JPH08264841A - 面実装型ｌｅｄ - Google Patents
面実装型ｌｅｄInfo
- Publication number
- JPH08264841A JPH08264841A JP7063690A JP6369095A JPH08264841A JP H08264841 A JPH08264841 A JP H08264841A JP 7063690 A JP7063690 A JP 7063690A JP 6369095 A JP6369095 A JP 6369095A JP H08264841 A JPH08264841 A JP H08264841A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting element
- led
- surface mount
- wiring pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 精度の良い薄型の面実装型ＬＥＤを低コスト
で提供する。 【構成】 ポリイミドフィルム１Ａ及びＣｕ箔２よりな
るフレキシブルプリント基板にキャビティー３Ａ、第１
の配線パターン１１及び第２の配線パターン１２が形成
されている。キャビティー３Ａの底面に発光素子６が実
装されている。発光素子６のカソードが第１の配線パタ
ーン１１に導電性樹脂７により接続され、発光素子６の
アノードがボンディングワイヤ９により第２の配線パタ
ーン１２に接続されている。
で提供する。 【構成】 ポリイミドフィルム１Ａ及びＣｕ箔２よりな
るフレキシブルプリント基板にキャビティー３Ａ、第１
の配線パターン１１及び第２の配線パターン１２が形成
されている。キャビティー３Ａの底面に発光素子６が実
装されている。発光素子６のカソードが第１の配線パタ
ーン１１に導電性樹脂７により接続され、発光素子６の
アノードがボンディングワイヤ９により第２の配線パタ
ーン１２に接続されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、面実装型ＬＥＤに関
し、特にその製品構造上重要なキャビティー形成を実現
する構成材料及び構造に関する。
し、特にその製品構造上重要なキャビティー形成を実現
する構成材料及び構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的なＬＥＤ（発光ダイオード）は、
発光素子がコム又はリードフレームと呼ばれる金属部材
に形成されたキャビティーに導電性樹脂により実装さ
れ、発光素子の一の端子がＡｕよりなるボンディングワ
イヤにより接続され、これらがエポキシ樹脂等の熱硬化
性樹脂により封止されたものである。
発光素子がコム又はリードフレームと呼ばれる金属部材
に形成されたキャビティーに導電性樹脂により実装さ
れ、発光素子の一の端子がＡｕよりなるボンディングワ
イヤにより接続され、これらがエポキシ樹脂等の熱硬化
性樹脂により封止されたものである。
【０００３】一方、面実装型ＬＥＤを構成する場合、チ
ップの小型化を図る必要があるので、小型のリードフレ
ームや、ガラス布にエポキシ樹脂を注入したいわゆるガ
ラエポ基板等の硬質プリント基板を使用していることが
多い。
ップの小型化を図る必要があるので、小型のリードフレ
ームや、ガラス布にエポキシ樹脂を注入したいわゆるガ
ラエポ基板等の硬質プリント基板を使用していることが
多い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の面実装型ＬＥＤ
よりも更に薄型の面実装型ＬＥＤを構成する場合、発光
素子が実装されるキャビティーをできるだけ低い位置に
形成する必要がある。
よりも更に薄型の面実装型ＬＥＤを構成する場合、発光
素子が実装されるキャビティーをできるだけ低い位置に
形成する必要がある。
【０００５】しかし、従来のリードフレームでは構造上
又は工法上の理由から金属板厚に限界があること、硬質
プリント基板ではざぐり加工やドリル加工で形成する際
の加工精度に問題があること、また、硬質プリント基板
ではあらかじめドリル加工をした基板を貼り合わせて形
成する際の精度やコストに限界があること等の問題があ
った。
又は工法上の理由から金属板厚に限界があること、硬質
プリント基板ではざぐり加工やドリル加工で形成する際
