JP3994346B2 - 発光ダイオードの表面実装方法 - Google Patents

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Description

この発明は、発光ダイオード素子に関し、特に高パワーIII−Ｖ族発光ダイオードのチップ型パッケージに関する。
従来の発光ダイオード素子のチップ型パッケージについて、アメリカ合衆国特許第６，３４５，９０３Ｂ１号に開示される技術、もしくは図１に開示するものが典型的な技術とされる。図１に開示する発光ダイオードパッケージ構造（１０）において、発光ダイオードチップ（２２）は、ベースの表面電極に設けられ、銀ペースト、もしくはハンダ層（２０）を介して第１金属コンタクト（１３）に貼着する。発光ダイオードチップ（２２）上層表面に位置する他の電極は、リード（２３）を介して他の第１金属コンタクト（１４）に電気的に接続する。これら第１金属コンタクト（１３）、（１４）は、いずれもグラスファイバーの基板（１２）の上層表面に設けられ、コンタクトホール（４０）内の導体メッキ層（４１）を介してグラスファイバーの基板（１２）底面の第２金属コンタクト（３３）、（３４）に電気的に接続する。
それぞれの発光ダイオードチップ（２２）は、反射ユニットの円錐型反射板（１７）内に設けられる。該円錐型反射板（１７）は、側壁が傾斜し、上面に向かって広がる円錐状に形成され、発光ダイオードチップ（２２）の照射する光線を上方に反射する作用を有する。発光ダイオードチップ（２２）を円錐型反射板（１７）内に設けた後、透過性の樹脂を注入し、第１パッケージ樹脂層（１５）を形成して発光ダイオードチップ（２２）と、リード（２３）を保護する。
第１パッケージ樹脂層（１５）の上面には、第２パッケージ樹脂層（２７）を形成する。該第２パッケージ樹脂層（２７）は、半球状の凹面が形成されたダイ（２８）内に樹脂を注入して形成し、レンズ（２９）と同様にフォーカスする作用を有する。第２パッケージ樹脂層（２７）を硬化成形（curing）した後、ダイ（２８）を除去する。最後にコンタクトホール（４０）中央の切開線（４２）に沿って切開し、単一発光ダイオードチップのパッケージを複数個完成させる。
上述の発光ダイオード表面実装技術において、発光ダイオードチップは２つの電極がそれぞれ上部表面と下部表面に位置する。よって、発光する場合、上部電極によって光線が遮られる。また、基板（１２）自体が絶縁体であって、コンタクトホール（４０）の導体メッキ層（４１）を介して上部表面の第１金属コンタクト（１３）、（１４）と、各表面の第２金属コンタクト（３３）、（３４）とを電気的に接続する。よって、第１パッケージ樹脂層（１５）によって被覆された発光ダイオードチップ（２２）から発生する熱エネルギーは、第１金属コンタクト（１３）、第２金属コンタクト（３３）の箇所、及びコンタクトホール（４０）の導体メッキ層（４１）からしか放出されない。従って、係る基板を用いた発光ダイオードのパッケージは放熱効果が劣る。
従来の発光ダイオード素子のチップ型パッケージにかかる第２の典型的な例は、アメリカ合衆国特許第６，３９６，０８２Ｂ１号、もしくは図２に開示するフリップチップ型パッケージ方式である。図２に開示するように、フリップチップ型の発光ダイオード（７９）は、銀ペーストか、もしくはハンダ層（８７）を介して透過性の基板（７２）に上向きに設けられる。基板（７２）は、グラスエポキシ基板（glass epoxy substrate）である。基板（７２）の発光ダイオード（７９）を設ける位置には、貫通孔（７５）を穿設する。また、基板（７２）の上部表面（７６Ａ）には、２つの金属コンタクト（７３）、（７４）を設け、該金属コンタクト（７３）、（７４）は、一端が下部表面（７６Ｂ）に延伸する。貫通孔（７５）には透過性の樹脂を注入して樹脂層（７７）を形成する。また、発光ダイオード（７９）の２つの電極（８３）、（８４）は、それぞれリード（８５）、（８６）を介して金属コンタクト（７３）、（７４）に電気的に接続する。次いで、発光ダイオード（７９）と、リード（８５）、（８６）を透過性の密封体（８８）で保護し、最後に密封体（８８）をマザーボード（９１）のホール（９２）に植え込む方式で基板（７２）の上下を転倒させてマザーボード（９１）に貼着する。
発光ダイオード（７９）は転倒して設けられ、基板（７２）の貫通孔（７５）から上方に光線が照射される。よって、電極（８３）、（８４）に遮られることなく、好ましい光線の伝送効果が得られる。
但し、基板（７２）は、絶縁特性を有し、このため樹脂層（７７）によって完全に覆われる発光ダイオード（７９）に発生する熱は金属コンタクト（７３）、（７４）のみを介して放出される。従って、前述する従来の技術と同様に、係る基板を用いたパッケージは放熱効果が劣る。その結果として発光ダイオードの出力パワーが制限を受け、このような問題を改善しない限りは高パワー発光ダイオードの実現は難しい。
アメリカ合衆国特許第６，３４５，９０３Ｂ１号 アメリカ合衆国特許第６，３９６，０８２Ｂ１号
この発明は、高パワーを達成するとともに、好ましい放熱効果の得られる発光ダイオードの表面実装構造と、その製造方法を提供することを課題とする。
そこで本発明者は、従来の技術に鑑み鋭意研究を重ねた結果、導電、熱電動特性を有する基板を設けるステップと、該基板に複数の隔離領
域を形成して該基板を複数の部分に分けるステップと、該基板の上部表面に一対の金属コンタクトを形成し、かつそれぞれの一対の金属コンタクトの一つを該溝の左側に形成し、他の一つを該溝の右側に形成するステップと、
該基板の下部表面側から該基板の一部分を除去して該溝の底部を露出させるステップと、 少なくとも１以上の円錐型反射板を含んでなり、発光ダイオードを収納する複数の反射ユニットを該基板に設けるステップと、 少なくとも１以上の発光ダイオードをそれぞれ該反射ユニットに設置し、かつそれぞれの発光ダイオードのｐ型電極とｎ型電極とを該一対の金属コンタクトのそれぞれの金属コンタクトに電気的に接続するステップと、樹脂を該円錐型反射板に注入するステップとを特徴とする発光ダイオードの表面実装方法によって課題を解決できる点に着眼
し、係る知見に基づき本発明を完成させた。
以下、この発明について具体的に説明する。
請求項１に記載する発光ダイオードの表面実装方法は、導電、熱電動特性を有する基板を設けるステップと、
該基板に複数の隔離領域を形成して該基板を複数の部分に分けるステップと、
該基板の上部表面に一対の金属コンタクトを複数形成し、、かつそれぞれの一対の金属コンタクトの一つを該溝の左側に形成し、他の一つを該溝の右側に形成するステップと、
円錐型反射板を含んでなり、発光ドダイオードを収納する複数の反射ユニットを該基板上に設けるステップと、
複数の発光ダイオードをそれぞれ該円錐型反射板内に設け、かつそれぞれの発光ダイオードのｐ型電極とｎ型電極とを該一対の金属コンタクトのそれぞれの金属コンタクトに電気的に接続するステップと、
透過性の樹脂か、もしくはエポキシ樹脂を該円錐型反射板に注入して該複数の発光ダイオードのパッケージを完成させるステップとを含む。
請求項２に記載する発光ダイオードの表面実装方法は、請求項１における反射ユニットを設けるステップの前に、該基板の下部表面に、該溝の左右の位置に対をなして設けられ、かつ外部の電極に接続する第２金属コンタクトを形成するステップを含む。
請求項３に記載する発光ダイオードの表面実装方法は、請求項１における溝がマイクロフォトエッチングの工程か、放電加工か、レーザカットか、もしくは工具などで形成し、かつ該の深さが約１００〜５００μｍである。
請求項４に記載する発光ダイオードの表面実装方法は、請求項１における方法が、少なくとも１以上のパッケージした発光ダイオードにダイシングを行い、パッケージされた単一の発光ダイオードを形成するステップをさらに含む。
請求項５に記載する発光ダイオードの表面実装方法は、前記基板がケイ素か、銅か、もしくはアルミ材から選択され、前記絶縁物質がＳＯＧ膜（Spin of Glass）か、ポリイミドか、もしくはＢＣＢ （bisbenzocyclobutene）樹脂などから選択される。
請求項６に記載する発光ダイオードの表面実装方法は、請求項１における発光ダイオードのｐ型電極とｎ型電極とが同一側に設けられている場合は、フリップチップ方式で該発光ダイオードのｐ型電極とｎ型電極とをハンダ、もしくはハンダボールを介して該一対をなす第１金属コンタクトに電気的に接続し、該発光ダイオードのｐ型電極とｎ型電極とがそれぞれ該発光ダイオードの底面と上面に設けられている場合は、ハンダ層を介して該発光ダイオードの底部の電極を該対をなす金属コンタクトの内の一金属コンタクトに電気的に接続し、該発光ダイオードの他の電極はリードを介して該対をなす金属コンタクトの内の他の金属コンタクトに接続する。
本発明の発光ダイオードの表面実装方法による構造は、高パワーを達成するとともに、好ましい放熱効果が得られるという利点がある。
また、本発明の発光ダイオードの表面実装方法は、従来の技術に比して製造工程を簡易化することができ、例えば基板に貫通孔を穿設し、電気メッキを施す製造工程を省くことができ、生産率を高め、製造コストを低減させることができる効果を有する。
この発明は、高パワーIII−Ｖ族発光ダイオードのチップ型パッケージ方法を提供するものであって、導電、熱伝導特性を有する基板を設けるステップと、少なくとも１以上の溝を該基板に形成するステップと、該溝に絶縁物質を充填するステップと、該基板の上部表面に一対の金属コンタクトを複数形成し、かつそれぞれの一対の金属コンタクトを該基板の隔離領域の左右両側に設けて発光ダイオードの両電極に電気的に接続するステップと、該基板の下部表面側から該基板の一部分を除去して該溝の底部を露出させるステップと、少なくとも１以上の円錐型反射板を含んでなり、発光ダイオードを収納する複数の反射ユニットを該基板上に設けるステップと、少なくとも１以上の発光ダイオードをそれぞれ該反射ユニットに設置し、かつそれぞれの発光ダイオードのｐ型電極とｎ型電極とを該一対の金属コンタクトのそれぞれの金属コンタクトに電気的に接続するステップと、樹脂を該円錐型反射板に注入するステップとを含んでなる。
係る発光ダイオードの表面実装方法について、その特徴を詳述するために具体的な実施例を挙げ、以下に説明する。
図３Ｊに、この発明の第１の実施例を開示する。図面には、切開して分割する以前の状態にある高パワー発光ダイオードのチップ型パッケージの構造を開示する。基板（１００）は、従来の技術による表面実装型パッケージに比して導電性と熱伝導特性を具えた基板である。よって、好ましい放熱能力が得られる。それぞれのフリップチップ型透過性基板の発光ダイオードチップ（１０３）は、ｐ型電極と、ｎ型電極とがそれぞれ基板（１００）上に設けた２つの第１金属コンタクト（１１０Ａ）に貼着される。両第１金属コンタクト（１１０Ａ）の間には隔離領域である絶縁溝（１０５）を形成し、該絶縁溝（１０５）には絶縁物質を充填して絶縁層（１０６）を形成して両第１金属コンタクト（１１０Ａ）を隔離する。
発光ダイオードチップ（１０３）は、反射ユニット（１２０）内に設け、樹脂を注入してフォーカス作用を有する凸レンズ状のパッケージ樹脂層（１３０）を形成するか、もしくは凸レンズ状のエポキシ酸化物フィルムを形成する。
図３Ａは、複数の絶縁溝（１０５）を形成した基板（１００）の断面図である。基板（１００）は、例えば銅、アルミ、ケイ素などの高い導電、熱伝導率を具える材質から選択される。銅、アルミ、ケイ素材の導電、熱伝導率を表１に開示する。
Figure 0003994346
図３Ｂ、図３Ｃは、基板（１００）の平面図である。それぞれの絶縁溝（１０５）は、図面に開示するように、発光ダイオードパッケージのサイズより長くするか、もしくは基板（１００）上に長い溝を形成する。図３Ｂに開示する溝は、糸のこを利用するか、マイクロフォトエッチングによって形成するか、もしくはレーザカットか、放電加工などの技術で形成する。それぞれの絶縁溝（１０５）の間のピッチ（Ｌ）は、発光ダイオードパッケージのサイズと略同一にする。これは基板（１００）の完全性を保存し、且つ絶縁溝（１０５）を形成する場合、基板（１００）を貫通させないためである。また、絶縁溝（１０５）の深さは、約１００〜５００μｍである。
図３Ｄに開示するように、絶縁溝（１０５）には絶縁物を充填して絶縁層（１０６）を形成する。絶縁物は、ＳＯＧ膜（Spin of Glass）、ポリイミド（polyimide）、もしくはＢＣＢ（B-staged bisbenzocyclobutene）樹脂膜などの塗布しやすく、隙間が形成されることなく、且つ高い耐熱特性を有する材質から選択して塗布する。
図３Ｅに開示するように、絶縁層（１０６）を形成した後、基板（１００）のそれぞれの絶縁溝（１０５）の両側に第１金属コンタクト（１１０Ａ）を形成する。第１金属コンタクト（１１０Ａ）は、化学気相成長（ＣＶＤ）、スパッタリング、熱蒸着、もしくは電子ガンによる蒸着などの従来の製造方法で金属を基板（１００）の表面に沈降させる。次いで、マイクロフォトエッチング技術でパターン化するか、もしくは予めマスクを形成し、電気メッキ、もしくは無電解メッキで形成してもよい。
次に、図３Ｆに開示するように、基板（１００）の背面に研磨を行い、少なくとも絶縁層（１０６）が絶縁溝（１０５）の両端縁部において完全に隔離状態を形成するように研磨する。
次に、図３Ｇに開示するように、第２金属コンタクト（１１０Ｂ）を基板（１００）の研磨した下部表面（１００Ｂ）に形成する。第２金属コンタクト（１１０Ｂ）を形成するステップは、第１金属コンタクト（１１０Ａ）と同様である。但し、絶縁溝（１０５）の両側に設ける第２金属コンタクト（１１０Ｂ）の間の距離は第１金属コンタクト（１１０Ａ）の距離よりも長くする。これは第１金属コンタクト（１１０Ａ）は発光ダイオードチップ（１０３）の両電極とを電気的に接続し、第２金属コンタクト（１１０Ｂ）は外部の電極に接続するためである。即ち、両第２金属コンタクト（１１０Ｂ）の間の距離は外部電極によって調整するため、所定の条件で制限を加える必要はない。
次に、図３Ｈに開示するように、円錐型反射板（１２０Ａ）を含む反射ユニット（１２０）を基板（１００）の上部表面（１００Ａ）に複数貼着する。該円錐型反射板（１２０Ａ）は、中央の位置が絶縁溝（１０５）の中央の位置に対応し、且つ第１金属コンタクト（１１０Ａ）上に固定する発光ダイオードチップ（１０３）の中央の位置に対応するように設ける。
次に、図３Ｉに開示するように、発光ダイオードチップ（１０３）を上下転倒させ、且つ発光ダイオードチップ（１０３）の電極（１０１）、（１０２）がそれぞれハンダ層（１０４）を介して第１金属コンタクト（１１０Ａ）に電気的に接続するように設ける。
図３Ｊに開示するように、円錐型反射板（１２０Ａ）には透過性の樹脂を注入するか、もしくはエポキシ化物などによるパッケージ樹脂層（１３０）を形成して発光ダイオードチップ（１０３）を保護する。また、フォーカス作用を高めるため、透過性の樹脂層、もしくはエポキシ化物などによるパッケージ樹脂層（１３０）の上半部はレンズ状の凹面を有するダイを利用してレンズ状に形成する。
最後に図３Ｊに開示するように、水平方向の分割線（１４０）（垂直方向の図には開示しない）に沿って基板（１００）とユニット構成部を切開して矩形状にする。
上述する導電熱伝導特性を具える材質によってなる基板を利用した発光ダイオードの表面実装技術は、ｐ型電極とｎ型電極がそれぞれチップの上下両側に位置する発光ダイオードに応用してもよい。
図４Ｆに、この発明の第２の実施例を開示する。図面には、切開して分割する以前の状態にある高パワー発光ダイオードのチップ型パッケージの構造を開示する。基板（１００）は、第１の実施例と同様の基板であって、発光ダイオ−ドチップを設けるために用いる。２つの第1金属コンタクト（１１０ＡＡ）、（１１０ＡＢ）は、基盤（１００）の上部表面（１００Ａ）に設ける。また、２つの第２金属コンタクト（１１０Ｂ）は基盤（１００）の下部表面（１００Ｂ）に設ける。それぞれの発光ダイオードチップ（１０３）の電極は第１金属コンタクト（１１０ＡＡ）に固定し、発光ダイオードチップ（１０３）上の他の電極はリード（１３５）を介して絶縁溝（１０５）を挟み設けられる他の第１金属コンタクト（１１０ＡＢ）に電気的に接続する。
発光ダイオードチップ（１０３）は、円錐型反射板（１２０Ａ）の中央の位置に設けられ、絶縁溝（１０５）は円錐型反射板（１２０Ａ）の中央からやや離れた位置に形成する。
次いで、透過性の樹脂を注入するか、もしくはエポキシ化物などによるパッケージ樹脂層（１３０））を形成して発光ダイオードチップ（１０３）とリード（１３５）を密封し、保護を与える。透過性の樹脂、もしくはエポキシ化物などによるパッケージ樹脂層（１３０）の上半部は、フォーカス作用を高めるためレンズ状に形成する。それぞれの発光ダイオードユニットの基板（１００）下部表面（１００Ｂ）には、それぞれ２つの第２金属コンタクト（１１０Ｂ）が設けられる。
第２の実施例の表面実装工程を図４Ａから図４Ｇに開示する。先ず、図４Ａに開示するように、第１の実施例と同じく基板（１００）に絶縁溝（１０５）のパターンを形成し、ＳＯＧ膜（Spin of Glass）、もしくはポリイミドを該絶縁溝（１０５）に充填する。絶縁溝（１０５）の深さとピッチ（Ｌ）は第１の実施例と同様である。
次いで、図４Ｂに開示するように、金属を沈降させてパターン化させる工程か、もしくはフォトマスクと電気メッキによる工程で、基板（１００）の上部表面（１００Ａ）に一対の金属コンタクトを複数形成して第１金属コンタクトとする。第１金属コンタクト（１１０ＡＡ）には、発光ダイオードチップ（１０３）を固定し、他の第１金属コンタクト（１１０ＡＢ）には、リードを接続する。よって、第１金属コンタクト（１１０ＡＡ）の面積は第１金属コンタクト（１１０ＡＢ）の面積より広くなる。また、基盤の底面は研磨を行い、絶縁溝（１０５）を露出させる。
次に、図４Ｄに開示するように、反射ユニット（１２０）を基板（１００）の上部表面（１００Ａ）に設ける。反射ユニット（１２０）は基板（１００）の上部表面（１００Ａ）に設けられる複数の円錐型反射板（１２０Ａ）を用いる。それぞれの円錐型反射板（１２０Ａ）は、２つの第１金属コンタクト（１１０ＡＡ）、（１１０ＡＢ）を囲むように設けられるが、但し、発光ダイオードチップ（１０３）を円錐型反射板（１２０Ａ）の中央の位置に設けるために、第１金属コンタクト（１１０ＡＡ）は円錐型反射板（１２０Ａ）の略中央の位置に設ける。
次に、図４Ｅに開示するように、発光ダイオードチップ（１０３）を円錐型反射板（１２０Ａ）内に設ける。発光ダイオードチップ（１０３）の底面電極は、ハンダ層（１０４）を介して、円錐型反射板（１２０Ａ）の略中央の位置に設けた第１金属コンタクト（１１０ＡＡ）上に貼着する。次いで、リード（１３５）を介して発光ダイオードチップ（１０３）上面の他の電極と、第１金属コンタクト（１１０ＡＢ）とを電気的に接続する。
最後に図４Ｆに開示するように、円錐型反射板（１２０Ａ）に透過性の樹脂を注入するか、もしくはエポキシ化物などによるパッケージ樹脂層（１３０）を形成し、発光ダイオードチップ（１０３）を封入する。
第１の実施例においては、絶縁層（１０６）で、基板（１００）上の２つの金属コンタクトを隔離した。第２の実施例においては、同様に金第１属コンタクト（１１０ＡＡ）と（１１０ＡＢ）を隔離した。これは実施例としての説明であって、この発明の実施の範囲を制限するものではない。例えば、基板の背面を研磨する工程によって絶縁溝（１０５）を露出させる工程は必ずしも必要ではなく、分離フィルム（release film）を基板（１００）の一方の表面に貼着し、分離フィルムを貼着しない基板（１００）の一面を切開するか、もしくは分離フィルムを貼着した箇所に至るまでエッチングしてもよい。次いで、絶縁層を充填し、切開した線の両側を粘着させ、最後に該分離フィルムを除去してもよい。係るステップの後に前述と同様のステップを行う。
以上はこの発明の好ましい実施例であって、この発明の実施の範囲を限定するものではない。よって、当業者のなし得る修正、もしくは変更であって、この発明の精神の下においてなされ、この発明に対して均等の効果を有するものは、いずれも本発明の特許請求の範囲に属するものとする。
従来の発光ダイオードの表面実装構造を示した説明図である。 従来の他の発光ダイオードの表面実装構造を示した説明図である。 この発明の方法における基板の断面図である（実施例１）。 この発明の方法における基板の平面図である（実施例１）。 この発明の方法における他の形態の基盤の平面図である（実施例１）。 この発明の方法において絶縁材を絶縁溝に充填した状態を示した説明図である（実施例１）。 この発明の方法において金属コンタクトを設けた状態を示した説明図である（実施例１）。 この発明の方法において基板の背面を研磨した状態を示した説明図である（実施例１）。 この発明の方法において基板の背面に第２金属コンタクトを設けた状態を示した説明図である（実施例１）。 この発明の方法において円錐型反射板を設けた状態を示した説明図である（実施例１）。 この発明の方法において発光ダイオードチップを設けた状態を示した説明図である（実施例１）。 この発明の方法において円錐型反射板に透過性の樹脂を注入して、樹脂層を形成した状態を示した説明図である（実施例１）。 この発明の方法における基板の断面図である。（実施例２） この発明の方法において絶縁材を絶縁溝に充填し、金属コンタクトを設けた状態を示した説明図である（実施例２）。 この発明の方法において基板の背面に第２金属コンタクトを設けた状態を示した説明図である（実施例２）。 この発明の方法において円錐型反射板を設けた状態を示した説明図である（実施例２）。 この発明の方法において発光ダイオードチップを設けた状態を示した説明図である（実施例２）。 この発明の方法において円錐型反射板に透過性の樹脂を注入して、樹脂層を形成した状態を示した説明図である（実施例２）。
符号の説明
１０ 発光ダイオードパッケージ構造
１２ 基板
１３、１４ 第１金属コンタクト
１５ 第１パッケージ樹脂層
１７ 円錐型反射板
２０ ハンダ層
２２ 発光ダイオードチップ
２３ リード
２７ 第２パッケージ樹脂層
２８ ダイ
２９ レンズ
３３、３４ 第２金属コンタクト
４０ コンタクトホール
４１ 導体メッキ層
４２ 切開線
７２ 基板
７３、７４ 金属コンタクト
７５ 貫通孔
７６Ａ 上部表面
７６Ｂ 下部表面
７７ 樹脂層
７９ 発光ダイオード
８３、８４ 電極
８５、８６ リード
８７ ハンダ層
８８ 密封体
９１ マザーボード
９２ ホール
１００ 基板
１００Ａ 上部表面
１００Ｂ 下部表面
１０１、１０２ 電極
１０３ 発光ダイオードチップ
１０４ ハンダ層
１０５ 絶縁溝
１０６ 絶縁物質
１１０Ａ 第１金属コンタクト
１１０ＡＡ 第１金属コンタクト
１１０ＡＢ 第１金属コンタクト
１１０Ｂ 第２金属コンタクト
１２０ 反射ユニット
１２０Ａ 円錐型反射板
１３０ パッケージ樹脂層
１３５ リード
１４０ 分割線

Claims (6)

  1. 導電、熱伝導特性を有する基板を設けるステップと、
    少なくとも１以上の溝を該基板に形成するステップと、
    該溝に絶縁物質を充填するステップと、
    該基板の上部表面に一対の金属コンタクトを形成し、かつそれぞれの一対の金属コンタクトの一つを該溝の左側に形成し、他の一つを該溝の右側に形成するステップと、
    該基板の下部表面側から該基板の一部分を除去して該溝の底部を露出させるステップと、
    少なくとも１以上の円錐型反射板を含んでなり、発光ダイオードを収納する複数の反射ユニットを該基板に設けるステップと、
    少なくとも１以上の発行ダイオードをそれぞれ反射ユニットに設置し、かつそれぞれの発光ダイオードのｐ型電極とｎ型電極とを該一対の金属コンタクトのそれぞれの金属コンタクトに電気的に接続するステップと、
    樹脂を該円錐型反射板に注入するステップとを特徴とする発光ダイオードの表面実装方法。
  2. 前記反射ユニットを設けるステップの前に、該基板の下部表面に、該隔離領域の左右の位置に対をなして設けられ、かつ外部の電極に接続する第２金属コンタクトを形成するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードの表面実装方法。
  3. 前記溝がマイクロフォトエッチングの工程か、放電加工か、レーザカットか、もしくは工具などで形成し、かつ該の深さが約１００〜５００μｍであることを特徴とする発光ダイオードの表面実装方法。
  4. 前記方法が、少なくとも１以上のパッケージした発光ダイオードにダイシングを行い、パッケージされた単一の発光ダイオードを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の発光ナノ粒子を有する発光ダイオード。
  5. 前記基板がケイ素か、銅か、もしくはアルミ材から選択され、前記絶縁物質がＳＯＧ膜（Spin of Glass）か、ポリイミドか、もしくはＢＣＢ
    （bisbenzocyclobutene）樹脂などから選択されることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードの表面実装方法。
  6. 前記発光ダイオードのｐ型電極とｎ型電極とが同一側に設けられている場合は、フリップチップ方式で該発光ダイオードのｐ型電極とｎ型電極とをハンダ、もしくはハンダボールを介して該一対をなす第１金属コンタクトに電気的に接続し、該発光ダイオードのｐ型電極とｎ型電極とがそれぞれ該発光ダイオードの底面と上面に設けられている場合は、ハンダ層を介して該発光ダイオードの底部の電極を該対をなす金属コンタクトの内の一金属コンタクトに電気的に接続し、該発光ダイオードの他の電極はリードを介して該対をなす金属コンタクトの内の他の金属コンタクトに接続することを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードの表面実装方法。
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