JP2002368279A - チップ発光ダイオード - Google Patents
チップ発光ダイオードInfo
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- JP2002368279A JP2002368279A JP2001172391A JP2001172391A JP2002368279A JP 2002368279 A JP2002368279 A JP 2002368279A JP 2001172391 A JP2001172391 A JP 2001172391A JP 2001172391 A JP2001172391 A JP 2001172391A JP 2002368279 A JP2002368279 A JP 2002368279A
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- emitting diode
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2107/00—Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements
- F21Y2107/50—Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements on planar substrates or supports, but arranged in different planes or with differing orientation, e.g. on plate-shaped supports with steps on which light-generating elements are mounted
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2113/00—Combination of light sources
- F21Y2113/10—Combination of light sources of different colours
- F21Y2113/13—Combination of light sources of different colours comprising an assembly of point-like light sources
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数個のＬＥＤチップが実装された熱抵抗の
低い小型のチップＬＥＤを提供する。 【解決手段】 Ｒ,Ｇ,Ｂ各色のＬＥＤチップ４,６,５が
搭載される基板を、第１層基板１と第２層基板３との二
層構造に成す。発熱量の少ないＲ,Ｂ色ＬＥＤチップ４,
５用のカソードパターン８,９を第１層基板１における
両側の腕部に設け、発熱量の多いＧ色ＬＥＤチップ６用
のカソードパターン７を第２層基板３の略全面に渡って
設ける。こうして、カソードパターン８,９とカソード
パターン７とを異なる層の基板に設けることによって、
発熱量の多いＬＥＤチップ用のカソードパターン７の面
積を広くし且つ厚みを厚くして、放熱性を向上できる。
その際に、カソードパターン８,９とカソードパターン
７とを重ねて配置することによって、各ＬＥＤチップ
４,６,５の搭載ピッチを小さくして小型化が図られる。
低い小型のチップＬＥＤを提供する。 【解決手段】 Ｒ,Ｇ,Ｂ各色のＬＥＤチップ４,６,５が
搭載される基板を、第１層基板１と第２層基板３との二
層構造に成す。発熱量の少ないＲ,Ｂ色ＬＥＤチップ４,
５用のカソードパターン８,９を第１層基板１における
両側の腕部に設け、発熱量の多いＧ色ＬＥＤチップ６用
のカソードパターン７を第２層基板３の略全面に渡って
設ける。こうして、カソードパターン８,９とカソード
パターン７とを異なる層の基板に設けることによって、
発熱量の多いＬＥＤチップ用のカソードパターン７の面
積を広くし且つ厚みを厚くして、放熱性を向上できる。
その際に、カソードパターン８,９とカソードパターン
７とを重ねて配置することによって、各ＬＥＤチップ
４,６,５の搭載ピッチを小さくして小型化が図られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、主に携帯機器の
キー照明やＬＣＤ(液晶ディスプレイ)のバックライト等
に使用されるチップ発光ダイオード(ＬＥＤ)に関する。
キー照明やＬＣＤ(液晶ディスプレイ)のバックライト等
に使用されるチップ発光ダイオード(ＬＥＤ)に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、チップＬＥＤは、ガラスエポキシ
系基板やＭＩＤ(樹脂成型基板)法等の基材にＬＥＤチッ
プを搭載し、エポキシ系の樹脂を用いてトランスファー
モールドまたは注型方法等でパッケージングすることに
よって形成される。その際に、上記モールド時における
樹脂漏れ対策としては、導通用のスルーホール孔の上を
銅箔やレジストやシート等で覆うことによって行ってい
る。
系基板やＭＩＤ(樹脂成型基板)法等の基材にＬＥＤチッ
プを搭載し、エポキシ系の樹脂を用いてトランスファー
モールドまたは注型方法等でパッケージングすることに
よって形成される。その際に、上記モールド時における
樹脂漏れ対策としては、導通用のスルーホール孔の上を
銅箔やレジストやシート等で覆うことによって行ってい
る。
【０００３】また、１パッケージ内に複数個のＬＥＤを
実装する場合には、一般にＬＥＤチップを基材の同一層
に配置し、パターニングによって回路を分離するように
している。
実装する場合には、一般にＬＥＤチップを基材の同一層
に配置し、パターニングによって回路を分離するように
している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のチップＬＥＤには以下のような問題がある。すなわ
ち、１パッケージ内に複数個のＬＥＤを実装した場合に
は、パッケージの熱抵抗によってＬＥＤに流せる電流を
大きくすることができない。したがって、Ｒ(赤),Ｇ
(緑),Ｂ(青)の３色のＬＥＤチップを１パッケージ内に
実装して混色発光を行う場合には、定格電流を下げざる
をえず、光度を高くできないのである。
来のチップＬＥＤには以下のような問題がある。すなわ
ち、１パッケージ内に複数個のＬＥＤを実装した場合に
は、パッケージの熱抵抗によってＬＥＤに流せる電流を
大きくすることができない。したがって、Ｒ(赤),Ｇ
(緑),Ｂ(青)の３色のＬＥＤチップを１パッケージ内に
実装して混色発光を行う場合には、定格電流を下げざる
をえず、光度を高くできないのである。
【０００５】その場合、単に上記パッケージを大きくす
れば熱抵抗を下げることができるのではあるが、小型化
の要求があるため単純にパッケージを大きくすることは
できない。
れば熱抵抗を下げることができるのではあるが、小型化
の要求があるため単純にパッケージを大きくすることは
できない。
【０００６】そのために、一定の発光面積を光らせるた
めに必要な光度を得るため、１色当り複数個のＬＥＤを
使用しなければならず、価格アップの要因になるという
問題がある。さらに、１色当り複数個のＬＥＤチップを
使用することによって、同じ色に該当する個々のＬＥＤ
チップの光度や波長のばらつきを抑える必要が生じ、上
記光度や波長を調整するという面倒な操作が必要にな
る。
めに必要な光度を得るため、１色当り複数個のＬＥＤを
使用しなければならず、価格アップの要因になるという
問題がある。さらに、１色当り複数個のＬＥＤチップを
使用することによって、同じ色に該当する個々のＬＥＤ
チップの光度や波長のばらつきを抑える必要が生じ、上
記光度や波長を調整するという面倒な操作が必要にな
る。
【０００７】また、駆動上の利便さから１パッケージ内
に実装される複数のＬＥＤを結線する際にはアノードコ
モンが必要である。ところが、その場合には、個々のＬ
ＥＤチップのダイエリアを分離することが必要となり、
放熱ランドを共通にすることができないという問題があ
る。さらには、トータルのダイエリア面積が大きくなる
ためチップギャップが広く、混色時の表示品位が落ちる
と共にパッケージサイズが大きくなるという問題もあ
る。
に実装される複数のＬＥＤを結線する際にはアノードコ
モンが必要である。ところが、その場合には、個々のＬ
ＥＤチップのダイエリアを分離することが必要となり、
放熱ランドを共通にすることができないという問題があ
る。さらには、トータルのダイエリア面積が大きくなる
ためチップギャップが広く、混色時の表示品位が落ちる
と共にパッケージサイズが大きくなるという問題もあ
る。
【０００８】以上のごとく、複数個のＬＥＤを内蔵した
小型の１パッケージにおいて、熱抵抗を如何に下げるか
が大きな課題となっている。
小型の１パッケージにおいて、熱抵抗を如何に下げるか
が大きな課題となっている。
【０００９】そこで、この発明の目的は、複数個のＬＥ
Ｄチップが実装された熱抵抗の低い小型のチップＬＥＤ
を提供することにある。
Ｄチップが実装された熱抵抗の低い小型のチップＬＥＤ
を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明は、基板に搭載されたＬＥＤチップを樹脂
で封止して成るチップＬＥＤにおいて、上記基板は,複
数の層基板が積層された多層構造を有しており、上記Ｌ
ＥＤチップは複数個であり,その内の少なくとも１つの
ＬＥＤチップは,他のＬＥＤチップとは異なる層基板に
搭載されていることを特徴としている。
め、この発明は、基板に搭載されたＬＥＤチップを樹脂
で封止して成るチップＬＥＤにおいて、上記基板は,複
数の層基板が積層された多層構造を有しており、上記Ｌ
ＥＤチップは複数個であり,その内の少なくとも１つの
ＬＥＤチップは,他のＬＥＤチップとは異なる層基板に
搭載されていることを特徴としている。
【００１１】上記構成によれば、基板を複数の層基板に
よる積層構造に成し、少なくとも１つのＬＥＤチップを
他とは異なる層基板に搭載するので、各層基板に設けら
れる電極パターンの面積や厚みを異なるようにすること
が可能になる。したがって、上記他とは異なる層基板に
搭載されるＬＥＤチップが他よりも発熱量の大きいＬＥ
Ｄチップである場合には、この発熱量の大きいＬＥＤチ
ップが搭載される層基板の電極パターンの面積や厚みを
他の層基板の電極パターンよりも大きくすることによっ
て、上記発熱量の大きいＬＥＤチップの放熱性が向上さ
れて、熱抵抗の低減が図られる。
よる積層構造に成し、少なくとも１つのＬＥＤチップを
他とは異なる層基板に搭載するので、各層基板に設けら
れる電極パターンの面積や厚みを異なるようにすること
が可能になる。したがって、上記他とは異なる層基板に
搭載されるＬＥＤチップが他よりも発熱量の大きいＬＥ
Ｄチップである場合には、この発熱量の大きいＬＥＤチ
ップが搭載される層基板の電極パターンの面積や厚みを
他の層基板の電極パターンよりも大きくすることによっ
て、上記発熱量の大きいＬＥＤチップの放熱性が向上さ
れて、熱抵抗の低減が図られる。
【００１２】また、１実施例では、この発明のチップＬ
ＥＤにおいて、上記他のＬＥＤチップとは異なる層基板
に搭載されたＬＥＤチップは１つであり、この１つのＬ
ＥＤチップは上記層基板における中央に搭載されてい
る。
ＥＤにおいて、上記他のＬＥＤチップとは異なる層基板
に搭載されたＬＥＤチップは１つであり、この１つのＬ
ＥＤチップは上記層基板における中央に搭載されてい
る。
【００１３】この実施例によれば、上記他とは異なる層
基板に搭載された１つのＬＥＤチップは層基板における
中央に搭載されているのであるから、例えば、この層基
板に積層される上記他の層基板の中央部に上記１つのＬ
ＥＤチップを露出させる溝や切欠きや穴を設け、その溝
