RU2302687C1 - Светодиодное устройство - Google Patents
Светодиодное устройство Download PDFInfo
- Publication number
- RU2302687C1 RU2302687C1 RU2006105730/28A RU2006105730A RU2302687C1 RU 2302687 C1 RU2302687 C1 RU 2302687C1 RU 2006105730/28 A RU2006105730/28 A RU 2006105730/28A RU 2006105730 A RU2006105730 A RU 2006105730A RU 2302687 C1 RU2302687 C1 RU 2302687C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- light
- substrate
- immersion
- dispersion medium
- emitting
- Prior art date
Links
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 29
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 claims description 18
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 12
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims description 5
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000009851 ferrous metallurgy Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Изобретение относится к электронной технике. Устройство содержит подложку, один или более светоизлучающих кристаллов с омическими контактами, заданную топологию разводки связей между светоизлучающими кристаллами на подложке, крышку из прозрачного материала, внешняя поверхность которой выполнена в виде формы вращения, а внутренняя имеет полости, в каждой из которых на соответствующем месте подложки размещен светоизлучающий кристалл со своими элементами подсоединения. По крайней мере, в одну из полостей крышки введена иммерсионная дисперсионная среда из рассеивающих свет частиц. В подложке предусмотрены два отверстия, размещенные на периферии полости и предназначенные для заполнения полости иммерсионной дисперсионной средой. Размер этих частиц - от 1 до 10 мкм. В состав иммерсионной дисперсионной среды могут быть добавлены частицы люминофора. Предложенная конструкция повышает технологичность сборки светодиодных устройств и эффективность светоотдачи. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.
Description
Изобретение относится к электронной технике, в частности к конструкциям источников света, содержащих полупроводниковые излучающие кристаллы-светодиоды. Такие светодиодные устройства (СДУ) широко используются в полупроводниковой промышленности, энергетике, черной металлургии, железнодорожном транспорте, химической и других отраслях промышленности. СДУ нашли применение для сигнализации о режиме работы различной аппаратуры, для подсветки экранов, для источников информации типа информационного табло, бегущих строк, светофоров, устройств бытового освещения и т.д. Высокие параметры СДУ - оптическая мощность излучения, коэффициент преобразования электрической энергии в световую, высокая надежность и низкая себестоимость делают эти источники света весьма перспективными. Во многих случаях требуются СДУ с широкой гаммой цветов и оттенков светового потока, включая белый и полноцветный.
Главной проблемой при создании СДУ является эффективный сбор всего излучения (включая боковое), снижение трудоемкости изготовления и повышение надежности изделий.
Известно СДУ, содержащее светоизлучающий кристалл, укрепленный на держателе, соединенном с одним из электрических выводов, и размещенный в пластмассовом корпусе, представляющем собой полусферическую линзу, собирающую излучение [1]. Недостатком этого СДУ является невысокая технологичность изготовления, необходимость коренной переделки всего инструментария при выпуске вариантов изделий того же класса, но отличающихся номенклатурой.
Известно СДУ, содержащее светодиодные кристаллы на обшей подложке, окруженные рефлекторами и залитые массой с диспергированными в ней частицами люминофора [2]. Недостатками этого технического решения являются невысокие параметры СДУ по светоотдаче и большой разброс их от образца к образцу.
