CN103237846A - 荧光体片材、使用了其的led及发光装置以及led的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种耐光性优异的片材，所述耐光性优异的片材用于LED密封剂等，本发明的目的还在于提供一种即使高浓度地含有尺寸大的荧光体粒子也不损坏其光学特性且膜厚均匀性优异的荧光体片材，本发明的构成在于，作为一个方案，为荧光体的含量为片材总体的53重量％以上的荧光体片材，作为其他方案，为特征在于至少含有有机硅树脂、荧光体、和聚硅氧烷微粒的荧光体片材。

Description

荧光体片材、使用了其的LED及发光装置以及LED的制造方法
技术领域
本发明涉及用于转换LED芯片的发光波长的荧光体片材。
背景技术
就发光二极管(LED，Light Emitting Diode)而言，在其发光效率显著提高的背景下，以低电力消耗、高寿命、外观设计性等为特长，在用于液晶显示器(LCD)的背光源、或车辆的头灯等车载领域，其市场正在急剧扩大。由于LED的环境负荷也低，因此期待今后其在普通照明领域中也形成巨大的市场。
LED的发光光谱依赖于形成LED芯片的半导体材料，因而其发光颜色受到限制。因此，为了使用LED得到用于LCD背光源、普通照明的白色光，需要在LED芯片上设置适合于各芯片的荧光体，来转换发光波长。具体而言，提出了在发蓝色光的LED芯片上设置黄色荧光体的方法、在蓝色LED芯片上设置红及绿的荧光体的方法、在发出紫外线的LED芯片上设置红、绿、蓝的荧光体的方法等。其中，从LED芯片的发光效率、成本方面考虑，目前最广泛采用在蓝色LED上设置黄色荧光体的方法、及在蓝色荧光体上设置红及绿的荧光体的方法。
作为在LED芯片上设置荧光体的具体方法之一，提出了预先使荧光体分散于用于密封LED芯片的液态树脂中的方法(例如，参见专利文献1～2)。但是，如果荧光体在液态树脂中的分散不均匀，则每个LED芯片会发生颜色偏差。
因此，提出了使用预先均匀分布有荧光材料的片状树脂层(荧光体片材)的方法(例如，参见专利文献3～8)。该方法与一直以来进行实用化的将分散有荧光体的液态树脂分配到LED芯片上将其固化的方法相比，从如下方面考虑是优异的：容易将一定量的荧光体配置到LED芯片上，且可以使最终得到的白色LED的颜色、亮度均匀。
专利文献1：日本特开平5-152609号公报
专利文献2：日本特开平7-99345号公报
专利文献3：日本特许4146406号公报
专利文献4：日本特开2000-156528号公报
专利文献5：日本特开2009-235368号公报
专利文献6：日本特开2010-123802号公报
专利文献7：日本特许2011-102004号公报
专利文献8：日本特开2010-159411号公报
发明内容
为了将LED适用于普通照明用途，要求长时间持续高亮度发光。因此，对于LED密封剂要求能够耐受长时间发光的耐光性。但是，将以往的荧光体片材作为LED密封剂使用的情况下，耐光性不足。
考虑这是由于以下原因。在优选被供给于普通照明用途那样的大功率LED的情况，由于能够输入1W以上的大的额定功率，所以光通量(表示从光源发射到某个方向的全部的光的亮度的物理量)变得非常高。因此，每单位面积发出的光的量(亮度)增加。含有荧光体的密封剂如果受到这样的光，则在荧光体内部或表面形成晶体缺陷等，由此荧光体发生光劣化。这成为LED的亮度下降的原因。
本发明人等对荧光体片材的耐光性进行了深入研究，结果发现，对于提高荧光体片材的耐光性，为了防止由于从LED芯片产生的光导致的劣化而提高荧光体片材中的荧光体浓度是重要的。
另一方面，在关于荧光体片材的技术中还有如下问题。将荧光体片材贴合于LED芯片的方法为与如上所述的使用液态荧光体树脂相比更能使颜色、亮度稳定的优异的方法，但是将分散有荧光体粒子的树脂均匀地片材化是非常困难的。在片材化过程中，为了使树脂液中的荧光体微粒的流动性增加，使得由此制造的片材的膜厚均匀性提高，优选将荧光体粒子的粒径减小到不足1μm的程度。但是，随着将荧光体粒子的粒径减小其表面缺陷的比例增加，发光效率下降。并且，由于目前LED用途中一直使用的无机荧光体均为非常高的硬度，通过粉碎来制造粒径足够小的粒子本身就是困难的。因此，在白色LED用途中使用的荧光体一直使用粒径在数μm至10μm左右尺寸的荧光体粒子。
因此，作为贴合于LED芯片的荧光体片材，要求制造在高浓度地含有这样的尺寸大的荧光体粒子的同时其分散均匀、进而膜厚均匀的片材。
但是，迄今为止的LED用荧光体片材，对于这样的课题没有充分的考察，不能够实现这样的膜厚均匀的片材。为了改善分散有粒子的涂布液的流动性，通常少量添加粒径不同的粒子等有时是有效的。例如，在专利文献8中公开了出于提高片材强度的目的在荧光体片材中添加二氧化硅微粒。这样的微粒的添加具有使制备荧光体片材用的涂布液的流动性增加、使荧光体片材的膜厚均匀性提高的可能，但另一方面其破坏了有机硅树脂的透明性。如果在有机硅树脂中添加组成不同的二氧化硅或氧化铝，则产生光线的散射使得透射率下降，结果是当作为LED元件的波长转换片材使用时，存在亮度下降、或者亮度不均等问题。
鉴于上述课题，本发明的一个方案的目的在于提供一种耐光性优异的片材，所述耐光性优异的片材用于LED密封剂等。另外，本发明的另一方案的目的在于提供即使高浓度地含有尺寸大的荧光体粒子也不破坏其光学特性且膜厚均匀性优异的荧光体片材。
本发明的一个方案的目的在于，通过将荧光体片材中的荧光体含量增加到一定程度以上，从而防止由于由LED芯片产生的光所导致的劣化。即，本发明的一个方案是一种荧光体片材，其特征在于，荧光体的含量为片材总体的53重量％以上。
另外，本发明的其他方案为一种荧光体片材，其特征在于，至少含有有机硅树脂(silicone resin)、荧光体、和聚硅氧烷微粒(siliconefine particles)。
根据本发明的一个方案，能够提供耐光性优异的荧光体片材。另外，根据本发明的其他方案，能够得到在高浓度地含有荧光体粒子的同时光学特性优异且膜厚均匀的荧光体片材，并且在将荧光体片材作为LED元件的波长转换片材使用时，可得到无亮度不匀或颜色不匀的品质优异的LED发光装置。
附图说明
[图1]表示倒装芯片式LED芯片(flip chip type LED chip)的一个例子的简图。
[图2]表示面上式LED芯片(face up type LED chip)的一个例子的简图。
[图3]表示面上式LED芯片的一个例子的简图。
具体实施方式
本发明中，所谓荧光体片材是指含有荧光体和树脂的片材。
首先对耐光性进行说明。所谓耐光性，表示对于从LED芯片产生的光的耐性。耐光性可以通过LED连续点亮时的亮度下降来评价。
LED的劣化如下产生：主要是由于从LED芯片发射的光使荧光体内部或表面逐渐形成晶体缺陷等，从而荧光体发生光劣化，由此LED劣化。特别是在照明用途的大功率LED中，由于LED芯片高光通量、高亮度，所以荧光体的光劣化剧烈，LED的寿命成为大的问题。
本发明的一个方案涉及一种荧光体的含量为片材总体的53重量％以上的荧光体片材。另外，荧光体的含量优选为片材总体的57重量％以上，更优选为片材总体的60重量％以上。通过将片材中的荧光体含量设定为上述范围，能够提高片材的耐光性。需要说明的是，荧光体含量的上限没有特别的规定，但从容易制成作业性优异的片材的观点出发，优选为片材总体的95重量％以下，更优选为90重量％以下，进一步优选为85重量％以下，特别优选为80重量％以下。
