CN114284399B - Led显示模组的加工方法 - Google Patents
Led显示模组的加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114284399B CN114284399B CN202111408847.XA CN202111408847A CN114284399B CN 114284399 B CN114284399 B CN 114284399B CN 202111408847 A CN202111408847 A CN 202111408847A CN 114284399 B CN114284399 B CN 114284399B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- led chip
- package
- thickness
- led
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 115
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 74
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 102
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 50
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 50
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 35
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 12
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 11
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 8
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 8
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 abstract description 19
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 5
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 4
- 210000001503 joint Anatomy 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007723 die pressing method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明提供了一种LED显示模组的加工方法,LED显示模组的加工方法包括以下步骤:获取蓝色的第一LED芯片和蓝色的第二LED芯片,第一LED芯片的波长小于第二LED芯片的波长;将第一LED芯片的正面朝上并放置在第一临时基板上,将第二LED芯片的正面朝上并放置在第二临时基板上;将多个显示单元固定至基板上,每个显示单元包括两个第一封装体和一个第二封装体,在两个第一封装体的一个的正面喷涂红色量子层得到红色量子封装体,在两个第一封装体的另一个的正面喷涂绿色量子层得到绿色量子封装体,并使红色量子封装体的正面、绿色量子封装体的正面以及第二封装体的正面平齐。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的难以制备成的量子点的LED显示模组的问题。
Description
技术领域
本发明涉及LED显示领域,具体而言,涉及一种LED显示模组的加工方法。
背景技术
量子点是一种三维半导体纳米结构,可通过电致和光致两种方法使其发光,发光颜色与量子点的尺寸有关;量子点具有不耐水、氧、温度的特性,目前主要制备成量子点膜,作为色彩转换膜层使用。在LED直显中,LED作为直接显示显示单元用于屏幕前方。
中国发明专利申请的公布号为CN109979960A公开了一种量子点LED显示技术,在基板上刻蚀形成凹槽,并将量子点填于凹槽内,形成量子点基板;再将量子点基板与显示基板对接的方法,制备成量子点LED显示模组。
采用上述的方法,量子点基板和显示基板对接的精度要求较高,LED芯片位置偏移时,使得量子点基板和显示基板难以对接,难以制备成的量子点的LED显示模组。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种LED显示模组的加工方法,以解决相关技术中的难以制备成的量子点的LED显示模组的问题。
为了实现上述目的,本发明提供了一种LED显示模组的加工方法,LED显示模组的加工方法包括以下步骤:获取蓝色的第一LED芯片和蓝色的第二LED芯片,第一LED芯片的波长小于第二LED芯片的波长;将第一LED芯片的正面朝上并放置在第一临时基板上,将第二LED芯片的正面朝上并放置在第二临时基板上;使用第一反光胶对第一LED芯片的底部和侧部进行封装,使用第二反光胶对第二LED芯片的底部和侧部进行封装;使用第一隔离层对第一LED芯片的正面进行封装,使用第二隔离层对第二LED芯片的正面进行封装;移除第一临时基板,以得到含有第一LED芯片的第一封装体,移除第二临时基板,以得到含有第二LED芯片的第二封装体,其中,第二封装体的高度大于第一封装体的高度;将多个显示单元固定至基板上,每个显示单元包括两个第一封装体和一个第二封装体,在两个第一封装体的一个的正面喷涂红色量子层得到红色量子封装体,在两个第一封装体的另一个的正面喷涂绿色量子层得到绿色量子封装体,并使红色量子封装体的正面、绿色量子封装体的正面以及第二封装体的正面平齐。