の加工精度に問題があること、また、硬質プリント基板
ではあらかじめドリル加工をした基板を貼り合わせて形
成する際の精度やコストに限界があること等の問題があ
った。
【０００６】従って、従来の技術では、低コストで精度
良く薄型の面実装型ＬＥＤを製造することは非常に困難
であった。
良く薄型の面実装型ＬＥＤを製造することは非常に困難
であった。
【０００７】前記に鑑み、本発明は、精度の良い薄型の
面実装型ＬＥＤを低コストで提供できるようにすること
を目的とする。
面実装型ＬＥＤを低コストで提供できるようにすること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、面実装型ＬＥＤを、フレキシブルプリン
ト基板に凹部を設け、該凹部内に発光素子を実装するも
のである。
め、本発明は、面実装型ＬＥＤを、フレキシブルプリン
ト基板に凹部を設け、該凹部内に発光素子を実装するも
のである。
【０００９】具体的に請求項１の発明が講じた解決手段
は、面実装型ＬＥＤを、フレキシブルプリント基板と、
該フレキシブルプリント基板に形成された凹部と、該凹
部の底面に実装された発光素子とを備えている構成とす
るものである。
は、面実装型ＬＥＤを、フレキシブルプリント基板と、
該フレキシブルプリント基板に形成された凹部と、該凹
部の底面に実装された発光素子とを備えている構成とす
るものである。
【００１０】請求項２の発明は、請求項１の構成に、前
記凹部の周面にはメッキ処理が施されているという構成
を付加するものである。
記凹部の周面にはメッキ処理が施されているという構成
を付加するものである。
【００１１】請求項３の発明は、請求項１又は２の構成
に、前記凹部の底面に発光色が互いに異なる複数の発光
素子が実装されているという構成を付加するものであ
る。
に、前記凹部の底面に発光色が互いに異なる複数の発光
素子が実装されているという構成を付加するものであ
る。
【００１２】
【作用】請求項１の構成により、フレキシブルプリント
基板に形成された凹部に発光素子を実装するため、従来
の面実装型ＬＥＤに比べて、より薄型の面実装型ＬＥＤ
を実現することができる。また、フレキシブルプリント
基板は有機酸によるエッチングやエキシマレーザーによ
る加工ができるので、精度及びコストなどの従来の問題
点を解決することができる。
基板に形成された凹部に発光素子を実装するため、従来
の面実装型ＬＥＤに比べて、より薄型の面実装型ＬＥＤ
を実現することができる。また、フレキシブルプリント
基板は有機酸によるエッチングやエキシマレーザーによ
る加工ができるので、精度及びコストなどの従来の問題
点を解決することができる。
【００１３】請求項２の構成により、凹部の周面にはメ
ッキ処理が施されているので、発光素子からの光はメッ
キ層によって反射される。
ッキ処理が施されているので、発光素子からの光はメッ
キ層によって反射される。
【００１４】請求項３の構成により、凹部の底面に発光
色が互いに異なる複数の発光素子が実装されているの
で、発光色が異なる複数の発光素子をコンパクトに収納
できる。
色が互いに異なる複数の発光素子が実装されているの
で、発光色が異なる複数の発光素子をコンパクトに収納
できる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の第１実施例に係る面実装型Ｌ
ＥＤについて図面を参照しながら説明する。図１（ａ）
は第１実施例に係る面実装型ＬＥＤの断面図、図１
（ｂ）は前記面実装型ＬＥＤの平面図、図２（ａ）は前
記面実装型ＬＥＤの底面図、図２（ｂ）は前記面実装型
ＬＥＤの斜視図である。
ＥＤについて図面を参照しながら説明する。図１（ａ）
は第１実施例に係る面実装型ＬＥＤの断面図、図１
（ｂ）は前記面実装型ＬＥＤの平面図、図２（ａ）は前
記面実装型ＬＥＤの底面図、図２（ｂ）は前記面実装型
ＬＥＤの斜視図である。
【００１６】図１及び図２において、１Ａはポリイミド
フィルム、２はＣｕ箔であって、ポリイミドフィルム１
Ａ及びＣｕ箔２によってフレキシブルプリント基板が構
成されている。３Ａは凹部としてのキャビティー、４は
Ｃｕ箔２の表面に形成されたＮｉ等のメッキ層、５は絶
縁性樹脂層、６は発光素子、７は導電性樹脂、８は発光
素子６の上面電極、９はＡｕ等のボンディングワイヤ、
１０はエポキシ樹脂である。また、１１はＣｕ箔２及び
メッキ層４からなり発光素子６のカソード側電極が導電