本发明的荧光体片材中荧光体的含有率也可以从制成的片材或搭载其的LED发光装置求得。例如，用树脂包埋荧光体片材并切割，研磨截面，从而制备样品，通过用扫描电子显微镜(SEM)观测其露出的截面，能够清楚地辨别树脂部分与荧光体粒子部分。由该截面图像的面积比能够准确地测定荧光体粒子占片材总体的体积比。在形成片材的树脂和荧光体的比重明确的情况下，通过用体积比除以各自的比重能够计算出荧光体占片材的重量比。在树脂或荧光体的组成不明确的情况下，通过用高分辨率的显微红外分光或IPC发射光谱分析来分析荧光体片材的截面能够辨别组成。组成明确后，由于能够以相当程度的准确性来推测树脂或荧光体的物质固有的比重，因此能够使用其求得重量比。此外，在搭载有荧光体片材的LED发光装置的情况，分解LED发光装置，取下荧光体片材部分，通过用同样的方法进行截面观察也能够求得荧光体占荧光体片材的重量比。通过这样的方法，即使在荧光体片材制备时的加入比率不明确的情况下，通过上述方法或其他公知的分析方法，也能够由制成的片材及搭载其的LED发光装置确认荧光体片材中的荧光体重量比。
关于本发明的荧光体片材，如以下详细说明的那样，特别优选用于LED的表面被覆用途。此时，由于片材中的荧光体含量为上述范围，所以能够得到显示优异性能的LED发光装置。
关于本发明的荧光体片材，由于荧光体含量多，因此即使在膜厚较厚的情况下耐光性也优异。另一方面，从提高片材的耐热性的观点出发，片材的膜厚优选在200μm以下，更优选在100μm以下，进一步优选在50μm以下。
以下，对本发明的荧光体片材组成和制备方法进行说明。本发明的荧光体片材主要含有荧光体和树脂。根据需要也可以含有其他成分。
(荧光体)
荧光体是吸收从LED芯片发出的光并转换波长，发出与LED芯片的光不同波长的光的物质。由此，从LED芯片发出的光的一部分与从荧光体发出的光的一部分混合，能够得到包括白色在内的多色系的LED。具体而言，通过光学地组合蓝色系的LED和下述荧光体，能够使用单一的LED芯片发出白色系的光，所述荧光体通过来自LED的光而发出黄色系的发光颜色。
如上所述的荧光体中，有发出绿色光的荧光体、发出蓝色光的荧光体、发出黄色光的荧光体、发出红色光的荧光体等多种荧光体。作为用于本发明的具体的荧光体，可举出无机荧光体、有机荧光体、荧光颜料、荧光染料等公知的荧光体。作为有机荧光体，可举出烯丙基磺酰胺(allyl sulfoamide)·三聚氰胺甲醛共缩染色物、苝类荧光体等，从可长期使用方面考虑，优选使用苝类荧光体。作为特别优选用于本发明的荧光物质，可举出无机荧光体。以下说明用于本发明的无机荧光体。
作为发出绿色光的荧光体，例如有SrAl2O4:Eu、Y2SiO5:Ce，Tb、MgAl11O19:Ce，Tb、Sr7Al12O25:Eu、(Mg、Ca、Sr、Ba中的至少1种以上)Ga2S4:Eu等。
作为发出蓝色光的荧光体，例如有Sr5(PO4)3Cl:Eu、(SrCaBa)5(PO4)3Cl:Eu、(BaCa)5(PO4)3Cl:Eu、(Mg、Ca、Sr、Ba中的至少一种以上)2B5O9Cl:Eu，Mn、(Mg、Ca、Sr、Ba中的至少一种以上)(PO4)6Cl2:Eu，Mn等。
作为发出绿色至黄色光的荧光体，有至少用铈活化过的钇·铝氧化物荧光体、至少用铈活化过的钇·钆·铝氧化物荧光体、至少用铈活化过的钇·铝·石榴石氧化物荧光体、及至少用铈活化过的钇·镓·铝氧化物荧光体等(所谓YAG类荧光体)。具体而言，可使用Ln3M5O12:R(Ln为选自Y、Gd、La中的至少1种以上。M包含Al、Ca的至少任一种。R为镧系。)、(Y1-xGax)3(Al1-yGay)5O12:R(R为选自Ce、Tb、Pr、Sm、Eu、Dy、Ho中的至少1种以上。0＜x＜0.5、0＜y＜0.5。)。
作为发出红色光的荧光体，例如有Y2O2S:Eu、La2O2S:Eu、Y2O3:Eu、Gd2O2S:Eu等。
另外，作为对应目前主流的蓝色LED进行发光的荧光体，可举出Y3(Al，Ga)5O12:Ce、(Y，Gd)3Al5O12:Ce、Lu3Al5O12:Ce、Y3Al5O12:Ce等YAG类荧光体；Tb3Al5O12:Ce等TAG类荧光体；(Ba，Sr)2SiO4:Eu类荧光体、Ca3Sc2Si3O12:Ce类荧光体、(Sr，Ba，Mg)2SiO4:Eu等硅酸盐类荧光体；(Ca，Sr)2Si5N8:Eu、(Ca，Sr)AlSiN3:Eu、CaSiAlN3:Eu等氮化物类荧光体；Cax(Si，Al)12(O，N)16:Eu等氮氧化物类荧光体；进而可举出(Ba，Sr，Ca)Si2O2N2:Eu类荧光体；Ca8MgSi4O16Cl2:Eu类荧光体；SrAl2O4:Eu、Sr4Al14O25:Eu等荧光体。
其中，从发光效率、亮度等方面考虑，优选使用YAG类荧光体、TAG类荧光体、硅酸盐类荧光体。
除了以上说明的之外，可以根据用途、目标发光颜色使用公知的荧光体。
就荧光体而言，可以优选使用粒子状的荧光体。荧光体的平均粒径没有特别限制，但优选D50为0.05μm以上，更优选为3μm以上。另外，优选D50为30μm以下，更优选为20μm以下。此处，本发明中的平均粒径是指中值粒径，即D50。荧光体片材中含有的荧光体D50通过以下方法测定：对通过扫描电子显微镜(SEM)测定的片材截面的图像进行图像处理求得粒度分布，在由此得到的体积基准粒度分布中，将从小粒径侧的通过累计百分率为50％时的粒径作为中值粒径D50。用该方法求得的D50的值虽然比直接观察荧光体粉末时的值小，但是本发明的荧光体的平均粒径被定义为用上述测定方法求得的值。D50为上述范围时，荧光体片材中的荧光体的分散性良好，能够得到稳定的发光。
需要说明的是，上述D50的值比直接观察荧光体粉末时的值小的原因是，在直接观察粉末时直径被准确测定，而在测定荧光体片材的截面的情况下，并不一定沿着赤道面切断荧光体粒子。假设荧光体粒子为球状，在其任意位置切断，则其表观直径理论上为真实直径的78.5％(相当于直径为1的圆的面积与一边为1的正方形的面积之比)。实际上，由于荧光体粒子不是真正的球状，因此经验上大概为70％～85％。
(树脂)
本发明使用的树脂为使其内部含有荧光体的树脂，最终形成片材。因此，只要是使荧光体在其内部均匀地分散、能够形成片材的树脂，则可以为任意树脂。具体而言，可举出有机硅树脂、环氧树脂、聚芳酯树脂、PET改性聚芳酯树脂、聚碳酸酯树脂(PC)、环状烯烃、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂(PET)、聚甲基丙烯酸甲酯树脂(PMMA)、聚丙烯树脂(PP)、改性丙烯酸(Sunduren钟渊化学)、聚苯乙烯树脂(PE)以及丙烯腈·苯乙烯共聚物树脂(AS)等。本发明中，从透明性方面考虑，优选使用有机硅树脂或环氧树脂。进一步从耐热性方面考虑，特别优选使用有机硅树脂。