や切欠きや穴の周囲に他のＬＥＤチップを配置すること
によって、アノードコモン時に複数のＬＥＤチップのダ
イエリアを分離しても各ＬＥＤチップのダイピッチを狭
くして、混色発光時の品位が向上される。さらに、上記
他の層基板の中央部に設けられた溝や切欠きや穴が所謂
カップ構造を形成し、その中に配置される上記１つのＬ
ＥＤチップの発光効率の向上が図れる。
基板に搭載された１つのＬＥＤチップは層基板における
中央に搭載されているのであるから、例えば、この層基
板に積層される上記他の層基板の中央部に上記１つのＬ
ＥＤチップを露出させる溝や切欠きや穴を設け、その溝
や切欠きや穴の周囲に他のＬＥＤチップを配置すること
によって、アノードコモン時に複数のＬＥＤチップのダ
イエリアを分離しても各ＬＥＤチップのダイピッチを狭
くして、混色発光時の品位が向上される。さらに、上記
他の層基板の中央部に設けられた溝や切欠きや穴が所謂
カップ構造を形成し、その中に配置される上記１つのＬ
ＥＤチップの発光効率の向上が図れる。
【００１４】また、１実施例では、この発明のチップＬ
ＥＤにおいて、上記他のＬＥＤチップとは異なる層基板
に搭載されたＬＥＤチップは、上記他のＬＥＤチップに
比して発熱の大きいＬＥＤチップである。
ＥＤにおいて、上記他のＬＥＤチップとは異なる層基板
に搭載されたＬＥＤチップは、上記他のＬＥＤチップに
比して発熱の大きいＬＥＤチップである。
【００１５】この実施例によれば、上記ＬＥＤチップ搭
載用の基板が複数の層基板の積層構造体で成り、発熱量
の大きいＬＥＤチップが他のＬＥＤチップとは異なる層
基板に搭載されている。したがって、発熱量の大きいＬ
ＥＤチップが搭載されている層基板の電極パターンの面
積や厚みを、他の層基板の電極パターンよりも大きくす
ることによって、上記発熱量の大きいＬＥＤチップの放
熱性を向上することが可能になる。
載用の基板が複数の層基板の積層構造体で成り、発熱量
の大きいＬＥＤチップが他のＬＥＤチップとは異なる層
基板に搭載されている。したがって、発熱量の大きいＬ
ＥＤチップが搭載されている層基板の電極パターンの面
積や厚みを、他の層基板の電極パターンよりも大きくす
ることによって、上記発熱量の大きいＬＥＤチップの放
熱性を向上することが可能になる。
【００１６】また、１実施例では、この発明のチップＬ
ＥＤにおいて、各層基板の表面には各ＬＥＤチップが載
置されて接続される電極パターンが形成されており、上
記少なくとも１つのＬＥＤチップが搭載される層基板の
電極パターンの厚みを他の層基板の電極パターンの厚み
よりも厚くしている。
ＥＤにおいて、各層基板の表面には各ＬＥＤチップが載
置されて接続される電極パターンが形成されており、上
記少なくとも１つのＬＥＤチップが搭載される層基板の
電極パターンの厚みを他の層基板の電極パターンの厚み
よりも厚くしている。
【００１７】この実施例によれば、上記少なくとも１つ
のＬＥＤチップが搭載される層基板の電極パターンの厚
みが、他の層基板の電極パターンよりも厚くなってい
る。したがって、この層基板に発熱量が大きいＬＥＤチ
ップを搭載すれば、厚みが厚い電極パターンによって上
記発熱量の大きいＬＥＤチップの放熱性が向上される。
のＬＥＤチップが搭載される層基板の電極パターンの厚
みが、他の層基板の電極パターンよりも厚くなってい
る。したがって、この層基板に発熱量が大きいＬＥＤチ
ップを搭載すれば、厚みが厚い電極パターンによって上
記発熱量の大きいＬＥＤチップの放熱性が向上される。
【００１８】また、１実施例では、この発明のチップＬ
ＥＤにおいて、上記層基板の枚数は２枚であり、上記複
数のＬＥＤチップはアノードコモンに配線されたＲ,Ｇ,
Ｂ３色のＬＥＤチップであり、上記他のＬＥＤチップと
は異なる層基板に搭載されたＬＥＤチップはＧ色ＬＥＤ
チップであり、上記各層基板に形成された電極パターン
はカソードパターンであり、発光側の層基板における発
光面には共通アノードパターンが設けられる一方,反発
光側の層基板における反発光面には上記Ｒ,Ｇ,Ｂ３色の
ＬＥＤチップ用のカソードパターンに接続された裏面パ
ターンが設けられている。
ＥＤにおいて、上記層基板の枚数は２枚であり、上記複
数のＬＥＤチップはアノードコモンに配線されたＲ,Ｇ,
Ｂ３色のＬＥＤチップであり、上記他のＬＥＤチップと
は異なる層基板に搭載されたＬＥＤチップはＧ色ＬＥＤ
チップであり、上記各層基板に形成された電極パターン
はカソードパターンであり、発光側の層基板における発
光面には共通アノードパターンが設けられる一方,反発
光側の層基板における反発光面には上記Ｒ,Ｇ,Ｂ３色の
ＬＥＤチップ用のカソードパターンに接続された裏面パ
ターンが設けられている。
【００１９】順電圧Ｖfが高いことと、白色発光させる
場合の光度比が高くなることとからＧ色ＬＥＤチップの
発熱量が一番大きくなる。この実施例によれば、この発
熱量が大きいＧ色ＬＥＤチップをＲ,Ｂ色ＬＥＤチップ
とは異なる層基板に搭載している。そして、上記Ｒ,Ｇ,
Ｂ３色のＬＥＤチップを発光側の層基板における発光面
に設けられた共通アノードパターンにアノードコモンに
配線している。したがって、夫々の層基板の発光面に各
色のＬＥＤチップ用のカソードパターンが金属箔で形成
されることによって、各色のＬＥＤチップ用のカソード
パターンの独立配線と、発熱量が大きいＧ色ＬＥＤチッ
プ用のカソードパターンの大面積化とが実現される。
場合の光度比が高くなることとからＧ色ＬＥＤチップの
発熱量が一番大きくなる。この実施例によれば、この発
熱量が大きいＧ色ＬＥＤチップをＲ,Ｂ色ＬＥＤチップ
とは異なる層基板に搭載している。そして、上記Ｒ,Ｇ,
Ｂ３色のＬＥＤチップを発光側の層基板における発光面
に設けられた共通アノードパターンにアノードコモンに
配線している。したがって、夫々の層基板の発光面に各
色のＬＥＤチップ用のカソードパターンが金属箔で形成
されることによって、各色のＬＥＤチップ用のカソード
パターンの独立配線と、発熱量が大きいＧ色ＬＥＤチッ
プ用のカソードパターンの大面積化とが実現される。
【００２０】また、１実施例では、この発明のチップＬ
ＥＤにおいて、上記発光側の層基板における一側面両角
には発光面から反発光面に至る切欠きが設けられ,この
切欠きの内壁には上記共通アノードパターンに電気的に
接続された金属箔が形成されており、上記反発光側の層
基板における上記一側面中央には発光面から反発光面に
至る切欠きが設けられ,この切欠きの内壁には上記Ｇ色
ＬＥＤチップ用のカソードパターンと上記Ｇ色ＬＥＤチ
ップ用の裏面パターンとを電気的に接続する金属箔が形
成されている。
ＥＤにおいて、上記発光側の層基板における一側面両角
には発光面から反発光面に至る切欠きが設けられ,この
切欠きの内壁には上記共通アノードパターンに電気的に
接続された金属箔が形成されており、上記反発光側の層
基板における上記一側面中央には発光面から反発光面に
至る切欠きが設けられ,この切欠きの内壁には上記Ｇ色
ＬＥＤチップ用のカソードパターンと上記Ｇ色ＬＥＤチ
ップ用の裏面パターンとを電気的に接続する金属箔が形
成されている。
【００２１】この実施例によれば、実装時において、上
記基板を構成する反発光側の層基板における反発光面に
設けられた上記Ｒ,Ｇ,Ｂ３色のＬＥＤチップ用の裏面パ
ターンの夫々の一端がマウント面上の対応する実装パタ
ーンに接続され、発光側の層基板における一側面両角に
設けられて上記共通アノードパターンに電気的に接続さ
れた切欠きの金属箔の一端が上記マウント面上の対応す
る実装パターンに接続される。こうして、上記Ｒ,Ｇ,Ｂ
３色のＬＥＤチップの発光方向が上記マウント面に対し
て平行なサイド発光型として実装される。その際に、上
記実装パターンとの接続位置には、上記発光側の層基板
における一側面両角および反発光側の層基板における上
記一側面中央に設けられた切欠きが存在するため、半田
付けの際の放熱性が向上される。
記基板を構成する反発光側の層基板における反発光面に
設けられた上記Ｒ,Ｇ,Ｂ３色のＬＥＤチップ用の裏面パ
ターンの夫々の一端がマウント面上の対応する実装パタ
ーンに接続され、発光側の層基板における一側面両角に
設けられて上記共通アノードパターンに電気的に接続さ
れた切欠きの金属箔の一端が上記マウント面上の対応す
る実装パターンに接続される。こうして、上記Ｒ,Ｇ,Ｂ
３色のＬＥＤチップの発光方向が上記マウント面に対し
て平行なサイド発光型として実装される。その際に、上
記実装パターンとの接続位置には、上記発光側の層基板
における一側面両角および反発光側の層基板における上
記一側面中央に設けられた切欠きが存在するため、半田
付けの際の放熱性が向上される。
【００２２】さらに、形成時において、隣接する２つの
チップＬＥＤで共有されて分割後に上記反発光側の層基
板における上記一側面中央の切欠きとなるスルーホール
が、積層された上記発光側の層基板によって塞がれて、
樹脂封止時に、樹脂が上記スルーホールを通って反発光
側に漏れることが防止される。
チップＬＥＤで共有されて分割後に上記反発光側の層基
板における上記一側面中央の切欠きとなるスルーホール
が、積層された上記発光側の層基板によって塞がれて、
樹脂封止時に、樹脂が上記スルーホールを通って反発光
側に漏れることが防止される。
【００２３】また、１実施例では、この発明のチップＬ
ＥＤにおいて、上記２枚の層基板における一側面両角に
は発光側の層基板の発光面から反発光側の層基板の反発
光面に至る切欠きが設けられ,この切欠きの内壁には上
記共通アノードパターンに電気的に接続された金属箔が
形成されており、反発光側の層基板における上記一側面
中央には発光面から反発光面に至る切欠きが設けられ,
この切欠きの内壁には上記Ｇ色ＬＥＤチップ用のカソー
ドパターンと上記Ｇ色ＬＥＤチップ用の裏面パターンと
を電気的に接続する金属箔が形成されている。
ＥＤにおいて、上記２枚の層基板における一側面両角に
は発光側の層基板の発光面から反発光側の層基板の反発
光面に至る切欠きが設けられ,この切欠きの内壁には上
記共通アノードパターンに電気的に接続された金属箔が
形成されており、反発光側の層基板における上記一側面
中央には発光面から反発光面に至る切欠きが設けられ,
この切欠きの内壁には上記Ｇ色ＬＥＤチップ用のカソー
ドパターンと上記Ｇ色ＬＥＤチップ用の裏面パターンと
を電気的に接続する金属箔が形成されている。
【００２４】上記構成によれば、実装時において、上記
基板を構成する反発光側の層基板における反発光面に設
けられた上記Ｒ,Ｇ,Ｂ３色のＬＥＤチップ用の裏面パタ
ーンの夫々の表面が、マウント面上の対応する実装パタ
ーンに接続される。さらに、２枚の層基板における一側
面両角に設けられて上記共通アノードパターンに電気的
に接続された切欠きの金属箔における反発光側の一端
が、上記マウント面上の対応する実装パターンに接続さ
れる。こうして、上記Ｒ,Ｇ,Ｂ３色のＬＥＤチップの発
光方向が上記マウント面に対して垂直なトップ発光型と
して実装される。
基板を構成する反発光側の層基板における反発光面に設
けられた上記Ｒ,Ｇ,Ｂ３色のＬＥＤチップ用の裏面パタ
ーンの夫々の表面が、マウント面上の対応する実装パタ
ーンに接続される。さらに、２枚の層基板における一側
面両角に設けられて上記共通アノードパターンに電気的
に接続された切欠きの金属箔における反発光側の一端
が、上記マウント面上の対応する実装パターンに接続さ
れる。こうして、上記Ｒ,Ｇ,Ｂ３色のＬＥＤチップの発
光方向が上記マウント面に対して垂直なトップ発光型と
して実装される。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、この発明を図示の実施の形
態により詳細に説明する。図１は、本実施の形態のチッ
プＬＥＤにおける発光面(表面)側からの斜視図である。
図２は、図１に示すチップＬＥＤにおける反発光面(裏
面)側からの斜視図である。図３は、図１に示すチップ
ＬＥＤにおける側面図である。また、図４は、図２にお
けるＡ‐Ａ'矢視断面図である。また、図５は、図１の
状態からモールド樹脂２１を除去した状態を示す図であ
る。
態により詳細に説明する。図１は、本実施の形態のチッ
プＬＥＤにおける発光面(表面)側からの斜視図である。
図２は、図１に示すチップＬＥＤにおける反発光面(裏
面)側からの斜視図である。図３は、図１に示すチップ
ＬＥＤにおける側面図である。また、図４は、図２にお
けるＡ‐Ａ'矢視断面図である。また、図５は、図１の
状態からモールド樹脂２１を除去した状態を示す図であ
る。
【００２６】本実施の形態におけるチップＬＥＤは、
Ｒ,Ｇ,Ｂの３色のＬＥＤチップを実装したチップＬＥＤ
である。ここで、一般に、ＲにはＧaＡlＩnＰ系のＬＥ
Ｄチップが、Ｇ,ＢにはＩnＧaＮ系のＬＥＤチップが使
用される。ところが、ＩnＧaＮ系のＬＥＤチップは、順
電圧Ｖfが３.５Ｖ程度と高い。また、Ｒ,Ｇ,Ｂの混色に
よって白色発光させる場合には、光度比としてＲ:Ｇ:Ｂ
＝１:７:２程度必要となる。その結果、Ｇ色ＬＥＤチッ
プの発熱量が一番大きくなるのである。
Ｒ,Ｇ,Ｂの３色のＬＥＤチップを実装したチップＬＥＤ
である。ここで、一般に、ＲにはＧaＡlＩnＰ系のＬＥ
Ｄチップが、Ｇ,ＢにはＩnＧaＮ系のＬＥＤチップが使
用される。ところが、ＩnＧaＮ系のＬＥＤチップは、順
電圧Ｖfが３.５Ｖ程度と高い。また、Ｒ,Ｇ,Ｂの混色に
よって白色発光させる場合には、光度比としてＲ:Ｇ:Ｂ
＝１:７:２程度必要となる。その結果、Ｇ色ＬＥＤチッ
プの発熱量が一番大きくなるのである。
【００２７】図１〜図４において、溝２を有して概略Ｕ
字形を成す第１層基板１と、この第１層基板１が積層さ
れる第２層基板３とで、基板を構成している。そして、
第１層基板１において、溝２を挟んで両側に延びる腕部
にはＲ,Ｂ２色のＬＥＤチップ４,５が搭載される。一
方、Ｇ色ＬＥＤチップ６は、第２層基板３における第１
層基板１の腕部の間に搭載されている。
字形を成す第１層基板１と、この第１層基板１が積層さ
れる第２層基板３とで、基板を構成している。そして、
第１層基板１において、溝２を挟んで両側に延びる腕部
にはＲ,Ｂ２色のＬＥＤチップ４,５が搭載される。一
方、Ｇ色ＬＥＤチップ６は、第２層基板３における第１
層基板１の腕部の間に搭載されている。
【００２８】ここで、一般に、駆動系の利便さによって
アノードコモンが要求されるため、Ｒ,Ｇ,Ｂ各色のＬＥ
Ｄチップ４,６,５のアノードラインは共通に、カソード
ラインは各ＬＥＤチップ４,６,５毎に独立させる必要が
ある。そこで、第１層基板１にＮＣ(数値制御)法等によ
って溝２を加工して、Ｒ,Ｂ色ＬＥＤチップ４,５のダイ
エリアが形成されている。さらに、第１層基板１におけ
る反溝２側の基部２２には、図５に示すように、全ＬＥ
Ｄチップ４,５,６に共通のＣu箔でなるアノードパター
ン１０が形成される。そして、第１層基板１は、第２層
基板３と積層されて接着されるのである。
アノードコモンが要求されるため、Ｒ,Ｇ,Ｂ各色のＬＥ
Ｄチップ４,６,５のアノードラインは共通に、カソード
ラインは各ＬＥＤチップ４,６,５毎に独立させる必要が
ある。そこで、第１層基板１にＮＣ(数値制御)法等によ
って溝２を加工して、Ｒ,Ｂ色ＬＥＤチップ４,５のダイ
エリアが形成されている。さらに、第１層基板１におけ
る反溝２側の基部２２には、図５に示すように、全ＬＥ
Ｄチップ４,５,６に共通のＣu箔でなるアノードパター
ン１０が形成される。そして、第１層基板１は、第２層
基板３と積層されて接着されるのである。
【００２９】上記第１層基板１と第２層基板３との積層
構造において、第１層基板１の溝２内における第２層基
板３上には、発熱量の大きなＧ色ＬＥＤチップ６が実装
される。そして、そのダイボンド部のカソードパターン
(Ｃu箔７)は、第１層基板１におけるＲ,Ｂ色ＬＥＤチッ
プ４,５用のダイボンド部のカソードパターン(Ｃu箔８,
９)と、第１層基板１によって分離されている。こうす
るにとによって、第２層基板３の表面に設けられるＧ色
ＬＥＤチップ６用のＣu箔７を、第１層基板１の表面に
設けられるＲ,Ｂ色ＬＥＤチップ４,５用のＣu箔８,９よ
りも広い面積に形成することが可能になる。また、Ｇ色
ＬＥＤチップ６用のＣu箔７の厚さをＲ,Ｂ色ＬＥＤチッ
プ４,５用のＣu箔８,９の厚さよりも厚く(３５μm〜７
０μm)形成することが可能になる。
構造において、第１層基板１の溝２内における第２層基
板３上には、発熱量の大きなＧ色ＬＥＤチップ６が実装
される。そして、そのダイボンド部のカソードパターン
(Ｃu箔７)は、第１層基板１におけるＲ,Ｂ色ＬＥＤチッ
プ４,５用のダイボンド部のカソードパターン(Ｃu箔８,
９)と、第１層基板１によって分離されている。こうす
るにとによって、第２層基板３の表面に設けられるＧ色
ＬＥＤチップ６用のＣu箔７を、第１層基板１の表面に
設けられるＲ,Ｂ色ＬＥＤチップ４,５用のＣu箔８,９よ
りも広い面積に形成することが可能になる。また、Ｇ色
ＬＥＤチップ６用のＣu箔７の厚さをＲ,Ｂ色ＬＥＤチッ
プ４,５用のＣu箔８,９の厚さよりも厚く(３５μm〜７
０μm)形成することが可能になる。
【００３０】したがって、上記第２層基板３に実装され
る発熱量の大きなＧ色ＬＥＤチップ６の放熱性を向上で
きるのである。それと共に、第１層基板１における腕部
によって所謂カップ構造が形成されるため、Ｇ色ＬＥＤ
チップ６の発光効率を向上できるのである。
る発熱量の大きなＧ色ＬＥＤチップ６の放熱性を向上で
きるのである。それと共に、第１層基板１における腕部
によって所謂カップ構造が形成されるため、Ｇ色ＬＥＤ
チップ６の発光効率を向上できるのである。
【００３１】実装用の端子への接続は、アノードコモン
ラインを第１層基板１の１/４スルーホール１１を介し
て構成することによって行う。すなわち、上記第１層基
板１の上記腕部に設けられたカソードパターン８上にＲ
色ＬＥＤチップ４が搭載されて、アノードパターン１０
とアノード端子とがＡuワイヤ１２で接続される。同様
に、カソードパターン９上にＢ色ＬＥＤチップ５が搭載
されて、アノードパターン１０とアノード端子とがＡu
ワイヤ１３で接続される。一方、第２層基板３に設けら
れたカソードパターン７上にＧ色ＬＥＤチップ６が搭載
されて、アノードパターン１０とアノード端子とがＡu
ワイヤ１４で接続される。ここで、アノードパターン１
０の両端部は、図５に示すように、第１層基板１の図中
下側の側面両角に設けられた上記切欠きとしての１/４
スルーホール１１,１１の内壁面にまで延在している。
ラインを第１層基板１の１/４スルーホール１１を介し
て構成することによって行う。すなわち、上記第１層基
板１の上記腕部に設けられたカソードパターン８上にＲ
色ＬＥＤチップ４が搭載されて、アノードパターン１０
とアノード端子とがＡuワイヤ１２で接続される。同様
に、カソードパターン９上にＢ色ＬＥＤチップ５が搭載
されて、アノードパターン１０とアノード端子とがＡu
ワイヤ１３で接続される。一方、第２層基板３に設けら
れたカソードパターン７上にＧ色ＬＥＤチップ６が搭載
されて、アノードパターン１０とアノード端子とがＡu
ワイヤ１４で接続される。ここで、アノードパターン１
０の両端部は、図５に示すように、第１層基板１の図中
下側の側面両角に設けられた上記切欠きとしての１/４
スルーホール１１,１１の内壁面にまで延在している。
【００３２】こうして、上記各ＬＥＤチップ４,５,６の
アノード端子‐Ａuワイヤ１２,１３,１４‐アノードパ
ターン１０‐１/４スルーホール１１を経由するアノー
ドコモンラインが構成されるのである。尚、１/４スル
ーホール１１は、チップＬＥＤ形成時において、第１層
基板１の基板材に穿たれた１つの円形断面のスルーホー
ルを互いに隣接する４個のチップＬＥＤで共有してお
り、チップＬＥＤが完成した後に個々のチップＬＥＤに
ダイシングで分割することによって形成される。
アノード端子‐Ａuワイヤ１２,１３,１４‐アノードパ
ターン１０‐１/４スルーホール１１を経由するアノー
ドコモンラインが構成されるのである。尚、１/４スル
ーホール１１は、チップＬＥＤ形成時において、第１層
基板１の基板材に穿たれた１つの円形断面のスルーホー
ルを互いに隣接する４個のチップＬＥＤで共有してお
り、チップＬＥＤが完成した後に個々のチップＬＥＤに
ダイシングで分割することによって形成される。
【００３３】一方、上記第１層基板１のカソードパター
ン８上に搭載されたＲ色ＬＥＤチップ４のカソード端子
がカソードパターン８に接続される。そして、カソード
パターン８の図中上端角部は、第１層基板１および第２
層基板３の図中上側の側面角に共通に設けられた１/４
スルーホール１５の内壁面にまで延在している。さら
に、１/４スルーホール１５の内壁面には、第２層基板
３の裏面(ＬＥＤチップ非搭載面)におけるＲ色ＬＥＤチ
ップ４搭載側に設けられたＣu箔で成る第１裏面パター
ン１６が接続されている。こうして、Ｒ色ＬＥＤチップ
４のカソード端子‐カソードパターン８‐１/４スルー
ホール１５‐第１裏面パターン１６を経由する第１カソ
ードラインが構成されるのである。尚、１/４スルーホ
ール１５は、チップＬＥＤ形成時において、第１層基板
１および第２層基板３夫々の基板材に共通に穿たれた１
つの円形断面のスルーホールを互いに隣接する４個のチ
ップＬＥＤで共有しており、チップＬＥＤが完成した後
に個々のチップＬＥＤにダイシングで分割することによ
って形成される。
ン８上に搭載されたＲ色ＬＥＤチップ４のカソード端子
がカソードパターン８に接続される。そして、カソード
パターン８の図中上端角部は、第１層基板１および第２
層基板３の図中上側の側面角に共通に設けられた１/４
スルーホール１５の内壁面にまで延在している。さら
に、１/４スルーホール１５の内壁面には、第２層基板
３の裏面(ＬＥＤチップ非搭載面)におけるＲ色ＬＥＤチ
ップ４搭載側に設けられたＣu箔で成る第１裏面パター
ン１６が接続されている。こうして、Ｒ色ＬＥＤチップ
４のカソード端子‐カソードパターン８‐１/４スルー
ホール１５‐第１裏面パターン１６を経由する第１カソ
ードラインが構成されるのである。尚、１/４スルーホ
ール１５は、チップＬＥＤ形成時において、第１層基板
１および第２層基板３夫々の基板材に共通に穿たれた１
つの円形断面のスルーホールを互いに隣接する４個のチ
ップＬＥＤで共有しており、チップＬＥＤが完成した後
に個々のチップＬＥＤにダイシングで分割することによ
って形成される。
【００３４】また、上記第１層基板１のカソードパター
ン９上に搭載されたＢ色ＬＥＤチップ５のカソード端子
がカソードパターン９に接続される。そして、カソード
パターン９の図中上端角部は、第１層基板１および第２
層基板３の図中上側の側面角に共通に設けられた１/４
スルーホール１７の内壁面にまで延在している。さら
に、１/４スルーホール１７の内壁面には、第２層基板
３の上記裏面におけるＢ色ＬＥＤチップ５搭載側に設け
られたＣu箔で成る第２裏面パターン１８が接続されて
いる。こうして、Ｂ色ＬＥＤチップ５のカソード端子‐
カソードパターン９‐１/４スルーホール１７‐第２裏
面パターン１８を経由する第２カソードラインが構成さ
れるのである。
ン９上に搭載されたＢ色ＬＥＤチップ５のカソード端子
がカソードパターン９に接続される。そして、カソード
パターン９の図中上端角部は、第１層基板１および第２
層基板３の図中上側の側面角に共通に設けられた１/４
スルーホール１７の内壁面にまで延在している。さら
に、１/４スルーホール１７の内壁面には、第２層基板
３の上記裏面におけるＢ色ＬＥＤチップ５搭載側に設け
られたＣu箔で成る第２裏面パターン１８が接続されて
いる。こうして、Ｂ色ＬＥＤチップ５のカソード端子‐
カソードパターン９‐１/４スルーホール１７‐第２裏
面パターン１８を経由する第２カソードラインが構成さ
れるのである。
【００３５】また、上記第２層基板３のカソードパター
ン７上に搭載されたＧ色ＬＥＤチップ６のカソード端子
が、カソードパターン７に接続される。そして、カソー
ドパターン７の図中下端中央部は、第２層基板３の図中
下側の側面中央に設けられた上記切欠きとしての１/２
スルーホール１９の内壁面にまで延在している。さら
に、１/２スルーホール１９の内壁面には、第２層基板
３の上記裏面における中間部に設けられたＣu箔で成る
第３裏面パターン２０が接続されている。こうして、Ｇ
色ＬＥＤチップ６のカソード端子‐カソードパターン７
‐１/２スルーホール１９‐第３裏面パターン２０を経
由する第３カソードラインが構成されるのである。尚、
１/２スルーホール１９は、チップＬＥＤ形成時におい
て、第２層基板３の基板材に穿たれた１つの円形断面の
スルーホールを互いに隣接する２個のチップＬＥＤで共
有しており、チップＬＥＤが完成した後に個々のチップ
ＬＥＤにダイシングで分割することによって形成され
る。
ン７上に搭載されたＧ色ＬＥＤチップ６のカソード端子
が、カソードパターン７に接続される。そして、カソー
ドパターン７の図中下端中央部は、第２層基板３の図中
下側の側面中央に設けられた上記切欠きとしての１/２
スルーホール１９の内壁面にまで延在している。さら
に、１/２スルーホール１９の内壁面には、第２層基板
３の上記裏面における中間部に設けられたＣu箔で成る
第３裏面パターン２０が接続されている。こうして、Ｇ
色ＬＥＤチップ６のカソード端子‐カソードパターン７
‐１/２スルーホール１９‐第３裏面パターン２０を経
由する第３カソードラインが構成されるのである。尚、
１/２スルーホール１９は、チップＬＥＤ形成時におい
て、第２層基板３の基板材に穿たれた１つの円形断面の
スルーホールを互いに隣接する２個のチップＬＥＤで共
有しており、チップＬＥＤが完成した後に個々のチップ
ＬＥＤにダイシングで分割することによって形成され
る。
【００３６】上述のごとく、上記１/４スルーホール１
１,１５,１７を１/４分周の穴で構成する一方、１/２ス
ルーホール１９を１/２分周の穴で構成することによっ
て、完全な１つの穴で構成する場合に比して形成すべき
スルーホールの数を減らすことができ、コストダウンを
図ることができるのである。
１,１５,１７を１/４分周の穴で構成する一方、１/２ス
ルーホール１９を１/２分周の穴で構成することによっ
て、完全な１つの穴で構成する場合に比して形成すべき
スルーホールの数を減らすことができ、コストダウンを
図ることができるのである。
【００３７】上述のようにしてＲ,Ｇ,Ｂ各色のＬＥＤチ
ップ４,６,５が搭載された第１層基板１および第２層基
板３の表面(ＬＥＤチップ搭載面)は、モールド樹脂２１
によって封止されている。
ップ４,６,５が搭載された第１層基板１および第２層基
板３の表面(ＬＥＤチップ搭載面)は、モールド樹脂２１
によって封止されている。
【００３８】ここで、図４に示すように、上記第２層基
板３の下端中央部に設けられた１/２スルーホール１９
の位置には、第１層基板１におけるアノードパターン１
０が設けられた基部２２が位置している。つまり、チッ
プＬＥＤ形成時において、隣接する２個のチップＬＥＤ
で共有される１つのスルーホールは、上記隣接する２個
のチップＬＥＤにおける第１層基板１の基板材によって
塞がれることになる。したがって、第１層基板１および
第２層基板３の積層体の表面にモールド樹脂２１が充填
された場合に、１/２スルーホール１９となるスルーホ
ールを通って樹脂が第２層基板３の裏面側に漏れること
はない。したがって、上記スルーホールをＣu箔やレジ
ストやシートで塞ぐ工程や材料が不要となり、工程の短
縮とコストダウンとを図ることができるのである。
板３の下端中央部に設けられた１/２スルーホール１９
の位置には、第１層基板１におけるアノードパターン１
０が設けられた基部２２が位置している。つまり、チッ
プＬＥＤ形成時において、隣接する２個のチップＬＥＤ
で共有される１つのスルーホールは、上記隣接する２個
のチップＬＥＤにおける第１層基板１の基板材によって
塞がれることになる。したがって、第１層基板１および
第２層基板３の積層体の表面にモールド樹脂２１が充填
された場合に、１/２スルーホール１９となるスルーホ
ールを通って樹脂が第２層基板３の裏面側に漏れること
はない。したがって、上記スルーホールをＣu箔やレジ
ストやシートで塞ぐ工程や材料が不要となり、工程の短
縮とコストダウンとを図ることができるのである。
【００３９】図６は、上記第１層基板１と第２層基板３
との積層過程の説明図である。図６(a)は、第１層基板
１の基板材１'を示し、１つのチップＬＥＤに相当する
部分を実線で示している。同様に、図６(b)は、第２層
基板３の基板材３'を示し、１つのチップＬＥＤに相当
する部分を実線で示している。
との積層過程の説明図である。図６(a)は、第１層基板
１の基板材１'を示し、１つのチップＬＥＤに相当する
部分を実線で示している。同様に、図６(b)は、第２層
基板３の基板材３'を示し、１つのチップＬＥＤに相当
する部分を実線で示している。
【００４０】図６(a)において、上記各チップＬＥＤへ
の分割線の交差位置には、１行置きに交差点を中心とす
る断面円形のスルーホール１１'が穿たれている。さら
に、スルーホール１１'が穿たれていない一方向への分
割線２６上には、上記一方向に直交する他方向への分割
線２７との交差位置の中間部に、分割線２６を挟んで互
いに隣接する２つのチップＬＥＤの溝２を構成する矩形
の穴２'が形成されている。そして、矩形の穴２'の上記
一方向への両側には、分割後にカソードパターン８,９
となるＣu箔８',９'が形成されている。また、スルーホ
ール１１'が穿たれている分割線２５上には、分割線２
５を挟んで互いに隣接する２つのチップＬＥＤのアノー
ドパターン１０となるＣu箔１０'が形成されている。さ
らに、スルーホール１１'の内壁にもＣu箔が形成されて
おり、Ｃu箔１０'に接続されている。
の分割線の交差位置には、１行置きに交差点を中心とす
る断面円形のスルーホール１１'が穿たれている。さら
に、スルーホール１１'が穿たれていない一方向への分
割線２６上には、上記一方向に直交する他方向への分割
線２７との交差位置の中間部に、分割線２６を挟んで互
いに隣接する２つのチップＬＥＤの溝２を構成する矩形
の穴２'が形成されている。そして、矩形の穴２'の上記
一方向への両側には、分割後にカソードパターン８,９
となるＣu箔８',９'が形成されている。また、スルーホ
ール１１'が穿たれている分割線２５上には、分割線２
５を挟んで互いに隣接する２つのチップＬＥＤのアノー
ドパターン１０となるＣu箔１０'が形成されている。さ
らに、スルーホール１１'の内壁にもＣu箔が形成されて
おり、Ｃu箔１０'に接続されている。
【００４１】また、図６(b)において、上記一方向への
分割線の１行置きに、上記他方向への分割線３０との交
差位置の中間部に、分割線２８に中心を有する断面円形
のスルーホール１９'が穿たれている。そして、分割線
３０を中心とする所定幅の領域を除いて、分割後にカソ
ードパターン７となるＣu箔７'が形成されている。さら
に、スルーホール１９'の内壁にもＣu箔が形成されてお
り、Ｃu箔７'に接続されている。また、裏面には、分割
後に第１,第２,第３裏面パターン１６,１８,２０となる
Ｃu箔(図示せず)が形成されている。
分割線の１行置きに、上記他方向への分割線３０との交
差位置の中間部に、分割線２８に中心を有する断面円形
のスルーホール１９'が穿たれている。そして、分割線
３０を中心とする所定幅の領域を除いて、分割後にカソ
ードパターン７となるＣu箔７'が形成されている。さら
に、スルーホール１９'の内壁にもＣu箔が形成されてお
り、Ｃu箔７'に接続されている。また、裏面には、分割
後に第１,第２,第３裏面パターン１６,１８,２０となる
Ｃu箔(図示せず)が形成されている。
【００４２】このように、上記カソードパターン８,９
となるＣu箔８',９'とカソードパターン７となるＣu箔
７'とを、第１層基板１と第２層基板３との異なる層に
形成することによって、カソードパターン７をカソード
パターン８,９に対して、面積を広く且つ厚みを厚く形
成して放熱性を向上させることが可能になるのである。
となるＣu箔８',９'とカソードパターン７となるＣu箔
７'とを、第１層基板１と第２層基板３との異なる層に
形成することによって、カソードパターン７をカソード
パターン８,９に対して、面積を広く且つ厚みを厚く形
成して放熱性を向上させることが可能になるのである。
【００４３】図６(a)に示す上記第１層基板１の基板材
１'と、図６(b)に示す第２層基板３の基板材３'とを、
分割線２５と分割線２８及び分割線２７と分割線３０が
重なるように積層して接着する。そうした後、１行置き
の分割線２６(２９)と分割線２７(３０)との交差位置に
基板材１'と基板材３'とを貫通して後に１/４スルーホ
ール１５,１７となるスルーホール(図示せず)を穿ち、
このスルーホールの内壁にＣu箔を施して、Ｃu箔８',
９'と第１,第２裏面パターン１６,１８とを電気的に接
続する。そして、上述したように、Ｒ,Ｂ色ＬＥＤチッ
プ４,５およびＧ色ＬＥＤチップ６を搭載し、Ａuワイヤ
１２,１３,１４によって接続し、モールド樹脂２１によ
って封止するのである。
１'と、図６(b)に示す第２層基板３の基板材３'とを、
分割線２５と分割線２８及び分割線２７と分割線３０が
重なるように積層して接着する。そうした後、１行置き
の分割線２６(２９)と分割線２７(３０)との交差位置に
基板材１'と基板材３'とを貫通して後に１/４スルーホ
ール１５,１７となるスルーホール(図示せず)を穿ち、
このスルーホールの内壁にＣu箔を施して、Ｃu箔８',
９'と第１,第２裏面パターン１６,１８とを電気的に接
続する。そして、上述したように、Ｒ,Ｂ色ＬＥＤチッ
プ４,５およびＧ色ＬＥＤチップ６を搭載し、Ａuワイヤ
１２,１３,１４によって接続し、モールド樹脂２１によ
って封止するのである。
【００４４】その場合、上記スルーホール１９'は、第
１層基板１によって塞がれている。したがって、上述し
たように、スルーホール１９'を通って樹脂が第２層基
板３の裏面側に漏れることが防止される。したがって、
スルーホール１９'をＣu箔やレジストやシートで塞ぐ必
要がなくなるのである。
１層基板１によって塞がれている。したがって、上述し
たように、スルーホール１９'を通って樹脂が第２層基
板３の裏面側に漏れることが防止される。したがって、
スルーホール１９'をＣu箔やレジストやシートで塞ぐ必
要がなくなるのである。
【００４５】そうした後、上記各分割線２５,２６,２
７,２８,２９,３０で分割することによって、図６(c)に
示すような第１層基板１と第２層基板３との積層構造体
が得られる。但し、図６(c)においては、各Ｒ,ＢＬＥＤ
チップ４,５,６、Ａuワイヤ１２,１３,１４、モールド
樹脂２１は、省略している。
７,２８,２９,３０で分割することによって、図６(c)に
示すような第１層基板１と第２層基板３との積層構造体
が得られる。但し、図６(c)においては、各Ｒ,ＢＬＥＤ
チップ４,５,６、Ａuワイヤ１２,１３,１４、モールド
樹脂２１は、省略している。
【００４６】上述のように構成されたチップＬＥＤは、
マウント面に実装される場合には、図７に示すように、
実装パターン３１,３１には１/４スルーホール１１,１
１の図中下端を当接させ、実装パターン３２には第１裏
面パターン１６の図中下端を当接させ、実装パターン３
３には第２裏面パターン１８の図中下端を当接させ、実
装パターン３４には１/２スルーホール１９および第３
裏面パターン２０の図中下端を当接させて、半田付け等
によって接続される。
マウント面に実装される場合には、図７に示すように、
実装パターン３１,３１には１/４スルーホール１１,１
１の図中下端を当接させ、実装パターン３２には第１裏
面パターン１６の図中下端を当接させ、実装パターン３
３には第２裏面パターン１８の図中下端を当接させ、実
装パターン３４には１/２スルーホール１９および第３
裏面パターン２０の図中下端を当接させて、半田付け等
によって接続される。
【００４７】その場合、上記実装パターン３１,３１に
１/４スルーホール１１,１１が位置し、実装パターン３
４に１/２スルーホール１９が位置することによって、
半田付けの際の放熱特性を向上することができる。ま
た、基板を構成する第１層基板１を実装パターン３１に
固定し、第２層基板３を実装パターン３２〜３４に固定
することによって、上記基板の表面側と裏面側とを固定
することができ、従来のごとく基板の一側のみを固定す
る場合のごとく他側がマウント面から浮き上がることを
防止できる。したがって、チップＬＥＤの位置決めに効
果を奏することができるのである。
１/４スルーホール１１,１１が位置し、実装パターン３
４に１/２スルーホール１９が位置することによって、
半田付けの際の放熱特性を向上することができる。ま
た、基板を構成する第１層基板１を実装パターン３１に
固定し、第２層基板３を実装パターン３２〜３４に固定
することによって、上記基板の表面側と裏面側とを固定
することができ、従来のごとく基板の一側のみを固定す
る場合のごとく他側がマウント面から浮き上がることを
防止できる。したがって、チップＬＥＤの位置決めに効
果を奏することができるのである。
【００４８】上述したように、本実施の形態において
は、上記Ｒ,Ｇ,Ｂ各色のＬＥＤチップ４,６,５が搭載さ
れる基板を、両腕部を有して略Ｕ字形を成す第１層基板
１と第２層基板３との二層構造に成している。そして、
発熱量の少ないＲ,Ｂ色ＬＥＤチップ４,５用のカソード
パターン８,９を第１層基板１の腕部に設け、発熱量の
多いＧ色ＬＥＤチップ６用のカソードパターン７を第２
層基板３の略全面に渡って設けている。このように、発
熱量の少ないＬＥＤチップ用のカソードパターンと発熱
量の多いＬＥＤチップ用のカソードパターンとを異なる
層の基板に設けることによって、発熱量の多いＬＥＤチ
ップ用のカソードパターンの面積を広く且つ厚みを厚く
して、放熱性を向上することができるのである。その際
に、発熱量の少ないＬＥＤチップ用の面積の小さいカソ
ードパターンを、面積の広い発熱量の多いＬＥＤチップ
用のカソードパターンの上に重ねて配置している。した
がって、発熱量の多いＬＥＤチップ用のカソードパター
ンの面積を広くして放熱性を向上させ且つアノードコモ
ン配線を行う場合でも、Ｒ,Ｇ,Ｂ各色のＬＥＤチップ
４,６,５の搭載ピッチを小さくして、表示品位が低下し
ないようにできるのである。
は、上記Ｒ,Ｇ,Ｂ各色のＬＥＤチップ４,６,５が搭載さ
れる基板を、両腕部を有して略Ｕ字形を成す第１層基板
１と第２層基板３との二層構造に成している。そして、
発熱量の少ないＲ,Ｂ色ＬＥＤチップ４,５用のカソード
パターン８,９を第１層基板１の腕部に設け、発熱量の
多いＧ色ＬＥＤチップ６用のカソードパターン７を第２
層基板３の略全面に渡って設けている。このように、発
熱量の少ないＬＥＤチップ用のカソードパターンと発熱
量の多いＬＥＤチップ用のカソードパターンとを異なる
層の基板に設けることによって、発熱量の多いＬＥＤチ
ップ用のカソードパターンの面積を広く且つ厚みを厚く
して、放熱性を向上することができるのである。その際
に、発熱量の少ないＬＥＤチップ用の面積の小さいカソ
ードパターンを、面積の広い発熱量の多いＬＥＤチップ
用のカソードパターンの上に重ねて配置している。した
がって、発熱量の多いＬＥＤチップ用のカソードパター
ンの面積を広くして放熱性を向上させ且つアノードコモ
ン配線を行う場合でも、Ｒ,Ｇ,Ｂ各色のＬＥＤチップ
４,６,５の搭載ピッチを小さくして、表示品位が低下し
ないようにできるのである。
【００４９】また、上記第２層基板３に搭載されるＧ色
ＬＥＤチップ６を、第２層基板３上に積層された第１層
基板１の両腕の内側に配置している。したがって、第１
層基板１の腕部によって形成された所謂カップ構造のた
めに、Ｇ色ＬＥＤチップ６の発光効率を向上できる。
ＬＥＤチップ６を、第２層基板３上に積層された第１層
基板１の両腕の内側に配置している。したがって、第１
層基板１の腕部によって形成された所謂カップ構造のた
めに、Ｇ色ＬＥＤチップ６の発光効率を向上できる。
【００５０】また、上記Ｇ色ＬＥＤチップ６のカソード
端子を第２層基板３の発光面側に設けたカソードパター
ン７に接続し、このカソードパターン７の下端部を第２
層基板３の下端中央部に設けられた１/２スルーホール
１９を介して、第２層基板３の上記裏面に設けられた第
３裏面パターン２０に接続している。そして、チップＬ
ＥＤ形成時においては、積層される第１層基板１の基板
材１'によって、後に１/２スルーホール１９となるスル
ーホール１９'は塞がれている。したがって、モールド
樹脂２１によって封止する際に、樹脂がスルーホール１
９'を通って第２層基板３の裏面側に漏れることを防止
できる。すなわち、従来のごとく、スルーホール１９'
を銅箔やレジストやシートで塞ぐ必要がなく、工程の短
縮とコストダウンとを図ることができるのである。
端子を第２層基板３の発光面側に設けたカソードパター
ン７に接続し、このカソードパターン７の下端部を第２
層基板３の下端中央部に設けられた１/２スルーホール
１９を介して、第２層基板３の上記裏面に設けられた第
３裏面パターン２０に接続している。そして、チップＬ
ＥＤ形成時においては、積層される第１層基板１の基板
材１'によって、後に１/２スルーホール１９となるスル
ーホール１９'は塞がれている。したがって、モールド
樹脂２１によって封止する際に、樹脂がスルーホール１
９'を通って第２層基板３の裏面側に漏れることを防止
できる。すなわち、従来のごとく、スルーホール１９'
を銅箔やレジストやシートで塞ぐ必要がなく、工程の短
縮とコストダウンとを図ることができるのである。
【００５１】さらには、本チップＬＥＤをマウント面に
実装する場合には、第１層基板１を実装パターン３１に
接続し、第２層基板３を実装パターン３２〜３３に接続
するようにしている。したがって、基板の一側のみをマ
ウント面に実装する場合に比して、半田付け時の位置ず
れを防止することができる。また、実装パターン３４の
位置に１/２スルーホール１９が存在し、実装パターン
３１の位置に１/４スルーホール１１が存在するため、
夫々の実装パターン３１,３４に対応する１/４,１/２ス
ルーホール１１,１９のＣu箔を半田付けする場合の放熱
特性を向上できる。
実装する場合には、第１層基板１を実装パターン３１に
接続し、第２層基板３を実装パターン３２〜３３に接続
するようにしている。したがって、基板の一側のみをマ
ウント面に実装する場合に比して、半田付け時の位置ず
れを防止することができる。また、実装パターン３４の
位置に１/２スルーホール１９が存在し、実装パターン
３１の位置に１/４スルーホール１１が存在するため、
夫々の実装パターン３１,３４に対応する１/４,１/２ス
ルーホール１１,１９のＣu箔を半田付けする場合の放熱
特性を向上できる。
【００５２】尚、上記実施の形態においては、上記第１
層基板１に対するＲ,Ｂ色ＬＥＤチップ４,５の搭載位置
および第２層基板３に対するＧ色ＬＥＤチップ６の搭載
位置は、図１に示す位置に限定するものではない。ま
た、カソードパターン７〜９およびアノードパターン１
０の形状は、上記各実施の形態に限定されるものではな
い。また、第１層基板１と第２層基板３との積層順番が
逆転しても同様の効果が得られることは勿論であり、各
ＬＥＤチップ４,５,６毎に基板層を分けることも可能で
ある。
層基板１に対するＲ,Ｂ色ＬＥＤチップ４,５の搭載位置
および第２層基板３に対するＧ色ＬＥＤチップ６の搭載
位置は、図１に示す位置に限定するものではない。ま
た、カソードパターン７〜９およびアノードパターン１
０の形状は、上記各実施の形態に限定されるものではな
い。また、第１層基板１と第２層基板３との積層順番が
逆転しても同様の効果が得られることは勿論であり、各
ＬＥＤチップ４,５,６毎に基板層を分けることも可能で
ある。
【００５３】また、上記搭載されるＬＥＤチップの色は
Ｒ,Ｇ,Ｂに限定するものではなく、その数も３個に限定
するものではない。また、積層される層基板の数も２や
３に限定されるものではない。
Ｒ,Ｇ,Ｂに限定するものではなく、その数も３個に限定
するものではない。また、積層される層基板の数も２や
３に限定されるものではない。
【００５４】ところで、本実施の形態においては、以下
のような変形例も可能である。すなわち、図８に示すよ
うに、第１層基板４１におけるアノードパターン(図示
せず：図５参照)を実装パターンに接続するための１/４
スルーホール４３を、第１層基板４１と第２層基板４２
との図中下側の側面両角に共通に設けてもよい。その場
合には、図９に示すように、上面発光型(トップ発光型)
のチップＬＥＤとして使用することが可能になるのであ
る。図９において、上記アノードパターンに接続された
１/４スルーホール４３,４３のＣu箔は、第２層基板３
の裏面側の端部において実装パターン４４,４４に接続
されている。尚、４５はＲ色ＬＥＤチップ４８用の実装
パターンであり、４６はＢ色ＬＥＤチップ４９用の実装
パターンであり、４７はＧ色ＬＥＤチップ５０用の実装
パターンである。
のような変形例も可能である。すなわち、図８に示すよ
うに、第１層基板４１におけるアノードパターン(図示
せず：図５参照)を実装パターンに接続するための１/４
スルーホール４３を、第１層基板４１と第２層基板４２
との図中下側の側面両角に共通に設けてもよい。その場
合には、図９に示すように、上面発光型(トップ発光型)
のチップＬＥＤとして使用することが可能になるのであ
る。図９において、上記アノードパターンに接続された
１/４スルーホール４３,４３のＣu箔は、第２層基板３
の裏面側の端部において実装パターン４４,４４に接続
されている。尚、４５はＲ色ＬＥＤチップ４８用の実装
パターンであり、４６はＢ色ＬＥＤチップ４９用の実装
パターンであり、４７はＧ色ＬＥＤチップ５０用の実装
パターンである。
【００５５】また、図１〜図５に示す第１層基板１にお
いては、図中上端中央部に溝２を設けることによって、
発熱量の少ないＲ,Ｂ色ＬＥＤチップ４,５の搭載領域の
確保と、Ｇ色ＬＥＤチップ６の発光効率を向上させるた
めのカップ構造の形成を行うようにしている。上述の機
能は、図１０に示すように、第１層基板５１の略中央部
に穴５２を設けることによっても達成できる。つまり、
穴５２の両側に発熱量の少ないＲ,Ｂ色ＬＥＤチップ用
のカソードパターン５３,５４を設け、第２層基板に搭
載されるＧ色ＬＥＤチップを第１層基板５１の穴５２内
に配置するのである。尚、５５はアノードパターンであ
る。
いては、図中上端中央部に溝２を設けることによって、
発熱量の少ないＲ,Ｂ色ＬＥＤチップ４,５の搭載領域の
確保と、Ｇ色ＬＥＤチップ６の発光効率を向上させるた
めのカップ構造の形成を行うようにしている。上述の機
能は、図１０に示すように、第１層基板５１の略中央部
に穴５２を設けることによっても達成できる。つまり、
穴５２の両側に発熱量の少ないＲ,Ｂ色ＬＥＤチップ用
のカソードパターン５３,５４を設け、第２層基板に搭
載されるＧ色ＬＥＤチップを第１層基板５１の穴５２内
に配置するのである。尚、５５はアノードパターンであ
る。
【００５６】上記実施の形態においては、上記金属箔お
よび各種電極パターンとしてＣu箔を用いているが、こ
の発明はＣuに限定されるものではない。
よび各種電極パターンとしてＣu箔を用いているが、こ
の発明はＣuに限定されるものではない。
【００５７】
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明のチ
ップＬＥＤは、基板を複数の層基板が積層された多層構
造に成し、複数搭載されたＬＥＤチップのうちの少なく
とも１つを他とは異なる層基板に搭載したので、各層基
板に設けられる電極パターンの面積や厚みを異なるよう
にできる。したがって、発熱量の大きいＬＥＤチップを
上記他とは異なる層基板に搭載する場合には、この層基
板に設けられる電極パターンの面積や厚みを他の層基板
の電極パターンよりも大きくすることによって、上記発
熱量の大きいＬＥＤチップの放熱性を向上して、熱抵抗
の低減を図ることができるのである。
ップＬＥＤは、基板を複数の層基板が積層された多層構
造に成し、複数搭載されたＬＥＤチップのうちの少なく
とも１つを他とは異なる層基板に搭載したので、各層基
板に設けられる電極パターンの面積や厚みを異なるよう
にできる。したがって、発熱量の大きいＬＥＤチップを
上記他とは異なる層基板に搭載する場合には、この層基
板に設けられる電極パターンの面積や厚みを他の層基板
の電極パターンよりも大きくすることによって、上記発
熱量の大きいＬＥＤチップの放熱性を向上して、熱抵抗
の低減を図ることができるのである。
【００５８】また、１実施例のチップＬＥＤは、上記他
とは異なる層基板に搭載されるＬＥＤチップを１つと
し、この１つのＬＥＤチップを上記層基板における中央
に搭載したので、例えば、この層基板に積層される上記
他の層基板の中央部に上記１つのＬＥＤチップを露出さ
せる溝や切欠きや穴を設け、その溝や切欠きや穴の周囲
に他のＬＥＤチップを配置することによって、アノード
コモン時に複数のＬＥＤチップのダイエリアを分離して
も各ＬＥＤチップのダイピッチを狭くできる。したがっ
て、混色発光時の品位を向上できると共にパッケージの
小型化を図ることができる。すなわち、複数個のＬＥＤ
チップが搭載された熱抵抗の低い小型のチップＬＥＤを
提供できるのである。さらに、上記他の層基板の中央部
に設けられた溝や切欠きや穴が所謂カップ構造を形成
し、その中に配置される上記１つのＬＥＤチップの発光
効率が向上する。
とは異なる層基板に搭載されるＬＥＤチップを１つと
し、この１つのＬＥＤチップを上記層基板における中央
に搭載したので、例えば、この層基板に積層される上記
他の層基板の中央部に上記１つのＬＥＤチップを露出さ
せる溝や切欠きや穴を設け、その溝や切欠きや穴の周囲
に他のＬＥＤチップを配置することによって、アノード
コモン時に複数のＬＥＤチップのダイエリアを分離して
も各ＬＥＤチップのダイピッチを狭くできる。したがっ
て、混色発光時の品位を向上できると共にパッケージの
小型化を図ることができる。すなわち、複数個のＬＥＤ
チップが搭載された熱抵抗の低い小型のチップＬＥＤを
提供できるのである。さらに、上記他の層基板の中央部
に設けられた溝や切欠きや穴が所謂カップ構造を形成
し、その中に配置される上記１つのＬＥＤチップの発光
効率が向上する。
【００５９】また、１実施例のチップＬＥＤは、上記他
とは異なる層基板に搭載されたＬＥＤチップを、上記他
のＬＥＤチップに比して発熱が大きいＬＥＤチップとし
たので、この発熱量の大きいＬＥＤチップが搭載されて
いる層基板の電極パターンの面積や厚みを、他の層基板
の電極パターンよりも大きくすることによって、上記発
熱量の大きいＬＥＤチップの放熱性を向上することがで
きる。
とは異なる層基板に搭載されたＬＥＤチップを、上記他
のＬＥＤチップに比して発熱が大きいＬＥＤチップとし
たので、この発熱量の大きいＬＥＤチップが搭載されて
いる層基板の電極パターンの面積や厚みを、他の層基板
の電極パターンよりも大きくすることによって、上記発
熱量の大きいＬＥＤチップの放熱性を向上することがで
きる。
【００６０】また、１実施例のチップＬＥＤは、各層基
板の表面には各ＬＥＤチップが載置されて接続される電
極パターンが形成されており、上記少なくとも１つのＬ
ＥＤチップが搭載される層基板の電極パターンの厚みを
他の層基板の電極パターンの厚みよりも厚くしたので、
この層基板に発熱量が大きいＬＥＤチップを搭載した場
合には、厚い電極パターンによって上記発熱量の大きい
ＬＥＤチップの放熱性を向上できる。
板の表面には各ＬＥＤチップが載置されて接続される電
極パターンが形成されており、上記少なくとも１つのＬ
ＥＤチップが搭載される層基板の電極パターンの厚みを
他の層基板の電極パターンの厚みよりも厚くしたので、
この層基板に発熱量が大きいＬＥＤチップを搭載した場
合には、厚い電極パターンによって上記発熱量の大きい
ＬＥＤチップの放熱性を向上できる。
【００６１】また、１実施例のチップＬＥＤは、上記層
基板の枚数を２枚とし、上記複数のＬＥＤチップをアノ
ードコモンに配線されたＲ,Ｇ,Ｂ３色のＬＥＤチップと
し、上記他とは異なる層基板に搭載されたＬＥＤチップ
をＧ色ＬＥＤチップとし、上記各層基板に形成された電
極パターンをカソードパターンとし、発光側の層基板に
おける発光面には共通アノードパターンを設け、反発光
側の層基板における反発光面には上記Ｒ,Ｇ,Ｂ３色のＬ
ＥＤチップ用のカソードパターンに接続された裏面パタ
ーンを設けたので、発熱量が大きいＧ色ＬＥＤチップを
Ｒ,Ｂ色のＬＥＤチップとは異なる層基板に搭載すると
共に、上記Ｒ,Ｇ,Ｂ３色のＬＥＤチップを発光側の層基
板における発光面に設けられた共通アノードパターンに
アノードコモンに配線することができる。したがって、
夫々の層基板の発光面に各色のＬＥＤチップ用のカソー
ドパターンを金属箔で形成することによって、各色のＬ
ＥＤチップ用のカソードパターンの独立配線と、発熱量
が大きいＧ色ＬＥＤチップ用のカソードパターンの大面
積化とを実現できる。
基板の枚数を２枚とし、上記複数のＬＥＤチップをアノ
ードコモンに配線されたＲ,Ｇ,Ｂ３色のＬＥＤチップと
し、上記他とは異なる層基板に搭載されたＬＥＤチップ
をＧ色ＬＥＤチップとし、上記各層基板に形成された電
極パターンをカソードパターンとし、発光側の層基板に
おける発光面には共通アノードパターンを設け、反発光
側の層基板における反発光面には上記Ｒ,Ｇ,Ｂ３色のＬ
ＥＤチップ用のカソードパターンに接続された裏面パタ
ーンを設けたので、発熱量が大きいＧ色ＬＥＤチップを
Ｒ,Ｂ色のＬＥＤチップとは異なる層基板に搭載すると
共に、上記Ｒ,Ｇ,Ｂ３色のＬＥＤチップを発光側の層基
板における発光面に設けられた共通アノードパターンに
アノードコモンに配線することができる。したがって、
夫々の層基板の発光面に各色のＬＥＤチップ用のカソー
ドパターンを金属箔で形成することによって、各色のＬ
ＥＤチップ用のカソードパターンの独立配線と、発熱量
が大きいＧ色ＬＥＤチップ用のカソードパターンの大面
積化とを実現できる。
【００６２】さらに、上記Ｒ,Ｇ,Ｂ３色のＬＥＤチップ
をアノードコモンに配線する場合、従来のごとく単一層
の基板で実現する場合に比して、各色のＬＥＤチップの
間隔を狭くできるので、混色発光時の色混ざりを良くし
て表示品位を向上できる。
をアノードコモンに配線する場合、従来のごとく単一層
の基板で実現する場合に比して、各色のＬＥＤチップの
間隔を狭くできるので、混色発光時の色混ざりを良くし
て表示品位を向上できる。
【００６３】また、１実施例のチップＬＥＤは、発光側
の層基板における一側面両角には発光面から反発光面に
至る切欠きを設け、この切欠きの内壁には上記共通アノ
ードパターンに電気的に接続された金属箔を形成し、上
記反発光側の層基板における上記一側面中央には発光面
から反発光面に至る切欠きを設け、この切欠きの内壁に
は上記Ｇ色ＬＥＤチップ用のカソードパターンと上記Ｇ
色ＬＥＤチップ用の裏面パターンとを電気的に接続する
金属箔を形成したので、実装時において、上記反発光側
の層基板における反発光面に設けられた各裏面パターン
の一端をマウント面上の対応する実装パターンに接続
し、上記発光側の層基板に設けられて上記共通アノード
パターンに電気的に接続された切欠きの金属箔の一端を
上記マウント面上の対応する実装パターンに接続でき
る。したがって、上記Ｒ,Ｇ,Ｂ３色のＬＥＤチップの発
光方向が上記マウント面に対して平行なサイド発光型と
して実装することができるのである。その際に、上記実
装パターンの接続位置には、上記発光側の層基板および
反発光側の層基板に設けられた切欠きが存在するため、
半田付けの際の放熱性を向上できる。さらに、上記発光
側の層基板と反発光側の層基板とを上記実装パターンに
接続するので、基板の片面側が浮き上がったりすること
が無く、確実に位置決めを行うことができる。
の層基板における一側面両角には発光面から反発光面に
至る切欠きを設け、この切欠きの内壁には上記共通アノ
ードパターンに電気的に接続された金属箔を形成し、上
記反発光側の層基板における上記一側面中央には発光面
から反発光面に至る切欠きを設け、この切欠きの内壁に
は上記Ｇ色ＬＥＤチップ用のカソードパターンと上記Ｇ
色ＬＥＤチップ用の裏面パターンとを電気的に接続する
金属箔を形成したので、実装時において、上記反発光側
の層基板における反発光面に設けられた各裏面パターン
の一端をマウント面上の対応する実装パターンに接続
し、上記発光側の層基板に設けられて上記共通アノード
パターンに電気的に接続された切欠きの金属箔の一端を
上記マウント面上の対応する実装パターンに接続でき
る。したがって、上記Ｒ,Ｇ,Ｂ３色のＬＥＤチップの発
光方向が上記マウント面に対して平行なサイド発光型と
して実装することができるのである。その際に、上記実
装パターンの接続位置には、上記発光側の層基板および
反発光側の層基板に設けられた切欠きが存在するため、
半田付けの際の放熱性を向上できる。さらに、上記発光
側の層基板と反発光側の層基板とを上記実装パターンに
接続するので、基板の片面側が浮き上がったりすること
が無く、確実に位置決めを行うことができる。
【００６４】さらに、形成時において、隣接する２つの
チップＬＥＤで共有されて分割後に上記反発光側の層基
板における上記一側面中央の切欠きとなるスルーホール
を、積層された上記発光側の層基板によって塞ぐことが
でき、樹脂封止時に、樹脂が上記スルーホールを通って
反発光側に漏れることを防止できる。したがって、従来
のように、上記スルーホールを銅箔やレジストで塞ぐ必
要がなく、工程の短縮とコストダウンを図ることができ
る。
チップＬＥＤで共有されて分割後に上記反発光側の層基
板における上記一側面中央の切欠きとなるスルーホール
を、積層された上記発光側の層基板によって塞ぐことが
でき、樹脂封止時に、樹脂が上記スルーホールを通って
反発光側に漏れることを防止できる。したがって、従来
のように、上記スルーホールを銅箔やレジストで塞ぐ必
要がなく、工程の短縮とコストダウンを図ることができ
る。
【００６５】また、１実施例のチップＬＥＤは、上記２
枚の層基板における一側面両角には発光側の層基板の発
光面から反発光側の層基板の反発光面に至る切欠きを設
け、この切欠きの内壁には上記共通アノードパターンに
電気的に接続された金属箔を形成し、上記反発光側の層
基板における上記一側面中央には発光面から反発光面に
至る切欠きを設け、この切欠きの内壁には上記Ｇ色ＬＥ
Ｄチップ用のカソードパターンと上記Ｇ色ＬＥＤチップ
用の裏面パターンとに電気的に接続された金属箔を形成
したので、実装時において、上記反発光側の層基板に設
けられた各裏面パターンの夫々の表面を、マウント面上
の対応する実装パターンに接続できる。さらに、２枚の
層基板に共通に設けられて上記共通アノードパターンに
電気的に接続された切欠きの金属箔における反発光側の
一端を、上記マウント面上の対応する実装パターンに接
続できる。したがって、上記Ｒ,Ｇ,Ｂ３色のＬＥＤチッ
プの発光方向が上記マウント面に対して垂直なトップ発
光型として実装できる。
枚の層基板における一側面両角には発光側の層基板の発
光面から反発光側の層基板の反発光面に至る切欠きを設
け、この切欠きの内壁には上記共通アノードパターンに
電気的に接続された金属箔を形成し、上記反発光側の層
基板における上記一側面中央には発光面から反発光面に
至る切欠きを設け、この切欠きの内壁には上記Ｇ色ＬＥ
Ｄチップ用のカソードパターンと上記Ｇ色ＬＥＤチップ
用の裏面パターンとに電気的に接続された金属箔を形成
したので、実装時において、上記反発光側の層基板に設
けられた各裏面パターンの夫々の表面を、マウント面上
の対応する実装パターンに接続できる。さらに、２枚の
層基板に共通に設けられて上記共通アノードパターンに
電気的に接続された切欠きの金属箔における反発光側の
一端を、上記マウント面上の対応する実装パターンに接
続できる。したがって、上記Ｒ,Ｇ,Ｂ３色のＬＥＤチッ
プの発光方向が上記マウント面に対して垂直なトップ発
光型として実装できる。
【図１】 この発明のチップＬＥＤにおける表面側から
の斜視図である。
の斜視図である。
【図２】 図１に示すチップＬＥＤにおける裏面側から
の斜視図である。
の斜視図である。
【図３】 図１に示すチップＬＥＤにおける側面図であ
る。
る。
【図４】 図２におけるＡ‐Ａ'矢視断面図である。
【図５】 図１に示すチップＬＥＤからモールド樹脂を
除去した状態を示す図である。
除去した状態を示す図である。
【図６】 図１における第１層基板と第２層基板との積
層過程の説明図である。
層過程の説明図である。
【図７】 図１に示すチップＬＥＤのマウント面への実
装の説明図である。
装の説明図である。
【図８】 図１とは異なるチップＬＥＤの斜視図であ
る。
る。
【図９】 図８に示すチップＬＥＤを上面発光型として
使用する場合の説明図である。
使用する場合の説明図である。
【図１０】 図１〜図５とは異なる第１層基板の斜視図
である。
である。
１,４１,５１…第１層基板、 ２…溝、 ３,４２…第２層基板、 ４,４８…Ｒ色ＬＥＤチップ、 ５,４９…Ｂ色ＬＥＤチップ、 ６,５０…Ｇ色ＬＥＤチップ、 ７,８,９,５３,５４…カソードパターン、 １０,５５…アノードパターン、 １１,１５,１７,４３…１/４スルーホール、 １２,１３,１４…Ａuワイヤ、 １６…第１裏面パターン、 １８…第２裏面パターン、 １９…１/２スルーホール、 ２０…第３裏面パターン、 ２１…モールド樹脂、 ２５,２６,２７,２８,２９,３０…分割線、 ３１,３２,３３,３４,４４,４５,４６,４７…実装パタ
ーン、 ５２…穴。
ーン、 ５２…穴。
Claims (7)
- 【請求項１】 基板に搭載された発光ダイオードチップ
を樹脂で封止して成るチップ発光ダイオードにおいて、 上記基板は、複数の層基板が積層された多層構造を有し
ており、 上記発光ダイオードチップは複数個であり、その内の少
なくとも１つの発光ダイオードチップは、他の発光ダイ
オードチップとは異なる層基板に搭載されていることを
特徴とするチップ発光ダイオード。 - 【請求項２】 請求項１に記載のチップ発光ダイオード
において、 上記他の発光ダイオードチップとは異なる層基板に搭載
された発光ダイオードチップは１つであり、この１つの
発光ダイオードチップは上記層基板における中央に搭載
されていることを特徴とするチップ発光ダイオード。 - 【請求項３】 請求項１に記載のチップ発光ダイオード
において、 上記他の発光ダイオードチップとは異なる層基板に搭載
された発光ダイオードチップは、上記他の発光ダイオー
ドチップに比して発熱量の大きい発光ダイオードチップ
であることを特徴とするチップ発光ダイオード。 - 【請求項４】 請求項１に記載のチップ発光ダイオード
において、 各層基板の表面には、各発光ダイオードチップが載置さ
れて接続される電極パターンが形成されており、 上記少なくとも１つの発光ダイオードチップが搭載され
る層基板の電極パターンの厚みを、他の層基板の電極パ
ターンの厚みよりも厚くしたことを特徴とするチップ発
光ダイオード。 - 【請求項５】 請求項４に記載のチップ発光ダイオード
において、 上記層基板の枚数は２枚であり、 上記複数の発光ダイオードチップは、アノードコモンに
配線された赤,緑,青３色の発光ダイオードチップであ
り、 上記他の発光ダイオードチップとは異なる層基板に搭載
された発光ダイオードチップは、緑色発光ダイオードチ
ップであり、 上記各層基板に形成された電極パターンはカソードパタ
ーンであり、 発光側の層基板における発光面には共通アノードパター
ンが設けられる一方、反発光側の層基板における反発光
面には上記赤,緑,青３色の発光ダイオードチップ用のカ
ソードパターンに接続された裏面パターンが設けられて
いることを特徴とするチップ発光ダイオード。 - 【請求項６】 請求項５に記載のチップ発光ダイオード
において、 上記発光側の層基板における一側面両角には発光面から
反発光面に至る切欠きが設けられ、この切欠きの内壁に
は上記共通アノードパターンに電気的に接続された金属
箔が形成されており、 上記反発光側の層基板における上記一側面中央には発光
面から反発光面に至る切欠きが設けられ、この切欠きの
内壁には上記緑色発光ダイオードチップ用のカソードパ
ターンと上記緑色発光ダイオードチップ用の裏面パター
ンとを電気的に接続する金属箔が形成されていることを
特徴とするチップ発光ダイオード。 - 【請求項７】 請求項５に記載のチップ発光ダイオード
において、 上記２枚の層基板における一側面両角には発光側の層基
板の発光面から反発光側の層基板の反発光面に至る切欠
きが設けられ、この切欠きの内壁には上記共通アノード
パターンに電気的に接続された金属箔が形成されてお
り、 上記反発光側の層基板における上記一側面中央には発光
面から反発光面に至る切欠きが設けられ、この切欠きの
内壁には上記緑色発光ダイオードチップ用のカソードパ
ターンと上記緑色発光ダイオードチップ用の裏面パター
ンとを電気的に接続する金属箔が形成されていることを
特徴とするチップ発光ダイオード。
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|---|---|
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Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006006255A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2006-01-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体発光装置 |
| JP2006108517A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Citizen Watch Co Ltd | Ｌｅｄ接続用基板及びそれを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置 |
| WO2006117711A1 (en) * | 2005-04-29 | 2006-11-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Rgb thermal isolation substrate |
| JP2008160091A (ja) * | 2006-12-01 | 2008-07-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| JP2008535233A (ja) * | 2005-03-30 | 2008-08-28 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | フレキシブルｌｅｄアレイ |
| JP2008283221A (ja) * | 2008-08-25 | 2008-11-20 | Sharp Corp | Ｌｅｄデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびｌｃｄ表示装置 |
| US7455423B2 (en) | 2005-04-28 | 2008-11-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device |
| JP2008542982A (ja) * | 2005-05-25 | 2008-11-27 | ネオバルブ テクノロジーズ，インコーポレイテッド | 発光ダイオード・クラスタ・ランプ |
| JP2008546192A (ja) * | 2005-05-30 | 2008-12-18 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ケーシング本体およびケーシング本体の製造方法 |
| JP2009099715A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Fujikura Ltd | 発光装置 |
| EP2332186A1 (de) * | 2008-09-29 | 2011-06-15 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Led-modul und herstellungsverfahren |
| EP2483939A1 (en) * | 2009-10-01 | 2012-08-08 | Excelitas Canada Inc. | Optoelectronic devices with laminate leadless carrier packaging in side-looker or top-looker device orientation |
| JP2013038167A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| EP2017892A3 (en) * | 2007-07-19 | 2013-09-18 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2014123688A (ja) * | 2012-12-22 | 2014-07-03 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
| US9299904B2 (en) | 2014-05-21 | 2016-03-29 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| KR101630569B1 (ko) * | 2015-01-06 | 2016-06-14 | 신수철 | Rgb 엘이디 패키지 구조가 연결되는 pcb |
| EP3176495A1 (de) * | 2015-12-02 | 2017-06-07 | Automotive Lighting Reutlingen GmbH | Beleuchtungseinrichtung für ein kraftfahrzeug |
| EP3190334A1 (fr) * | 2016-01-11 | 2017-07-12 | Valeo Iluminacion | Module lumineux pour véhicule automobile comprenant deux types de sources lumineuses |
| JP2018129424A (ja) * | 2017-02-09 | 2018-08-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2018129434A (ja) * | 2017-02-09 | 2018-08-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2019050363A (ja) * | 2017-08-27 | 2019-03-28 | 億光電子工業股▲ふん▼有限公司Ｅｖｅｒｌｉｇｈｔ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 半導体パッケージ構造 |
| JP2019054248A (ja) * | 2018-09-19 | 2019-04-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US11890694B2 (en) * | 2014-03-14 | 2024-02-06 | Nippon Steel Corporation | Resistance spot welding apparatus and method for manufacturing a welded structure |
-
2001
- 2001-06-07 JP JP2001172391A patent/JP3668438B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101087854B1 (ko) | 2003-09-19 | 2011-11-30 | 파나소닉 주식회사 | 반도체 발광장치 |
| JP4682138B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2011-05-11 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置 |
| CN100369278C (zh) * | 2003-09-19 | 2008-02-13 | 松下电器产业株式会社 | 半导体发光装置 |
| JPWO2006006255A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2008-04-24 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光装置 |
| WO2006006255A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2006-01-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体発光装置 |
| US7825421B2 (en) | 2003-09-19 | 2010-11-02 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting device |
| JP2006108517A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Citizen Watch Co Ltd | Ｌｅｄ接続用基板及びそれを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置 |
| JP2008535233A (ja) * | 2005-03-30 | 2008-08-28 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | フレキシブルｌｅｄアレイ |
| US7455423B2 (en) | 2005-04-28 | 2008-11-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device |
| EP1878052B1 (en) * | 2005-04-29 | 2018-12-26 | Lumileds Holding B.V. | Light emitting diode structure |
| US7952112B2 (en) | 2005-04-29 | 2011-05-31 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | RGB thermal isolation substrate |
| WO2006117711A1 (en) * | 2005-04-29 | 2006-11-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Rgb thermal isolation substrate |
| JP2008542982A (ja) * | 2005-05-25 | 2008-11-27 | ネオバルブ テクノロジーズ，インコーポレイテッド | 発光ダイオード・クラスタ・ランプ |
| JP4805347B2 (ja) * | 2005-05-25 | 2011-11-02 | ネオバルブ テクノロジーズ，インコーポレイテッド | 発光ダイオード・クラスタ・ランプ |
| JP2008546192A (ja) * | 2005-05-30 | 2008-12-18 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ケーシング本体およびケーシング本体の製造方法 |
| US8772065B2 (en) | 2005-05-30 | 2014-07-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Housing body and method for production thereof |
| JP2008160091A (ja) * | 2006-12-01 | 2008-07-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| EP2017892A3 (en) * | 2007-07-19 | 2013-09-18 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2009099715A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Fujikura Ltd | 発光装置 |
| JP2008283221A (ja) * | 2008-08-25 | 2008-11-20 | Sharp Corp | Ｌｅｄデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびｌｃｄ表示装置 |
| JP2012504318A (ja) * | 2008-09-29 | 2012-02-16 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Ｌｅｄモジュールおよびその製造方法 |
| EP2332186A1 (de) * | 2008-09-29 | 2011-06-15 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Led-modul und herstellungsverfahren |
| EP2483939A1 (en) * | 2009-10-01 | 2012-08-08 | Excelitas Canada Inc. | Optoelectronic devices with laminate leadless carrier packaging in side-looker or top-looker device orientation |
| JP2013038167A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| JP2014123688A (ja) * | 2012-12-22 | 2014-07-03 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
| CN111405777A (zh) * | 2012-12-22 | 2020-07-10 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置的制造方法 |
| CN111405777B (zh) * | 2012-12-22 | 2024-03-08 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置的制造方法 |
| US11890694B2 (en) * | 2014-03-14 | 2024-02-06 | Nippon Steel Corporation | Resistance spot welding apparatus and method for manufacturing a welded structure |
| US9299904B2 (en) | 2014-05-21 | 2016-03-29 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| KR101630569B1 (ko) * | 2015-01-06 | 2016-06-14 | 신수철 | Rgb 엘이디 패키지 구조가 연결되는 pcb |
| EP3176495A1 (de) * | 2015-12-02 | 2017-06-07 | Automotive Lighting Reutlingen GmbH | Beleuchtungseinrichtung für ein kraftfahrzeug |
| FR3046656A1 (fr) * | 2016-01-11 | 2017-07-14 | Valeo Iluminacion Sa | Module lumineux pour vehicule automobile comprenant deux types de sources lumineuses |
| EP3190334A1 (fr) * | 2016-01-11 | 2017-07-12 | Valeo Iluminacion | Module lumineux pour véhicule automobile comprenant deux types de sources lumineuses |
| US11339940B2 (en) | 2016-01-11 | 2022-05-24 | Valeo Iluminacion | Lighting module for automotive vehicle comprising two types of light sources |
| US10731820B2 (en) | 2016-01-11 | 2020-08-04 | Valeo Iluminacion | Lighting module for automotive vehicle comprising two types of light sources |
| JP2018129424A (ja) * | 2017-02-09 | 2018-08-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2018129434A (ja) * | 2017-02-09 | 2018-08-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2019050363A (ja) * | 2017-08-27 | 2019-03-28 | 億光電子工業股▲ふん▼有限公司Ｅｖｅｒｌｉｇｈｔ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 半導体パッケージ構造 |
| JP2019054248A (ja) * | 2018-09-19 | 2019-04-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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