TWI766234B - 發光二極體晶片封裝結構及其製作方法 - Google Patents
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Abstract
本發明公開一種發光二極體晶片封裝結構及其製作方法。發光二極體晶片封裝結構的製作方法包括：提供一光波長轉換薄膜，其包括一暫時性基層以及形成在暫時性基層上的一光波長轉換層；移除暫時性基層；讓光波長轉換層覆蓋於多個發光二極體晶片上。發光二極體晶片封裝結構包括多個發光二極體晶片以及一光波長轉換層。光波長轉換層覆蓋於多個發光二極體晶片上。光波長轉換層包括多個紅色部分、多個綠色部分、多個透明部分以及圍繞每一紅色部分、每一綠色部分與每一透明部分的一黑色部分。每一紅色部分由多個紅色顆粒所組成。每一綠色部分由多個綠色顆粒所組成。藉此，紅色顆粒能直接接觸相對應的發光二極體晶片，且綠色顆粒能直接接觸相對應的發光二極體晶片。
Description
本發明涉及一種晶片封裝結構及其製作方法，特別是涉及一種發光二極體晶片封裝結構及其製作方法。
現有技術的多個螢光粉顆粒會先混在一封裝材料內而形成一具有多個螢光粉顆粒的螢光膠體，然後具有多個螢光粉顆粒與封裝材料的螢光膠體會被塗佈在發光二極體晶片上。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種發光二極體晶片封裝結構及其製作方法。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種發光二極體晶片封裝結構的製作方法，其包括：首先，提供一光波長轉換薄膜，其包括一暫時性基層以及形成在所述暫時性基層上的一光波長轉換層，所述光波長轉換層包括交錯設置的多個紅色部分、交錯設置的多個綠色部分、交錯設置的多個透明部分以及圍繞每一所述紅色部分、每一所述綠色部分與每一所述透明部分的一黑色部分；接著，將所述光波長轉換薄膜放置在一液體槽內的一液體的液面上；然後，使用一溶劑以溶解所述暫
時性基層，以使得所述暫時性基層完全脫離所述光波長轉換層；接下來，執行步驟(A)或者步驟(B)。其中，所述步驟(A)為：將所述液體漸漸從所述液體槽內洩除，而使得所述光波長轉換層漸漸接近預先放置在所述液體槽內的底面上的多個發光二極體晶片，直到所述光波長轉換層覆蓋多個所述發光二極體晶片的頂面；其中，所述步驟(B)為：預先放置在所述液體槽內的多個發光二極體晶片透過一抬升設備的抬升而漸漸接近所述光波長轉換層，直到所述光波長轉換層覆蓋多個所述發光二極體晶片的頂面。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種發光二極體晶片封裝結構的製作方法，其包括：首先，提供一光波長轉換薄膜，其包括一暫時性基層以及形成在所述暫時性基層上的一光波長轉換層；接著，移除所述暫時性基層；然後，讓所述光波長轉換層覆蓋於多個發光二極體晶片上。
更進一步來說，在移除所述暫時性基層的步驟中，所述發光二極體晶片封裝結構的製作方法還進一步包括：首先，將所述光波長轉換薄膜放置在一第一位置上，所述第一位置為位於一第一液體槽內的一第一種液體的液面上；然後，使用一溶劑以溶解所述暫時性基層，以使得所述暫時性基層完全脫離所述光波長轉換層。
更進一步來說，在讓所述光波長轉換層覆蓋於多個所述發光二極體晶片上的步驟中，所述發光二極體晶片封裝結構的製作方法還進一步包括：首先，將所述光波長轉換層移至一第二位置上，所述第二位置為位於一第二液體槽內的一第二種液體的液面上；然後，將所述第一種液體漸漸從所述第一液體槽內洩除，而使得所述光波長轉換層漸漸接近預先放置在所述第一液體槽內的底面上的多個所述發光二極體晶片，直到所述光波長轉換層覆蓋多個所述發光二極體晶片的頂面。
更進一步來說，在讓所述光波長轉換層覆蓋於多個所述發光二極體晶片上的步驟中，所述發光二極體晶片封裝結構的製作方法還進一步包括：首先，將所述光波長轉換層移至一第二位置上，所述第二位置為位於一第二液體槽內的一第二種液體的液面上；然後，預先放置在所述第二液體槽內的多個所述發光二極體晶片透過一抬升設備的抬升而漸漸接近所述光波長轉換層，直到所述光波長轉換層覆蓋多個所述發光二極體晶片的頂面。
更進一步來說，在讓所述光波長轉換層覆蓋於多個所述發光二極體晶片上的步驟中，所述發光二極體晶片封裝結構的製作方法還進一步包括：將所述第一種液體漸漸從所述第一液體槽內洩除，而使得所述光波長轉換層漸漸接近預先放置在所述第一液體槽內的底面上的多個所述發光二極體晶片，直到所述光波長轉換層覆蓋多個所述發光二極體晶片的頂面。
更進一步來說，在讓所述光波長轉換層覆蓋於多個所述發光二極體晶片上的步驟中，所述發光二極體晶片封裝結構的製作方法還進一步包括：預先放置在所述第一液體槽內的多個所述發光二極體晶片透過一抬升設備的抬升而漸漸接近所述光波長轉換層，直到所述光波長轉換層覆蓋多個所述發光二極體晶片的頂面。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外再一技術方案是，提供一種發光二極體晶片封裝結構，其包括：多個發光二極體晶片以及一光波長轉換層，且所述光波長轉換層覆蓋於多個所述發光二極體晶片上。其中，所述光波長轉換層包括多個紅色部分、多個綠色部分、多個透明部分以及圍繞每一所述紅色部分、每一所述綠色部分與每一所述透明部分的一黑色部分；其中，每一所述發光二極體晶片的頂面被所述紅色部分、所述綠色部分與所述透明部分三者其中之一所覆蓋，而不會被所述黑色部分所覆蓋；其中，每一所述紅色部分由彼此相互緊密連接的多個紅色顆粒所組成，每一
所述綠色部分由彼此相互緊密連接的多個綠色顆粒所組成，所述光波長轉換層不包含膠材，以使得所述紅色顆粒直接接觸相對應的所述發光二極體晶片，且使得所述綠色顆粒直接接觸相對應的所述發光二極體晶片。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的發光二極體晶片封裝結構的製作方法，其能通過“提供一光波長轉換薄膜，其包括一暫時性基層以及形成在所述暫時性基層上的一光波長轉換層”、“移除所述暫時性基層”以及“讓所述光波長轉換層覆蓋於多個發光二極體晶片上”的技術方案，以使得所述光波長轉換層能直接覆蓋於多個所述發光二極體晶片上，並且使得所述紅色顆粒能直接接觸相對應的所述發光二極體晶片，而且使得所述綠色顆粒能直接接觸相對應的所述發光二極體晶片。
本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的發光二極體晶片封裝結構，其能通過“所述光波長轉換層覆蓋於多個所述發光二極體晶片上”、“所述光波長轉換層包括多個紅色部分、多個綠色部分、多個透明部分以及圍繞每一所述紅色部分、每一所述綠色部分與每一所述透明部分的一黑色部分”、“每一所述發光二極體晶片的頂面被所述紅色部分、所述綠色部分與所述透明部分三者其中之一所覆蓋，而不會被所述黑色部分所覆蓋”、“每一所述紅色部分由彼此相互緊密連接的多個紅色顆粒所組成，每一所述綠色部分由彼此相互緊密連接的多個綠色顆粒所組成”以及“所述光波長轉換層不包含膠材”的技術方案，以使得所述紅色顆粒能直接接觸相對應的所述發光二極體晶片，且使得所述綠色顆粒能直接接觸相對應的所述發光二極體晶片。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
Z:LED晶片封裝結構
1:光波長轉換薄膜
11:暫時性基層
12:光波長轉換層
12R:紅色部分
120R:紅色顆粒
12G:綠色部分
120G:紅色顆粒
12T:透明部分
12B:黑色部分
2:發光二極體晶片
2000:頂面
T1:第一液體槽
P1:第一位置
L1:第一種液體
T100:底面
T2:第二液體槽
P2:第二位置
L2:第二種液體
T200:底面
D:抬升設備
S:溶劑
圖1為本發明發光二極體晶片封裝結構的製作方法的流程圖。
圖2為本發明第一實施例的光波長轉換薄膜的示意圖，也是本發明第一實施例的發光二極體晶片封裝結構的製作方法的步驟S100的示意圖。
圖3為圖2的II-II剖面線的剖面示意圖。
圖4為圖3的IV部分的放大示意圖。
圖5為本發明第一實施例的發光二極體晶片封裝結構的製作方法的步驟S1022的示意圖。
圖6為本發明第一實施例的發光二極體晶片封裝結構的製作方法的步驟S102與步驟S1024的示意圖。
圖7為本發明第一實施例的發光二極體晶片封裝結構的製作方法的步驟S1042的示意圖。
圖8為本發明第一實施例的發光二極體晶片封裝結構的製作方法的步驟S104的示意圖。
圖9為本發明第一實施例的發光二極體晶片封裝結構的製作方法的步驟S1044(A)執行時的示意圖。
圖10為本發明第一實施例的發光二極體晶片封裝結構的製作方法的步驟S1044(A)執行完成後的示意圖。
圖11為本發明第一實施例的發光二極體晶片封裝結構的示意圖。
圖12為本發明第二實施例的發光二極體晶片封裝結構的製作方法的步驟S1044(B)執行時的示意圖。
圖13為本發明第二實施例的發光二極體晶片封裝結構的製作方
法的步驟S1044(B)執行完成後的示意圖。
圖14為本發明第三實施例中將光波長轉換薄膜放置在一第一液體槽內的一第一種液體的液面上的示意圖。
圖15為本發明第三實施例中使用一溶劑以溶解暫時性基層，以使得暫時性基層完全脫離光波長轉換層的示意圖。
圖16為本發明第三實施例的發光二極體晶片封裝結構的製作方法的步驟S1040(A)的示意圖。
圖17為本發明第四實施例的發光二極體晶片封裝結構的製作方法的步驟S1040(B)的示意圖。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“發光二極體晶片封裝結構及其製作方法”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。
應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”等術語來描述各種元件，但這些元件不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
[第一實施例]
參閱圖1至圖11所示，本發明第一實施例提供一種發光二極體晶片封裝結構的製作方法，其包括：首先，配合圖1、圖2與圖3所示，提供一光波長轉換薄膜1，其包括一暫時性基層11以及形成在暫時性基層11上的一光波長轉換層12(步驟S100)；接著，配合圖1、圖5與圖6所示，移除暫時性基層11(步驟S102)；然後，配合圖1與圖10所示，讓光波長轉換層12覆蓋於多個發光二極體晶片2上(步驟S104)。
舉例來說，配合圖3與圖4所示，光波長轉換層12可以利用類如列印、塗佈、噴塗等任何方式形成在暫時性基層11上，並且光波長轉換層12包括的多個紅色部分12R、多個綠色部分12G、多個透明部分12T以及圍繞每一紅色部分12R、每一綠色部分12G與每一透明部分12T的一黑色部分12B。另外，多個紅色部分12R可採交錯設置或者非交錯設置的方式排列、多個綠色部分12G可採交錯設置或者非交錯設置的方式排列，並且多個透明部分12T可採交錯設置或者非交錯設置的方式排列。再者，每一紅色部分12R可由包括有多個紅色顆粒120R(例如將紅色的奈米螢光顆粒或者紅色的量子點粒子混入聚乙烯醇)的紅色漿料以列印、塗佈或者噴塗所形成，每一綠色部分12G可由包括有多個綠色顆粒120G(例如將綠色的奈米螢光顆粒或者綠色的量子點粒子混入聚乙烯醇)的綠色漿料以列印、塗佈或者噴塗所形成，透明部分12T可由任何種類的透明材料(例如透明的聚乙烯醇)以列印、塗佈或者噴塗所形成，並且黑色部分12B可由任何種類的黑色材料(例如黑色油墨)以列印、塗佈或者噴塗所形成。然而，本發明於此段落的說明只是其中一可行的實施例，而並不以此段落所舉的例子為限。
舉例來說，在讓光波長轉換層12覆蓋於多個發光二極體晶片2上的步驟後，發光二極體晶片封裝結構的製作方法還進一步包括：形成一保護層(圖未示)於光波長轉換層12上(步驟S106)。然而，本發明於此段落
的說明只是其中一可行的實施例，而並不以此段落所舉的例子為限。也就是說，發光二極體晶片封裝結構的製作方法也可以省略保護層的製作。
舉例來說，配合圖1、圖5與圖6所示，在移除暫時性基層11的步驟S102中，發光二極體晶片封裝結構的製作方法還進一步包括：首先，配合圖1與圖5所示，將光波長轉換薄膜1放置在一第一位置P1上，第一位置P1為位於一第一液體槽T1內的一第一種液體L1的液面上(步驟S1022)；然後，配合圖1、圖5與圖6所示，使用一溶劑S以溶解暫時性基層11，以使得暫時性基層11完全脫離光波長轉換層12(步驟S1024)。值得一提的是，在紅色漿料中，除了紅色顆粒120R的其它成分(例如聚乙烯醇)也會被溶劑S所移除，並且在綠色漿料中，除了綠色顆粒120G的其它成分(例如聚乙烯醇)也會被溶劑S所移除。更進一步來說，第一種液體L1可為水或者其它與水的性質類似的液體。另外，暫時性基層11可為任何種類的水溶性材料或者非水溶性材料。水溶性材料可為任何一種水溶性高分子聚合物，例如聚乙烯醇(Polyvinyl alcohol，PVA)。聚乙烯醇是一種固體，可呈白色粉末狀、片狀或絮狀。聚乙烯醇含有許多醇基，具有極性，且可與水形成氫鍵，故能溶於極性的水。聚乙烯醇也可溶於熱的含羥基溶劑如甘油、苯酚等(也就是溶劑S可以採用的材料)，但不溶於甲醇、苯、丙酮、汽油等一般有機溶劑(不是溶劑S可以採用的材料)。然而，本發明於此段落的說明只是其中一可行的實施例，而並不以此段落所舉的例子為限。
舉例來說，配合圖1以及圖6至圖10所示，在讓光波長轉換層12覆蓋於多個發光二極體晶片2上的步驟S104中，發光二極體晶片封裝結構的製作方法還進一步包括：首先，配合圖1、圖7與圖8所示，將光波長轉換層12移至一第二位置P2上，第二位置P2為位於一第二液體槽T2內的一第二種液體L2的液面上(步驟S1042)；接著，配合圖1、圖9與圖10，將第二種液體L2漸漸
從第二液體槽T2內洩除(或排除)，而使得光波長轉換層12漸漸接近預先放置在第二液體槽T2內的底面T200上的多個發光二極體晶片2，直到光波長轉換層12覆蓋多個發光二極體晶片2的頂面2000(步驟S1044(A))。值得一提的是，當第二種液體L2漸漸從第二液體槽T2內洩除時，可以利用影像擷取裝置(例如CCD)的對位能，讓光波長轉換層12可以正確對位於多個發光二極體晶片2(也就是說，每一發光二極體晶片2的頂面200會被紅色部分12R、綠色部分12G與透明部分12T三者其中之一所對應到)。此外，當光波長轉換層12移至第二位置P2上之後，從光波長轉換層12所脫離的暫時性基層11會被保留在第一液體槽T1內，而不會流道第二液體槽T2，或者從光波長轉換層12所脫離的暫時性基層11會從第一液體槽T1完全移除。另外，第二種液體L2與第一種液體L1一樣，可為水或者其它與水的性質類似的液體，並且第一種液體L1與第二種液體L2可為相同或者不同的液體。然而，本發明於此段落的說明只是其中一可行的實施例，而並不以此段落所舉的例子為限。
