CN100341160C - 发光二极管晶片封装体及其封装方法 - Google Patents
发光二极管晶片封装体及其封装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100341160C CN100341160C CNB2004100072218A CN200410007221A CN100341160C CN 100341160 C CN100341160 C CN 100341160C CN B2004100072218 A CNB2004100072218 A CN B2004100072218A CN 200410007221 A CN200410007221 A CN 200410007221A CN 100341160 C CN100341160 C CN 100341160C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- led wafer
- electric conductor
- insulating barrier
- lens
- packaging body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Abstract
一种发光二极管晶片封装体及其封装方法，该发光二极管晶片封装体包含：一发光二极管晶片；一反射涂层，该反射涂层是设置于该发光二极管晶片的焊垫安装表面上并且具有数个用于暴露在该焊垫安装表面上之对应之焊垫的暴露孔；一第一绝缘层形成于该反射涂层上；一第二绝缘层形成于该发光二极管晶片的后表面上并且具有一用于暴露该发光二极管晶片后表面中央部分的中央穿孔；一透镜设置于该第二绝缘层的中央穿孔内；及数个外部连接导电体，每一个外部连接导电体是与该发光二极管晶片之一对应的焊垫电气连接而且是凸伸在该第一绝缘层的贯孔外部。本发明能够免除发光二极管晶片封装体打线处理，使整个封装工时缩短，并可以使后续的处理变得容易。
Description
【技术领域】
本发明是有关于一种发光二极管晶片，更特别地，是有关于一种发光二极管晶片封装体及其封装方法。
【背景技术】
习知发光二极管(LED)晶片封装体通常包括一封装基体及一置于该封装基体上的LED晶片。该LED晶片的焊垫是以打线方式利用金属导线来与在该封装基体上的接点电气连接。然而，如此的结构在封装时程上是相当长而且金属导线是易于折断以致于习知LED晶片封装体的产量与良率无法有效提升。
此外，随着晶片制程的进步，LED晶片的尺寸是越来越小，以致于晶片上之焊垫的面积亦缩减。因此，要对具有如此小之面积的焊垫执行打线处理是困难的。
【发明内容】
有鉴于此，本发明的目的是提供一种发光二极管晶片封装体及其封装方法，能够解决伴随习知发光二极管晶片封装体之以上所述的问题，可以免除打线处理，使整个封装工时缩短，并可以使该发光二极管晶片封装体后续的处理变得容易。
基于上述目的，本发明提供一种发光二极管晶片封装体，其特征在于：包含：
一发光二极管晶片，该发光二极管晶片具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对的后表面；
一反射涂层，该反射涂层是设置于该发光二极管晶片的焊垫安装表面上并且具有数个用于暴露该发光二极管晶片之对应的焊垫的暴露孔；
一第一绝缘层，该第一绝缘层是形成于该反射涂层上并且是形成有数个各与该反射涂层对应的暴露孔连通的贯孔；
一第二绝缘层，该第二绝缘层是形成于该发光二极管晶片的后表面上并且具有一用于暴露该发光二极管晶片之后表面的中央部分的中央穿孔；
一透镜，该透镜是设置于该第二绝缘层的中央穿孔内；及
数个外部连接导电体，每一个外部连接导电体是与该发光二极管晶片之一对应的焊垫电气连接而且是凸伸在该第一绝缘层之一对应的贯孔外部。
较佳地，该透镜具有一圆弧形的顶端部分或平坦的顶端部分。
较佳地，更包含一设置于该透镜的顶端部分上的第二透镜，该透镜及第二透镜是被掺杂有不同波长的偏光剂。
较佳地，更包含数个各形成于该发光二极管晶片之一对应的焊垫上且是由一镍层与一金层构成的电镀金属层，每一个焊垫是经由一对应的电镀金属层来与该外部连接导电体电气连接。
较佳地，该反射涂层之每一个与该第一绝缘层之一对应之贯孔连通的暴露孔是与该对应的贯孔共同形成一导电体容置空间，该封装体更包含数个各设置于一对应之导电体容置空间内的中介导电体，每一个焊垫是经由一对应的中介导电体来与该外部连接导电体电气地连接。
较佳地，该中介导电体是由导电胶形成。
较佳地，更包含数个各形成于一对应的中介导电体表面上且是由一镍层与一金属构成的金属连接层，每一个中介导电体是经由一对应的金属连接层来与该外部连接导电体电气连接。
较佳地，该外部连接导电体是在该第一绝缘层的表面上延伸预定的程度。
本发明还提供.一种发光二极管晶片封装体，其特征在于：包含：
一发光二极管晶片，该发光二极管晶片具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对的后表面；
一反射涂层，该反射涂层是设置于该发光二极管晶片的后表面上：
一第一绝缘层，该第一绝缘层是形成于该反射涂层上；
一第二绝缘层，该第二绝缘层是形成于该发光二极管晶片的焊垫安装表面上并且具有一用于暴露该发光二极管晶片之焊垫安装表面之中央部分的中央穿孔及数个用于暴露对应之焊垫的暴露贯孔；
一透镜，该透镜是设置于该第二绝缘层的中央穿孔内；及
数个外部连接导电体，每一个外部连接导电体是与该发光二极管晶片之一对应的焊垫电气连接而且是凸伸在该第二绝缘层之一对应的暴露贯孔外部。
较佳地，该透镜具有一圆弧形的顶端部分或平坦的顶端部分。
较佳地，更包含一设置于该透镜之顶端部分上的第二透镜，该透镜、第二透镜是被掺杂有不同波长的偏光剂。
较佳地，更包含数个各形成于该发光二极管晶片之一对应的焊垫上且是由一镍层与一金层构成的电镀金属层，每一个焊垫是经由一对应的电镀金属层来与该外部连接导电体电气连接。
较佳地，更包含一形成于该第二绝缘层上的第三绝缘层，该第三绝缘层是形成有一用于暴露该发光二极管晶片之焊垫安装表面的中央部分的容置孔及数个与该第二绝缘层之对应之暴露贯孔连通的暴露开孔，该第二绝缘层之每一个与该第三绝缘层之一对应之暴露开孔连通的暴露贯孔是与该对应的暴露开孔共同形成一导电体容置空间，该封装体更包含数个各设置于一对应之导电体容置空间内的中介导电体，每一个焊垫是经由一对应的中介导电体来与该外部连接导电体电气地连接。
较佳地，该中介导电体是由导电胶形成。
较佳地，更包含数个各形成于一对应之中介导电体之表面上且是由一镍层与一金属构成的金属连接层，每一个中介导电体是经由一对应的金属连接层来与该外部连接导电体电气连接。
较佳地，该外部连接导电体是在该第三绝缘层的表面上延伸预定的程度。
本发明还提供一种发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：包含如下步骤：
(1)提供一发光二极管晶片，该发光二极管晶片具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对的后表面；
(2)于该发光二极管晶片的焊垫安装表面上设置一反射涂层，该反射涂层是形成有数个用于暴露该发光二极管晶片之对应之焊垫的暴露孔；
(3)于该反射涂层上形成一第一绝缘层，该第一绝缘层是形成有数个各与该反射涂层之一对应之暴露孔连通的贯孔；
(4)于该发光二极管晶片的后表面上形成一第二绝缘层，该第二绝缘层是形成有一用于暴露该发光二极管晶片之后表面之中央部分的中央穿孔；
(5)于该第二绝缘层的中央穿孔内设置一透镜；及
(6)设置数个各与该发光二极管晶片之一对应之焊垫电气连接的外部连接导电体，每一个外部连接导电体是凸伸在该第一绝缘层之一对应的贯孔外部。
较佳地，在提供透镜的步骤(5)中，该透镜具有一圆弧形的顶端部分。
较佳地，在提供透镜的步骤(5)中，该透镜具有一平坦的顶端部分。
较佳地，在设置透镜的步骤(5)之后，更包含一个于该透镜之顶端部分上设置一第二透镜的步骤，该透镜及第二透镜是被掺杂有不同波长的偏光剂。
较佳地，在形成第一绝缘层的步骤(3)之后，更包含于该发光二极管晶片之每一个焊垫上形成一电镀金属层的步骤，该电镀金属层是由一镍层与一金层构成，每一个焊垫是经由一对应的电镀金属层来与该外部连接导电体电气连接。
较佳地，在形成该第一绝缘层的步骤(3)中，该反射涂层之每一个与该第一绝缘层之一对应之贯孔连通的暴露孔是与该对应的贯孔共同形成一导电体容置空间，该方法更包含于每一个导电体容置空间内的形成一中介导电体的步骤，每一个焊垫是经由一对应的中介导电体来与该外部连接导电体电气地连接。
较佳地，在形成中介导电体的步骤中，该中介导电体是由导电胶形成。
较佳地，在形成中介导电体的步骤之后，更包含于每一个中介导电体之表面上形成一金属连接层的步骤，该金属连接层是由一镍层与一金属构成，每一个中介导电体是经由一对应的金属连接层来与该外部连接导电体电气连接。
较佳地，在形成外部连接导电体的步骤中，该外部连接导电体是在该第三绝缘层的表面上延伸预定的程度。
本发明还提供一种发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：包含如下步骤：
(1)提供一发光二极管晶片，该发光二极管晶片具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对的后表面；
(2)于该发光二极管晶片的后表面上设置一反射涂层；
(3)于该反射涂层上形成一第一绝缘层；
(4)于该发光二极管晶片的焊垫安装表面上形成一第二绝缘层，该第二绝缘层是形成有一用于暴露该发光二极管晶片之焊垫安装表面之中央部分的中央穿孔及数个用于暴露对应之焊垫的暴露贯孔；
(5)于该第二绝缘层的中央穿孔内设置一透镜；及
(6)设置数个各是与该发光二极管晶片之一对应之焊垫电气连接的外部连接导电体，每一个外部连接导电体是凸伸在该第二绝缘层之一对应的暴露贯孔外部。
较佳地，在设置透镜的步骤(5)中，该透镜具有一圆弧形的顶端部分。
较佳地，在设置透镜的步骤(5)中，该透镜具有一平坦的顶端部分。
较佳地，在设置透镜的步骤(5)之后，更包含一个于该透镜之顶端部分上设置一第二透镜的步骤，该透镜及第二透镜是被掺杂有不同波长的偏光剂。
较佳地，在形成第二绝缘层的步骤(4)之后，更包含于该发光二极管晶片之每一个焊垫上形成一电镀金属层的步骤，该电镀金属层是由一镍层与一金层构成，每一个焊垫是经由一对应的电镀金属层来与该外部连接导电体电气连接。
较佳地，在形成该第二绝缘层的步骤(4)之后，更包含如下之步骤；
形成一第三绝缘层的步骤，该第三绝缘层是形成有数个各与该第二绝缘层之一对应之暴露贯孔连通的暴露开孔，每一个暴露开孔是与一对应的暴露贯孔共同形成一导电体容置空间；及
形成数个各设置于一对应之导电体容置空间内的中介导电体，各焊垫是经由该中介导电体来与该外部连接导电体电气地连接。
较佳地，在形成中介连接体的步骤中，该等中介导电体是由导电胶形成。
较佳地，在形成中介导电体的步骤之后，更包含于每一个中介导电体之表面上形成一金属连接层的步骤，该金属连接层是由一镍层与一金属构成，每一个中介导电体是经由一对应的金属连接层来与该外部连接导电体电气连接。
较佳地，在形成外部连接导电体的步骤中，该外部连接导电体是在该第三绝缘层的表面上延伸预定的程度。
本发明的发光二极管晶片封装体及其封装方法，能够解决伴随习知发光二极管晶片封装体之以上所述的问题，可以免除打线处理，使整个封装工时缩短，并可以使该发光二极管晶片封装体后续的处理变得容易。
【附图说明】
图1～7为以步骤的方式显示本发明之第一较佳实施例之发光二极管晶片封装体的示意流程图；
图8为一显示本发明之第二较佳实施例之发光二极管晶片封装体的示意剖视图；
图9、10为显示本发明之第三较佳实施例之发光二极管晶片封装体的示意图；
图11为一显示本发明之第四较佳实施例之发光二极管晶片封装体的示意剖视图；
图12～17为以步骤的方法显示本发明之第五较佳实施例之发光二极管晶片封装体的示意流程图；
图18为一显示本发明之第六较佳实施例之发光二极管晶片封装体显示的示意剖视图；
图19～21为显示本发明之第七较佳实施例之发光二极管晶片封装体的示意图；
图22为一显示本发明之第八较佳实施例之发光二极管晶片封装体显示的示意剖视图；及
图23为一显示本发明之第九较佳实施例之发光二极管晶片封装体的部分示意剖视图。
【具体实施方式】
在本发明被详细说明之前，应要注意的是，在整个说明书中，相似的元件是由相同的标号标示。另一方面，为了清楚揭示本发明之特征，该等附图并不是按照元件实际的尺寸及不是按照比例来描绘。
图1～7是以制造步骤方式显示本发明之第一较佳实例之LED晶片封装体的示意图。
请参阅图1、2所示，一发光二极管(LED)晶片1是首先被提供。该LED晶片1具有一焊垫安装表面10及一与该焊垫安装表面10相对的后表面11。数个焊垫12是被设置于该焊垫安装表面10上。在本实施例中，两个焊垫12是被安装于该料垫安装表面10上。然而，应要了解的是，焊垫12的数目并不受限于两个，其是根据需要而定。
一反射涂层2是被设置于该LED晶片1的焊垫安装表面10上。该反射涂层2具有数个用于暴露对应之焊垫12的暴露孔20。
请参阅图3所示，一由光阻材料制成的第一绝缘层3是形成于该反射涂层2上。在本实施例中，该第一绝缘层3是由感光油墨制成。在形成于该反射涂层2上之后，该第一绝缘层3是经由蚀刻处理来形成有数个与该反射涂层2之对应之暴露孔20连通的贯孔30。每一个贯孔30是与该反射涂层2之一对应的暴露孔20共同形成一导电体容置空间。
另一方面，一由光阻材料制成的第二绝缘层4是形成于该LED晶片1的后表面11上。在本实施例中，该第二绝缘层4是由感光油墨制成。在形成于该LED晶片1的后表面11上之后，该第二绝缘层4是经由蚀刻处理来在中央部分形成一用于暴露该晶片1之后表面11之中央部分的中央穿孔40。
接着，请参阅图4所示，于该LED晶片1的每一个焊垫12上是形成有一电镀金属层5。每一电镀金属层5是由一镍层50与一金层51组成。
然后，请参阅图5所示，于每一个导电体容置空间内是利用导电胶来形成一中介导电体6。在本实施例中，该导电胶是为掺杂有银粉末的导电胶。
一透镜7是设置于该第二绝缘层4的中央穿孔40内。在本实施例中，该透镜7是以聚酰亚胺为材料形成而且具有一圆弧形的顶端部分。然而，该透镜7亦可以由任何适合的材料与任何适合的方法来被设置。
应要注意的是，该透镜7是可以依需要来被掺杂有至少一种偏光剂以致于从该透镜7射出的光线能够具有合意的颜色。
现在请参阅图6、7所示，于每一个中介导电体之被暴露的表面上是形成有一金属连接层8。该金属连接层8是由一镍层80与一金层81构成。
最后，于每一个金属连接层8上形成一外部连接导电体9。在本较佳实施例中，每一个外部连接导电体9是在该第一绝缘层3的表面上延伸预定的程度。
以上所述之LED晶片封装体具有如下之优点：
1.该LED晶片封装体的整个尺寸是与该LED晶片的尺寸大致相同。
2.免除打线处理使整个封装时程缩短。
3.外部连接导电体在该第一绝缘层之表面上的延伸可以使该LED晶片封装体在后续之像安装于一安装基体般的处理变得容易。
图8为显示本发明之第二较佳实施例之LED晶片封装体的示意剖视图。
请参阅图8所示，本较佳实施例之LED晶片封装体与第一较佳实施例之LED晶片封装体不同的地方是在于该透镜7是经由研磨处理来被形成有一平坦的顶端部分。
图9、10为显示本发明之第三较佳实施例之LED晶片封装体的示意图。
请参阅图9、10所示，与第一较佳实施例不同，本较佳实施例在如于图4所示之处理之后，一透镜7是设置于该第二绝缘层4的中央穿孔40内。然后，数个各与一对应之电镀金属层5电气连接的外部连接导电体9是被设置。每一个外部连接导电体9是凸伸在该第一绝缘层3之一对应的贯孔30外部。
图11为显示本发明之第四较佳实施例之LED晶片封装体的示意剖视图。
请参阅图11所示，本较佳实施例之LED晶片封装体与第三较佳实施例之LED晶片封装体不同的地方是在于该透镜7是经由研磨处理来被形成有一平坦的顶端部分。
图12～17为以制造步骤方式显示本发明之第五较佳实施例之LED晶片封装体的示意图。
请参阅图12所示，一LED晶片1是首先被提供。该LED晶片1具有一焊垫安装表面10及一与该焊垫安装表面10相对的后表面11。数个焊垫12是被设置于该焊垫安装表面10上。在本实施例中，两个焊垫12是被安装于该焊垫安装表面10上。然而，应要了解的是，焊垫12的数目并不受限于两个，其是根据需要而定。
一反射涂层2是被设置于该LED晶片1的后表面11上。
请参阅图13所示，一由光阻材料制成的第一绝缘层3是形成于该反射涂层2上。在本实施例中，该第一绝缘层3是由感光油墨制成。
另一方面，一由光阻材料制成的第二绝缘层4是形成于该LED晶片1的焊垫安装表面10上。在本实施例中，该第二绝缘层4是由感光油墨制成。在形成于该LED晶片1的焊垫安装表面10上之后，该第二绝缘层4是经由蚀刻处理来形成一用于暴露该LED晶片1之焊垫安装表面10之中央部分的中央穿孔40和数个用于暴露该LED晶片1之对应之焊垫12的暴露贯孔41。
接着，于该LED晶片1的每一个焊垫12上是形成有一电镀金属层5。每一电镀金属层5是由一镍层50与一金层51组成。
然后，请参阅图14所示，一由光阻材料制成的第三绝缘层42是形成于该第二绝缘层4的表面上。在本较佳实施例中，该第三绝缘层42是由感光油墨制成。在形成于该第二绝缘层4的表面上之后，该第三绝缘层42是经由蚀刻处理来形成一用于暴露该LED晶片1之焊垫安装表面10之中央部分的容置孔420及数个与该第二绝缘层4之对应之暴露贯孔41连通的暴露开孔421。每一个暴露开孔421是与该第二绝缘层4之一对应的暴露贯孔41共同形成一导电体容置空间。
接着，请参阅图15所示，于每一个导电体容置空间内是利用导电胶来形成一中介导电体6。
一透镜7是设置于该第三绝缘层42的容置孔420内。在本实施例中，该透镜7是以聚酰亚胺为材料形成而且具有一圆弧形的顶端部分。然而，该透镜7亦可以由任何适合的材料与任何适合的方法来形成。
现在请参阅图16、17所示，于每一个中介导电体之被暴露的表面上是形成有一金属连接层8。该金属连接层8是由一镍层80与一金层81构成。
最后，于每一个金属连接层8上形成一外部连接导电体9。在本较佳实施例中，每一个外部连接导电体9是在该第三绝缘层42的表面上延伸预定的程度。
图18为显示本发明之第六较佳实施例之LED晶片封装体的示意剖视图。
请参阅图18所示，本较佳实施例之LED晶片封装体与第五较佳实施例之LED晶片封装体不同的地方是在于该透镜7是经由研磨处理来被形成有一平坦的顶端部分。
图19～21为以制造步骤方式显示本发明之第七较佳实施例之LED晶片封装体的示意图。
请参阅图19～21所示，与第五较佳实施例不同，本较佳实施例在如于图12所示之处理之后，一第一绝缘层3是形成于该反射涂层2的表面而一第二绝缘层4是形成于该LED晶片1的焊垫安装表面10上。该第二绝缘层4是经由蚀刻处理来形成一用于用于暴露该LED晶片1之焊垫安装表面10之中央部分的中央穿孔40和数个用于暴露对应之焊垫12的暴露贯孔41。
接着，于该LED晶片1的每一个焊垫12上是形成有一电镀金属层5。每一电镀金属层5是由一镍层50与一金层51组成。
一透镜7是设置于该第二绝缘层4的中央穿孔40内。然后，于每一焊垫12的金属连接层5上是设置一凸伸到该第二绝缘层4之暴露贯孔41外部的外部连接导电体9。
图22为显示本发明之第八较佳实施例之LED晶片封装体的示意剖视图。
请参阅图22所示，本较佳实施例之LED晶片封装体与第七较佳实施例之LED晶片封装体不同的地方是在于该透镜7是经由研磨处理来被形成有一平坦的顶端部分。
图23为显示本发明之第九较佳实施例之LED晶片封装体的部分示意剖视图。
请参阅图23所示，本发明之第二、四、六和八较佳实施例是可以进一步包含一个设置于该透镜7之上的第二透镜7′。该等透镜7，7′可以被掺杂有不同波长的偏光剂以致于从该第二透镜7′射出的光线可以具有由两种颜色调和出来的颜色。
Claims (36)
1.一种发光二极管晶片封装体，其特征在于：包含：
一发光二极管晶片，该发光二极管晶片具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对的后表面；
一反射涂层，该反射涂层是设置于该发光二极管晶片的焊垫安装表面上并且具有数个用于暴露该发光二极管晶片之对应的焊垫的暴露孔；
一第一绝缘层，该第一绝缘层是形成于该反射涂层上并且是形成有数个各与该反射涂层对应的暴露孔连通的贯孔；
一第二绝缘层，该第二绝缘层是形成于该发光二极管晶片的后表面上并且具有一用于暴露该发光二极管晶片之后表面的中央部分的中央穿孔；
一透镜，该透镜是设置于该第二绝缘层的中央穿孔内；及
数个外部连接导电体，每一个外部连接导电体是与该发光二极管晶片之一对应的焊垫电气连接而且是凸伸在该第一绝缘层之一对应的贯孔外部。
2.如权利要求1所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：该透镜具有一圆弧形的顶端部分。
3.如权利要求1所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：该透镜具有一平坦的顶端部分。
4.如权利要求3所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：更包含一设置于该透镜的顶端部分上的第二透镜，该透镜及第二透镜是被掺杂有不同波长的偏光剂。
5.如权利要求1所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：更包含数个各形成于该发光二极管晶片之一对应的焊垫上且是由一镍层与一金层构成的电镀金属层，每一个焊垫是经由一对应的电镀金属层来与该外部连接导电体电气连接。
6.如权利要求1所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：该反射涂层之每一个与该第一绝缘层之一对应之贯孔连通的暴露孔是与该对应的贯孔共同形成一导电体容置空间，该封装体更包含数个各设置于一对应之导电体容置空间内的中介导电体，每一个焊垫是经由一对应的中介导电体来与该外部连接导电体电气地连接。
7.如权利要求6所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：该中介导电体是由导电胶形成。
8.如权利要求6所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：更包含数个各形成于一对应的中介导电体表面上且是由一镍层与一金层构成的金属连接层，每一个中介导电体是经由一对应的金属连接层来与该外部连接导电体电气连接。
9.如权利要求6所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：该外部连接导电体是在该第一绝缘层的表面上延伸预定的程度。
10.一种发光二极管晶片封装体，其特征在于：包含：
一发光二极管晶片，该发光二极管晶片具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对的后表面；
一反射涂层，该反射涂层是设置于该发光二极管晶片的后表面上；
一第一绝缘层，该第一绝缘层是形成于该反射涂层上；
一第二绝缘层，该第二绝缘层是形成于该发光二极管晶片的焊垫安装表面上并且具有一用于暴露该发光二极管晶片之焊垫安装表面之中央部分的中央穿孔及数个用于暴露对应之焊垫的暴露贯孔；
一透镜，该透镜是设置于该第二绝缘层的中央穿孔内；及
数个外部连接导电体，每一个外部连接导电体是与该发光二极管晶片之一对应的焊垫电气连接而且是凸伸在该第二绝缘层之一对应的暴露贯孔外部。
11.如权利要求10所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：该透镜具有一圆弧形的顶端部分。
12.如权利要求10所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：该透镜具有一平坦的顶端部分。
13.如权利要求12所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：更包含一设置于该透镜之顶端部分上的第二透镜，该透镜、第二透镜是被掺杂有不同波长的偏光剂。
14.如权利要求10所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：更包含数个各形成于该发光二极管晶片之一对应的焊垫上且是由一镍层与一金层构成的电镀金属层，每一个焊垫是经由一对应的电镀金属层来与该外部连接导电体电气连接。
15.如权利要求10所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：更包含一形成于该第二绝缘层上的第三绝缘层，该第三绝缘层是形成有一用于暴露该发光二极管晶片之焊垫安装表面的中央部分的容置孔及数个与该第二绝缘层之对应之暴露贯孔连通的暴露开孔，该第二绝缘层之每一个与该第三绝缘层之一对应之暴露开孔连通的暴露贯孔是与该对应的暴露开孔共同形成一导电体容置空间，该封装体更包含数个各设置于一对应之导电体容置空间内的中介导电体，每一个焊垫是经由一对应的中介导电体来与该外部连接导电体电气地连接。
16.如权利要求15所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：该中介导电体是由导电胶形成。
17.如权利要求15所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：更包含数个各形成于一对应之中介导电体之表面上且是由一镍层与一金层构成的金属连接层，每一个中介导电体是经由一对应的金属连接层来与该外部连接导电体电气连接。
18.如权利要求15所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：该外部连接导电体是在该第三绝缘层的表面上延伸预定的程度。
19.一种发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：包含如下步骤：
1、提供一发光二极管晶片，该发光二极管晶片具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对的后表面；
2、于该发光二极管晶片的焊垫安装表面上设置一反射涂层，该反射涂层是形成有数个用于暴露该发光二极管晶片之对应之焊垫的暴露孔；
3、于该反射涂层上形成一第一绝缘层，该第一绝缘层是形成有数个各与该反射涂层之一对应之暴露孔连通的贯孔；
4、于该发光二极管晶片的后表面上形成一第二绝缘层，该第二绝缘层是形成有一用于暴露该发光二极管晶片之后表面之中央部分的中央穿孔；
5、于该第二绝缘层的中央穿孔内设置一透镜；及
6、设置数个各与该发光二极管晶片之一对应之焊垫电气连接的外部连接导电体，每一个外部连接导电体是凸伸在该第一绝缘层之一对应的贯孔外部。
20.如权利要求19所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在提供透镜的步骤5中，该透镜具有一圆弧形的顶端部分。
21.如权利要求19所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在提供透镜的步骤5中，该透镜具有一平坦的顶端部分。
22.如权利要求21所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置透镜的步骤5之后，更包含一个于该透镜之顶端部分上设置一第二透镜的步骤，该透镜及第二透镜是被掺杂有不同波长的偏光剂。
23.如权利要求19所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在形成第一绝缘层的步骤3之后，更包含于该发光二极管晶片之每一个焊垫上形成一电镀金属层的步骤，该电镀金属层是由一镍层与一金层构成，每一个焊垫是经由一对应的电镀金属层来与该外部连接导电体电气连接。
24.如权利要求19所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在形成该第一绝缘层的步骤3中，该反射涂层之每一个与该第一绝缘层之一对应之贯孔连通的暴露孔是与该对应的贯孔共同形成一导电体容置空间，该方法更包含于每一个导电体容置空间内的形成一中介导电体的步骤，每一个焊垫是经由一对应的中介导电体来与该外部连接导电体电气地连接。
25.如权利要求24所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在形成中介导电体的步骤中，该中介导电体是由导电胶形成。
26.如权利要求24所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在形成中介导电体的步骤之后，更包含于每一个中介导电体之表面上形成一金属连接层的步骤，该金属连接层是由一镍层与一金层构成，每一个中介导电体是经由一对应的金属连接层来与该外部连接导电体电气连接。
27.如权利要求24所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在形成外部连接导电体的步骤中，该外部连接导电体是在该第一绝缘层的表面上延伸预定的程度。
28.一种发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：包含如下步骤：
1、提供一发光二极管晶片，该发光二极管晶片具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对的后表面；
2、于该发光二极管晶片的后表面上设置一反射涂层；
3、于该反射涂层上形成一第一绝缘层；
4、于该发光二极管晶片的焊垫安装表面上形成一第二绝缘层，该第二绝缘层是形成有一用于暴露该发光二极管晶片之焊垫安装表面之中央部分的中央穿孔及数个用于暴露对应之焊垫的暴露贯孔；
5、于该第二绝缘层的中央穿孔内设置一透镜；及
6、设置数个各是与该发光二极管晶片之一对应之焊垫电气连接的外部连接导电体，每一个外部连接导电体是凸伸在该第二绝缘层之一对应的暴露贯孔外部。
29.如权利要求28所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置透镜的步骤5中，该透镜具有一圆弧形的顶端部分。
30.如权利要求28所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置透镜的步骤5中，该透镜具有一平坦的顶端部分。
31.如权利要求30所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置透镜的步骤5之后，更包含一个于该透镜之顶端部分上设置一第二透镜的步骤，该透镜及第二透镜是被掺杂有不同波长的偏光剂。
32.如权利要求28所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在形成第二绝缘层的步骤4之后，更包含于该发光二极管晶片之每一个焊垫上形成一电镀金属层的步骤，该电镀金属层是由一镍层与一金层构成，每一个焊垫是经由一对应的电镀金属层来与该外部连接导电体电气连接。
33.如权利要求28所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在形成该第二绝缘层的步骤4之后，更包含如下之步骤：
形成一第三绝缘层的步骤，该第三绝缘层是形成有数个各与该第二绝缘层之一对应之暴露贯孔连通的暴露开孔，每一个暴露开孔是与一对应的暴露贯孔共同形成一导电体容置空间；及
形成数个各设置于一对应之导电体容置空间内的中介导电体，各焊垫是经由该中介导电体来与该外部连接导电体电气地连接。
34.如权利要求33所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在形成中介连接体的步骤中，所述数个中介导电体是由导电胶形成。
35.如权利要求33所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在形成中介导电体的步骤之后，更包含于每一个中介导电体之表面上形成一金属连接层的步骤，该金属连接层是由一镍层与一金层构成，每一个中介导电体是经由一对应的金属连接层来与该外部连接导电体电气连接。
36.如权利要求33所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在形成外部连接导电体的步骤中，该外部连接导电体是在该第三绝缘层的表面上延伸预定的程度。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2004100072218A CN100341160C (zh) | 2004-02-27 | 2004-02-27 | 发光二极管晶片封装体及其封装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2004100072218A CN100341160C (zh) | 2004-02-27 | 2004-02-27 | 发光二极管晶片封装体及其封装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1661822A CN1661822A (zh) | 2005-08-31 |
| CN100341160C true CN100341160C (zh) | 2007-10-03 |
Family
ID=35010994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2004100072218A Expired - Fee Related CN100341160C (zh) | 2004-02-27 | 2004-02-27 | 发光二极管晶片封装体及其封装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100341160C (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100423298C (zh) * | 2004-02-27 | 2008-10-01 | 沈育浓 | 发光二极管晶片封装体及其封装方法 |
| CN103165591A (zh) * | 2011-12-15 | 2013-06-19 | 宙达光子实业股份有限公司 | Led面光源模组及其封装方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1348608A (zh) * | 1999-04-22 | 2002-05-08 | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 | 具有透镜的led光源 |
| US6483196B1 (en) * | 2000-04-03 | 2002-11-19 | General Electric Company | Flip chip led apparatus |
| JP2003188420A (ja) * | 2001-12-20 | 2003-07-04 | Alps Electric Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
| JP2003197972A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-07-11 | Kokuren Koden Kagi Kofun Yugenkoshi | 高輝度発光ダイオード |
| US6661578B2 (en) * | 2001-03-02 | 2003-12-09 | Innovative Solutions & Support, Inc. | Image display generator for a head-up display |
| CN1661821A (zh) * | 2004-02-27 | 2005-08-31 | 沈育浓 | 发光二极管晶片封装体及其封装方法 |
-
2004
- 2004-02-27 CN CNB2004100072218A patent/CN100341160C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1348608A (zh) * | 1999-04-22 | 2002-05-08 | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 | 具有透镜的led光源 |
| US6483196B1 (en) * | 2000-04-03 | 2002-11-19 | General Electric Company | Flip chip led apparatus |
| US6661578B2 (en) * | 2001-03-02 | 2003-12-09 | Innovative Solutions & Support, Inc. | Image display generator for a head-up display |
| JP2003197972A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-07-11 | Kokuren Koden Kagi Kofun Yugenkoshi | 高輝度発光ダイオード |
| JP2003188420A (ja) * | 2001-12-20 | 2003-07-04 | Alps Electric Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
| CN1661821A (zh) * | 2004-02-27 | 2005-08-31 | 沈育浓 | 发光二极管晶片封装体及其封装方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1661822A (zh) | 2005-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1162921C (zh) | 压电装置及其制造方法和压电振荡器的制造方法 | |
| CN1257550C (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
| CN1182589C (zh) | 发光或者受光用半导体组件及其制造方法 | |
| CN100338786C (zh) | 半导体发光装置及其制法和半导体发光装置用反射器 | |
| CN100340848C (zh) | 应变传感器 | |
| CN1190844C (zh) | 光照射装置的制造方法 | |
| CN1591853A (zh) | 无引线型半导体封装及其制作工艺 | |
| CN1929159A (zh) | 半导体发光装置 | |
| CN1791305A (zh) | 电路部件模块及其制造方法和电子电路装置 | |
| CN1744335A (zh) | 表面安装型led | |
| CN1822401A (zh) | Led封装框架和具有该led封装框架的led封装 | |
| CN1956183A (zh) | 电子部件内置式基板及其制造方法 | |
| CN1790651A (zh) | 芯片集成基板的制造方法 | |
| CN1738002A (zh) | 半导体装置的制造方法 | |
| CN1523665A (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
| CN1825645A (zh) | Led外壳及其制造方法 | |
| CN1381886A (zh) | 半导体器件和封装及其制造方法 | |
| CN1453863A (zh) | 连接端子及其制造方法以及半导体装置及其制造方法 | |
| CN1643751A (zh) | 半导体激光器件 | |
| CN1941439A (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
| CN1992364A (zh) | 半导体发光装置、半导体元件及半导体发光装置的制造方法 | |
| CN1304186A (zh) | 圆弧平底凹杯之发光二极管的制作方法 | |
| CN1822357A (zh) | 半导体器件封装及其制造方法和半导体器件 | |
| CN100341160C (zh) | 发光二极管晶片封装体及其封装方法 | |
| CN1165209C (zh) | 多层集成式基片和多层陶瓷元件的制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SUZHOU INDUSTRY PARK DONEY OPTOELECTRONICS TECHNOL Free format text: FORMER OWNER: SHEN YUNONG Effective date: 20100811 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: TAIPEI CITY, TAIWAN, CHINA TO: 215122 A1501, NO.18, ZHANYE ROAD, SUZHOU INDUSTRIAL PARK, JIANGSU PROVINCE |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20100811 Address after: 215122, A1501, 18 industrial road, Suzhou Industrial Park, Jiangsu Province Patentee after: Suzhou Industrial Park Anthony Photoelectric Technology Co. Ltd. Address before: Taipei City, Taiwan, China Patentee before: Shen Yunong |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20071003 Termination date: 20200227 |