作为本发明中使用的有机硅树脂，优选固化型硅氧橡胶(Siliconerubber)。可以使用一液型、二液型(三液型)的任一种液体构成。在固化型硅氧橡胶中，作为借助空气中的水分或催化剂而发生缩合反应的类型，有脱醇型、脱肟型、脱乙酸型、脱羟胺型等。此外，作为借助催化剂而发生氢化硅烷化反应的类型有加成反应型。可以使用上述任何一种类型的固化型硅氧橡胶。特别地，从伴随固化反应的副产物少、固化收缩小的方面、及容易通过加热加速固化的方面考虑，更优选加成反应型的硅氧橡胶。
作为一个例子，加成反应型硅氧橡胶通过含有键合于硅原子的链烯基的化合物与具有键合于硅原子的氢原子的化合物的氢化硅烷化反应形成。作为这样的材料，可举出乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、丙烯基三甲氧基硅烷、降冰片烯基三甲氧基硅烷、辛烯基三甲氧基硅烷等含有键合于硅原子的链烯基的化合物，与聚甲基氢硅氧烷、聚二甲基硅氧烷-CO-聚甲基氢硅氧烷、聚乙基氢硅氧烷、聚甲基氢硅氧烷-CO-聚甲基苯基硅氧烷等具有键合于硅原子的氢原子的化合物通过氢化硅烷化反应而形成的物质。此外，还可以利用其他物质，可以利用例如日本特开2010-159411号公报中所记载那样的公知的物质。
另外，作为市售的物质，也可以使用普通LED用途的聚硅氧烷(silicone)密封材料。作为具体的例子，有东丽·道康宁公司制的OE-6630A/B、OE-6336A/B、信越化学工业株式会社制的SCR-1012A/B、SCR-1016A/B等。
在本发明的荧光体片材制备用的有机硅树脂组合物中，作为其他成分，优选配合用于抑制常温下的固化、延长贮存期的乙炔醇等氢化硅烷化反应阻滞剂。此外，在不破坏本发明效果的范围内，可以根据需要配合火成二氧化硅(fumed silica)、玻璃粉末、石英粉末等微粒、氧化钛、氧化锆、钛酸钡、氧化锌等无机填充剂或颜料、阻燃剂、耐热剂、抗氧化剂、分散剂、溶剂、硅烷偶联剂或钛酸酯偶联剂等粘合性赋予剂等。
特别地，从荧光体片材的表面平滑性的方面考虑，优选在荧光体片材制备用有机硅树脂组合物中添加低分子量的聚二甲基硅氧烷成分、硅油(silicone oil)等。相对于全部组合物，上述成分优选添加100～2000ppm，进一步优选添加500～1000ppm。
在形成荧光体片材时，首先制备含有荧光体片材形成用材料的荧光体的树脂液，但是如果树脂液中的荧光体粒子浓度高则树脂液的流动性变差。因此，得到的荧光体片材中的荧光体粒子的分布变得不均匀，并且由于流动性差，导致涂布困难，膜厚变得不均匀。如果发生上述的不均匀的情况，则使用最终的LED的发光装置的亮度、白色光的颜色变得不均匀。根据本发明，通过含有聚硅氧烷微粒，从而树脂液的流动性大幅提高，其结果是得到的荧光体片材的膜厚均匀性显著提高。
此外，本发明的其他方案涉及含有有机硅树脂、荧光体、和聚硅氧烷微粒的荧光体片材。此处，作为有机硅树脂和荧光体，优选使用与上述说明同样的物质。另外，为了提高荧光体片材中的荧光体的浓度，非常优选含有聚硅氧烷微粒。
本发明的荧光体片材中含有的聚硅氧烷微粒优选由有机硅树脂和/或硅氧橡胶形成的微粒。特别优选通过如下方法得到的聚硅氧烷微粒，所述方法为：将有机三烷氧基硅烷或有机二烷氧基硅烷、有机三乙酰氧基硅烷、有机二乙酰氧基硅烷、有机三肟硅烷、有机二肟硅烷等有机硅烷水解，然后使其缩合。
作为有机三烷氧基硅烷，可列举甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三正丙氧基硅烷、甲基三异丙氧基硅烷、甲基三正丁氧基硅烷、甲基三异丁氧基硅烷、甲基三仲丁氧基硅烷、甲基三叔丁氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、正丙基三甲氧基硅烷、异丙基三甲氧基硅烷、正丁基三丁氧基硅烷、异丁基三丁氧基硅烷、仲丁基三甲氧基硅烷、叔丁基三丁氧基硅烷、N-β(氨乙基)γ-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷等。
作为有机二烷氧基硅烷，可列举二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、甲基乙基二甲氧基硅烷、甲基乙基二乙氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷、3-氨丙基甲基二乙氧基硅烷、N-(2-氨乙基)-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、N-(2-氨乙基)-3-氨基异丁基甲基二甲氧基硅烷、N-乙基氨基异丁基甲基二乙氧基硅烷、(苯基氨甲基)甲基二甲氧基硅烷、乙烯基甲基二乙氧基硅烷等。
作为有机三乙酰氧基硅烷，可列举甲基三乙酰氧基硅烷、乙基三乙酰氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷等。
作为有机二乙酰氧基硅烷，可列举二甲基二乙酰氧基硅烷、甲基乙基二乙酰氧基硅烷、乙烯基甲基二乙酰氧基硅烷、乙烯基乙基二乙酰氧基硅烷等。
作为有机三肟硅烷，可列举甲基三甲基乙基酮肟硅烷、乙烯基三甲基乙基酮肟硅烷，作为有机二肟硅烷，可列举甲基乙基双甲基乙基酮肟硅烷等。
这样的粒子具体地可以通过日本特开昭63-77940号公报中公开的方法、日本特开平6-248081号公报中公开的方法、日本特开2003-342370号公报中公开的方法、日本特开平4-88022号公报中公开的方法等得到。另外，也已知有下述方法，通过下述任一方法也能够得到本发明中使用的粒子，所述方法为：将有机三烷氧基硅烷或有机二烷氧基硅烷、有机三乙酰氧基硅烷、有机二乙酰氧基硅烷、有机三肟硅烷、有机二肟硅烷等有机硅烷和/或其部分水解产物添加到碱性水溶液中，使其水解·缩合而得到粒子的方法；将有机硅烷和/或其部分水解产物添加到水或酸性溶液中，得到该有机硅烷和/或其部分水解产物的水解部分缩合物后，添加碱使其进行缩合反应而得到粒子的方法；将有机硅烷和/或其水解产物设置在上层，将碱或碱与有机溶剂的混合液设置在下层，在其界面使该有机硅烷和/或其水解产物水解·缩聚而得到粒子的方法等。
其中，优选使用通过以下方法得到的聚硅氧烷粒子：在使有机硅烷和/或其部分水解产物水解·缩合、制造球状有机聚倍半硅氧烷微粒时，向如日本特开2003-342370号公报中公开那样的反应溶液内添加高分子分散剂的方法。
此外，也可以使用如下制造的聚硅氧烷粒子：在制造粒子时，使有机硅烷和/或其部分水解产物水解·缩合，在酸性水溶液中、在溶剂中存在作为保护胶体发挥作用的高分子分散剂和盐的状态下、添加有机硅烷和/或其水解产物得到水解产物，然后添加碱使其进行缩合反应。
就高分子分散剂为言，只要为水溶性高分子、且在溶剂中作为保护胶体发挥作用的物质即可，可以使用合成高分子、天然高分子中的任一种，具体可以列举聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮等。作为高分子分散剂的添加方法，可以举出预先添加至反应初液的方法；与有机三烷氧基硅烷和/或其部分水解产物同时添加的方法；使有机三烷氧基硅烷和/或其部分水解产物进行水解部分缩合后添加的方法，可以选择上述的任一种方法。此处，相对于反应液容量1重量份，高分子分散剂的添加量优选5×10-7～10-2重量份的范围，在该范围时不易发生粒子之间的凝集。
