KR102454083B1 - 마이크로-led 표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 기판과; 상기 기판을 덮으며 제 1 친수도를 갖는 제 1 영역과 상기 제 1 친수도보다 작은 제 2 친수도를 갖는 제 2 영역을 포함하는 제 1 절연막과; 상기 제 1 영역에 위치하는 마이크로-LED를 포함하는 마이크로-LED 표시장치를 제공한다.

Description

마이크로-LED 표시장치 및 그 제조방법{Micro-LED display device and method of fabricating the same}
본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 높은 수율을 갖는 마이크로-LED 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 표시장치의 대형화에 따라 공간 점유가 적은 평면표시소자의 요구가 증대되고 있으며, 액정표시장치(liquid crystal display (LCD) device) 또는 유기발광다이오드(organic light emitting diode: OLED)를 포함하는 유기전계발광 표시장치(organic electroluminescent display (OLED) device)가 평판표시장치의 기술이 빠른 속도로 발전하고 있다.
액정표시장치에서는, 배면과 전면에 편광판이 부착된 액정패널의 하부에 백라이트 유닛이 배치되며, 이에 따라 백라이트 유닛에 구비된 광원으로부터의 광의 5% 이하만이 액정패널을 통과하여 광효율에서 단점을 갖는다.
한편, 유기전계발광 표시장치의 경우, 액정표시장치에 비해 개선된 광효율을 갖지만 여전히 광효율에 한계가 있고 표시장치의 내구성 및/또는 수명 등에서 여전히 단점을 갖는다.
최근, 액정표시장치 및/또는 유기전계발광 표시장치의 위와 같은 문제점들을 극복하기 위해, 마이크로-LED (micro-light emitting diode(LED)) 표시장치가 제안되었다.
마이크로-LED 표시장치는 크기가 100마이크로미터(㎛) 이하인 초소형 LED를 각 화소에 배치시켜 영상을 구현하는 표시장치로서, 낮은 소비전력과 소형화 측면에서 큰 장점을 갖는다.
마이크로-LED 표시장치에서는, 무기 LED(inorganic LED, iLED) 또는 결정질 LED로 불리는 마이크로-LED가 각 화소에 배치되는데, 웨이퍼에서 성장된 마이크로-LED를 스탬프(stamp)를 이용하여 표시장치의 어레이 기판에 전사(transfer)시키는 공정이 진행된다.
그러나, 수천 또는 수만개의 마이크로-LED의 전사 공정은 매우 복잡하고 또한 전사 공정의 수율이 낮아 마이크로-LED 표시장치의 수율 또한 감소하는 문제가 있다.
본 발명은, 마이크로-LED 표시장치의 낮은 수율 문제를 해결하고자 한다.
위와 같은 과제의 해결을 위해, 본 발명은, 기판과; 상기 기판을 덮으며 제 1 친수도를 갖는 제 1 영역과 상기 제 1 친수도보다 작은 제 2 친수도를 갖는 제 2 영역을 포함하는 제 1 절연막과; 상기 제 1 영역에 위치하는 마이크로-LED를 포함하는 마이크로-LED 표시장치를 제공한다.
또한, 본 발명은, 기판 상에 제 1 절연막을 형성하는 단계와; 상기 제 1 절연막에 UV를 조사하는 단계와; 마이크로-LED가 부착된 스탬프를 상기 제 1 절연막과 접촉시켜 상기 마이크로-LED를 상기 제 1 절연막에 전사시키는 단계와; 상기 스탬프를 분리하는 단계를 포함하는 마이크로-LED 표시장치의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은, 마이크로-LED가 배열된 웨이퍼 상부에 스탬프를 배치하는 단계와; 상기 스탬프에 UV를 조사하는 단계와; 상기 스탬프와 상기 마이크로-LED를 접촉시켜 상기 마이크로-LED를 상기 스탬프에 전사시키는 단계와; 상기 마이크로-LED가 전사된 상기 스탬프를 기판 상에 배치하고 가시광선을 조사하는 단계를 포함하는 마이크로-LED 표시장치의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 마이크로-LED 표시장치에서는, UV/가시광선에 의해 친수도가 변하는 친수도 가변물질을 포함하거나 이러한 물질이 코팅된 스탬프 또는 절연막을 이용하여 마이크로-LED가 전사되므로, 그 전사율이 증가한다. 따라서, 마이크로-LED 표시장치의 수율이 향상된다.
또한, 마이크로-LED가 부착된 절연막의 친수성이 유지되기 때문에, 마이크로-LED의 박리 문제가 방지된다. 따라서, 마이크로-LED 표시장치의 수율이 더 향상되고 품질이 향상된다.
도 1은 본 발명의 마이크로-LED 표시장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 마이크로-LED 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 마이크로-LED 표시장치의 제조 공정을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 4는 파이란 화합물이 베이스 매트릭스에 결합된 구조를 보여주는 개략적인 도면이다.
도 5는 빛 조사에 의한 파이란 화합물의 특성 변화 매커니즘을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 마이크로-LED 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 마이크로-LED 표시장치의 제조 공정을 보여주는 개략적인 단면도이다.
전술한 바와 같이, 마이크로-LED 표시장치는 수천 또는 수만개의 마이크로-LED가 표시장치의 어레이 기판에 전사된다. 이와 같이 많은 수의 마이크로-LED를 전사하기 위해서는, 다수개의 마이크로-LED가 한번에 전사되어야 한다.
그러나, 이와 같은 전사공정에서 웨이퍼 상의 마이크로-LED들 중 일부가 스탬프에 전사되지 않고 웨이퍼 상에 남거나 스탬프 상의 마이크로-LED들 중 일부가 표시장치의 어레이 기판으로 전사되지 않고 스탬프 상에 남는 문제가 발생하여 마이크로-LED 표시장치의 수율이 저하될 수 있다.
이와 같은 문제의 해결을 위해, 본 발명은, 기판과; 상기 기판을 덮으며 제 1 친수도를 갖는 제 1 영역과 상기 제 1 친수도보다 작은 제 2 친수도를 갖는 제 2 영역을 포함하는 제 1 절연막과; 상기 제 1 영역에 위치하는 마이크로-LED를 포함하는 마이크로-LED 표시장치를 제공한다.
본 발명의 마이크로-LED 표시장치에 있어서, 상기 제 1 절연막은 UV에 의해 친수도가 증가하고 가시광선에 의해 친수도가 감소하는 친수도 가변물질을 포함한다.
본 발명의 마이크로-LED 표시장치에 있어서, 상기 제 1 절연막은 베이스층과, 상기 베이스층 상에 위치하며 UV에 의해 친수도가 증가하고 가시광선에 의해 친수도가 감소하는 친수도 가변물질을 포함하는 친수도 가변층을 포함한다.
본 발명의 마이크로-LED 표시장치에 있어서, 상기 마이크로-LED는 활성층과 상기 활성층과 상기 제 1 영역 사이에 위치하는 반사판을 포함한다.
본 발명의 마이크로-LED 표시장치에 있어서, 상기 제 1 영역은 상기 기판으로부터 제 1 높이를 갖고, 상기 제 2 영역은 상기 기판으로부터 상기 제 1 높이보다 큰 제 2 높이를 갖는다.
본 발명의 마이크로-LED 표시장치는, 상기 기판 상에 위치하는 박막트랜지스터와; 상기 기판 상에 위치하는 공통전압 배선과; 상기 박막트랜지스터와 상기 공통전압 배선을 덮으며 상기 기판과 상기 제 1 절연막 사이에 위치하는 제 2 절연막과; 상기 제 1 절연막과 상기 제 2 절연막 사이에 위치하며, 상기 마이크로-LED로부터 이격되어 상기 마이크로-LED를 감싸는 제 3 절연막을 더 포함한다.
본 발명의 마이크로-LED 표시장치에 있어서, 상기 제 1 절연막 상에 위치하는 제 1 및 제 2 연결배선을 더 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 절연막에는 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출하는 드레인 콘택홀과 상기 공통전압 배선을 노출하는 공통 콘택홀이 형성되며, 상기 제 1 연결배선의 일단은 상기 마이크로-LED에 연결되고 타단은 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 연결되며, 상기 제 2 연결배선의 일단은 상기 마이크로-LED에 연결되고 타단은 상기 공통 콘택홀을 통해 상기 공통전압 배선에 연결된다.
다른 관점에서, 본 발명은, 기판 상에 제 1 절연막을 형성하는 단계와; 상기 제 1 절연막에 UV를 조사하는 단계와; 마이크로-LED가 부착된 스탬프를 상기 제 1 절연막과 접촉시켜 상기 마이크로-LED를 상기 제 1 절연막에 전사시키는 단계와; 상기 스탬프를 분리하는 단계를 포함하는 마이크로-LED 표시장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 마이크로-LED 표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 제 1 절연막은 상기 UV에 의해 친수도가 증가하고 가시광선에 의해 친수도가 감소하는 친수도 가변물질을 포함한다.
본 발명의 마이크로-LED 표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 제 1 절연막은 베이스층과, 상기 베이스층 상에 위치하며 상기 UV에 의해 친수도가 증가하고 가시광선에 의해 친수도가 감소하는 친수도 가변물질을 포함하는 친수도 가변층을 포함한다.
본 발명의 마이크로-LED 표시장치의 제조방법은, 상기 마이크로-LED를 상기 제 1 절연막에 전사시키는 단계와 상기 스탬프를 분리하는 단계 사이 또는 상기 스탬프를 분리하는 단계와 동시에 상기 스탬프에 가시광선을 조사하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 마이크로-LED 표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 마이크로-LED는 활성층과 상기 활성층과 상기 제 1 영역 사이에 위치하는 반사판을 포함한다.
또 다른 관점에서, 본 발명은, 마이크로-LED가 배열된 웨이퍼 상부에 스탬프를 배치하는 단계와; 상기 스탬프에 UV를 조사하는 단계와; 상기 스탬프와 상기 마이크로-LED를 접촉시켜 상기 마이크로-LED를 상기 스탬프에 전사시키는 단계와; 상기 마이크로-LED가 전사된 상기 스탬프를 기판 상에 배치하고 가시광선을 조사하는 단계를 포함하는 마이크로-LED 표시장치의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 마이크로-LED 표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 제 1 절연막은 상기 UV 조사에 의해 친수도가 증가하고 상기 가시광선 조사에 의해 친수도가 감소하는 친수도 가변물질을 포함한다.
본 발명의 마이크로-LED 표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 제 1 절연막은 베이스층과, 상기 베이스층 상에 위치하며 UV 조사에 의해 친수도가 증가하고 가시광선 조사에 의해 친수도가 감소하는 친수도 가변물질을 포함하는 친수도 가변층을 포함한다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 마이크로-LED 표시장치의 개략적인 평면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 마이크로-LED 표시장치(100)는 제 1 기판(101) 상에 위치하는 박막트랜지스터(Tr)와 상기 박막트랜지스터(Tr)에 연결되는 마이크로-LED(170)를 포함한다.
상기 제 1 기판(101)은 유리기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 기판(101)은 폴리이미드로 이루어질 수 있다.
상기 제 1 기판(101) 상에는 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 게이트 배선(110) 및 데이터 배선(130)이 형성된다. 또한, 상기 데이터 배선(130)과 평행하며 이격하는 공통전압 배선(136)이 형성된다.
상기 박막트랜지스터(Tr)는 게이트 전극(112), 반도체층(미도시), 소스 전극(132) 및 드레인 전극(134)을 포함하며 상기 게이트 배선(110) 및 상기 데이터 배선(130)에 연결된다. 즉, 상기 게이트 전극(112)은 상기 게이트 배선(110)에 연결되고, 상기 소스 전극(132)은 상기 데이터 배선(130)에 연결된다.
상기 마이크로-LED(170)는 상기 화소영역(P) 내에 위치하며 상기 드레인 전극(134) 및 상기 공통전압 배선(136)에 연결된다. 예를 들어, 상기 박막트랜지스터(Tr)와 상기 공통전압 배선(136) 상에는 상기 드레인 전극(134)을 노출하는 드레인 콘택홀(166)과 상기 공통전압 배선(136)을 노출하는 공통 콘택홀(168)이 형성된 절연막(미도시)이 형성되고, 상기 마이크로-LED(170)는 상기 드레인 콘택홀(166)과 상기 공통 콘택홀(168)을 통해 상기 드레인 전극(134)과 상기 공통전압 배선(136)에 각각 연결될 수 있다.
이와 같은 마이크로-LED 표시장치(100)는 적어도 하나의 마이크로-LED(170)가 각 화소영역(P)에 형성되어 발광함으로써, 휘도, 소비전력, 수명 등에서 장점을 갖는다. 예를 들어, 인접한 세 화소영역(P) 각각에 적색 마이크로-LED, 녹색 마이크로-LED, 청색 마이크로-LED가 하나씩 배치될 수도 있고, 하나의 화소영역(P)에 적색 마이크로-LED, 녹색 마이크로-LED, 청색 마이크로-LED 모두가 배치될 수도 있다.