性樹脂７により接続される第１の配線パターン、１２は
Ｃｕ箔２及びメッキ層４からなり発光素子６のアノード
側電極がボンディングワイヤ９により接続される第２の
配線パターンである。
フィルム、２はＣｕ箔であって、ポリイミドフィルム１
Ａ及びＣｕ箔２によってフレキシブルプリント基板が構
成されている。３Ａは凹部としてのキャビティー、４は
Ｃｕ箔２の表面に形成されたＮｉ等のメッキ層、５は絶
縁性樹脂層、６は発光素子、７は導電性樹脂、８は発光
素子６の上面電極、９はＡｕ等のボンディングワイヤ、
１０はエポキシ樹脂である。また、１１はＣｕ箔２及び
メッキ層４からなり発光素子６のカソード側電極が導電
性樹脂７により接続される第１の配線パターン、１２は
Ｃｕ箔２及びメッキ層４からなり発光素子６のアノード
側電極がボンディングワイヤ９により接続される第２の
配線パターンである。
【００１７】図１（ａ）に示すように、まず、両面にＣ
ｕ箔２が接着されたポリイミドフィルム１Ａに写真法に
よりＣｕ箔２よりなる第１の配線パターン１１及び第２
の配線パターン１２を形成した後、エキシマレーザー加
工による穴加工により発光素子６が実装されるキャビテ
ィー３Ａを第１の配線パターン１１が露出するように形
成する。
ｕ箔２が接着されたポリイミドフィルム１Ａに写真法に
よりＣｕ箔２よりなる第１の配線パターン１１及び第２
の配線パターン１２を形成した後、エキシマレーザー加
工による穴加工により発光素子６が実装されるキャビテ
ィー３Ａを第１の配線パターン１１が露出するように形
成する。
【００１８】次に、Ｎｉ又はＡｕの無電解メッキにより
第１及び第２の配線パターン１１、１２にメッキ層４を
形成すると共に、下面に絶縁性樹脂層５を形成する。発
光素子６の下面は、キャビティー３Ａの底面に導電性樹
脂７により接着されることにより第１の配線パターン１
１に接続されていると共に、発光素子６の上面電極８は
ボンディングワイヤ９により第２の配線パターン１２に
接続されている。発光素子６は気密性保持のためにエポ
キシ樹脂１０により封止されている。
第１及び第２の配線パターン１１、１２にメッキ層４を
形成すると共に、下面に絶縁性樹脂層５を形成する。発
光素子６の下面は、キャビティー３Ａの底面に導電性樹
脂７により接着されることにより第１の配線パターン１
１に接続されていると共に、発光素子６の上面電極８は
ボンディングワイヤ９により第２の配線パターン１２に
接続されている。発光素子６は気密性保持のためにエポ
キシ樹脂１０により封止されている。
【００１９】第１実施例では、発光素子６が実装される
キャビティー３Ａを形成するのに加工性に優れたポリイ
ミドフィルム１Ａを使用しているので、キャビティー３
Ａをより低い位置に、容易に形成することができる。
キャビティー３Ａを形成するのに加工性に優れたポリイ
ミドフィルム１Ａを使用しているので、キャビティー３
Ａをより低い位置に、容易に形成することができる。
【００２０】従って、図２（ｂ）に示すように、部品厚
さｈ3 は基板厚さｈ1 に依存せず、部品の底面から発光
素子６の上面までの高さｈ2 に依存するため、容易且つ
低コストで部品の薄型化を図ることができる。
さｈ3 は基板厚さｈ1 に依存せず、部品の底面から発光
素子６の上面までの高さｈ2 に依存するため、容易且つ
低コストで部品の薄型化を図ることができる。
【００２１】次に本発明の第２実施例に係る面実装型Ｌ
ＥＤについて図面を参照しながら説明する。図３は第２
実施例に係る面実装型ＬＥＤの断面図である。図３にお
いて、１Ｂはポリイミドフィルム、３Ｂはキャビティー
である。また、図２と同一の部材については同一の符号
を付して説明を省略する。
ＥＤについて図面を参照しながら説明する。図３は第２
実施例に係る面実装型ＬＥＤの断面図である。図３にお
いて、１Ｂはポリイミドフィルム、３Ｂはキャビティー
である。また、図２と同一の部材については同一の符号
を付して説明を省略する。
【００２２】第２実施例では、キャビティー３Ｂを形成
する際、ポリイミドフィルム１Ｂをエッチング処理等を
用いて形成し、キャビティー３Ｂの内壁面をテーパー形
状にするので、発光素子６からの反射光を効率的に取り
出せる構造となり、単に薄型だけでなく特性的にも優れ
たものが得られる。
する際、ポリイミドフィルム１Ｂをエッチング処理等を
用いて形成し、キャビティー３Ｂの内壁面をテーパー形
