JP2002543594A - レンズ付led光源 - Google Patents
レンズ付led光源Info
- Publication number
- JP2002543594A JP2002543594A JP2000614512A JP2000614512A JP2002543594A JP 2002543594 A JP2002543594 A JP 2002543594A JP 2000614512 A JP2000614512 A JP 2000614512A JP 2000614512 A JP2000614512 A JP 2000614512A JP 2002543594 A JP2002543594 A JP 2002543594A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- led
- light source
- lens
- led light
- source according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 6
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 claims description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S362/00—Illumination
- Y10S362/80—Light emitting diode
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
れた切欠部を有する基板と、LEDから放射された光の少なくとも部分的な波長
変換用のコンバータ材料が含まれている、LEDが埋め込まれた透明材料製の充
填部と、材料充填部と接触しているレンズとを有するLED光源に関する。
スで開発された。このLEDを用いて、光源は、波長変換を基礎にして製造する
ことができる。既に実現された技術概念では、LEDから放射された青色光の一
部分が、適切なコンバータ材料によって黄色光に変換され、その結果、元の青色
光と、変換された黄色光との形成された色混合の結果、白色光が形成される。第
2の技術概念では、適切なLEDの紫外線光を、可視スペクトル領域内に変換す
ることが提案されている。
等の埋め込み材料内に含まれるようにすることができる。
学レンズを設けて、この光学レンズによって光をフォーカシングし、配向して放
射することができる。
ており、それは、例えば、論文"SIEMENS SMT-TOPLED fuer die Oberflaechenmon
tage" , F. Moellmer und G. Waitl 著、定期刊行物 Siemens Components 29 (1
991), 4号、147ページに図1と関連して記載されている。このLEDの形式
は、極めて小型であり、場合によっては、多数の、その種のLEDを列−又はマ
トリックス構成に配列することができる。
ンタクト面が、導体バンド5上に取り付けられており、この導体バンド5は、電
圧源の一方の極に接続されており、それと対向している、電圧源の他方の極に接
続された導体バンド5は、ボンド線6を介してLED2の他方の電気コンタクト
面と接続されている。両導体バンド5は、高温で固体の熱可塑性樹脂で射出成型
されている。そうすることによって、基板1は、射出成型材内に成型され、この
基板内に切欠部1Aが設けられており、この切欠部内にLED2が内側に突入さ
れている。熱可塑性プラスチックは、有利には、約90%の高拡散屈折度を有し
ており、その結果、LED2から放射された光が付加的に切欠部1Aの斜め側壁
で、出口開口の方向に反射される。切欠部1Aは、コンバータ材料、例えば、適
切な色素を含むエポキシ樹脂のような透明樹脂材3で充填される。この樹脂材及
び熱可塑性樹脂は、相互に綿密に調整されており、従って、熱負荷ピーク値によ
り、機械的な障害が引き起こされないようになる。
で製造してもよい)によって、青色又は紫外線光が放射される。LED2からレ
ンズ4への経路上で、放射された比較的短い波長の光ビームが、コンバータ材を
含む樹脂充填材3中で、部分的に長波光ビームに変換される。殊に、青色LED
を用いる場合、青色光ビームを少なくとも部分的に黄色光ビームに変換するコン
バータ材料を使用することができる。この構成の問題点は、光ビームの種々異な
る波長が、LED2からレンズ4に至る迄コンバータ材料で充填された樹脂充填
部3内に入射されることである。こうすることにより、構成素子の縁領域内で、
黄色成分が光ビーム内で優勢となり、それに対して、中間では、青色成分が光ビ
ーム内で優勢となる。従って、この効果により、放射方向又は観察方向により、
放射光ビームの色位置が変わってしまう。
同じ大きさにし、光ビームをビーミングした形式で放射することができるLED
光源を提供することである。更に、そのような光源の製造方法を提供することに
ある。
。
素については、図1の光源の場合と同様の参照番号を付けている。図1の構成に
関して挙げた有利な要件の全ては、図2の本発明の構成でも使用可能である。
統一するようにして解決する。光ビームの波長を樹脂充填部3内で統一するため
に、樹脂充填部3を製造する際、凸面状表面3Aを有するように形成し、この凸
面状表面が、どの点でもLED2からほぼ同じ距離を有するようにされる。樹脂
充填部内に含まれるコンバータ材料の容積成分は、この統一された波長に沿って
、LED2から樹脂充填部3の凸面状表面3Aに至る迄、青色光ビームの十分に
大きな成分が、黄色ビーム成分に変換されるように調整され、その結果、このビ
ームは、人間の目には白色光ビームとして知覚される。従って、凸面状表面3A
の各点に、成分の等しい青色−黄色の色混合に基づいて、白色光が、その上に位
置しているレンズ4に入射する。
面4Aを有しており、この凹面状表面4Aは、樹脂充填部3の凸面状表面3Aと
形状結合されている。
ンド5は、熱可塑性材料によって囲まれるように射出成型されて、基板1が形成
され、LED2が基板1の切欠部1A内に位置するようにされる。その限りで、
この方法は、上述の、Moellmer und Waitl著の論文に記載されている。その際、
しかし、樹脂材料3は、切欠部1Aの縁に至る迄、この切欠部内に充填されては
おらず、正確に決められた充填高さ以下迄しか充填されていない。その際、前も
って作られたレンズ4(図2に示された、凹面状表面4Aの形状を有する)が、
未だ液体状の樹脂材料3内に装着され、その際、樹脂充填部の表面がレンズ4の
凹面状下側表面4Aに当接し、その結果、そうすることによって、樹脂充填部3
の凸面状表面3Aが形成される。レンズ4の装着後、樹脂充填部が硬化される。
不足する容量は、凹面状下側表面4Aが押し退けた容量に相応するように出来る
限り正確に調整する必要がある。
ンズ4の製造の際に既に決められている。この形状の条件は、本来の光源、即ち
、LEDの活性放射面の、この表面からの間隔が一定であるということにある。
このために、LEDの活性放射面は、点状であるものと仮定されて、活性放射面
の中心点に配置される。
。例えば、基板は、銅ブロックのような金属ブロックによって構成してもよく、
この金属ブロックは、切欠部を有しており、この切欠部の底面上に、LEDが、
その電気コンタクト面と共に取り付けられており、その結果、銅ブロックは、同
時にヒートシンク及び電気端子である。他の電気端子は、その際、銅ブロックの
外側表面上に、それらの間に設けられた絶縁層と共に成型されており、その際、
この電気端子は、LEDの他方のコンタクト面と、樹脂充填前にボンド線によっ
て接続されている。
法において、各方法ステップ、 −基板内に平坦な底面を有する切欠部を形成するステップ、 −LEDを前記底面上に取り付けるステップ、 −コンバータ材料を含む、所定量の透明材料、例えば、樹脂材料を切欠部内に充
填するステップ、 −凸面状上側表面及び凹面状下側表面が予め製造されたレンズを形成するステッ
プ、 −前記レンズの凹面状下側表面を、未だ液状の透明材料内に装着するステップ、
−前記透明材料を硬化するステップ とを有することを特徴とするLED光源の製造方法。
で製造してもよい)によって、青色又は紫外線光が放射される。LED2からレ
ンズ4への経路上で、放射された比較的短い波長の光ビームが、コンバータ材を
含む樹脂充填材3中で、部分的に長波光ビームに変換される。殊に、青色LED
を用いる場合、青色光ビームを少なくとも部分的に黄色光ビームに変換するコン
バータ材料を使用することができる。この構成の問題点は、光ビームの種々異な
る波長が、LED2からレンズ4に至る迄コンバータ材料で充填された樹脂充填
部3内に入射されることである。こうすることにより、構成素子の縁領域内で、
黄色成分が光ビーム内で優勢となり、それに対して、中間では、青色成分が光ビ
ーム内で優勢となる。従って、この効果により、放射方向又は観察方向により、
放射光ビームの色位置が変わってしまう。 米国特許第3875456号明細書からは、ケーシング又はレフレクタ内に設
けられた2つの半導体を有する半導体光源が公知である。この半導体は、散乱層
内に埋め込まれており、この散乱層は、レンズ状に成型されたカバーの後ろ側に
設けられている。この散乱層及びカバーは、相互に堆積された樹脂層から形成さ
れており、燐光を発する材料を含む。 米国特許第5847507号明細書には、半導体が、例えば、エポキシ樹脂の
レンズ状のカバー(蛍光発光物質を含む)によって囲まれている。 ヨーロッパ特許公開第0230336号公報には、リング状体及び光電素子が
取り付けられている基板を有する構成素子が示されており、その際、光電素子は
、リング開口内に設けられている。このリング開口は、透明材料で充填されてお
り、球面レンズによって閉じられており、この球面レンズは、基板に対向してリ
ング状体上に載置されており、透明材料と接触している。
Claims (13)
- 【請求項1】 LED光源であって、 −少なくとも1つのLED(2)と、 −前記LED(2)が設けられた切欠部(1A)を有する基板(1)と、 −前記LED(2)から放射された光の少なくとも部分的な波長変換用のコンバ
ータ材料が含まれている、前記LED(2)が埋め込まれた透明材料製の充填部