作为聚硅氧烷微粒中含有的有机取代基，优选甲基和苯基，可以利用这些取代基的含量调整聚硅氧烷微粒的折射率。当为了不使LED发光装置的亮度下降，而想要在不使通过作为粘合剂树脂的有机硅树脂的光散射的情况下进行使用时，优选聚硅氧烷微粒的折射率d1与由该聚硅氧烷微粒和荧光体以外的成分产生的折射率d2的折射率差小。聚硅氧烷粒子的折射率d1与由聚硅氧烷微粒和荧光体以外的成分产生的折射率d2的折射率的差优选小于0.10，进一步优选为0.03以下。通过将折射率控制在该范围，聚硅氧烷粒子与聚硅氧烷组合物的界面处的反射·散射降低，能够得到高透明性、光透过率，不使LED发光装置的亮度下降。
对于折射率的测定，作为全反射法，可以使用Abbe折射计、Pulfrich折射计、浸液型折射计、液浸法、最小偏角法等，但在聚硅氧烷组合物的折射率测定中Abbe折射计是有用的，在聚硅氧烷粒子的折射率测定中液浸法是有用的。
此外，作为用于控制上述折射率差的方法，可以通过改变构成聚硅氧烷粒子的原料的量的比例进行调整。即，例如，通过调整作为原料的甲基三烷氧基硅烷和苯基三烷氧基硅烷的混合比，使甲基的构成比例增加，可以得到接近1.4的低折射率，反之，通过使苯基的构成比例增加，可以得到较高的折射率。
本发明中，聚硅氧烷微粒的平均粒径以中值粒径(D50)表示，对于该平均粒径而言，作为下限，优选0.01μm以上，进一步优选0.05以上，另外，作为上限，优选2.0μm以下，进一步优选1.0μm以下。如果平均粒径为0.01μm以上，则容易制造控制了粒径的粒子，另外通过使平均粒径为2.0μm以下，荧光体片材的光学特性变得良好。另外，通过使平均粒径在0.01μm以上且2.0μm以下，能够充分得到荧光体片材制造用树脂液的流动性增加的效果。此外，优选使用单分散且圆球状粒子。本发明中，聚硅氧烷微粒的平均粒径即中值粒径(D50)和粒度分布能够通过SEM观察来测定。对通过SEM得到的测定图像进行图像处理，求得粒度分布，在由此得到的粒度分布中，求得从小粒径侧的通过累计百分率为50％时的粒径作为中值粒径D50。通过此方法，利用与求得聚硅氧烷粒子本身的平均粒径同样的方法，在形成含有聚硅氧烷微粒的荧光体片材之后，观察该荧光体片材的截面SEM，求得聚硅氧烷微粒的粒度分布，在由此得到的体积基准粒度分布中，可以求得从小粒径侧的通过累计百分率为50％时的粒径作为中值粒径D50。这种情况也与荧光体粒子的情况相同，从荧光体片材的截面SEM图像求得的聚硅氧烷微粒的平均粒径与真正的平均粒径比较理论上为78.5％，实际上大概为70％～85％的值。
作为聚硅氧烷微粒的含量，相对于有机硅树脂100重量份，作为下限，优选1重量份以上，进一步优选2重量份以上。另外，作为上限，优选20重量份以下，进一步优选10重量份以下。通过含有1重量份以上的聚硅氧烷微粒，能够得到特别良好的荧光体分散稳定化效果，另一方面，通过含有20重量份以下，不会使聚硅氧烷组合物的粘度过度升高。
本发明进一步优选的方案为，含有有机硅树脂、荧光体、和聚硅氧烷微粒的荧光体片材中的荧光体粒子的含量为荧光体片材总体的53重量％以上。荧光体粒子的含量优选为荧光体片材总体的57重量％以上，更优选为60重量％以上。此外，荧光体粒子的含量的上限没有特别的规定，优选为荧光体片材总体的95重量％以下，更优选为90重量％以下，进一步优选为85重量％以下，特别优选为80重量％以下。
进一步地，以下说明本发明的荧光体片材整体共通的内容。
本发明的荧光体片材的膜厚，是指基于JIS K7130(1999)塑料-膜及片材-厚度测定方法中的利用机械扫描进行的厚度的测定方法A法测定的膜厚(平均膜厚)。另外，只要没有特殊说明，膜厚以将个位四舍五入所得的值表示。
LED存在于在小的空间内产生大量的热的环境中，特别是在大功率LED的情况下，发热显著。由于这样的发热使得荧光体温度上升，导致LED的亮度下降。因此，如何高效地放出产生的热是重要的。本发明中，通过将片材膜厚设定在上述范围，能够得到耐热性优异的片材。此外，如果片材膜厚存在偏差，则每一个LED芯片中的荧光体量产生差异，结果，发光光谱(色温、亮度、色度)产生偏差。因此，片材膜厚的偏差优选在±5％以内，进一步优选在±3％以内。需要说明的是，此处所述的膜厚偏差，如下得到：基于JISK7130(1999)塑料-膜及片材-厚度测定方法中的利用机械扫描进行的厚度的测定方法A法测定膜厚，通过下式算出。
更具体而言，使用利用机械扫描进行的厚度的测定方法A法的测定条件，使用市售的接触式厚度计等测微计测定膜厚，计算得到的膜厚的最大值或最小值与平均膜厚的差，用该值除以平均膜厚并用百分率表示，得到的值为膜厚偏差B(％)。
膜厚偏差B(％)＝{(最大膜厚偏离值*-平均膜厚)/平均膜厚}×100
*最大膜厚偏离值选择膜厚的最大值或最小值中与平均膜厚之差大的一方。
(片材的制作方法)
对本发明的荧光体片材的制作方法进行说明。需要说明的是，以下仅为一个例子，荧光体片材的制作方法不限定于此。首先，作为荧光体片材形成用的涂布液，制作在树脂中分散荧光体所得的溶液(以下称为“片材制作用树脂液”)。片材制作用树脂液通过将荧光体和树脂在适当的溶剂中混合而得到。当使用加成反应型有机硅树脂时，将具有键合于硅原子的链烯基的化合物、和具有键合于硅原子的氢原子的化合物混合时，即使在室温下有时固化反应也开始。因此，也可进一步向片材制作用树脂液中配合乙炔化合物等氢化硅烷化反应阻滞剂，从而能够延长贮存期。另外，还可将作为添加剂的用于涂布膜稳定化的分散剂、均化剂、作为片材表面的改性剂的硅烷偶联剂等粘接助剂等混合在片材制作用树脂液中。另外，还可将聚硅氧烷微粒或其他二氧化硅或氧化铝等无机粒子混合在片材制作用树脂液中。
在为了调整粘度而需要添加溶剂的情况下，溶剂的种类没有特别限制，只要可调整流动状态的树脂的粘度即可。可举出例如甲苯、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、己烷、庚烷、环己烷、丙酮、萜品醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇乙酸酯、甘醇二甲醚、二甘醇二甲醚等。
按照规定的组成混合上述成分后，用均化器、自转/公转搅拌机、三辊磨、球磨机、行星式球磨机、珠磨机等搅拌·混炼机混合分散至均匀，由此得到片材制作用树脂液。混合分散后、或混合分散的过程中，还优选在真空或减压条件下进行脱泡。
接下来，将片材制作用树脂液涂布到基材上，并使其干燥。涂布可利用逆转辊涂布机、刮刀涂布机、狭缝模头涂布机(slit diecoater)、直接槽辊涂布机(direct gravure coater)、补偿槽辊涂布机(offset gravure coater)、逆转辊涂布机、刮刀涂布机、吻合式涂布机、丝网印刷、自然辊涂布机(natural roll coater)、气刀涂布机、辊式刮刀涂布机(roll blade coater)、baribar辊式刮刀涂布机、双流涂布机(two stream coater)、棒式涂布机、线棒涂布机(wire barcoater)、涂敷器(applicator)、浸涂机、幕帘式涂布机、旋转涂布机、刮刀式涂布机等进行。为了得到片材膜厚的均匀性，优选用狭缝模头涂布机进行涂布。另外，本申请的荧光体片材还可以使用丝网印刷或凹版印刷、平版印刷等印刷法来制作。特别优选使用丝网印刷。
作为片材制作中使用的基板，可使用公知的金属、膜、玻璃、陶瓷、纸等。具体而言，可举出铝(也包括铝合金)、锌、铜、铁等金属板或箔；乙酸纤维素、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚乙烯醇缩醛、芳族聚酰胺、聚苯硫醚等的塑料膜；层压、涂覆有塑料(聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯等)的纸；层压或蒸镀有上述金属的纸或塑料膜等。其中，从经济性、处理性方面考虑，优选PET膜。另外，当树脂的固化需要高温时，从耐热性方面考虑，优选聚酰亚胺膜。从片材剥离的容易性方面考虑，还可以预先对基材表面进行脱模处理。此外，当基板为金属板时，可以对表面进行铬系或镍系等的镀覆处理或陶瓷处理。
基板的膜厚没有特别限制，作为下限，优选40μm以上，更优选60μm以上。另外，作为上限，优选5000μm以下，更优选3000μm以下。
片材的干燥可使用热风干燥机、红外线干燥机等通常的加热装置进行。片材的加热固化可使用热风干燥机、红外线干燥机等通常的加热装置。此时，加热固化条件通常为40～250℃下1分钟～5小时，优选为100℃～200℃下2分钟～3小时。
还可以在片材上设置用于提高与LED芯片的粘结性的粘合层。作为粘合层的材料没有特别地限定，可以举出普通的橡胶类、丙烯酸类、聚氨酯类、聚硅氧烷类粘合剂等。可以使用任何一种物质，但是作为适合于耐热性、绝缘性、透明性的粘合剂，聚硅氧烷类粘合剂是有用的。
在片材上可以设置保护膜。作为保护膜的材料没有特别的限定，可以举出乙酸纤维素、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚乙烯醇缩醛、芳族聚酰胺、聚苯硫醚等的塑料膜；层压、涂覆有塑料(聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯等)的纸，层压或蒸镀有上述金属的纸或塑料膜等。另外，可以通过聚硅氧烷类或氟类等公知的脱模剂脱模处理保护膜。
作为可以应用本发明的荧光体片材的LED芯片，可以举出面上式LED芯片和倒装芯片式LED芯片，特别优选的是倒装芯片式LED芯片。倒装芯片式LED芯片的发光效率高、放热性也高。因此，通过使用本发明的荧光体片材，容易制作耐光性优异的照明用途的大功率LED。
对使用本发明的荧光体片材制造LED发光装置的方法进行说明。需要说明的是，以下说明仅是一个例子，制造方法并不限于此。应用于倒装芯片式LED芯片的情况下，首先，匹配LED芯片大小将荧光体片材小片化。小片化可以通过切割进行。具有保护膜的情况下，可以将其剥离后进行小片化，也可以连同保护膜一起进行小片化。
然后，在具有保护膜的情况下，将其剥离后，在LED芯片的与电极形成面为相反侧的面(出光面)上贴合经小片化的片材。这时，荧光体片材可以是半固化状态，也可以预先被固化。在贴合中优选使用粘结剂，可以使用公知的模片结合剂(die bonding agent)或粘结剂，例如丙烯酸树脂类、环氧树脂类、聚氨酯树脂类、有机硅树脂类、改性有机硅树脂类、酚醛树脂类、聚酰亚胺类、聚乙烯醇类、聚甲基丙烯酸酯树脂类、三聚氰胺树脂类、尿素树脂类的粘结剂。在荧光体片材具有粘合剂的情况下也可以利用上述粘结剂。另外，在半固化的荧光体片材的情况下，可以利用通过加热的固化。此外，在荧光体片材固化后具有热软化性的情况下，也可以通过热熔接使其粘结。
然后，利用公知的方法将LED芯片的电极与电路基板的布线电连接，由此能够得到发光装置。在LED芯片在发光面侧具有电极的情况下，利用模片结合(die bonding)材料等将LED芯片以发光面朝上的方式固定在电路基板上，然后利用引线接合(wire bonding)法连接LED芯片上表面的电极与电路基板的布线。另外，在LED芯片为在发光面的相反面上具有电极极板(pad)的倒装芯片式的情况下，使LED芯片的电极面与电路基板的布线相对，一并接合进行连接。
在使荧光体片材以半固化的状态与LED芯片贴合的情况下，可以在该电连接之前或之后的合适的时机使其固化。例如，使倒装芯片式一并接合的情况下，在进行热熔接的接合时，通过该加热可以同时使荧光体片材固化。此外，在将连接有LED芯片与电路基板的组件表面安装在更大的电路基板上的情况下，可以在利用回流焊进行焊接的同时使荧光体片材固化。
在使荧光体片材以固化的状态与LED芯片贴合的情况下，没有必要在与LED芯片贴合后设置固化过程。使荧光体片材以固化的状态与LED芯片贴合的情况是指例如在经固化的荧光体片材另外具有粘结层的情况，或在固化后具有热熔接性的荧光体片材的情况等。
荧光体片材可以同时作为LED芯片的密封剂发挥作用，但也可以进一步使用公知的有机硅树脂等作为透光性密封剂将贴合有荧光体片材的LED芯片密封。此外，也可以在利用透光性密封剂密封LED芯片后，将荧光体片材粘附在密封材料上进行使用。
此外，在应用于面上式LED芯片的情况下，与上述同样地，将荧光体片材小片化，然后使其贴合于LED芯片的出光面。当荧光体片材是半固化状态时，使其贴合后，将片材固化。此处，在面上式LED芯片中，在出光面上至少形成一方的电极，如下所述利用引线接合法从该电极获得导通。因此，按照至少露出一部分电极的方式来贴合荧光体片材。当然，也可以仅贴合于出光部分。这时，可以将荧光体片材图案化为露出一部分电极的样式。
然后，将LED芯片的与出光面为相反侧的面固定于电路基板上，利用引线接合法等公知的方法将LED芯片与电路基板电连接，由此能够得到发光装置。
此外，作为其他的变形例，可以向安装在基板上的状态的LED芯片，粘附经小片化的荧光体片材。此外，相反地，也可以在将数个LED芯片粘附于荧光体片材后通过切割而将带有片材的LED芯片一并小片化。另外，也可以向在表面上制作有LED芯片的半导体晶片，粘附未小片化的荧光体片材，然后，将半导体晶片和荧光体片材一并制成单个片材(切割)。
可以应用使用本发明的荧光体片材得到的LED芯片的发光装置没有特别的限定，可以广泛地应用于在电视机、个人电脑、手机、游戏机等中使用的显示器的背光源、或汽车的车头灯等的车载领域，普通照明等。
实施例
以下利用实施例具体地说明本发明。但本发明不受它们的限制。
<平均粒径测定>
合成的聚硅氧烷微粒以及购入的荧光体粒子的平均粒径的测定如下进行：测定各荧光体片材样品的截面SEM，从由此得到的图像计算出平均粒径。荧光体片材的截面使用扫描电子显微镜(日立高技术高分辨率场发射式扫描电子显微镜S-4800)观察。使用分析软件(Image version 6.2)分析得到的图像，求得粒子直径分布。在粒子直径分布中，求得从小粒径侧的通过累计百分率为50％时的粒径作为中值粒径(D50)。
<相关色温、亮度测定以及耐光性试验>
使在蓝色LED元件上搭载各荧光体片材而得到的发光装置中流过400mA的电流，点亮LED芯片，使用瞬时多测光系统(instantaneousmultiple photometric system，MCPD-3000，大塚电子公司制)，测定试验刚开始后的相关色温和亮度。对于每一种荧光体片材分别制作100个LED发光装置，求得100个中的平均值、最大值、最小值，由下式评价偏差。
相关色温偏差(K)＝相关色温最大偏离值*-平均相关色温
*相关色温最大偏离值选择相关色温的最大值或最小值中与平均之差大的一方。
亮度偏差(cd/m2)＝亮度最大偏离值*-平均亮度
*亮度最大偏离值选择亮度的最大值或最小值中与平均之差大的一方。
然后，以点亮LED芯片的状态放置，同样地测定经过300小时后的亮度，通过下式算出亮度保持率，由此评价耐光性。亮度保持率越高，表示耐光性越优异。如果评价在B以上则在实用上没有问题，如果评价在A以上则在实用上优异。
亮度保持率I(％)＝(经过300小时后的亮度/试验刚开始后的亮度)×100(将小数点后第1位四舍五入)。
S：保持率95％以上耐光性非常好
A：保持率90～94％耐光性良好
B：保持率80～89％耐光性在实用上没有问题
C：保持率50～79％耐光性差
D：保持率49％以下耐光性非常差
<耐光性试验>
在使用各荧光体片材的发光装置中通入电流点亮LED芯片以使得LED表面温度为室温(25℃)～170℃，使用瞬时多测光系统(MCPD-3000，大塚电子公司制)测定亮度。测定室温(25℃)和170℃时的亮度，通过下式计算出亮度保持率，由此评价耐热性。亮度保持率越高，表示耐热性越优异。如果评价在B以上则在实用上没有问题，如果评价在A以上则在实用上优异。
亮度保持率II(％)＝(表面温度170℃时的亮度/室温(25℃)时的亮度)×100(将小数点后第1位四舍五入)
S：保持率90％以上耐热性非常好
A：保持率81～89％耐热性良好
B：保持率51～80％耐热性在实用上没有问题
C：保持率50％以下耐热性差
<膜厚测定>
预先使用测微计对制作荧光体片材的脱模PET膜(“Cerapeel”BLK：东丽FILM加工株式会社制)的规定位置进行膜厚测定，进行标记。制作荧光体片材后，再次用测微计测定标记部分，从得到的膜厚减去预先测定的脱模PET膜的膜厚，由此得到荧光体片材的膜厚。膜厚如下求出：以110mm见方的片材作为测定样品，以10mm间隔以网格状测定100点，求得每个样品的最大值、最小值、平均值，通过下式求得膜厚偏差B。
膜厚偏差B(％)＝{(最大膜厚偏离值*-平均膜厚)/平均膜厚}×100
*最大膜厚偏离值选择膜厚的最大值或最小值中与平均膜厚的差大的一方。
(聚硅氧烷微粒的合成)
<聚硅氧烷微粒1>
在2L四口圆底烧瓶中安装搅拌器、温度计、回流管、滴液漏斗，向烧瓶中加入含有1ppm作为表面活性剂的聚醚改性硅氧烷“BYK333”的2.5％的氨水2L，一边以300rpm搅拌，一边用油浴升温。当内温达到50℃时从滴液漏斗经30分钟滴入甲基三甲氧基硅烷与苯基三甲氧基硅烷的混合物(23/77mol％)200g。保持该温度，进一步继续搅拌60分钟，然后添加乙酸(特级试剂)约5g，进行搅拌混合后，进行过滤。向过滤器上的生成粒子中添加两次600mL的水和一次200mL的甲醇并进行过滤，进行洗涤。取出过滤器上的滤饼，粉碎后，经10小时冷冻干燥，由此得到60g白色粉末。用SEM观察，结果发现得到的粒子为单分散球状微粒。通过液浸法对该微粒进行折射率测定，其结果为1.54。用截面TEM观察该粒子，结果确认了其为粒子内是单一构造的粒子。
<聚硅氧烷微粒2>
在2L四口圆底烧瓶中安装搅拌器、温度计、回流管、滴液漏斗，向烧瓶中加入含有7ppm作为表面活性剂的聚醚改性硅氧烷“BYK333”的2.5％的氨水2L，一边以300rpm搅拌，一边用油浴升温。当内温达到50℃时从滴液漏斗经30分钟滴入甲基三甲氧基硅烷与苯基三甲氧基硅烷的混合物(23/77mol％)200g。保持该温度，进一步继续搅拌60分钟，然后添加乙酸(特级试剂)约5g，进行搅拌混合后，进行过滤。向过滤器上的生成粒子中添加两次600mL的水和一次200mL的甲醇并进行过滤，进行洗涤。取出过滤器上的滤饼，粉碎后，经10小时冷冻干燥，由此得到40g白色粉末。用SEM观察，结果发现得到的粒子为单分散球状微粒。通过液浸法对该微粒进行折射率测定，其结果为1.54。用截面TEM观察该粒子，结果确认了其为粒子内是单一构造的粒子。
<聚硅氧烷微粒3>
在1L四口圆底烧瓶中安装搅拌器、温度计、回流管、滴液漏斗，向烧瓶中加入pH 12.5(25℃)的氢氧化钠水溶液600g，一边以300rpm搅拌，一边用油浴升温。当内温达到50℃时从滴液漏斗经20分钟滴入甲基三甲氧基硅烷与苯基三甲氧基硅烷的混合物(23/77mol％)60g。保持该温度，进一步继续搅拌30分钟，然后添加作为中和剂的10％乙酸水溶液16.5g，进行搅拌混合后，进行过滤。向过滤器上的生成粒子中添加三次300mL的水和一次200mL的甲醇并进行过滤，进行洗涤。取出过滤器上的滤饼，进行150℃、2小时的干燥，得到15g白色粉末。用SEM观察，结果发现得到的粒子为单分散球状微粒。通过液浸法对该微粒进行折射率测定，其结果为1.54。用截面TEM观察该粒子，结果确认了其为粒子内是单一构造的粒子。
<聚硅氧烷微粒4>
在2L四口圆底烧瓶中安装搅拌器、温度计、回流管、滴液漏斗，向烧瓶中加入2.5％的氨水2L，一边以300rpm搅拌，一边用油浴升温。当内温达到50℃时从滴液漏斗经30分钟滴入甲基三甲氧基硅烷与苯基三甲氧基硅烷的混合物(23/77mol％)200g。保持该温度，进一步继续搅拌60分钟，然后添加乙酸(特级试剂)约5g，进行搅拌混合后，进行过滤。向过滤器上的生成粒子中添加两次600mL的水和一次200mL的甲醇并进行过滤，进行洗涤。取出过滤器上的滤饼，粉碎后，经10小时冷冻干燥，由此得到80g白色粉末。用SEM观察，结果发现得到的粒子为单分散球状微粒。通过液浸法对该微粒进行折射率测定，其结果为1.54。用截面TEM观察该粒子，结果确认了其为粒子内是单一构造的粒子。
<聚硅氧烷微粒5>
在1L四口圆底烧瓶中安装搅拌器、温度计、回流管、滴液漏斗，向烧瓶中加入pH 12.5(25℃)的氢氧化钠水溶液600g，一边以200rpm搅拌，一边用油浴升温。当内温达到50℃时从滴液漏斗经20分钟滴入甲基三甲氧基硅烷与苯基三甲氧基硅烷的混合物(23/77mol％)60g。保持该温度，进一步继续搅拌30分钟，然后添加作为中和剂的10％乙酸水溶液16.5g，进行搅拌混合后，进行过滤。向过滤器上的生成粒子中添加三次300mL的水和一次200mL的甲醇并进行过滤，进行洗涤。取出过滤器上的滤饼，进行150℃、2小时的干燥，得到10g白色粉末。用SEM观察，结果发现得到的粒子为单分散球状微粒。通过液浸法对该微粒进行折射率测定，其结果为1.52。用截面TEM观察该粒子，结果确认了其为粒子内是单一构造的粒子。
<聚硅氧烷微粒6>
在2L四口圆底烧瓶中安装搅拌器、温度计、回流管、滴液漏斗，向烧瓶中加入含有1ppm作为表面活性剂的聚醚改性硅氧烷“BYK333”的2.5％的氨水2L，一边以300rpm搅拌，一边用油浴升温。当内温达到50℃时从滴液漏斗经30分钟滴入甲基三甲氧基硅烷200g。保持该温度，进一步继续搅拌60分钟，然后添加乙酸(特级试剂)约5g，进行搅拌混合后，进行过滤。向过滤器上的生成粒子中添加两次600mL的水和一次200mL的甲醇并进行过滤，进行洗涤。取出过滤器上的滤饼，粉碎后，经10小时冷冻干燥，由此得到60g白色粉末。用SEM观察，结果发现得到的粒子为单分散球状微粒。通过液浸法对该微粒进行折射率测定，其结果为1.46。用截面TEM观察该粒子，结果确认了其为粒子内是单一构造的粒子。