状にするので、発光素子６からの反射光を効率的に取り
出せる構造となり、単に薄型だけでなく特性的にも優れ
たものが得られる。
【００２３】次に本発明の第３実施例に係る面実装型Ｌ
ＥＤについて図面を参照しながら説明する。図４は、本
発明の第３実施例に係る面実装型ＬＥＤの平面図であ
る。
ＥＤについて図面を参照しながら説明する。図４は、本
発明の第３実施例に係る面実装型ＬＥＤの平面図であ
る。
【００２４】図４において、１３はポリイミドフィル
ム、１４は赤色発光素子、１５は青色発光素子、１６は
緑色発光素子、１７は赤色発光素子１４、青色発光素子
１５及び緑色発光素子１６のカソード側電極を共通に接
続する第１の配線パターン、１８は赤色発光素子１４の
アノード側電極をボンディングワイヤにより接続する第
２の配線パターン、１９は青色発光素子１５のアノード
側電極をボンディングワイヤにより接続する第３の配線
パターン、２０は緑色発光素子１６のアノード側電極を
ボンディングワイヤにより接続する第４の配線パターン
である。
ム、１４は赤色発光素子、１５は青色発光素子、１６は
緑色発光素子、１７は赤色発光素子１４、青色発光素子
１５及び緑色発光素子１６のカソード側電極を共通に接
続する第１の配線パターン、１８は赤色発光素子１４の
アノード側電極をボンディングワイヤにより接続する第
２の配線パターン、１９は青色発光素子１５のアノード
側電極をボンディングワイヤにより接続する第３の配線
パターン、２０は緑色発光素子１６のアノード側電極を
ボンディングワイヤにより接続する第４の配線パターン
である。
【００２５】第３実施例では、第１の配線パターン１
７、第２の配線パターン１８、第３の配線パターン１９
及び第４の配線パターン２０が形成されたポリイミドフ
ィルム３Ｂに対して、赤色発光素子１４、青色発光素子
１５及び緑色発光素子１６を配して、面実装型ＬＥＤを
構成している。第３実施例によると、赤、青及び緑の光
の３原色発光を極めて小型で且つ薄型の面実装型ＬＥＤ
として実現している。
７、第２の配線パターン１８、第３の配線パターン１９
及び第４の配線パターン２０が形成されたポリイミドフ
ィルム３Ｂに対して、赤色発光素子１４、青色発光素子
１５及び緑色発光素子１６を配して、面実装型ＬＥＤを
構成している。第３実施例によると、赤、青及び緑の光
の３原色発光を極めて小型で且つ薄型の面実装型ＬＥＤ
として実現している。
【００２６】図５は第３実施例に係る面実装型ＬＥＤを
配した表示装置の平面図である。図５に示すように、第
３実施例に係る面実装型ＬＥＤ２１を実装用基板２２に
マトリックス状に配することにより、フルカラー表示が
可能で且つ極めて小型のパネル型表示装置を構成するこ
とができる。
配した表示装置の平面図である。図５に示すように、第
３実施例に係る面実装型ＬＥＤ２１を実装用基板２２に
マトリックス状に配することにより、フルカラー表示が
可能で且つ極めて小型のパネル型表示装置を構成するこ
とができる。
【００２７】
【発明の効果】請求項１の発明に係る面実装型ＬＥＤに
よると、エッチングやエキシマレーザーによる加工が容
易なフレキシブルプリント基板に形成された凹部に発光
素子を実装しているため、より薄型の面実装型ＬＥＤを
実現することができる。また、凹部が形成されるフレキ
シブルプリント基板は、写真法、エキシマレーザー加工
やエッチング加工に適しているので、高精度の面実装型
ＬＥＤを大量に且つ低コストに生産することができると
共に、超小型の面実装型ＬＥＤを実現することができ
る。このため、製品の実装密度を上げることができるの
で、将来の高密度表示装置等に応用できる。
よると、エッチングやエキシマレーザーによる加工が容
易なフレキシブルプリント基板に形成された凹部に発光
素子を実装しているため、より薄型の面実装型ＬＥＤを
実現することができる。また、凹部が形成されるフレキ
シブルプリント基板は、写真法、エキシマレーザー加工
やエッチング加工に適しているので、高精度の面実装型
ＬＥＤを大量に且つ低コストに生産することができると
共に、超小型の面実装型ＬＥＤを実現することができ
る。このため、製品の実装密度を上げることができるの
で、将来の高密度表示装置等に応用できる。
【００２８】請求項２の発明に係る面実装型ＬＥＤによ
ると、発光素子からの光はメッキ層によって反射される
ので、反射効率が向上し、光学特性的にも優れたものに