(3)と、 −前記材料充填部(3)と接触しているレンズ(4)と を有するLED光源において、 −レンズ(4)は、凹面状下側面(4A)を有していて、前記材料充填部(3)
上に取り付けられており、 −前記充填部(3)は、当該材料充填部(3)の上側表面が前記レンズの凹面状
下側面と形状結合するように、当該凸面状表面(3A)を有する ことを特徴とするLED光源。 - 【請求項2】 材料充填部(3)の容積は、中にLED(2)が配設された
切欠部(1A)の空き容積よりも小さい請求項1記載のLED光源。 - 【請求項3】 材料充填部(3)の凸面状表面(3A)及びレンズ(4)の
下側面(4A)は、当該両面がLED(2)からほぼ同じ距離を有するように成
型されている請求項1又は2記載のLED光源。 - 【請求項4】 材料充填部(3)の凸面状表面(3A)及びレンズ(4)の
下側面(4A)は、当該両面が活性放射面の幾何学的中心点からほぼ同じ距離を
有するように成型されている請求項1又は2記載のLED光源。 - 【請求項5】 LED(2)は、GaNベース上の青色放射LEDであり、
青色スペクトル領域内の光ビームを黄色スペクトル領域内の光ビームに変換する
ためのコンバータ材料が形成されている請求項1から4迄の何れか1記載のLE
D光源。 - 【請求項6】 LED(2)は、UV放射LEDであり、コンバータ材料は
、UV光を可視スペクトル領域内に変換する請求項1から4迄の何れか1記載の
LED光源。 - 【請求項7】 凸面状表面(3A)の、LED(2)からの距離、殊に、L
EDの活性放射面の幾何学的中心点からの距離が、光ビームの光路長に沿って、
変換度がほぼ50%であるように選定される請求項1から6迄の何れか1記載の
LED光源。 - 【請求項8】 光源は、表面組立技術用に製造されている請求項1から7迄
の何れか1記載のLED光源。 - 【請求項9】 材料充填部(3)は、樹脂材料、殊に、エポキシ樹脂を含む
請求項1から8迄の何れか1記載のLED光源。 - 【請求項10】 基板(1)は、熱可塑性材料を含む請求項1から9迄の何
れか1記載のLED光源。 - 【請求項11】 LED(2)は、当該LED(2)の電気的コンタクト面
が第1の導体路(5)上に取り付けられており、 前記LED(2)の他方の電気的コンタクト面は、ボンド線(6)によって第2
の導体路(5)と接続されており、 基板(1)は、導体路(5)の周囲に射出成型することによって製造されている
請求項1から10迄の何れか1記載のLED光源。 - 【請求項12】 切欠部(1A)の側壁は、斜めに形成されており、反射す
るようにされている請求項1から11迄の何れか1記載のLED光源。 - 【請求項13】 請求項1から12迄の何れか1記載のLED光源の製造方
法において、各方法ステップ、 −基板内に平坦な底面を有する切欠部を形成するステップ、 −LEDを前記底面上に取り付けるステップ、 −コンバータ材料を含む、所定量の透明材料、例えば、樹脂材料を切欠部内に充
填するステップ、 −凸面状上側表面及び凹面状下側表面が予め製造されたレンズを形成するステッ
プ、 −前記レンズの凹面状下側表面を、未だ液状の透明材料内に装着するステップ、
−前記透明材料を硬化するステップ とを有することを特徴とするLED光源の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19918370A DE19918370B4 (de) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | LED-Weißlichtquelle mit Linse |
DE19918370.8 | 1999-04-22 | ||
PCT/DE2000/001079 WO2000065664A1 (de) | 1999-04-22 | 2000-04-07 | Led-lichtquelle mit linse |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002543594A true JP2002543594A (ja) | 2002-12-17 |
JP5100926B2 JP5100926B2 (ja) | 2012-12-19 |
Family
ID=7905558
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000614512A Expired - Fee Related JP5100926B2 (ja) | 1999-04-22 | 2000-04-07 | レンズ付led光源 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US6759803B2 (ja) |
JP (1) | JP5100926B2 (ja) |
CN (4) | CN100452461C (ja) |
DE (1) | DE19918370B4 (ja) |
TW (1) | TW575966B (ja) |
WO (1) | WO2000065664A1 (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1521031A2 (en) | 2003-09-30 | 2005-04-06 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Light emitting diode lighting appliance and light emitting diode emergency light using the same |
JP2008502160A (ja) * | 2004-06-04 | 2008-01-24 | クリー インコーポレイテッド | 反射レンズを備えたパワー発光ダイパッケージおよびその作製方法 |
JP2008034806A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Cree Inc | 気泡なくレンズを配置するための内部メニスカスを備えた発光ダイオードパッケージ要素 |
US8507924B2 (en) | 2004-07-02 | 2013-08-13 | Cree, Inc. | Light emitting diode with high aspect ratio submicron roughness for light extraction and methods of forming |
US8519437B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-08-27 | Cree, Inc. | Polarization doping in nitride based diodes |
JP2013541202A (ja) * | 2010-09-14 | 2013-11-07 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ビーム放射デバイス |
WO2014007240A1 (ja) * | 2012-07-06 | 2014-01-09 | シャープ株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
US8679876B2 (en) | 2006-11-15 | 2014-03-25 | Cree, Inc. | Laser diode and method for fabricating same |
US8932886B2 (en) | 2004-06-04 | 2015-01-13 | Cree, Inc. | Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same |
US9012937B2 (en) | 2007-10-10 | 2015-04-21 | Cree, Inc. | Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same |
US9041139B2 (en) | 2007-01-19 | 2015-05-26 | Cree, Inc. | Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating |
JP2020534705A (ja) * | 2017-09-21 | 2020-11-26 | ヘレーウス ノーブルライト ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングHeraeus Noblelight GmbH | スペクトル分析装置用の広帯域の半導体ベースのuv光源 |
Families Citing this family (164)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19918370B4 (de) * | 1999-04-22 | 2006-06-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED-Weißlichtquelle mit Linse |
DE10020465A1 (de) * | 2000-04-26 | 2001-11-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
DE10023353A1 (de) * | 2000-05-12 | 2001-11-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
JP3956647B2 (ja) | 2001-05-25 | 2007-08-08 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光レ−ザの製造方法 |
DE10129785B4 (de) | 2001-06-20 | 2010-03-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE10142009B4 (de) * | 2001-08-28 | 2010-04-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED - Lichtquelle mit einem Konversionsmittel und mit einer UV-absorbierenden Schicht |
US20030057421A1 (en) * | 2001-09-27 | 2003-03-27 | Tzer-Perng Chen | High flux light emitting diode having flip-chip type light emitting diode chip with a transparent substrate |
US7186005B2 (en) * | 2001-10-18 | 2007-03-06 | Ilight Technologies, Inc. | Color-changing illumination device |
TWI229946B (en) | 2002-05-08 | 2005-03-21 | Phoseon Technology Inc | High efficiency solid-state light source and methods of use and manufacture |
DE10228634A1 (de) * | 2002-06-26 | 2004-01-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbare Miniatur-Lumineszenz-und/oder Photo-Diode und Verfahren zu deren Herstellung |
DE10229067B4 (de) | 2002-06-28 | 2007-08-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
US7244965B2 (en) * | 2002-09-04 | 2007-07-17 | Cree Inc, | Power surface mount light emitting die package |
US7775685B2 (en) | 2003-05-27 | 2010-08-17 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
JP4074498B2 (ja) * | 2002-09-25 | 2008-04-09 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光型発光素子、光モジュールおよび光伝達装置 |
JP4143732B2 (ja) * | 2002-10-16 | 2008-09-03 | スタンレー電気株式会社 | 車載用波長変換素子 |
JP2004158635A (ja) * | 2002-11-06 | 2004-06-03 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型チップled及びその製造方法 |
US7692206B2 (en) | 2002-12-06 | 2010-04-06 | Cree, Inc. | Composite leadframe LED package and method of making the same |
US20040183081A1 (en) * | 2003-03-20 | 2004-09-23 | Alexander Shishov | Light emitting diode package with self dosing feature and methods of forming same |
DE10315131A1 (de) * | 2003-04-03 | 2004-10-14 | Hella Kg Hueck & Co. | Scheinwerfer für Fahrzeuge |
US7318659B2 (en) * | 2004-03-03 | 2008-01-15 | S. C. Johnson & Son, Inc. | Combination white light and colored LED light device with active ingredient emission |
DE102004001312B4 (de) * | 2003-07-25 | 2010-09-30 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Chip-Leuchtdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung |
CN100413057C (zh) * | 2003-07-30 | 2008-08-20 | 关西电力株式会社 | 高耐热半导体装置 |
US7915085B2 (en) | 2003-09-18 | 2011-03-29 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method |
US6942360B2 (en) * | 2003-10-01 | 2005-09-13 | Enertron, Inc. | Methods and apparatus for an LED light engine |
DE10346452A1 (de) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Schefenacker Vision Systems | Leuchtelement mit Einlegelichtleitkörper |
EP1678442B8 (en) * | 2003-10-31 | 2013-06-26 | Phoseon Technology, Inc. | Led light module and manufacturing method |
DE602004024710D1 (de) * | 2003-12-10 | 2010-01-28 | Okaya Electric Industry Co | Anzeigelampe |
DE10361650A1 (de) * | 2003-12-30 | 2005-08-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Modul und Verfahren zu dessen Herstellung |
CN100341160C (zh) * | 2004-02-27 | 2007-10-03 | 沈育浓 | 发光二极管晶片封装体及其封装方法 |
TWI312583B (en) | 2004-03-18 | 2009-07-21 | Phoseon Technology Inc | Micro-reflectors on a substrate for high-density led array |
TWI257184B (en) * | 2004-03-24 | 2006-06-21 | Toshiba Lighting & Technology | Lighting apparatus |
US7517728B2 (en) * | 2004-03-31 | 2009-04-14 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element |
US7326583B2 (en) | 2004-03-31 | 2008-02-05 | Cree, Inc. | Methods for packaging of a semiconductor light emitting device |
US7279346B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-10-09 | Cree, Inc. | Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another |
US8227820B2 (en) | 2005-02-09 | 2012-07-24 | The Regents Of The University Of California | Semiconductor light-emitting device |
US20080121917A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | The Regents Of The University Of California | High efficiency white, single or multi-color light emitting diodes (leds) by index matching structures |
US7768023B2 (en) * | 2005-10-14 | 2010-08-03 | The Regents Of The University Of California | Photonic structures for efficient light extraction and conversion in multi-color light emitting devices |
US7994527B2 (en) * | 2005-11-04 | 2011-08-09 | The Regents Of The University Of California | High light extraction efficiency light emitting diode (LED) |
US7878232B2 (en) * | 2004-07-09 | 2011-02-01 | GE Lighting Solutions, LLC | Light emitting chip apparatuses with a thermally superconducting heat transfer medium for thermal management |
US7233106B2 (en) * | 2004-07-14 | 2007-06-19 | Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. | LED chip capping construction |