舉例來說，在形成保護層(圖未示)於光波長轉換層上的步驟中，發光二極體晶片封裝結構的製作方法還進一步包括：首先，形成一保護材料於光波長轉換層12上，保護材料覆蓋光波長轉換層12的頂面；然後，透過光照或者加熱以固化保護材料，以形成覆蓋光波長轉換層12的一保護層(圖未示)。然而，本發明於此段落的說明只是其中一可行的實施例，而並不以此段落所舉的例子為限。
藉此，參閱圖11所示，本發明第一實施例提供一種發光二極體(LED)晶片封裝結構Z，其包括：多個發光二極體晶片2以及覆蓋於多個發光二極體晶片2上的一光波長轉換層12。更進一步來說，光波長轉換層12包括多個紅色部分12R、多個綠色部分12G、多個透明部分12T以及圍繞每一紅色部分12R、每一綠色部分12G與每一透明部分12T的一黑色部分12B。另外，每一發
光二極體晶片2的頂面200被紅色部分12R、綠色部分12G與透明部分12T三者其中之一所覆蓋，而不會被黑色部分12B所覆蓋。另外，每一紅色部分12R由彼此相互緊密連接的多個紅色顆粒120R所組成(如圖4所示)，每一綠色部分由彼此相互緊密連接的多個綠色顆粒120G所組成(如圖4所示)，所以光波長轉換層12不包含膠材，以使得紅色顆粒120R能直接接觸相對應的發光二極體晶片2，並且使得綠色顆粒120G能直接接觸相對應的發光二極體晶片2。值得注意的是，多個發光二極體晶片2彼此分離一特定距離，相鄰的兩個發光二極體晶片2之間形成一空的空間，並且空的空間被光波長轉換層12的相對應黑色部分12B所覆蓋。
舉例來說，發光二極體晶片封裝結構Z還進一步包括：一保護層(圖未示)，其覆蓋於光波長轉換層12上。更進一步來說，光波長轉換層12能覆蓋多個發光二極體晶片2的頂面2000，並且保護層(圖未示)能覆蓋光波長轉換層12。然而，本發明於此段落的說明只是其中一可行的實施例，而並不以此段落所舉的例子為限。
[第二實施例]
參閱圖12與圖13所示，本發明第二實施例提供一種發光二極體晶片封裝結構的製作方法。由圖12與圖9的比較，以及圖13與圖10的比較可知，本發明第二實施例與第一實施例最大的差別在於：在第二實施例中，發光二極體晶片封裝結構的製作方法包括：預先放置在第二液體槽T2內的多個發光二極體晶片2透過一抬升設備D的抬升而漸漸接近光波長轉換層12，直到光波長轉換層12覆蓋多個發光二極體晶片2的頂面2000(步驟S1044(B))。也就是說，依據不同的使用需求，第一實施例的步驟S1044(A)可以替換成第二實施例的步驟S1044(B)。因此，本發明可以利用“將第二種液體L2漸漸從第二液體槽T2內洩除”或者“多個發光二極體晶片2透過抬升設備D的抬升而漸
漸接近光波長轉換層12”的方式，以將光波長轉換層12覆蓋多個發光二極體晶片2的頂面2000。然而，本發明於此段落的說明只是其中一可行的實施例，而並不以此段落所舉的例子為限。
值得一提的是，當多個發光二極體晶片2透過抬升設備D的抬升而漸漸接近光波長轉換層12時，可以利用影像擷取裝置(例如CCD)的對位能，讓光波長轉換層12可以正確對位於多個發光二極體晶片2(也就是說，每一發光二極體晶片2的頂面200會被紅色部分12R、綠色部分12G與透明部分12T三者其中之一所對應到)。
[第三實施例]
