JPH1117229A - 反射型発光ダイオード及びその実装方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 実装密度を高めることができると共に、実装
方向精度の向上を図ることができる反射型発光ダイオー
ドを提供する。 【解決手段】 端子１２ａ，１２ｂと端子１２ｃ，１２
ｄとは、光透過性材料１４の側面から互いに反対方向に
引き出される。端子１２ａ，１２ｂは発光素子１１に電
力を供給するためのものであり、端子１２ｃ，１２ｄは
発光ダイオード１０を基板３０に固定するためのもので
ある。各端子１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄは周辺部
１７の近傍で凹面状反射面１５の側に略直角に折り曲げ
られ、さらに、各端子１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ
の先端部Ａが内側に略直角に折り曲げられる。また、凹
面状反射面１５の中心軸方向における各端子１２ａ，１
２ｂ，１２ｃ，１２ｄの最下端部Ｂは、凹面状反射面１
５の底部より０ｍｍより大きく１ｍｍ以下である範囲内
で凹面状反射面１５の下方に位置する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子が発する
光を凹面状反射面で反射した後に外部に放射する反射型
発光ダイオード及びその実装方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図６は従来のディスクリート実装型の反
射型発光ダイオードの概略側面図である。図６に示す反
射型発光ダイオード５０は、発光素子５１と、四本の端
子５２と、光透過性材料５３と、発光素子５１の発光面
に対向して設けられた凹面状反射面５４と、凹面状反射
面５４で反射した光を外部に放射する放射面５５と、凹
面状反射面５４の周辺に形成された周辺部５６とを有す
る。四本の端子５２は、二本ずつ、光透過性材料５３の
側面から互いに反対方向に引き出されている。また、各
端子５２は周辺部５６の近傍で凹面状反射面５４の側に
折り曲げられる。尚、凹面状反射面５４は、光透過性材
料５３の一方の面上に、ＡｇやＡｌ等を材料としてメッ
キや蒸着等により鏡面加工したものである。

【０００３】かかる反射型発光ダイオード５０は、外部
放射効率が高く、薄型化を図ることができるという特徴
がある。また、反射型発光ダイオード５０を作製するに
は、トランスファーモールド法が用いられており、この
ため、凹面状反射面５４、放射面５５及び周辺部５６を
精度よく成形でき、さらに、リードフレームを金型に挟
んで光学面を形成することにより、発光素子５１と光学
面との位置関係の精度が高いものとできるので、配光特
性のばらつきが少ないという特徴もある。

【０００４】また、反射型発光ダイオード５０を実装す
る基板７０には、図６に示すように、端子５２を挿入す
るための端子差し込み用孔７１と、凹面状反射面５４の
底部が挿入される開口部７２とが形成されている。基板
７０の裏面には、回路パターンが形成されている。反射
型発光ダイオード５０を基板７０に実装するには、ま
ず、端子５２を端子差し込み用孔７１に挿入して、周辺
部５６の下端面を基板７０の表面に当接させる。次に、
端子５２を半田付けすることにより、反射型発光ダイオ
ード５０を固定すると共に、端子５２を回路パターンと
接続する。

【０００５】最近、電子部品については、実装の容易さ
と両面実装を含む高密度実装のために表面実装化が進ん
でいる。しかし、このようなディスクリート実装型の反
射型発光ダイオード５０では、端子５２を端子差し込み
用孔７１に挿入する必要があるため、作業に手間がかか
るという問題がある。しかも、端子５２の先端部が基板
７０の裏面から出てしまうため、両面実装ができない。
このため、これまでに、図７に示すような表面実装型の
反射型発光ダイオードが考案されている。

