JP2016106431A - 発光素子パッケージ - Google Patents

発光素子パッケージ Download PDF

Info

Publication number
JP2016106431A
JP2016106431A JP2016047503A JP2016047503A JP2016106431A JP 2016106431 A JP2016106431 A JP 2016106431A JP 2016047503 A JP2016047503 A JP 2016047503A JP 2016047503 A JP2016047503 A JP 2016047503A JP 2016106431 A JP2016106431 A JP 2016106431A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
molding material
emitting device
opening
reflective structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016047503A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6167196B2 (ja
Inventor
スン ヒュン オウ
Seung Hyun Oh
スン ヒュン オウ
ピョン カグ キム
Pyoung Gug Kim
ピョン カグ キム
スン ホン リ
Seung Heon Lee
スン ホン リ
キュン キ ミン
Chun Ki Min
キュン キ ミン
ジュン ア リム
Jung A Lim
ジュン ア リム
ジュン ヒュン リム
Jun Hyung Lim
ジュン ヒュン リム
チョル フン ジュン
Cheol Hun Jung
チョル フン ジュン
ボ ヒュン チュン
Bo Hyun Chung
ボ ヒュン チュン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lumens Co Ltd
Original Assignee
Lumens Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020110120496A external-priority patent/KR101260855B1/ko
Priority claimed from KR1020120097844A external-priority patent/KR101348097B1/ko
Application filed by Lumens Co Ltd filed Critical Lumens Co Ltd
Publication of JP2016106431A publication Critical patent/JP2016106431A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6167196B2 publication Critical patent/JP6167196B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0013Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide
    • G02B6/0023Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed between the light guide and the light source, or around the light source
    • G02B6/0031Reflecting element, sheet or layer
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0066Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form characterised by the light source being coupled to the light guide
    • G02B6/0073Light emitting diode [LED]
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0081Mechanical or electrical aspects of the light guide and light source in the lighting device peculiar to the adaptation to planar light guides, e.g. concerning packaging
    • G02B6/0085Means for removing heat created by the light source from the package
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133614Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133615Edge-illuminating devices, i.e. illuminating from the side
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)

Abstract

【課題】放熱能に優れながらも発光輝度の高い発光素子パッケージを提供する【解決手段】本発明の発光素子パッケージは、リードフレームと、リードフレーム上に配された発光素子と、リードフレームに結合されて発光素子からの発生光を放出する開口が形成されたモールディング材と、モールディング材の開口に対応する開口部を有してモールディング材にコンタクトする反射構造体と、モールディング材と反射構造体との間の少なくとも一部に介在して反射構造体をモールディング材に固定する接着層と、を備える。【選択図】図1

Description

本発明は、発光素子パッケージに係り、更に詳細には、放熱能に優れながらも、発光輝度の高い発光素子パッケージに関する。
一般的に、発光素子は、電子装置、例えば、ディスプレイ装置でバックライトユニットの光源として使われている。このような発光素子は、バックライトモジュールに結合する前に多様な形態でパッケージングされ、バックライトユニットは、このようにパッケージングされた発光素子パッケージを備える。
このような発光素子パッケージは、光を発生させる発光素子から光が発生するだけではなく、相当量の熱まで発生する。
このような従来の発光素子パッケージには、発光素子から発生した熱が外部に容易に放出されないという問題点があった。その結果、モールディング材が脹れるか、発光素子の寿命が低下するという問題点があった。
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、放熱能に優れながらも発光輝度の高い発光素子パッケージを提供することにある。
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による発光素子パッケージは、リードフレームと、前記リードフレーム上に配された発光素子と、前記リードフレームに結合されて前記発光素子からの発生光を放出する開口が形成されたモールディング材と、前記モールディング材の開口に対応する開口部を有して前記モールディング材にコンタクトする反射構造体と、前記モールディング材と前記反射構造体との間の少なくとも一部に介在して前記反射構造体を前記モールディング材に固定する接着層と、を備える。
前記接着層は、前記発光素子に近い部分における第1厚さが、前記発光素子から遠い部分における第2厚さよりも厚くあり得る。
前記反射構造体は、前記モールディング材にコンタクトし、前記モールディング材の開口周りに沿って連続(continuous)的又は断続(discrete)的に配された支持部と、前記支持部と、前記支持部にコンタクトし、前記発光素子からの発生光が放出される方向に、前記モールディング材から放射状に広がった放射部と、を備え得る。
前記モールディング材は、前記モールディング材の開口の周りに沿って連続的又は断続的に配された支持部を含み、前記反射構造体は、前記支持部にコンタクトし、前記発光素子からの発生光が放出される方向に、前記モールディング材から放射状に広がった放射部を含み得る。
前記モールディング材は、前記モールディング材の開口の周りに沿って連続的又は断続的に配された支持部を含み、前記反射構造体は、前記モールディング材の支持部に対応する形状を有して前記モールディング材にコンタクトし得る。
前記モールディング材には、溝又は凹凸が形成され、前記反射構造体は、前記溝又は凹凸に対応して差し込まれ得る。
前記接着層の厚さは、前記発光素子で遠くなるほど漸進的に薄くなり得る。
前記反射構造体は、一部が前記モールディング材の開口内に挿入され、前記モールディング材の開口の外部に突出した部分は、前記発光素子からの発生光が放出される方向に、前記モールディング材から放射状に広がり得る。
上記目的を達成するためになされた本発明の他の態様による発光素子パッケージは、リードフレームと、前記リードフレーム上に配された発光素子と、前記リードフレームに結合されて前記発光素子からの発生光を放出する開口が形成されたモールディング材と、前記モールディング材の開口に対応する開口部を有して前記モールディング材にコンタクトする反射構造体と、を備える。
前記反射構造体は、前記発光素子からの発生光が放出される方向に、前記モールディング材から放射状に広がった放射面を備え得る。
前記反射構造体の放射面は、前記モールディング材にコンタクトした地点から前記モールディング材から遠くなる第1地点まで前記発光素子からの発生光の主放出方向と第1角度を成し、前記第1地点から前記第1地点よりも前記モールディング材から遠い第2地点まで前記発光素子からの発生光の主放出方向と前記第1角度よりも大きな第2角度を成し得る。
前記発光素子を覆うように前記モールディング材の開口内に配された蛍光体を含む第1樹脂層を更に備え得る。
前記第1樹脂層を覆い前記放射面にコンタクトする透光性第2樹脂層を更に備え得る。
前記発光素子を覆うように前記モールディング材の開口内に配された透光性第2樹脂層と、前記第2樹脂層を覆い前記放射面にコンタクトする蛍光体を含む第1樹脂層と、を更に備え得る。
前記反射構造体は、金属を含み得る。
前記モールディング材の開口に向いた面が、前記発光素子からの発生光が放出される方向に、放射状に広がる支持部を備え得る。
上記目的を達成するためになされた本発明の更に他の態様によれば、リードフレームと、前記リードフレーム上に配された発光素子と、前記リードフレームに結合されて前記発光素子からの発生光を放出する開口が形成されたモールディング材と、前記モールディング材の開口に対応する開口部を有して前記モールディング材にコンタクトする反射構造体と、前記モールディング材に連続的又は断続的に配されて前記反射構造体を前記モールディング材に固定させる支持部と、前記モールディング材と前記反射構造体との間の少なくとも一部に介在して前記発光素子に近い部分における第1厚さが、前記発光素子から遠い部分における第2厚さよりも厚い接着層と、を備える。
本発明によれば、放熱能に優れながらも、発光輝度の高い発光素子パッケージを具現することができる。もちろん、このような効果によって、本発明の範囲が限定されるものではない。
本発明の一実施形態による発光素子パッケージを概略的に示す断面図である。 図1の発光素子パッケージの一部を概略的に示す斜視図である。 本発明の他の一実施形態による発光素子パッケージの製造工程を概略的に示す断面図である。 本発明の他の一実施形態による発光素子パッケージの製造工程を概略的に示す断面図である。 本発明の更に他の一実施形態による発光素子パッケージの製造工程を概略的に示す断面図である。 本発明の更に他の一実施形態による発光素子パッケージの製造工程を概略的に示す断面図である。 本発明の更に他の一実施形態による発光素子パッケージの製造工程を概略的に示す断面図である。 本発明の更に他の一実施形態による発光素子パッケージの製造工程を概略的に示す断面図である。 本発明の更に他の一実施形態による発光素子パッケージの一部を概略的に示す斜視図である。 本発明の更に他の一実施形態による発光素子パッケージを概略的に示す斜視図である。 図10の発光素子パッケージを概略的に示す分解斜視図である。 図10のXII−XII線に沿って取った断面を概略的に示す断面図である。 本発明の更に他の一実施形態による発光素子パッケージを概略的に示す断面図である。 本発明の実施形態による発光素子パッケージから放出された光の経路及び照光面を概略的に示す断面図である。 本発明の実施形態による発光素子パッケージから放出された光の指向角を概略的に示すグラフである。 本発明の更に他の一実施形態による発光素子パッケージの一部を概略的に示す斜視図である。 本発明の更に他の一実施形態によるバックライトユニットを概略的に示す側面概念図である。
以下、本発明を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。
しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で具現可能なものであって、以下の実施形態は、本発明の開示を完全にし、当業者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものである。また、説明の便宜上、図面では、構成要素がその大きさが誇張又は縮小されうる。
以下の実施形態で、x軸、y軸、及びz軸は、直交座標系上の3つの軸に限定されず、これを含む広い意味として解釈される。例えば、x軸、y軸、及びz軸は、互いに直交することもできるが、互いに直交しない互いに異なる方向を称することもできる。
図1は、本発明の一実施形態による発光素子パッケージを概略的に示す断面図であり、図2は、図1の発光素子パッケージの一部を概略的に示す斜視図である。図1の断面図は、図2のI−I線に沿って取った断面図と理解することができる。本実施形態による発光素子パッケージは、図面に示されたように、パッケージ及び反射構造体40を備える。パッケージは、リードフレーム10、発光素子20、及びモールディング材30を備え、反射構造体40は、支持部41と放射部42とを備える。
リードフレーム10は、第1リード11と第2リード12とを含む。もちろん、それ以外のリードを更に含むこともある。例えば、リードフレーム10は、後述する発光素子20が配されるダイパットと、そのダイパットと離隔した第1リード及び第2リードとを含むこともある。
発光素子20は、リードフレーム10上に配されるが、例えば、図面に示されたように、第1リード11上に配置される。発光素子20は、電気信号を印加されて光を放出する素子であって、多様な電子装置の光源として使われる。例えば、発光素子20は、化合物半導体のダイオードで構成され、このような発光素子20は、発光ダイオード(lightemitting diode;LED)と呼ばれる。このような発光ダイオードは、化合物半導体の物質によって多様な色相の光を放出することができる。
このような発光素子20は、第1リード11及び/又は第2リード12と電気的に連結されうるが、導電性接着部材を用いて電気的に連結され、ワイヤリングを通じて電気的に連結されても良い。図1では、発光素子20が、ワイヤリングを通じて第1リード11と第2リード12のそれぞれに電気的に連結されると図示している。図2では、ワイヤリングを省略した。
モールディング材30は、リードフレーム10に結合されて、発光素子パッケージの全体的な外形を形成しうる。モールディング材30は、発光素子20からの発生光が放出される開口30aを有する。図面では、発光素子20からの発生光を+z方向に進行させうる開口30aをモールディング材30が有する場合を図示している。
モールディング材30は、トランスファーモールディング法などを通じて樹脂で形成されうる。もちろん、モールディング材30は、トランスファーモールディング法の以外にも、インジェクションモールディング、射出成形などを通じて形成されうるなど多様な変形が可能であるということはいうまでもない。モールディング材として使える樹脂としては、エポキシなどが挙げられる。
発光素子20上には、発光素子10を外部湿気などから保護するために、発光素子10を覆うようにモールディング材30の開口30a内に第1樹脂層51が配置される。このような第1樹脂層51には、蛍光体が混入されてモールディング材30の開口30aに全体的に、又は部分的に満たされうる。もちろん、蛍光体が混合された第1樹脂層51が部分的に満たされ、蛍光体のない(透明)充填材が別途に満たされることもある。第1樹脂層51が、モールディング材30の開口30aを満たす場合、モールディング材30の開口30aの上端まで、結局、後述する反射構造体40の支持部41の下端まで満たすことができる。参考までに、図2では、第1樹脂層51が省略された。
反射構造体40は、モールディング材30の開口30aに対応する開口部を有し、モールディング材30にコンタクトする。このような反射構造体は、熱導電性に優れた金属材で形成されうる。具体的に、反射構造体40は、支持部41と放射部42とを備えることができる。
支持部41は、モールディング材30とコンタクトし、モールディング材30の開口30a周りに沿って連続して配置される。図面では、支持部41が、モールディング材30の開口30aを連続して取り囲むと図示している。
放射部42は、支持部41とコンタクトするように配される。図面では、放射部42が支持部41とコンタクトし、同時に、モールディング材30の光放出方向(+z方向)の上面にもコンタクトすると図示しているが、本発明が、これに限定されるものではない。即ち、放射部42は、モールディング材30とコンタクトせず、支持部41とのみコンタクトすることもできる。また、放射部42と支持部41は、一体(one body)であり得る。
このような放射部42は、放射状を有するが、具体的に、モールディング材30から、発光素子20からの発生光が放出される方向(+z方向)に、放射状に広がったものであり得る。放射部42の放射状は、発光素子20の中心を経て、モールディング材30の開口30aの中央を経る軸(+z軸)を中心に広がった形態であり得る。
一方、第2樹脂層52を更に備えることができるが、この場合、第2樹脂層52は、第1樹脂層51を覆い、放射部42とコンタクトする。第2樹脂層52が放射部42とコンタクトするということは、放射部42の内側である放射面とコンタクトすると理解されうる。
その第2樹脂層52は、光が通過することができる透光性物質で形成されるが、例えば、エポキシ系樹脂やシリコン系樹脂などを使うことができる。第2樹脂層52は、結果的に、第1樹脂層51及び放射部42(放射面)とコンタクトすることによって、反射構造体40のモールディング材30などからの分離を防止することができる。このような第2樹脂層52は、図1に示されたように、反射構造体40の支持部41の上端まで満たすことができる。参考までに、図2では、第2樹脂層52が省略された。
もちろん、蛍光体が混入された第1樹脂層51が発光素子10を覆うように、モールディング材30の開口30a内に配され、第2樹脂層52が第1樹脂層51を覆い、放射部42(放射面)とコンタクトさせるものと異なって、透光性である第2樹脂層が発光素子10を覆うように、モールディング材30の開口30a内に配され、蛍光体が混入された第1樹脂層が第2樹脂層を覆い、放射部42(放射面)とコンタクトするように、その位置を相互変えることもできるということはいうまでもない。
この場合、蛍光体が混入された第1樹脂層と発光素子10との間に第2樹脂層が介在されて、蛍光体が混入された第1樹脂層と発光素子10との距離を、第2樹脂層を通じて制御することができる。蛍光体が混入された第1樹脂層と発光素子10との距離が減れば、最終的に、外部に放出される光の色温度が低くなるので、結果的に、第2樹脂層の厚さ調節を通じて最終的に外部に放出される光の色温度を制御することができる。
前述したように、発光素子20では、光が発生するだけではなく、相当量の熱まで発生する。従来の発光素子パッケージには、発光素子から発生した熱が外部に容易に放出されないという問題点があった。その結果、モールディング材が脹れるか、発光素子の寿命が低下するという問題点があった。
本実施形態による発光素子パッケージは、反射構造体40を備え、このような反射構造体40は、モールディング材30にコンタクトして、発光素子20近所に配されるので、従って、発光素子20から発生した熱を、反射構造体40を通じて外部に効果的に放出させうる。特に、反射構造体40の構成要素のうち、放射部42は、モールディング材30の外側に開放された放射状の構造であるので、これを通じて発光素子20から発生して、反射構造体40に吸収された熱を外部に効果的に放出させうる。
同時に、発光素子20からの発生光のうちには、+z方向に進行する光もあるが、+z方向と+x方向との間に進行する光もあるので、このような光が、反射構造体40の構成要素である放射部42の内面42’に反射された後、ほぼ+z方向に進行させることによって、発光素子パッケージ前方(forward direction)での輝度を画期的に高めうる。即ち、反射構造体40の構成要素である放射部42の内面42’は、モールディング材30の開口30aの傾いた側面30’と共に反射面として作用する。
もちろん、モールディング材30の開口30aの内側面30’のみで反射部を構成することを考慮することもできるが、モールディング材30の開口30aの内側面30’に到逹せずとも、+z方向と+x方向との間に進行する光があり得る。本実施形態による発光素子パッケージの場合、そのような光も、モールディング材30の外側に配された放射部42の内面42’から反射されて、ほぼ+z方向に進行させうる。
反射構造体40の放射部42の内面42’は、反射率の向上のために、銀などの反射性物質でコーティングされる。もちろん、便宜上、内面42’以外の他の部分までコーティングされることもある。
図3及び図4は、本発明の他の一実施形態による発光素子パッケージの製造工程を概略的に示す断面図である。図3に示されたように、リードフレーム10、発光素子20、及びモールディング材30を備えたパッケージと、支持部41と放射部42とを備えた反射構造体40とを準備する。パッケージの場合、発光素子20を覆うようにモールディング材30の開口を満たす第1樹脂層51を含む。
以後、図4に示されたように、パッケージと反射構造体40とを整列してコンタクトさせた後、引き続き第1樹脂層51上に第2樹脂層52を形成して、図1に示されたような発光素子パッケージを製造することができる。第2樹脂層52は、反射構造体40のモールディング材30からの分離を防止することができる。
図3及び図4では、1つのパッケージと、1つの反射構造体40とが整列され、結合されると図示しているが、本発明が、これに限定されるものではない。例えば、複数個のパッケージのリード10が相互連結されて配列され、複数個の反射構造体40も、相互連結されて配列され、これらが相互結合された後、カッティングを通じて、反射構造体を有する発光素子パッケージを、複数個同時に製造することができるということはいうまでもない。これは、後述する実施形態及びその変形例においても、同様である。
一方、前述したように、図3に示されたように、発光素子20を覆うようにモールディング材30の開口を満たす第1樹脂層51を含むパッケージを準備し、図4に示されたように、パッケージと反射構造体40とを整列してコンタクトさせた後、引き続き第1樹脂層51上に第2樹脂層52を形成して、図1に示されたような発光素子パッケージを製造することができるが、本発明が、これに限定されるものではない。例えば、発光素子20を覆うようにモールディング材30の開口を満たす透光性第2樹脂層を含むパッケージを準備し、パッケージと反射構造体40とを整列してコンタクトさせた後、引き続き第2樹脂層上に蛍光体が混入された第1樹脂層を形成して、発光素子パッケージを製造することもできる。
この場合、蛍光体が混入された第1樹脂層と発光素子10との間に第2樹脂層が介在されて、蛍光体が混入された第1樹脂層と発光素子10との距離を、第2樹脂層を通じて制御することができる。蛍光体が混入された第1樹脂層と発光素子10との距離が減れば、最終的に、外部に放出される光の色温度が低くなるので、結果的に、第2樹脂層の厚さ調節を通じて、最終的に、外部に放出される光の色温度を制御することができる。
図5及び図6は、本発明の更に他の一実施形態による発光素子パッケージの製造工程を概略的に示す断面図である。図5に示されたように、リードフレーム10、発光素子20、及びモールディング材30を備えたパッケージと、支持部41と放射部42とを備えた反射構造体40とを準備する。パッケージの場合、第1樹脂層51を含まない。
以後、図6に示されたように、パッケージと反射構造体40とを整列してコンタクトさせた後、発光素子20を覆うようにモールディング材30の開口を満たす第1樹脂層51を形成し、引き続き第1樹脂層51上に第2樹脂層52を形成して、図1に示されたような発光素子パッケージを製造することができる。第2樹脂層52は、反射構造体40のモールディング材30からの分離を防止することができる。
もちろん、これと異なって、図6に示されたように、パッケージと反射構造体40とを整列してコンタクトさせた後、蛍光体が混入された第1樹脂層51が発光素子20を覆うようにモールディング材30の開口を満たすことに留まらず、反射構造体40とコンタクトさせ、第2樹脂層を形成しないこともある。この場合、第1樹脂層51は、放射部42の一部とコンタクトすることもでき、放射部42の内面42’が露出されないように、放射部42内の開口をいずれも満たすこともできる。
また、図6に示されたように、パッケージと反射構造体40とを整列してコンタクトさせた後、第2樹脂層が発光素子20を覆うようにモールディング材30の開口を満たすようにし、次いで、第2樹脂層上に蛍光体が混入された第1樹脂層を形成させることもできる。この場合、第2樹脂層は、反射構造体40とコンタクトせず、第1樹脂層が反射構造体40とコンタクトさせることもでき、第2樹脂層も反射構造体40とコンタクトし、その上部の第1樹脂層も、反射構造体40とコンタクトさせることもできる。
今までは、反射構造体が、支持部と放射部とを有すると説明したが、本発明が、これに限定されるものではない。即ち、支持部は、モールディング材の一部であり、反射構造体は、放射部のみを有することもある。例えば、モールディング材内の開口周りに沿って連続して、又は断続的に配された支持部がモールディング材の一構成要素であり得る。そして、反射構造体は、モールディング材の支持部とコンタクトし、モールディング材から、発光素子からの発生光が放出される方向に、放射状に広がった放射部を有しうる。
図7及び図8は、本発明の更に他の一実施形態による発光素子パッケージの製造工程を概略的に示す断面図である。本実施形態による発光素子パッケージの製造工程の場合、先ず、図7に示されたように、パッケージと反射構造体40とが結合された構造を準備する。
ここで、反射構造体40は、前述した実施形態での反射構造体と異なる形状を有する。本実施形態による発光素子パッケージの製造工程での反射構造体40は、一部がモールディング材30の開口30a内に挿入され、モールディング材30の開口30aの外部に突出した部分は、モールディング材30から、発光素子20からの発生光が放出される方向に、放射状に広がったものであり得る。即ち、前述した実施形態とは異なって、支持部41を備えないこともある。
具体的に、反射構造体40のモールディング材30の開口30a内に挿入された部分は、モールディング材30の開口30aの内面30’にコンタクトすることができるが、図面に示されたように、モールディング材30の開口30a内の底面まで延びて(第1リード11や第2リード12と)コンタクトすることができる。もちろん、これと異なって、反射構造体40が、モールディング材30の開口30a内の底面まで延びず、開口30aの内面30’の一部のみを覆うこともできるなど多様な変形が可能であるということはいうまでもない。
このように、パッケージと反射構造体40とが結合された構造を準備した後、図8に示されたように、発光素子20を覆う第1樹脂層51を形成する。第1樹脂層51には、蛍光体が混入されうるが、その第1樹脂層51は、硬化された後、反射構造体40のモールディング材30からの分離を防止する機能を行える。必要に応じて、第1樹脂層51上に透光性第2樹脂層が配置されもする。
もちろん、前述したことと異なって、図7に示されたように、パッケージと反射構造体40とが結合された構造を準備した後、蛍光体が混入された第1樹脂層51が発光素子20を覆うようにモールディング材30の開口を満たすことに留まらず、第1樹脂層51の上面がモールディング材30の上面よりも更に高くし、第2樹脂層を形成しないこともある。
また、図7に示されたように、パッケージと反射構造体40とが結合された構造を準備した後、第2樹脂層が発光素子20を覆うようにモールディング材30の開口を満たすようにし、次いで、第2樹脂層上に蛍光体が混入された第1樹脂層を形成させることもできる。
このような図8に示されたような発光素子パッケージは、本発明の更に他の一実施形態による発光素子パッケージであると理解することができる。
一方、図8に示されたような発光素子パッケージの場合、反射構造体40の第1リード11及び第2リード12とコンタクトしているので、第1リード11と第2リード12は、相互絶縁される必要がある。従って、反射構造体40は、放射状を有するが、離隔した少なくとも2つの部分に分けることができる。反射構造体40の第1リード11とコンタクトする第1部分と反射構造体40の第2リード12とコンタクトする第2部分は、相互離隔した構造であり、その間に絶縁性物質が満たされることもある。
図9は、本発明の更に他の一実施形態による発光素子パッケージの一部を概略的に示す斜視図である。本実施形態による発光素子パッケージは、図1などを参照して前述した発光素子パッケージと同様に、反射構造体40が、支持部41と放射部(図示せず)とを備える。
異なる点は、支持部41がモールディング材30とコンタクトするが、モールディング材30の開口30a周りに沿って連続して配されたものではなく、断続的に配されるという点である。即ち、支持部41が不連続部41aを有する。図面では、2箇所の不連続部41aを有すると図示しているが、不連続部の個数は変わり、同時に、不連続部41aの幅が示されたものよりも更に大きい。
支持部41は、放射部(図示せず)を支持する役割を果たすので、支持部41が不連続部41aを有するとしても、放熱機能の向上及び前方輝度の向上に問題がないながらも、製造工程での製造コストを節減することができる。
もちろん、これと異なって、支持部が、反射構造体の一部ではないこともある。即ち、支持部は、モールディング材の一部であり、反射構造体は、放射部のみを有することもある。この場合にも、モールディング材の一部である支持部は、モールディング材の開口周りに沿って連続して配されたものではなく、断続的に配されたものであり得る。
図10は、本発明の更に他の一実施形態による発光素子パッケージを概略的に示す斜視図であり、図11は、図10の発光素子パッケージを分解した分解斜視図である。そして、図12は、図10のXII−XII線に沿って取った断面を概略的に示す断面図である。
本実施形態による発光素子パッケージは、図面に示されたように、リードフレーム、発光素子20、開口モールディング材30、及び反射構造体40を含みうる。
モールディング材30は、開口30a周りに沿って連続して、又は断続的に配された支持部33を含みうる。具体的に、支持部33は、開口30a周りに沿って開口30aの外側に隣接するように備えられる。図面では、支持部33が、モールディング材30の開口30aを断続的に取り囲むと示されている。しかし、示されたものに限定することは、前述したように、支持部33が、モールディング材30の開口30aを連続して取り囲むこともできる。示されたように、支持部33が、モールディング材30の開口30aを断続的に取り囲む場合、これは、示されたように、モールディング材30に溝又は凹凸が形成されたと理解されうる。
例えば、モールディング材30の外形が、ほぼ直方体であれば、その上面の中央に凹状の開口30aが形成され、開口30aのほぼ中央に発光素子20が定着することができる。そして、示されたように、支持部33は、モールディング材30の開口30a周りに沿って延び、モールディング材30の角部から+z方向に突設される。
この際、支持部33は、モールディング材30の開口30aに向ける面が、発光素子20からの発生光が放出される方向(例えば、+z方向)に、放射状に広がる。具体的に、支持部33は、内面がモールディング材30の開口30aに隣接するほど下がる傾斜面であり得る。これは、支持部33が、後述する反射構造体40を支持する時よりも安定して支持するためである。また、支持部33は、反射構造体40の結合位置を案内するか、限定することができるが、反射構造体40の結合位置をより正確に案内するか、限定するためである。
発光素子20上には、発光素子20を外部湿気などから保護するために、発光素子20を覆うようにモールディング材30の開口30a内に樹脂層60が配置される。このような樹脂層60には、蛍光体が混入されてモールディング材30の開口30aに全体的に、又は部分的に満たされうる。もちろん、蛍光体が混合された樹脂層60が部分的に満たされ、蛍光体のない(透明)充填材が別途に満たされることもある。また、樹脂層60又は充填材は、モールディング材30の開口30aを満たすだけではなく、後述する反射構造体40の下端又は上端まで満たすこともできる。
反射構造体40は、モールディング材30の開口30aに対応する開口部を有し、モールディング材30にコンタクトすることができる。前述したように、支持部33が、モールディング材30の開口30aを断続的に取り囲む場合、即ち、モールディング材30に溝又は凹凸が形成されたと理解されうる場合、反射構造体40は、その溝又は凹凸に対応して差し込まれうる。このような反射構造体40は、熱導電性に優れた金属を含みうる。そして、反射構造体40は、発光素子20からの発生光が放出される方向に、放射状に広がった放射面45を備えることができる。
反射構造体40の役割について説明すれば、反射構造体40は、発光素子20から放出される光をほぼ+z方向に進行するように反射させることができる。具体的に説明すれば、発光素子20からの発生光のうちには、+z方向に進行する光もあるが、+z方向と+y方向との間に進行する光もあるので、このような光が、反射構造体40の構成要素である放射面45に反射された後、ほぼ+z方向に進行させることによって、発光素子パッケージ前方での輝度を画期的に高めうるだけではなく、発光素子パッケージから放出される光の指向角を狭めることができる。即ち、反射構造体40の構成要素である放射面45は、モールディング材30の開口30aの傾いた側面と共に反射面として作用する。
もちろん、モールディング材30の開口30aの内側面のみで反射部を構成することを考慮することもできるが、モールディング材30の開口30aの内側面に到逹せずとも、+z方向と+y方向との間に進行する光があり得る。本実施形態による発光素子パッケージの場合、そのような光もモールディング材30の外側に配された放射面45から反射されて、ほぼ+z方向に進行させうる。
このような反射構造体40の放射面45は、その断面が平らであるか、曲がることができる。一例として、図12を参照すれば、反射構造体40の放射面45は、その断面が平らである。即ち、反射構造体40の放射面45は、発光素子20からの発生光の主放出方向と所定の角度aを成しうる。ここで、発光素子20からの発生光の主放出方向は、+z方向を指称する。この際、所定の角度aは、10°よりも大きいか、それと同じであり、20゜よりも小さいか、それと同じであり得る。
一方、図13は、本発明の他の一実施形態による発光素子パッケージの断面を図示している。図13は、図10のXII−XII線と類似した位置で取った本実施形態による発光素子パッケージの断面を示した図面である。
図13を参照すれば、反射構造体40の放射面45は、モールディング材30にコンタクトされた地点からモールディング材30から遠くなる第1地点43まで+z方向と第1角度a1を成し、第1地点43から第1地点43よりもモールディング材30から遠い第2地点44まで第2角度a2を成しうる。この際、第2角度a2は、第1角度a1よりも大きい。具体的に、第1角度a1は、ほぼ10゜であり、第2角度a2は、ほぼ20゜であり得る。
ここで、第2地点44は、例えば、反射構造体40の端部であり得る。即ち、第1地点43は、+z方向に配された反射構造体40の内面の両端部、即ち、モールディング材30方向(−z方向)端部と光放出方向(+z方向)端部の間の何れか一地点であり得る。また、第1地点43及び第2地点44は、モールディング材30の開口30a周りに沿って連続して配されて、それぞれ一周(encirclement)する線を成しうる。
このように、放射面45が所定の角度aで傾いて、発光素子20から放出される光は、放射面45に放射されうる。従って、発光素子パッケージから放出される光の指向角を狭めることができる。また、反射構造体40の放射面45は、反射率の向上のために銀などの反射性物質でコーティングされる。もちろん、便宜上、放射面45以外の他の部分までコーティングされることもある。
反射構造体40は、支持部33に対応する形状を有して、モールディング材30にコンタクトすることができる。例えば、支持部33が連続して配されれば、反射構造体40も、支持部33の形状に対応する連続した部分が形成されうる。他の例として、支持部33が、示されたように、断続的に配されれば、反射構造体40も、支持部33の間に挿入されるように断続的な形状を含みうる。
図14は、本発明の実施形態による発光素子パッケージから放出される光の経路を概略的に示す断面図である。図14は、図12に示された実施形態による発光素子パッケージの光路を概略的に図示したが、図13に示された実施形態による発光素子パッケージにも、同一又は同様に適用可能である。
図14を参照すれば、発光素子20から放出された光は、第1経路21に沿って直接照光面70のA領域に到着し、第2経路22に沿ってモールディング材30から反射されて、照光面70のB領域に到着し、第3経路23に沿って反射構造体40から反射されて、照光面70のC領域に到着することができる。
この際、反射構造体40とモールディング材30との反射率が同一であれば、A領域の輝度が最も高く、B領域が、その次に高く、C領域の輝度が低い。即ち、光軸から遠くなるほど輝度が低くなるが、特に、B領域からC領域に行くほど急激に低くなる。
しかし、本発明の実施形態によれば、反射構造体40は、モールディング材30よりも反射率が高い。例えば、前述したように、反射構造体40は、金属を含み、樹脂材からなるモールディング材30よりも反射率が高い。従って、第3経路23に沿ってC領域に照射される光の輝度は、反射構造体40の高い反射率によって従来に比べて高くなる。これにより、A領域からC領域に行くほど輝度が急減せず、A領域からC領域に行くほど輝度が緩やかに低くなり、特に、B領域からC領域に行くほど輝度の変化が緩やかであるか、ほとんどないこともある。これにより、光が到逹する照光面70に全体的にほぼ一定の輝度の光を効果的に照射させうる。
図15は、本発明の実施形態による発光素子パッケージから放出される光の指向角を示すグラフである。
従来の発光素子パッケージは、光軸方向に光出力のピークがあり、光軸から角度が開かれることによって、光出力が急減せず、緩やかに減少するように光が放出された。また、従来の発光素子パッケージは、指向角が広くて、光軸から非常に遠くなっても、光出力の減少幅が大きくないようにすることによって、発光素子パッケージから放出される光の全体的に広い輝度範囲において、漸進的に低くなるようにして、照明用として使われるようにした。
しかし、本発明の実施形態によれば、示されたように、発光素子20から放出された光は、反射構造体40によって反射されて、光軸近所では光軸から遠くなっても、光出力が減少せず、ほぼ一定になるようにする。更に、指向角を狭めることによって、光が照射される部分においては、輝度を高めうる。これにより、発光素子パッケージから放出される光は、光軸近所では光軸から遠くなっても、一定でありつつも、高輝度を有しうる。これを通じて、携帯電話やカメラなどのフラッシュ用途として使われる時に、撮影される全領域において、高輝度でありながらも、一定の輝度の光を効果的に照射させうる。即ち、前述した光学レンズは、フラッシュ用光学レンズであって、発光素子パッケージと結合して、照射領域において、一定かつ均一な強度の光が照射されるように効果的に作用する。
図16は、本発明の一実施形態による発光素子パッケージのうち、接着層60が備えられる位置を概略的に示す斜視図である。以下、図12、図13、及び図16を参照して、接着層60を説明する。反射構造体40をモールディング材30に固定させるために、モールディング材30と反射構造体40との間の少なくとも一部に介在される接着層60が備えられうる。
接着層60は、図12に示されたように、モールディング材30の支持部33と反射構造体40との間に配置される。即ち、接着層60は、外部に露出される部分を最小限にし、一般的に光反射率が低いので、特に、反射構造体40の放射面45とモールディング材30の開口30aとの間には、露出されないことが望ましい。従って、接着層60は、示されたように、支持部33と反射構造体40との間に介在され、モールディング材30の開口30aに隣接した部分と反射構造体40との間には、介在されないこともある。
図12を参照すれば、接着層60は、その量を最小化し、接着力を極大化するために、位置によって、その厚さが異なる。具体的に、発光素子20に近い部分での第1厚さD1が、前記発光素子20から遠い部分での第2厚さD2よりも厚い。この際、接着層60は、発光素子20から遠くなるほど、その厚さが漸進的に薄くなる。
通常、発光素子パッケージで熱が発生する所は、発光素子20であるので、発光素子20に隣接するほど発光素子20から発生する熱による影響を多く受けるしかない。従って、発光素子20に近い部分では、接着層60の厚さを十分にさせることによって、モールディング材30と反射構造体40との間の接合を確実にし、発光素子20から遠い部分では、接着層60の厚さを減らして、発光素子パッケージの製造時に使われる物質の量を減らすことによって、製造コストを減らすことができる。
一方、本発明の他の一実施形態によれば、発光素子パッケージは、リードフレーム、発光素子20、モールディング材30、反射構造体40、及び接着層60を含みうる。本実施形態による発光素子パッケージは、前述した実施形態による発光素子パッケージと同一であるか、類似している。従って、重複される説明は省略する。
モールディング材30は、リードフレームと結合され、発光素子20からの発生光を放出する開口30aが形成されうる。即ち、本実施形態において、モールディング材30は、前述した実施形態による発光素子パッケージのモールディング材30とは異なるように支持部33が省略される。
反射構造体40は、モールディング材30の開口30aに対応する開口部を有し、モールディング材30にコンタクトすることができる。本実施形態において、反射構造体40は、前述した実施形態による発光素子パッケージのうち、反射構造体40と同一又は類似しているが、支持部33に対応する形状を選択的に有しうる。
接着層60は、モールディング材30と反射構造体40との間の少なくとも一部に介在されて、反射構造体40をモールディング材30に固定させることができる。そして、接着層60は、発光素子20に近い部分での第1厚さD1が、前記発光素子20から遠い部分での第2厚さD2よりも厚い。本実施形態で、接着層60は、前述した実施形態による発光素子パッケージのうち、接着層60と同一又は類似しているので、詳細な説明は省略する。接着力を保持するためである。
図17は、本発明の更に他の一実施形態によるバックライトユニットを概略的に示す側面概念図である。
示されたように、本実施形態によるバックライトユニットは、フレーム110と、フレーム110の一部上の反射シート115と、反射シート115上の導光板120と、フレーム110の他の部分上に配されるが、導光板120に光を照射するように配された前述したような実施形態及び/又はその変形例による発光素子パッケージ100とを備える。発光素子パッケージ100は、印刷回路基板112に連結されうる。
このような本実施形態によるバックライトユニットの場合、備える発光素子パッケージの放熱機能が向上し、前方での輝度が向上するので、バックライトユニット全体の放熱機能が向上し、放出光の輝度の向上を図ることができる。
図17では、発光素子パッケージ100が、導光板120の側面上に配されたバックライトユニットを図示しているが、本発明が、これに限定されるものではなく、導光板が反射シートの上部に配され、発光素子パッケージが、導光板の下部に位置する直下型バックライトユニットにも適用可能であるということはいうまでもない。
本発明は、図面に示された実施形態を参考にして説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されるべきである。
本発明は、放熱能に優れながらも、発光輝度の高い発光素子パッケージ及びそれを備えるバックライトユニットの具現に利用されうる。
10 リードフレーム
11 第1リード
12 第2リード
20 発光素子
21 第1経路
22 第2経路
23 第3経路
30 モールディング材
30a モールディング材の開口
30’ 開口の内側面
33、41 支持部
40 反射構造体
41a 支持部の不連続部
42 放射部
42’ 放射部の内面
43 第1地点
44 第2地点
45 放射面
51 第1樹脂層
52 第2樹脂層
60 樹脂層
70 照光面
100 発光素子パッケージ
110 フレーム
112 印刷回路基板
115 反射シート
120 導光板

Claims (17)

  1. リードフレームと、
    前記リードフレーム上に配された発光素子と、
    前記リードフレームに結合されて前記発光素子からの発生光を放出する開口が形成されたモールディング材と、
    前記モールディング材の開口に対応する開口部を有して前記モールディング材にコンタクトする反射構造体と、
    前記モールディング材と前記反射構造体との間の少なくとも一部に介在して前記反射構造体を前記モールディング材に固定する接着層と、を備えることを特徴とする発光素子パッケージ。
  2. 前記接着層は、前記発光素子に近い部分における第1厚さが、前記発光素子から遠い部分における第2厚さよりも厚いことを特徴とする請求項1に記載の発光素子パッケージ。
  3. 前記反射構造体は、
    前記モールディング材にコンタクトし、前記モールディング材の開口の周りに沿って連続的又は断続的に配された支持部と、
    前記支持部にコンタクトし、前記発光素子からの発生光が放出される方向に、前記モールディング材から放射状に広がった放射部と、を備えることを特徴とする請求項1に記載の発光素子パッケージ。
  4. 前記モールディング材は、前記モールディング材の開口の周りに沿って連続的又は断続的に配された支持部を含み、
    前記反射構造体は、前記支持部にコンタクトし、前記発光素子からの発生光が放出される方向に、前記モールディング材から放射状に広がった放射部を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子パッケージ。
  5. 前記モールディング材は、前記モールディング材の開口の周りに沿って連続的又は断続的に配された支持部を含み、
    前記反射構造体は、前記モールディング材の支持部に対応する形状を有して前記モールディング材にコンタクトすることを特徴とする請求項1に記載の発光素子パッケージ。
  6. 前記モールディング材には、溝又は凹凸が形成され、
    前記反射構造体は、前記溝又は凹凸に対応して差し込まれることを特徴とする請求項1に記載の発光素子パッケージ。
  7. 前記接着層の厚さは、前記発光素子から遠くなるほど漸進的に薄くなることを特徴とする請求項1に記載の発光素子パッケージ。
  8. 前記反射構造体は、一部が前記モールディング材の開口内に挿入され、
    前記モールディング材の開口から外部に突出した部分は、前記発光素子からの発生光が放出される方向に、前記モールディング材から放射状に広がることを特徴とする請求項1に記載の発光素子パッケージ。
  9. リードフレームと、
    前記リードフレーム上に配された発光素子と、
    前記リードフレームに結合されて前記発光素子からの発生光を放出する開口が形成されたモールディング材と、
    前記モールディング材の開口に対応する開口部を有して前記モールディング材にコンタクトする反射構造体と、を備えることを特徴とする発光素子パッケージ。
  10. 前記反射構造体は、前記発光素子からの発生光が放出される方向に、前記モールディング材から放射状に広がった放射面を備えることを特徴とする請求項9に記載の発光素子パッケージ。
  11. 前記反射構造体の放射面は、前記モールディング材にコンタクトした地点から前記モールディング材から遠くなる第1地点まで前記発光素子からの発生光の主放出方向と第1角度を成し、前記第1地点から前記第1地点よりも前記モールディング材から遠い第2地点まで前記発光素子からの発生光の主放出方向と前記第1角度よりも大きな第2角度を成すことを特徴とする請求項10に記載の発光素子パッケージ。
  12. 前記発光素子を覆うように前記モールディング材の開口内に配された蛍光体を含む第1樹脂層を更に備えることを特徴とする請求項10に記載の発光素子パッケージ。
  13. 前記第1樹脂層を覆い前記放射面にコンタクトする透光性第2樹脂層を更に備えることを特徴とする請求項12に記載の発光素子パッケージ。
  14. 前記発光素子を覆うように前記モールディング材の開口内に配された透光性第2樹脂層と、
    前記透光性第2樹脂層を覆い前記放射面にコンタクトする蛍光体を含む第1樹脂層と、を更に備えることを特徴とする請求項10に記載の発光素子パッケージ。
  15. 前記反射構造体は、金属を含むことを特徴とする請求項9に記載の発光素子パッケージ。
  16. 前記モールディング材の開口に向いた面が、前記発光素子からの発生光が放出される方向に、放射状に広がる支持部を備えることを特徴とする請求項9に記載の発光素子パッケージ。
  17. リードフレームと、
    前記リードフレーム上に配された発光素子と、
    前記リードフレームに結合されて前記発光素子からの発生光を放出する開口が形成されたモールディング材と、
    前記モールディング材の開口に対応する開口部を有して前記モールディング材にコンタクトする反射構造体と、
    前記モールディング材に連続的又は断続的に配されて前記反射構造体を前記モールディング材に固定させる支持部と、
    前記モールディング材と前記反射構造体との間の少なくとも一部に介在して前記発光素子に近い部分における第1厚さが、前記発光素子から遠い部分における第2厚さよりも厚い接着層と、を備えることを特徴とする発光素子パッケージ。
JP2016047503A 2011-11-17 2016-03-10 発光素子パッケージ Active JP6167196B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2011-0120496 2011-11-17
KR1020110120496A KR101260855B1 (ko) 2011-11-17 2011-11-17 발광소자 패키지 및 이를 구비하는 백라이트 유닛
KR1020120097844A KR101348097B1 (ko) 2012-09-04 2012-09-04 발광소자 패키지
KR10-2012-0097844 2012-09-04

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014542249A Division JP5902823B2 (ja) 2011-11-17 2012-11-16 発光素子パッケージ及びそれを備えるバックライトユニット

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016106431A true JP2016106431A (ja) 2016-06-16
JP6167196B2 JP6167196B2 (ja) 2017-07-19

Family

ID=48430309

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014542249A Active JP5902823B2 (ja) 2011-11-17 2012-11-16 発光素子パッケージ及びそれを備えるバックライトユニット
JP2016047503A Active JP6167196B2 (ja) 2011-11-17 2016-03-10 発光素子パッケージ

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014542249A Active JP5902823B2 (ja) 2011-11-17 2012-11-16 発光素子パッケージ及びそれを備えるバックライトユニット

Country Status (6)

Country Link
US (3) US9142747B2 (ja)
EP (2) EP3410498A1 (ja)
JP (2) JP5902823B2 (ja)
CN (2) CN104054189B (ja)
ES (1) ES2693677T3 (ja)
WO (1) WO2013073897A2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021068874A (ja) * 2019-10-28 2021-04-30 株式会社ダイセル 光半導体装置用樹脂成形体及び光半導体装置

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101413596B1 (ko) * 2012-12-07 2014-07-02 주식회사 루멘스 발광장치 및 이를 구비하는 백라이트 유닛
JP6476567B2 (ja) * 2013-03-29 2019-03-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI506828B (zh) * 2013-11-20 2015-11-01 Lextar Electronics Corp 發光裝置
DE102013114345A1 (de) * 2013-12-18 2015-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
EP3547379A1 (en) * 2014-03-14 2019-10-02 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting apparatus
JP6459354B2 (ja) 2014-09-30 2019-01-30 日亜化学工業株式会社 透光部材及びその製造方法ならびに発光装置及びその製造方法
JPWO2016084437A1 (ja) * 2014-11-28 2017-08-31 シャープ株式会社 発光装置および照明器具
KR102237155B1 (ko) * 2015-03-11 2021-04-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
JP6168096B2 (ja) * 2015-04-28 2017-07-26 日亜化学工業株式会社 発光装置、パッケージ及びそれらの製造方法
JP6590579B2 (ja) * 2015-08-03 2019-10-16 シチズン電子株式会社 Led発光素子
DE102015116263A1 (de) 2015-09-25 2017-03-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung eines elektronischen Bauelements
JP2017130588A (ja) * 2016-01-21 2017-07-27 旭化成株式会社 紫外線発光装置
JP6790416B2 (ja) * 2016-03-31 2020-11-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10658558B2 (en) 2017-10-10 2020-05-19 Lumileds Llc LED package including converter confinement

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000156528A (ja) * 1998-11-19 2000-06-06 Sharp Corp 発光素子
JP2004288937A (ja) * 2003-03-24 2004-10-14 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2005353816A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Olympus Corp 発光デバイス、発光デバイスの製造方法、発光デバイスを用いた照明装置、及び、プロジェクタ
JP2006054371A (ja) * 2004-08-13 2006-02-23 Fujikura Ltd 発光ダイオードランプ
JP2007227480A (ja) * 2006-02-21 2007-09-06 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2008186946A (ja) * 2007-01-29 2008-08-14 Toshiba Corp 光半導体装置及びその製造方法
WO2011006754A1 (de) * 2009-07-15 2011-01-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiode und verfahren zur herstellung einer leuchtdiode
WO2011082876A1 (de) * 2009-12-16 2011-07-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung eines gehäuses für ein optoelektronisches halbleiterbauteil, gehäuse und optoelektronisches halbleiterbauteil

Family Cites Families (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3798195B2 (ja) * 1999-08-12 2006-07-19 ローム株式会社 チップ型発光装置
JP4125848B2 (ja) * 1999-12-17 2008-07-30 ローム株式会社 ケース付チップ型発光装置
EP1146572A3 (en) * 2000-03-14 2005-03-23 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light source device
DE10020465A1 (de) * 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US20020085390A1 (en) * 2000-07-14 2002-07-04 Hironobu Kiyomoto Optical device and apparatus employing the same
US6949771B2 (en) * 2001-04-25 2005-09-27 Agilent Technologies, Inc. Light source
JP3891400B2 (ja) * 2001-07-25 2007-03-14 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
JP3948650B2 (ja) * 2001-10-09 2007-07-25 アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド 発光ダイオード及びその製造方法
ATE525755T1 (de) * 2001-10-12 2011-10-15 Nichia Corp Lichtemittierendes bauelement und verfahren zu seiner herstellung
US6791116B2 (en) * 2002-04-30 2004-09-14 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode
CN100338786C (zh) * 2002-06-19 2007-09-19 三垦电气株式会社 半导体发光装置及其制法和半导体发光装置用反射器
JP3910517B2 (ja) * 2002-10-07 2007-04-25 シャープ株式会社 Ledデバイス
JP4143732B2 (ja) * 2002-10-16 2008-09-03 スタンレー電気株式会社 車載用波長変換素子
WO2004084319A1 (ja) * 2003-03-18 2004-09-30 Sumitomo Electric Industries Ltd. 発光素子搭載用部材およびそれを用いた半導体装置
US7579629B2 (en) * 2003-04-01 2009-08-25 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting apparatus package, light-emitting apparatus, backlight apparatus, and display apparatus
JP4070208B2 (ja) * 2003-04-21 2008-04-02 京セラ株式会社 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
KR20040092512A (ko) * 2003-04-24 2004-11-04 (주)그래픽테크노재팬 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치
US20050133808A1 (en) * 2003-09-11 2005-06-23 Kyocera Corporation Package for housing light-emitting element, light-emitting apparatus and illumination apparatus
JP2005183531A (ja) 2003-12-17 2005-07-07 Sharp Corp 半導体発光装置
US7855395B2 (en) * 2004-09-10 2010-12-21 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package having multiple molding resins on a light emitting diode die
JP4756841B2 (ja) 2004-09-29 2011-08-24 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置の製造方法
JP4659421B2 (ja) * 2004-09-30 2011-03-30 株式会社トクヤマ 発光素子収納用パッケージの製造方法
JP2006128511A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子用セラミック基板
JP2006186297A (ja) * 2004-12-03 2006-07-13 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
US8288942B2 (en) * 2004-12-28 2012-10-16 Cree, Inc. High efficacy white LED
TWI266079B (en) * 2005-01-10 2006-11-11 Shiu-Hua Huang Steering lens and light emitting system using the same
JP2006237049A (ja) * 2005-02-22 2006-09-07 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子実装用配線基板
US8029152B2 (en) * 2005-03-24 2011-10-04 Kyocera Corporation Package for light-emitting device, light-emitting apparatus, and illuminating apparatus
KR100649679B1 (ko) 2005-07-19 2006-11-27 삼성전기주식회사 측면 발광형 엘이디 패키지 및 이를 이용한 백 라이트 유닛
US8231251B2 (en) 2005-10-28 2012-07-31 Philips Lumileds Lighting Company Llc Multiple piece reflective angle transformer
EP1953818B1 (en) * 2005-11-24 2012-01-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Electronic component mounting board
KR100730076B1 (ko) * 2005-11-29 2007-06-20 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
KR100769718B1 (ko) * 2005-11-29 2007-10-24 삼성전기주식회사 발광소자용 반사부재 및 이를 사용한 발광다이오드 패키지
WO2007072919A1 (ja) * 2005-12-22 2007-06-28 Matsushita Electric Works, Ltd. Ledを用いた照明器具
JP2007201420A (ja) * 2005-12-27 2007-08-09 Sharp Corp 半導体発光装置、半導体発光素子、および半導体発光装置の製造方法
US8044412B2 (en) * 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
JP2007305785A (ja) * 2006-05-11 2007-11-22 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
US7906794B2 (en) * 2006-07-05 2011-03-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device package with frame and optically transmissive element
JP5205724B2 (ja) * 2006-08-04 2013-06-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
US8182117B2 (en) * 2006-08-24 2012-05-22 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting element, light emitting element array, backlight unit, and liquid crystal display device
JP4846498B2 (ja) 2006-09-22 2011-12-28 株式会社東芝 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法
US8053799B2 (en) * 2006-09-29 2011-11-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED package
JP2008144127A (ja) 2006-11-15 2008-06-26 Hitachi Chem Co Ltd 熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法
JP5168152B2 (ja) * 2006-12-28 2013-03-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4205135B2 (ja) * 2007-03-13 2009-01-07 シャープ株式会社 半導体発光装置、半導体発光装置用多連リードフレーム
JP2008300544A (ja) 2007-05-30 2008-12-11 Sharp Corp 発光装置およびその製造方法
KR101374898B1 (ko) * 2007-09-28 2014-03-18 서울반도체 주식회사 계면 분리를 줄인 led 패키지
JP5405731B2 (ja) * 2007-10-23 2014-02-05 日立コンシューマエレクトロニクス株式会社 光源モジュール
KR101104034B1 (ko) * 2007-12-06 2012-01-09 엘지이노텍 주식회사 발광다이오드, 발광장치 및 그 제조방법
CN101910239B (zh) * 2008-01-09 2013-11-06 日立化成工业株式会社 热固化性树脂组合物、环氧树脂成形材料及多元羧酸缩合体
US7923746B2 (en) * 2008-03-12 2011-04-12 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode package structure and method for fabricating the same
US8324723B2 (en) * 2008-03-25 2012-12-04 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bump/base heat spreader and dual-angle cavity in bump
KR20090104518A (ko) * 2008-03-31 2009-10-06 서울반도체 주식회사 프로젝션 시스템용 발광 다이오드 패키지
JP5320560B2 (ja) * 2008-05-20 2013-10-23 東芝ライテック株式会社 光源ユニット及び照明装置
JP5196551B2 (ja) * 2008-06-09 2013-05-15 Necライティング株式会社 発光装置
KR101007131B1 (ko) 2008-11-25 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US8288785B2 (en) * 2008-12-03 2012-10-16 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Lead frame having light-reflecting layer, light emitting diode having the lead frame, and backlight unit having the light emitting diode
TWI426206B (zh) * 2008-12-25 2014-02-11 Au Optronics Corp 發光二極體裝置
JP5428358B2 (ja) * 2009-01-30 2014-02-26 ソニー株式会社 光学素子パッケージの製造方法
US8033693B2 (en) 2009-04-30 2011-10-11 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Lighting structure with multiple reflective surfaces
KR20110007633A (ko) 2009-07-09 2011-01-25 (주) 아모엘이디 엘이디 패키지
JP5139519B2 (ja) * 2009-09-01 2013-02-06 株式会社東芝 半導体発光素子及び半導体発光装置
EP2495774B1 (en) * 2009-10-29 2018-07-18 Kyocera Corporation Light emitting device
CN106449937B (zh) * 2009-10-29 2020-11-03 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
KR101064090B1 (ko) * 2009-11-17 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
TW201145597A (en) * 2010-01-28 2011-12-16 Lg Innotek Co Ltd Light emitting device package
JP2011171365A (ja) 2010-02-16 2011-09-01 Panasonic Corp 半導体発光モジュール、光源装置、および液晶表示装置
KR101637581B1 (ko) * 2010-03-09 2016-07-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
JP5370232B2 (ja) 2010-03-25 2013-12-18 豊田合成株式会社 Ledパッケージの製造方法
KR101090991B1 (ko) * 2010-04-07 2011-12-08 (주) 아모엘이디 엘이디 패키지 및 이의 제조방법
US8354745B2 (en) * 2010-04-20 2013-01-15 Intellectual Discovery Co., Ltd. Electronic assembly
EP2557593A1 (en) * 2010-04-30 2013-02-13 Wavenics, Inc. Integrated-terminal-type metal base package module and a method for packaging an integrated terminal for a metal base package module
KR20110128693A (ko) * 2010-05-24 2011-11-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
JP5940775B2 (ja) * 2010-08-27 2016-06-29 ローム株式会社 液晶表示装置バックライト用led光源装置および液晶表示装置
JP5861636B2 (ja) * 2010-08-31 2016-02-16 日亜化学工業株式会社 発光装置とその製造方法
WO2012049854A1 (ja) * 2010-10-14 2012-04-19 パナソニック株式会社 発光装置及びこれを用いた面光源装置
CN102544303A (zh) * 2010-12-21 2012-07-04 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
US8569778B2 (en) * 2011-02-11 2013-10-29 Intellectual Discovery Co., Ltd. Narrow viewing angle plastic leaded chip carrier
KR101850431B1 (ko) * 2011-07-07 2018-05-31 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈 및 이를 포함하는 조명 시스템
US9793456B2 (en) * 2011-09-30 2017-10-17 Kaneka Corporation Molded resin body for surface-mounted light-emitting device, manufacturing method thereof, and surface-mounted light-emitting device

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000156528A (ja) * 1998-11-19 2000-06-06 Sharp Corp 発光素子
JP2004288937A (ja) * 2003-03-24 2004-10-14 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2005353816A (ja) * 2004-06-10 2005-12-22 Olympus Corp 発光デバイス、発光デバイスの製造方法、発光デバイスを用いた照明装置、及び、プロジェクタ
JP2006054371A (ja) * 2004-08-13 2006-02-23 Fujikura Ltd 発光ダイオードランプ
JP2007227480A (ja) * 2006-02-21 2007-09-06 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2008186946A (ja) * 2007-01-29 2008-08-14 Toshiba Corp 光半導体装置及びその製造方法
WO2011006754A1 (de) * 2009-07-15 2011-01-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiode und verfahren zur herstellung einer leuchtdiode
WO2011082876A1 (de) * 2009-12-16 2011-07-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung eines gehäuses für ein optoelektronisches halbleiterbauteil, gehäuse und optoelektronisches halbleiterbauteil

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021068874A (ja) * 2019-10-28 2021-04-30 株式会社ダイセル 光半導体装置用樹脂成形体及び光半導体装置
WO2021085303A1 (ja) * 2019-10-28 2021-05-06 株式会社ダイセル 光半導体装置用樹脂成形体及び光半導体装置
JP7399678B2 (ja) 2019-10-28 2023-12-18 株式会社ダイセル 光半導体装置用樹脂成形体及び光半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9142747B2 (en) 2015-09-22
EP2782150B1 (en) 2018-08-15
EP2782150A2 (en) 2014-09-24
EP2782150A4 (en) 2015-08-19
CN104054189A (zh) 2014-09-17
JP5902823B2 (ja) 2016-04-13
WO2013073897A3 (ko) 2013-07-11
CN104054189B (zh) 2018-06-26
EP3410498A1 (en) 2018-12-05
JP2014533889A (ja) 2014-12-15
ES2693677T3 (es) 2018-12-13
WO2013073897A2 (ko) 2013-05-23
CN108565329A (zh) 2018-09-21
JP6167196B2 (ja) 2017-07-19
USRE48474E1 (en) 2021-03-16
US20140328083A1 (en) 2014-11-06
USRE47444E1 (en) 2019-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6167196B2 (ja) 発光素子パッケージ
US6835960B2 (en) Light emitting diode package structure
TWI505519B (zh) 發光二極體燈條及其製造方法
US8749136B2 (en) Light emitting apparatus and light unit
CN110993773B (zh) 发光二极管封装件
JP2009177112A (ja) 発光ダイオードパッケージ
JP2015023219A (ja) Led発光装置およびled発光装置の製造方法
KR101504282B1 (ko) 발광소자 패키지
JP4967347B2 (ja) 線状光源及び半導体発光ユニットの製法
KR101401919B1 (ko) 일체화 고효율 다층식 조명장치
JP5230192B2 (ja) 発光装置
US9068710B2 (en) Light emitting diode automobile lamp
KR101260855B1 (ko) 발광소자 패키지 및 이를 구비하는 백라이트 유닛
KR102034226B1 (ko) 조명장치
KR101348097B1 (ko) 발광소자 패키지
KR101078032B1 (ko) 측면 발광형 발광소자 패키지 및 이를 구비한 백라이트 모듈
KR101146097B1 (ko) 발광소자 패키지 및 이를 구비하는 백라이트 모듈
KR101207789B1 (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR101109032B1 (ko) Led 백라이트 유닛
JP6165537B2 (ja) Led照明装置
KR101346706B1 (ko) 발광소자
JP5296266B2 (ja) 発光装置
JP5694817B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
KR102435458B1 (ko) 백라이트 유닛용 광원 패키지 및 그를 포함하는 광원 장치
JP2011044499A (ja) 反射型発光ダイオード

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160310

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20161226

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170131

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170403

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170606

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170626

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6167196

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250