또한, 아래와 같이 UV와 가시광선(Vis) 조사에 의해 친수성-소수성으로 특성이 변환되는 물질을 이용하여 마이크로-LED의 전사공정을 진행함으로써 마이크로-LED 표시장치(100)의 수율이 향상되고 원가가 절감된다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 마이크로-LED 표시장치의 개략적인 단면도이고, 도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 마이크로-LED 표시장치의 제조 공정을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제 1 기판(101) 상부에 마이크로-LED(170)이 위치하고, 상기 제 1 기판(101)과 상기 마이크로-LED(170) 사이에는 박막트랜지스터(Tr)가 위치한다.
도시하지 않았으나, 상기 마이크로-LED(170) 상부에는 상기 제 1 기판(101)과 합착되는 제 2 기판이 배치될 수 있다.
상기 제 1 기판(101) 상에는 게이트 전극(112)이 형성된다. 상기 게이트 전극(112)은 게이트 배선(도 1의 110)에 연결된다. 예를 들어, 상기 게이트 배선(110)과 상기 게이트 전극(112)은 알루미늄, 구리와 같은 저저항 금속물질로 이루어질 수 있다.
상기 게이트 배선(110)과 상기 게이트 전극(112)을 덮으며 상기 제 1 기판(101) 전면(全面)에 게이트 절연막(114)이 형성된다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(114)은 산화실리콘 또는 질화실리콘과 같은 무기절연물질로 이루어질 수 있다.
상기 게이트 절연막(114) 상에는 상기 게이트 전극(112)에 대응되는 반도체층(120)이 형성된다. 예를 들어, 상기 반도체층(120)은 산화물 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 이와 달리, 상기 반도체층(120)은 순수 비정질 실리콘(intrinsic amorphous silicon)으로 이루어지는 액티브층과 n형 불순물이 도핑된 비정질 실리콘으로 이루어지는 오믹 콘택층을 포함하는 이중층 구조를 가질 수도 있다.
상기 반도체층(120) 상에는 데이터 배선(도 1의 130)에 연결되는 소스 전극(132)이 형성된다. 또한, 상기 소스 전극(132)과 이격하는 드레인 전극(134)이 반도체층(120) 상에 위치한다. 예를 들어, 데이터 배선(130), 소스 전극(132), 드레인 전극(134)은 알루미늄, 구리와 같은 저저항 금속물질로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 게이트 절연막(114) 상에는 상기 데이터 배선(130)과 평행하게 이격하는 공통전압 배선(136)이 형성된다. 이와 달리, 상기 공통전압 배선(136)은 상기 게이트 배선(110)과 평행하게 이격하며 형성될 수도 있다.
상기 게이트 전극(112), 상기 반도체층(120), 상기 소스 전극(132), 상기 드레인 전극(134)은 박막트랜지스터(Tr)를 구성한다.
상기 박막트랜지스터(Tr)는 반도체층(120)의 하부에 게이트 전극(112)이 위치하고 반도체층(120)의 상부에 소스 전극(132)과 드레인 전극(134)이 위치하는 역 스태거드(inverted staggered) 구조를 갖는다.
이와 달리, 박막트랜지스터(Tr)는 상기 반도체층의 상부에 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극이 위치하는 코플라나(coplanar) 구조를 가질 수 있다.
상기 박막트랜지스터(Tr)를 덮으며 제 1 절연막(140)이 형성되고, 상기 제 1 절연막(140) 상에 제 2 및 제 3 절연막(150, 160)이 순차적으로 형성된다. 이때, 상기 제 1 및 제 3 절연막(140, 160)에는 상기 드레인 전극(134)을 노출하는 드레인 콘택홀(166)과 상기 공통전압 배선(136)을 노출하는 공통 콘택홀(168)이 형성된다.
이때, 상기 제 2 절연막(150)은 상기 제 3 절연막(160)의 높이(두께) 확보를 위해 상기 화소영역(P)의 일부에만 형성된다. 즉, 상기 제 2 절연막(150)은 상기 제 1 절연막(140)과 상기 제 3 절연막(160) 사이에 위치하고 상기 마이크로-LED(170)로부터 이격되어 상기 마이크로-LED(170)를 감싸도록 형성된다.
상기 마이크로-LED(170)는 가압되어 상기 제 3 절연막(160)에 부착되는 전사 공정이 진행되므로, 상기 제 3 절연막(160)은 저점도 물질이 코팅되어 형성된다. 한편, 상기 제 3 절연막(160) 상에는 상기 마이크로-LED(170)를 상기 드레인 전극(134)과 상기 공통전압 배선(136)에 연결시키는 제 1 및 제 2 연결배선(174, 176)이 형성되는데 상기 마이크로-LED(170)와 상기 제 3 절연막(160)의 단차에 의한 상기 제 1 및 제 2 연결배선(174, 176)의 단선 문제를 방지하기 위해서 상기 제 3 절연막(160)의 상기 제 2 영역(164)은 충분한 두께를 갖고 상기 제 1 영역(162)의 두께는 감소되어야 한다.
본 발명에서는, 상기 제 2 절연막(150)이 상기 마이크로-LED(170)를 감싸도록 형성되므로, 상기 제 2 절연막(150) 상에 형성되는 상기 제 3 절연막(160)은 그 제 1 영역(162)의 두께가 감소하고 제 2 영역(164)은 충분한 두께를 갖게 된다. 따라서, 제 1 및 제 2 연결배선(174, 176)의 단선 문제가 방지된다.
다만, 상기 제 2 절연막(150)은 생략될 수 있다.
상기 제 3 절연막(160)은 유기절연물질, 예를 들어 포토-아크릴로 이루어질 수 있으며 상기 화소영역(P)에서 높이 편차를 갖는다.
즉, 상기 제 3 절연막(160)에 있어서, 상기 화소영역(P)의 중앙에 대응하는 제 1 영역(162)은 상기 제 1 기판(101)으로부터 제 1 높이를 갖고 상기 화소영역(P)의 가장자리에 대응하는 제 2 영역(164)은 상기 제 1 기판(101)으로부터 상기 제 1 높이보다 작은 제 2 높이를 갖는다.
이때, 상기 제 3 절연막(160)의 상기 제 1 영역(162)에 상기 마이크로-LED(170)가 형성된다.
도 3a를 참조하면, 마이크로-LED(17)이 성장되어 있는 웨이퍼(300) 상부로 적어도 하나의 돌출부(410)가 구비된 스탬프(400)를 배치시킨다. 예를 들어, 상기 스탬프(400)는 PDMS(polydimethylsiloxane)와 같은 고무계 물질로 이루어지고 하기 화학식1로 표시되는 친수도 가변물질(hydrophilicity changeable material)이 그 내부에 포함될 수 있다.
이와 달리, 스탬프(400)의 표면(즉, 돌출부(410)가 형성되는 측의 표면)에 친수도 가변물질이 코팅될 수 있다. 즉, 스탬프(400)는 베이스층과, 상기 베이스층 상에 위치하며 UV 조사에 의해 친수도가 증가하고 가시광선 조사에 의해 친수도가 감소하는 친수도 가변물질을 포함하는 친수도 가변층을 포함할 수 있다.
[화학식1]
Figure 112017084056016-pat00001
상기 화학식1에서, R1, R2 각각은 수소이거나 서로 결합되어 축합환(fused-ring)을 구성하고, R3는 -NO2, -COH, -COOH, -CN과 같은 전자당김기(electron withdrawing group)에서 선택될 수 있으며,
R4는 methacrylamide기, alkoxy기, acryl기, epoxy기, amide기, vinyl기로부터 선택될 수 있다.
즉, 본 발명의 친수도 가변물질은 파이란계 화합물이며, 아래 화학식2의 물질일 수 있다.
[화학식2]
Figure 112017084056016-pat00002
상기 화학식2에서 R4는 위 화학식1에서 정의된 바와 동일하다.
이와 같은 물질은 PDMS와 같은 고무계 베이스 매트릭스 내에 분산되거나 스탬프(400)의 표면에 코팅될 수 있다. 또한, 파이란 화합물이 베이스 매트릭스에 결합된 구조를 보여주는 개략적인 도면인 도 4에서 보여지는 바와 같이, 파이란 화합물은 베이스 매트릭스에 측쇄로 결합될 수도 있다.
다시 도 3a를 참조하면, 웨이퍼(300) 상부에 스탬프(400)를 위치시킨 상태에서, 상기 스탬프(400)에 UV를 조사한다. 상기 UV는 300~400nm, 예를 들어 365nm 파장을 가질 수 있다. 이와 같이 UV가 조사되면 상기 스탬프(400)의 표면은 친수성(hydrophilicity, 친수도)을 갖게 되며, 그 결과 스탬프(400)와 마이크로-LED(170)의 부착력이 증가한다.
빛 조사에 의한 파이란 화합물의 특성 변화 매커니즘을 설명하기 위한 도면인 도 5를 참조하면, 소수성(hydrophobicity)을 갖는 파이란계 화합물은 UV조사에 의해 파이란 모이어티의 링이 오픈되면서 친수성을 갖게 되며 가시광선 조사에 의해 파이란 모이어티의 링이 닫히면서 소수성을 갖게 된다. 이때, 전자당김기(화학식1의 R3)에 의해 질소 원소의 전자가 끌려오고, 파이란 모이어티의 링이 쉽게 오픈될 수 있다.
다시 말해, 본 발명의 친수도 가변물질은 UV 조사에 의해 친수도가 증가하고 소수도가 감소하며 가시광선 조사에 의해 친수도가 감소하고 소수도가 증가한다.
따라서, UV가 조사된 스탬프(400)를 마이크로-LED(170)에 접촉시키면, 마이크로-LED(170)는 웨이퍼(300)로부터 스탬프(400)로 쉽게 전사된다. (도 3b)
다음, 도 3c에 도시된 바와 같이, 제 3 절연막(도 2의 160)이 형성된 제 1 기판(101) 상부로 돌출부(410)에 마이크로-LED(170)가 부착되어 있는 스탬프(400)를 배치시키고, 상기 스탬프(400)의 상부면(돌출부 반대측 면)에서 가시광선(Vis)을 조사한다.
그 결과, 상기 스탬프(400)의 표면은 소수도가 증가하여 상기 스탬프(400)와 상기 마이크로-LED(170) 간 부착력이 감소한다.
이후, 상기 마이크로-LED(170)를 상기 제 1 기판(101)과 접촉시키면 상기 마이크로-LED(170)가 상기 스탬프(400)로부터 상기 제 1 기판(101)으로 쉽게 전사된다.
PDMS로 이루어지는 스탬프에 친수도 가변물질(Ex1)을 코팅한 경우(Ex1)와 PDMS와 친수도 가변물질(화학식2, R4= methacrylamide기)을 혼합하여 스탬프를 형성한 경우(Ex2)에서 UV 조사에 따른 마이크로-LED의 전사율(transfer ratio)을 측정하여 표1에 기재하였다.
[표1]
Figure 112017084056016-pat00003
표1에서 보여지는 바와 같이, 마이크로-LED의 전사율이 향상되었고, 친수도 가변물질의 혼합 또는 코팅에 큰 영향을 받지는 않는다.
다시 도 2를 참조하면, 상기 마이크로-LED(170)는 상기 화소영역(P)에서 상기 제 3 절연막(160)의 상기 제 1 영역(162)에 위치한다. 도시하지 않았으나, 상기 마이크로-LED(170)는 서로 이격하는 양극(anode) 및 음극(cathode)과, 이들 사이에 위치하는 발광부로서의 활성층과, 상기 활성층 하부에 위치하는 반사판(172)을 포함한다. 상기 활성층에서 발광되는 빛은 반사판(172)에 의해 반사됨으로써, 마이크로-LED 표시장치(100)의 광효율이 향상된다.
상기 반사판(172)은 상기 양극 또는 음극과 별개의 구성일 수 있으며, 이와 달리 상기 양극 또는 음극이 반사물질로 이루어져 상기 반사판(172) 역할을 할 수도 있다.
상기 마이크로-LED(170)는 상기 양극과 접촉하는 제 1 연결배선(174)을 통해 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(134)에 연결되고 상기 음극과 접촉하는 제 2 연결배선(176)을 통해 상기 공통전압 배선(136)에 연결된다.
즉, 상기 제 1 및 제 2 연결배선(174, 176)은 상기 제 3 절연막(160)의 상기 제 2 영역(164)에 위치한다. 또한, 상기 제 1 연결배선(174)의 일단은 상기 마이크로-LED(170)의 양극에 연결되고 타단은 상기 드레인 콘택홀(166)을 통해 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(134)에 연결되며, 상기 제 2 연결배선(176)의 일단은 상기 마이크로-LED(170)의 음극에 연결되고 타단은 상기 공통 콘택홀(168)을 통해 상기 공통전압 배선(136)에 연결된다.
따라서, 데이터 배선(130)의 전압이 박막트랜지스터(Tr)를 통해 양극에 인가되고 공통전압 배선(136)의 전압이 음극에 인가됨으로써, 마이크로-LED(170)가 발광하며 마이크로-LED 표시장치(100)는 영상을 구현한다.
전술한 바와 같이, 본 발명에서는, UV/가시광선 조사에 의해 친수도가 변화하는 친수도 가변물질이 포함되거나 코팅된 스탬프(400)를 이용하여 마이크로-LED(170)가 전사되므로, 그 전사 효율을 높일 수 있다. 따라서, 마이크로-LED 표시장치(100)의 수율이 향상되고 원가가 절감된다.
그런데, 이와 같은 제 1 실시예의 마이크로-LED 표시장치(100)에서는 전사된 마이크로-LED(170)와 제 1 기판(101) 상부의 제 3 절연막(160) 간 접착력(또는 부착력)이 좋지 않을 수 있고 이에 따라 마이크로-LED(170)의 분리 문제가 발생할 수 있다.
즉, 포토-아크릴과 같은 유기절연물질로 이루어질 수 있는 제 3 절연막(160)은 소수성을 갖기 때문에, 친수성의 마이크로-LED(170)과 소수성의 제 3 절연막(160) 사이 접착력에 문제가 발생할 수 있다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 마이크로-LED 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제 1 기판(201) 상부에 마이크로-LED(270)이 위치하고, 상기 제 1 기판(201)과 상기 마이크로-LED(270) 사이에는 박막트랜지스터(Tr)가 위치한다.
도시하지 않았으나, 상기 마이크로-LED(270) 상부에는 상기 제 1 기판(201)과 합착되는 제 2 기판이 배치될 수 있다.
상기 박막트랜지스터(Tr)는 상기 제 1 기판(201) 상에 순차 적층되는 게이트 전극(212), 반도체층(220), 소스 및 드레인 전극(232, 234)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 1 기판(201) 상에는 서로 교차하는 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)이 형성되고, 상기 데이터 배선과 평행하게 이격하는 공통전압 배선(236)이 형성된다.
상기 박막트랜지스터(Tr)를 덮으며 제 1 절연막(240)이 형성되고, 상기 제 1 절연막(240) 상에 제 2 및 제 3 절연막(250, 260)이 순차적으로 형성된다. 이때, 상기 제 1 및 제 3 절연막(240, 260)에는 상기 드레인 전극(234)을 노출하는 드레인 콘택홀(266)과 상기 공통전압 배선(236)을 노출하는 공통 콘택홀(268)이 형성된다.
이때, 상기 제 2 절연막(250)은 상기 제 3 절연막(260)의 높이(두께) 확보를 위해 상기 화소영역(P)의 일부에만 형성된다. 즉, 상기 제 2 절연막(250)은 상기 제 1 절연막(240)과 상기 제 3 절연막(260) 사이에 위치하고 상기 마이크로-LED(270)로부터 이격되어 상기 마이크로-LED(270)를 감싸도록 형성된다.
상기 마이크로-LED(270)는 가압되어 상기 제 3 절연막(260)에 부착되는 전사 공정이 진행되므로, 상기 제 3 절연막(260)은 저점도 물질이 코팅되어 형성된다. 한편, 상기 제 3 절연막(260) 상에는 상기 마이크로-LED(270)를 상기 드레인 전극(234)과 상기 공통전압 배선(236)에 연결시키는 제 1 및 제 2 연결배선(274, 276)이 형성되는데 상기 마이크로-LED(270)와 상기 제 3 절연막(260)의 단차에 의한 상기 제 1 및 제 2 연결배선(274, 276)의 단선 문제를 방지하기 위해서 상기 제 3 절연막(260)의 상기 제 2 영역(264)은 충분한 두께를 갖고 상기 제 1 영역(262)의 두께는 감소되어야 한다.
본 발명에서는, 상기 제 2 절연막(250)이 상기 마이크로-LED(270)를 감싸도록 형성되므로, 상기 제 2 절연막(250) 상에 형성되는 상기 제 3 절연막(260)은 그 제 1 영역(262)의 두께가 감소하고 제 2 영역(264)은 충분한 두께를 갖게 된다. 따라서, 제 1 및 제 2 연결배선(274, 276)의 단선 문제가 방지된다.
다만, 상기 제 2 절연막(250)은 생략될 수 있다.
상기 제 3 절연막(260)은 유기절연물질, 예를 들어 포토-아크릴로 이루어지고 친수도 가변물질(화학식1)이 그 내부에 포함되거나 그 표면에 코팅될 수 있고 상기 화소영역(P)에서 높이 편차 및 특성 편차를 갖는다.
친수도 가변물질이 제 3 절연막(260)의 표면에 코팅되는 경우, 상기 제 3 절연막(260)은 베이스층과, 상기 베이스층 상에 위치하며 UV 조사에 의해 친수도가 증가하고 가시광선 조사에 의해 친수도가 감소하는 친수도 가변물질을 포함하는 친수도 가변층을 포함할 수 있다.
즉, 상기 제 3 절연막(260)에 있어서, 상기 화소영역(P)의 중앙에 대응하는 제 1 영역(262)은 제 1 친수도와 상기 제 1 기판(201)으로부터의 제 1 높이를 갖고 상기 화소영역(P)의 가장자리에 대응하는 제 2 영역(264)은 상기 제 1 친수도보다 작은 제 2 친수도와 상기 제 1 기판(201)으로부터 상기 제 1 높이보다 작은 제 2 높이를 갖는다.
이때, 상기 제 3 절연막(260)의 상기 제 1 영역(262)에 상기 마이크로-LED(270)가 형성된다. 즉, 상기 마이크로-LED(270)는 상기 제 3 절연막(260) 중 높은 친수도(낮은 소수도)를 갖는 제 1 영역(262)에 형성되며, 이에 따라 마이크로-LED(170)와 제 3 절연막(260) 간의 접착력이 향상되고 마이크로-LED(170)의 분리(박리) 문제가 방지될 수 있다.
도시하지 않았으나, 상기 마이크로-LED(270)는 서로 이격하는 양극(anode) 및 음극(cathode)과, 이들 사이에 위치하는 발광부로서의 활성층과, 상기 활성층 하부에 위치하는 반사판(272)을 포함한다. 상기 활성층에서 발광되는 빛은 반사판(272)에 의해 반사됨으로써, 마이크로-LED 표시장치(200)의 광효율이 향상된다.
상기 반사판(272)은 상기 양극 또는 음극과 별개의 구성일 수 있으며, 이와 달리 상기 양극 또는 음극이 반사물질로 이루어져 상기 반사판(272) 역할을 할 수도 있다.
상기 마이크로-LED(270)는 상기 양극과 접촉하는 제 1 연결배선(274)을 통해 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(234)에 연결되고 상기 음극과 접촉하는 제 2 연결배선(276)을 통해 상기 공통전압 배선(236)에 연결된다.