EP1622237A1 (de) * | 2004-07-28 | 2006-02-01 | Infineon Technologies Fiber Optics GmbH | Optisches oder elektronisches Modul und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP4659414B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2011-03-30 | アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド | 発光ダイオード及びそれを用いる発光制御システム |
DE102004045950A1 (de) | 2004-09-22 | 2006-03-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
CN100449801C (zh) * | 2004-09-30 | 2009-01-07 | 晶元光电股份有限公司 | 半导体发光元件组成 |
DE102004050371A1 (de) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement mit einer drahtlosen Kontaktierung |
TWI277222B (en) * | 2004-10-29 | 2007-03-21 | Lighthouse Technology Co Ltd | LED module and method of packing the same |
KR100628001B1 (ko) | 2004-11-12 | 2006-09-26 | 주식회사 메디아나전자 | 2개의 형광체를 이용하는 파스텔 칼라 발광 다이오드 소자및 그 제조방법 |
KR100580753B1 (ko) | 2004-12-17 | 2006-05-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
CN100388514C (zh) * | 2005-01-20 | 2008-05-14 | 财团法人工业技术研究院 | 一种镜体及应用镜体的均匀发光的发光二极管 |
US7939842B2 (en) * | 2005-01-27 | 2011-05-10 | Cree, Inc. | Light emitting device packages, light emitting diode (LED) packages and related methods |
KR101204115B1 (ko) | 2005-02-18 | 2012-11-22 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 배광 특성을 제어하기 위한 렌즈를 구비한 발광 장치 |
KR101136344B1 (ko) * | 2005-04-06 | 2012-04-18 | 삼성전자주식회사 | 광학 렌즈, 이를 갖는 광학 모듈, 이를 갖는 백라이트어셈블리 및 이를 갖는 표시 장치 |
DE102005036520A1 (de) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optisches Bauteil, optoelektronisches Bauelement mit dem Bauteil und dessen Herstellung |
US7980743B2 (en) | 2005-06-14 | 2011-07-19 | Cree, Inc. | LED backlighting for displays |
WO2006138626A2 (en) * | 2005-06-17 | 2006-12-28 | The Regents Of The University Of California | (AI,Ga,In)N AND ZnO DIRECT WAFER BONDED STRUCTURE FOR OPTOELECTRONIC APPLICATION AND ITS FABRICATION METHOD |
DE102005034793B3 (de) * | 2005-07-21 | 2007-04-19 | G.L.I. Global Light Industries Gmbh | Lichtemittierende Halbleiterdiode hoher Lichtleistung |
WO2007018927A2 (en) * | 2005-07-22 | 2007-02-15 | Illumination Management Solutions, Inc. | A light-conducting pedestal configuration for an led |
US20070075629A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | The Regents Of The University Of California | Nitride and oxy-nitride cerium based phosphor materials for solid-state lighting applications |
US20070102718A1 (en) * | 2005-11-07 | 2007-05-10 | Akira Takekuma | Lens in light emitting device |
EP1969647A4 (en) * | 2005-12-08 | 2012-08-01 | Univ California | LIGHTING DIODE (LED) WITH HIGH EFFICIENCY |
KR20080106402A (ko) | 2006-01-05 | 2008-12-05 | 일루미텍스, 인크. | Led로부터 광을 유도하기 위한 개별 광학 디바이스 |
US7182627B1 (en) * | 2006-01-06 | 2007-02-27 | Advanced Thermal Devices, Inc. | High illumosity lighting assembly |
US8044412B2 (en) | 2006-01-20 | 2011-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Package for a light emitting element |
EP1816688B1 (en) * | 2006-02-02 | 2016-11-02 | LG Electronics Inc. | Light emitting diode package |
US7737634B2 (en) * | 2006-03-06 | 2010-06-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | LED devices having improved containment for liquid encapsulant |
US7808004B2 (en) * | 2006-03-17 | 2010-10-05 | Edison Opto Corporation | Light emitting diode package structure and method of manufacturing the same |
DE112007000775B4 (de) * | 2006-03-28 | 2012-12-06 | Kyocera Corp. | Lichtemittierende Vorrichtung |
US8969908B2 (en) | 2006-04-04 | 2015-03-03 | Cree, Inc. | Uniform emission LED package |
JP2007311707A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Ushio Inc | 紫外線発光素子パッケージ |
US8075140B2 (en) * | 2006-07-31 | 2011-12-13 | 3M Innovative Properties Company | LED illumination system with polarization recycling |
JP2009545894A (ja) | 2006-07-31 | 2009-12-24 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 中空集光レンズを有するled源 |
EP2049947A1 (en) | 2006-07-31 | 2009-04-22 | 3M Innovative Properties Company | Optical projection subsystem |
US7943952B2 (en) * | 2006-07-31 | 2011-05-17 | Cree, Inc. | Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method |
US20080051135A1 (en) * | 2006-07-31 | 2008-02-28 | 3M Innovative Properties Company | Combination camera/projector system |
US20080029774A1 (en) * | 2006-08-04 | 2008-02-07 | Acol Technologies S.A. | Semiconductor light source packages with broadband and angular uniformity support |
TWI418054B (zh) * | 2006-08-08 | 2013-12-01 | Lg Electronics Inc | 發光裝置封裝與製造此封裝之方法 |
US20080064131A1 (en) * | 2006-09-12 | 2008-03-13 | Mutual-Tek Industries Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method for the same |
DE102006046301A1 (de) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optisches Element, strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements |
US7789531B2 (en) * | 2006-10-02 | 2010-09-07 | Illumitex, Inc. | LED system and method |
US20090275157A1 (en) * | 2006-10-02 | 2009-11-05 | Illumitex, Inc. | Optical device shaping |
US7808013B2 (en) | 2006-10-31 | 2010-10-05 | Cree, Inc. | Integrated heat spreaders for light emitting devices (LEDs) and related assemblies |
US10295147B2 (en) | 2006-11-09 | 2019-05-21 | Cree, Inc. | LED array and method for fabricating same |
US20090121250A1 (en) * | 2006-11-15 | 2009-05-14 | Denbaars Steven P | High light extraction efficiency light emitting diode (led) using glass packaging |
TW200837997A (en) * | 2006-11-15 | 2008-09-16 | Univ California | High light extraction efficiency sphere LED |
EP2087563B1 (en) * | 2006-11-15 | 2014-09-24 | The Regents of The University of California | Textured phosphor conversion layer light emitting diode |
TWI633679B (zh) | 2006-11-15 | 2018-08-21 | 美國加利福尼亞大學董事會 | 豎立式透明無鏡發光二極體 |
TW200830593A (en) * | 2006-11-15 | 2008-07-16 | Univ California | Transparent mirrorless light emitting diode |
US7889421B2 (en) | 2006-11-17 | 2011-02-15 | Rensselaer Polytechnic Institute | High-power white LEDs and manufacturing method thereof |
DE102006056272A1 (de) | 2006-11-27 | 2008-05-29 | Bernd Kussmaul Gmbh | Beleuchtbarer Körper und Verfahren zu seiner Herstellung |
TWI460881B (zh) | 2006-12-11 | 2014-11-11 | Univ California | 透明發光二極體 |
DE102006059994A1 (de) * | 2006-12-19 | 2008-06-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
KR100851183B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2008-08-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 패키지 |
US9024349B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-05-05 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
US8232564B2 (en) | 2007-01-22 | 2012-07-31 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes |
DE102007006349A1 (de) | 2007-01-25 | 2008-07-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anordnung zur Erzeugung von Mischlicht und Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung |
DE102007004807A1 (de) * | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Licht emittierende Einrichtung mit optischem Körper |
DE102007025092A1 (de) | 2007-05-30 | 2008-12-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiodenchip |
WO2008151009A1 (en) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Lumination Llc | Environmentally robust lighting devices and methods of manufacturing same |
CN101315484B (zh) * | 2007-06-01 | 2011-09-28 | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 | 光源组件及包括光源组件的背光模组 |
KR100801621B1 (ko) * | 2007-06-05 | 2008-02-11 | 서울반도체 주식회사 | Led 패키지 |
US7911059B2 (en) * | 2007-06-08 | 2011-03-22 | SeniLEDS Optoelectronics Co., Ltd | High thermal conductivity substrate for a semiconductor device |
KR101623422B1 (ko) | 2007-06-27 | 2016-05-23 | 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 | 고 효율 백색 발광 다이오드들을 위한 광학 설계들 |
KR100880638B1 (ko) | 2007-07-06 | 2009-01-30 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
US9401461B2 (en) * | 2007-07-11 | 2016-07-26 | Cree, Inc. | LED chip design for white conversion |
US10505083B2 (en) * | 2007-07-11 | 2019-12-10 | Cree, Inc. | Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same |
TWI347687B (en) * | 2007-07-13 | 2011-08-21 | Lite On Technology Corp | Light-emitting device with open-loop control |
JP4888280B2 (ja) * | 2007-08-28 | 2012-02-29 | パナソニック電工株式会社 | 発光装置 |
US20090065792A1 (en) * | 2007-09-07 | 2009-03-12 | 3M Innovative Properties Company | Method of making an led device having a dome lens |
US8444299B2 (en) | 2007-09-25 | 2013-05-21 | Enertron, Inc. | Dimmable LED bulb with heatsink having perforated ridges |
TWI360238B (en) * | 2007-10-29 | 2012-03-11 | Epistar Corp | Photoelectric device |
JP5212777B2 (ja) * | 2007-11-28 | 2013-06-19 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及び照明装置 |
US8167674B2 (en) | 2007-12-14 | 2012-05-01 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
US9041285B2 (en) | 2007-12-14 | 2015-05-26 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
EP2240968A1 (en) | 2008-02-08 | 2010-10-20 | Illumitex, Inc. | System and method for emitter layer shaping |
US8637883B2 (en) | 2008-03-19 | 2014-01-28 | Cree, Inc. | Low index spacer layer in LED devices |