なる。
ると、発光素子からの光はメッキ層によって反射される
ので、反射効率が向上し、光学特性的にも優れたものに
なる。
【００２９】請求項３の発明に係る面実装型ＬＥＤによ
ると、凹部内に発光色の異なる複数の発光素子が実装さ
れているので、将来の高密度カラー表示装置等に応用で
きる。
ると、凹部内に発光色の異なる複数の発光素子が実装さ
れているので、将来の高密度カラー表示装置等に応用で
きる。
【図１】（ａ）本発明の第１実施例に係る面実装型ＬＥ
Ｄの断面図である。 （ｂ）本発明の第１実施例に係る面実装型ＬＥＤの平面
図である。
Ｄの断面図である。 （ｂ）本発明の第１実施例に係る面実装型ＬＥＤの平面
図である。
【図２】（ａ）本発明の第１実施例に係る面実装型ＬＥ
Ｄの底面図である。 （ｂ）本発明の第１実施例に係る面実装型ＬＥＤの斜視
図である。
Ｄの底面図である。 （ｂ）本発明の第１実施例に係る面実装型ＬＥＤの斜視
図である。
【図３】本発明の第２実施例に係る面実装型ＬＥＤの断
面図である。
面図である。
【図４】本発明の第３実施例に係る面実装型ＬＥＤの平
面図である。
面図である。
【図５】本発明の第３実施例に係る面実装型ＬＥＤを使
用したパネル型表示装置の平面図である。
用したパネル型表示装置の平面図である。
１Ａ、１Ｂ、１３ ポリイミドフィルム ２ Ｃｕ箔 ３Ａ、３Ｂ キャビティー ４ メッキ層 ５ 絶縁性樹脂層 ６ 発光素子 ７ 導電性樹脂 ８ 上面電極 ９ ボンディングワイヤ １０ エポキシ樹脂 １１ 第１の配線パターン １２ 第２の配線パターン １４ 赤色発光素子 １５ 青色発光素子 １６ 緑色発光素子 １７ 第１の配線パターン １８ 第２の配線パターン １９ 第３の配線パターン ２０ 第４の配線パターン ２１ 第３実施例に係る面実装型ＬＥＤ ２２ 実装用基板
Claims (3)
- 【請求項１】 フレキシブルプリント基板と、 前記フレキシブルプリント基板に形成された凹部と、 前記凹部の底面に実装された発光素子とを備えているこ
とを特徴とする面実装型ＬＥＤ。 - 【請求項２】 前記凹部の周面にはメッキ処理が施され
ていることを特徴とする請求項１に記載の面実装型ＬＥ
Ｄ。 - 【請求項３】 前記凹部の底面に発光色が互いに異なる
複数の発光素子が実装されていることを特徴とする請求
項１又は２に記載の面実装型ＬＥＤ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06369095A JP3535602B2 (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | 面実装型ｌｅｄ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06369095A JP3535602B2 (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | 面実装型ｌｅｄ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264841A true JPH08264841A (ja) | 1996-10-11 |
| JP3535602B2 JP3535602B2 (ja) | 2004-06-07 |
Family
ID=13236633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06369095A Expired - Fee Related JP3535602B2 (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | 面実装型ｌｅｄ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3535602B2 (ja) |
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1162669A2 (en) * | 2000-06-09 | 2001-12-12 | SANYO ELECTRIC Co., Ltd. | Light irradiating device, manufacturing method thereof, and lighting apparatus using the light irradiating device |