【０００６】図７に示す表面実装型の反射型発光ダイオ
ード５０ａは、ディスクリート実装型のものとは、端子
５２ａの折り曲げ形状のみが異なる。すなわち、各端子
５２ａは、周辺部５６の近傍で凹面状反射面５４の側に
折り曲げられると共に、各端子５２ａの先端部Ａを外側
に折り曲げている。反射型発光ダイオード５０ａを基板
７０ａに実装するには、作業者が、各端子５２ａの先端
部Ａを基板７０ａの所定位置に載せて、手で半田付けを
する。ここで、手で半田付けを行うのは次の理由によ
る。通常、表面実装型の電子部品の多くは、クリーム半
田を用い、リフロー炉により実装される。しかし、Ａ
ｇ、Ａｌ等の蒸着膜の付着強度は、リフロー炉の温度に
おいて蒸着膜と光透過性材料５３との熱膨張・熱収縮に
耐えることができるものではなく、凹面状反射面５４が
ダメージを受けるため、凹面状反射面５４はリフロー炉
に対応できないからである。また、各端子５２ａの先端
部Ａが外側に折り曲げられているのは、半田付けを容易
に行うため、及び、半田ゴテによる凹面状反射面５４へ
の熱的影響を極力避けるためである。尚、各端子５２ａ
の先端部Ａを基板７０ａ上へ載せたときに、基板７０ａ
と凹面状反射面５４との間隔が十分に空くものとしてい
る。これは、凹面状反射面５４が基板７０ａと接触して
傷が付くのを防止するためである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、一般の電子
部品は所望の電気特性が得られればよいので、高い実装
方向精度は要求されない。これに対し、発光ダイオード
のような電子部品では、所望の光学特性を得るため実装
方向精度が要求される場合がある。すなわち、例えば±
３０度以上の広い指向角を持った発光ダイオードでは、
数度の実装方向のずれは特に問題にならないため、電気
特性が得られるように実装すれば、光学特性としても十
分なものとなる。一方、平行光を放射するような指向性
の強い光を発する発光ダイオードでは、数度の実装方向
のずれによって、特に目的の照射位置が離れているとき
に、目的の照射位置への光の照射ができないといった問
題が生じるため、高い実装方向精度が要求される。しか
し、従来の表面実装型の反射型発光ダイオードでは、実
装方向精度に対する考慮が払われていなかった。また、
従来の表面実装型の反射型発光ダイオードでは、端子の
先端部を外曲げしているため、多数の発光ダイオードを
基板に配列するときに、端子の引き出し方向に対しては
その配列間隔を狭くすることができず、実装密度が低い
という問題があった。

【０００８】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、実装密度を高めることができると共に、実装方
向精度の向上を図ることができる反射型発光ダイオード
を提供することを目的とするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明は、発光素子と、前記発光素子に電力を供給
するリード部を含む複数の端子と、前記発光素子の発光
面に対向して設けられた凹面状反射面と、前記凹面状反
射面で反射した光を外部に放射する放射面と、前記発光
素子及び前記複数の端子の一部を封止すると共に前記凹
面状反射面と前記放射面との間の空間を埋める光透過性
材料とを備える反射型発光ダイオードにおいて、前記放
射面に略平行に前記光透過性材料の側面から引き出され
た前記端子を前記光透過性材料の近傍で前記凹面状反射
面の側に折り曲げると共に前記端子の先端部を内側に折
り曲げ、且つ、前記凹面状反射面の中心軸方向における
前記端子の最下端部が前記凹面状反射面の底部より０ｍ
ｍより大きく１ｍｍ以下である範囲内で前記凹面状反射
面の下方に位置するように構成したことを特徴とするも
のである。

【００１０】ここで、複数の端子には、発光素子に電力
を供給するリード部の他に、電気配線には無関係で、反
射型発光ダイオードを基板に固定するためのリード部が
含まれることがある。光透過性材料の側面から引き出さ
れた端子を凹面状反射面の側に折り曲げると共に端子の
先端部を内側に折り曲げたことにより、多数の反射型発
光ダイオードを端子の引き出し方向に配列するときに、
端子の先端部が邪魔にならず、反射型発光ダイオードの
配列間隔を狭くすることができるので、実装密度の向上
を図ることができる。また、凹面状反射面の中心軸方向
における端子の最下端部が、凹面状反射面の底部より０
ｍｍより大きく１ｍｍ以下である範囲内で凹面状反射面
の下方に位置するように構成したことにより、凹面状反
射面が基板に接触して傷付けられることがないので、外
部放射効率の低下を防止することができる。しかも、従
来のものに比べて端子長を短くすることができるので、
実装方向精度の向上を図ることができる。