<聚硅氧烷微粒7>
在2L四口圆底烧瓶中安装搅拌器、温度计、回流管、滴液漏斗，向烧瓶中加入含有1ppm作为表面活性剂的聚醚改性硅氧烷“BYK333”的2.5％的氨水2L，一边以300rpm搅拌，一边用油浴升温。当内温达到50℃时从滴液漏斗经30分钟滴入甲基三甲氧基硅烷与苯基三甲氧基硅烷的混合物(25/75mol％)200g。保持该温度，进一步继续搅拌60分钟，然后添加乙酸(特级试剂)约5g，进行搅拌混合后，进行过滤。向过滤器上的生成粒子中添加两次600mL的水和一次200mL的甲醇并进行过滤，进行洗涤。取出过滤器上的滤饼，粉碎后，经10小时冷冻干燥，由此得到60g白色粉末。用SEM观察，结果发现得到的粒子为单分散球状微粒。通过液浸法对该微粒进行折射率测定，其结果为1.52。用截面TEM观察该粒子，结果确认了其为粒子内是单一构造的粒子。
<聚硅氧烷微粒8>
在2L四口圆底烧瓶中安装搅拌器、温度计、回流管、滴液漏斗，向烧瓶中加入含有1ppm作为表面活性剂的聚醚改性硅氧烷“BYK333”的2.5％的氨水2L，一边以300rpm搅拌，一边用油浴升温。当内温达到50℃时从滴液漏斗经30分钟滴入甲基三甲氧基硅烷与苯基三甲氧基硅烷的混合物(80/20mol％)200g。保持该温度，进一步继续搅拌60分钟，然后添加乙酸(特级试剂)约5g，进行搅拌混合后，进行过滤。向过滤器上的生成粒子中添加两次600mL的水和一次200mL的甲醇并进行过滤，进行洗涤。取出过滤器上的滤饼，粉碎后，经10小时冷冻干燥，得到60g白色粉末。用SEM观察，结果发现得到的粒子为单分散球状微粒。通过液浸法对该微粒进行折射率测定，其结果为1.57。用截面TEM观察该粒子，结果确认了其为粒子内是单一构造的粒子。
(实施例1)
使用容积300ml的聚乙烯制容器，以作为有机硅树脂的“OE-6630A/B”(东丽·道康宁公司制)47重量％、作为荧光体的“NYAG-02”(Intematix公司制：掺杂Ce的YAG类荧光体、比重：4.8g/cm3、D50：7μm)53重量％的比率进行混合。
然后，使用行星式搅拌·脱泡装置“MAZERUSTAR KK-400”(KURABO制)，在1000rpm下进行20分钟搅拌·脱泡，得到片材制作用树脂液。使用狭缝模头涂布机将片材制作用树脂液涂布到“Cerapeel”BLK(东丽FILM加工株式会社制)上，在130℃下加热2小时，进行干燥，得到膜厚200μm的荧光体片材。然后，使用切割装置将荧光体片材小片化为1mm见方。进一步在小片化的荧光体片材上涂布模片结合糊剂(die bonding paste)“EN-4900GC”(日立化成工业株式会社制)，然后以模片结合糊剂涂布面与安装有1mm见方的倒装芯片式蓝色LED芯片的基板的芯片表面接触的方式配置片材，使其粘合。在热板(hot plate)上以100℃加热1分钟使模片结合糊剂固化。使用“OE-6630A/B”(东丽·道康宁公司制)作为密封剂进行密封，得到发光装置(图1)。对于得到的发光装置进行上述的耐光性试验的结果是，得到亮度保持率I(％)为88％，在实用性没有问题的结果(表1)。另外，进行上述耐热试验的结果是，得到亮度保持率II(％)也为83％的良好的结果(表1)。
(实施例2～4)-片材膜厚的效果-
除了变更为表1中记载的片材膜厚以外，以与实施例1同样的操作制作树脂，进行评价。将结果示于表1。从这些实施例可知，片材膜厚为200μm以下时，可以同时实现良好的耐光性和良好的耐热性。
(实施例5～10)-荧光体含量的效果-
除了变更为表1中记载的荧光体含量以外，以与实施例1同样的操作制作荧光体片材，进行评价。将结果示于表1。耐光性试验、耐热性试验均为良好的结果，特别是在耐热性试验中为非常好的结果。从这些实施例可知，荧光体含量为片材总体的57重量％以上时，片材的耐光性较优异，为片材总体的60重量％以上时，片材的耐光性特别优异。
(实施例11)-有机硅树脂的变更-
除了将有机硅树脂变更为“OE-6336A/B”(东丽·道康宁公司制)以外，以与实施例5同样的操作制作荧光体片材，进行评价。将结果示于表1。耐光性试验显示为在实用上没有问题的结果，耐热性试验显示为非常好的结果。
(实施例12)-有机硅树脂的变更-
除了将有机硅树脂变更为“OE-6336A/B”(东丽·道康宁公司制)之外，以与实施例8同样的操作制作荧光体片材，进行评价。将结果示于表1。耐光性试验、耐热性试验均显示为非常好的结果。
(比较例1～4)
除了变更为表2中记载的荧光体含量和片材膜厚以外，以与实施例1同样的操作制作荧光体片材，进行评价。将结果示于表2。耐光性试验均显示为不充分的结果。
(实施例13)-无机荧光体的变更-
除了将无机荧光体变更为“R6634”(Intematix公司制：氮化物类荧光体，比重：3.0g/cm3，D50：15～μm)以外，以与实施例8同样的操作制作荧光体片材，进行评价。将结果示于表3。耐光性试验和耐热性试验均显示为非常好的结果。
(实施例14)-无机荧光体的变更-
除了将无机荧光体变更为“G2060”(Intematix公司制：掺杂Eu的硅酸盐类荧光体，比重：5.1g/cm3，D50：15.5μm)以外，以与实施例8同样的操作制作荧光体片材，进行评价。将结果示于表3。耐光性试验和耐热性试验均显示为非常好的结果。
(实施例15)-无机荧光体的变更-
除了将无机荧光体变更为“EY4254”(Intematix公司制：掺杂Eu的硅酸盐类荧光体，比重：4.71g/cm3，D50：15.5μm)以外，以与实施例8同样的操作制作荧光体片材，进行评价。将结果示于表3。耐光性试验和耐热性试验均显示为非常好的结果。
(实施例16～19)-蓝色LED芯片变更和荧光体含量的效果-
除了变更为表3中记载的荧光体含量、片材膜厚之外，以与实施例1同样的操作制作荧光体片材，然后利用切割装置将荧光体片材小片化为1mm见方。进一步在小片化的荧光体片材上涂布模片结合糊剂“EN-4270K2”(日立化成工业株式会社制)，然后以模片结合糊剂涂布面与安装有1mm见方的面上式蓝色LED芯片的基板的芯片表面接触的方式配置片材，使其粘合。在热板上以100℃加热1分钟使模片结合糊剂固化。使用“OE-6630A/B”(东丽·道康宁公司制)作为密封剂进行密封，得到发光装置(图2)。对于得到的发光装置进行上述耐光性试验、耐热性试验，其结果示于表3。耐光性试验、耐热性试验中均显示为在实用上没有问题或更好的良好的结果，特别是在耐热性试验中显示为非常好的结果。另外，从这些实施例可知，荧光体含量为片材总体的57重量％以上时，片材的耐光性较优异，为片材总体的60重量％以上时，片材的耐光性特别优异。
(实施例20～23)-蓝色LED芯片变更和荧光体含量的效果-
除了变更为表3中记载的荧光体含量、片材膜厚之外，以与实施例1同样的操作制作荧光体片材，然后利用切割装置将荧光体片材小片化为1mm见方。进一步在小片化的荧光体片材上涂布模片结合糊剂“EN-4270K2”(日立化成工业株式会社制)，然后以模片结合糊剂涂布面与安装有1mm见方的面上式蓝色LED芯片的基板的芯片表面接触的方式配置片材，使其粘合。在热板上以100℃加热1分钟使模片结合糊剂固化。使用“OE-6630A/B”(东丽·道康宁公司制)作为密封剂进行密封，得到发光装置(图3)。对于得到的发光装置进行上述耐光性试验、耐热性试验，其结果示于表3。耐光性试验、耐热性试验中均显示为在实用上没有问题或更好的良好的结果，特别是在耐热性试验中显现非常好的结果。另外，从这些实施例可知，荧光体含量为片材总体的57重量％以上时，片材的耐光性较优异，为片材总体的60重量％以上时，片材的耐光性特别优异。