參閱圖14至圖16所示，本發明第三實施例提供一種發光二極體晶片封裝結構的製作方法，其包括：首先，如圖14所示，提供一光波長轉換薄膜1，其包括一暫時性基層11以及形成在暫時性基層11上的一光波長轉換層12；接著，如圖14所示，將光波長轉換薄膜1放置在一液體槽(如第一液體槽T1)內的一液體(如第一種液體L1)的液面上；然後，配合圖14與圖15所示，使用一溶劑S以溶解暫時性基層11，以使得暫時性基層11完全脫離光波長轉換層12。由圖16與圖10的比較可知，本發明第三實施例與第一實施例最大的差別在於：在第三實施例中，發光二極體晶片封裝結構的製作方法包括：將液體(如第一種液體L1)漸漸從液體槽(如第一液體槽T1)內洩除，而使得光波長轉換層12漸漸接近預先放置在液體槽(如第一液體槽T1)內的底面T100上的多個發光二極體晶片2，直到光波長轉換層12覆蓋多個發光二極體晶片2的頂面2000(步驟S1040(A))。因此，發光二極體晶片封裝結構的製作方法可以應用於單一液體槽(如第一液體槽T1)或者雙液體槽(如第一液體槽T1與第二液體槽T2)。然而，本發明於此段落的說明只是其中一可行的實施例，而並不以此段落所舉的例子為限。
[第四實施例]
參閱圖17所示，本發明第四實施例提供一種發光二極體晶片封裝結構的製作方法。由圖17與圖16的比較可知，本發明第四實施例與第三實施例最大的差別在於：在第四實施例中，發光二極體晶片封裝結構的製作方法包括：預先放置在液體槽(如第一液體槽T1)內的多個發光二極體晶片2透過一抬升設備D的抬升而漸漸接近光波長轉換層12，直到光波長轉換層12覆蓋多個發光二極體晶片2的頂面2000(步驟S1040(B))。因此，本發明可以利用“將第一種液體L1漸漸從第一液體槽T1內洩除”或者“多個發光二極體晶片2透過抬升設備D的抬升而漸漸接近光波長轉換層12”的方式，以將光波長轉換層12覆蓋多個發光二極體晶片2的頂面2000。然而，本發明於此段落的說明只是其中一可行的實施例，而並不以此段落所舉的例子為限。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的發光二極體晶片封裝結構的製作方法，其能通過“提供一光波長轉換薄膜1，其包括一暫時性基層11以及形成在所述暫時性基層11上的一光波長轉換層12”、“移除所述暫時性基層11”以及“讓所述光波長轉換層12覆蓋於多個發光二極體晶片2上”的技術方案，以使得所述光波長轉換層12能直接覆蓋於多個所述發光二極體晶片2上，並且使得所述紅色顆粒120R能直接接觸相對應的所述發光二極體晶片2，而且使得所述綠色顆粒120G能直接接觸相對應的所述發光二極體晶片2。
本發明的另外一有益效果在於，本發明所提供的發光二極體晶片封裝結構Z，其能通過“所述光波長轉換層12覆蓋於多個所述發光二極體晶片2上”、“所述光波長轉換層12包括多個紅色部分12R、多個綠色部分12G、多個透明部分12T以及圍繞每一所述紅色部分12R、每一所述綠色部分12G與
每一所述透明部分12T的一黑色部分12B”、“每一所述發光二極體晶片2的頂面2000被所述紅色部分12R、所述綠色部分12G與所述透明部分12T三者其中之一所覆蓋，而不會被所述黑色部分12B所覆蓋”、“每一所述紅色部分12R由彼此相互緊密連接的多個紅色顆粒120R所組成，每一所述綠色部分12G由彼此相互緊密連接的多個綠色顆粒120G所組成”以及“所述光波長轉換層12不包含膠材”的技術方案，以使得所述紅色顆粒120R能直接接觸相對應的所述發光二極體晶片2，並且使得所述綠色顆粒120G能直接接觸相對應的所述發光二極體晶片2。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
Z:LED晶片封裝結構
12:光波長轉換層
12R:紅色部分
120R:紅色顆粒
12G:綠色部分
120G:紅色顆粒
12T:透明部分
12B:黑色部分
2:發光二極體晶片
2000:頂面
Claims (7)
