KR20100005852A - 발광소자 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

발광소자 패키지 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20100005852A
KR20100005852A KR1020080065925A KR20080065925A KR20100005852A KR 20100005852 A KR20100005852 A KR 20100005852A KR 1020080065925 A KR1020080065925 A KR 1020080065925A KR 20080065925 A KR20080065925 A KR 20080065925A KR 20100005852 A KR20100005852 A KR 20100005852A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting device
flat portion
lead frame
device package
Prior art date
Application number
KR1020080065925A
Other languages
English (en)
Inventor
최승환
고건유
김일구
조효경
박정규
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020080065925A priority Critical patent/KR20100005852A/ko
Publication of KR20100005852A publication Critical patent/KR20100005852A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting

Abstract

본 발명은 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 다른 발광소자 패키지는 평탄부 및 일측에 내측으로 인입된 제1 절단부가 형성되고, 상기 제1 절단부의 상하면에 사출물이 형성된 제1 리드 프레임과, 일측에 내측으로 인입된 제2 절단부가 형성되고, 상기 제2 절단부의 상하면에 사출물을 형성하고, 상기 제1 리드 프레임의 타측에 형성된 사출물에 의해 분리된 제2 리드 프레임을 포함하는 금속기판; 및 상기 평탄부 위에 실장된 발광소자;를 포함한다. 또한, 본 발명은 상기 발광소자 패키지를 제조하는 방법을 포함한다.
금속기판, 오버몰딩,

Description

발광소자 패키지 및 그 제조방법{Light emitting diode package and method for making the same}
본 발명은 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히, 기판당 실장밀도를 높일 수 있고, 또한, 사출물에 의한 광손실 및 레진 등의 절연층에 의한 열특성 취약성을 최소화할 수 있는 리드 프레임 구조를 가지는 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 발광 다이오드(Light Emitting Diode)는 전류가 가해지면 다양한 색상의 빛을 발생시키는 반도체 소자로서, 전류 공급이 가능하고 발광되는 빛의 각도가 설정되도록 하나의 패키지로 제작되어 사용된다. 이와 같이 제작된 발광소자는 사용목적 또는 형태에 LED를 박막 패턴이 형성된 인쇄회로기판(PCB) 또는 리드 프레임의 상부면에 실장한 후, 상기 LED와 PCB 기판 또는 리드 프레임을 전기적으로 연결하고, 그 상부에 에폭시 등을 사용하여 몰드 성형부를 형성하거나,미리 플라스틱이나 유리로 렌즈를 만들어 조립형으로 발광소자 패키지를 제조한다.
즉, 기존의 발광소자 패키지 제조방법으로는, 리드 프레임에 컵(cup) 형태의 사출물을 사출하여 제작한 형태를 이용한 방법과, PCB 및 세라믹 등의 기판에 방열판을 장착한 형태를 이용한 방법이 있다.
전자의 경우, 리드 프레임에 컵 형태의 사출물을 제작하고, 이 컵 형태의 사출물 내부에 발광소자를 본딩한다. 이후 발광소자에서 발광된 빛이 컵 내부를 채우고 있는 봉지제를 통과하여 사출물에 반사된 후, 패키지 상면으로 출사되는데, 이때 일부 광손실이 발생하게 된다. 그리고, 전자의 경우로 제작된 패키지는 트림 폼(Trim Form) 방식으로 싱글레이션(singulation)을 하기 때문에, 사출금형 및 트림 폼 금형의 간섭을 받지 않기 위해 설계시 하나의 리드 프레임에 실장되는 패키지의 개수가 줄어들게 된다.
후자의 경우, PCB 및 세라믹 기판에 발광소자의 열을 방열하기 위한 비아홀 및 방열판을 별도로 제작하고, PCB 및 세라믹 기판위에 발광소자를 본딩한다. 그리고, 후자의 경우로 제작된 패키지는 다이싱(dicing) 공정으로 싱글레이션을 하기 때문에 기판당 실장밀도를 높일 수 있으나, PCB의 경우, 절연층을 구성하고 있는 레진(resin)과, 전극을 구성하기 위해 비아홀을 통과하는 상하 구리판으로 이루어지므로, 발광소자에서 발생하는 열이 바로 메인 보드로 방출되지 못하고, 비아홀 등 한정된 열경로를 통과하여 방출됨에 따라 열저항이 커지게 되며, 소자의 신뢰성이 저하된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 열방출 효율의 향상과 기판당 실장밀도를 높일 수 있는 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위해, 본 발명의 일실시 형태에 따른 발광소자 패키지는, 평탄부 및 일측에 내측으로 인입된 제1 절단부가 형성되고, 상기 제1 절단부의 상하면에 사출물이 형성된 제1 리드 프레임과, 일측에 내측으로 인입된 제2 절단부가 형성되고, 상기 제2 절단부의 상하면에 사출물을 형성하고, 상기 제1 리드 프레임의 타측에 형성된 사출물에 의해 분리된 제2 리드 프레임을 포함하는 금속기판; 및 상기 평탄부 위에 실장된 발광소자;를 포함한다.
바람직하게는, 상기 발광소자 패키지는 상기 발광소자와 제1 및 제2 리드 프레임을 각각 전기적으로 연결하는 와이어를 더 포함하고, 상기 발광소자 패키지의 상기 발광소자가 실장된 전체면을 덮는 렌즈를 더 포함할 수 있다.
바람직하게는, 상기 발광소자 패키지는 발광소자실장부를 형성하기 위해 상기 평탄부에 형성된 홈을 더 포함하거나, 발광소자실장부를 형성하기 위해 상기 평 탄부에 형성된 격벽을 더 포함하거나, 상기 평탄부의 끝단을 식각하여 형성된 발광소자실장부를 더 포함할 수 있다.
바람직하게는, 상기 발광소자 패키지는 상기 발광소자실장부에 실장된 상기 발광소자를 봉지하는 봉지체를 더 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발광소자 패키지 제조방법은, 금속기판의 상하면에 적어도 하나의 비아홀, 상기 금속기판의 상하면에서 내측으로 인입된 형상의 절단부 및 상기 비아홀과 상기 절단부 사이의 평탄부를 형성하는 단계; 상기 절단부의 상하면 및 상기 비아홀을 채우기 위해 사출성형을 수행하는 단계; 상기 평탄부 상에 발광소자를 실장하는 단계; 및 상기 금속기판을 상기 절단부에서 절단하는 단계;를 포함한다.
바람직하게는, 상기 발광소자 패키지 제조방법은, 상기 금속기판의 상기 발광소자가 실장된 전체면에 렌즈를 오버몰딩하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
바람직하게는, 상기 발광소자 패키지 제조방법은, 상기 평탄부 상에 발광소자를 실장하는 단계 전에, 상기 평탄부에 홈을 형성하여 상기 발광소자가 실장될 영역인 발광소자실장부를 형성하는 단계;를 더 포함하거나, 상기 평탄부의 끝단을 식각하여 상기 발광소자가 실장될 영역인 발광소자실장부를 형성하는 단계;를 더 포함하거나, 상기 평탄부에 격벽을 형성하여 상기 발광소자가 실장될 영역인 발광소자실장부를 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
바람직하게는, 상기 발광소자 패키지 제조방법은, 상기 발광소자 상에 액상 수지를 디스펜싱하여 상기 발광소자실장부의 단부까지 봉지체를 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 기판당 패키지 실장 밀도가 증가되어 리드 프레임 단가 절감 및 단위 공정 단가를 절감할 수 있으며, 기판에 컵부가 없어 벽면에 의한 광흡수를 방지하여 발광효율을 향상할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 사출물 성형에 의해 기판의 상하 연결통로가 없어 오버몰딩(over molding) 방식을 이용해 쉽게 렌즈 몰딩이 가능하며, 칩 하단면의 금속부가 SMT 면 위로 연결되어 열방출에 효과적이므로, 기판의 홈 사출물 수지의 열화에 따른 변색에 의한 신뢰성 저하를 방지할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태 는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
