DE102016104659A1 - Optoelektronisches bauteil - Google Patents

Optoelektronisches bauteil Download PDF

Info

Publication number
DE102016104659A1
DE102016104659A1 DE102016104659.0A DE102016104659A DE102016104659A1 DE 102016104659 A1 DE102016104659 A1 DE 102016104659A1 DE 102016104659 A DE102016104659 A DE 102016104659A DE 102016104659 A1 DE102016104659 A1 DE 102016104659A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
component
layers
recess
carrier
shaped body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102016104659.0A
Other languages
English (en)
Inventor
Matthias Knörr
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE102016104659.0A priority Critical patent/DE102016104659A1/de
Priority to PCT/EP2017/055978 priority patent/WO2017157931A1/de
Publication of DE102016104659A1 publication Critical patent/DE102016104659A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • H01L33/0093Wafer bonding; Removal of the growth substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauteil mit einem optoelektronischen Bauelement, wobei das Bauelement ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, wobei ein Formkörper vorgesehen ist, wobei der Formkörper eine Ausnehmung mit einem Boden und vier Seitenwänden aufweist, wobei das Bauelement auf dem Boden der Ausnehmung angeordnet ist, wobei die Ausnehmung oberhalb des Bauelementes wenigstens teilweise mit Konversionsmaterial gefüllt ist, wobei das Konversionsmaterial ausgebildet ist, um elektromagnetische Strahlung des Bauelementes in der Wellenlänge zu verschieben. Zudem betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauteils.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauteil gemäß Patentanspruch 1 und ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauteils gemäß Patentanspruch 9.
  • Aus dem Stand der Technik ist es bekannt, ein optoelektronisches Bauteil auf einem Leiterrahmen anzuordnen, den Leiterrahmen in ein Moldmaterial einzubetten und das optoelektronische Halbleiterbauelement mit einer Konversionsschicht zu versehen.
  • Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein verbessertes optoelektronisches Bauteil und ein verbessertes Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauteils bereitzustellen.
  • Die Aufgabe der Erfindung wird durch das Bauteil gemäß Patentanspruch 1 und durch das Verfahren gemäß Patentanspruch 9 gelöst.
  • Ein Vorteil des beschriebenen Bauteils besteht darin, dass eine verbesserte Homogenität der Farbe über den Abstrahlwinkel erreicht wird.
  • Das vorgeschlagene Verfahren weist den Vorteil auf, dass mit einfachen und kostengünstigen Mitteln ein optoelektronisches Bauteil bereitgestellt werden kann, das eine geringe Änderung der Farbe des abgestrahlten Lichtes über den Abstrahlwinkel aufweist.
  • In den abhängigen Ansprüchen sind weitere Ausbildungsformen des Bauteils beziehungsweise des Verfahrens angegeben.
  • Es wird ein optoelektronisches Bauteil mit einem optoelektronischen Bauelement vorgeschlagen, wobei das Bauelement ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, wobei ein Formkörper vorgesehen ist, wobei der Formkörper eine Ausnehmung mit einem Boden und vier Seitenwänden aufweist, wobei das Bauelement auf dem Boden der Ausnehmung angeordnet ist, wobei die Ausnehmung oberhalb des Bauelementes wenigstens teilweise mit Konversionsmaterial gefüllt ist, wobei das Konversionsmaterial ausgebildet ist, um elektromagnetische Strahlung des Bauelementes in der Wellenlänge zu verschieben.
  • In einer Ausführung sind elektrische Kontakte des Bauelementes über den Boden auf eine Außenseite des Formkörpers geführt. Auf diese Weise ist eine einfache Kontaktierung des Bauteils möglich. Eine gute Einbettung der Kontakte wird dadurch erreicht, dass die Kontakte in den Formkörper eingegossen sind.
  • In einer Ausführung weist das Bauelement eine Schichtfolge von Halbleiterschichten, insbesondere in Form von epitaktischen Halbleiterschichten auf. Dadurch kann ein Bauelement mit guten optoelektronischen Eigenschaften bereitgestellt werden.
  • In einer Ausführung ist der Formkörper aus Moldmaterial gebildet. Dadurch kann mit einfachen Mitteln ein Gehäuse für das Bauteil hergestellt werden.
  • Das optoelektronische Bauelement ist in einer Ausführung als lichtemittierende Diode oder als Laserdiode ausgebildet. In einer weiteren Ausführung ist das Bauelement als oberflächenemittierendes Bauelement ausgebildet.
  • Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauteils vorgeschlagen, wobei auf einen Träger Schichten für ein optoelektronisches Bauelement abgeschieden werden, wobei anschließend elektrische Kontakte zur Kontaktierung von zwei elektrischen Anschlüssen des Bauelementes auf die Schichten abgeschieden werden, wobei der Träger und die Schichten mit Gräben versehen werden, wobei die Gräben wenigstens ein Teilstück des Trägers und der Schichten umgeben, wobei ein Moldmaterial in die Gräben eingefüllt wird, wobei eine freie Seite der Schichten mit dem Moldmaterial bedeckt wird, wobei das Moldmaterial zu einer Formkörperstruktur ausgehärtet wird, wobei die Formkörperstruktur wenigstens eine Ausnehmung aufweist, wobei in der Ausnehmung ein erstes Teilstück des Trägers und ein zweites Teilstück der Schichten angeordnet ist, wobei das erste Teilstück von dem zweiten Teilstück gelöst und aus der Ausnehmung entfernt wird, wobei in einen freien Raum der Ausnehmung Konversionsmaterial eingefüllt wird, wobei das Konversionsmaterial ausgebildet ist, um elektromagnetische Strahlung des Bauelementes in der Wellenlänge zu verschieben.
  • In einer Ausführung wird die Formkörperstruktur in einzelne Formkörper mit wenigstens einer Ausnehmung und wenigstens einem Bauelement unterteilt. Somit kann auf einfache Weise eine Vielzahl von Bauteilen hergestellt werden.
  • In einer Ausführung werden die ersten Teilstücke des Trägers mithilfe von Laserstrahlen von den Schichten abgelöst und aus der Ausnehmung entfernt. Laserstrahlen eignen sich, um die ersten Teilstücke präzise von den Schichten zu lösen.
  • Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden, wobei
  • 1 einen schematischen Querschnitt durch das Bauteil,
  • 2 eine schematische Draufsicht auf das Bauteil,
  • 3 eine schematische Darstellung der Unterseite des Bauteils,
  • 4 einen ersten Verfahrensschritt,
  • 5 einen zweiten Verfahrensschritt,
  • 6 einen dritten Verfahrensschritt,
  • 7 eine schematische Darstellung eines Ausschnittes der Oberseite der Anordnung nach dem dritten Verfahrensschritt,
  • 8 einen vierten Verfahrensschritt,
  • 9 eine schematische Darstellung eines Ausschnittes der Oberseite der Anordnung nach dem vierten Verfahrensschritt,
  • 10 eine schematische Darstellung eines Ausschnittes der Unterseite der Anordnung nach dem vierten verfahrensschritt,
  • 11 einen fünften Verfahrensschritt,
  • 12 einen sechsten Verfahrensschritt,
  • 13 einen achten Verfahrensschritt zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils, und
  • 14 schematisch vereinzelte Bauteile darstellt.