JP5216384B2 (ja) * | 2008-03-19 | 2013-06-19 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
US8877524B2 (en) | 2008-03-31 | 2014-11-04 | Cree, Inc. | Emission tuning methods and devices fabricated utilizing methods |
CN101626054B (zh) * | 2008-07-10 | 2011-05-18 | 一品光学工业股份有限公司 | 非球面宽照角光学镜片及其所构成的发光二极管组件 |
TWI363907B (en) * | 2008-08-05 | 2012-05-11 | Au Optronics Corp | Backlight module and light emitting diode thereof |
JP5284006B2 (ja) * | 2008-08-25 | 2013-09-11 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
US7932529B2 (en) * | 2008-08-28 | 2011-04-26 | Visera Technologies Company Limited | Light-emitting diode device and method for fabricating the same |
TW201034256A (en) | 2008-12-11 | 2010-09-16 | Illumitex Inc | Systems and methods for packaging light-emitting diode devices |
TWI463708B (zh) * | 2009-02-24 | 2014-12-01 | Advanced Optoelectronic Tech | 側面出光型發光元件封裝結構及其製造方法 |
KR101041381B1 (ko) * | 2009-03-20 | 2011-06-15 | (주)레인보우옵틱코리아 | 띠무늬 제거기능을 가지는 led 조명장치 |
US8184440B2 (en) * | 2009-05-01 | 2012-05-22 | Abl Ip Holding Llc | Electronic apparatus having an encapsulating layer within and outside of a molded frame overlying a connection arrangement on a circuit board |
WO2010132517A2 (en) * | 2009-05-12 | 2010-11-18 | David Gershaw | Led retrofit for miniature bulbs |
KR101058718B1 (ko) * | 2009-06-19 | 2011-08-22 | 삼성전기주식회사 | 노광 장치 |
CN101936500A (zh) * | 2009-06-30 | 2011-01-05 | 富准精密工业(深圳)有限公司 | 发光二极管模组 |
US8449128B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-05-28 | Illumitex, Inc. | System and method for a lens and phosphor layer |
US8585253B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-11-19 | Illumitex, Inc. | System and method for color mixing lens array |
CN102003676B (zh) * | 2009-08-28 | 2012-10-10 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 透镜 |
CN101672437A (zh) * | 2009-09-18 | 2010-03-17 | 深圳市华海诚信电子显示技术有限公司 | 一种led模块和一种led屏 |
KR100986468B1 (ko) * | 2009-11-19 | 2010-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 렌즈 및 렌즈를 갖는 발광 장치 |
DE102009046872B4 (de) | 2009-11-19 | 2018-06-21 | Ifm Electronic Gmbh | Berührungslos arbeitendes elektronisches Schaltgerät mit einer optischen Schaltzustandsanzeige |
JP2011142268A (ja) * | 2010-01-08 | 2011-07-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光モジュールおよびその製造方法 |
US8646949B2 (en) * | 2010-03-03 | 2014-02-11 | LumenFlow Corp. | Constrained folded path resonant white light scintillator |
KR101554542B1 (ko) * | 2010-05-03 | 2015-09-21 | 오스람 실바니아 인코포레이티드 | 열사이펀 광 엔진 및 이를 포함하는 조명 기구 |
JP2012019062A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 発光半導体装置、実装基板及びそれらの製造方法 |
US10546846B2 (en) | 2010-07-23 | 2020-01-28 | Cree, Inc. | Light transmission control for masking appearance of solid state light sources |
DE102010045403A1 (de) | 2010-09-15 | 2012-03-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
US9166126B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-10-20 | Cree, Inc. | Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same |
FI122809B (fi) * | 2011-02-15 | 2012-07-13 | Marimils Oy | Valolähde ja valolähdenauha |
KR20120093679A (ko) * | 2011-02-15 | 2012-08-23 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
US9004724B2 (en) | 2011-03-21 | 2015-04-14 | GE Lighting Solutions, LLC | Reflector (optics) used in LED deco lamp |
DE102011105010A1 (de) * | 2011-06-20 | 2012-12-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
US8558252B2 (en) | 2011-08-26 | 2013-10-15 | Cree, Inc. | White LEDs with emission wavelength correction |
KR101817807B1 (ko) | 2011-09-20 | 2018-01-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명시스템 |
US8500300B2 (en) * | 2011-10-03 | 2013-08-06 | National Applied Research Laboratories | Optical lens, light-emitting diode optical component and light-emitting diode road lamp |
US9046241B2 (en) | 2011-11-12 | 2015-06-02 | Jingqun Xi | High efficiency directional light source using lens optics |
US8564004B2 (en) * | 2011-11-29 | 2013-10-22 | Cree, Inc. | Complex primary optics with intermediate elements |
US9450152B2 (en) * | 2012-05-29 | 2016-09-20 | Micron Technology, Inc. | Solid state transducer dies having reflective features over contacts and associated systems and methods |
CN103515511B (zh) * | 2012-06-29 | 2016-08-03 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其封装方法 |
KR20140044103A (ko) * | 2012-10-04 | 2014-04-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP5904671B2 (ja) * | 2013-03-19 | 2016-04-20 | 京セラコネクタプロダクツ株式会社 | 半導体発光素子を備える照明器具 |
US9041286B2 (en) * | 2013-05-29 | 2015-05-26 | Venntis Technologies LLC | Volumetric light emitting device |
DE102013213073A1 (de) * | 2013-07-04 | 2015-01-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes |
FR3016023A1 (fr) * | 2013-12-26 | 2015-07-03 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif d'eclairage de forme spherique |
CN106463591A (zh) | 2014-06-02 | 2017-02-22 | 3M创新有限公司 | 带有远程荧光粉和外壳反射器的led |
US10622522B2 (en) * | 2014-09-05 | 2020-04-14 | Theodore Lowes | LED packages with chips having insulated surfaces |
DE102016104659A1 (de) * | 2016-03-14 | 2017-09-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauteil |
US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
US11876042B2 (en) | 2020-08-03 | 2024-01-16 | Feit Electric Company, Inc. | Omnidirectional flexible light emitting device |
CN114420827A (zh) * | 2021-12-22 | 2022-04-29 | 华南理工大学 | 一种高对比度显示屏led器件及其制造方法 |
WO2023229405A1 (ko) * | 2022-05-25 | 2023-11-30 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5680181A (en) * | 1979-12-05 | 1981-07-01 | Toshiba Corp | Semiconductor luminous device |
JPH0927642A (ja) * | 1995-07-13 | 1997-01-28 | Clarion Co Ltd | 照明装置 |
JPH0983018A (ja) * | 1995-09-11 | 1997-03-28 | Nippon Denyo Kk | 発光ダイオードユニット |
JPH10107325A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びそれを用いた表示装置 |
JPH1117229A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-22 | Iwasaki Electric Co Ltd | 反射型発光ダイオード及びその実装方法 |
JPH1187778A (ja) * | 1997-09-02 | 1999-03-30 | Toshiba Corp | 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3593055A (en) * | 1969-04-16 | 1971-07-13 | Bell Telephone Labor Inc | Electro-luminescent device |
JPS48102585A (ja) * | 1972-04-04 | 1973-12-22 | ||
DE3128187A1 (de) * | 1981-07-16 | 1983-02-03 | Joachim 8068 Pfaffenhofen Sieg | Opto-elektronisches bauelement |
FR2593930B1 (fr) * | 1986-01-24 | 1989-11-24 | Radiotechnique Compelec | Dispositif opto-electronique pour montage en surface |
JPS62196878A (ja) | 1986-02-25 | 1987-08-31 | Koito Mfg Co Ltd | 照明装置 |
US5043716A (en) * | 1988-07-14 | 1991-08-27 | Adaptive Micro Systems, Inc. | Electronic display with lens matrix |
DE19638667C2 (de) * | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
JP4024892B2 (ja) | 1996-12-24 | 2007-12-19 | 化成オプトニクス株式会社 | 蓄光性発光素子 |
US6274890B1 (en) * | 1997-01-15 | 2001-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
JP2998696B2 (ja) | 1997-05-17 | 2000-01-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード |
US5847507A (en) * | 1997-07-14 | 1998-12-08 | Hewlett-Packard Company | Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens |
DE19755734A1 (de) | 1997-12-15 | 1999-06-24 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes |
US6155699A (en) * | 1999-03-15 | 2000-12-05 | Agilent Technologies, Inc. | Efficient phosphor-conversion led structure |
DE19918370B4 (de) * | 1999-04-22 | 2006-06-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED-Weißlichtquelle mit Linse |
JP3948650B2 (ja) * | 2001-10-09 | 2007-07-25 | アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド | 発光ダイオード及びその製造方法 |
-
1999
- 1999-04-22 DE DE19918370A patent/DE19918370B4/de not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-04-07 CN CNB200610101194XA patent/CN100452461C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-07 CN CN00806593.4A patent/CN1196204C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-07 JP JP2000614512A patent/JP5100926B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-04-07 WO PCT/DE2000/001079 patent/WO2000065664A1/de active Application Filing
- 2000-04-07 CN CN200510009164.1A patent/CN100555681C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-07 CN CNB2006101011954A patent/CN100452462C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-19 TW TW89107343A patent/TW575966B/zh not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-10-22 US US10/007,398 patent/US6759803B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-06-05 US US10/454,919 patent/US6746295B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-05-25 US US10/854,098 patent/US7126273B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-09-13 US US11/520,104 patent/US7594840B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5680181A (en) * | 1979-12-05 | 1981-07-01 | Toshiba Corp | Semiconductor luminous device |
JPH0927642A (ja) * | 1995-07-13 | 1997-01-28 | Clarion Co Ltd | 照明装置 |
JPH0983018A (ja) * | 1995-09-11 | 1997-03-28 | Nippon Denyo Kk | 発光ダイオードユニット |
JPH10107325A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びそれを用いた表示装置 |
JPH1117229A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-22 | Iwasaki Electric Co Ltd | 反射型発光ダイオード及びその実装方法 |
