CN113257976A - 发光二极管芯片封装结构及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种发光二极管芯片封装结构及其制作方法。发光二极管芯片封装结构的制作方法包括：提供一荧光粉薄膜，其包括一荧光粉层以及包覆荧光粉层的外包覆层，荧光粉层包括多个荧光粉颗粒；接着，移除外包覆层，而裸露出荧光粉层；然后，让荧光粉层覆盖于一发光二极管芯片上。另外，发光二极管芯片封装结构包括：一发光二极管芯片以及一荧光粉层。荧光粉层覆盖于发光二极管芯片上。荧光粉层包括彼此相互紧密连接的多个荧光粉颗粒，并且荧光粉层不包含非荧光粉胶材。借此，不被外包覆层所包覆的荧光粉层能直接覆盖于发光二极管芯片上，并且荧光粉颗粒能直接接触发光二极管芯片。
Description
技术领域
本发明涉及一种芯片封装结构及其制作方法，特别是涉及一种发光二极管芯片封装结构及其制作方法。
背景技术
现有技术的多个荧光粉颗粒会先混在一封装材料内而形成一具有多个荧光粉颗粒的荧光胶体，然后具有多个荧光粉颗粒与封装材料的荧光胶体会被涂布在发光二极管芯片上。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种发光二极管芯片封装结构及其制作方法。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种发光二极管芯片封装结构的制作方法，其包括：首先，提供一荧光粉薄膜，其包括一荧光粉层以及包覆所述荧光粉层的外包覆层，所述荧光粉层包括彼此相互紧密连接的多个荧光粉颗粒；然后，将所述荧光粉薄膜放置在一液体槽内的一液体的液面上；接着，使用一溶剂以溶解所述外包覆层，以使得所述外包覆层完全脱离所述荧光粉层，并使得所述荧光粉层裸露而出；接下来，执行步骤(A)或者步骤(B)；其中，所述步骤(A)为：将所述液体渐渐从所述液体槽内泄除，而使得所述荧光粉层渐渐接近预先放置在所述液体槽内的底面上的一发光二极管芯片，直到所述荧光粉层覆盖所述发光二极管芯片的顶面与周围面；其中，所述步骤(B)为：预先放置在所述液体槽内的一发光二极管芯片通过一抬升设备的抬升而渐渐接近所述荧光粉层，直到所述荧光粉层覆盖所述发光二极管芯片的顶面与周围面。
更进一步地，在所述荧光粉层覆盖所述发光二极管芯片的步骤后，所述发光二极管芯片封装结构的制作方法还进一步包括：形成一荧光粉保护材料于所述荧光粉层上，所述荧光粉保护材料覆盖所述荧光粉层的顶面与周围面；以及，通过光照或者加热以固化所述荧光粉保护材料，以形成覆盖所述荧光粉层的顶面与周围面的一荧光粉保护层。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是，提供一种发光二极管芯片封装结构的制作方法，其包括：提供一荧光粉薄膜，其包括一荧光粉层以及包覆所述荧光粉层的外包覆层，所述荧光粉层包括多个荧光粉颗粒；接着，移除所述外包覆层，而裸露出所述荧光粉层；然后，让所述荧光粉层覆盖于一发光二极管芯片上。
更进一步来说，在移除所述外包覆层的步骤中，所述发光二极管芯片封装结构的制作方法还进一步包括：将所述荧光粉薄膜放置在一第一位置上，所述第一位置为位于一第一液体槽内的一第一种液体的液面上；以及，使用一溶剂以溶解所述外包覆层，以使得所述外包覆层完全脱离所述荧光粉层。
更进一步来说，在让所述荧光粉层覆盖于所述发光二极管芯片上的步骤中，所述发光二极管芯片封装结构的制作方法还进一步包括：将所述荧光粉层移至一第二位置上，所述第二位置为位于一第二液体槽内的一第二种液体的液面上；以及，执行步骤(A)或者步骤(B)；其中，所述步骤(A)为：将所述第一种液体渐渐从所述第一液体槽内泄除，而使得所述荧光粉层渐渐接近预先放置在所述第一液体槽内的底面上的所述发光二极管芯片，直到所述荧光粉层覆盖所述发光二极管芯片的顶面与周围面；其中，所述步骤(B)为：预先放置在所述第二液体槽内的所述发光二极管芯片通过一抬升设备的抬升而渐渐接近所述荧光粉层，直到所述荧光粉层覆盖所述发光二极管芯片的顶面与周围面。