(比较例5～7)
除了变更为表4中记载的无机荧光体、荧光体含量以及片材膜厚以外，以与实施例1同样的操作制作荧光体片材，进行评价。将结果示于表4。耐光性试验均显示为不充分的结果。
(比较例8)
除了变更为表4中记载的荧光体含量、片材膜厚以外，以与实施例16同样的操作制作发光装置，进行评价。将结果示于表4。耐光性试验均显示为不充分的结果。
(比较例9)
除了变更为表4中记载的荧光体含量、片材膜厚以外，以与实施例20同样的操作制作发光装置，进行评价。将结果示于表4。耐热性试验显示为良好的结果，但耐光性试验显示为不充分的结果。
-聚硅氧烷微粒含量的效果-
(实施例24)
使用容积300ml的聚乙烯制容器，以作为有机硅树脂的“OE-6630A/B”(东丽·道康宁公司制，折射率1.53)39.8重量％、作为荧光体的“NYAG-02”(Intematix公司制：掺杂Ce的YAG类荧光体，比重：4.8g/cm3)60重量％、聚硅氧烷微粒10.2重量份的比例进行混合。
然后，使用行星式搅拌·脱泡装置“MAZERUSTAR KK-400”(KURABO制)，在1000rpm下进行20分钟搅拌·脱泡，得到片材溶液。使用狭缝模头涂布机将片材溶液涂布到“Cerapeel”BLK(东丽FILM加工株式会社制)上，在130℃下加热2小时，进行干燥，得到平均膜厚约100μm的荧光体片材。观察得到的荧光体片材的截面SEM，从得到的图像求得荧光体和聚硅氧烷微粒的平均粒径(D50)，结果，荧光体粒子的平均粒径为7μm，聚硅氧烷微粒的平均粒径为0.5μm。
将得到的荧光体片材切割为110mm见方，以距离端部5mm的点为起点，以纵横10mm的间隔测定100个点的膜厚。将结果示于表5。
(实施例25～29)
按表5所示改变聚硅氧烷微粒1的配合比，与实施例24同样地制作荧光体片材，进行截面SEM测定和膜厚测定。将结果示于表5。
(实施例30)
不添加聚硅氧烷微粒，与实施例24同样地制作荧光体片材，进行截面SEM测定和膜厚测定。将结果示于表5。
实施例24～29的膜厚均匀性均优异。未添加聚硅氧烷微粒的实施例30从狭缝模头涂布机的喷嘴的喷出性不稳定，膜厚偏差略大。
-由聚硅氧烷微粒的粒径、组成产生的影响-
(实施例31～37)
有机硅树脂、荧光体、聚硅氧烷微粒的配合比与实施例27相同，按表6所示改变聚硅氧烷微粒的种类，以与实施例24同样的步骤制作荧光体片材。进行得到的荧光体片材的截面SEM测定并测定膜厚偏差，对与实施例27中得到的荧光体片材一起搭载于蓝色LED上并使其发光时的相关色温偏差和亮度偏差进行了评价。将结果示于表6。
(实施例30、38)
关于不添加聚硅氧烷微粒的实施例30、以及添加二氧化硅微粒(Admatechs公司“Admafine”SO-E2)代替聚硅氧烷微粒的实施例38，与实施例31～37同样地制作荧光体片材，进行截面SEM测定和评价膜厚偏差、相关色温偏差、亮度偏差。在未添加聚硅氧烷微粒的实施例30中，不仅膜厚偏差大，而且相关色温偏差、亮度偏差也较实施例27、31～37大。此外，添加二氧化硅微粒的实施例38的膜厚偏差和相关色温偏差与添加聚硅氧烷微粒的实施例27以及31～37相比并不逊色，但是亮度偏差大。推测原因在于，二氧化硅微粒与聚硅氧烷微粒相比，在有机硅树脂中的光的散射大。
(实施例39～42)
使用与实施例27相同的材料，改变荧光体含量，以与实施例24同样的方法制作荧光体片材。使聚硅氧烷微粒1的含量相对于有机硅树脂和聚硅氧烷微粒的总量为10重量％。关于实施例27、39～42，进行截面SEM测定和评价膜厚、相关色温、亮度的偏差，并以亮度保持率来评价耐光性和耐热性。将结果示于表7。
各样品均显示偏差小的优异的特性，实施例27、39、40、42显示出优异的耐光性、耐热性。实施例41的耐光性·耐热性也是实用上没有问题的水平。
Figure BPA00001725481200301
Figure BPA00001725481200311
Figure BPA00001725481200321
Figure BPA00001725481200331
Figure BPA00001725481200341
Figure BPA00001725481200351
Figure BPA00001725481200361
符号说明
1 荧光体片材
2 LED芯片
3 电极
4 电路基板
5 金属细线

Claims (20)

1.一种荧光体片材，含有荧光体和树脂，其特征在于，荧光体的含量为片材总体的53重量％以上。
2.如权利要求1所述的荧光体片材，其中，所述荧光体的含量为片材总体的57重量％以上。
3.如权利要求1所述的荧光体片材，其中，所述荧光体的含量为片材总体的60重量％以上。
4.如权利要求1～3中任一项所述的荧光体片材，其中，所述片材的膜厚为200μm以下。
5.如权利要求1～3中任一项所述的荧光体片材，其中，所述片材的膜厚为100μm以下。
6.如权利要求1～5中任一项所述的荧光体片材，其中，所述树脂为有机硅树脂。
7.如权利要求1～6中任一项所述的荧光体片材，其中，所述荧光体为无机荧光体。
8.一种荧光体片材，其特征在于，至少含有有机硅树脂、荧光体、和聚硅氧烷微粒。
9.如权利要求8所述的荧光体片材，其中，所述聚硅氧烷微粒的平均粒径为0.01μm以上且2μm以下。
10.如权利要求8或9所述的荧光体片材，其中，所述聚硅氧烷微粒的含量相对于有机硅树脂100重量份为1重量份以上且20重量份以下。
11.如权利要求8～10中任一项所述的荧光体片材，其中，所述聚硅氧烷微粒为通过缩合有机硅烷而得到的有机硅树脂。
12.如权利要求8～11中任一项所述的荧光体片材，其中，所述聚硅氧烷微粒的折射率d1与所述有机硅树脂的折射率d2的差为不足±0.10。
13.如权利要求1～12中任一项所述的荧光体片材，其中，所述荧光体为粒子状，所述荧光体粒子的平均粒径为1μm以上且20μm以下。
14.如权利要求6或8～13中任一项所述的荧光体片材，其中，所述有机硅树脂为加成固化型有机硅树脂，所述加成固化型有机硅树脂是通过至少含有键合于硅原子的链烯基的化合物与具有键合于硅原子的氢原子的化合物的氢化硅烷化反应而形成的。
15.如权利要求1～14中任一项所述的荧光体片材，用于LED的表面被覆。
16.一种固化物，是将权利要求1～15中任一项所述的荧光体片材固化而形成的。
17.一种LED，具有权利要求1～15中任一项所述的荧光体片材或其固化物。
18.一种LED的制造方法，包括将权利要求1～15中任一项所述的荧光体片材与LED芯片贴合的工序。
19.一种LED的制造方法，包括将权利要求1～15中任一项所述的荧光体片材与LED芯片贴合的工序；和将荧光体片材固化的工序。
20.一种发光装置，包括权利要求17所述的LED。
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