【００１１】かかる反射型発光ダイオードを基板に表面
実装するには、まず、基板上に形成された回路パターン
の所定位置にクリーム半田を載せ、端子の最下端部をク
リーム半田に重ねて反射型発光ダイオードを基板に載置
する。次に、その反射型発光ダイオードを載置した基板
を裏面側から温めることにより、クリーム半田を溶かし
て端子の最下端部を回路パターンに接続する。このた
め、凹面状反射面に熱的影響を与えることなく、反射型
発光ダイオードを容易に表面実装することができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下に本発明の第一実施形態につ
いて図面を参照して説明する。図１（ａ）は本発明の第
一実施形態である反射型発光ダイオードの概略正面図、
図１（ｂ）はその反射型発光ダイオードをｘ軸方向から
見たときの概略側面図、図１（ｃ）はその反射型発光ダ
イオードをｙ軸方向から見たときの概略側面図である。
尚、図１において、ｚ軸は凹面状反射面の中心軸方向、
ｘ軸及びｙ軸は反射型発光ダイオードの発光面を含む平
面における直交座標軸である。

【００１３】図１に示す反射型発光ダイオード１０は、
表面実装型のものであり、発光素子１１と、リード部１
２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄと、ワイヤ１３と、光透
過性材料１４と、凹面状反射面１５と、放射面１６と、
周辺部１７とを備える。リード部１２ａ，１２ｂは、発
光素子１１に電力を供給するために用いられる。発光素
子１１はリード部１２ａ上にマウントされ、発光素子１
１とリード部１２ｂとはワイヤ１３により電気的に接続
されている。また、発光素子１１、リード部１２ａ，１
２ｂ，１２ｃ，１２ｄの一部及びワイヤ１３は、光透過
性材料１４により一体的に封止されている。ここで、光
透過性材料１４としては、例えば、屈折率１．５の透明
エポキシ樹脂が用いられる。

【００１４】リード部１２ａ，１２ｂとリード部１２
ｃ，１２ｄとは、放射面１６に略平行に光透過性材料１
４の側面から互いに反対方向に引き出されている。かか
る引き出されたリード部１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２
ｄは、反射型発光ダイオード１０を基板３０に実装する
際の接続端子となる。リード部１２ｃ，１２ｄは、周辺
部１７に取り付けられており、電気的端子となるリード
部１２ａ，１２ｂとは異なり、電気配線には無関係で、
反射型発光ダイオード１０を基板３０に固定するために
用いられるものである。このため、リード部１２ｃ，１
２ｄは固定用端子ということができる。一方、リード部
１２ａ，１２ｂは、発光素子１１に電力を供給するのみ
ならず、反射型発光ダイオード１０を基板３０に固定す
るためにも用いられる。このため、リード部１２ａ，１
２ｂは電力供給兼固定用端子ということができる。尚、
リード部１２ａ，１２ｂとリード部１２ｃ，１２ｄとは
同一の材料で形成されている。また、以下では、リード
部のことを単に端子とも称する。

【００１５】凹面状反射面１５は、光透過性材料１４の
一方の面上に、ＡｇやＡｌを材料としてメッキや蒸着等
により鏡面加工したものであり、発光素子１１の発光面
に対向する側に形成されている。ここでは、凹面状反射
面１５を、発光素子１１の発光面の中心を焦点とする回
転放物面形状に形成する。一方、放射面１６は、発光素
子１１の背面側に形成されている。ここでは、放射面１
６を凹面状反射面１５の回転軸（ｚ軸）に垂直な平面形
状に形成する。すなわち、第一実施形態では、反射型発
光ダイオード１０が平行光を発することができるように
凹面状反射面１５及び放射面１６を設計している。広い
指向角を持った発光ダイオードでは実装方向が数度ずれ
ても問題とはならないが、このように指向性の強い光を
放射することにしているため、かかる反射型発光ダイオ
ード１０は基板３０に高精度で実装する必要がある。

【００１６】また、反射型発光ダイオード１０は、凹面
状反射面１５を正面から見たときに凹面状反射面１５の
中心を通る直線であって凹面状反射面１５の中心軸に直
交する直線（例えばｘ軸）に対して垂直な二つの平面に
よって凹面状反射面１５の端部が左右対称に切断されて
いる。ここでは、凹面状反射面１５を正面から見たとき
にｘ軸の方向における切断前の凹面状反射面１５の長さ
に対する切断後の凹面状反射面１５の長さの割合が０．
７となるように、凹面状反射面１５の端部を切断してい
る。このように凹面状反射面１５の端部を切断するの
は、凹面状反射面１５の切断面が隣合うように反射型発
光ダイオード１０を直線状に配列することにより、反射
型発光ダイオード１０の配列間隔を狭くするためであ
る。

【００１７】周辺部１７は、凹面状反射面１５の周囲に
形成される。第一実施形態では、凹面状反射面１５の端
部を左右対称に切断しているので、周辺部１７は、図１
（ａ）に示すように、凹面状反射面１５の上下に形成さ
れることになる。また、周辺部１７の下端面１７ａは平
面状に形成している。かかる反射型発光ダイオード１０
を作製するには、リードフレームを用い、そのリードフ
レームに反射型発光ダイオードをトランスファーモール
ド法で成形する。このトランスファーモールド法を用い
ると、凹面状反射面１５、放射面１６及び周辺部１７を
精度よく成形でき、さらに、リードフレームを金型に挟
んで光学面を形成することにより、発光素子１１と光学
面との位置関係の精度が高いものとできるので、凹面状
反射面１５、放射面１６及び周辺部１７の形状は非常に
安定している。その後、リードフレームの不要部分を切
断し、端子１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの折り曲げ
加工を行なって、図１に示すような反射型発光ダイオー
ド１０が得られる。

【００１８】第一実施形態では、図１（ｂ）に示すよう
に、周辺部１７から引き出された各端子１２ａ，１２
ｂ，１２ｃ，１２ｄを、周辺部１７の近傍において凹面
状反射面１５の側に略直角に折り曲げると共に、各端子
１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの先端部Ａを、内側に
略直角に折り曲げている。また、凹面状反射面１５の中
心軸方向（ｚ軸方向）における各端子１２ａ，１２ｂ，
１２ｃ，１２ｄの最下端部Ｂを、凹面状反射面１５の底
部より凹面状反射面１５の下方に位置するように構成す
る。これにより、反射型発光ダイオード１０を基板３０
に表面実装する際に、凹面状反射面１５の底部が基板３
０に接触して、凹面状反射面１５が傷付くのを防止する
ことができる。また、第一実施形態では、各端子１２
ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄについて、折り曲げ位置及
び折り曲げ角度はすべて同じである。したがって、反射
型発光ダイオード１０を基板３０に配置したときに、基
板３０の表面と放射面１６とは平行となる。

【００１９】ところで、端子１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，
１２ｄの折り曲げ加工では、その折り曲げ位置を高精度
で出すことができるが、折り曲げ角度はスプリングバッ
ク等の要因によりある程度のばらつきを持つ。このた
め、端子のｚ軸への正射影長は端子が長いほど大きなも
のとなり、これによって、反射型発光ダイオード１０を
基板３０に実装したときの実装方向精度が低下すること
になる。第一実施形態では、凹面状反射面１５の中心軸
方向における各端子１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの
最下端部Ｂと凹面状反射面１５の底に接する平面との間
隔ｄを、０ｍｍより大きく１ｍｍ以下の範囲内で設定す
ることにしている。これにより、反射型発光ダイオード
１０を基板３０に表面実装する際に、凹面状反射面１５
の底部が基板３０に接触して、凹面状反射面１５が傷付
くのを防止することができるとともに、反射型発光ダイ
オード１０を基板３０に実装するときの実装位置精度の
向上を図ることができる。

【００２０】上記構成の反射型発光ダイオード１０で
は、発光素子１１に電力が供給されると、発光素子１１
が発光し、発光素子１１が発する光は凹面状反射面１５
により反射され、放射面１６より外部に放射される。こ
のように発光素子１１が発する光を一度、凹面状反射面
１５で反射した後に外部に放射するので、かかる反射型
発光ダイオード１０は、外部放射効率が高く、高輝度・
高光度であるという特徴がある。しかも、発光素子１１
が発する光は凹面状反射面１５のみで制御されるため、
反射型発光ダイオード１０自体の照射分布には特徴だっ
た照射パターンがなく、照射むらの度合いが小さいの
で、均斉度の向上を図ることができる。

【００２１】次に、第一実施形態の反射型発光ダイオー
ド１０を基板３０に表面実装する方法について説明す
る。基板３０の表面には、端子１２ａ，１２ｂ，１２
ｃ，１２ｄを接続するための回路パターンが形成されて
いる。まず、基板３０の所定の実装位置にクリーム半田
を載せる。そして、そのクリーム半田に端子１２ａ，１
２ｂ，１２ｃ，１２ｄの先端部Ａを重ねて、反射型発光
ダイオード１０を基板３０に載置する。次に、反射型発
光ダイオード１０を載置した基板３０を、例えばホット
プレートに載せて、その裏面側から温める。こうして、
クリーム半田を溶かして、端子１２ａ，１２ｂ，１２
ｃ，１２ｄの先端部Ａを回路パターンに半田付けする。
かかる実装方法によれば、凹面状反射面１５に熱的影響
を与えることなく、反射型発光ダイオード１０を容易に
表面実装することができ、しかも量産性が向上する。ま
た、この実装方法を用いることによって、反射型発光ダ
イオード１０の端子１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの
先端部Ａを内曲げすると共に、端子長を短くすることが
可能になったと言える。尚、基板３０をホットプレート
で温める代わりに、レーザーや熱線等の光線を用いてク
リーム半田を溶かして、半田付けを行うようにしてもよ
い。

【００２２】第一実施形態の反射型発光ダイオードは、
表面実装型のものであるため、ディスクリート実装型の
ものに比べて、基板への実装を容易に行うことができる
と共に、両面実装も可能である。また、光透過性材料の
側面から引き出された端子を凹面状反射面の側に折り曲
げると共に端子の先端部を内側に折り曲げたことによ
り、多数の反射型発光ダイオードを端子の引き出し方向
に配列する場合に、端子の先端部が邪魔にならず、反射
型発光ダイオードの配列間隔を狭くすることができるの
で、表面実装密度の向上を図ることができる。しかも、
凹面状反射面の中心軸方向における端子の最下端部が凹
面状反射面の底部より０ｍｍより大きく１ｍｍ以下であ
る範囲内で凹面状反射面の下方に位置するように構成し
たことにより、凹面状反射面が基板に接触して傷付くこ
とがないので、外部放射効率の低下を防止することがで
き、且つ、実装方向精度の向上を図ることができる。

【００２３】尚、上記の第一実施形態では、各端子１２
ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの先端部Ａを略直角に内側
に折り曲げた場合について説明したが、各端子１２ａ，
１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの先端部Ａは、図２に示すよう
に、略Ｊ字状にして内側に折り曲げるようにしてもよ
い。これにより、反射型発光ダイオードを基板３０に実
装するときに、凹面状反射面１５の中心軸方向における
各端子１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの最下端部と基
板３０の回路パターンとが点で接触することになるの
で、実装位置精度の向上を図ることができる。

【００２４】また、上記の第一実施形態では、凹面状反
射面１５を、発光素子１１の発光面の中心を焦点とする
回転放物面形状とした場合について説明したが、例え
ば、発光素子１１の発光面形状に合わせて凹面状反射面
１５をアレンジする必要がある場合や、放射角を若干広
げる必要がある場合には、凹面状反射面１５は、発光素
子１１の発光面の中心を焦点とする回転放物面に近似し
た形状としてもよい。かかる反射型発光ダイオードで
は、略平行光を発することができ、この場合も、上記第
一実施形態と同様の効果を有する。

【００２５】次に、本発明の第二実施形態について説明
する。図３は本発明の第二実施形態である反射型発光ダ
イオードの概略側面図である。尚、第二実施形態におい
て、第一実施形態のものと同一の機能を有するものに
は、同一の符号を付すことにより、その詳細な説明を省
略する。第二実施形態の反射型発光ダイオード１０ａ
は、表面実装型のものであり、図３に示すように、発光
素子１１と、端子２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと、
光透過性材料１４と、凹面状反射面１５と、放射面１６
と、周辺部１７とを備える。

【００２６】かかる反射型発光ダイオード１０ａでも、
上記の第一実施形態のものと同様に、光透過性材料１４
の側面から引き出された各端子２２ａ，２２ｂ，２２
ｃ，２２ｄを、周辺部１７の近傍において凹面状反射面
１５の側に略直角に折り曲げると共に、各端子２２ａ，
２２ｂ，２２ｃ，２２ｄの先端部Ａを、内側に略直角に
折り曲げている。しかし、第二実施形態では、第一実施
形態のものとは異なり、凹面状反射面１５の中心軸方向
における各端子２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄの最下
端部が凹面状反射面１５の底部より発光素子１１の側に
近く位置するように構成している。また、凹面状反射面
１５は、Ｃｒを材料としてメッキや蒸着等により鏡面加
工したものであり、リフロー炉の温度でも凹面状反射面
１５はダメージを受けない。その他の点については、上
記の第一実施形態のものと同様である。

【００２７】また、反射型発光ダイオード１０ａを実装
する基板３０ａとしては、図３に示すように、凹面状反
射面１５の底部が挿入される開口部３１が形成されたも
のを用いる。基板３０ａの表面には、回路パターン（不
図示）が形成されている。第二実施形態では、反射型発
光ダイオード１０ａを基板３０ａに配置したときに、凹
面状反射面１５の底部が基板３０ａの裏面から突出しな
いように、各端子２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄの先
端部Ａの折り曲げ位置、すなわち凹面状反射面１５の中
心軸方向における各端子２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２
ｄの最下端部の位置を設定している。これにより、凹面
状反射面１５が他の物と接触して傷付くのを有効に防止
することができる。

【００２８】第二実施形態の反射型発光ダイオード１０
ａを基板３０ａに実装するには、まず、基板３０ａの所
定の実装位置にクリーム半田を載せた後、そのクリーム
半田に端子２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄの先端部Ａ
を重ねると共に、凹面状反射面１５が基板３０ａの開口
部３１に挿入して、反射型発光ダイオード１０ａを基板
３０ａに載置する。次に、反射型発光ダイオード１０ａ
を載置した基板３０ａをリフロー炉に入れることによ
り、クリーム半田を溶かして、端子２２ａ，２２ｂ，２
２ｃ，２２ｄの先端部Ａを基板３０ａの回路パターンに
半田付けする。

【００２９】第二実施形態の反射型発光ダイオードで
は、凹面状反射面の中心軸方向における各端子の最下端
部が凹面状反射面の底部より発光素子の側に近く位置す
るように構成したことにより、凹面状反射面の中心軸方
向における端子の長さを第一実施形態のものよりも短く
することができるので、実装方向精度をより一層向上さ
せることができる。また、基板に実装したときの部品の
薄型化を図ることができる。その他の効果は上記第一実
施形態のものと同様である。

【００３０】尚、本発明は上記の各実施形態に限定され
るものではなく、その要旨の範囲内において種々の変形
が可能である。上記の第二実施形態では、凹面状反射面
１５の底部を基板３０ａの裏面から突出させない場合に
ついて説明したが、例えば、治具等を用いることによっ
て、反射型発光ダイオード１０ａを実装する際に凹面状
反射面１５が傷付くのを防止することができれば、図４
に示すように、凹面状反射面１５の底部を基板３０ａの
裏面から突出させてもよい。

【００３１】また、上記の第二実施形態において、各端
子２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄの先端部を、図５に
示すように、周辺部１７の下端面１７ａに当接させても
よい。この場合、周辺部１７は高精度でモールド成形さ
れているため、実装方向精度がさらに向上する。更に、
上記の第一及び第二実施形態では、四本の端子の折り曲
げ位置及び折り曲げ角度をすべて同じにした場合につい
て説明したが、例えば、互いに反対方向に引き出された
二本の端子毎に、その折り曲げ位置及び折り曲げ角度を
異なるようにしてもよい。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、放
射面に略平行に光透過性材料の側面から引き出された端
子を光透過性材料の近傍で凹面状反射面の側に折り曲げ
ると共に端子の先端部を内側に折り曲げたことにより、
端子の引き出し方向に配列する際に端子の先端部が邪魔
になることはないので、表面実装密度の向上を図ること
ができ、また、凹面状反射面の中心軸方向における端子
の最下端部が凹面状反射面の底部より０ｍｍより大きく
１ｍｍ以下である範囲内で凹面状反射面の下方に位置す
るように構成したことにより、凹面状反射面が基板に接
触して傷付けられることがないので、外部放射効率の低
下を防止することができると共に、従来のものに比べて
端子長を短くすることができるので、実装方向精度の向
上を図ることができる反射型発光ダイオードを提供する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明の第一実施形態である反射型発
光ダイオードの概略正面図、（ｂ）はその反射型発光ダ
イオードをｘ軸方向から見たときの概略側面図、（ｃ）
はその反射型発光ダイオードをｙ軸方向から見たときの
概略側面図である。

【図２】第一実施形態の反射型発光ダイオードの変形例
を説明するための図である。

【図３】本発明の第二実施形態である反射型発光ダイオ
ードの概略側面図である。

【図４】第二実施形態の反射型発光ダイオードの変形例
を説明するための図である。

【図５】第二実施形態の反射型発光ダイオードの変形例
を説明するための図である。

【図６】従来の表面実装型の反射型発光ダイオードを説
明するための図である。

【図７】従来のディスクリート実装型の反射型発光ダイ
オードを説明するための図である。

【符号の説明】

１０，１０ａ 反射型発光ダイオード １１ 発光素子 １２ａ〜１２ｄ，２２ａ〜２２ｄ リード部（端子） １３ ワイヤ １４ 光透過性材料 １５ 凹面状反射面 １６ 放射面 １７ 周辺部 １７ａ 下端面 ３０，３０ａ 基板 ３１ 開口部

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 発光素子と、前記発光素子に電力を供給
   するリード部を含む複数の端子と、前記発光素子の発光
   面に対向して設けられた凹面状反射面と、前記凹面状反
   射面で反射した光を外部に放射する放射面と、前記発光
   素子及び前記複数の端子の一部を封止すると共に前記凹
   面状反射面と前記放射面との間の空間を埋める光透過性
   材料とを備える反射型発光ダイオードにおいて、 前記放射面に略平行に前記光透過性材料の側面から引き
   出された前記端子を前記光透過性材料の近傍で前記凹面
   状反射面の側に折り曲げると共に前記端子の先端部を内
   側に折り曲げ、且つ、前記凹面状反射面の中心軸方向に
   おける前記端子の最下端部が前記凹面状反射面の底部よ
   り０ｍｍより大きく１ｍｍ以下である範囲内で前記凹面
   状反射面の下方に位置するように構成したことを特徴と
   する反射型発光ダイオード。
2. 【請求項２】 発光素子と、前記発光素子に電力を供給
   するリード部を含む複数の端子と、前記発光素子の発光
   面に対向して設けられた凹面状反射面と、前記凹面状反
   射面で反射した光を外部に放射する放射面と、前記発光
   素子及び前記複数の端子の一部を封止すると共に前記凹
   面状反射面と前記放射面との間の空間を埋める光透過性
   材料とを備える反射型発光ダイオードにおいて、 前記放射面に略平行に前記光透過性材料の側面から引き
   出された前記端子を前記光透過性材料の近傍で前記凹面
   状反射面の側に折り曲げると共に前記端子の先端部を内
   側に折り曲げ、且つ、前記凹面状反射面の中心軸方向に
   おける前記端子の最下端部が前記凹面状反射面の底部よ
   り前記発光素子の側に近く位置するように構成したこと
   を特徴とする反射型発光ダイオード。
3. 【請求項３】 前記凹面状反射面の中心軸方向における
   前記端子の最下端部を、前記凹面状反射面の底部を基板
   に形成された開口部に挿入して前記端子の最下端部を前
   記基板の回路パターンに接続したときに、前記凹面状反
   射面の底部が前記基板の裏面から突出しないように構成
   したことを特徴とする請求項２記載の反射型発光ダイオ
   ード。
4. 【請求項４】 前記凹面状反射面は、略平行光を発する
   ため前記発光素子を焦点とする回転放物面形状又はこれ
   に近似した形状であることを特徴とする請求項１乃至３
   記載の反射型発光ダイオード。
5. 【請求項５】 請求項１記載の反射型発光ダイオードを
   基板に表面実装する反射型発光ダイオードの実装方法で
   あって、前記基板上に形成された回路パターンの所定位
   置にクリーム半田を載せ、前記端子の最下端部を前記ク
   リーム半田に重ねて前記反射型発光ダイオードを前記基
   板に載置した後、前記基板を裏面側から温めることによ
   り前記クリーム半田を溶かして前記端子の最下端部を前
   記回路パターンに接続することを特徴とする反射型発光
   ダイオードの実装方法。