본 발명의 일실시 형태에 따른 발광소자 패키지는, 평탄부 및 일측에 내측으로 인입된 제1 절단부가 형성되고, 상기 제1 절단부의 상하면에 사출물이 형성된 제1 리드 프레임과, 일측에 내측으로 인입된 제2 절단부가 형성되고, 상기 제2 절단부의 상하면에 사출물을 형성하고, 상기 제1 리드 프레임의 타측에 형성된 사출물에 의해 분리된 제2 리드 프레임을 포함하는 금속기판; 및 상기 평탄부 위에 실장된 발광소자;를 포함한다. 또한, 상기 발광소자 패키지는 상기 발광소자와 제1 및 제2 리드 프레임을 각각 전기적으로 연결하는 와이어를 더 포함할 수 있다. 또한, 사이 발과소자 패키지는 상기 발광소자가 실장된 전체면을 덮는 렌즈를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 발광소자 패키지는 발광소자실장부를 형성하기 위해 상기 평탄부에 형성된 홈을 더 포함하거나, 발광소자실장부를 형성하기 위해 상기 평탄부에 형성된 격벽을 더 포함하거나, 상기 평탄부의 끝단을 식각하여 형성된 발광소자실장부를 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 발광소자 패키지는 상기 발광소자실장부에 실장된 상기 발광소자를 봉지하는 봉지체를 더 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시 형태에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 수직 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 발광소자 패키지는 제1 리드 프레임(1) 및 제2 리드 프레임(2)을 포함하는 금속기판, 제1 리드 프레임(1)에 실장된 발광소자(7), 발광소자 위에 봉지된 봉지체(9) 및 발광소자가 실장된 금속기판 전체면을 덮는 렌즈(10)로 형성된다.
여기서, 발광소자(7)와 제1 및 제2 리드 프레임(1, 2)은 각각 와이어(8a, 8b)에 의해 전기적으로 연결되어 있으며, 제1 리드 프레임(1)과 제2 리드 프레임(2)은 비아홀(4)에 의해 분리되며, 이 비아홀(4)은 사출물(6a)로 채워져 있다.
그리고, 제1 리드 프레임(1)은 제1 절단부(1a)와 평탄부(1b)로 이루어지고, 절단부(1a)는 제1 리드 프레임(1)의 일측 끝단의 상하부를 식각하여 일정깊이로 인입되어 형성되고, 평탄부(1b)는 평탄한 발광소자실장부(3)와, 발광소자실장부(3) 주위에 형성된 일정 깊이의 홈(5)이 형성된다. 와이어(8a)는 홈(5)이 형성된 바깥쪽 영역의 평탄부에 본딩되고, 제1 절단부(1a)의 상하부는 사출물(6d, 6e)로 채워진다.
제2 리드 프레임(2)은 제2 절단부(2a)와, 와이어(8b)와 본딩되는 영역(2b)으 로 이루어지고, 제2 절단부(2a)는 제2 리드 프레임92)의 일측 끝단의 상하부를 식각하여 일정깊이로 인입되어 형성된다. 제2 절단부(2a)의 상하부는 사출물(6b, 6c)로 채워진다.
이와 같이 형성된 발광소자 패키지는 평탄부(1b)의 바닥면이 직접 SMT면과 연결되어 열방출에 효과적이며, 제1 리드 프레임(1)과 제2 리드 프레임(2) 사이에 형성된 비아홀(4)을 채우고 있는 사출물(6a)에 의해 상하 연결통로가 없는 금속기판이 형성되어, 오버몰딩 방식을 통해 쉽게 렌즈(10)를 형성할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 절단부(1a, 2a)의 절단에 의해 발광소자 패키지 단위로 분리할 수 있으므로, 기존의 리드 프레임을 이용한 패키지 구조에서 트림 폼과 같은 패키지간 별도의 공간을 형성할 필요가 없다. 그 결과, 기판당 패키지 실장밀도가 증가된다.
한편, 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발광소자 패키지 제조방법은, 금속기판의 상하면에 적어도 하나의 비아홀, 상기 금속기판의 상하면에서 내측으로 인입된 형상의 절단부 및 상기 비아홀과 상기 절단부 사이의 평탄부를 형성하는 단계; 상기 절단부의 상하면 및 상기 비아홀을 채우기 위해 사출성형을 수행하는 단계; 상기 평탄부 상에 발광소자를 실장하는 단계; 및 상기 금속기판을 상기 절단부에서 절단하는 단계;를 포함한다. 또한, 상기 발광소자 패키지 제조방법은, 상기 금속기판의 상기 발광소자가 실장된 전체면에 렌즈를 오버몰딩하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 발광소자 패키지 제조방법은, 상기 평탄부 상에 발광소자를 실장하는 단계 전에, 상기 평탄부에 홈을 형성하여 상기 발광소자가 실장될 영역인 발광소자실장부를 형성하는 단계;를 더 포함하거나, 상기 평탄부의 끝단을 식각하여 상기 발광소자가 실장될 영역인 발광소자실장부를 형성하는 단계;를 더 포함하거나, 상기 평탄부에 격벽을 형성하여 상기 발광소자가 실장될 영역인 발광소자실장부를 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 발광소자 패키지 제조방법은, 상기 발광소자 상에 액상 수지를 디스펜싱하여 상기 발광소자실장부의 단부까지 봉지체를 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 본 발명의 일실시 형태에 따른 발광소자 패키지를 제조하는 과정을 설명하기 위한 공정별 수직 단면도이다.
도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 먼저 금속기판(20)을 준비한다.
그런 다음, 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 금속기판(20)에 제1 및 제2 리드 프레임(21, 22)을 분리하기 위한 비아홀(24)을 형성하고, 분리된 제1 및 제2 리드 프레임(21, 22)의 일측을 각각 금속기판(20)의 상하면에서 내측으로 일정깊이로 인입된 형상의 제1 및 제2 절단부(21a, 22a)를 형성한다. 이와 같이 비이홀(24)과 제1 절단부(21a)를 형성함에 의해 비아홀(24)과 제1 절단부(21a) 사이에 평탄부(21b)가 형성된다. 평탄부(21b)의 상면에 발광소자가 실장될 영역인 발광소자실 장부(23)를 형성하기 위해 평탄부(21b)의 끝단을 따라 홈(25)을 형성한다.
제1 및 제2 절단부(21a, 22a)는 이후 금속기판을 패키지 단위로 절단하는 공정에서 절단이 용이하도록 하기 위해 금속기판(20)의 상하면에서 내측으로 일정 깊이로 식각 되는 것이다.
그런 다음, 도 2의 (c)에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 리드 프레임(21, 22)을 분리하기 위해 형성된 비아홀(24)과, 금속기판(20)의 상하면에서 내측으로 일정깊이 인입된 제1 및 제2 절단부(21a, 22a)의 상하부를 사출성형하여 사출물을 형성한다.
이와 같이 형성된 사출물(26a, 26b, 26c, 26d, 26e)은 제1 및 제2 리드 프레임(21, 22)의 지지 기능을 수행하며, 또한, 비아홀(24)에 형성된 사출물(26a)은 제1 및 제2 리드 프레임(21, 22)을 분리하여 전기적으로 절연하는 기능도 수행한다.
그런 다음, 도 2의 (d)에 도시된 바와 같이, 발광소자실장부(23)에 발광소자(27)를 실장하고, 와이어(28a, 28b)를 각각 제1 리드 프레임(21)의 평탄부(21b)와 제2 리드 프레임(22b)에 본딩한다. 그리고, 발광소자(27) 상에 액상 수지를 디스펜싱하여 봉지체(29)를 형성한다.
봉지체(29)는 발광소자실장부(23)에 발광소자(27)를 실장한 후, 실장된 각 발광소자(27)가 덮이도록 액상 수지가 공급되고, 이 액상 수지가 경화되는 것에 의해 형성된다. 이때 액상 수지는 각 발광소자(27)에 동일한 양으로 공급될 수 있도록, 토출량 제어가 가능한 구조로 구성되는 디스펜서(Dispenser)에 의해 공급되는 것이 바람직하다.
또한, 봉지체(29)는 액상 수지가 발광소자(27)를 덮도록 금속기판(20)상에 공급될 때, 표면장력에 의해 외측면이 곡면을 이루며, 즉, 가운데 부위가 상측으로 볼록한 돔 형태로 형성된다. 구체적으로, 액상 수지는 외측 끝단이 발광소자실장부(23)의 상면 가장자리, 즉, 모서리까지 위치되도록 공급된다. 이와 같이 액상 수지의 외측 끝단이 발광소자실장부(23)의 모서리에 위치되는 경우, 액상 수지의 외측 끝단이 평면상에 위치되는 경우에 비하여 표면장력이 더욱 크게 형성되므로, 액상 수지가 발광소자실장부(23)의 모서리 부위를 넘어 발광소자실장부(23) 외측으로 퍼지지 않고, 상측으로 볼록한 형상을 갖게 된다.
이러한 봉지체(29)의 볼록한 형상을 형성하기 위해, 본 발명에서는 평탄부(21b)에 홈(25)을 형성하여 발광소자(27)가 실장될 영역인 발광소자실장부(23)를 형성함으로써 발광소자실장부(23)에 모서리가 형성되도록 하였으나, 평탄부(21b)의 끝단을 식각하여 발광소자실장부(23)를 상측으로 일정 높이 돌출된 형상으로 형성할 수도 있다. 또는, 평탄부(21b)에 격벽을 형성하여 발광소자실장부(23)를 형성할 수도 있다. 격벽은 평탄부(21b)의 끝단과 발광소자실장부(23)의 영역이 식각되어 형성된다.
그런 다음, 도 2의 (e)에 도시된 바와 같이, 발광소자(27)가 실장된 금속기판(20)의 전체면에 오버몰딩(over molding) 방식을 통해 렌즈(30)를 형성한다. 즉, 금속기판(20)의 비아홀(24)에 사출물(26a)을 형성함으로써 금속기판(20)의 상하 연결통로가 없기 때문에, 오버몰딩 방식을 통해 쉽게 렌즈 몰딩이 가능하다.
그런 다음, 도 2의 (f)에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 절단부(21a, 22a)를 절단하여 각 발광소자 패키지 단위로 분리한다.
따라서, 본 발명에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 평탄부(21b)의 바닥면이 직접 SMT면과 연결되어 열방출에 효과적이며, 제1 리드 프레임(21)과 제2 리드 프레임(22) 사이에 형성된 비아홀(24)을 채우고 있는 사출물(26a)에 의해 상하 연결통로가 없는 금속기판이 형성되어, 오버몰딩 방식을 통해 쉽게 렌즈(30)를 형성할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 절단부(21a, 22a)의 절단에 의해 발광소자 패키지 단위로 분리할 수 있으므로, 기존의 리드 프레임을 이용한 패키지 구조에서 트림 폼과 같은 패키지간 별도의 공간을 형성할 필요가 없다. 그 결과, 기판당 패키지 실장밀도가 증가된다.
도 3은 도 1에 도시된 발광소자 패키지에 있어서, 발광소자실장부의 다른 변형 예를 나타낸 수직 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 발광소자 패키지는 제1 리드 프레임(31)은 절단부(31a)와 평탄부(31b)로 이루어지고, 평탄부(31b)의 끝단을 식각하여 상측으로 돌출된 형상의 발광소자실장부(33)가 형성되어 있다. 즉, 발광소자실장부(33)를 돌출된 형상으로 형성함으로써 발광소자실장부(33)의 상면 가장자리, 즉 모서리를 형성한다. 이러한 발광소자실장부(33)의 형상에 의해 표면장력에 의한 볼록한 봉지체 형성이 가능하다.
도 4는 도 1에 도시된 발광소자 패키지에 있어서, 발광소자실장부의 또 다른 변형 예를 나타낸 수직 단면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 발광소자 패키지는 제1 리드 프레임(41)은 절단부(41a)와 평탄부(41b)로 이루어지고, 평탄부(41b)의 끝단 및 발광소자가 실장될 영역인 발광소자실장부(4)가 식각되어 격벽(45)이 형성되어 있다. 이 격벽(45)에 의해 발광소자실장부(43) 상에 격벽(45)을 따라 표면장력에 의한 볼록한 봉지체의 형성이 가능하다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시 형태에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 수직 단면도,
도 2는 도 1에 도시된 본 발명의 일실시 형태에 따른 발광소자 패키지를 제조하는 과정을 설명하기 위한 공정별 수직 단면도,
도 3은 도 1에 도시된 발광소자 패키지에 있어서, 발광소자실장부의 다른 변형 예를 나타낸 수직 단면도, 그리고,
도 4는 도 1에 도시된 발광소자 패키지에 있어서, 발광소자실장부의 또 다른 변형 예를 나타낸 수직 단면도이다.

Claims (13)

  1. 평탄부 및 일측에 내측으로 인입된 제1 절단부가 형성되고, 상기 제1 절단부의 상하면에 사출물이 형성된 제1 리드 프레임과,
    일측에 내측으로 인입된 제2 절단부가 형성되고, 상기 제2 절단부의 상하면에 사출물을 형성하고, 상기 제1 리드 프레임의 타측에 형성된 사출물에 의해 분리된 제2 리드 프레임을 포함하는 금속기판; 및
    상기 평탄부 위에 실장된 발광소자;를 포함하는 발광소자 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 발광소자와 제1 및 제2 리드 프레임을 각각 전기적으로 연결하는 와이어를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 발광소자 패키지의 상기 발광소자가 실장된 전체면을 덮는 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    발광소자실장부를 형성하기 위해 상기 평탄부에 형성된 홈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    발광소자실장부를 형성하기 위해 상기 평탄부에 형성된 격벽을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 평탄부의 끝단을 식각하여 형성된 발광소자실장부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  7. 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광소자실장부에 실장된 상기 발광소자를 봉지하는 봉지체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  8. 금속기판의 상하면에 적어도 하나의 비아홀, 상기 금속기판의 상하면에서 내측으로 인입된 형상의 절단부 및 상기 비아홀과 상기 절단부 사이의 평탄부를 형성하는 단계;
    상기 절단부의 상하면 및 상기 비아홀을 채우기 위해 사출성형을 수행하는 단계;
    상기 평탄부 상에 발광소자를 실장하는 단계; 및
    상기 금속기판을 상기 절단부에서 절단하는 단계;를 포함하는 발광소자 패키 지 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 금속기판의 상기 발광소자가 실장된 전체면에 렌즈를 오버몰딩하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 평탄부 상에 발광소자를 실장하는 단계 전에,
    상기 평탄부에 홈을 형성하여 상기 발광소자가 실장될 영역인 발광소자실장부를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 평탄부 상에 발광소자를 실장하는 단계 전에,
    상기 평탄부의 끝단을 식각하여 상기 발광소자가 실장될 영역인 발광소자실장부를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 평탄부 상에 발광소자를 실장하는 단계 전에,
    상기 평탄부에 격벽을 형성하여 상기 발광소자가 실장될 영역인 발광소자실장부를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법.
  13. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광소자 상에 액상 수지를 디스펜싱하여 상기 발광소자실장부의 단부까지 봉지체를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법.
KR1020080065925A 2008-07-08 2008-07-08 발광소자 패키지 및 그 제조방법 KR20100005852A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080065925A KR20100005852A (ko) 2008-07-08 2008-07-08 발광소자 패키지 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080065925A KR20100005852A (ko) 2008-07-08 2008-07-08 발광소자 패키지 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100005852A true KR20100005852A (ko) 2010-01-18

Family

ID=41815129

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080065925A KR20100005852A (ko) 2008-07-08 2008-07-08 발광소자 패키지 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20100005852A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011059278A2 (ko) 2009-11-13 2011-05-19 Yoon Sang Jin 지시 기능을 갖는 의료용 바늘 모듈과 수술용 장치
CN102222625A (zh) * 2010-04-16 2011-10-19 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其基座的制造方法
US9831380B2 (en) 2014-09-02 2017-11-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device package

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011059278A2 (ko) 2009-11-13 2011-05-19 Yoon Sang Jin 지시 기능을 갖는 의료용 바늘 모듈과 수술용 장치
CN102222625A (zh) * 2010-04-16 2011-10-19 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其基座的制造方法
US9831380B2 (en) 2014-09-02 2017-11-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device package

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2218116B1 (en) Slim led package
US7511312B2 (en) Surface mounting device-type light emitting diode
TWI497746B (zh) 發光二極體封裝及其製造方法
KR100888236B1 (ko) 발광 장치
US9455385B2 (en) Light emitting device and method for manufacturing the same
US8952404B2 (en) Light-emitting device package and method of manufacturing the light-emitting device package
US20080261339A1 (en) Packaging method to manufacture package for a high-power light emitting diode
US9698312B2 (en) Resin package and light emitting device
KR101825473B1 (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US20100227424A1 (en) Light emitting diode package and manufacturing method thereof
JP4988055B2 (ja) 発光ダイオードパッケージの製造方法
KR101186648B1 (ko) Led 패키지 및 그의 제조 방법
TW201436301A (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
KR20100005852A (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
TWI509834B (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
WO2006071098A1 (en) Lead frame, semiconductor package employing the lead frame and method for manufacturing the semiconductor package
KR101888444B1 (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
KR100974339B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
TW201448286A (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
KR101933317B1 (ko) Led 패키지 및 그의 제조방법
TW201442298A (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
KR20110126096A (ko) 다중 몰딩부재를 갖는 발광 다이오드 패키지
KR100974338B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
KR101104253B1 (ko) 엘이디 패키지 및 엘이디 리드프레임
KR20090103292A (ko) Led 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
N231 Notification of change of applicant
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid