CN110034221A - 发光装置封装制程 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种发光装置的封装制程，所述发光装置的芯片封装制程包括：提供一个上表面具位置参考点的基板；附着一透明膜于该基板的上表面；一固晶机可依据位置参考点，将复数个芯片的电极面附着于透明膜的上表面；于任二个该芯片之间的间隙或芯片的发光面上形成一荧光层、保护层、阻光层或上述任意组合的封装结构；切割任二个该芯片之间的封装结构，形成复数个发光装置。本发明以黏性沾胶固定芯片，进而减少加工误差、提高封装制程良率。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光装置的芯片封装方法。
背景技术
由于发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)具有高亮度、体积小、重量轻、不易破损、低耗电量和寿命长等优点，所以被广泛地应用各式发光产品及显示产品中。其发光原理主要是通过施加一电压于二极管上，驱使二极管内的电子与电洞结合，结合所产生的能量以光的形式释放出来。此外，习知的发光装置主要通过对发光二极管芯片的表面进行改性，以调整发光波长(颜色)与强度。
在发光二极管的封装制程中，会在芯片的四周形成荧光层、阻光层、保护层等结构，以达成改变色温、控制发光角度、调整封装结构、保护芯片以延长使用年限等多种目的。
目前，为了提高发光二极管的散热效率、增加应用范围，如何生产小体积的发光二极管芯片是一重要议题。自正装芯片、倒装芯片、次毫米芯片(mini LED)至微米芯片(microLED)，芯片尺寸由数百微米缩小至数十微米，甚至微米芯片仅有15微米。尺寸缩小连带使封装制程难度提高，特别是因芯片摆放位置偏差或因加工使位置偏移，将导致未能准确形成封装结构层、切割不精确，降低了封装制程的良率。
发明内容
鉴于以上内容，有必要提供一种在封装过程中以黏性沾胶固定芯片，进而减少加工误差、提高封装制程良率的发光装置的芯片封装制程。
一种发光装置的芯片封装制程，其特征是包括以下步骤：
提供一基板，该基板的上表面具有复数个位置参考点；
黏附一透明膜于该基板，其中，该透明膜具有一上表面及一下表面，该下表面接触该基板的上表面；
黏附复数个芯片于该透明膜的上表面，其中，该复数个芯片的位置是基于该复数个位置参考点所决定，每一芯片有一具电极的电极面及一相对于电极面的发光面，该芯片的电极面接触该透明膜的上表面；
形成一荧光层于任二个该芯片之间的间隙或芯片的发光面上；
切割任二个该芯片之间的间隙的荧光层。
在一实施例中，所述位置参考点是可被一固晶机、贴片机或排片机所辨识的点、线或封闭形状。
在一实施例中，所述透明膜的上表面及下表面具有沾胶，所述沾胶的材料包括硅胶、压克力胶、UV胶、热解胶或上述任意组合的混合物。
在一实施例中，所述荧光层不含胶。
在一实施例中，所述荧光层含有复数个微珠
在一实施例中，进一步包括以下步骤：
形成一阻光层于任二个该芯片之间的间隙。
在一实施例中，进一步包括以下步骤：
形成一保护层于该荧光层之上。
在一实施例中，所述荧光层包括一第一荧光层，形成该第一荧光层包括以下步骤：
黏附发光粉粒于任二个该芯片之间的间隙的透明膜上表面，形成一第一荧光层。
在一实施例中，所述阻光层包括一第一阻光层，形成该第一阻光层包括以下步骤：
黏附阻光粉粒于任二个该芯片之间的间隙的透明膜上表面，形成一第一阻光层。
本发明还提供一种发光装置的芯片封装制程，其特征是包括以下步骤：
提供一基板，该基板的上表面具有复数个位置参考点；
黏附一透明膜于该基板，其中，该透明膜具有一上表面及一下表面，该下表面接触该基板的上表面；