Известно СДУ, содержащее подложку, выполненную из пластине с изолирующим материалом, металлизированным, по крайней мере, с одной стороны, на котором укреплены с обеспечением максимальной теплопроводности один или более светоизлучающих кристаллов, каждый из которых имеет два или более омических контакта; по крайней мере, один из металлизированных слоев выполнен в виде заданной топологии разводки связей между светоизлучающими кристаллами, крышку из прозрачного материала, соединенную с подложкой юстировочными штырями, внешняя поверхность которой предназначена быть линзой для сбора излучения в заданный угол и выполнена в виде формы вращения, а внутренняя имеет полости, в каждой из которых размещен светоизлучающий кристалл со своими элементами подсоединения к топологии разводки и иммерсионную дисперсионную среду из рассеивающих свет частиц [3, прототип]. Конструкция [3] позволяет автоматизировать сборку СДУ и обеспечить необходимые параметры светового потока. Особо существенным, с точки зрения предложенного технического решения, является наличие в [3] иммерсионной дисперсионной среды, которая введена в материал крышки. Недостатком конструкции [3] являются, во-первых, узкий диапазон управления углом обзора, когда, как и в [1], при переходе от одного варианта устройств той же номенклатуры приходится перестраивать весь инструментарий в производстве, а, во-вторых, сравнительно невысокая эффективность использования светоотдачи, особенно от боковых поверхностей светоизлучающих кристаллов.
Техническим результатом предложенного технического решения является повышение технологичности сборки СДУ и эффективности светоотдачи.
Технический результат достигается за счет принципиально нового подхода к конструированию СДУ, заключающегося в новом решении задач преобразований светового потока - путем качественного иного использования иммерсионной дисперсионной среды, которая в СДУ, конструктивно имеющим полости в крышке-линзе, дозированно и с равномерным распределением в ней рассеивающих свет частиц введена именно в эту полость, а для обеспечения такого введения в подложке предусмотрены отверстия - одно входное, другое - выходное, размещенные на периферии полости. Конкретно, технический результат достигается за счет того, что в СДУ, содержащем подложку, выполненную из пластины с изолирующим материалом, металлизированным, по крайней мере, с одной стороны, на котором укреплены с обеспечением максимальной теплопроводности один или более светоизлучающих кристаллов, каждый из которых имеет два или более омических контакта, по крайней мере, один из металлизированных слоев выполнен в виде заданной топологии разводки связей между светоизлучающими кристаллами, крышку из прозрачного материала, соединенную с подложкой юстировочными штырями, внешняя поверхность которой предназначена быть линзой для сбора излучения в заданный угол и выполнена в виде формы вращения, а внутренняя имеет полости, в каждой из которых размещен светоизлучающий кристалл со своими элементами подсоединения к топологии разводки и иммерсионную дисперсионную среду из рассеивающих свет частиц, иммерсионная дисперсионная среда размещена, по крайней мере, в одной из полостей крышки, а в подложке предусмотрены два отверстия, размещенные на периферии полости и предназначенные для полного и равномерного заполнения полости иммерсионной дисперсионной средой.
Предложенное техническое решение может быть улучшено в ряде вариантов использования этой среды. В частности, для обеспечения лучшей равномерности заполнения следует использовать рассеивающие частицы малых размеров - от 1 до 10 мкм (размеры менее 1 мкм получать достаточно сложно, требуется специальная дорогая технология, а размеры более 10 мкм неудобны в технологии заполнения полостей с заданной однородностью заполняющей среды). Во многих случаях в качестве материала рассеивающих частиц целесообразно применять кварц - SiO2. Возможен вариант СДУ, отличающийся введением в иммерсионную среду дополнительно частиц люминофора того же порядка размеров, что и рассеивающие свет частицы. Этим вариантом можно сдвинуть спектр излучения в нужную сторону, например, для сдвига спектра в белый цвет целесообразно ввести в иммерсионную среду люминофор на основе граната. Содержание люминофора в смеси его с кварцевыми частицами можно подобрать в соответствии с требованиями по светоотдаче, но при этом содержание кварцевых частиц должно быть все-таки заметным; менее 60 об.%, нежелательно ибо в противном случае свет от кристаллов поглотится средой. С целью повышения угла сбора излучения от отдельного светоизлучающего кристалла полость в крышке над ним можно выполнить с конической поверхностью, направленной раструбом в сторону внешней поверхности крышки, и даже придать этой поверхности полости дополнительные отражающие качества, например отполировать или покрыть блестящим слоем, например, металлом.
На Фиг.1 и Фиг.2 схематически представлены конструкции известного [3] (Фиг.1) и предложенного (Фиг.2) технических решений. На этих чертежах обозначены: установочная часть линзы - 1, подложка (в данном примере металлическая) - 2, светоизлучающий кристалл - 3, токопроводящий клей - 4, электрические присоединительные выводы - 5, компаунд - 6, крышка - 7, проволочки от кристалла - 8, изолированный слой - 9, на котором по заданной топологии разводки сформован металлический слой 5. Над кристаллом 3 в крышке 7 выполнена полость 11, в которой на металлической подложке 2 размещены кристалл 3 и проволочки 8 от него.
На фиг.2 полость 11 заполнена компаундом в виде иммерсионной дисперсионной среды, а для заполнения этой полости в подложке 2 сквозь изолированный слой 9 выполнены 2 отверстия 12 и 13, одно - для впрыскивания компаунда, другое - для выхода его после заполнения полости 11. На фиг.2 показана конструкция СДУ, в которой полость 11 выполнена конической, раструб конуса направлен в сторону наружной поверхности крышки 7, внутренняя поверхность этой полости металлизирована.
Сборка предложенной конструкции осуществляется следующим образом:
На подложку 2 через токопроводящий клей 4 закрепляются кристаллы 3 и наносится изолирующий слой 9, на котором формуют заданную топологию разводки металлического слоя 10 и к этой топологии в нужных местах проволочками 8 подсоединяют выводы кристалла 3. В подложке 2 около каждого кристалла выполнены по два отверстия 12 и 13 сквозь набор всех металлических и диэлектрических слоев. Затем изготовленную матрицу с кристаллами и разводкой накрывают заранее сформованной крышкой из прозрачного материала, совмещая кристаллы с нишами под каждый кристалл и образовывая этим структуру полостей 11, каждая из которых, повторяем, имеет по два отверстия. Совмещение крышки и матрицы фиксируют тремя котировочными штырями (на фиг. не показаны) и сквозь одно отверстие в каждой полости (скажем, 12) вводят в нее иммерсионную дисперсионную среду в виде тщательно перемешанной смеси излучающих частиц (если надо, то с частицами люминофора) в органическом связующем; введение заканчивается, когда из второго отверстия в полости (отверстие 13) начинает появляться иммерсионная дисперсионная среда, т.е. каждая полость полностью и надежно заполнена, при всех технологических разбросах размеров полостей по всему устройству в целом. А это автоматически приводит к повышению технологичности изготовления изделий.
Подложка 2 может быть сразу выполнена диэлектрической, но тогда ее пластину надо будет металлизировать с обеих сторон, выполняя, по крайней мере, в одном слое металлизации топологию разводки.
Предложенная конструкция работает следующим образом:
При пропускании прямого тока через светоизлучающий кристалл в нем инжектируются неравновновесные носители, которые рекомбинируют с выделением фотонов видимого спектра излучения по нормали к поверхности кристалла и с его торцов. Свет, попадая в иммерсионную дисперсионную среду, диффузно рассеивается и собирается за счет полного внутреннего отражения от боковых поверхностей и собирается в заданный угол. Наличие диспергированных частиц в иммерсионной среде (SiO2 или SiO2 + люминофор) позволяет равномерно засвечивать диаграмму излучения. Добавление люминофора в иммерсионную среду позволяет не только рассеять, но и сдвинуть спектр в нужный диапазон, дополнительно управляя спектром излучения СДУ.