- 一種發光二極體晶片封裝結構的製作方法，其包括：提供一光波長轉換薄膜，其包括一暫時性基層以及形成在所述暫時性基層上的一光波長轉換層，所述光波長轉換層包括交錯設置的多個紅色部分、交錯設置的多個綠色部分、交錯設置的多個透明部分以及圍繞每一所述紅色部分、每一所述綠色部分與每一所述透明部分的一黑色部分；將所述光波長轉換薄膜放置在一液體槽內的一液體的液面上；使用一溶劑以溶解所述暫時性基層，以使得所述暫時性基層完全脫離所述光波長轉換層；以及執行步驟(A)或者步驟(B)；其中，所述步驟(A)為：將所述液體漸漸從所述液體槽內洩除，而使得所述光波長轉換層漸漸接近預先放置在所述液體槽內的底面上的多個發光二極體晶片，直到所述光波長轉換層覆蓋多個所述發光二極體晶片的頂面；其中，所述步驟(B)為：預先放置在所述液體槽內的多個發光二極體晶片透過一抬升設備的抬升而漸漸接近所述光波長轉換層，直到所述光波長轉換層覆蓋多個所述發光二極體晶片的頂面。
- 如請求項1所述的發光二極體晶片封裝結構的製作方法，其中，在所述光波長轉換層覆蓋多個所述發光二極體晶片的步驟後，所述發光二極體晶片封裝結構的製作方法還進一步包括：形成一保護層於所述光波長轉換層上；其中，當所述光波長轉換層覆蓋多個所述發光二極體晶片的頂面時，每一所述發光二極體晶片的頂面被所述紅色部分、所述綠色部分與所述透明部分三者其中之一所覆蓋，而不會被所述黑色部分 所覆蓋；其中，每一所述紅色部分由彼此相互緊密連接的多個紅色顆粒所組成，且每一所述綠色部分由彼此相互緊密連接的多個綠色顆粒所組成。
- 一種發光二極體晶片封裝結構的製作方法，其包括：提供一光波長轉換薄膜，其包括一暫時性基層以及形成在所述暫時性基層上的一光波長轉換層；移除所述暫時性基層，其包括：將所述光波長轉換薄膜放置在一第一位置上，所述第一位置為位於一第一液體槽內的一第一種液體的液面上；以及使用一溶劑以溶解所述暫時性基層，以使得所述暫時性基層完全脫離所述光波長轉換層；以及讓所述光波長轉換層覆蓋於多個發光二極體晶片上。
- 如請求項3所述的發光二極體晶片封裝結構的製作方法，其中，在讓所述光波長轉換層覆蓋於多個所述發光二極體晶片上的步驟中，所述發光二極體晶片封裝結構的製作方法還進一步包括：將所述光波長轉換層移至一第二位置上，所述第二位置為位於一第二液體槽內的一第二種液體的液面上；以及將所述第一種液體漸漸從所述第一液體槽內洩除，而使得所述光波長轉換層漸漸接近預先放置在所述第一液體槽內的底面上的多個所述發光二極體晶片，直到所述光波長轉換層覆蓋多個所述發光二極體晶片的頂面。
- 如請求項3所述的發光二極體晶片封裝結構的製作方法，其中，在讓所述光波長轉換層覆蓋於多個所述發光二極體晶片上的步驟中，所述發光二極體晶片封裝結構的製作方法還進一步包括： 將所述光波長轉換層移至一第二位置上，所述第二位置為位於一第二液體槽內的一第二種液體的液面上；以及預先放置在所述第二液體槽內的多個所述發光二極體晶片透過一抬升設備的抬升而漸漸接近所述光波長轉換層，直到所述光波長轉換層覆蓋多個所述發光二極體晶片的頂面。
- 如請求項3所述的發光二極體晶片封裝結構的製作方法，其中，在讓所述光波長轉換層覆蓋於多個所述發光二極體晶片上的步驟中，所述發光二極體晶片封裝結構的製作方法還進一步包括：將所述第一種液體漸漸從所述第一液體槽內洩除，而使得所述光波長轉換層漸漸接近預先放置在所述第一液體槽內的底面上的多個所述發光二極體晶片，直到所述光波長轉換層覆蓋多個所述發光二極體晶片的頂面。
- 如請求項3所述的發光二極體晶片封裝結構的製作方法，其中，在讓所述光波長轉換層覆蓋於多個所述發光二極體晶片上的步驟中，所述發光二極體晶片封裝結構的製作方法還進一步包括：預先放置在所述第一液體槽內的多個所述發光二極體晶片透過一抬升設備的抬升而漸漸接近所述光波長轉換層，直到所述光波長轉換層覆蓋多個所述發光二極體晶片的頂面。
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