黏附复数个芯片于该透明膜的上表面，其中，该复数个芯片的位置是基于该复数个位置参考点所决定，每一芯片有一具电极的电极面及一相对于电极面的发光面，该芯片的电极面接触该透明膜的上表面；
形成一透明保护层于任二个该芯片之间的间隙及芯片的发光面上，其中，该保护层的上表面的任一点至透明膜的垂直距离相等；
切割任二个该芯片之间的间隙的保护层。
在一实施例中，所述位置参考点是可被一固晶机、贴片机或排片机所辨识的点、线或封闭形状。
在一实施例中，所述透明膜的上表面及下表面具有沾胶，所述沾胶的材料包括硅胶、压克力胶、UV胶、热解胶或上述任意组合的混合物。
在一实施例中，所述芯片包括一种以上不同色温或不同结构的芯片。
附图说明
图1系本发明第一实施例的发光装置封装制程的流程图。
图2系本发明第一实施例的发光装置封装制程的示意图。
图3A、3B系本发明的基板及位置参考点的示意图。
图4系本发明第二实施例的发光装置封装制程的流程图。
图5系本发明第二实施例的发光装置封装制程的示意图。
图6系本发明第三实施例的发光装置封装制程的流程图。
图7系本发明第三实施例的发光装置封装制程的示意图。
图8系本发明第四实施例的发光装置封装制程的流程图。
图9系本发明第四实施例的发光装置封装制程的示意图。
主要元件符号说明
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
为了简明清楚地进行说明，在恰当的地方，相同的标号在不同图式中被重复地用于标示对应的或相类似的组件。此外，为了提供对此处所描述实施例全面深入的理解，说明书中会提及许多特定的细节。然而，本领域技术人员可以理解的是此处所记载的实施例也可以不按照这些特定细节进行操作。在其他的一些情况下，为了不使正在被描述的技术特征混淆不清，一些方法、流程及组件并未被详细地描述。图式并不一定需要与实物的尺寸等同。为了更好地说明细节及技术特征，图式中特定部分的展示比例可能会被放大。说明书中的描述不应被认为是对此处所描述的实施例范围的限定。
请参阅图1及图2的本发明第一实施例的发光装置封装的流程图及其示意图，其包括如下步骤：
步骤S110，提供一个上表面具位置参考点2的基板1；
步骤S120，附着一透明膜5于基板1的上表面；
步骤S130，一固晶机依据位置参考点2，将复数个芯片10的电极面12附着于透明膜5的上表面；
步骤S140，于任二个该芯片10之间的间隙40或一芯片发光面11上形成一荧光层20；
步骤S150，切割任二个该芯片10之间的间隙40的荧光层20。
请参阅图1及图2的步骤S110，提供一个上表面具位置参考点2的基板1。所述基板1的材料可以是，但不局限于，陶瓷、玻璃、玻璃纤维、金属、尼龙、铁氟龙、亚克力或其他塑料材料。所述基板的上表面以雷射雕刻、油墨印刷或化学蚀刻等方式形成图型，如图3A及3B。所述图型包括可被一固晶机所辨识的复数个位置参考点2。所述位置参考点2的样式可以是点、线或一封闭形状，作为所述固晶机自动转移发光二极管芯片或晶圆时的定位依据。
请参阅图1及图2的步骤S120，附着一透明膜5于基板1的上表面。所述透明膜5的上表面及下表面皆具有沾胶，使透明膜5的下表面能黏附于所述基板1的上表面，上表面能黏附所述芯片10，使芯片10相对于基板1的位置固定，降低因位移而导致的加工误差。所述透明膜5的材料可以是聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)、玻璃纤维、尼龙、铁氟龙、压克力、布料、塑料或其他耐热且其透明度可让固晶机辨识所覆盖的位置参考点2的材料。
所述沾胶的材料可以是，但不局限于，硅胶、压克力胶、UV胶、热解胶或上述任意组合的混合物。
请参阅图1及图2的步骤S130，一固晶机依据位置参考点2，将复数个芯片10的电极面12附着于透明膜5的上表面。所述芯片10的厚度为15微米至600微米，包括一具有电极的电极面12及一与所述电极面12相对的发光面11。所述芯片10的电极面12向下黏附于所述透明膜5，可以防止封装过程中荧光粉或胶附于电极表面。
步骤S130中，所述固晶机是以计算机控制，具有CCD图像传感模块及可吸取发光二极管芯片10的机械臂，藉由CCD图像传感模块辨识位置参考点2，并控制摆臂或滑杆形式的机械臂吸取芯片10放至一目标位置。所述吸取芯片10并摆放其至该目标位置的过程可自动化控制。可以理解的是，所述固晶机也可以是贴片机、排片机或其他可自动辨识位置参考点2并完成芯片10排列的机械。
请参阅图1及图2的步骤S140，于任二个该芯片10之间的间隙40或一芯片发光面11上形成一荧光层20。所述荧光层20的厚度为10微米至650微米。所述荧光层20包含复数个发光粉粒。所述荧光层可以是含胶荧光层或不含胶荧光层。
所述含胶荧光层的制备方法是将发光粉粒及黏合剂(胶)的均匀混合物涂布至所述任二个该芯片10之间的间隙40或发光面11。涂布时可以刀片印刷或滚轮印刷的方式进行。所述黏合剂可以是环氧树脂、有机聚合物、硅胶材料。该含胶荧光层上的所述胶可为环氧树脂或硅胶类物质。
所述不含胶荧光层的制备方法是将含发光粉粒的液体施加于所述任二个该芯片10之间的间隙40及发光面11，再移除所述液体，使所述发光粉粒凝结成块。所述液体为不含胶的水或挥发性溶剂，所述挥发性溶剂选自醚类、醇类或酮类中的一种或它们之间的组合。所述含发光粉粒的液体相施加方式可为但不局限于喷涂或浸渍。可以理解的是，所述浸渍方式主要是将所述发光芯片10置于含不含胶液体的容器(图中未示)中，使得所述发光粉粒沉降或附着于所述发光芯片发光面11。可以理解的是，移除所述液体步骤主要通过抽取、流放或是在一定温度下蒸发所述液体，所述发光粉粒之间能够通过凡得瓦尔力紧密地结合在一起。另一种所述不含胶荧光层的制备方法是将发光粉粒制成非导体的靶材，以溅射成型方式于所述发光二极管芯片表面形成荧光层。
所述发光粉粒能够吸收所述芯片10发出的光而形成特定色温的光。进一步的，所述发光芯片发出的未被所述发光粉粒吸收的光能够与所述发光粉粒所发出的光混合形成用户所需色温的光。
在本实施例中，所述发光粉粒包括荧光粉及量子点。
所述荧光粉例如是硫化物荧光粉或非硫化物荧光粉。所述非硫化物荧光粉例如是，但不局限于，钇铝石榴石荧光粉(Yttrium Aluminum Garnet，简称YAG)、铽铝石榴石荧光粉(Terbium Aluminum Garnet，简称TAG)、氮化物或硅酸盐中的一种或它们之间的组合。
所述量子点是3个维度都在100nm以下的奈米材料，具有量子限量化效应，可以激发出不同色温的荧光。量子点吸收能量较高的光波后产生能阶跃升，当电子从高能阶的状态降到低能阶的状态时，会发射出波长较长(偏红光系)的光，其能量间隙随尺寸增大而变小，因此由改变量子点尺寸可控制其发出的荧光色温。量子点的种类包括金属量子点及非金属量子点，其中，金属量子点材料可以是硒化镉、硫化镉或磷化铟，非金属量子点材料可以是石墨烯、氧化石墨烯，所述非金属量子点可进一步掺杂其他元素或以基团修饰达成改变性质的目的。
进一步的，所述荧光层11还可以含有复数个微珠(未示出)，所述微珠可以改变芯片10的出光路径，进而提高发光效率及亮度。所述微珠包括反射型微珠、折射型微珠中的一种或它们之间的组合。所述反射型微珠例如是反射型玻璃微珠或反射型陶瓷微珠。所述折射型微珠为折射型玻璃微珠及折射型陶瓷微珠。所述折射型玻璃微珠的折射率为1.5-2.5。所述反射型玻璃微珠包含金属材料、金属化合物材料中的一种或它们之间的组合。
请参阅图1及图2的步骤S150，切割任二个芯片间隙的荧光层。形成所述荧光层20后，切割所述荧光层20形成复数个发光装置100。所述切割可以使用钻石刀或雷射切割机。可依据位置参考点2规划切割参考线，据以切割。
所述复数个发光装置100可以藉由热或光照方式与透明膜5分离，并使用UV膜或热解膜沾附发光装置100，转移至扩张膜上供后续制程使用。
可以理解的是，所述扩张膜是本领域扩晶制作常用的材料。所述扩张膜的材料例如是，但不局限于，纸质、布料、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate，PET)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol，PVA)及尼龙(Polyamide，PA)、聚氯乙烯(Polyvinylchlorid，PVC)、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯或其他树脂制成的薄膜。所述扩张膜还包括一黏胶层(图中未示)。所述黏胶层例如是硅胶膜、压克力膜或是UV膜。
本领域技术人员能够理解的，所述UV膜是将特殊配方涂料涂布于PET薄膜、PVC薄膜、PO、聚乙烯-聚醋酸乙烯酯共聚物(Polyethylene vinylacetate，EVA)等薄膜基材表面。，当使用所述PO薄膜基材时，制得的UV薄膜稳定、黏着力高且经UV固化机照射后，可减黏至方便取所述发光芯片10。当使用所述PET薄膜基材时，制得的UV薄膜能够于无尘室贴合使用、适合用于晶圆、玻璃、陶瓷板的切割，并且经UV光源照射后撕离不残胶。
本领域技术人员能够理解的，所述热解膜是在PET薄膜基材表面上涂布遇热可剥离的临时定位胶，其组成可以由丙烯酸2-甲基乙酯、乙基丙烯酸2-乙基丙脂、硅氧丙烯剥离助剂、钛白粉、硫酸钡、环氧交联剂、聚合反应引发剂以适当比例混合而成。所述热解膜在加热至合适温度后，定位胶的黏性于一定时间内完全消失，可轻易分离。
请参阅图4及图5的本发明第二实施例的发光装置封装的流程图及其示意图，其包括如下步骤：
步骤S210，提供一个上表面具位置参考点2的基板1；
步骤S220，附着一透明膜5于基板1的上表面；
步骤S230，一固晶机依据位置参考点2，将复数个芯片10的电极面12附着于透明膜5的上表面；
步骤S240，于任二个该芯片10之间的间隙40及一芯片发光面11上形成一透明保护层35，其中，该保护层35的上表面36的任一点的封装高度50相等；
步骤S250，切割任二个该芯片10之间的间隙40的保护层35。
请参阅图4及图5的步骤S210，提供一个上表面具位置参考点2的基板1。可以理解的是，所述基板1的材料及结构同第一实施例中描述，在此不再赘述。
请参阅图4及图5的步骤S220，附着一透明膜5于基板1的上表面。可以理解的是，所述透明膜5的材料及结构同第一实施例中描述，在此不再赘述。
请参阅图4及图5的步骤S230，一固晶机依据位置参考点2，将复数个芯片10的电极面12附着于透明膜5的上表面。所述复数个芯片10可以包括第一芯片15、第二芯片16及第三芯片17。所述第一芯片15、第二芯片16及第三芯片17可以是不同的芯片，例如不同色温，举例而言，包括氮化镓GAN制程的蓝光、绿光芯片、砷化镓制程的红光芯片或是已封装于各种荧光层中的芯片；例如不同结构，举例而言，包括电极倒装芯片、双电极正装芯片、单电极芯片。
可以理解的是，所述固晶机之组成与功能同第一实施例中描述，在此不再赘述。
请参阅图4及图5的步骤S240，于任二个该芯片10之间的间隙40及一芯片发光面11上形成一透明保护层35，其中，该保护层35的上表面36的任一点的封装高度50相等。所述保护层35用于使芯片10与外界隔绝，从而避免外界的影响与污染。为避免影响出光效率，所述保护层35为透明或吸光率低的材料，例如是树脂、硅胶或是材质较软的其他材料。所述树脂可例如是硬化剂混合比例较低的环氧树脂。优选的，所述硬化剂和所述环氧树脂的质量混合比例为1:1或1:4。涂布所述保护层时，可以刀片或滚轮印刷方式，涂布于任二个该芯片10之间的间隙40及发光面11。