  • 1 zeigt in einem schematischen Querschnitt ein optoelektronisches Bauteil 1, das ein optoelektronisches Bauelement 2 aufweist. Das Bauelement 2 ist auf einem Boden 3 einer Ausnehmung 5 eines Formkörpers 4 angeordnet. Oberhalb des Bauelementes 2 ist in der Ausnehmung 5 ein Konversionsmaterial 6 angeordnet. Die Ausnehmung 5 ist von Seitenwänden 7, 8 umgeben. Weiterhin sind elektrische Kontakte 11, 12 des Bauelementes 2 durch den Boden 3 bis zur Unterseite 13 des Bodens 3 herausgeführt. Die Kontakte 11, 12 stehen mit elektrischen Anschlüssen des Bauelementes 2 in Verbindung. Abhängig von der gewählten Ausführung könnten die Kontakte 11, 12 auch seitlich über wenigstens eine Seitenwand aus der Ausnehmung 5 des Formkörpers 4 herausgeführt sein.
  • Der Formkörper 4 ist z.B. aus einem Moldmaterial hergestellt. Als Moldmaterial kann beispielsweise Silikon oder Epoxymaterial oder ein Kunststoffmaterial verwendet werden. Der Formkörper 4 ist abhängig von der gewählten Ausführungsform nicht durchlässig für die elektromagnetische Strahlung, die vom Bauelement 2 erzeugt wird. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel ist die gesamte Ausnehmung 5 oberhalb des Bauelementes 2 mit dem Konversionsmaterial 6 aufgefüllt. Das Konversionsmaterial 6 kann ein Matrixmaterial und Leuchtstoffe aufweisen. Das Konversionsmaterial 6 ist ausgebildet, um eine elektromagnetische Strahlung in der Wellenlänge wenigstens teilweise zu verschieben. Als Leuchtstoff kann beispielsweise Phosphor verwendet werden. Das Matrixmaterial kann beispielsweise Silikon sein.
  • Das Bauelement 2 ist als lichtemittierendes Bauelement ausgebildet. Das lichtemittierende Bauelement 2 kann z.B. in Form einer lichtemittierenden Diode oder in Form einer lichtemittierenden Laserdiode ausgebildet sein. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann im Wesentlichen die gesamte Fläche des Bodens 3 von dem Bauelement 2 bedeckt sein.
  • Das Bauelement 2 weist eine Schichtfolge von Halbleiterschichten auf. Wenigstens ein Teil der Halbleiterschichten kann als epitaktisch abgeschiedene Schichten ausgebildet sein. Die Halbleiterschichten weisen eine aktive Schichtstruktur auf, die ausgebildet ist, um bei einer Bestromung elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Beispielsweise weist die aktive Schichtstruktur eine pn-Schichtstruktur auf, um elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann die aktive Schichtstruktur eine Quantenstruktur mit Quantentöpfen aufweisen. Der erste Kontakt 11 ist mit einer positiv dotierten Seite und der zweite Kontakt 12 ist mit einer negativ dotierten Seite der pn-Schichtstruktur elektrisch leitend verbunden.
  • Das Bauelement 2 besteht im Wesentlichen aus den Halbleiterschichten und dem ersten und dem zweiten Kontakt 11, 12. Somit kann auf ein Gehäuse für das Bauelement 2 verzichtet werden. Der Formkörper 4 stellt ein Gehäuse für das Bauelement 2 dar.
  • 2 zeigt in einer schematischen Draufsicht eine Oberseite des Bauteils 1 mit Blick auf die rahmenartige Struktur des Formkörpers 4 mit den vier Seitenwänden 7, 8, 9, 10, die das Konversionsmaterial 6 umgeben. In der dargestellten Ausführungsform sind die erste und die zweite Seitenwand 7, 8 parallel zueinander angeordnet. Ebenso sind die dritte und die vierte Seitenwand 9, 10 parallel zueinander angeordnet. Die Ausnehmung 5 weist in dem dargestellten Ausführungsbeispiel eine rechteckförmige Grundfläche auf. Das Bauteil 1 kann jedoch auch andere Formen aufweisen.
  • 3 zeigt in einer schematischen Darstellung die Unterseite 13 des Bodens 3 des Bauteils 1. Die Kontakte 11, 12 weisen in dem dargestellten Ausführungsbeispiel eine quadratische Fläche auf. Die Kontakte 11, 12 können auch andere Formen aufweisen.
  • Die 4 bis 6 zeigen einen Teil der Verfahrensschritte zur Herstellung eines Bauteils gemäß der 1 bis 3. 4 zeigt einen schematischen Teilquerschnitt durch einen Träger 14. Der Träger 14 kann beispielsweise aus Saphir bestehen, insbesondere als Saphirwafer ausgebildet sein. Auf den Träger 14 wird eine Schichtfolge 15 von Halbleiterschichten mit einer aktiven Schichtstruktur abgeschieden. Die Schichtfolge 15 kann beispielsweise wenigstens teilweise epitaktisch abgeschiedene Halbleiterschichten aufweisen. Abhängig von der gewählten Funktion für die Schichtfolge 15 sind die Abfolge der Halbleiterschichten und die Materialien der Halbleiterschichten gewählt. Zudem können anstelle von Halbleiterschichten auch andere Schichten abgeschieden werden, mit denen eine elektromagnetische Strahlung erzeugt werden kann. Der Träger 14 und die Schichtfolge 15 bilden eine Schichtanordnung 24.
  • 5 zeigt einen Verfahrensschritt, bei dem auf die Schichtfolge 15 mehrere Paare von ersten und zweiten Kontakten 11, 12 abgeschieden und mit festgelegten Halbleiterschichten der Schichtfolge 15 elektrisch verbunden werden. Dazu wird die Schichtfolge 15 entsprechend strukturiert oder ist entsprechend ausgebildet, um die Kontakte 11, 12 mit den entsprechenden Schichten in Kontakt zu bringen. Der erste und der zweite Kontakt 11, 12 werden jeweils als Paar nebeneinander angeordnet. Paare von Kontakten 11, 12 werden in einem vorgegebenen Raster mit vorgegebenen Abständen zwischen den Paaren der Kontakte 11, 12 auf die Schichtfolge 15 aufgebracht.
  • Beispielsweise ist der erste Kontakt 11 mit einer p-Seite der Schichtfolge 15 elektrisch leitend oder direkt verbunden. Der zweite Kontakt 12 ist mit einer n-Seite der Schichtfolge 15 elektrisch leitend oder direkt verbunden. Die Kontakte 11, 12 sind aus elektrisch leitendem Material, beispielsweise aus Metall gebildet. Anstelle von Metall können auch andere elektrisch leitende Materialien verwendet werden. Die Abscheidung und Verbindung mit den gewünschten Halbleiterschichten wird z.B. mithilfe von fotolithographischen Prozessen durchgeführt. Auf einer Unterseite des Trägers 14 ist eine Trägerfolie 17 aufgebracht. Abhängig von der gewählten Ausführung kann auch eine Trägerstruktur auf die Unterseite des Trägers 14 aufgebracht sein. Zudem kann auf die Trägerfolie 17 oder die Trägerstruktur verzichtet werden.
  • Bei einem folgenden Verfahrensschritt, der in 6 dargestellt ist, werden Gräben 16 in den Träger 14 und in die Schichtfolge 15 eingebracht, so dass die Gräben 16 durch die Schichtfolge 15 und den Träger 14 hindurchgehen. Die Trägerfolie 17 hält den durch die Gräben strukturierten Träger 14 und strukturierte Schichtfolge 15 zusammen. Der Träger 14 ist in Teilstücke 18 unterteilt. Die Schichtfolge 15 ist in zweite Teilstücke 22 unterteilt.
  • 7 zeigt einen Teilabschnitt der Anordnung der 6 mit Blick auf die Kontakte 11, 12. Es ist deutlich zu erkennen, dass mithilfe der Gräben 16 Teilstücke 18 des Trägers 14 und die zweiten Teilstücke 22 der Schichtfolge 15 voneinander separiert sind. Jedes Teilstück 18 weist ein Teilstück des Trägers 14, einen ersten und einen zweiten Kontakt 11, 12, und ein Teilstück der Schichtfolge 15 mit der aktiven Schichtstruktur auf. Abhängig von der gewählten Ausführung können die Teilstücke 18 und zweiten Teilstücke 22 auch andere Formen aufweisen oder mehrere Paare von Kontakten 11, 12 aufweisen.
  • In einem folgenden Verfahrensschritt werden die Gräben 16 und eine Oberseite der Schichtfolge 15 mit Moldmaterial 19 aufgefüllt. Abhängig von der gewählten Ausführungsform wird eine Schichtdicke des Moldmaterials 19 auf der Schichtfolge 15 in der Weise gewählt, dass die ersten und zweiten Kontakte 11, 12 noch über das Moldmaterial 19 hinausragen. Das Moldmaterial 19 wird ausgehärtet. Anschließend wir die Trägerfolie 17 entfernt. Dieser Verfahrensstand ist in 8 dargestellt.
  • 9 zeigt in einer schematischen Darstellung eine Draufsicht auf die Anordnung der 8. Dabei sind jeweils Paare mit einem ersten und einem zweiten Kontakt 11, 12 sichtbar, die über das Moldmaterial 19 hinausragen.
  • 10 zeigt eine Draufsicht eines Teilausschnittes der 8 mit Blick auf eine Unterseite des Trägers 14, wobei die Trägerfolie 17 entfernt ist. Bei dieser Anordnung ist eine Gitterstruktur 20 aus Moldmaterial 19 erkennbar, die Teilstücke 18 des Trägers 14 umgibt. Die Gitterstruktur 20 wird durch die mit Moldmaterial gefüllten Gräben 16 dargestellt. Die Gitterstruktur 20 weist Seitenwände 7, 8, 9, 10 auf, die jeweils ein Teilstück 18 eines Trägers 14 begrenzen.
  • Bei einem folgenden Verfahrensschritt werden die Teilstücke 18 des Träger 14 von den zweiten Teilstücken 22 der Schichtfolge 15 beispielsweise mithilfe eines Laser Abtrageverfahren (Laser-lift-off) gelöst und aus der Gitterstruktur 20 entfernt. Somit verbleibt nur ein zweites Teilstück 22 der Schichtfolge 15 in den Ausnehmungen der Gitterstruktur 20, die mit einem Boden im Bereich der Kontakte verschlossen ist.
  • 11 zeigt einen Querschnitt durch die Anordnung der 8 nach dem Entfernen der ersten Teilstücke 18 von den zweiten Teilstücken 22 aus der Gitterstruktur 20. Somit wird eine Gitterstruktur 20 mit einem Boden 3 mit Ausnehmungen 21 erhalten. In den Ausnehmungen 21 sind auf dem Boden 3 der Gitterstruktur 20 zweite Teilstücke 22 der Schichtfolge 15 angeordnet. Die zweiten Teilstücke 22 stellen ein optolektronisches Bauelement 2 dar.
  • Bei einem folgenden Verfahrensschritt werden die Ausnehmungen 21 mit Konversionsmaterial 6 aufgefüllt. Somit liegt das Konversionsmaterial 6 direkt auf den zweiten Teilstücken 22 der Schichtfolge 15 auf. Das Konversionsmaterial 6 weist beispielsweise Matrixmaterial wie Silikon und Leuchtstoffe auf. Abhängig von der gewählten Ausführung kann zwischen den zweiten Teilstücken 22 und dem Konversionsmaterial 6 auch eine Zwischenschicht vorgesehen sein, die keinen Leuchtstoff aufweist. 12 zeigt einen Querschnitt durch die Anordnung der 11, wobei die Ausnehmungen 21 der Gitterstruktur 20 mit Konversionsmaterial 6 aufgefüllt sind.
  • Bei einem folgenden Verfahrensschritt werden Bauteile 1 der Anordnung der 12 vereinzelt, wobei Wände der Gitterstruktur 20 durch zweite Gräben 23 in jeweils zwei Seitenwände 9, 10 unterteilt werden, wie schematisch in einem Querschnitt in 13 dargestellt ist.
  • 14 zeigt eine schematische Darstellung eines Teilausschnittes der Anordnung der 13 mit Blick von oben. Somit wird mithilfe des beschriebenen Verfahrens eine Vielzahl von Bauteilen 1 gemäß den 1 bis 3 erhalten.
  • Abhängig von der gewählten Ausführungsform können auch andere Herstellungsverfahren verwendet werden.
  • Beispielsweise kann das Bauteil auch auf einem Leiterrahmen angeordnet sein und der Leiterrahmen in einen zweiten Formkörper eingebettet sein.
  • Obwohl die Erfindung im Detail durch das bevorzugte Ausführungsbeispiel näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.
  • Bezugszeichenliste
  • 1
    Bauteil
    2
    Bauelement
    3
    Boden
    4
    Formkörper
    5
    Ausnehmung
    6
    Konversionsmaterial
    7
    erste Seitenwand
    8
    zweite Seitenwand
    9
    dritte Seitenwand
    10
    vierte Seitenwand
    11
    erster Kontakt
    12
    zweiter Kontakt
    13
    Unterseite Boden
    14
    Träger
    15
    Schichtfolge
    16
    Graben
    17
    Trägerfolie
    18
    Teilstück
    19
    Moldmaterial
    20
    Gitterstruktur
    21
    Ausnehmung
    22
    zweites Teilstück
    23
    zweiter Graben
    24
    Schichtanordnung

Claims (14)

  1. Optoelektronisches Bauteil (1) mit einem optoelektronischen Bauelement (2), wobei das Bauelement (2) ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, wobei ein Formkörper (4) vorgesehen ist, wobei der Formkörper (4) eine Ausnehmung (5) mit einem Boden (3) und vier Seitenwänden (7, 8, 9, 10) aufweist, wobei das Bauelement (2) auf dem Boden (3) der Ausnehmung (4) angeordnet ist, wobei die Ausnehmung (4) oberhalb des Bauelementes (2) wenigstens teilweise mit Konversionsmaterial (6) gefüllt ist, wobei das Konversionsmaterial (6) ausgebildet ist, um elektromagnetische Strahlung des Bauelementes (2) in der Wellenlänge zu verschieben.
  2. Bauteil nach Anspruch 1, wobei elektrische Kontakte (11, 12) des Bauelementes (2) über den Boden (3) auf eine Außenseite (13) des Formkörpers (4) geführt sind.
  3. Bauteil nach Anspruch 2, wobei die Kontakte (11, 12) in den Formkörper (4) eingegossen sind.
  4. Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Bauelement (2) eine Schichtfolge (15) von Halbleiterschichten, insbesondere in Form von epitaktischen Halbleiterschichten aufweist.
  5. Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Formkörper (4) aus Moldmaterial gebildet ist.
  6. Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das optoelektronische Bauelement (2) als lichtemittierende Diode oder als Laserdiode ausgebildet ist.
  7. Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Bauelement (2) als oberflächenemittierendes Bauelement ausgebildet ist.
  8. Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Konversionsmaterial (6) ein Matrixmaterial und Leuchtstoff aufweist.
  9. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauteils gemäß Anspruch 1, wobei auf einen Träger Schichten für ein optoelektronisches Bauelement abgeschieden werden, wobei anschließend elektrische Kontakte zur Kontaktierung des Bauelementes auf den Schichten ausgebildet werden, wobei der Träger und die Schichten mit Gräben versehen werden, wobei die Gräben wenigstens ein Teilstück des Trägers und wenigstens ein weites Teilstück der Schichten umgeben, wobei ein Moldmaterial in die Gräben eingefüllt wird, wobei eine freie Seite der zweiten Teilstücke der Schichten mit dem Moldmaterial bedeckt wird, wobei das Moldmaterial zu einer Formkörperstruktur ausgehärtet wird, wobei die Formkörperstruktur wenigstens eine Ausnehmung aufweist, wobei in der Ausnehmung ein erstes Teilstück des Trägers und ein zweites Teilstück der Schichten angeordnet ist, wobei erste Teilstück von dem zweiten Teilstück gelöst und aus der Ausnehmung entfernt wird und ein freier Raum in der Ausnehmung erhalten wird, wobei in den freien Raum der Ausnehmung Konversionsmaterial eingebracht wird, wobei das Konversionsmaterial ausgebildet ist, um elektromagnetische Strahlung des zweiten Teilstückes der Schichten, das ein Bauelement darstellt, in der Wellenlänge zu verschieben.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei der Träger und die Schichten mit Gräben versehen werden, wobei die Gräben jeweils mehrere erste Teilstücke des Trägers und zweite Teilstücke der Schichten umgeben, wobei die Formkörperstruktur in einzelne Formkörper mit einer Ausnehmung und einem Bauelement unterteilt wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, wobei das erste Teilstück des Trägers mithilfe von Laserstrahlen von dem zweiten Teilstück der Schichten abgelöst wird und aus der Ausnehmung entfernt wird.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, wobei der Träger aus Saphir gebildet ist.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 12, wobei als Schichten Halbleiterschichten mit einer aktiven Schichtstruktur zum Erzeugen elektromagnetischer Strahlung abgeschieden werden.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei die Halbleiterschichten wenigstens teilweise epitaktisch abgeschieden werden.
DE102016104659.0A 2016-03-14 2016-03-14 Optoelektronisches bauteil Withdrawn DE102016104659A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102016104659.0A DE102016104659A1 (de) 2016-03-14 2016-03-14 Optoelektronisches bauteil
PCT/EP2017/055978 WO2017157931A1 (de) 2016-03-14 2017-03-14 Optoelektronisches bauteil

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102016104659.0A DE102016104659A1 (de) 2016-03-14 2016-03-14 Optoelektronisches bauteil

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102016104659A1 true DE102016104659A1 (de) 2017-09-14

Family

ID=58314202

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102016104659.0A Withdrawn DE102016104659A1 (de) 2016-03-14 2016-03-14 Optoelektronisches bauteil

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102016104659A1 (de)
WO (1) WO2017157931A1 (de)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19755734A1 (de) * 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
DE102013104604A1 (de) * 2013-05-06 2014-11-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe und optoelektronische Baugruppe
DE102014107964A1 (de) * 2014-06-05 2015-12-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102014110071A1 (de) * 2014-07-17 2016-01-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102014215939A1 (de) * 2014-08-12 2016-02-18 Osram Gmbh Beleuchtungsvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer solchen

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19918370B4 (de) * 1999-04-22 2006-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit Linse
JP2015173142A (ja) * 2014-03-11 2015-10-01 株式会社東芝 半導体発光装置
JP6185415B2 (ja) * 2014-03-27 2017-08-23 株式会社東芝 半導体発光装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19755734A1 (de) * 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
DE102013104604A1 (de) * 2013-05-06 2014-11-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe und optoelektronische Baugruppe
DE102014107964A1 (de) * 2014-06-05 2015-12-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102014110071A1 (de) * 2014-07-17 2016-01-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102014215939A1 (de) * 2014-08-12 2016-02-18 Osram Gmbh Beleuchtungsvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer solchen

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017157931A1 (de) 2017-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102013214877A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Abdeckelements und eines optoelektronischen Bauelements, Abdeckelement und optoelektronisches Bauelement
DE102009025015A1 (de) Lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102010051286A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2015001036A1 (de) Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes
DE102016208431A1 (de) Anordnung mit einem elektrischen Bauteil
DE102013215650B4 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102012218457A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE102016114992A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102015107515A1 (de) Verfahren zum Bearbeiten eines Leiterrahmens und Leiterrahmen
DE102014113844A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE102016101526A1 (de) Herstellung eines Multichip-Bauelements
DE102013220960A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102016104659A1 (de) Optoelektronisches bauteil
DE102015115722A1 (de) Träger für ein Bauelement, Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Trägers oder eines Bauelements
DE112017007501T5 (de) Herstellung eines chipmoduls
DE102017112642A1 (de) Led-filament
WO2022100976A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und dessen verfahren zur herstellung
DE102016105491A1 (de) Herstellung von halbleiterbauelementen
WO2020239749A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit verbindungsbereichen und verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements
WO2019121556A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen
DE102014116080A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102015104144A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterkörpers
DE102019121580A1 (de) Bauelement mit reduzierter absorption und verfahren zur herstellung eines bauelements
DE102015107591B4 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE102015107742A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils und optoelektronisches Bauteil

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee