JP2020061574A - Ledを取り囲む全内部反射レイヤを伴うledのためのサブストレート - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- 発光デバイスであって、
サブストレートの表面上にマウントされた発光ダイオード(LED)ダイと、
前記サブストレートの前記表面上にあり、かつ、前記LEDダイを取り囲んでいる第1レイヤであり、該第1レイヤはガスレイヤを有する第1材料を含み、該第1材料は第1屈折率を有する、第1レイヤと、
前記LEDダイをカプセル化し、かつ、前記サブストレートの前記表面において拡がっているレンズであり、該レンズは第2材料を含み、該第2材料は第2屈折率を有し、該第2材料はシリコーンを含み、前記第1材料と前記第2材料は前記LEDダイを取り囲んでいるインターフェイスにおいて接触しており、前記第1屈折率は第2屈折率より小さい、レンズと、
前記サブストレートの前記表面上に形成された第2レイヤであり、前記レンズから収縮して、前記第1材料を含んでいるギャップを形成する、
デバイス。 - 前記シリコーンは、1.5より大きい屈折率を有する、
請求項1に記載のデバイス。 - 前記第1レイヤは、前記レンズの外縁の下に延在する、
請求項1に記載のデバイス。 - 前記第1レイヤの周囲は、前記レンズの内側にある、
請求項1に記載のデバイス。 - 前記ガスは、空気を含む、
請求項1に記載のデバイス。 - 前記第1屈折率と前記第2屈折率との間の差異は、少なくとも0.4である、
請求項1に記載のデバイス。 - 前記サブストレートの前記表面は、サブマウント表面である、
請求項1に記載のデバイス。 - 前記LEDダイは、蛍光体レイヤを含み、
前記蛍光体レイヤから発せられた光の少なくとも一部分は、全内部反射(TIR)によって前記インターフェイスで反射する、
請求項1に記載のデバイス。 - 前記サブストレートの前記表面は、前記LEDダイを取り囲んでいる凹みを有し、
前記凹みの少なくとも一部分は前記第1材料を含む、
請求項1に記載のデバイス。 - 発光デバイスであって、
サブストレートの表面上にマウントされた発光ダイオード(LED)ダイと、
前記サブストレートの前記表面上にあり、かつ、前記LEDダイを取り囲んでいる第1レイヤであり、該第1レイヤはガスレイヤを有する第1材料を含み、該第1材料は第1屈折率を有する、第1レイヤと、
前記LEDダイをカプセル化し、かつ、前記サブストレートの前記表面において拡がっているレンズであり、該レンズは第2材料を含み、該第2材料は第2屈折率を有し、該第2材料はシリコーンを含み、前記第2材料と前記第1材料は前記LEDダイを取り囲んでいるインターフェイスにおいて接触しており、前記第1屈折率は第2屈折率より小さい、レンズと、
前記サブストレートの前記表面上に形成された多孔性レイヤであり、該多孔性レイヤは前記第1材料を含んでいる、
デバイス。 - 発光デバイスを形成する方法であって、
サブストレートの表面上にマウントされた発光ダイオード(LED)ダイを備えるステップと、
前記サブストレートの前記表面上に第1材料を含む第1レイヤを形成するステップと、
前記LEDダイの上で、かつ、前記第1レイヤの上にレンズを形成するステップであり、該レンズは第2材料を含み、該第2材料は屈折率を有している、ステップと、
前記レンズが形成された後で、前記サブストレートの前記表面と前記第2材料との間にガスを含んでいるギャップを生じさせるように前記第1レイヤを処理するステップであり、前記ガスが前記第2材料に接触する場所にインターフェイスが作成され、かつ、前記ガスの屈折率は、前記第2材料の前記屈折率よりも小さい、ステップと、
を含む、方法。 - 発光デバイスを形成する方法であって、
サブストレートの上面におけて金属パッドに対して電気的に接続されている発光ダイオード(LED)ダイを備えるステップと、
前記サブストレートの前記上面の下に底面を有する堀を形成するために、前記LEDダイに隣接する前記サブストレートの一部分を除去するステップと、
第1材料の上面が前記サブストレートの前記上面と同一平面にあるように、前記堀を前記第1材料で満たすステップと、
前記LEDダイ、前記第1材料の前記上面、および前記サブストレートの前記上面の上に、第2材料を含んでいるレンズを形成するステップと、
前記レンズが形成された後で、前記堀においてガスを形成させるように第1レイヤを処理するステップであり、前記堀の屈折率は、前記第2材料の前記屈折率よりも小さい、ステップと、
を含む、方法。 - 前記レンズの外縁は、前記堀の外縁を越えて前記サブストレート上で横方向に延在する、
請求項12に記載の方法。 - 前記第1レイヤを処理するステップは、高温キュアリングを含む、
請求項12に記載の方法。 - 前記第1レイヤを処理するステップは、レーザアブレーションを含む、
請求項12に記載の方法。 - 前記第1レイヤを処理するステップは、
前記堀がガスを含むように、前記第1材料を蒸発させる、
請求項12に記載の方法。 - 前記第1レイヤを処理するステップは、
前記第1材料と前記第2材料との間にガスレイヤを形成するように、前記第2材料から前記第1材料を収縮させる、
請求項12に記載の方法。 - 前記第1レイヤを処理するステップは、
前記第1材料を多孔性にさせる、
請求項12に記載の方法。 - 前記堀は、金属リングの上に形成されている、
請求項12に記載の方法。 - 前記LEDダイは、蛍光体レイヤを含み、
前記蛍光体レイヤから発せられた光の少なくとも一部分は、全内部反射(TIR)によって前記第1材料と前記第2材料とのインターフェイスで反射する、
請求項12に記載の方法。
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