为使第一芯片15、第二芯片16及第三芯片17可以被合并应用于后续制程，在保护层35固化之前，以模具压平所述保护层35，使各芯片的封装高度50相等。所述封装高度50为保护层上表面36的任一点至透明膜5的垂直距离。经此步骤调整发光装置的结构后，更便于合并不同的芯片15、16、17于后续加工步骤的操作，进而提高良率。
请参阅图4及图5的步骤S250，切割任二个该芯片10之间的间隙40的保护层35。所述保护层35经烘烤而固化后，切割保护层35形成复数个发光装置201、202、203。所述切割可以使用钻石刀或雷射切割机。切割位置可依据位置参考点2，规划切割参考线，据以切割。
所述复数个发光装置201、202、203可以藉由热或光照方式与透明膜5分离，并使用UV膜或热解膜沾附复数个发光装置201、202、203，转移至扩张膜上供后续制程使用。
可以理解的是，所述扩张膜及UV膜同第一实施例中描述，在此不再赘述。
请参阅图6及图7的本发明第三实施例的发光装置封装的流程图及其示意图，其包括如下步骤：
步骤S310，提供一个上表面具位置参考点2的基板1；
步骤S320，附着一透明膜5于基板1的上表面；
步骤S330，一固晶机依据位置参考点2，将复数个芯片10的电极面12附着于透明膜5的上表面；
步骤S340，于任二个该芯片10之间的间隙40形成一阻光层30；
步骤S350，于芯片发光面11形成一荧光层20；
步骤S360，于荧光层20上形成一保护层35；
步骤S370，切割任二个该芯片10之间的间隙40的保护层35、荧光层20及阻光层30。
请参阅图6及图7的步骤S310，提供一个上表面具位置参考点2的基板1。可以理解的是，所述基板1的材料及结构同第一实施例中描述，在此不再赘述。
请参阅图6及图7的步骤S320，附着一透明膜5于基板1的上表面。可以理解的是，所述透明膜5的材料及结构同第一实施例中描述，在此不再赘述。
请参阅图6及图7的步骤S330，一固晶机依据位置参考点2，将复数个芯片10的电极面12附着于透明膜5的上表面。可以理解的是，所述芯片10的材料及结构、所述固晶机的组成及功能同第一实施例中描述，在此不再赘述。
请参阅图6及图7的步骤S340，于任二个该芯片10之间的间隙40形成一阻光层30。所述阻光层30的制备方法是将阻光粉及黏合剂(胶)的均匀混合物涂布至所述任二个该芯片10之间的间隙40。涂布时可以刀片或滚轮印刷的方式进行。所述阻光粉的材料可以是绝缘碳黑、绝缘金属、反光或不反光的有机塑料、以绝缘镀膜或包覆手段制作的不透光的陶瓷粉或三氧化二铝粉，阻光粉的颜色可以是黑色、白色、灰色或其他颜色。所述黏合剂可以是环氧树脂、有机聚合物、硅胶材料。
在另一实施方式中，所述阻光层30的制备方法是将阻光粉喷洒于任二个该芯片10之间的间隙40的透明膜5上表面，藉由沾胶黏附阻光粉，形成一层不含胶的第一阻光层(未示出)，再将阻光粉及黏合剂(胶)的均匀混合物涂布至所述任二个该芯片10之间的间隙40，形成一第二光阻层(未示出)。
请参阅图6及图7的步骤S350，于芯片发光面11形成一荧光层20。所述荧光层20的材料及结构同第一实施例中描述，在此不再赘述。
请参阅图6及图7的步骤S360，于荧光层20上形成一保护层35。所述保护层35的材料同第二实施例中描述，在此不再赘述。在本实施方式中，所述保护层35的制作方式可以是在所述荧光层20成型后，将所述保护层35材料涂布于所述荧光层20，可以理解的是，所述保护层材料在固化之前可以渗入所述荧光层20的至少一部份，使所述保护层35固化后与所述荧光层20互相结合。
请参阅图6及图7的步骤S370，切割任二个该芯片10之间的间隙40的保护层35、荧光层20及阻光层30。所述保护层35经烘烤而固化后，切割荧光层20、阻光层30及保护层35形成复数个发光装置300。所述切割可以使用钻石刀或雷射切割机。切割位置可依据位置参考点2，规划切割参考线，据以切割。
复数个发光装置300可以藉由热或光照方式与透明膜5分离，并使用UV膜或热解膜沾附复数个发光装置300，转移至扩张膜上供后续制程使用。
可以理解的是，所述扩张膜及UV膜同第一实施例中描述，在此不再赘述。
请参阅图8及图9的本发明第四实施例的发光装置封装的流程图及其示意图，其包括如下步骤：
步骤S410，提供一个上表面具位置参考点2的基板1；
步骤S420，附着一透明膜5于基板1的上表面；
步骤S430，一固晶机依据位置参考点2，将复数个芯片10的电极面12附着于透明膜5的上表面；
步骤S440，于任二个该芯片10之间的间隙40形成一第一荧光层21；
步骤S450，于任二个该芯片10之间的间隙40及所述第一荧光层21上形成一第二荧光层22；
步骤S460，于一芯片发光面11上及所述第二荧光层22上形成一第三荧光层23；
步骤S470，切割任二个该芯片10之间的间隙40的第一荧光层21、第二荧光层22及第三荧光层23。
请参阅图8及图9的步骤S410，提供一个上表面具位置参考点2的基板1。可以理解的是，所述基板1的材料及结构同第一实施例中描述，在此不再赘述。
请参阅图8及图9的步骤S420，附着一透明膜5于基板1的上表面。可以理解的是，所述透明膜5的材料及结构同第一实施例中描述，在此不再赘述。
请参阅图8及图9的步骤S430，一固晶机依据位置参考点2，将复数个芯片10的电极面12附着于透明膜5的上表面。可以理解的是，所述芯片10的材料及结构、所述固晶机的组成及功能同第一实施例中描述，在此不再赘述。
请参阅图8及图9的步骤S440，于任二个该芯片10之间的间隙40形成一第一荧光层21。所述第一荧光层21的制备方法可以是将发光粉粒喷洒于任二个该芯片10之间的间隙40的透明膜5上表面，藉由沾胶黏附发光粉粒，形成一层不含胶的荧光层。
请参阅图8及图9的步骤S450，于任二个该芯片10之间的间隙40及所述第一荧光层21上形成一第二荧光层22。所述第二荧光层22可以是含胶荧光层。
所述含胶荧光层的制备方法是将发光粉粒及黏合剂(胶)的均匀混合物涂布至所述任二个该芯片10之间的间隙40或发光面11。涂布时可以刀片或滚轮印刷的方式进行。所述黏合剂可以是环氧树脂、有机聚合物、硅胶材料。
请参阅图8及图9的步骤S460，于一芯片发光面11上及所述第二荧光层22上形成一第三荧光层23。所述第三荧光层23可以是含胶荧光层或不含胶荧光层。
可以理解的是，所述含胶荧光层同步骤S450中描述，在此不再赘述。所述不含胶荧光层的制备方法是将含发光粉粒的液体施加于所述任二个该芯片10之间的间隙40及发光面11，再移除所述液体，使所述发光粉粒凝结成块。所述液体为不含胶的水或挥发性溶剂，所述挥发性溶剂选自醚类、醇类或酮类中的一种或它们之间的组合。所述胶例如是环氧树脂或硅胶类物质。所述含发光粉粒的液体相施加方式例如是，但不局限于，喷涂、浸渍等方式。可以理解的是，所述浸渍方式主要是通过将所述发光芯片10置于含不含胶液体的容器(图中未示)中，使得所述发光粉粒沉降或附着于所述发光芯片发光面11。可以理解的是，移除所述液体步骤主要通过抽取、流放或是在一定温度下蒸发所述液体，所述发光粉粒之间能够通过凡得瓦尔力紧密地结合在一起。另一种所述不含胶荧光层的制备方法是将发光粉粒制成非导体的靶材，以溅射成型方式于所述发光二极管芯片表面形成荧光层。
可以理解的是，进一步可于所述第三荧光层23上形成一透明保护层，以延长发光装置的使用年限。所述保护层35的材料及结构同第二实施例中描述，在此不再赘述。在本实施方式中，所述保护层35的制作方式可以是在所述荧光层20成型后，将所述保护层35材料涂布于所述荧光层20，可以理解的是，所述保护层材料在固化之前可以渗入所述荧光层20的至少一部份，使所述保护层35固化后与所述荧光层20互相结合。
请参阅图8及图9的步骤S470，切割任二个该芯片10之间的间隙40的第一荧光层21、第二荧光层22及第三荧光层23。所述切割可以使用钻石刀或雷射切割机。切割位置可依据位置参考点2，规划切割参考线，据以切割并形成复数个发光装置400。
所述复数个发光装置400可以藉由热或光照方式与透明膜5分离，并使用UV膜或热解膜沾附所述复数个发光装置400，转移至扩张膜上供后续制程使用。
可以理解的是，所述扩张膜及UV膜同第一实施例中描述，在此不再赘述。
上述实施例为本发明较佳的实施例，但本发明的实施例并不受上述实施例的限制，以上实施例仅是用于解释申请专利范围。然本发明的保护范围并不局限于说明书。任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明披露的技术范围内，可轻易想到的变化或者替换，都包含在本发明的保护范围之内。
Claims (13)
1.一种发光装置的芯片封装制程，其特征包括以下步骤：
提供一基板，该基板的上表面具有复数个位置参考点；
黏附一透明膜于该基板，其中，该透明膜具有一上表面及一下表面，该下表面接触该基板的上表面；
黏附复数个芯片于该透明膜的上表面，其中，该复数个芯片的位置是基于该复数个位置参考点所决定，每一芯片有一具电极的电极面及一相对于电极面的发光面，该芯片的电极面接触该透明膜的上表面；
形成一荧光层于任二个该芯片之间的间隙或芯片的发光面上；
切割任二个该芯片之间的间隙的荧光层。
2.如权利要求1所述之封装制程，所述位置参考点是可被一固晶机、贴片机或排片机所辨识的点、线或封闭形状。
3.如权利要求1所述之封装制程，所述透明膜的上表面及下表面具有沾胶，所述沾胶的材料包括硅胶、压克力胶、UV胶、热解胶或上述组合之混合物。
4.如权利要求1所述之封装制程，所述荧光层不含胶。
5.如权利要求1所述之封装制程，所述荧光层含有复数个微珠。
6.如权利要求1所述之封装制程，进一步包括以下步骤：
形成一阻光层于任二个该芯片之间的间隙。
7.如权利要求1所述之封装制程，进一步包括以下步骤：
形成一保护层于该荧光层之上。
8.如权利要求1所述之封装制程，所述荧光层包括一第一荧光层，形成该第一荧光层包括以下步骤：
黏附发光粉粒于任二个该芯片之间的间隙的透明膜上表面，形成一第一荧光层。
9.如权利要求6所述之封装制程，所述阻光层包括一第一阻光层，形成该第一阻光层包括以下步骤：
黏附阻光粉粒于任二个该芯片之间的间隙的透明膜上表面，形成一第一阻光层。
10.一种发光装置的芯片封装制程，其特征包括以下步骤：
提供一基板，该基板的上表面具有复数个位置参考点；
黏附一透明膜于该基板，其中，该透明膜具有一上表面及一下表面，该下表面接触该基板的上表面；
黏附复数个芯片于该透明膜的上表面，其中，该复数个芯片的位置是基于该复数个位置参考点所决定，每一芯片有一具电极的电极面及一相对于电极面的发光面，该芯片的电极面接触该透明膜的上表面；
形成一保护层于任二个该芯片之间的间隙及芯片的发光面上，其中，该保护层的上表面的任二点至透明膜的垂直距离相等；
切割任二个该芯片之间的间隙的保护层。
11.如权利要求10所述之封装制程，所述位置参考点是可被一固晶机、贴片机或排片机所辨识的点、线或封闭形状。
12.如权利要求10所述之封装制程，所述透明膜的上表面及下表面具有沾胶，所述沾胶的材料包括硅胶、压克力胶、UV胶、热解胶或上述组合之混合物。
13.如权利要求10所述之封装制程，所述芯片包括一种以上不同色温或不同结构的芯片。
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