更进一步来说，在让所述荧光粉层覆盖于所述发光二极管芯片上的步骤中，所述发光二极管芯片封装结构的制作方法还进一步包括：执行步骤(A)或者步骤(B)；其中，所述步骤(A)为：将所述第一种液体渐渐从所述第一液体槽内泄除，而使得所述荧光粉层渐渐接近预先放置在所述第一液体槽内的底面上的所述发光二极管芯片，直到所述荧光粉层覆盖所述发光二极管芯片的顶面与周围面；其中，所述步骤(B)为：预先放置在所述第一液体槽内的所述发光二极管芯片通过一抬升设备的抬升而渐渐接近所述荧光粉层，直到所述荧光粉层覆盖所述发光二极管芯片的顶面与周围面。
更进一步来说，在让所述荧光粉层覆盖于所述发光二极管芯片上的步骤后，所述发光二极管芯片封装结构的制作方法还进一步包括：形成一荧光粉保护材料于所述荧光粉层上，所述荧光粉保护材料覆盖所述荧光粉层的顶面与周围面；以及，通过光照或者加热以固化所述荧光粉保护材料，以形成覆盖所述荧光粉层的顶面与周围面的一荧光粉保护层。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外再一技术方案是，提供一种发光二极管芯片封装结构，其包括：一发光二极管芯片以及一荧光粉层。所述荧光粉层覆盖于所述发光二极管芯片上。其中，所述荧光粉层包括彼此相互紧密连接的多个荧光粉颗粒，且所述荧光粉层不包含非荧光粉胶材，以使得所述荧光粉颗粒直接接触所述发光二极管芯片。
更进一步来说，所述发光二极管芯片封装结构还进一步包括：一荧光粉保护层，其覆盖于所述荧光粉层上，所述荧光粉层覆盖所述发光二极管芯片的顶面与周围面，所述荧光粉保护层覆盖所述荧光粉层的顶面与周围面。
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的发光二极管芯片封装结构的制作方法，其能通过“提供一荧光粉薄膜，其包括一荧光粉层以及包覆所述荧光粉层的外包覆层，所述荧光粉层包括多个荧光粉颗粒”、“移除所述外包覆层，而裸露出所述荧光粉层”以及“让所述荧光粉层覆盖于一发光二极管芯片上”的技术方案，以使得不被所述外包覆层所包覆的所述荧光粉层能直接覆盖于所述发光二极管芯片上，并且使得所述荧光粉颗粒能直接接触所述发光二极管芯片。
本发明的另外一有益效果在于，本发明所提供的发光二极管芯片封装结构，其能通过“所述荧光粉层覆盖于所述发光二极管芯片上”、“所述荧光粉层包括彼此相互紧密连接的多个荧光粉颗粒”以及“所述荧光粉层不包含非荧光粉胶材”的技术方案，以使得不包含非荧光粉胶材的所述荧光粉层能直接覆盖于所述发光二极管芯片上。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为本发明发光二极管芯片封装结构的制作方法的流程图。
图2为本发明第一实施例的荧光粉薄膜的示意图，也是本发明第一实施例的发光二极管芯片封装结构的制作方法的步骤S100的示意图。
图3为图2的III部分的放大示意图。
图4为本发明第一实施例的发光二极管芯片封装结构的制作方法的步骤S1022的示意图。
图5为本发明第一实施例的发光二极管芯片封装结构的制作方法的步骤S102与步骤S1024的示意图。
图6为本发明第一实施例的发光二极管芯片封装结构的制作方法的步骤S1042的示意图。
图7为本发明第一实施例的发光二极管芯片封装结构的制作方法的步骤S104的示意图。
图8为本发明第一实施例的发光二极管芯片封装结构的制作方法的步骤S1044(A)执行时的示意图。
图9为本发明第一实施例的发光二极管芯片封装结构的制作方法的步骤S1044(A)执行完成后的示意图。
图10为本发明第一实施例的发光二极管芯片封装结构的制作方法的步骤S1062的示意图。
图11为本发明第一实施例的发光二极管芯片封装结构的示意图，也是本发明发光二极管芯片封装结构的制作方法的步骤S1064的示意图。
图12为本发明第二实施例的发光二极管芯片封装结构的制作方法的步骤S1044(B)执行时的示意图。
图13为本发明第二实施例的发光二极管芯片封装结构的制作方法的步骤S1044(B)执行完成后的示意图。
图14为本发明第三实施例中将荧光粉薄膜放置在一第一液体槽内的一第一种液体的液面上的示意图。
图15为本发明第三实施例中使用一溶剂以溶解外包覆层，以使得外包覆层完全脱离荧光粉层，并使得荧光粉层裸露而出的示意图。
图16为本发明第三实施例的发光二极管芯片封装结构的制作方法的步骤S1040(A)的示意图。
图17为本发明第四实施例的发光二极管芯片封装结构的制作方法的步骤S1040(B)的示意图。
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“发光二极管芯片封装结构及其制作方法”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。
应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”等术语来描述各种组件，但这些组件不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一组件与另一组件。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
第一实施例
参阅图1至图11所示，本发明第一实施例提供一种发光二极管芯片封装结构的制作方法，其包括：首先，配合图1、图2与图3所示，提供一荧光粉薄膜1，其包括一荧光粉层11以及包覆荧光粉层11的外包覆层12，荧光粉层11包括多个荧光粉颗粒110(步骤S100)；接着，配合图1、图4与图5所示，移除外包覆层12，而裸露出荧光粉层11(步骤S102)；然后，配合图1与图9所示，让荧光粉层11覆盖于一发光二极管芯片2上(步骤S104)。
举例来说，配合图1与图11所示，在让荧光粉层11覆盖于发光二极管芯片2上的步骤后，发光二极管芯片封装结构的制作方法还进一步包括：形成一荧光粉保护层3于荧光粉层11上(步骤S106)，荧光粉保护层3覆盖荧光粉层11的顶面1101与周围面1102。然而，本发明于此段落的说明只是其中一可行的实施例，而并不以此段落所举的例子为限。也就是说，本发明的发光二极管芯片封装结构的制作方法也可以省略荧光粉保护层3的制作。
举例来说，配合图1、图4与图5所示，在移除外包覆层12的步骤S102中，发光二极管芯片封装结构的制作方法还进一步包括：首先，配合图1与图4所示，将荧光粉薄膜1放置在一第一位置P1上，第一位置P1为位于一第一液体槽T1内的一第一种液体L1的液面上(步骤S1022)；然后，配合图1、图4与图5所示，使用一溶剂S以溶解外包覆层12，以使得外包覆层12完全脱离荧光粉层11(步骤S1024)。更进一步来说，第一种液体L1可为水或者其它与水的性质类似的液体，所以外包覆层12也可以被第一种液体L1所溶解。另外，外包覆层12可为任何种类的水溶性材料或者非水溶性材料，并且外包覆层12除了会包覆荧光粉层11外，也会混入荧光粉层11内，以与多个荧光粉颗粒110相互混合。水溶性材料可为任何一种水溶性高分子聚合物，例如聚乙烯醇(Polyvinyl alcohol，PVA)。聚乙烯醇是一种固体，可呈白色粉末状、片状或絮状。聚乙烯醇含有许多醇基，具有极性，且可与水形成氢键，故能溶于极性的水。聚乙烯醇也可溶于热的含羟基溶剂如甘油、苯酚等(也就是溶剂S可以采用的材料)，但不溶于甲醇、苯、丙酮、汽油等一般有机溶剂(不是溶剂S可以采用的材料)。然而，本发明于此段落的说明只是其中一可行的实施例，而并不以此段落所举的例子为限。
举例来说，配合图1以及图5至图9所示，在让荧光粉层11覆盖于发光二极管芯片2上的步骤S104中，发光二极管芯片封装结构的制作方法还进一步包括：首先，配合图1、图6与图7所示，将荧光粉层11移至一第二位置P2上，第二位置P2为位于一第二液体槽T2内的一第二种液体L2的液面上(步骤S1042)；接着，配合图1、图8与图9，将第二种液体L2渐渐从第二液体槽T2内泄除(或排除)，而使得荧光粉层11渐渐接近预先放置在第二液体槽T2内的底面T200上的发光二极管芯片2，直到荧光粉层11覆盖发光二极管芯片2的顶面2001与周围面2002(步骤S1044(A))。值得一提的是，当第二种液体L2渐渐从第二液体槽T2内泄除时，可以利用影像捕获设备(例如CCD)的对位能，让荧光粉层11可以正确对位于发光二极管芯片2。此外，当荧光粉层11移至第二位置P2上之后，从荧光粉层11所脱离的外包覆层12会被保留在第一液体槽T1内，而不会流道第二液体槽T2，或者从荧光粉层11所脱离的外包覆层12会从第一液体槽T1完全移除。另外，第二种液体L2与第一种液体L1一样，可为水或者其它与水的性质类似的液体，并且第一种液体L1与第二种液体L2可为相同或者不同的液体。然而，本发明于此段落的说明只是其中一可行的实施例，而并不以此段落所举的例子为限。举例来说，配合图1、图10与图11所示，在形成荧光粉保护层3于荧光粉层11上的步骤S106中，发光二极管芯片封装结构的制作方法还进一步包括：首先，配合图1与图10所示，形成一荧光粉保护材料M于荧光粉层11上，荧光粉保护材料M覆盖荧光粉层11的顶面1101与周围面1102(步骤S1062)；然后，配合图1与图11所示，通过光照或者加热以固化荧光粉保护材料M，以形成覆盖荧光粉层11的顶面1101与周围面1102的一荧光粉保护层3(步骤S1064)。然而，本发明于此段落的说明只是其中一可行的实施例，而并不以此段落所举的例子为限。
借此，参阅图9所示，本发明第一实施例提供一种发光二极管(LED)芯片封装结构Z，其包括：一发光二极管芯片2以及覆盖于发光二极管芯片2上的一荧光粉层11。更进一步来说，荧光粉层11包括彼此相互紧密连接的多个荧光粉颗粒110，并且荧光粉层11不包含非荧光粉胶材，以使得荧光粉颗粒110能直接接触发光二极管芯片2。举例来说，荧光粉层11可由彼此相互紧密连接的多个荧光粉颗粒110所组成，所以荧光粉层11不需要被额外的承载材料(例如silicon或者epoxy)所承载，而是能够以全由多个荧光粉颗粒110所组成的荧光粉层11来接触发光二极管芯片2，也就是说发光二极管芯片2所接触到的都是荧光粉颗粒110，而不是silicon或者epoxy。
举例来说，如图11所示，发光二极管芯片封装结构Z还进一步包括：一荧光粉保护层3，其覆盖于荧光粉层11上。更进一步来说，荧光粉层11能覆盖发光二极管芯片2的顶面2001与周围面2002，并且荧光粉保护层3能覆盖荧光粉层11的顶面1101与周围面1102。然而，本发明于此段落的说明只是其中一可行的实施例，而并不以此段落所举的例子为限。
第二实施例
参阅图12与图13所示，本发明第二实施例提供一种发光二极管芯片封装结构的制作方法。由图12与图8的比较，以及图13与图9的比较可知，本发明第二实施例与第一实施例最大的差别在于：在第二实施例中，发光二极管芯片封装结构的制作方法包括：预先放置在第二液体槽T2内的发光二极管芯片2通过一抬升设备D的抬升而渐渐接近荧光粉层11，直到荧光粉层11覆盖发光二极管芯片2的顶面2001与周围面2002(步骤S1044(B))。也就是说，依据不同的使用需求，第一实施例的步骤S1044(A)可以替换成第二实施例的步骤S1044(B)。因此，本发明可以利用“将第二种液体L2渐渐从第二液体槽T2内泄除”或者“发光二极管芯片2通过抬升设备D的抬升而渐渐接近荧光粉层11”的方式，以将荧光粉层11覆盖发光二极管芯片2的顶面2001与周围面2002。然而，本发明于此段落的说明只是其中一可行的实施例，而并不以此段落所举的例子为限。
值得一提的是，当发光二极管芯片2通过抬升设备D的抬升而渐渐接近荧光粉层11时，可以利用影像捕获设备(例如CCD)的对位能，让荧光粉层11可以正确对位于发光二极管芯片2。
第三实施例
参阅图14至图16所示，本发明第三实施例提供一种发光二极管芯片封装结构的制作方法，其包括：首先，如图14所示，提供一荧光粉薄膜1，其包括一荧光粉层11以及包覆荧光粉层11的外包覆层12，荧光粉层11包括彼此相互紧密连接的多个荧光粉颗粒110；接着，如图14所示，将荧光粉薄膜1放置在一液体槽(如第一液体槽T1)内的一液体(如第一种液体L1)的液面上；然后，配合图14与图15所示，使用一溶剂S以溶解外包覆层12，以使得外包覆层12完全脱离荧光粉层11，并使得荧光粉层11裸露而出。由图16与图9的比较可知，本发明第三实施例与第一实施例最大的差别在于：在第三实施例中，发光二极管芯片封装结构的制作方法包括：将液体(如第一种液体L1)渐渐从液体槽(如第一液体槽T1)内泄除，而使得荧光粉层11渐渐接近预先放置在液体槽(如第一液体槽T1)内的底面T100上的一发光二极管芯片2，直到荧光粉层11覆盖发光二极管芯片2的顶面2001与周围面2002(步骤S1040(A))。因此，发光二极管芯片封装结构的制作方法可以应用于单一液体槽(如第一液体槽T1)或者双液体槽(如第一液体槽T1与第二液体槽T2)。然而，本发明于此段落的说明只是其中一可行的实施例，而并不以此段落所举的例子为限。
第四实施例
参阅图17所示，本发明第四实施例提供一种发光二极管芯片封装结构的制作方法。由图17与图16的比较可知，本发明第四实施例与第三实施例最大的差别在于：在第四实施例中，发光二极管芯片封装结构的制作方法包括：预先放置在液体槽(如第一液体槽T1)内的一发光二极管芯片2通过一抬升设备D的抬升而渐渐接近荧光粉层11，直到荧光粉层11覆盖发光二极管芯片2的顶面2001与周围面2002(步骤S1040(B))。因此，本发明可以利用“将第一种液体L1渐渐从第一液体槽T1内泄除”或者“发光二极管芯片2通过抬升设备D的抬升而渐渐接近荧光粉层11”的方式，以将荧光粉层11覆盖发光二极管芯片2的顶面2001与周围面2002。然而，本发明于此段落的说明只是其中一可行的实施例，而并不以此段落所举的例子为限。
实施例的有益效果
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的发光二极管芯片封装结构的制作方法，其能通过“提供一荧光粉薄膜1，其包括一荧光粉层11以及包覆荧光粉层11的外包覆层12，荧光粉层11包括多个荧光粉颗粒110”、“移除外包覆层12，而裸露出荧光粉层11”以及“让荧光粉层11覆盖于一发光二极管芯片2上”的技术方案，以使得不被外包覆层12所包覆的荧光粉层11能直接覆盖于发光二极管芯片2上，并且使得荧光粉颗粒110能直接接触发光二极管芯片2。
本发明的另外一有益效果在于，本发明所提供的发光二极管芯片封装结构Z，其能通过“荧光粉层11覆盖于发光二极管芯片2上”、“荧光粉层11包括彼此相互紧密连接的多个荧光粉颗粒110”以及“荧光粉层11不包含非荧光粉胶材”的技术方案，以使得不包含非荧光粉胶材的荧光粉层11能直接覆盖于发光二极管芯片2上。
以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求书的保护范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的权利要求书的保护范围内。
Claims (10)
1.一种发光二极管芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述发光二极管芯片封装结构的制作方法包括：
提供一荧光粉薄膜，其包括一荧光粉层以及包覆所述荧光粉层的外包覆层，所述荧光粉层包括彼此相互紧密连接的多个荧光粉颗粒；
将所述荧光粉薄膜放置在一液体槽内的一液体的液面上；
使用一溶剂以溶解所述外包覆层，以使得所述外包覆层完全脱离所述荧光粉层，并使得所述荧光粉层裸露而出；以及
执行步骤(A)或者步骤(B)；
其中，所述步骤(A)为：将所述液体渐渐从所述液体槽内泄除，而使得所述荧光粉层渐渐接近预先放置在所述液体槽内的底面上的一发光二极管芯片，直到所述荧光粉层覆盖所述发光二极管芯片的顶面与周围面；
其中，所述步骤(B)为：预先放置在所述液体槽内的一发光二极管芯片通过一抬升设备的抬升而渐渐接近所述荧光粉层，直到所述荧光粉层覆盖所述发光二极管芯片的顶面与周围面。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片封装结构的制作方法，其特征在于，在所述荧光粉层覆盖所述发光二极管芯片的步骤后，所述发光二极管芯片封装结构的制作方法还进一步包括：
形成一荧光粉保护材料于所述荧光粉层上，所述荧光粉保护材料覆盖所述荧光粉层的顶面与周围面；以及
通过光照或者加热以固化所述荧光粉保护材料，以形成覆盖所述荧光粉层的顶面与周围面的一荧光粉保护层。
3.一种发光二极管芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述发光二极管芯片封装结构的制作方法包括：
提供一荧光粉薄膜，其包括一荧光粉层以及包覆所述荧光粉层的外包覆层，所述荧光粉层包括多个荧光粉颗粒；
移除所述外包覆层，而裸露出所述荧光粉层；以及
让所述荧光粉层覆盖于一发光二极管芯片上。
4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片封装结构的制作方法，其特征在于，在移除所述外包覆层的步骤中，所述发光二极管芯片封装结构的制作方法还进一步包括：
将所述荧光粉薄膜放置在一第一位置上，所述第一位置为位于一第一液体槽内的一第一种液体的液面上；以及
使用一溶剂以溶解所述外包覆层，以使得所述外包覆层完全脱离所述荧光粉层。
5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片封装结构的制作方法，其特征在于，在让所述荧光粉层覆盖于所述发光二极管芯片上的步骤中，所述发光二极管芯片封装结构的制作方法还进一步包括：
将所述荧光粉层移至一第二位置上，所述第二位置为位于一第二液体槽内的一第二种液体的液面上；以及
执行步骤(A)或者步骤(B)；
其中，所述步骤(A)为：将所述第一种液体渐渐从所述第一液体槽内泄除，而使得所述荧光粉层渐渐接近预先放置在所述第一液体槽内的底面上的所述发光二极管芯片，直到所述荧光粉层覆盖所述发光二极管芯片的顶面与周围面；
其中，所述步骤(B)为：预先放置在所述第二液体槽内的所述发光二极管芯片通过一抬升设备的抬升而渐渐接近所述荧光粉层，直到所述荧光粉层覆盖所述发光二极管芯片的顶面与周围面。
6.根据权利要求4所述的发光二极管芯片封装结构的制作方法，其特征在于，在让所述荧光粉层覆盖于所述发光二极管芯片上的步骤中，所述发光二极管芯片封装结构的制作方法还进一步包括：执行步骤(A)或者步骤(B)；
其中，所述步骤(A)为：将所述第一种液体渐渐从所述第一液体槽内泄除，而使得所述荧光粉层渐渐接近预先放置在所述第一液体槽内的底面上的所述发光二极管芯片，直到所述荧光粉层覆盖所述发光二极管芯片的顶面与周围面；
其中，所述步骤(B)为：预先放置在所述第一液体槽内的所述发光二极管芯片通过一抬升设备的抬升而渐渐接近所述荧光粉层，直到所述荧光粉层覆盖所述发光二极管芯片的顶面与周围面。
7.根据权利要求3所述的发光二极管芯片封装结构的制作方法，其特征在于，在让所述荧光粉层覆盖于所述发光二极管芯片上的步骤后，所述发光二极管芯片封装结构的制作方法还进一步包括：
形成一荧光粉保护材料于所述荧光粉层上，所述荧光粉保护材料覆盖所述荧光粉层的顶面与周围面；以及
通过光照或者加热以固化所述荧光粉保护材料，以形成覆盖所述荧光粉层的顶面与周围面的一荧光粉保护层。
8.一种发光二极管芯片封装结构，其特征在于，所述发光二极管芯片封装结构包括：
一发光二极管芯片；以及
一荧光粉层，其覆盖于所述发光二极管芯片上；
其中，所述荧光粉层包括彼此相互紧密连接的多个荧光粉颗粒，且所述荧光粉层不包含非荧光粉胶材，以使得所述荧光粉颗粒直接接触所述发光二极管芯片。
9.根据权利要求8所述的发光二极管芯片封装结构，其特征在于，所述发光二极管芯片封装结构还进一步包括：一荧光粉保护层，其覆盖于所述荧光粉层上。
10.根据权利要求9所述的发光二极管芯片封装结构，其特征在于，所述荧光粉层覆盖所述发光二极管芯片的顶面与周围面，且所述荧光粉保护层覆盖所述荧光粉层的顶面与周围面。
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