하여 습식식각을 수행할 수 있다.
그리고, 도 6d에 도시된 바와 같이, 베이스 필름(310) 상에 형성된 배선패턴(625)에서 외부단자와 전기적으로 접속하는 소정의 부분을 제외하고 외부환경으로부터 배선패턴(625)을 보호하기 위해 솔더레지스트(340)를 도포한다(S550).
본 발명의 제2 실시예에 의한 레이저의 출력 방법에 대하여 펄스 에너지가 200mJ인 ArF 엑시머 레이저(Excimer laser, 193nm)를 예를 들어 설명한다. 물론 레이저의 출력 방법은 설비 및 공정조건에 따라서 다를 수 있다. 여기서, 금속층(320)을 구리로, 베이스 필름(310)을 폴리이미드로 설명하지만, 본 발명이 이하의 구체적인 실시예에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 제2 실시예에 의한 ArF 엑시머 레이저의 구리에 대한 식각속도(Etching rate)가 약 160mJ/㎛이고, 폴리이미드에 대한 식각속도가 약 16mJ/㎛인 경우, 8㎛ 두께를 가지는 금속층(320)을 식각하여 배선패턴(625)으로 가공하는 공정을 살펴본다.
8㎛ 두께의 금속층(320)을 식각하기 위해서는 1280mJ (=160mJ/㎛ × 8㎛)의 에너지가 필요하다. ArF 엑시머 레이저의 펄스 에너지가 200mJ이므로, 8㎛ 두께의 금속층(320)을 식각하기 위해서 6.4 펄스(=1280mJ / 200mJ)가 필요하다. 따라서, 6 펄스의 ArF 엑시머 레이저를 금속층(320)에 조사하는 경우, 배선패턴 이외영역(622)은 약 7.5㎛ (= 1200mJ / 160mJ/㎛) 두께만큼 식각되고 약 0.5㎛ 두께만큼 남는다. 그리고, 남은 0.5㎛ 두께의 배선패턴 이외영역 (622)은 습식식각에 의해 제거할 수 있다. 물론 이 경우 남은 배선패턴 이외영역(622)을 플라즈마를 이용한 건식식각에 의해 제거할 수도 있다.
이와 같이, 레이저에 의한 1차 식각과 습식식각(또는 건식식각)에 의한 2차 식각을 병행하는 경우, 베이스 필름(310)이 손상되지 않도록 레이저(330)에 의해 배선패턴(625)을 가공할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예들에 의하는 경우, 종래 기술에 비하여 PR을 사용하지 않고 직접적으로 금속층을 배선패턴으로 가공할 수 있으므로 공정이 줄어들고, 이에 따라 테이프 배선 기판의 생산비용을 감소시킬 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 테이프 배선 기판의 제조방법에 의하면, 생산공정이 간략화되어 생산비용이 절감되고 미세 피치를 가지는 미세패턴을 형성할 수 있는 테이프 배선 기판의 제조방법을 제공할 수 있다.

Claims (22)

  1. 베이스 필름을 준비하는 단계;
    상기 베이스 필름 상에 금속층을 형성하는 단계; 및
    상기 금속층에 냉매를 공급하면서 레이저를 이용하여 상기 금속층을 배선패턴으로 가공하는 단계를 포함하는 테이프 배선 기판의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 레이저는 ArF, KrF, XeCl, F2, Nd-YAG 및 CO2로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 소스 기체로부터 발생하는 것을 특징으로 하는 테이프 배선 기판의 제조방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 레이저는 펄스타입인 것을 특징으로 하는 테이프 배선 기판의 제조방법.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 레이저는 빔 균일화 장치를 통과한 레이저인 것을 특징으로 하는 테이프 배선 기판의 제조방법.
  5. 삭제
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 냉매는 메틸 에테르, 염화 에틸, 메틸 포메이트, 이소부탄, 디클로로에틸렌, 염화 메틸렌, 에틸 에테르, 암모니아, 이산화탄소, 아황산가스, 염화메틸 및 CFC계 냉매(프레온)로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 냉매인 것을 특징으로 하는 테이프 배선 기판의 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 금속층은 구리를 포함하는 것을 특징으로 하는 테이프 배선 기판의 제조방법.
  8. 베이스 필름을 준비하는 단계;
    상기 베이스 필름 상에 금속층을 형성하는 단계;
    레이저를 이용하여 상기 금속층 중 배선패턴 이외영역을 부분적으로 제거하는 단계; 및
    남아있는 상기 배선패턴 이외영역을 식각하여 배선패턴을 형성하는 단계를 포함하는 테이프 배선 기판의 제조방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 레이저는 ArF, KrF, XeCl, F2, Nd-YAG 및 CO2로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 소스 기체로부터 발생하는 것을 특징으로 하는 테이프 배선 기판의 제조방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 레이저는 펄스타입인 것을 특징으로 하는 테이프 배선 기판의 제조방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 레이저는 빔 균일화 장치를 통과한 레이저인 것을 특징으로 하는 테이프 배선 기판의 제조방법.
  12. 제 8항에 있어서,
    상기 레이저를 이용하여 상기 배선패턴 이외영역을 부분적으로 제거하는 동안, 냉매를 공급하는 것을 특징으로 하는 테이프 배선 기판의 제조방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 냉매는 메틸 에테르, 염화 에틸, 메틸 포메이트, 이소부탄, 디클로로에틸렌, 염화 메틸렌, 에틸 에테르, 암모니아, 이산화탄소, 아황산가스, 염화메틸 및 CFC계 냉매(프레온)로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 냉매인 것을 특징으로 하는 테이프 배선 기판의 제조방법.
  14. 제 8항에 있어서,
    상기 식각은 습식식각인 것을 특징으로 하는 테이프 배선 기판의 제조방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 습식식각에 의해 상기 배선패턴 이외의 부분의 하부에 배치된 상기 베이스 필름이 노출되는 것을 특징으로 하는 테이프 배선 기판의 제조방법.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 금속층은 구리를 포함하는 것을 특징으로 하는 테이프 배선 기판의 제조방법.
  17. 제 15항에 있어서,
    상기 습식식각은 FeCl3, FeCl 및 HCl을 포함하는 수용액을 식각액으로 사용 하는 것을 특징으로 하는 테이프 배선 기판의 제조방법.
  18. 제 15항에 있어서,
    상기 습식식각은 CuCl2, CuCl 및 HCl을 포함하는 수용액을 식각액으로 사용하는 것을 특징으로 하는 테이프 배선 기판의 제조방법.
  19. 제 8항에 있어서,
    상기 금속층을 형성하는 단계는 라미네이트 방법에 의하는 것을 특징으로 하는 테이프 배선 기판의 제조방법.
  20. 제 8항에 있어서,
    상기 금속층을 형성하는 단계는 전해도금에 의하는 것을 특징으로 하는 테이프 배선 기판의 제조방법.
  21. 제 20항에 있어서, 상기 금속층을 형성하기 전에,
    상기 베이스 필름 상에 스퍼터링에 의하여 시드층을 형성하는 것을 특징으로 하는 테이프 배선 기판의 제조방법.
  22. 제 21항에 있어서,
    상기 시드층은 Cr, Ti 및 Ni 중에서 선택된 물질 또는 이들의 조합으로 이루어진 물질인 것을 특징으로 하는 테이프 배선 기판의 제조방법.
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