JPH1187778A (ja) * | 1997-09-02 | 1999-03-30 | Toshiba Corp | 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1521031A2 (en) | 2003-09-30 | 2005-04-06 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Light emitting diode lighting appliance and light emitting diode emergency light using the same |
JP2008502160A (ja) * | 2004-06-04 | 2008-01-24 | クリー インコーポレイテッド | 反射レンズを備えたパワー発光ダイパッケージおよびその作製方法 |
US8932886B2 (en) | 2004-06-04 | 2015-01-13 | Cree, Inc. | Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same |
US8507924B2 (en) | 2004-07-02 | 2013-08-13 | Cree, Inc. | Light emitting diode with high aspect ratio submicron roughness for light extraction and methods of forming |
JP2008034806A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Cree Inc | 気泡なくレンズを配置するための内部メニスカスを備えた発光ダイオードパッケージ要素 |
US8679876B2 (en) | 2006-11-15 | 2014-03-25 | Cree, Inc. | Laser diode and method for fabricating same |
US9041139B2 (en) | 2007-01-19 | 2015-05-26 | Cree, Inc. | Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating |
US8519437B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-08-27 | Cree, Inc. | Polarization doping in nitride based diodes |
US9012937B2 (en) | 2007-10-10 | 2015-04-21 | Cree, Inc. | Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same |
US8937330B2 (en) | 2010-09-14 | 2015-01-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Radiation-emitting component |
JP2013541202A (ja) * | 2010-09-14 | 2013-11-07 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ビーム放射デバイス |
WO2014007240A1 (ja) * | 2012-07-06 | 2014-01-09 | シャープ株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP2020534705A (ja) * | 2017-09-21 | 2020-11-26 | ヘレーウス ノーブルライト ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングHeraeus Noblelight GmbH | スペクトル分析装置用の広帯域の半導体ベースのuv光源 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1881635A (zh) | 2006-12-20 |
CN100452461C (zh) | 2009-01-14 |
US20030211804A1 (en) | 2003-11-13 |
JP5100926B2 (ja) | 2012-12-19 |
US20070010157A1 (en) | 2007-01-11 |
US6746295B2 (en) | 2004-06-08 |
US7594840B2 (en) | 2009-09-29 |
CN1348608A (zh) | 2002-05-08 |
US20020057057A1 (en) | 2002-05-16 |
DE19918370A1 (de) | 2000-11-02 |
US7126273B2 (en) | 2006-10-24 |
CN1881636A (zh) | 2006-12-20 |
CN100452462C (zh) | 2009-01-14 |
US6759803B2 (en) | 2004-07-06 |
WO2000065664A1 (de) | 2000-11-02 |
CN1196204C (zh) | 2005-04-06 |
US20040232825A1 (en) | 2004-11-25 |
TW575966B (en) | 2004-02-11 |
DE19918370B4 (de) | 2006-06-08 |
CN100555681C (zh) | 2009-10-28 |
CN1645638A (zh) | 2005-07-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2002543594A (ja) | レンズ付led光源 | |
US8735931B2 (en) | Light emitting diode package and fabrication method thereof | |
US7847302B2 (en) | Blue LED with phosphor layer for producing white light and different phosphor in outer lens for reducing color temperature | |
JP5646799B2 (ja) | Ledダイ上のオーバーモールドレンズ | |
TWI393841B (zh) | 背光用發光二極體之寬發光透鏡 | |
TWI473291B (zh) | 發光二極體元件 | |
KR101148332B1 (ko) | 콤팩트 광학 특성을 지닌 높은 전력의 발광 소자 패키지 | |
KR101190414B1 (ko) | 광학 요소를 가지는 플렉시블 필름을 포함한 반도체 발광소자들 및 이를 조립하는 방법 | |
KR100631903B1 (ko) | 고출력 led 하우징 및 그 제조 방법 | |
JP2000156528A (ja) | 発光素子 | |
JPH11289098A (ja) | オプトエレクトロニクス半導体デバイス及び照明灯又はランプ | |
US8757833B2 (en) | Light emitting device package | |
US10529901B2 (en) | Light emitting diode package and method for fabricating the same | |
KR102116749B1 (ko) | 반사기를 구비한 소자 및 소자들을 제조하기 위한 방법 | |
KR20060025152A (ko) | 레이저다이오드 소자의 제조 방법, 레이저다이오드 소자의하우징 및 레이저다이오드 소자 | |
KR20090073598A (ko) | Led 패키지 | |
US20090189171A1 (en) | Light emitting diode package | |
CN210110833U (zh) | 一种大功率led发光器件封装结构 | |
KR101309760B1 (ko) | 볼록한 반사면을 구비한 반사컵을 채택한 발광 다이오드패키지 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091211 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100308 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100315 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100601 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101001 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101228 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120411 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120416 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120613 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120731 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120926 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151005 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5100926 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |