JP2011228671A - 発光ダイオードチップ収納用パッケージ及びその基体の製造方法 - Google Patents

発光ダイオードチップ収納用パッケージ及びその基体の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2011228671A
JP2011228671A JP2011069733A JP2011069733A JP2011228671A JP 2011228671 A JP2011228671 A JP 2011228671A JP 2011069733 A JP2011069733 A JP 2011069733A JP 2011069733 A JP2011069733 A JP 2011069733A JP 2011228671 A JP2011228671 A JP 2011228671A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitting diode
electrode
light emitting
diode chip
base layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011069733A
Other languages
English (en)
Inventor
Sheng Bai Lin
昇柏 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advanced Optoelectronic Technology Inc
Original Assignee
Advanced Optoelectronic Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Optoelectronic Technology Inc filed Critical Advanced Optoelectronic Technology Inc
Publication of JP2011228671A publication Critical patent/JP2011228671A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01049—Indium [In]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01065—Terbium [Tb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages

Abstract

【課題】優れた放熱性能を有する発光ダイオードチップ収納用パッケージ及びその基体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードチップ収納用パッケージの製造方法は、複数の電極ユニットを備える１つの電極板及び少なくとも１つの絶縁基板を提供し、各々の電極ユニットに、第一電極及び第二電極を設けるステップと、前記電極板及び少なくとも１つの前記絶縁基板を熱圧合して、前記絶縁基板で複数の前記第一電極及び複数の前記第二電極を覆うステップと、前記電極板の表面の前記絶縁基板を研磨して、前記第一電極及び前記第二電極を露出させて、基体層を形成するステップと、前記基体層の上に複数の発光ダイオードチップを貼り合わせ、各々の発光ダイオードチップを対応する前記第一電極及び前記第二電極に電気的に接続させるステップと、前記基体層を切断して複数の発光ダイオードチップ収納用パッケージを形成するステップと、を備える。
【選択図】図３

Description

本発明は、半導体素子収納用パッケージに関するものであり、特に発光ダイオードチップ収納用パッケージ及びその基体の製造方法に関するものである。
発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ，ＬＥＤ）は、低消費電力、高輝度、小型、長寿命である等の利点を有することから、次世代省エネランプの発光素子として、広く応用される。発光ダイオードは、特定波長の光を発することができ、例えば、可視光線である。しかし、発光ダイオードが受けるエネルギーの大部分は熱に転換され、他の部分のエネルギーが光エネルギーに転換される。このため、発光ダイオードの正常作動を確保するために、発光ダイオードが発光する時に生じる熱を放熱させなければならない。
従来の発光ダイオードチップ収納用パッケージは、発光ダイオードチップを搭載する配線基板を備え、発光ダイオードチップが生じる熱は、前記配線基板により放熱される。しかし、従来の配線基板の製造工程において、一般的に孔をあける工程、孔を埋める工程、及び、数回にわたる電気めっき工程によって回路構造を形成し、前記回路構造に応じて配線基板の上表面及び下表面に電極を連結するので、配線基板の製造工程が複雑であり、配線基板の厚さも効果的に縮小させることができず、従って発光ダイオードチップ収納用パッケージの放熱効果もよくない。
本発明の目的は、前記課題を解決し、優れた放熱性能を有する発光ダイオードチップ収納用パッケージ及びその基体の製造方法を提供することである。
本発明に係る発光ダイオードチップ収納用パッケージの製造方法は、複数の電極ユニットを備える１つの電極板及び少なくとも１つの絶縁基板を提供し、各々の電極ユニットに、第一電極及び第二電極を設けるステップと、前記電極板及び少なくとも１つの前記絶縁基板を熱圧合して、前記絶縁基板で複数の前記第一電極及び複数の前記第二電極を覆うステップと、前記電極板の表面の前記絶縁基板を研磨して、前記第一電極及び前記第二電極を露出させて、基体層を形成するステップと、前記基体層の上に複数の発光ダイオードチップを貼り合わせ、各々の発光ダイオードチップを対応する前記第一電極及び前記第二電極に電気的に接続させるステップと、前記基体層を切断して複数の発光ダイオードチップ収納用パッケージを形成するステップと、を備える。
本発明に係る発光ダイオードチップ収納用パッケージの基体の製造方法は、複数の電極ユニットを備える１つの電極板及び少なくとも１つの絶縁基板を提供し、各々の電極ユニットに、第一電極及び第二電極を設けるステップと、前記電極板及び少なくとも１つの前記絶縁基板を熱圧合して、前記絶縁基板で複数の前記第一電極及び複数の前記第二電極を覆うステップと、前記電極板の表面の前記絶縁基板を研磨して、前記第一電極及び前記第二電極を露出させて、基体層を形成するステップと、前記基体層を切断して複数の基体を形成するステップと、を備える。
本発明に係わる発光ダイオードチップ収納用パッケージの製造方法において、熱圧合方式及び研磨方式によって、発光ダイオードチップ収納用パッケージの基体を形成するので、孔をあける工程、孔を埋める工程、数回にわたる電気めっき工程を必要とせず、従って、基体の厚さを十分に縮小させることができ、基体の熱抵抗を低減させ、発光ダイオードチップ収納用パッケージの放熱効率を高める。
本発明の第一実施形態に係る発光ダイオードチップ収納用パッケージの構造を示す断面図である。 図１に示す発光ダイオードチップ収納用パッケージの製造過程で提供する電極板の鳥瞰図である。 図１に示す発光ダイオードチップ収納用パッケージの第一の製造方法を示す図である。 図１に示す発光ダイオードチップ収納用パッケージの第二の製造方法を示す図である。。 図１に示す発光ダイオードチップ収納用パッケージの第三の製造方法を示す図である。 本発明の第二実施形態に係る発光ダイオードチップ収納用パッケージの構造を示す断面図である。 図６に示す発光ダイオードチップ収納用パッケージの製造方法を示す図である。 本発明の第三実施形態に係る発光ダイオードチップ収納用パッケージの構造を示す断面図である。 図８に示す発光ダイオードチップ収納用パッケージの製造方法を示す図である。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。
図１を参照すると、本発明の第一実施形態に係る発光ダイオードチップ収納用パッケージ１００は、基体１０と、前記基体１０の片側に位置する発光ダイオードチップ２０と、前記基体１０の上面に積層され、中央部に前記発光ダイオードチップ２０を収容するための貫通穴４２を有する反射枠４０と、を備え、前記反射枠４０の貫通穴４２内に透明な封止樹脂３０を充填して前記発光ダイオードチップ２０を封止することによって発光装置を構成する。
前記基体１０は、絶縁基板１２、第一電極１４及び第二電極１６を備える。前記絶縁基板１２は、上面１２２及び該上面１２２に対向する底面１２４を備える。前記絶縁基板１２には、前記上面１２２及び前記底面１２４を貫く第一貫通孔１２６及び第二貫通孔１２８が設けられる。前記絶縁基板１２は、優れた熱伝導性を有し且つ電気絶縁性を有する材料からなり、このような材料は、エポキシ、シリコン、酸化ケイ素またはそれらの混合物から選択される。前記第一電極１４及び前記第二電極１６は、前記第一貫通孔１２６及び前記第二貫通孔１２８の内部にそれぞれに収容される。前記第一電極１４の上面、前記第二電極１６の上面及び前記絶縁基板１２の上面１２２は同じ平面に位置し、前記第一電極１４の底面、前記第二電極１６の底面及び前記絶縁基板１２の底面１２４は同じ平面に位置する。前記第一電極１４及び前記第二電極１６は、熱伝導性及び導電性を有する材料からなり、好ましくは金属又は金属合金からなり、例えば、酸化インジウムにスズ（ＩＴＯ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）又はその合金などである。本実施形態において、前記第一電極１４の直径は、前記第二電極１６の直径より大きい。
前記発光ダイオードチップ２０は、前記第一電極１４の上面に貼り合わせており、前記発光ダイオードチップ２０の２つの電極（図示せず）は、前記第一電極１４及び前記第二電極１６にそれぞれに電気的に接続される。本実施形態において、前記発光ダイオードチップ２０は、導線２２によって前記第二電極１６に電気的に接続されるが、他の実施形態においては、フリップチップ方式によって前記第二電極１６に電気的に接続されることができる。前記第一電極１４の直径は、前記発光ダイオードチップ２０の長さより大きく、従って、前記第一電極１４と前記発光ダイオードチップ２０との接触面積を増大させ、前記発光ダイオードチップ２０から生じる熱を前記第一電極１４により前記発光ダイオードチップ収納用パッケージ１００の外部へ速く放熱させる。
前記反射枠４０は、前記発光ダイオードチップ２０を囲んで前記基体１０の上面に積層される。前記発光ダイオードチップ２０の発する光を前記反射枠４０の貫通穴４２内で反射させて、発光装置の発光効率を高める。
前記封止樹脂３０は、前記反射枠４０の貫通穴４２内に充填されて、前記発光ダイオードチップ２０を保護するために用いられる。前記封止樹脂３０は、エポキシ（Ｅｐｏｘｙ）樹脂又はシリコーン（Ｓｉｌｉｃｏｎｅ）樹脂であることができ、前記封止樹脂３０に蛍光材料を混ぜることで、前記発光装置が白光又は他の必要とする色の光を発することができる。前記蛍光材料は、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体材料、ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体材料、硫化物（Ｓｕｌｆｉｄｅ）、リン化物（Ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）、酸窒化物（Ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）又はシリケイト（Ｓｉｌｉｃａｔｅ）であることができる。
図２及び図３を参照すると、前記発光ダイオードチップ収納用パッケージ１００の第一の製造方法は、以下のステップを備える。
第一ステップ：１つの電極板１及び２つの絶縁基板２を提供する。前記電極板１は、アレイに配置された複数の電極ユニット１５を備え、各々の電極ユニット１５は、第一電極１４及び第二電極１６を備える。前記電極板１における各々の第一電極１４及び各々の第二電極１６の周囲には、全て切抜き孔１ａが形成されている。本実施形態において、前記電極板１は、複数の前記第一電極１４及び複数の前記第二電極１６を支持する複数の支持リブ１ｂを備える。前記電極板１は、金属又は金属合金からなり、例えば、銅、アルミニウム、銅合金及びアルミニウム合金などである。
第二ステップ：前記電極板１を２つの前記絶縁基板２の間に配置し、熱圧合方式によって、前記絶縁基板２で複数の前記第一電極１４及び複数の前記第二電極１６を覆ってから、前記電極板１の両面の前記絶縁基板２を研磨して、前記第一電極１４及び前記第二電極１６を露出させて、基体層３を形成する。前記基体層３を形成するために用いられる前記絶縁基板２の数量は２つに限定されるものではなく、１つ又は２つ以上であることができ、前記電極板１における各々の第一電極１４及び第二電極１６を覆いさえすればよい。
第三ステップ：前記基体層３の各々の第一電極１４の上に１つの発光ダイオードチップ２０を貼り合わせてから、ワイヤーボンディング方式又はフリップチップ方式によって、各々の発光ダイオードチップ２０を対応する前記第一電極１４及び前記第二電極１６に電気的に接続させる。
第四ステップ：前記基体層３の上に封止樹脂層４を形成して複数の前記発光ダイオードチップ２０を覆う。前記封止樹脂層４の内部に蛍光材料を混ぜることができ、前記蛍光材料は、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体材料、ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体材料、硫化物（Ｓｕｌｆｉｄｅ）、リン化物（Ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）、酸窒化物（Ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）又はシリケイト（Ｓｉｌｉｃａｔｅ）であることができる。前記封止樹脂層４は、コーティング方式又はモールディング方式によって前記基体層３の上に形成される。
第五ステップ：前記封止樹脂層４に複数のグルーブ５を形成して、前記封止樹脂層４を複数の封止樹脂３０に分ける。
第六ステップ：前記グルーブ５内に反射枠４０を形成する。前記反射枠４０は、モールディング方式によって、前記前記グルーブ５内に形成される。
第七ステップ：前記基体層を切断して複数の発光ダイオードチップ収納用パッケージ１００を形成する。
図４を参照すると、前記発光ダイオードチップ収納用パッケージ１００の第二の製造方法は、前記第一の製造方法と類似するが、異なる点として、第二の製造方法は、先ず反射枠４０を形成してから、インジェクション又は滴下（ｄｒｉｐｐｉｎｇ）方式によって封止樹脂３０を形成する。
図５を参照すると、前記発光ダイオードチップ収納用パッケージ１００の第三の製造方法は、前記第一の製造方法と類似するが、異なる点として、第三の製造方法は、前記封止樹脂層４を前記基体層３の上に形成する前に、先ず前記基体層３の上に臨時基板６を配置し、前記封止樹脂層４を前記基体層３の上に形成してから、前記臨時基板６を除去することにより、前記封止樹脂層４に複数のグルーブ５を形成する。前記臨時基板６は、一体成形された型板であり、便利に剥離することができる。
図６を参照すると、本発明の第二実施形態に係る発光ダイオードチップ収納用パッケージ２００は、前記第一実施形態に係る発光ダイオードチップ収納用パッケージ１００と類似するが、前記発光ダイオードチップ収納用パッケージ２００は、反射枠４０を備えない点において相違する。
図７を参照すると、前記発光ダイオードチップ収納用パッケージ２００の製造方法は、前記発光ダイオードチップ収納用パッケージ１００の第一の製造方法と類似するが、本製造方法では、前記発光ダイオードチップ収納用パッケージ２００の製造過程において、前記基体層３の上に前記封止樹脂層４を形成してから、直接的に切断して複数の発光ダイオードチップ収納用パッケージ２００を形成する。
図８を参照すると、本発明の第三実施形態に係る発光ダイオードチップ収納用パッケージ３００は、前記第一実施形態に係る発光ダイオードチップ収納用パッケージ１００と類似するが、前記発光ダイオードチップ収納用パッケージ３００は、電極ユニット１５ａを備え、前記電極ユニット１５ａは、第一電極１４ａ、第二電極１６ａ及び熱伝導柱１８を備え、前記熱伝導柱１８は、前記第一電極１４ａ及び前記第二電極１６ａと互いに離間している。前記発光ダイオードチップ収納用パッケージ３００の発光ダイオードチップ２０は、前記熱伝導柱１８の上に貼り合わせる。本実施形態において、前記第一電極１４ａ、前記第二電極１６ａ及び前記熱伝導柱１８の材料は、同じである。
図９を参照すると、前記発光ダイオードチップ収納用パッケージ３００の製造方法は、前記発光ダイオードチップ収納用パッケージ１００の第一の製造方法と類似するが、本製造方法では、前記発光ダイオードチップ収納用パッケージ３００の製造過程において、前記発光ダイオードチップ２０を前記基体層３ａの前記熱伝導柱１８の上に貼り合わせる。
本発明の実施形態に係る発光ダイオードチップ収納用パッケージの製造方法において、熱圧合方式及び研磨方式によって、発光ダイオードチップ収納用パッケージの基体を形成するので、孔をあける工程、孔を埋める工程、数回にわたる電気めっき工程を必要とせず、従って、基体の厚さを十分に縮小させることができ、基体の熱抵抗を低減させ、発光ダイオードチップ収納用パッケージの放熱効率を高めることができる。
以上、本発明を実施例に基づいて具体的に説明したが、本発明は、上述の実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種種変更可能であることは勿論であって、本発明の保護範囲は、特許請求の範囲によって定められる。
１ 電極板
１ａ 切抜き孔
１ｂ 支持リブ
２ 絶縁基板
３，３ａ 基体層
４ 封止樹脂層
５ グルーブ
６ 臨時基板
１０ 基体
１２ 絶縁基板
１４，１４ａ 第一電極
１５，１５ａ 電極ユニット
１６，１６ａ 第二電極
１８ 熱伝導柱
２０ 発光ダイオードチップ
２２ 導線
３０ 封止樹脂
４０ 反射枠
４２ 貫通穴
１００，２００，３００ 発光ダイオードチップ収納用パッケージ
１２２ 上面
１２４ 底面
１２６ 第一貫通孔
１２８ 第二貫通孔

Claims (8)

  1. 複数の電極ユニットを備える１つの電極板及び少なくとも１つの絶縁基板を提供し、各々の前記電極ユニットに、第一電極及び第二電極を設けるステップと、
    前記電極板及び少なくとも１つの前記絶縁基板を熱圧合して、前記絶縁基板で複数の前記第一電極及び複数の前記第二電極を覆うステップと、
    前記電極板の表面の前記絶縁基板を研磨して、前記第一電極及び前記第二電極を露出させて、基体層を形成するステップと、
    前記基体層の上に複数の発光ダイオードチップを貼り合わせ、各々の前記発光ダイオードチップを対応する前記第一電極及び前記第二電極に電気的に接続させるステップと、
    前記基体層を切断して複数の発光ダイオードチップ収納用パッケージを形成するステップと、
    を備えることを特徴とする発光ダイオードチップ収納用パッケージの製造方法。
  2. 前記基体層を切断して複数の発光ダイオードチップ収納用パッケージを形成する前に、前記基体層の上に封止樹脂層を形成して複数の前記発光ダイオードチップを覆うステップをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードチップ収納用パッケージの製造方法。
  3. 前記基体層を切断して複数の発光ダイオードチップ収納用パッケージを形成する前に、各々の前記発光ダイオードチップに対応して、前記基体層の上に各々の前記発光ダイオードチップを囲む反射枠を形成し、各々の前記反射枠の中に封止樹脂を形成して、各々の前記発光ダイオードチップを覆うことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードチップ収納用パッケージの製造方法。
  4. 前記反射枠を形成してから前記封止樹脂を形成することを特徴とする請求項３に記載の発光ダイオードチップ収納用パッケージの製造方法。
  5. 前記封止樹脂を形成してから前記反射枠を形成することを特徴とする請求項３に記載の発光ダイオードチップ収納用パッケージの製造方法。
  6. 前記基体層の上に複数の前記発光ダイオードチップを貼り合わせてから、前記基体層の上に封止樹脂層を形成し、前記封止樹脂層における複数の前記反射枠に対応する位置に複数のグルーブを形成してから、前記グルーブ内に前記反射枠を形成することを特徴とする請求項５に記載の発光ダイオードチップ収納用パッケージの製造方法。
  7. 前記基体層の上に複数の前記発光ダイオードチップを貼り合わせてから、前記基体層の上に複数の前記反射枠に対応する複数の臨時基板を放置し、前記基体層の上に封止樹脂層を形成してから、前記臨時基板を除去することにより、複数の前記反射枠に対応する複数のグルーブを形成し、複数のグルーブ内に前記反射枠を形成することを特徴とする請求項５に記載の発光ダイオードチップ収納用パッケージの製造方法。
  8. 複数の電極ユニットを備える１つの電極板及び少なくとも１つの絶縁基板を提供し、各々の前記電極ユニットに、第一電極及び第二電極を設けるステップと、
    前記電極板及び少なくとも１つの前記絶縁基板を熱圧合して、前記絶縁基板で複数の前記第一電極及び複数の前記第二電極を覆うステップと、
    前記電極板の表面の前記絶縁基板を研磨して、前記第一電極及び前記第二電極を露出させて、基体層を形成するステップと、
    前記基体層を切断して複数の基体を形成するステップと、
    を備えることを特徴とする発光ダイオードチップ収納用パッケージの基体の製造方法。
JP2011069733A 2010-04-16 2011-03-28 発光ダイオードチップ収納用パッケージ及びその基体の製造方法 Pending JP2011228671A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201010148823.0 2010-04-16
CN2010101488230A CN102222625A (zh) 2010-04-16 2010-04-16 发光二极管封装结构及其基座的制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011228671A true JP2011228671A (ja) 2011-11-10

Family

ID=44779140

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011069733A Pending JP2011228671A (ja) 2010-04-16 2011-03-28 発光ダイオードチップ収納用パッケージ及びその基体の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8143080B2 (ja)
JP (1) JP2011228671A (ja)
CN (1) CN102222625A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014045169A (ja) * 2012-07-31 2014-03-13 Kyocera Corp 電子部品搭載用基板およびその製造方法
KR20150086093A (ko) * 2014-01-17 2015-07-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101262915B1 (ko) 2012-02-07 2013-05-09 삼성전자주식회사 발광장치 및 발광장치의 제조방법
CN103378282A (zh) * 2012-04-27 2013-10-30 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构的制造方法
CN103426977B (zh) * 2012-05-16 2016-05-04 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装方法
CN103515520B (zh) * 2012-06-29 2016-03-23 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN103840060A (zh) * 2012-11-26 2014-06-04 梁建忠 一种led支架及led
US20140217437A1 (en) * 2013-02-07 2014-08-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting apparatus and manufacturing method thereof
CN103219329A (zh) * 2013-03-21 2013-07-24 歌尔声学股份有限公司 发光二极管装置及其制造方法
CN104078556B (zh) * 2013-03-28 2017-03-01 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构的制造方法
CN104167480B (zh) * 2013-05-20 2017-01-25 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的制造方法
DE102015100262A1 (de) 2015-01-09 2016-07-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen und Verfahren zum Herstellen eines Chipgehäuses sowie Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
JP6304297B2 (ja) * 2016-04-06 2018-04-04 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US11329030B2 (en) * 2017-05-02 2022-05-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Production of a chip module

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003046140A (ja) * 2001-07-26 2003-02-14 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2007005801A (ja) * 2005-06-20 2007-01-11 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 金属反射層を形成したｌｅｄパッケージ及びその製造方法
JP2009049197A (ja) * 2007-08-20 2009-03-05 Denki Kagaku Kogyo Kk 発光素子パッケージ用基板の製造方法および発光素子パッケージ
JP2009283653A (ja) * 2008-05-22 2009-12-03 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200302685A (en) * 2002-01-23 2003-08-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Circuit component built-in module and method of manufacturing the same
JP4277508B2 (ja) * 2002-10-28 2009-06-10 パナソニック電工株式会社 半導体発光装置
TW200507218A (en) * 2003-03-31 2005-02-16 North Corp Layout circuit substrate, manufacturing method of layout circuit substrate, and circuit module
TWI237411B (en) * 2004-12-06 2005-08-01 Internat Semiconductor Technol Process and structure for packaging LED's
CN101510542B (zh) * 2008-02-13 2013-01-16 张秀梅 大功率发光二极管芯片的一种封装结构与制造方法
US8203167B2 (en) * 2008-03-25 2012-06-19 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and adhesive between base and terminal
KR20100005852A (ko) * 2008-07-08 2010-01-18 삼성전기주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP5383611B2 (ja) * 2010-01-29 2014-01-08 株式会社東芝 Ｌｅｄパッケージ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003046140A (ja) * 2001-07-26 2003-02-14 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2007005801A (ja) * 2005-06-20 2007-01-11 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 金属反射層を形成したｌｅｄパッケージ及びその製造方法
JP2009049197A (ja) * 2007-08-20 2009-03-05 Denki Kagaku Kogyo Kk 発光素子パッケージ用基板の製造方法および発光素子パッケージ
JP2009283653A (ja) * 2008-05-22 2009-12-03 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014045169A (ja) * 2012-07-31 2014-03-13 Kyocera Corp 電子部品搭載用基板およびその製造方法
KR20150086093A (ko) * 2014-01-17 2015-07-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102111022B1 (ko) * 2014-01-17 2020-05-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20110256646A1 (en) 2011-10-20
CN102222625A (zh) 2011-10-19
US8143080B2 (en) 2012-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11543081B2 (en) LED assembly with omnidirectional light field
JP2011228671A (ja) 発光ダイオードチップ収納用パッケージ及びその基体の製造方法
US10177283B2 (en) LED packages and related methods
JP4989614B2 (ja) 高出力ｌｅｄパッケージの製造方法
US9157579B2 (en) LED assembly with omnidirectional light field
US7923831B2 (en) LED-based light source having improved thermal dissipation
JP5426481B2 (ja) 発光装置
KR100958024B1 (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
US8067782B2 (en) LED package and light source device using same
US20110291135A1 (en) Light emitting diode package
KR101360732B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
US20080261339A1 (en) Packaging method to manufacture package for a high-power light emitting diode
US20080061314A1 (en) Light emitting device with high heat-dissipating capability
US8952404B2 (en) Light-emitting device package and method of manufacturing the light-emitting device package
JP2003168829A (ja) 発光装置
TWI496323B (zh) 發光模組
WO2006132794A2 (en) A light-emitting device module with flip-chip configuration on a heat-dissipating substrate
KR20090072941A (ko) 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
US20130001613A1 (en) Light emitting diode package and method for making the same
JP4122743B2 (ja) 発光装置
US8716734B2 (en) Light emitting diode package having a portion of reflection cup material covering electrode layer on side surfaces of substrate
US10784423B2 (en) Light emitting device
KR20140004351A (ko) 발광 다이오드 패키지
TW201407748A (zh) 發光二極體燈條
EP2484969A1 (en) Led energy-saving lamp

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140325

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150213

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150223

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20150810