CN100423298C - 发光二极管晶片封装体及其封装方法 - Google Patents
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Abstract
一种发光二极管晶片封装体及其封装方法，该发光二极管晶片封装体包含：一发光二极管晶片，该发光二极管晶片具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对之后表面；一光线反射涂层，该光线反线涂层是设置于该发光二极管晶片的焊垫安装表面上并且具有一用于暴露该发光二极管晶片的对应的焊垫的焊垫暴露孔；一透光元件，该透光元件是设置于该发光二极管晶片之后表面上；及数个导电凸块，每一个导电凸块是设置于该发光二极管晶片的一对应的焊垫上。本发明在封装程序上可缩短工时，解决了对小面积的焊垫执行打线处理困难的问题，可提高LED晶片封装体的产量与优良品率。
Description
【技术领域】
本发明是有关于一种发光二极管晶片，更特别地，是有关于一种发光二极管晶片封装体及其的封装方法。
【背景技术】
习知发光二极管(LED)晶片封装体通常包括一封装基体及/或导线架以及一置于该封装基体及/或导线架上的LED晶片。该LED晶片的焊垫是经由打线处理利用金属导线来与在该封装基体及/或导线架上的接点电气连接。然而，如此的结构在封装时程上是相当长而且金属导线是易于折断以致于习知LED晶片封装体的产量与优良品率无法有效提升。
此外，随着晶片制程的进步，LED晶片的尺寸是越来越小，以致于晶片上的焊垫的面积亦缩减。因此，要对具有如此小的面积的焊垫执行打线处理是困难的。
【发明内容】
有鉴于此，本发明的目的是提供一种能够解决伴随习知发光二极管晶片封装体的以上所述的问题的发光二极管晶片封装体及其封装方法，在封装程序上可缩短工时，解决了对小面积的焊垫执行打线处理困难的问题，可提高LED晶片封装体的产量与优良品率。
本发明的技术方案是提供一种发光二极管晶片封装体，其特征在于：包含：
一发光二极管晶片，该发光二极管晶片具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对的后表面；
一光线反射涂层，该光线反射涂层是设置于该发光二极管晶片的焊垫安装表面上并且具有数个用于暴露该发光二极管晶片的对应的焊垫的焊垫暴露孔；
一表面绝缘层，该表面绝缘层是形成于该发光二极管晶片之后表面上并且具有一用于暴露该发光二极管晶片之后表面的中央部分的中央穿孔；
一透光元件，该透光元件是设置于该表面绝缘层的中央穿孔内；及数个导电凸块，每一个导电凸块是设置于该发光二极管晶片的一对应的焊垫上。
本发明还提供一种发光二极管晶片封装体，其特征在于：包含：
一发光二极管晶片，该发光二极管晶片具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对的后表面；
一光线反射涂层，该光线反线涂层是设置于该发光二极管晶片的后表面上；
一绝缘保护层，该绝缘保护层是形成于该光线反射涂层上；
一绝缘层，该绝缘层是形成于该发光二极管晶片的焊垫安装表面上并且具有一用于暴露该发光二极管晶片的焊垫安装表面的中央部分的中央穿孔及数个用于暴露对应的焊垫的焊垫暴露孔；
一透光元件，该透光元件是设置于该绝缘层的中央穿孔内；及
数个导电凸块，每一个导电凸块是设置于该发光二极管晶片的一对应的焊垫上。
本发明还提供一种发光二极管晶片封装体，其特征在于：包含：
一绝缘基板，该绝缘基板具有至少一个晶片安装区域，该至少一个晶片安装区域具有一晶片安装表面、一与该晶片安装表面相对的背面、数个贯通该晶片安装表面与该背面的贯孔、及数个从该晶片安装表面经由对应的贯孔延伸到该背面的导电轨迹；
一基板绝缘层，该基板绝缘层是形成于该绝缘基板的该至少一个晶片安装区域的晶片安装表面上而且是形成有一用于暴露该至少一个晶片安装区域的中央区域的开孔；
至少一个发光二极管晶片，该至少一个发光二极管晶片是设置于该绝缘基板的该至少一个晶片安装区域并且具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对的后表面；
一光线反射涂层，该光线反射涂层是设置于该至少一个发光二极管晶片的焊垫安装表面上并且具有数个用于暴露该至少一个发光二极管晶片的对应的焊垫的焊垫暴露孔；
数个导电凸体，每个导电凸体是设置于该至少一个发光二极管晶片的一对应的焊垫上且是与该绝缘基板的该至少一个晶片安装区域的晶片安装表面上的对应的导电轨迹电气连接；
一导热层，该导热层是由导热材料构成且形成在绝缘基板、该至少一个发光二极管晶片与该导电凸体之间的空间；及
一形成于该至少一个发光二极管晶片之后表面上的透光元件。
本发明还提供一种发光二极管晶片封装体，其特征在于：包含：
一绝缘基板，该绝缘基板具有至少一个晶片安装区域，该至少一个晶片安装区域具有一晶片安装表面、一与该晶片安装表面相对的背面、数个贯通该晶片安装表面与该背面的贯孔、及数个从该晶片安装表面经由对应的贯孔延伸到该背面的导电轨迹；
一基板绝缘层，该基板绝缘层是形成于该绝缘基板的该至少一个晶片安装区域的晶片安装表面上而且是形成有一用于暴露该至少一个晶片安装区域的中央区域的开孔；
至少一个发光二极管晶片，该至少一个发光二极管晶片是设置于该绝缘基板的该至少一个晶片安装区域并且具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对的后表面；
数个导电凸体，每个导电凸体是设置于该至少一个发光二极管晶片的一对应的焊垫上且是与该绝缘基板的该至少一个晶片安装区域的晶片安装表面上的对应的导电轨迹电气连接，
一导热层，该导热层是由导热材料构成且是形成在绝缘基板、该至少一个发光二极管晶片与该导电凸体之间；
一形成于在界定每一个开孔的内壁面与对应的导电凸体之间的空间内的绝缘材料层，该绝缘材料层在靠近晶片的部分具有一个比在靠近基板绝缘层的部分的厚度小的厚度以致于每个绝缘材料层具有一凹陷的上表面；
一形成于该绝缘材料层的表面上的金属反射层；
一形成于该金属反射层上的透明保护层。
本发明还提供一种发光二极管晶片封装体，包含：
一发光二极管晶片，该发光二极管晶片具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对之后表面；
一光线反射涂层，该光线反线涂层是设置于该发光二极管晶片的焊垫安装表面上并且具有一用于暴露该发光二极管晶片的对应的焊垫的焊垫暴露孔；
一透光元件，该透光元件是设置于该发光二极管晶片之后表面上；及数个导电凸块，每一个导电凸块是设置于该发光二极管晶片的一对应的焊垫上。
本发明还提供一种发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：包含如下的步骤：
(1)提供一发光二极管晶片，该发光二极管晶片具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对之后表面；
(2)设置一光线反射涂层于该发光二极管晶片的焊垫安装表面上，该光线反射涂层具有数个用于暴露该发光二极管晶片的对应的焊垫的焊垫暴露孔；
(3)形成一表面绝缘层于该发光二极管晶片之后表面上，该表面绝缘层具有一用于暴露该发光二极管晶片之后表面的中央部分的中央穿孔；
(4)设置一透光元件于该表面绝缘层的中央穿孔内；及
(5)于该发光二极管晶片的每个焊垫上设置一导电凸块。
本发明还提供一种发光二极管晶片封装体的封装方法，包含如下的步骤：
(1)提供一发光二极管晶片，该发光二极管晶片具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对之后表面；
(2)于该发光二极管晶片之后表面上设置一光线反射涂层；
(3)于该光线反射涂层上形成一绝缘保护层；
(4)于该发光二极管晶片的焊垫安装表面上形成一绝缘层，该绝缘层具有一用于暴露该发光二极管晶片的焊垫安装表面的中央部分的中央穿孔及数个用于暴露对应的焊垫的焊垫暴露孔；
(5)于该绝缘层的中央穿孔内设置一透光元件；及
(6)于该发光二极管晶片的每个焊垫上设置一导电凸块。
本发明还提供一种发光二极管晶片封装体的封装方法，包含如下的步骤：
(1)提供一绝缘基板，该绝缘基板具有至少一个晶片安装区域，该至少一个晶片安装区域具有一晶片安装表面、一与该晶片安装表面相对的背面、数个贯通该晶片安装表面与该背面的贯孔、及数个从该晶片安装表面经由对应的贯孔来延伸到该背面的导电轨迹；
(2)于该绝缘基板的该至少一个晶片安装区域的晶片安装表面上形成一基板绝缘层，该基板绝缘层是形成有一用于暴露该至少一个晶片安装区域的中央区域的开孔；
(3)提供至少一个发光二极管晶片，该至少一个发光二极管晶片是设置于该绝缘基板的该至少一个晶片安装区域并且具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对之后表面；
(4)于该至少一个发光二极管晶片的焊垫安装表面上设置一光线反射涂层，该光线反射涂层具有数个用于暴露该至少一个发光二极管晶片的对应的焊垫的焊垫暴露孔；
(5)于该至少一个发光二极管晶片的每个焊垫上设置一导电凸体，该导电凸体是与该绝缘基板的该至少一个晶片安装区域的晶片安装表面上的对应的导电轨迹电气连接；
(6)通过把一导热材料经由该等贯孔注入形成在绝缘基板、该至少一个发光二极管晶片与该等导电凸体之间的空间来形成一导热层；及
(7)于该至少一个发光二极管晶片之后表面上设置一透光元件。
本发明还提供一种发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：包含如下的步骤：
(1)提供一绝缘基板，该绝缘基板具有至少一个晶片安装区域，该至少一个晶片安装区域具有一晶片安装表面、一与该晶片安装表面相对的背面、数个贯通该晶片安装表面与该背面的贯孔、及数个从该晶片安装表面经由对应的贯孔来延伸到该背面的导电轨迹；
(2)于该绝缘基板的该至少一个晶片安装区域的晶片安装表面上形成一基板绝缘层，该基板绝缘层是形成有一用于暴露该至少一个晶片安装区域的中央区域的开孔；
(3)提供至少一个发光二极管晶片，该至少一个发光二极管晶片是设置于该绝缘基板的该至少一个晶片安装区域并且具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对之后表面；
(4)于该至少一个发光二极管晶片的每个焊垫上形成一导电凸块，该导电凸块是与该绝缘基板的该至少一个晶片安装区域的晶片安装表面上的对应的导电轨迹电气地连接，
(5)通过把一导热材料经由该贯孔注入形成在绝缘基板、该至少一个发光二极管晶片与该等导电凸体之间的空间来形成一导热层；
(6)于在界定每一个开孔的内壁面与对应的导电凸体之间的空间内形成一绝缘材料层，该绝缘材料层在靠近晶片的部分具有一个比在靠近基板绝缘层的部分的厚度小的厚度以致于每个绝缘材料层具有一凹陷的上表面；
(7)于该绝缘材料层的表面上形成一金属反射层；
(8)于该金属反射层上形成一透明保护层。
本发明还提供一种发光二极管晶片封装体的封装方法，包含如下的步骤：
(1)提供一发光二极管晶片，该发光二极管晶片具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对之后表面；
(2)于该发光二极管晶片的焊垫安装表面上设置一光线反射涂层，该光线反射涂层具有一用于暴露该发光二极管晶片的对应的焊垫的焊垫暴露孔；
(3)于该发光二极管晶片之后表面上设置一透光元件；及
(4)于该发光二极管晶片的每个焊垫上设置一导电凸块。
本发明的发光二极管晶片封装体及其封装方法，能够解决习知发光二极管晶片封装体的以上所述的问题，在封装程序上可缩短工时，解决了对小面积的焊垫执行打线处理困难的问题，可提高LED晶片封装体的产量与优良品率。
【附图说明】
图1、2、3A、4为以封装步骤的方式显示本发明的第一较佳实施例的发光二极管晶片封装体的示意剖视图；图3B为图3A的局部放大图。
图5为一显示本发明的第二较佳实施例的发光二极管晶片封装体的示意剖视图；
图6为一显示本发明的第三较佳实施例的发光二极管晶片封装体的示意剖视图；
图7、8、9A为以封装步骤的方式显示本发明的第四较佳实施例的发光二极管晶片封装体的示意剖视图；图9B为图9A的局部放大图。
图10为一显示在本发明中所使用的另一种导电凸块的结构的示意剖视图；
图11为一显示在本发明中所使用的另一种导电凸块的结构的示意剖视图；
图12、13A、14～18为以封装步骤的方式显示本发明的第五较佳实施例的发光二极管晶片封装体的示意剖视图；图13B为图13A的局部放大图。
图19～21为以封装步骤的方式显示本发明的第六较佳实施例的发光二极管晶片封装体的示意剖视图；
图22～27为以封装步骤的方式显示在本发明中所使用的另一种导电凸块的结构的示意剖视图；
图28～32为以封装步骤的方式显示在本发明中所使用的另一种导电凸块的结构的示意剖视图；及
图33、34为以封装步骤的方式显示本发明的第七较佳实施例的发光二极管晶片封装体的示意剖视图。
【附图中的主要元件代表符号表】
10 发光二极管晶片 100 焊垫安装表面
101 后表面 102 焊垫
11 光线反射涂层 110 焊垫暴露孔
12 凸体 13 表面绝缘层
130 中央穿孔 14 第一金属层
15 第二金属层 150 镍层
151 金层 16 透光元件
28 界接金属层 17 透光元件
18 透光元件 19 绝缘保护层
20 绝缘层 200 中央穿孔
21 绝缘基板 210 晶片安装区域
211 晶片安装表面 212 背面
213 贯孔 214 导电轨迹
22 基板绝缘层 220 开孔
23 反光涂层 24 导电体
26 导热层 25 透光元件
29 绝缘材料层 30 金属反射层
31 透明保护层 32 导电触点
33 第一绝缘层 330 开孔
34 第二绝缘层 340 通孔
35 导电焊点 36 透光元件
37 全反射金属层 38 半反射金属层
【具体实施方式】
在本发明被详细说明的前，应要注意的是，在整个说明书中，相似的元件是由相同的标号标示。另一方面，为了清楚揭示本发明的特征，该等附图并不是按照元件实际的尺寸及不是按照真实比例来描绘。
图1、2、3A、3B、4为以制造步骤方式显示本发明的第一较佳实例的LED晶片封装体的示意剖视图。
请参阅图1所示，一发光二极管(LED)晶片10是首先被提供。该LED晶片10是为一个尚未从一晶圆(wafer)切割出来的晶片，也就是说，本发明的发光二极管晶片封装体的封装方法是为一种晶圆级封装方法。当然，该晶片也可以是为一个已从一晶圆切割出来的晶片。
该LED晶片10具有一个安装有数个焊垫102的焊垫安装表面100及一个与该焊垫安装表面100相对之后表面101。在本实施例中，两个焊垫102是被安装于该料垫安装表面100上。然而，应要了解的是，焊垫102的数目并不受限于两个，其是根据需要而定。
一光线反射涂层11是被设置于该LED晶片10的焊垫安装表面100上。该光线反射涂层11是由任何适合的材料形成并且具有数个用于暴露对应的焊垫102的焊垫暴露孔110。
请参阅图2所示，在光线反射涂层11的形成之后，于每一个焊垫102上是形成有一凸体12。在本实施例中，该等凸体12是由像聚酰亚胺(polyimide)及其类似般的光阻材料制成。该等凸体12的形成是通过首先在该光线反射涂层11上以光阻材料形成一凸体形成层(图中未示)而然后对该凸体形成层进行暴光和显影等处理来达成。
另一方面，一由光阻材料制成的表面绝缘层13是形成于该LED晶片10之后表面101上。在本实施例中，该表面绝缘层13是由感光油墨制成。在形成于该LED晶片10之后表面101上之后，该表面绝缘层13是经由暴光和显影等处理来在中央部分形成一用于暴露该晶片10之后表面101的中央部分的中央穿孔130。
接着，请参阅图3A、3B所示，于该LED晶片10的每一个焊垫102上是形成有一第一金属层14以致于该焊垫102的表面和在该焊垫102上的凸体12是由该第一金属层14覆盖。在本实施例中，该等第一金属层14是由铝形成。然而，应要了解的是，该第一金属层14亦可以由其他任何适合的金属材料形成。
然后，在每一个第一金属层14上是形成有一第二金属层15，因此，每个凸体12及其的对应的第一和第二金属层14和15一起形成一导电凸块。在本实施例中，每一个第二金属层15是由一镍层150与一金层151组成。
最后，一透光元件16是设置于该后表面绝缘层13的中央穿孔130内。如图4所示，在本实施例中，该透光元件16是以聚酰亚胺为材料来被形成并且具有一圆弧形的顶端部分。然而，该透光元件16亦可以由任何适合的材料与任何适合的方法来被设置。例如，该透光元件16是能够以适合的材料事先制造而成，而然后再被设置于该表面绝缘层13的中央穿孔130内。
应要注意的是，该透光元件16是可以依需要来被掺杂有至少一种适当的偏光剂以致于从该透光元件16射出的光线能够具有合意的颜色。
应要了解的是，在本实施例中，该凸体12是由光阻材料形成。然而，请参阅图10所示，该凸体12亦可以由像金般的金属形成作为导电凸块。当凸体12是由金形成时，该等金属层14和15是可以被免除。或者，如在图11中所示，在以光阻材料形成凸体12的前，于每个焊垫102上是形成一界接金属层28。应要注意的是，在本发明中所揭露的导电凸块并不受限于在此中所描述的类型和形成方式。只要是适于与外部电路电气连接的话，各式各样的导电凸块和其的形成方式是可应用在本发明。例如，在中国台湾专利申请案第89100578A03号案和第92112165号案中所揭露的导电凸块及其的形成方式亦可应用于本发明。
以上所述的LED晶片封装体具有如下的优点：
1.该LED晶片封装体的整体尺寸是与该LED晶片的尺寸大致相同，因此是比目前市面上可得的称为″0603″、″0804″、及″0402″等等的LED晶片封装体的尺寸小很多。
2.免除打线处理使整个封装时程缩短，并且有效提升产量与良率。
图5为显示本发明的第二较佳实施例的发光二极管晶片封装体的示意剖视图。
请参阅图5所示，本较佳实施例的发光二极管晶片封装体与第一较佳实施例的发光二极管晶片封装体不同的地方是仅在于该透光元件17是经由研磨处理来被形成有一平坦的顶端部分。
图6是为显示本发明的第三较佳实施例的发光二极管晶片封装体的部分示意剖视图。
请参阅图6所示，本实施例与该第二较佳实施例不同的地方仅在于进一步包含一个设置于该透光元件17的上的第二透光元件18。该等透光元件17，18可以被掺杂有不同波长的适当的偏光剂以致于从该第二透光元件18射出的光线可以具有由两种颜色调和出来的颜色。
图7至9A、9B为显示本发明的第四较佳实施例的发光二极管晶片封装体的示意剖视图。
请参阅图7所示，一发光二极管(LED)晶片10是首先被提供。该LED晶片10具有一个安装有数个焊垫102的焊垫安装表面100及一个与该焊垫安装表面100相对之后表面101。在本实施例中，两个焊垫102是被安装于该焊垫安装表面100上。然而，应要了解的是，焊垫102的数目并不受限于两个，其是根据需要而定。
一光线反射涂层11是被设置于该LED晶片10之后表面101上。
一由光阻材料制成的绝缘保护层19是形成于该反射涂层11上。在本实施例中，该绝缘保护层19是由感光油墨制成。
另一方面，一由光阻材料制成的表面绝缘层20是形成于该LED晶片10的焊垫安装表面100上。在本实施例中，该表面绝缘层20是由感光油墨制成。
接着，如在图8中所示，在形成于该LED晶片10的焊垫安装表面100上之后，该表面绝缘层20是经由暴光和显影等处理来形成一用于暴露该LED晶片10的焊垫安装表面100的中央部分的中央穿孔200和数个形成于一对应的焊垫102上的凸体12。
接着，如在图9A、9B中所示，于该LED晶片10的每一个焊垫102上形成一第一金属层14以致于该焊垫102的表面和在该焊垫102上的凸体12是由该第一金属层14覆盖。在本实施例中，该等第一金属层14是由铝形成。然而，应要了解的是，该等第一金属层14亦可以由其他任何适合的金属材料形成。
随后，于每一个第一金属层14上是形成一第二金属层15，因此，每个凸体12及其的对应的第一和第二金属层14和15一起形成一导电凸块。每一个第二金属层15是由一镍层150与一金层151组成。
最后，一透光元件17是设置于该表面绝缘层20的中央穿孔200内。在本实施例中，该透光元件17是以聚酰亚胺为材料形成。然而，该透光元件17亦可以由任何适合的材料与任何适合的方法来形成。
图12～18为以制造步骤方式显示本发明的第五较佳实施例的发光二极管晶片封装体的示意剖视图。
请参阅图12、13A、13B所示，至少一个发光二极管(LED)晶片10是首先被提供。该LED晶片10具有一个设置有数个焊垫102的焊垫安装表面100及一个与该焊垫安装表面100相对之后表面101。与以上的实施例相同，两个焊垫102是被安装于该焊垫安装表面100上。然而，应要了解的是，焊垫102的数目并不受限于两个，其是根据需要而定。
一光线反射涂层11是被设置于该LED晶片10的焊垫安装表面100上。该光线反射涂层11具有数个用于暴露对应的焊垫102的焊垫暴露孔110。
接着，于每一个焊垫102上是形成有一凸体12。在本实施例中，该凸体12是由像聚酰亚胺等光阻材料制成。该等凸体12的形成是通过首先在该光线反射涂层11上以光阻材料形成一凸体形成层(图中未示)而然后对该凸体形成层进行暴光和显影等处理来达成。
随后，于该LED晶片10的每一个焊垫102上是形成有一第一金属层14以致于该焊垫102的表面和在该焊垫102上的凸体12是由该第一金属层14覆盖。在本实施例中，该等第一金属层14是由铝形成。然而，应要了解的是，该第一金属层14亦可以由其他任何适合的金属材料形成。
然后，在每一个第一金属层14上是形成有一第二金属层15，因此，每个凸体12及其的对应的第一和第二金属层14和15一起形成一导电凸块。每一个第二金属层15是由一镍层150与一金层151组成。
现在请参阅图14、15所示，一绝缘基板21是被提供。该绝缘基板21具有数个晶片安装区域210。该等晶片安装区域210各具有一晶片安装表面211、一与该晶片安装表面211相对的背面212、数个贯通该晶片安装表面211与该背面212的贯孔213、及数个从该晶片安装表面211经由一对应的贯孔213来延伸到该背面212的导电轨迹214。在本较佳实施例中，每一个晶片安装区域210的贯孔213的数目是与对应的LED晶片10的焊垫102的数目相等。
在本实施例中，该绝缘基板21为一陶瓷基板，然而，该绝缘基板21亦可以是为由其他绝缘材料制成的基板，例如，玻璃基板。
然后，如在图16中所示，一基板绝缘层22是形成于整个绝缘基板21的晶片安装表面211上。在本实施例中，该基板绝缘层22是由光阻材料制成而且是经由暴光与显影等处理来形成有数个用于暴露对应的晶片安装区域210的中央区域的开孔220。随后，于界定每个开孔220的内壁面上是形成有一反光涂层23。
接着，请参阅图17所示，数个如上所述被制备的LED晶片10是被置于对应的晶片安装区域210内而且在该晶片10的焊垫102上的导电凸块是经由一导电体24来与在晶片安装表面211上的对应的导电轨迹214电气连接。
然后，如在图18中所示，一导热材料是经由该等贯孔213来被注入形成在绝缘基板21、对应的LED晶片10、与对应的导电体24之间的空间来形成导热层26。该导热材料可以是为金属绝缘导热材料或者非金属绝缘导热材料。
另一方面，于每个LED晶片10上是形成有一透光元件。该透光元件是由与以上所述的较佳实施例相同的材料及相同的方式形成。
最后，该绝缘基板21是依需要来被切割成数个个别的发光二极管封装体。例如，每个发光二极管封装体可以包含一个晶片安装区域210或者可以包含九个成矩阵方式排列的晶片安装区域210。
应要注意的是，该透光元件是可以被注入偏光染料剂或萤光剂以致于从该透光元件发射出来的光线可以具有合适的颜色。
图19～21为以制造步骤方式显示本发明的第六较佳实施例的发光二极管晶片封装体的示意侧视图。
在本实施例中，至少一个发光二极管(LED)是如在第五较佳实施例中所述般首先被制备，因此，其的详细描述于此被省略。
然后，如图19所示，一绝缘基板21是被提供。本实施例的绝缘基板21与第五较佳实施例的绝缘基板不同的地方仅在于本较佳实施例的绝缘基板21的每个晶片安装区域210具有比较大的面积。
然后，如在图20中所示，与该第五较佳实施例相同，一基板绝缘层22是形成于整个绝缘基板21的晶片安装表面211上。在本实施例中，该基板绝缘层22是由光阻材料制成而且是经由暴光与显影等处理来形成有数个用于暴露对应的晶片安装区域210的中央区域的开孔220。
接着，请参阅图21所示，数个预先被制备的LED晶片10是被置于对应的晶片安装区域210内而且在该晶片10的焊垫102上的导电凸块是经由一导电体24来与在晶片安装表面211上的对应的导电轨迹214电气连接。
然后，一导热材料是经由该等贯孔213注入形成在由该绝缘基板21、对应的LED晶片10、与对应的导电体24所形成的空间内来形成导热层26。该导热材料可以是为金属绝缘导热材料或者非金属绝缘导热材料。
在形成导热层26之后，在界定每一个开孔220的内壁面与对应的导电体24之间的空间内是形成有一绝缘材料层29。每一绝缘材料层29在靠近晶片10的部分具有一个比在靠近基板绝缘层22的部分的厚度小的厚度以致于每个绝缘材料层29具有一凹陷的上表面。
然后，一金属反射层30与一透明保护层31是以这顺序来连续地形成于每个绝缘材料层29的表面上。该金属反射层30是作用如一反射镜面以致于从该晶片发射出来的光线能完全被反射出来。
最后，该绝缘基板21是如同在第五较佳实施例中所述一样依需要来被切割成数个个别的发光二极管封装体。
图22～27是为以制作步骤方式显示一种可应用于本发明的导电凸块的例子的示意剖视图。
首先，请参阅图22所示，于晶片10的每个焊垫102上形成一如导电金属球般的导电触点32。在本实施例中，该导电触点32是为金球(gold ball)。然而，该导电触点32亦可以由任何适合的金属材料制成。
接着，如在图23中所示，于晶片10的焊垫安装表面100上是形成一由感光材料形成的第一绝缘层33。该第一绝缘层33是形成有数个暴露对应的导电触点32的开孔330。
然后，请参阅图24、25所示，于该第一绝缘层33上形成一由感光材料形成的第二绝缘层34。该第二绝缘层34是形成有数个与第一绝缘层33的对应的开孔330连通且比该对应的开孔330大的通孔340。接着，彼此连通的开孔330和通孔340是以锡膏充填。之后，经过回焊处理，充填于该等彼此连通的开孔330和通孔340的锡膏是形成一与对应的导电触点32电气连接且端部是凸伸于该通孔340外部的导电焊点35。
请参阅图26所示，经由研磨处理，导电焊点35的凸伸在通孔340外部的端部是被磨平。
最后，该第二绝缘层34是被移去，以致于每个该等导电焊点35与对应的导电触点32一起作用为一如上所述的导电凸块，如在第二十七图中所示。
图28～32为以制作步骤方式显示另一种可应用于本发明的导电凸块的例子的示意剖视图。
首先，请参阅图28所示，于晶片10的每个焊垫102上形成一如导电金属球般的导电触点32。在本实施例中，该导电触点32是为金球(gold ball)。然而，该导电触点32亦可以由任何适合的金属材料制成。
接着，于该晶片10的焊垫安装表面100上是形成一由感光材料形成的第一绝缘层33。该第一绝缘层33是形成有数个暴露对应的导电触点32的端部的开孔330。
然后，请参阅图29～30所示，于该第一绝缘层33上形成一由感光材料形成的第二绝缘层34。该第二绝缘层34是形成有数个与第一绝缘层33的对应的开孔330连通且比该对应的开孔330大的通孔340。接着，彼此连通的开孔330和通孔340是以锡膏充填。之后，经过回焊处理，充填于该等彼此连通的开孔330和通孔340的锡膏是形成一与对应的导电触点32电气连接且端部是凸伸于该通孔340外部的导电焊点35。
请参阅图31所示，经由研磨处理，导电焊点35的凸伸在通孔340外部的端部是被磨平。
最后，该第二绝缘层34是被移去，以致于每个该等导电焊点35与对应的导电触点32一起作用为一如上所述的凸体，如在第三十二图中所示。
图33、34为以制造步骤方式显示本发明的第七较佳实施例的发光二极管晶片封装体的示意剖视图。
首先，一LED晶片10是如在图12、13中所描述一样的方式被制作。然后，如在图33中所示，一由玻璃材料形成的中空透光元件36是被提供。该透光元件36内部是被注入有像氙气般的惰性气体或者像偏光染料剂般的液态染料或萤光剂。然后，一全反射金属层37是被形成在该透光元件36的下表面上而一半反射金属层38是被形成在该透光元件36的上表面上。
接着，如在图34中所示，通过一设置在该LED晶片10之后表面与该全反射金属层37之间的透明粘性材料层(图中未示)，该透光元件36是被设置于该LED晶片10之后表面上。
应要注意的是，该透光元件36亦可以由其他的透明绝缘材料形成，例如，透明的环氧树脂、聚酰亚胺、PVC等等。当该透光元件36是由其他的透明绝缘材料形成时，偏光染料剂粒子是被掺杂在该透明绝缘材料内。
综上所述，本发明的发光二极管晶片封装体及其封装方法，确能达到预期的目的与功效，但上述所揭露的图式及说明，仅为本发明的实施例而已，非为限定本发明的保护范围。
Claims (111)
1. 一种发光二极管晶片封装体，其特征在于：包含：
一发光二极管晶片，该发光二极管晶片具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对的后表面；
一光线反射涂层，该光线反射涂层是设置于该发光二极管晶片的焊垫安装表面上并且具有数个用于暴露该发光二极管晶片的对应的焊垫的焊垫暴露孔；
一表面绝缘层，该表面绝缘层是形成于该发光二极管晶片之后表面上并且具有一用于暴露该发光二极管晶片之后表面的中央部分的中央穿孔；
一透光元件，该透光元件是设置于该表面绝缘层的中央穿孔内；及
数个导电凸块，每一个导电凸块是设置于该发光二极管晶片的一对应的焊垫上。
2. 如权利要求1所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：该透光元件具有一圆弧形的顶端部分。
3. 如权利要求1所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：该透光元件具有一平坦的顶端部分。
4. 如权利要求3所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：更包含一设置于该透光元件的顶端部分上的第二透光元件，该透光元件及第二透光元件是被掺杂有不同波长的偏光剂。
5. 如权利要求1所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：每个导电凸块包含：
一形成于该发光二极管晶片的一对应的焊垫上的由非导电材料形成的凸体；
一形成于该发光二极管晶片的一对应的焊垫上且覆盖该对应的焊垫的表面及在该对应的焊垫上的凸体的第一金属层；及
一形成于一对应的第一金属层上的第二金属层。
6. 如权利要求5所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：每一第二金属层是由一镍层与一金层构成。
7. 如权利要求1所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：更包含数个各形成于一对应的焊垫上的界接金属层。
8. 如权利要求7所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：每个导电凸块包含：
一形成于该发光二极管晶片的一对应的界接金属层上的由非导电材料形成的凸体；
一形成于该发光二极管晶片的一对应的界接金属层上且覆盖该对应的界接金属层的表面及在该对应的界接金属层上的凸体的第一金属层；及
一形成于一对应的第一金属层上的第二金属层。
9. 如权利要求8所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：每一第二金属层是由一镍层与一金层构成。
10. 如权利要求1所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：该导电凸块是由金形成。
11. 如权利要求1所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：每个导电凸块包含：
一形成于该发光二极管晶片的一对应的焊垫上的导电触点；及
一形成于一对应的导电触点上的导电焊点。
12. 一种发光二极管晶片封装体，其特征在于：包含：
一发光二极管晶片，该发光二极管晶片具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对的后表面；
一光线反射涂层，该光线反线涂层是设置于该发光二极管晶片的后表面上；
一绝缘保护层，该绝缘保护层是形成于该光线反射涂层上；
一绝缘层，该绝缘层是形成于该发光二极管晶片的焊垫安装表面上并且具有一用于暴露该发光二极管晶片的焊垫安装表面的中央部分的中央穿孔及数个用于暴露对应的焊垫的焊垫暴露孔；
一透光元件，该透光元件是设置于该绝缘层的中央穿孔内；及
数个导电凸块，每一个导电凸块是设置于该发光二极管晶片的一对应的焊垫上。
13. 如权利要求12所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：该透光元件具有一平坦的顶端部分。
14. 如权利要求13所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：更包含一设置于该透光元件的顶端部分上的第二透光元件，该透光元件及第二透光元件是被掺杂有不同波长的偏光剂。
15. 如权利要求12所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：每个导电凸块包含：
一形成于该发光二极管晶片的一对应的焊垫上的由非导电材料形成的凸体；
一形成于该发光二极管晶片的一对应的焊垫上且覆盖该对应的焊垫的表面及在该对应的焊垫上的凸体的第一金属层；及
一形成于一对应的第一金属层上的第二金属层。
16. 如权利要求15所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：每一第二金属层是由一镍层与一金层构成。
17. 如权利要求12所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：更包含数个各形成于一对应的焊垫上的界接金属层。
18. 如权利要求17所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：每个导电凸块包含：
一形成于一对应的界接金属层上的由非导电材料形成的凸体；
一形成于一对应的界接金属层上且覆盖该对应的界接金属层的表面及在该对应的界接金属层上的凸体的第一金属层；及
一形成于一对应的第一金属层上的第二金属层。
19. 如权利要求18所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：每一第二金属层各由一镍层与一金层构成。
20. 如权利要求12所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：该导电凸块是由金形成。
21. 如权利要求12所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：每个导电凸块包含：
一形成于该发光二极管晶片的一对应的焊垫上的导电触点；及
一形成于一对应的导电触点上的导电焊点。
22. 一种发光二极管晶片封装体，其特征在于：包含：
一绝缘基板，该绝缘基板具有至少一个晶片安装区域，该至少一个晶片安装区域具有一晶片安装表面、一与该晶片安装表面相对的背面、数个贯通该晶片安装表面与该背面的贯孔、及数个从该晶片安装表面经由对应的贯孔延伸到该背面的导电轨迹；
一基板绝缘层，该基板绝缘层是形成于该绝缘基板的该至少一个晶片安装区域的晶片安装表面上而且是形成有一用于暴露该至少一个晶片安装区域的中央区域的开孔；
至少一个发光二极管晶片，该至少一个发光二极管晶片是设置于该绝缘基板的该至少一个晶片安装区域并且具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对的后表面；
一光线反射涂层，该光线反射涂层是设置于该至少一个发光二极管晶片的焊垫安装表面上并且具有数个用于暴露该至少一个发光二极管晶片的对应的焊垫的焊垫暴露孔；
数个导电凸块，每个导电凸块是设置于该至少一个发光二极管晶片的一对应的焊垫上且是与该绝缘基板的该至少一个晶片安装区域的晶片安装表面上的对应的导电轨迹电气连接；
一导热层，该导热层是由导热材料构成且形成在绝缘基板、该至少一个发光二极管晶片与该导电凸块之间的空间；及
一形成于该至少一个发光二极管晶片之后表面上的透光元件。
23. 如权利要求22所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：更包含一形成于在界定每一个开孔的内壁面上的反光涂层。
24. 如权利要求22所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：更包含数个导电体，每个导电凸块是经由一对应的导电体与对应的导电轨迹电气连接。
25. 如权利要求22所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：该导热层是由金属绝缘导热材料形成。
26. 如权利要求22所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：该导热层是由非金属绝缘导热材料形成。
27. 如权利要求22所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：该透光元件中掺杂有偏光染料剂粒子。
28. 如权利要求22所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：每个导电凸块包含：
一形成于该发光二极管晶片的一对应的焊垫上的由非导电材料形成的凸体；
一形成于该发光二极管晶片的一对应的焊垫上覆盖该对应的焊垫的表面及在该对应的焊垫上的凸体的第一金属层；及
一形成于一对应的第一金属层上的第二金属层。
29. 如权利要求28所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：每一第二金属层是由一镍层与一金层构成。
30. 如权利要求28所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：更包含数个各形成于一对应的焊垫上且位于该对应的焊垫与一对应的凸体之间的界接金属层。
31. 如权利要求22所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：该导电凸块是由金形成。
32. 如权利要求22所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：每个导电凸块包含：
一形成于该发光二极管晶片的一对应的焊垫上的导电触点；及
一形成于一对应的导电触点上的导电焊点。
33. 一种发光二极管晶片封装体，其特征在于：包含：
一绝缘基板，该绝缘基板具有至少一个晶片安装区域，该至少一个晶片安装区域具有一晶片安装表面、一与该晶片安装表面相对的背面、数个贯通该晶片安装表面与该背面的贯孔、及数个从该晶片安装表面经由对应的贯孔延伸到该背面的导电轨迹；
一基板绝缘层，该基板绝缘层是形成于该绝缘基板的该至少一个晶片安装区域的晶片安装表面上而且是形成有一用于暴露该至少一个晶片安装区域的中央区域的开孔；
至少一个发光二极管晶片，该至少一个发光二极管晶片是设置于该绝缘基板的该至少一个晶片安装区域并且具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对的后表面；
数个导电凸块，每个导电凸块是设置于该至少一个发光二极管晶片的一对应的焊垫上且是与该绝缘基板的该至少一个晶片安装区域的晶片安装表面上的对应的导电轨迹电气连接，
一导热层，该导热层是由导热材料构成且是形成在绝缘基板、该至少一个发光二极管晶片与该导电凸块之间；
一形成于在界定每一个开孔的内壁面与对应的导电凸块之间的空间内的绝缘材料层，该绝缘材料层在靠近发光二极管晶片的部分具有一个比在靠近基板绝缘层的部分的厚度小的厚度以致于每个绝缘材料层具有一凹陷的上表面；
一形成于该绝缘材料层的表面上的金属反射层；
一形成于该金属反射层上的透明保护层。
34. 如权利要求33所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：该封装体更包含数个导电体，每个导电凸块是经由一对应的导电体来与对应的导电轨迹电气连接。
35. 如权利要求33所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：该导热层是由金属绝缘导热材料形成。
36. 如权利要求33所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：该导热层是由非金属绝缘导热材料形成。
37. 如权利要求33所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：每个导电凸块包含：
一形成于该发光二极管晶片的一对应的焊垫上的由非导电材料形成的凸体；
一形成于该发光二极管晶片的一对应的焊垫上覆盖该对应的焊垫的表面及在该对应的焊垫上的凸体的第一金属层；及
一形成于一对应的第一金属层上的第二金属层。
38. 如权利要求37所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：每一第二金属层是由一镍层与一金层构成。
39. 如权利要求33所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：更包含数个各形成于一对应的焊垫上的界接金属层。
40. 如权利要求39所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：每个导电凸块包含：
一形成于一对应的界接金属层上的由非导电材料形成的凸体；
一形成于一对应的界接金属层上覆盖该对应的界接金属层的表面及在该对应的界接金属层上的凸体的第一金属层；及
一形成于一对应的第一金属层上的第二金属层。
41. 如权利要求40所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：每一第二金属层各由一镍层与一金层构成。
42. 如权利要求33所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：该导电凸块是由金形成。
43. 如权利要求33所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：每个导电凸块包含：
一形成于该发光二极管晶片的一对应的焊垫上的导电触点；及
一形成于一对应的导电触点上的导电焊点。
44. 一种发光二极管晶片封装体，包含：
一发光二极管晶片，该发光二极管晶片具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对之后表面；
一光线反射涂层，该光线反线涂层是设置于该发光二极管晶片的焊垫安装表面上并且具有一用于暴露该发光二极管晶片的对应的焊垫的焊垫暴露孔；
一透光元件，该透光元件是设置于该发光二极管晶片之后表面上；及
数个导电凸块，每一个导电凸块是设置于该发光二极管晶片的一对应的焊垫上，
其特征在于：
每个导电凸块包含：
一形成于该发光二极管晶片的一对应的焊垫上的由非导电材料形成的凸体；
一形成于该发光二极管晶片的一对应的焊垫上并覆盖该对应的焊垫的表面及在该对应的焊垫上的凸体的第一金属层；及
一形成于一对应的第一金属层上的第二金属层。
45. 如权利要求44所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：更包含一设置在该发光二极管晶片之后表面与该透光元件的下表面之间的全反射金属层。
46. 如权利要求45所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：更包含一设置在该透光元件的上表面上的半反射金属层。
47. 如权利要求44所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：该透光元件是由玻璃材料形成而且是一中空透光元件，该透光元件内部是被注入有惰性气体。
48. 如权利要求44所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：该透光元件是由玻璃材料形成而且是一中空透光元件，该透光元件内部是被注入有液态染料或萤光剂。
49. 如权利要求44所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：该透光元件是由掺杂有偏光染料剂粒子的透明绝缘材料形成。
50. 如权利要求44所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：每一第二金属层是由一镍层与一金层构成。
51. 如权利要求44所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：更包含数个各形成于一对应的焊垫上的界接金属层。
52. 如权利要求51所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：每个导电凸块包含：
一形成于一对应的界接金属层上的由非导电材料形成的凸体；
一形成于一对应的界接金属层上并覆盖该对应的界接金属层的表面及在该对应的界接金属层上的凸体的第一金属层；及
一形成于一对应的第一金属层上的第二金属层。
53. 如权利要求52所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：每一第二金属层各由一镍层与一金层构成。
54. 如权利要求44所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：该导电凸块是由金形成。
55. 如权利要求44所述的发光二极管晶片封装体，其特征在于：每个导电凸块包含：
一形成于该发光二极管晶片的一对应的焊垫上的导电触点；及
一形成于一对应的导电触点上的导电焊点。
56. 一种发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：包含如下的步骤：
1、提供一发光二极管晶片，该发光二极管晶片具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对之后表面；
2、设置一光线反射涂层于该发光二极管晶片的焊垫安装表面上，该光线反射涂层具有数个用于暴露该发光二极管晶片的对应的焊垫的焊垫暴露孔；
3、形成一表面绝缘层于该发光二极管晶片之后表面上，该表面绝缘层具有一用于暴露该发光二极管晶片之后表面的中央部分的中央穿孔；
4、设置一透光元件于该表面绝缘层的中央穿孔内；及
5、于该发光二极管晶片的每个焊垫上设置一导电凸块。
57. 如权利要求56所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置该透光元件的步骤4中，该透光元件具有一圆弧形的顶端部分。
58. 如权利要求56所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置该透光元件的步骤4中，该透光元件具有一平坦的顶端部分。
59. 如权利要求56所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在步骤4中更包含于该透光元件的顶端部分上设置一第二透光元件的步骤，所述透光元件与第二透光元件被掺杂有不同波长的偏光剂。
60. 权利要求56所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置导电凸块的步骤5中，包含如下的步骤：
于该发光二极管晶片的每个焊垫上以非导电材料形成一凸体；
于该发光二极管晶片的每个焊垫上形成一覆盖该焊垫的表面及在该焊垫上的凸体的第一金属层；及
于每一第一金属层上形成一第二金属层。
61. 如权利要求60所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在形成第二金属层的步骤中，每一第二金属层是由一镍层与一金层构成。
62. 如权利要求56所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：于步骤5中于每一焊垫上形成一凸体之前更包含于每个焊垫上形成一界接金属层的步骤。
63. 如权利要求62所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置导电凸块的步骤中，包含如下的步骤：
于该发光二极管晶片的每个界接金属层上以非导电材料形成一凸体；
于该发光二极管晶片的每一界接金属层上形成一覆盖该界接金属层的表面及在该界接金属层上的凸体的第一金属层；及
于每一第一金属层上形成一第二金属层。
64. 如权利要求63所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在形成第二金属层的步骤中，每一第二金属层是由一镍层与一金层构成。
65. 如权利要求56所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置导电凸块的步骤中，该导电凸块是由金形成。
66. 如权利要求56所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置导电凸块的步骤中，包含如下的步骤：
于该发光二极管晶片的每个焊垫上设置一导电触点；
于该光线反射涂层上形成一第一绝缘层，该第一绝缘层形成有数个暴露对应的导电触点的至少一部分的开孔；
于该第一绝缘层上形成一第二绝缘层，第二绝缘层是形成有数个与第一绝缘层的对应的开孔连通且比该对应的开孔大的通孔；
以锡膏充填彼此连通的开孔和通孔；
通过回焊处理使充填于该彼此连通的开孔和通孔的锡膏是形成一与对应的导电触点电气连接且端部是凸伸于该通孔外部的导电焊点；
通过研磨处理把导电焊点的凸伸在通孔外部的端部磨平；及
把该第二绝缘层移去。
67. 一种发光二极管晶片封装体的封装方法，包含如下的步骤：
1、提供一发光二极管晶片，该发光二极管晶片具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对之后表面；
2、于该发光二极管晶片之后表面上设置一光线反射涂层；
3、于该光线反射涂层上形成一绝缘保护层；
4、于该发光二极管晶片的焊垫安装表面上形成一绝缘层，该绝缘层具有一用于暴露该发光二极管晶片的焊垫安装表面的中央部分的中央穿孔及数个用于暴露对应的焊垫的焊垫暴露孔；
5、于该绝缘层的中央穿孔内设置一透光元件；及
6、于该发光二极管晶片的每个焊垫上设置一导电凸块。
68. 如权利要求67所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置透光元件的步骤5中，该透光元件具有一平坦的顶端部分。
69. 如权利要求68所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置透光元件的步骤5中，更包含于该透光元件的顶端部分上设置一第二透光元件的步骤，该透光元件、第二透光元件是被掺杂有不同波长的偏光剂。
70. 如权利要求67所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置导电凸块的步骤6中，包含如下的步骤：
于该发光二极管晶片的每个焊垫上以非导电材料形成一凸体；
于该发光二极管晶片的每个焊垫上形成一覆盖该焊垫的表面及在该焊垫上的凸体的第一金属层；及
于每一第一金属层上形成一第二金属层。
71. 如权利要求70所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在形成第二金属层的步骤中，每一第二金属层是由一镍层与一金层构成。
72. 如权利要求67所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：更包含于该发光二极管晶片的每个焊垫上形成一导电凸块之前于每个焊垫上形成一界接金属层的步骤。
73. 如权利要求72所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置导电凸块的步骤中，包含如下的步骤：
于每个界接金属层上以非导电材料形成一凸体；
于每一界接金属层上形成一覆盖该界接金属层的表面及在该界接金属层上的凸体的第一金属层；及
于每一第一金属层上形成一第二金属层。
74. 如权利要求73所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在形成第二金属层的步骤中，每一第二金属层各由一镍层与一金层构成。
75. 如权利要求67所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：该导电凸块是由金形成。
76. 一种发光二极管晶片封装体的封装方法，包含如下的步骤：
1、提供一绝缘基板，该绝缘基板具有至少一个晶片安装区域，该至少一个晶片安装区域具有一晶片安装表面、一与该晶片安装表面相对的背面、数个贯通该晶片安装表面与该背面的贯孔、及数个从该晶片安装表面经由对应的贯孔来延伸到该背面的导电轨迹；
2、于该绝缘基板的该至少一个晶片安装区域的晶片安装表面上形成一基板绝缘层，该基板绝缘层是形成有一用于暴露该至少一个晶片安装区域的中央区域的开孔；
3、提供至少一个发光二极管晶片，该至少一个发光二极管晶片是设置于该绝缘基板的该至少一个晶片安装区域并且具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对之后表面；
4、于该至少一个发光二极管晶片的焊垫安装表面上设置一光线反射涂层，该光线反射涂层具有数个用于暴露该至少一个发光二极管晶片的对应的焊垫的焊垫暴露孔；
5、于该至少一个发光二极管晶片的每个焊垫上设置一导电凸块，该导电凸块是与该绝缘基板的该至少一个晶片安装区域的晶片安装表面上的对应的导电轨迹电气连接；
6、通过把一导热材料经由所述贯孔注入形成在绝缘基板、该至少一个发光二极管晶片与所述导电凸块之间的空间来形成一导热层；及
7、于该至少一个发光二极管晶片之后表面上设置一透光元件。
77. 如权利要求76所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：于步骤2中还包含于在界定每一个开孔的内壁面上形成一反光涂层的步骤。
78. 如权利要求76所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：于步骤5中更包含形成数个导电体于对应的导电轨迹上的步骤，每个导电凸块是经由一对应的导电体来与对应的导电轨迹电气连接。
79. 如权利要求76所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在形成导热层的步骤6中，该导热层是由金属绝缘导热材料形成。
80. 如权利要求76所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在形成导热层的步骤6中，该导热层是由非金属绝缘导热材料形成。
81. 如权利要求76所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置透光元件的步骤7中，该透光元件中掺杂有偏光染料剂粒子。
82. 如权利要求76所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置导电凸块的步骤5中，包含如下的步骤：
于该发光二极管晶片的每个焊垫上以非导电材料形成一凸体；
于该发光二极管晶片的每个焊垫上形成一覆盖该焊垫的表面及在该焊垫上的凸体的第一金属层；及
于每一第一金属层上形成一第二金属层。
83. 如权利要求82所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在形成第二金属层的步骤中，每一第二金属层是由一镍层与一金层构成。
84. 如权利要求76所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置导电凸块的步骤5之前还包含于每个焊垫上形成一界接金属层的步骤。
85. 如权利要求84所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置导电凸块的步骤5中，包含如下的步骤：
于每一界接金属层上以非导电材料形成一凸体；
于每一界接金属层上形成一覆盖该界接金属层的表面及在该界接金属层上的凸体的第一金属层；及
于每一第一金属层上形成一第二金属层。
86. 如权利要求85所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在形成第二金属层的步骤中，每一第二金属层各由一镍层与一金层构成。
87. 如权利要求76所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置导电凸块的步骤5中，该导电凸块是由金形成。
88. 如权利要求76所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置导电凸块的步骤5中，包含如下的步骤：
于该发光二极管晶片的每个焊垫上设置一导电触点；
于该光线反射涂层上形成一第一绝缘层，该第一绝缘层形成有数个暴露对应的导电触点的至少一部分的开孔；
于该第一绝缘层上形成一第二绝缘层，第二绝缘层是形成有数个与第一绝缘层的对应的开孔连通且比该对应的开孔大的通孔；
以锡膏充填彼此连通的开孔和通孔；
通过回焊处理使充填于所述彼此连通的开孔和通孔的锡膏是形成一与对应的导电触点电气连接且端部是凸伸于该通孔外部的导电焊点；
通过研磨处理把导电焊点的凸伸在通孔外部的端部磨平；及
把该第二绝缘层移去。
89. 一种发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：包含如下的步骤：
1、提供一绝缘基板，该绝缘基板具有至少一个晶片安装区域，该至少一个晶片安装区域具有一晶片安装表面、一与该晶片安装表面相对的背面、数个贯通该晶片安装表面与该背面的贯孔、及数个从该晶片安装表面经由对应的贯孔来延伸到该背面的导电轨迹；
2、于该绝缘基板的该至少一个晶片安装区域的晶片安装表面上形成一基板绝缘层，该基板绝缘层是形成有一用于暴露该至少一个晶片安装区域的中央区域的开孔；
3、提供至少一个发光二极管晶片，该至少一个发光二极管晶片是设置于该绝缘基板的该至少一个晶片安装区域并且具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对之后表面；
4、于该至少一个发光二极管晶片的每个焊垫上形成一导电凸块，该导电凸块是与该绝缘基板的该至少一个晶片安装区域的晶片安装表面上的对应的导电轨迹电气地连接，
5、通过把一导热材料经由该贯孔注入形成在绝缘基板、该至少一个发光二极管晶片与所述导电凸块之间的空间来形成一导热层；
6、于在界定每一个开孔的内壁面与对应的导电凸块之间的空间内形成一绝缘材料层，该绝缘材料层在靠近发光二极管晶片的部分具有一个比在靠近基板绝缘层的部分的厚度小的厚度以致于每个绝缘材料层具有一凹陷的上表面；
7、于该绝缘材料层的表面上形成一金属反射层；
8、于该金属反射层上形成一透明保护层。
90. 如权利要求89所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：更包含于每一导电轨迹上形成一导电体的步骤，每个导电凸块是经由一对应的导电体来与对应的导电轨迹电气连接。
91. 如权利要求89所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在形成导热层的步骤5中，该导热层是由金属绝缘导热材料形成。
92. 如权利要求89所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在形成导热层的步骤5中，该导热层是由非金属绝缘导热材料形成。
93. 如权利要求89所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置导电凸块的步骤4中，包含如下的步骤：
于该发光二极管晶片的每个焊垫上以非导电材料形成一凸体；
于该发光二极管晶片的每个焊垫上形成一覆盖该焊垫的表面及在该焊垫上的凸体的第一金属层；及
于每一第一金属层上形成一第二金属层。
94. 如权利要求93所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在形成第二金属层的步骤中，每一第二金属层是由一镍层与一金层构成。
95. 如权利要求89所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：于形成导电凸块的步骤之前，更包含于每一焊垫上形成一界接金属层的步骤。
96. 如权利要求95所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在形成导电凸块的步骤4中，包含如下的步骤：
于每一界接金属层上以非导电材料形成一凸体；
于每一界接金属层上形成一覆盖该界接金属层的表面及在该界接金属层上的凸体的第一金属层；及
于每一第一金属层上形成一第二金属层。
97. 如权利要求96所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在形成第二金属层的步骤中，每一第二金属层各由一镍层与一金层构成。
98. 如权利要求89所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置导电凸块的步骤4中，该导电凸块是由金形成。
99. 如权利要求89所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置导电凸块的步骤4中，包含如下的步骤：
于该发光二极管晶片的每个焊垫上设置一导电触点；
于该光线反射涂层上形成一第一绝缘层，该第一绝缘层形成有数个暴露对应的导电触点的至少一部分的开孔；
于该第一绝缘层上形成一第二绝缘层，第二绝缘层是形成有数个与第一绝缘层的对应的开孔连通且比该对应的开孔大的通孔；
以锡膏充填彼此连通的开孔和通孔；
通过回焊处理使充填于所述彼此连通的开孔和通孔的锡膏是形成一与对应的导电触点电气连接且端部是凸伸于该通孔外部的导电焊点；
通过研磨处理把导电焊点的凸伸在通孔外部的端部磨平；及
把该第二绝缘层移去。
100. 一种发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：包含如下的步骤：
1、提供一发光二极管晶片，该发光二极管晶片具有一焊垫安装表面、数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫、及一与该焊垫安装表面相对之后表面；
2、于该发光二极管晶片的焊垫安装表面上设置一光线反射涂层，该光线反射涂层具有一用于暴露该发光二极管晶片的对应的焊垫的焊垫暴露孔；
3、于该发光二极管晶片之后表面上设置一透光元件；及
4、于该发光二极管晶片的每个焊垫上设置一导电凸块，包含如下步骤：
于该发光二极管晶片的每个焊垫上以非导电材料形成一凸体；
于该发光二极管晶片的每个焊垫上形成一覆盖该焊垫的表面及在该焊垫上的凸体的第一金属层；及
于每一第一金属层上形成一第二金属层。
101. 如权利要求100所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：更包含于该发光二极管晶片之后表面与该透光元件的下表面之间设置一全反射金属层的步骤。
102. 如权利要求100所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：更包含于该透光元件的上表面上设置一半反射金属层的步骤。
103. 如权利要求100所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置透光元件的步骤3中，该透光元件是由玻璃材料形成而且为一中空透光元件，该透光元件内部是被注入有惰性气体。
104. 如权利要求100所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置透光元件的步骤3中，该透光元件是由玻璃材料形成而且为一中空透光元件，该透光元件内部是被注入有液态染料或萤光剂。
105. 如权利要求100所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置透光元件的步骤3中，该透光元件是由掺杂有偏光染料剂粒子的透明绝缘材料形成。
106. 如权利要求100所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在形成第二金属层的步骤中，每一第二金属层是由一镍层与一金层构成。
107. 如权利要求100所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置导电凸块的步骤4之前，还包含一于每一焊垫上形成一界接金属层的步骤。
108. 如权利要求107所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置导电凸块的步骤4中，包含如下的步骤：
于每一界接金属层上以非导电材料形成一凸体；
于每一界接金属层上形成一覆盖该界接金属层的表面及在该界接金属层上的凸体的第一金属层；及
于每一第一金属层上形成一第二金属层。
109. 如权利要求108所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在形成第二金属层的步骤中，每一第二金属层各由一镍层与一金层构成。
110. 如权利要求100所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置导电凸块的步骤4中，所述导电凸块是由金形成。
111. 如权利要求100所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于：在设置导电凸块的步骤4中，包含如下的步骤：
于该发光二极管晶片的每个焊垫上设置一导电触点；
于该光线反射涂层上形成一第一绝缘层，该第一绝缘层形成有数个暴露对应的导电触点的至少一部分的开孔；
于该第一绝缘层上形成一第二绝缘层，第二绝缘层是形成有数个与第一绝缘层的对应的开孔连通且比该对应的开孔大的通孔；
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把该第二绝缘层移去。
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