Пример реализации одного из вариантов предложенного СДУ представлен в таблице
| СДУ | Цвет излучения | Длина волны (макс), нм | Сила света при I прямой = 80 мА, кД | Угол зрения на 1/2 мощности излучения, град |
| Прототип [3] | красный | 626 | 20 | 20 |
| зеленый | 520 | 40 | 20 | |
| синий | 480 | 4 | 20 | |
| Предложенная конструкция | красный | 626 | 10 | 30 |
| зеленый | 520 | 20 | 30 | |
| синий | 480 | 2 | 30 |
В предложенном техническом решении, т.е. с прочно соединенными матрицами и крышкой, полости полностью заполнены компаундом из смеси частиц SiO2 размером 4-6 мкм. Для сравнения приведена точно такая же конструкция, но без заполнения полостей. Из таблицы видно, что наличие дисперсионной среды в полостях увеличивает угол излучения в 1,5 раза и снижает силу света при том же токе питания - в 2 раза.
Таким образом, в предложенной конструкции достигается:
- самодозирование иммерсионной дисперсионной среды,
- введение иммерсионной дисперсионной среды непосредственно в пространство, окружающее светоизлучающий кристалл,
- равномерное заполнение пространства около каждого кристалла в сборке.
И все это обеспечивает равномерность свечения и координацию цветности по всему изделию в целом, т.е. повышение эффективности светоотдачи
Источники информации
1. B.C.Абрамов и др. Светоизлучающий диод // Патент РФ №2114492 от 27.06.1998, кл. H01L 33/00.
2. С.Таш и др. Источник света со светоизлучающим элементом // Патент РФ №2251761 от 19.11.2001, кл. H01L 33/00.
3. B.C.Абрамов и др. Светоизлучающее устройство // Патент РФ №2133068 от 30.07.1997, кл. Н01L 33/00 (Прототип).
Claims (3)
1. Светодиодное устройство, содержащее подложку, выполненную из пластины с изолирующим материалом, металлизированным, по крайней мере, с одной стороны, на котором укреплены с обеспечением максимальной теплопроводности один или более светоизлучающих кристаллов, каждый из которых имеет два или более омических контакта, по крайней мере, один из металлизированных слоев выполнен в виде заданной топологии разводки связей между светоизлучающими кристаллами, крышку из прозрачного материала, соединенную с подложкой юстировочными штырями, внешняя поверхность которой предназначена быть линзой для сбора излучения в заданный угол и выполнена в виде формы вращения, а внутренняя имеет полости, в каждой из которых размещен светоизлучающий кристалл со своими элементами подсоединения к топологии разводки, и иммерсионную дисперсионную среду из рассеивающих свет частиц, отличающееся тем, что иммерсионная дисперсионная среда размещена, по крайней мере, в одной из полостей крышки, а в подложке предусмотрены два отверстия, размещенные на периферии полости и предназначенные для заполнения полости иммерсионной дисперсионной средой.
2. Светодиодное устройство по п.1, отличающееся тем, что иммерсионная дисперсионная среда состоит из рассеивающих свет частиц размером от 1 до 10 мкм.
3. Светодиодное устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что в иммерсионную дисперсионную среду дополнительно введены частицы люминофора.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006105730/28A RU2302687C1 (ru) | 2006-02-26 | 2006-02-26 | Светодиодное устройство |
| PCT/RU2007/000088 WO2007097664A1 (fr) | 2006-02-26 | 2007-02-22 | Dispositif à diode lumineuse |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006105730/28A RU2302687C1 (ru) | 2006-02-26 | 2006-02-26 | Светодиодное устройство |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2302687C1 true RU2302687C1 (ru) | 2007-07-10 |
Family
ID=38316767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2006105730/28A RU2302687C1 (ru) | 2006-02-26 | 2006-02-26 | Светодиодное устройство |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2302687C1 (ru) |
| WO (1) | WO2007097664A1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2493635C2 (ru) * | 2008-10-01 | 2013-09-20 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Сид с частицами в герметике для повышенного извлечения света и нежелтого цвета в выключенном состоянии |
| RU2613529C2 (ru) * | 2015-07-08 | 2017-03-16 | Гиа Маргович Гвичия | Устройство для управления светоизлучающими кристаллами в светодиоде |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6549043B2 (ja) * | 2013-03-13 | 2019-07-24 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 底面反射器を用いたカプセル化のためのｌｅｄレンズ |
| CN105684174B (zh) * | 2013-11-07 | 2018-10-09 | 亮锐控股有限公司 | 用于led的具有包围led的全内反射层的衬底 |
| NL2032294B1 (en) * | 2022-06-27 | 2024-01-12 | Schreder Sa | Light assembly comprising a side emitting light element |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2133068C1 (ru) * | 1997-07-30 | 1999-07-10 | Абрамов Владимир Семенович | Светодиодное устройство |
| RU2134000C1 (ru) * | 1997-12-31 | 1999-07-27 | Абрамов Владимир Семенович | Светодиодное устройство |
| RU2200358C1 (ru) * | 2001-06-05 | 2003-03-10 | Хан Владимир Александрович | Полупроводниковый излучающий диод |
| US6480389B1 (en) * | 2002-01-04 | 2002-11-12 | Opto Tech Corporation | Heat dissipation structure for solid-state light emitting device package |
| RU2212734C1 (ru) * | 2002-07-10 | 2003-09-20 | Закрытое Акционерное Общество "Светлана - Оптоэлектроника" | Полупроводниковый источник света |
-
2006
- 2006-02-26 RU RU2006105730/28A patent/RU2302687C1/ru not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-02-22 WO PCT/RU2007/000088 patent/WO2007097664A1/ru active Search and Examination
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2493635C2 (ru) * | 2008-10-01 | 2013-09-20 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Сид с частицами в герметике для повышенного извлечения света и нежелтого цвета в выключенном состоянии |
| RU2613529C2 (ru) * | 2015-07-08 | 2017-03-16 | Гиа Маргович Гвичия | Устройство для управления светоизлучающими кристаллами в светодиоде |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2007097664A9 (fr) | 2007-10-25 |
| WO2007097664A1 (fr) | 2007-08-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10879435B2 (en) | Light emitting diodes, components and related methods | |
| US8378375B2 (en) | Light emitting apparatus having a partition | |
| US7868345B2 (en) | Light emitting device mounting substrate, light emitting device housing package, light emitting apparatus, and illuminating apparatus | |
| CN101725850B (zh) | 照明装置 | |
| CN104364919B (zh) | 具有有平坦表面的密封体的led包装件 | |
| CN108242442A (zh) | 发光装置 | |
| CN101493216B (zh) | 发光二极管光源模组 | |
| KR101503499B1 (ko) | 멀티칩 발광 다이오드 패키지 | |
| JP3640153B2 (ja) | 照明光源 | |
| US6914261B2 (en) | Light emitting diode module | |
| US20080123023A1 (en) | White light unit, backlight unit and liquid crystal display device using the same | |
| CN102290408A (zh) | 发光装置以及照明装置 | |
| JP2009016689A (ja) | 照明装置 | |
| RU2302687C1 (ru) | Светодиодное устройство | |
| JP2008041706A (ja) | 発光装置および白色変換シート | |
| KR20130090644A (ko) | 개별 반사 구조를 갖는 ｐｃｂ 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키지 제조 방법 | |
| JP2018067573A (ja) | 発光モジュール及び照明器具 | |
| JP6169829B2 (ja) | 照明装置 | |
| CN202111089U (zh) | 可调光调色cobled结构 | |
| RU70342U1 (ru) | Светодиодная матрица | |
| CN102779814A (zh) | 可发出白光的发光元件及其混光方法 | |
| RU66118U1 (ru) | Светодиодное устройство | |
| WO2019179228A1 (zh) | Led灯丝结构及基于其的led照明灯 | |
| KR100574628B1 (ko) | 색 필름을 이용한 발광 다이오드 모듈 | |
| CN104979434B (zh) | 发光装置的色温调整方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PC4A | Invention patent assignment |
Effective date: 20071225 |
|
| PC4A | Invention patent assignment |
Effective date: 20100706 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170227 |