즉, 상기 제 1 및 제 2 연결배선(274, 276)은 상기 제 3 절연막(260)의 상기 제 2 영역(264)에 위치한다. 또한, 상기 제 1 연결배선(274)의 일단은 상기 마이크로-LED(270)의 양극에 연결되고 타단은 상기 드레인 콘택홀(266)을 통해 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(234)에 연결되며, 상기 제 2 연결배선(276)의 일단은 상기 마이크로-LED(270)의 음극에 연결되고 타단은 상기 공통 콘택홀(268)을 통해 상기 공통전압 배선(236)에 연결된다.
따라서, 데이터 배선(230)의 전압이 박막트랜지스터(Tr)를 통해 양극에 인가되고 공통전압 배선(236)의 전압이 음극에 인가됨으로써, 마이크로-LED(270)가 발광하며 마이크로-LED 표시장치(200)는 영상을 구현한다.
전술한 바와 같이, 본 발명에서는, 마이크로-LED(270)이 부착되는 제 3 절연막(260)에 UV/가시광선 조사에 의해 친수도가 변화하는 친수도 가변물질이 포함되거나 코팅됨으로써, 제 3 절연막(260)으로 마이크로-LED(270)의 전사 효율이 증가한다. 따라서, 마이크로-LED 표시장치(200)의 수율이 향상되고 원가가 절감된다.
또한, 마이크로-LED(272)가 부착되는 제 3 절연막(260)의 제 1 영역(262)은 높은 친수도를 갖기 때문에, 마이크로-LED(272)와 제 3 절연막(260) 간 접착력이 향상되고 유지된다. 따라서, 마이크로-LED(270)의 분리(또는 박리) 문제가 방지되고, 마이크로-LED 표시장치(200)의 수율이 더욱 향상되며 그 표시품질이 향상된다.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 마이크로-LED 표시장치의 제조 공정을 보여주는 개략적인 단면도이다.
도 7a에 도시된 바와 같이, 제 1 기판(201) 상에 박막트랜지스터(Tr), 공통전압 배선(236), 제 1 내지 제 3 절연막(240, 250, 260)이 형성된다.
보다 구체적으로, 상기 제 1 기판(201) 상에 제 1 금속물질을 증착하고 마스크 공정을 진행하여 게이트 배선(도 1의 110)과 상기 게이트 배선(110)에 연결된 게이트 전극(212)을 형성한다. 예를 들어, 상기 제 1 금속물질은 구리, 알루미늄과 같은 저저항 금속물질일 수 있다.
다음, 상기 게이트 배선(110)과 상기 게이트 전극(212)을 덮으며 상기 제 1 기판(201) 전면(全面)에 게이트 절연막(214)을 형성한다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(214)은 산화실리콘 또는 질화실리콘과 같은 무기절연물질로 이루어질 수 있다.
다음, 상기 게이트 절연막(214) 상에 상기 게이트 전극(212)에 대응되는 반도체층(220)을 형성한다. 예를 들어, 상기 반도체층(220)은 산화물 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 이와 달리, 상기 반도체층(220)은 순수 비정질 실리콘(intrinsic amorphous silicon)으로 이루어지는 액티브층과 n형 불순물이 도핑된 비정질 실리콘으로 이루어지는 오믹 콘택층을 포함하는 이중층 구조를 가질 수도 있다.
다음, 상기 반도체층(220) 상에 제 2 금속물질을 증착하고 마스크 공정을 진행하여 서로 이격하는 소스 전극(232)과 드레인 전극(236)을 형성한다. 또한, 상기 게이트 절연막(214) 상에는 상기 소스 전극(232)에 연결되는 데이터 배선(도 1의 130)과 상기 데이터 배선(130)과 평행하게 이격하는 공통전압 배선(236)이 형성된다. 예를 들어, 상기 제 2 금속물질은 구리, 알루미늄과 같은 저저항 금속물질일 수 있다.
상기 게이트 전극(212), 상기 반도체층(220), 상기 소스 전극(232), 상기 드레인 전극(234)은 박막트랜지스터(Tr)를 이룬다.
다음, 상기 박막트랜지스터(Tr), 상기 공통전압 배선(236), 상기 데이터 배선(130) 상에 제 1 절연막(240)을 형성한다. 예를 들어, 상기 제 1 절연막(240)은 산화실리콘 또는 질화실리콘과 같은 무기절연물질로 이루어질 수 있다.
다음, 상기 제 1 절연막(240) 상에 포토-아크릴과 같은 유기절연물질을 코팅하고 마스크 공정을 진행함으로써, 마이크로-LED(270)가 형성될 영역을 둘러싸는 제 2 절연막(250)을 형성한다.
다음, 포토-아크릴과 같은 유기절연물질을 코팅하여 상기 제 2 절연막(250)과 상기 제 1 절연막(240)을 덮는 제 3 절연막(260)을 형성한다. 이때, 상기 유기절연물질에는 친수도 가변물질(화학식1)이 혼합되어 있거나 포토-아크릴에 결합되어 있을 수 있다.
이와 달리, 포토-아크릴과 같은 유기절연물질을 코팅하여 베이스층을 형성하고 그 위에 친수도 가변물질을 코팅하여 친수도 가변층을 형성함으로써 이중층의 제 3 절연막(240)을 형성할 수도 있다.
마이크로-LED(270)가 형성될 영역을 둘러싸는 상기 제 2 절연막(250)에 의해 상기 제 3 절연막(260)에는 단차가 발생하여, 상기 마이크로-LED(270)가 형성될 제 1 영역(262)은 상기 제 1 기판(201) (또는 상기 제 1 절연막(240)으로부터 제 1 높이를 갖고 상기 제 1 영역(262)을 둘러싸는 제 2 영역(264)은 상기 제 1 기판(201)으로부터 상기 제 1 높이보다 큰 제 2 높이를 갖게 된다.
다음, 상기 제 3 절연막(260)에 UV를 조사한다. 상기 UV는 300~400nm, 예를 들어 365nm 파장을 가질 수 있다.
상기 친수도 가변물질이 포함되거나 상기 친수도 가변층을 포함하는 상기 제 3 절연층(260)은 UV 조사 전에 낮은 친수성(또는 친수도)를 갖는데, UV가 조사되면 친수도 가변물질의 파이란 링이 오픈되면서 친수도가 증가한다. (도 5 참조)
따라서, UV 조사 공정 이후, 상기 제 3 절연막(260)의 상기 제 1 및 제 2 영역(262, 264) 모두는 높은 친수도를 갖는다.
다음, 도 7b에 도시된 바와 같이, 돌출부(410)에 마이크로-LED(270)가 부착되어 있는 스탬프(400)를 상기 제 3 절연막(260)이 형성된 상기 제 1 기판(201)과 접촉시켜 상기 마이크로-LED(270)를 상기 제 3 절연막(260)에 전사시킨다. 이때, 상기 마이크로-LED(270)를 상기 제 3 절연막(260)에 가압하는 단계가 추가로 진행될 수 있다.
전술한 바와 같이, UV 조사에 의해 상기 제 3 절연막(260)은 높은 친수도를 가지므로, 상기 마이크로-LED(270)와 상기 제 3 절연막(260)은 높은 접착력을 갖는다. 따라서, 상기 마이크로-LED(270)의 상기 제 3 절연막(260)에 대한 전사 수율이 증가한다.
다음, 도 7c에 도시된 바와 같이, 상기 스탬프(400)를 분리시킨다. 전술한 바와 같이, UV 조사에 의해 높은 친수도를 갖는 제 3 절연막과 상기 마이크로-LED의 접착력이 증가하여 상기 스탬프(400)는 상기 마이크로-LED(270)로부터 쉽게 분리될 수 있다.
한편, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 마이크로-LED 표시장치의 제조방법에서와 같이, 상기 스탬프(400)에 친수도 가변물질이 포함되거나 코팅된 경우, 상기 마이크로-LED(270)를 상기 제 3 절연막(260)에 전사시키는 공정과 상기 스탬프(400)를 분리시키는 공정 사이 또는 상기 스탬프(400)를 분리시키는 공정과 동시에 상기 스탬프(400)에 가시광선을 조사하는 공정이 이루어질 수 있다.
즉, 상기 스탬프(400)에 UV를 조사하여 웨이퍼(도 3a의 300)로부터 마이크로-LED(270)를 스탬프(400)에 전사한 경우, 스탬프(400)에 가시광선을 조사하여 스탬프(400)의 친수도를 낮춤으로써 상기 스탬프(400)와 상기 마이크로-LED(270)의 접착력을 감소시킨다. 이에 따라, 스탬프(400)와 마이크로-LED(270)가 쉽게 분리될 수 있다.
이 경우, 상기 마이크로-LED(270)의 반사판(도 6의 272)에 의해 가시광선이 차단되므로, 상기 제 3 절연막(260)의 제 1 영역(262)의 친수도는 유지된다. 즉, 가시광선 조사 공정에 의해 제 2 영역(264)은 상기 제 1 영역(262)의 제 1 친수도보다 작은 제 2 친수도를 갖게 된다.
한편, 가시광선 조사 공정이 진행되지 않더라도, 마이크로-LED 표시장치가 가시광선에 노출되는데 상기 제 1 영역(262)에 대한 가시광선은 상기 마이크로-LED(270)의 반사판에 의해 차단되므로, 상기 제 2 영역(264)의 친수도가 상기 제 1 영역(262)보다 작아진다.
또한, 마이크로-LED 표시장치의 구동에 의해 마이크로-LED(270)에서 가시광선이 발광되더라도, 상기 제 1 영역(262)에 대한 가시광선은 상기 마이크로-LED(270)의 반사판에 의해 차단되므로 상기 제 1 영역(262)의 친수도는 유지될 수 있다.
따라서, 상기 제 3 절연막(260)의 제 1 영역(262)에는 파이란 링이 오픈된 화합물(도 6의 우측)이 존재하고, 상기 제 3 절연막(260)의 제 2 영역(264)에는 파이란 링이 닫힌 화합물(도 6의 좌측)이 존재하게 된다.
이와 같이, 상기 제 3 절연막(260)의 제 1 영역(262)은 높은 친수도를 갖기 때문에, 마이크로-LED(270)가 제 3 절연막(260)으로부터 분리되는 문제를 막을 수 있다.
포토-아크릴로 이루어지는 베이스 상에 친수도 가변물질(화학식2, R4= methacrylamide기)을 코팅하고, UV 조사 공정 및 마이크로-LED 전사 공정을 진행한 후, 친수도 가변층의 물(H2O) 접촉각(5point 평균 접촉각)을 측정하여 표2에 기재하였다. 이때, 제 1 영역에서의 접촉각은 전사된 마이크로-LED를 제거한 후 측정되었다.
[표2]
Figure 112017084056016-pat00004
표2에서 보여지는 바와 같이, 마이크로-LED가 형성되는 제 1 영역에는 UV가 조사되어 접촉각이 감소하고 마이크로-LED의 반사판에 의해 제 1 영역은 가시광선에 노출되지 않기 때문에 그 접촉각이 실질적으로 유지된다. 한편, 마이크로-LED가 존재하지 않는 제 2 영역은 가시광선에 노출되어 초기 상태와 비슷한 접촉각을 갖는다.
즉, UV 조사에 의해 제 1 영역의 친수도가 증가하여 마이크로-LED와의 접착력이 증가하고, UV가 제거된 상태에서도 가시광선에 대한 노출이 차단되므로 친수도가 실질적으로 유지되며 마이크로-LED의 접착력이 실질적으로 유진된다.
다음, 도 7d에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 및 제 3 절연막(240, 260)에 대하여 마스크 공정을 진행하여, 상기 드레인 전극(234)과 상기 공통전압 배선(236)을 각각 노출하는 드레인 콘택홀(266)과 공통 콘택홀(268)을 형성한다.
다음, 상기 제 3 절연막(260) 상에 금속물질을 증착하고 마스크 공정을 진행함으로써 상기 마이크로-LED(270)를 상기 드레인 전극(234)과 상기 공통전압 배선(236)에 연결하기 위한 제 1 및 제 2 연결배선(274, 276)을 형성한다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100, 200: 마이크로-LED 표시장치
101, 201: 제 1 기판 112, 212: 게이트 전극
120, 220: 반도체층 132, 232: 소스 전극
134, 234: 드레인 전극 136, 236: 공통전압 배선
140, 240: 제 1 절연막 150, 250: 제 2 절연막
160, 260: 제 3 절연막 162, 262: (제 3 절연막의) 제 1 영역
164, 264: (제 3 절연막의) 제 2 영역
166, 266: 드레인 콘택홀 168, 268: 공통 콘택홀
170, 270: 마이크로-LED 172, 272: 반사판
174, 274: 제 1 연결배선 176, 276: 제 2 연결배선

Claims (18)

  1. 기판과;
    상기 기판을 덮으며 제 1 친수도를 갖는 제 1 영역과 상기 제 1 친수도보다 작은 제 2 친수도를 갖는 제 2 영역을 포함하는 제 1 절연막과;
    상기 제 1 영역에 위치하는 마이크로-LED
    를 포함하는 마이크로-LED 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 절연막은 UV에 의해 친수도가 증가하고 가시광선에 의해 친수도가 감소하는 친수도 가변물질을 포함하는 마이크로-LED 표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 절연막은 베이스층과, 상기 베이스층 상에 위치하며 UV에 의해 친수도가 증가하고 가시광선에 의해 친수도가 감소하는 친수도 가변물질을 포함하는 친수도 가변층을 포함하는 마이크로-LED 표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 마이크로-LED는 활성층과 상기 활성층과 상기 제 1 영역 사이에 위치하는 반사판을 포함하는 마이크로-LED 표시장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 영역은 상기 기판으로부터 제 1 높이를 갖고, 상기 제 2 영역은 상기 기판으로부터 상기 제 1 높이보다 큰 제 2 높이를 갖는 마이크로-LED 표시장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 상에 위치하는 박막트랜지스터와;
    상기 기판 상에 위치하는 공통전압 배선과;
    상기 박막트랜지스터와 상기 공통전압 배선을 덮으며 상기 기판과 상기 제 1 절연막 사이에 위치하는 제 2 절연막과;
    상기 제 1 절연막과 상기 제 2 절연막 사이에 위치하며, 상기 마이크로-LED로부터 이격되어 상기 마이크로-LED를 감싸는 제 3 절연막을 더 포함하는 마이크로-LED 표시장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 절연막 상에 위치하는 제 1 및 제 2 연결배선을 더 포함하고,
    상기 제 1 및 제 2 절연막에는 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출하는 드레인 콘택홀과 상기 공통전압 배선을 노출하는 공통 콘택홀이 형성되며,
    상기 제 1 연결배선의 일단은 상기 마이크로-LED에 연결되고 타단은 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 연결되며,
    상기 제 2 연결배선의 일단은 상기 마이크로-LED에 연결되고 타단은 상기 공통 콘택홀을 통해 상기 공통전압 배선에 연결되는 마이크로-LED 표시장치.
  8. 기판 상에 제 1 절연막을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 절연막에 UV를 조사하는 단계와;
    마이크로-LED가 부착된 스탬프를 상기 제 1 절연막과 접촉시켜 상기 마이크로-LED를 상기 제 1 절연막에 전사시키는 단계와;
    상기 스탬프를 분리하는 단계를 포함하며,
    상기 제 1 절연막은 상기 UV에 의해 친수도가 증가하고 가시광선에 의해 친수도가 감소하는 친수도 가변물질을 포함하는 마이크로-LED 표시장치의 제조방법.

  9. 삭제
  10. 기판 상에 제 1 절연막을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 절연막에 UV를 조사하는 단계와;
    마이크로-LED가 부착된 스탬프를 상기 제 1 절연막과 접촉시켜 상기 마이크로-LED를 상기 제 1 절연막에 전사시키는 단계와;
    상기 스탬프를 분리하는 단계를 포함하고,
    상기 제 1 절연막은 베이스층과, 상기 베이스층 상에 위치하며 상기 UV에 의해 친수도가 증가하고 가시광선에 의해 친수도가 감소하는 친수도 가변물질을 포함하는 친수도 가변층을 포함하는 마이크로-LED 표시장치의 제조 방법.
  11. 제 8 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 마이크로-LED를 상기 제 1 절연막에 전사시키는 단계와 상기 스탬프를 분리하는 단계 사이 또는 상기 스탬프를 분리하는 단계와 동시에 상기 스탬프에 가시광선을 조사하는 단계를 더 포함하는 마이크로-LED 표시장치의 제조방법.
  12. 제 8 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 마이크로-LED는 활성층과 상기 활성층 하부에 위치하는 반사판을 포함하는 마이크로-LED 표시장치의 제조방법.
  13. 마이크로-LED가 배열된 웨이퍼 상부에 스탬프를 배치하는 단계와;
    상기 스탬프에 UV를 조사하는 단계와;
    상기 스탬프와 상기 마이크로-LED를 접촉시켜 상기 마이크로-LED를 상기 스탬프에 전사시키는 단계와;
    상기 마이크로-LED가 전사된 상기 스탬프를 기판 상에 배치하고 상기 스탬프에 가시광선을 조사하는 단계
    를 포함하는 마이크로-LED 표시장치의 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 스탬프는 상기 UV 조사에 의해 친수도가 증가하고 상기 가시광선 조사에 의해 친수도가 감소하는 친수도 가변물질을 포함하는 마이크로-LED 표시장치의 제조 방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 스탬프는 베이스층과, 상기 베이스층 상에 위치하며 UV 조사에 의해 친수도가 증가하고 가시광선 조사에 의해 친수도가 감소하는 친수도 가변물질을 포함하는 친수도 가변층을 포함하는 마이크로-LED 표시장치의 제조 방법.
  16. 기판 상에 제 1 절연막을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 절연막에 UV를 조사하는 단계와;
    마이크로-LED가 부착된 스탬프를 상기 제 1 절연막과 접촉시켜 상기 마이크로-LED를 상기 제 1 절연막에 전사시키는 단계와;
    상기 스탬프를 분리하는 단계와;
    상기 마이크로-LED를 상기 제 1 절연막에 전사시키는 단계와 상기 스탬프를 분리하는 단계 사이 또는 상기 스탬프를 분리하는 단계와 동시에 상기 스탬프에 가시광선을 조사하는 단계를 포함하는 마이크로-LED 표시장치의 제조방법.
  17. 제 8 항, 제 10 항, 제 14 항, 제 15 항 중 하나에 있어서,
    상기 친수도 가변물질은 하기 화학식으로 표시되고,
    Figure 112022030162314-pat00018
    ,
    R1, R2 각각은 수소이거나 서로 결합되어 축합환을 구성하고, R3는 -NO2, -COH, -COOH, -CN으로부터 선택되며, R4는 methacrylamide기, alkoxy기, acryl기, epoxy기, amide기, vinyl기로부터 선택되는 마이크로-LED 표시장치의 제조방법.
  18. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 친수도 가변물질은 하기 화학식으로 표시되고,
    Figure 112022030162314-pat00019
    ,
    R1, R2 각각은 수소이거나 서로 결합되어 축합환을 구성하고, R3는 -NO2, -COH, -COOH, -CN으로부터 선택되며, R4는 methacrylamide기, alkoxy기, acryl기, epoxy기, amide기, vinyl기로부터 선택되는 마이크로-LED 표시장치.
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