进一步地,在将多个显示单元固定至基板上,每个显示单元包括两个第一封装体和一个第二封装体,在两个第一封装体的一个的正面喷涂红色量子层得到红色量子封装体,在两个第一封装体的另一个的正面喷涂绿色量子层得到绿色量子封装体,并使红色量子封装体的正面、绿色量子封装体的正面以及第二封装体的正面平齐的步骤之后,LED显示模组的加工方法还包括以下步骤:基板上红色量子封装体、绿色量子封装体以及第二封装体以外的区域填充有吸光胶层,吸光胶层与红色量子封装体、绿色量子封装体以及第二封装体平齐设置。
进一步地,在基板上红色量子封装体、绿色量子封装体以及第二封装体以外的区域填充有吸光胶层,吸光胶层与红色量子封装体、绿色量子封装体以及第二封装体平齐设置步骤之后,LED显示模组的加工方法还包括以下步骤:使用保护层对含有吸光胶层的显示模组进行封装,其中,保护层的透光率大于或者等于30%。
进一步地,在将第一LED芯片的正面朝上并放置在第一临时基板上,将第二LED芯片的正面朝上并放置在第二临时基板上的步骤之前,LED显示模组的加工方法还包括;在第一临时基板上涂有第一脱模剂或者第一解粘胶,在第二临时基板上涂有第二脱模剂或者第二解粘胶。
进一步地,使用第一反光胶对第一LED芯片的底部和侧部进行封装,使用第二反光胶对第二LED芯片的底部和侧部进行封装的步骤中,使位于第一LED芯片的侧部外的第一反光胶的厚度大于第一厚度,第一厚度为第一LED芯片的外延层的厚度和第一LED芯片的电极的厚度之和;使位于第二LED芯片的侧部外的第二反光胶的厚度大于第二厚度,第二厚度为第二LED芯片的外延层的厚度和第二LED芯片的电极的厚度之和。
进一步地,使位于第一LED芯片的侧部外的第一反光胶的厚度小于第一LED芯片的厚度,第一LED芯片的厚度等于第一LED芯片的衬底的厚度、第一LED芯片的外延层的厚度以及第一LED芯片的电极的厚度之和;使位于第二LED芯片的侧部外的第二反光胶的厚度小于第二LED芯片的厚度,第一LED芯片的厚度等于第二LED芯片的衬底的厚度、第二LED芯片的外延层的厚度以及第二LED芯片的电极的厚度之和。
进一步地,将第一LED芯片的正面朝上并放置在第一临时基板上,将第二LED芯片的正面朝上并放置在第二临时基板上的步骤中,第一LED芯片和第二LED芯片均为间隔设置的多个;在移除第一临时基板,以得到含有第一LED芯片的第一封装体,移除第二临时基板,以得到含有第二LED芯片的第二封装体的步骤中,移除第一临时基板后,以一个第一LED芯片为单位进行切割以得到多个含有第一LED芯片的第一封装体,移除第二临时基板后,以一个第二LED芯片为单位进行切割以得到多个含有第二LED芯片的第二封装体。
进一步地,移除第一临时基板,以得到含有第一LED芯片的第一封装体,移除第二临时基板,以得到含有第二LED芯片的第二封装体的步骤中,使第一封装体的体积与第一LED芯片的体积之比在1.1至2的范围内,使第二封装体的体积与第二LED芯片的体积之比在1.1至2的范围内。
进一步地,第一LED芯片的波长在440nm至460nm的范围内,第二LED芯片的波长在460nm至475nm的范围内。
进一步地,使用第一反光胶对第一LED芯片的底部和侧部进行封装,使用第二反光胶对第二LED芯片的底部和侧部进行封装的步骤中,第一反光胶的反射率在85%至100%之间,第二反光胶的反射率在85%至100%之间。
进一步地,使用第一隔离层对第一LED芯片的正面进行封装,使用第二隔离层对第二LED芯片的正面进行封装的步骤中,第一隔离层包括第一环氧树脂或者第一硅胶,第二隔离层包括第二环氧树脂或者第二硅胶。
应用本发明的技术方案,LED显示模组的加工方法包括以下步骤:获取蓝色的第一LED芯片和蓝色的第二LED芯片,第一LED芯片的波长小于第二LED芯片的波长;将第一LED芯片的正面朝上并放置在第一临时基板上,这样,第一临时基板能够承载第一LED芯片,便于对第一LED芯片进行封装,将第二LED芯片的正面朝上并放置在第二临时基板上,这样,第二临时基板能够承载第二LED芯片,便于对第二LED芯片进行封装;使用第一反光胶对第一LED芯片的底部和侧部进行封装,使用第二反光胶对第二LED芯片的底部和侧部进行封装;此时,第一反光胶能够反射第一LED芯片的光,提高了第一LED芯片的光利用率,第二反光胶能够反射第二反光胶的光,提高了第二反光胶的光利用率;使用第一隔离层对第一LED芯片的正面进行封装,使用第二隔离层对第二LED芯片的正面进行封装;移除第一临时基板,以得到含有第一LED芯片的第一封装体,移除第二临时基板,以得到含有第二LED芯片的第二封装体,其中,第二封装体的高度大于第一封装体的高度;将多个显示单元固定至基板上,每个显示单元包括两个第一封装体和一个第二封装体,在两个第一封装体的一个的正面喷涂红色量子层得到红色量子封装体,在两个第一封装体的另一个的正面喷涂绿色量子层得到绿色量子封装体,并使红色量子封装体的正面、绿色量子封装体的正面以及第二封装体的正面平齐。第一隔离层在保护第一LED芯片的正面的同时阻隔第一LED芯片的热量直接传导至红色量子层上,能够降低热量对红色量子层的影响,第二隔离层在保护第二LED芯片的正面的同时阻隔第二LED芯片的热量直接传导至绿色量子层上,能够降低热量对绿色量子层的影响;这样,通过上述的LED显示模组的加工方法能够得到的LED显示模组,无需采用相关技术中的量子点基板和显示基板对接的方式,也无需考虑LED芯片位置偏移的问题,容易加工得到LED显示模组。因此,本申请的技术方案能够解决相关技术中的难以制备成的量子点的LED显示模组的问题。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1示出了根据本发明的LED显示模组的加工方法的实施例的流程图;
图2示出了图1的LED显示模组的加工方法的第一LED芯片放置在第一临时基板上的结构简图;
图3示出了图1的LED显示模组的加工方法的第一反光胶封装在第一LED芯片上的结构简图;
图4示出了图1的LED显示模组的加工方法的第二LED芯片放置在第一临时基板上的结构简图;
图5示出了图1的LED显示模组的加工方法的第二反光胶封装在第二LED芯片上的结构简图;
图6示出了图1的LED显示模组的加工方法的第一隔离层设置在第一LED芯片上的结构简图;
图7示出了图1的LED显示模组的加工方法的第二隔离层设置在第一LED芯片上的结构简图;
图8示出了图1的LED显示模组的加工方法的第一封装体的结构简图;
图9示出了图1的LED显示模组的加工方法的第二封装体的结构简图;
图10示出了图1的LED显示模组的加工方法的两个第一封装体和一个第二封装体设置在基板上的结构简图;
图11示出了图1的LED显示模组的加工方法的红色量子封装体、绿色量子封装体以及第二封装体设置在基板上的结构简图;
图12示出了图1的LED显示模组的加工方法的在基板上填充吸光胶层后的结构简图;
图13示出了图1的LED显示模组的加工方法的在填充吸光胶层上设置保护层的结构简图;
图14示出了图1的LED显示模组的加工方法的第一LED芯片的结构简图;以及
图15示出了图1的LED显示模组的加工方法的第二LED芯片的结构简图。
其中,上述附图包括以下附图标记:
1、第一封装体;2、第二封装体;11、第一LED芯片;12、第二LED芯片;21、第一临时基板;22、第二临时基板;23、基板;31、第一反光胶;32、第二反光胶;41、第一隔离层;42、第二隔离层;51、红色量子层;52、绿色量子层;61、吸光胶层;62、保护层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
需要注意的是,这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式,而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式也意图包括复数形式,此外,还应当理解的是,当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时,其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。同时,应当明白,为了便于描述,附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
如图1至图13所示,本实施例的LED显示模组的加工方法在真空室内完成加工操作。LED显示模组的加工方法包括以下步骤:步骤S10,获取蓝色的第一LED芯片11和蓝色的第二LED芯片12,第一LED芯片11的波长小于第二LED芯片12的波长;步骤S20,将第一LED芯片11的正面朝上并放置在第一临时基板21上,将第二LED芯片12的正面朝上并放置在第二临时基板22上;步骤S30,使用第一反光胶31对第一LED芯片11的底部和侧部进行封装,使用第二反光胶32对第二LED芯片12的底部和侧部进行封装;步骤S40,使用第一隔离层41对第一LED芯片11的正面进行封装,使用第二隔离层42对第二LED芯片12的正面进行封装;步骤S50,移除第一临时基板21,以得到含有第一LED芯片11的第一封装体1,移除第二临时基板22,以得到含有第二LED芯片12的第二封装体2,其中,第二封装体2的高度大于第一封装体1的高度;步骤S60,将多个显示单元固定至基板23上,每个显示单元包括两个第一封装体1和一个第二封装体2,在两个第一封装体1的一个的正面喷涂红色量子层51得到红色量子封装体,在两个第一封装体1的另一个的正面喷涂绿色量子层52得到绿色量子封装体,并使红色量子封装体的正面、绿色量子封装体的正面以及第二封装体2的正面平齐。
应用本实施例的技术方案,将第一LED芯片11的正面朝上并放置在第一临时基板21上,这样,第一临时基板21能够承载第一LED芯片11,便于对第一LED芯片11进行封装,将第二LED芯片12的正面朝上并放置在第二临时基板22上,这样,第二临时基板22能够承载第二LED芯片12,便于对第二LED芯片12进行封装;使用第一反光胶31对第一LED芯片11的底部和侧部进行封装,使用第二反光胶32对第二LED芯片12的底部和侧部进行封装;此时,第一反光胶31能够反射第一LED芯片11的光,提高了第一LED芯片11的光利用率,第二反光胶32能够反射第二反光胶32的光,提高了第二反光胶32的光利用率;使用第一隔离层41对第一LED芯片11的正面进行封装,使用第二隔离层42对第二LED芯片12的正面进行封装;移除第一临时基板21,以得到含有第一LED芯片11的第一封装体1,移除第二临时基板22,以得到含有第二LED芯片12的第二封装体2,其中,第二封装体2的高度大于第一封装体1的高度;将多个显示单元固定至基板23上,每个显示单元包括两个第一封装体1和一个第二封装体2,在两个第一封装体1的一个的正面喷涂红色量子层51得到红色量子封装体,在两个第一封装体1的另一个的正面喷涂绿色量子层52得到绿色量子封装体,并使红色量子封装体的正面、绿色量子封装体的正面以及第二封装体2的正面平齐。这样,每个显示单元的正面平整,能够提高显示单元的效果。第一隔离层41在保护第一LED芯片11的正面的同时阻隔第一LED芯片11的热量直接传导至红色量子层51上,能够降低热量对红色量子层51的影响,第二隔离层42在保护第二LED芯片12的正面的同时阻隔第二LED芯片12的热量直接传导至绿色量子层52上,能够降低热量对绿色量子层52的影响;这样,通过上述的LED显示模组的加工方法能够得到的LED显示模组,无需采用相关技术中的量子点基板和显示基板对接的方式,也无需考虑LED芯片位置偏移的问题,容易加工得到LED显示模组。因此,本实施例的技术方案能够解决相关技术中的难以制备成的量子点的LED显示模组的问题。为了便于使用,第一临时基板21和第二临时基板22均能够耐150℃以上的高温。
需要说明的是,本实施例的蓝色的第一LED芯片11至少为两个,蓝色的第二LED芯片12至少为一个。第一LED芯片11的蓝光经过红色量子层51的转换,使红色量子封装体发出红光,第一LED芯片11的蓝光经过绿色量子层52的转换,使绿色量子封装体发出绿光,第二封装体2能够发出蓝光,这样相对于使用发紫外光的LED芯片而言,成本较低。
如图1至图12所示,在将多个显示单元固定至基板23上,每个显示单元包括两个第一封装体1和一个第二封装体2,在两个第一封装体1的一个的正面喷涂红色量子层51得到红色量子封装体,在两个第一封装体1的另一个的正面喷涂绿色量子层52得到绿色量子封装体,并使红色量子封装体的正面、绿色量子封装体的正面以及第二封装体2的正面平齐的步骤之后,LED显示模组的加工方法还包括以下步骤:基板23上红色量子封装体、绿色量子封装体以及第二封装体2以外的区域填充有吸光胶层61,吸光胶层61与红色量子封装体、绿色量子封装体以及第二封装体2平齐设置。吸光胶层61能够遮蔽红色量子封装体、绿色量子封装体以及第二封装体2的反光,同时提高LED显示模组的显示对比度。吸光胶层61优选为紫外光固化黑色胶。吸光胶层61与红色量子封装体、绿色量子封装体以及第二封装体2平齐设置以保证多个显示单元中的每个显示单元的发光面在同一水平面上。每个显示单元的显示区域等于一个像素。
如图1至图13所示,在基板23上红色量子封装体、绿色量子封装体以及第二封装体2以外的区域填充有吸光胶层61,吸光胶层61与红色量子封装体、绿色量子封装体以及第二封装体2平齐设置的步骤之后,LED显示模组的加工方法还包括以下步骤:使用保护层62对含有吸光胶层61的显示模组进行封装,其中,保护层62的透光率大于或者等于30%。保护层62能够遮蔽红色量子封装体、绿色量子封装体以及第二封装体2的反光,同时阻隔红色量子层51以及绿色量子层52与空气、水、氧的接触,以保护红色量子封装体和绿色量子封装体。保护层62的材质为环氧、硅胶或膜材。保护层62的透光率优选为30%或者40%或者50%或者60%或者70%或者80%或者90%或者100%。
如图1至图13所示,为了方便第一LED芯片11从第一临时基板21上剥离,为了方便第二LED芯片12从第二临时基板22上剥离,在将第一LED芯片11的正面朝上并放置在第一临时基板21上,将第二LED芯片12的正面朝上并放置在第二临时基板22上的步骤之前,LED显示模组的加工方法还包括:在第一临时基板21上涂有第一脱模剂或者第一解粘胶,在第二临时基板22上涂有第二脱模剂或者第二解粘胶。
如图1至图15所示,使用第一反光胶31对第一LED芯片11的底部和侧部进行封装,使用第二反光胶32对第二LED芯片12的底部和侧部进行封装的步骤中,使位于第一LED芯片11的侧部外的第一反光胶31的厚度大于第一厚度,第一厚度为第一LED芯片11的外延层的厚度和第一LED芯片11的电极的厚度之和,这样,封装后的第一反光胶31主要覆盖第一LED芯片11的底部和侧部,第一LED芯片11的正面没有或残留极少第一反光胶,使得第一LED芯片11的正面整洁。使位于第二LED芯片12的侧部外的第二反光胶32的厚度大于第二厚度,第二厚度为第二LED芯片12的外延层的厚度和第二LED芯片12的电极的厚度之和。这样,封装后的第二反光胶32主要覆盖第二LED芯片12的底部和侧部,第二LED芯片12的正面没有或残留极少第二反光胶,使得第二LED芯片12的正面整洁。
如图14所示,第一LED芯片11包括由上至下依次设置的衬底、外延层和电极。如图15所示,第二LED芯片12包括由上至下依次设置的衬底、外延层和电极。
第一反光胶31优选为第一反光胶膜,使用第一反光胶膜通过模压的方式对第一LED芯片11的底部和侧部进行封装,这样,第一反光胶膜的厚度容易控制,第一反光胶31覆盖在第一LED芯片11的底部和侧部更加的均匀。第二反光胶32优选为第二反光胶膜,使用第二反光胶膜通过模压的方式对第二LED芯片12的底部和侧部进行封装。这样,第二反光胶32覆盖在第二LED芯片12的底部和侧部更加的均匀。
如图1至图15所示,在使用第一反光胶31对第一LED芯片11的底部和侧部进行封装,使用第二反光胶32对第二LED芯片12的底部和侧部进行封装的步骤之后,采用等离子体轰击的方式,对第一LED芯片11的正面去除残留的第一反光胶31,这样,第一LED芯片11周围除第一LED芯片11的正面之外的其他区域均第一反光胶31包围,避免蓝光泄露。采用等离子体轰击的方式,对第二LED芯片12的正面去除残留的第二反光胶32,这样,第二LED芯片12周围除第二LED芯片12的正面之外的其他区域均第二反光胶32包围,避免蓝光泄露。
如图1至图15所示,使位于第一LED芯片11的侧部外的第一反光胶31的厚度小于第一LED芯片11的厚度,第一LED芯片11的厚度等于第一LED芯片11的衬底的厚度、第一LED芯片11的外延层的厚度以及第一LED芯片11的电极的厚度之和,这样,第一LED芯片11周围除第一LED芯片11的正面之外的其他区域均第一反光胶31包围,避免蓝光泄露,同时能够降低第一反光胶31的使用成本;使位于第二LED芯片12的侧部外的第二反光胶32的厚度小于第二LED芯片12的厚度,第一LED芯片11的厚度等于第二LED芯片12的衬底的厚度、第二LED芯片12的外延层的厚度以及第二LED芯片12的电极的厚度之和,这样,第二LED芯片12周围除第二LED芯片12的正面之外的其他区域均第二反光胶32包围,避免蓝光泄露,同时能够降低第二反光胶32的使用成本。
如图1至图13所示,将第一LED芯片11的正面朝上并放置在第一临时基板21上,将第二LED芯片12的正面朝上并放置在第二临时基板22上的步骤中,第一LED芯片11和第二LED芯片12均为间隔设置的多个;在移除第一临时基板21,以得到含有第一LED芯片11的第一封装体1,移除第二临时基板22,以得到含有第二LED芯片12的第二封装体2的步骤中,为了将多个第一LED芯片11分隔成独立的个体,移除第一临时基板21后,以一个第一LED芯片11为单位进行切割以得到多个含有第一LED芯片11的第一封装体1,为了将多个第二LED芯片12分隔成独立的个体,移除第二临时基板22后,以一个第二LED芯片12为单位进行切割以得到多个含有第二LED芯片12的第二封装体2。
如图1至图13所示,为了能够切割出合适的多个含有第一LED芯片11的第一封装体1,为了能够切割出合适的多个含有第二LED芯片12的第二封装体2,移除第一临时基板21,以得到含有第一LED芯片11的第一封装体1,移除第二临时基板22,以得到含有第二LED芯片12的第二封装体2的步骤中,使第一封装体1的体积与第一LED芯片11的体积之比在1.1至2的范围内,使第二封装体2的体积与第二LED芯片12的体积之比在1.1至2的范围内。优选地,使第一封装体1的体积与第一LED芯片11的体积之比在1.1至1.4的范围内,使第二封装体2的体积与第二LED芯片12的体积之比在1.1至1.4的范围内。具体地,使第一封装体1的体积与第一LED芯片11的体积之比为1.1或者1.2或者1.3或者1.4。使第二封装体2的体积与第二LED芯片12的体积之比为1.1或者1.2或者1.3或者1.4。
如图1至图13所示,为了满足使用要求,第一LED芯片11的波长在440nm至460nm的范围内,第二LED芯片12的波长在460nm至475nm的范围内。优选地,第一LED芯片11的波长为440nm或者450nm或者460nm,第二LED芯片12的波长为460nm或者470nm或者475nm。
如图1至图13所示,为了满足加工及使用要求,使用第一反光胶31对第一LED芯片11的底部和侧部进行封装,使用第二反光胶32对第二LED芯片12的底部和侧部进行封装的步骤中,第一反光胶31的反射率在85%至100%之间,第二反光胶32的反射率在85%至100%之间。优选地,第一反光胶31的反射率为85%或者90%或者100%,第二反光胶32的反射率为85%或者90%或者100%。
如图1至图13所示,为了更好保护第一LED芯片11的正面,同时阻隔第一LED芯片11的正面的热量直接传导至红色量子层,避免影响红色量子层的性能。或者同时阻隔第一LED芯片11的正面的热量直接传导至绿色量子层,避免影响绿色量子层的性能,使用第一隔离层41对第一LED芯片11的正面进行封装,使用第二隔离层42对第二LED芯片12的正面进行封装的步骤中,第一隔离层41包括第一环氧树脂或者第一硅胶,第二隔离层42包括第二环氧树脂或者第二硅胶。
如图1至图13所示,为了多个显示单元能够按预先设置好的显示像素间距转移固定至基板23。将多个显示单元固定至基板23上,每个显示单元包括两个所述第一封装体1和一个所述第二封装体2,在两个所述第一封装体1的一个的正面喷涂红色量子层51得到红色量子封装体,在两个所述第一封装体1的另一个的正面喷涂绿色量子层52得到绿色量子封装体,并使所述红色量子封装体的正面、所述绿色量子封装体的正面以及所述第二封装体2的正面平齐的步骤中,每个所述显示单元通过焊接固定在所述基板23上。
本实施例的LED显示模组的加工方法,对于红色量子层51和绿色量子层52的喷涂对位精度要求不高,如红色量子层51和绿色量子层52喷涂至第一LED芯片11外的其他地方,后续加工中能够通过吸光胶层遮蔽第一LED芯片11发出的蓝光。同时减少了LED显示模组加工过程中量子点所需要的热制程,仅在最后使用保护层封装时,可能需要热制程。其中,采用紫外光固化黑色胶进行封装,则无需热制程。
LED显示模组的加工方法还包括在基板23的背面贴装IC元器件步骤,贴装IC元器件步骤的可以在基板23的正面加工步骤完成后进行,也可以在基板23的正面加工步骤前进行。
在本发明的描述中,需要理解的是,方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,在未作相反说明的情况下,这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明保护范围的限制;方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。
为了便于描述,在这里可以使用空间相对术语,如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等,用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是,空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如,如果附图中的器件被倒置,则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而,示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位),并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。
此外,需要说明的是,使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件,仅仅是为了便于对相应零部件进行区别,如没有另行声明,上述词语并没有特殊含义,因此不能理解为对本发明保护范围的限制。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种LED显示模组的加工方法,其特征在于,所述LED显示模组的加工方法包括以下步骤:
获取蓝色的第一LED芯片(11)和蓝色的第二LED芯片(12),所述第一LED芯片(11)的波长小于所述第二LED芯片(12)的波长;
将所述第一LED芯片(11)的正面朝上并放置在第一临时基板(21)上,将所述第二LED芯片(12)的正面朝上并放置在第二临时基板(22)上;
使用第一反光胶(31)对所述第一LED芯片(11)的底部和侧部进行封装,使用第二反光胶(32)对所述第二LED芯片(12)的底部和侧部进行封装,其中,使位于所述第一LED芯片(11)的侧部外的所述第一反光胶(31)的厚度大于第一厚度,所述第一厚度为所述第一LED芯片(11)的外延层的厚度和所述第一LED芯片(11)的电极的厚度之和;使位于所述第二LED芯片(12)的侧部外的所述第二反光胶(32)的厚度大于第二厚度,所述第二厚度为所述第二LED芯片(12)的外延层的厚度和所述第二LED芯片(12)的电极的厚度之和;
使用第一隔离层(41)对所述第一LED芯片(11)的正面进行封装,使用第二隔离层(42)对所述第二LED芯片(12)的正面进行封装;
移除所述第一临时基板(21),以得到含有所述第一LED芯片(11)的第一封装体(1),移除所述第二临时基板(22),以得到含有所述第二LED芯片(12)的第二封装体(2),其中,所述第二封装体(2)的高度大于所述第一封装体(1)的高度;
将多个显示单元固定至基板(23)上,每个显示单元包括两个所述第一封装体(1)和一个所述第二封装体(2),在两个所述第一封装体(1)的一个的正面喷涂红色量子层(51)得到红色量子封装体,在两个所述第一封装体(1)的另一个的正面喷涂绿色量子层(52)得到绿色量子封装体,并使所述红色量子封装体的正面、所述绿色量子封装体的正面以及所述第二封装体(2)的正面平齐。
2.根据权利要求1所述的LED显示模组的加工方法,其特征在于,在将多个显示单元固定至基板(23)上,每个显示单元包括两个所述第一封装体(1)和一个所述第二封装体(2),在两个所述第一封装体(1)的一个的正面喷涂红色量子层(51)得到红色量子封装体,在两个所述第一封装体(1)的另一个的正面喷涂绿色量子层(52)得到绿色量子封装体,并使所述红色量子封装体的正面、所述绿色量子封装体的正面以及所述第二封装体(2)的正面平齐的步骤之后,所述LED显示模组的加工方法还包括以下步骤:所述基板(23)上所述红色量子封装体、所述绿色量子封装体以及所述第二封装体(2)以外的区域填充有吸光胶层(61),所述吸光胶层(61)与所述红色量子封装体、所述绿色量子封装体以及所述第二封装体(2)平齐设置。
3.根据权利要求2所述的LED显示模组的加工方法,其特征在于,在所述基板(23)上所述红色量子封装体、所述绿色量子封装体以及所述第二封装体(2)以外的区域填充有吸光胶层(61),所述吸光胶层(61)与所述红色量子封装体、所述绿色量子封装体以及所述第二封装体(2)平齐设置步骤之后,所述LED显示模组的加工方法还包括以下步骤:使用保护层(62)对含有所述吸光胶层(61)的显示模组进行封装,其中,所述保护层(62)的透光率大于或者等于30%。
4.根据权利要求1所述的LED显示模组的加工方法,其特征在于,在将所述第一LED芯片(11)的正面朝上并放置在第一临时基板(21)上,将所述第二LED芯片(12)的正面朝上并放置在第二临时基板(22)上的步骤之前,所述LED显示模组的加工方法还包括;在所述第一临时基板(21)上涂有第一脱模剂或者第一解粘胶,在所述第二临时基板(22)上涂有第二脱模剂或者第二解粘胶。
5.根据权利要求1所述的LED显示模组的加工方法,其特征在于,
使位于所述第一LED芯片(11)的侧部外的所述第一反光胶(31)的厚度小于所述第一LED芯片(11)的厚度,所述第一LED芯片(11)的厚度等于所述第一LED芯片(11)的衬底的厚度、所述第一LED芯片(11)的外延层的厚度以及所述第一LED芯片(11)的电极的厚度之和;
使位于所述第二LED芯片(12)的侧部外的所述第二反光胶(32)的厚度小于所述第二LED芯片(12)的厚度,所述第一LED芯片(11)的厚度等于所述第二LED芯片(12)的衬底的厚度、所述第二LED芯片(12)的外延层的厚度以及所述第二LED芯片(12)的电极的厚度之和。
6.根据权利要求1所述的LED显示模组的加工方法,其特征在于,
将所述第一LED芯片(11)的正面朝上并放置在第一临时基板(21)上,将所述第二LED芯片(12)的正面朝上并放置在第二临时基板(22)上的步骤中,所述第一LED芯片(11)和所述第二LED芯片(12)均为间隔设置的多个;
在移除所述第一临时基板(21),以得到含有所述第一LED芯片(11)的第一封装体(1),移除所述第二临时基板(22),以得到含有所述第二LED芯片(12)的所述第二封装体(2)的步骤中,移除所述第一临时基板(21)后,以一个所述第一LED芯片(11)为单位进行切割以得到多个含有所述第一LED芯片(11)的第一封装体(1),移除所述第二临时基板(22)后,以一个所述第二LED芯片(12)为单位进行切割以得到多个含有所述第二LED芯片(12)的第二封装体(2)。
7.根据权利要求1所述的LED显示模组的加工方法,其特征在于,移除所述第一临时基板(21),以得到含有所述第一LED芯片(11)的第一封装体(1),移除所述第二临时基板(22),以得到含有所述第二LED芯片(12)的所述第二封装体(2)的步骤中,使所述第一封装体(1)的体积与所述第一LED芯片(11)的体积之比在1.1至2的范围内,使所述第二封装体(2)的体积与所述第二LED芯片(12)的体积之比在1.1至2的范围内。
8.根据权利要求1所述的LED显示模组的加工方法,其特征在于,
所述第一LED芯片(11)的波长在440nm至460nm的范围内,所述第二LED芯片(12)的波长在460nm至475nm的范围内;
使用第一反光胶(31)对所述第一LED芯片(11)的底部和侧部进行封装,使用第二反光胶(32)对所述第二LED芯片(12)的底部和侧部进行封装的步骤中,所述第一反光胶(31)的反射率在85%至100%之间,所述第二反光胶(32)的反射率在85%至100%之间。
9.根据权利要求1所述的LED显示模组的加工方法,其特征在于,使用第一隔离层(41)对所述第一LED芯片(11)的正面进行封装,使用第二隔离层(42)对所述第二LED芯片(12)的正面进行封装的步骤中,所述第一隔离层(41)包括第一环氧树脂或者第一硅胶,所述第二隔离层(42)包括第二环氧树脂或者第二硅胶。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111408847.XA CN114284399B (zh) | 2021-11-24 | 2021-11-24 | Led显示模组的加工方法 |
EP22209067.2A EP4187598B1 (en) | 2021-11-24 | 2022-11-23 | Processing method of led display module |
US17/992,955 US20230163261A1 (en) | 2021-11-24 | 2022-11-23 | Processing Method of LED Display Module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111408847.XA CN114284399B (zh) | 2021-11-24 | 2021-11-24 | Led显示模组的加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114284399A CN114284399A (zh) | 2022-04-05 |
CN114284399B true CN114284399B (zh) | 2023-11-10 |
Family
ID=80870274
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111408847.XA Active CN114284399B (zh) | 2021-11-24 | 2021-11-24 | Led显示模组的加工方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230163261A1 (zh) |
EP (1) | EP4187598B1 (zh) |
CN (1) | CN114284399B (zh) |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1564333A (zh) * | 2004-04-01 | 2005-01-12 | 光磊科技股份有限公司 | 一种发光二极管 |
CN101729835A (zh) * | 2009-12-01 | 2010-06-09 | 北京利亚德电子科技有限公司 | Led面板电视机 |
CN103208503A (zh) * | 2012-01-13 | 2013-07-17 | 华夏光股份有限公司 | 发光二极管数组及其制造方法 |
CN106097904A (zh) * | 2016-07-15 | 2016-11-09 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 一种led显示器件及其制作方法 |
CN107180908A (zh) * | 2017-06-27 | 2017-09-19 | 深圳Tcl新技术有限公司 | 一种led、背光模组及液晶显示装置 |
CN107195752A (zh) * | 2017-05-26 | 2017-09-22 | 青岛海信电器股份有限公司 | 一种led、背光模组和显示装置 |
CN107275462A (zh) * | 2017-06-23 | 2017-10-20 | 深圳Tcl新技术有限公司 | Led、背光模组以及液晶显示装置 |
CN107390427A (zh) * | 2017-07-12 | 2017-11-24 | 青岛海信电器股份有限公司 | 一种背光模组和显示装置 |
CN207852672U (zh) * | 2018-02-26 | 2018-09-11 | 山东晶泰星光电科技有限公司 | 一种四连体rgb-led封装模组及其显示屏 |
CN110783359A (zh) * | 2018-07-31 | 2020-02-11 | 深圳Tcl新技术有限公司 | 一种量子点led显示面板及其制造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107017325B (zh) * | 2015-11-30 | 2020-06-23 | 隆达电子股份有限公司 | 量子点复合材料及其制造方法与应用 |
CN109979960B (zh) | 2019-04-26 | 2021-04-09 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 基于量子点光转换层的全彩Micro-LED显示器件的制作方法 |
TWI766234B (zh) * | 2020-02-10 | 2022-06-01 | 台灣愛司帝科技股份有限公司 | 發光二極體晶片封裝結構及其製作方法 |
-
2021
- 2021-11-24 CN CN202111408847.XA patent/CN114284399B/zh active Active
-
2022
- 2022-11-23 EP EP22209067.2A patent/EP4187598B1/en active Active
- 2022-11-23 US US17/992,955 patent/US20230163261A1/en active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1564333A (zh) * | 2004-04-01 | 2005-01-12 | 光磊科技股份有限公司 | 一种发光二极管 |
CN101729835A (zh) * | 2009-12-01 | 2010-06-09 | 北京利亚德电子科技有限公司 | Led面板电视机 |
CN103208503A (zh) * | 2012-01-13 | 2013-07-17 | 华夏光股份有限公司 | 发光二极管数组及其制造方法 |
CN106097904A (zh) * | 2016-07-15 | 2016-11-09 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 一种led显示器件及其制作方法 |
CN107195752A (zh) * | 2017-05-26 | 2017-09-22 | 青岛海信电器股份有限公司 | 一种led、背光模组和显示装置 |
CN107275462A (zh) * | 2017-06-23 | 2017-10-20 | 深圳Tcl新技术有限公司 | Led、背光模组以及液晶显示装置 |
CN107180908A (zh) * | 2017-06-27 | 2017-09-19 | 深圳Tcl新技术有限公司 | 一种led、背光模组及液晶显示装置 |
CN107390427A (zh) * | 2017-07-12 | 2017-11-24 | 青岛海信电器股份有限公司 | 一种背光模组和显示装置 |
CN207852672U (zh) * | 2018-02-26 | 2018-09-11 | 山东晶泰星光电科技有限公司 | 一种四连体rgb-led封装模组及其显示屏 |
CN110783359A (zh) * | 2018-07-31 | 2020-02-11 | 深圳Tcl新技术有限公司 | 一种量子点led显示面板及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP4187598B1 (en) | 2024-05-29 |
EP4187598A1 (en) | 2023-05-31 |
CN114284399A (zh) | 2022-04-05 |
US20230163261A1 (en) | 2023-05-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP3217442B1 (en) | Encapsulation method of csp led and csp led | |
US8222059B2 (en) | Method transparent member, optical device using transparent member and method of manufacturing optical device | |
EP3664167B1 (en) | Light emitting diode | |
TWI836519B (zh) | 封裝與顯示模組 | |
KR100621154B1 (ko) | 발광 다이오드 제조방법 | |
JP5422599B2 (ja) | 発光ダイオードパッケージ構造およびその製造方法 | |
CN108012056A (zh) | 一种摄像模组封装工艺及结构 | |
CN103515511B (zh) | 发光二极管封装结构及其封装方法 | |
TWI414062B (zh) | 降低透光板傾斜度之影像感測器製造方法 | |
CN112186090A (zh) | 一种led封装体、封装方法和发光装置 | |
CN107911587A (zh) | 一种摄像模组封装工艺及结构 | |
TWM455258U (zh) | 具有氣室缺口之影像感測器結構 | |
CN112701071A (zh) | 多芯片贴装结构及其制备方法 | |
CN114284399B (zh) | Led显示模组的加工方法 | |
CN213546350U (zh) | 一种led封装体和发光装置 | |
WO2018119886A1 (zh) | 一种oled显示面板及oled显示面板的封装方法 | |
CN113893361B (zh) | 一种uvc led灯及其封装方法 | |
KR101984897B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 | |
KR101140081B1 (ko) | Led 패키지 제조방법 및 그에 의한 led 패키지 | |
CN105845790A (zh) | 一种倒装led芯片的封装方法及封装槽模具 | |
CN101929614A (zh) | 发光装置及其封装方法 | |
CN221125943U (zh) | Csp光源封装结构及其制造工装 | |
CN218548469U (zh) | 一种csp封装结构 | |
CN109103319A (zh) | 一种深紫外led封装结构及其封装方法 | |
US20230317909A1 (en) | Light-emitting module and method for manufacturing light-emitting module |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CB03 | Change of inventor or designer information | ||
CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Li Jun Inventor after: Lu Changjun Inventor after: Ma Li Inventor before: Lu Changjun Inventor before: Ma Li |