| JP2002043632A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-02-08 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
| WO2002017405A1 (de) * | 2000-08-23 | 2002-02-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung, modul und vorrichtung mit einem solchen modul |
| US6613610B2 (en) | 2000-07-18 | 2003-09-02 | Sony Corporation | Image display unit and method of producing image display unit |
| WO2004004017A2 (de) * | 2002-06-26 | 2004-01-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbare lumineszenz- und/oder photo-diode und verfahren zu deren herstellung |
| KR20040031882A (ko) * | 2002-10-07 | 2004-04-14 | 울트라스타 리미티드 | 표면장착 ｌｅｄ의 패키지 구조와 그 제조방법 |
| US6830946B2 (en) | 2001-02-01 | 2004-12-14 | Sony Corporation | Device transfer method and panel |
| US6833563B2 (en) * | 2001-09-25 | 2004-12-21 | Intel Corporation | Multi-stack surface mount light emitting diodes |
| WO2005008790A2 (de) * | 2003-07-11 | 2005-01-27 | Leising Guenther | Leuchtdiode sowie led-lichtquelle |
| US6872635B2 (en) | 2001-04-11 | 2005-03-29 | Sony Corporation | Device transferring method, and device arraying method and image display unit fabricating method using the same |
| US6939729B2 (en) | 2000-12-14 | 2005-09-06 | Sony Corporation | Method of transferring a device, a method of producing a device holding substrate, and a device holding substrate |
| US6972204B2 (en) | 2001-09-06 | 2005-12-06 | Sony Corporation | Method of transferring devices, method of arranging devices using the same, and method of manufacturing an image display system |
| EP1770796A1 (de) * | 2005-09-29 | 2007-04-04 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Strahlungsemittierendes Bauelement |
| JP2007281396A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
| JP2008515236A (ja) * | 2004-09-28 | 2008-05-08 | アジライト・インコーポレーテッド | Ｌｅｄを微細実装するための方法及びマイクロパッケージ |
| JP2008518434A (ja) * | 2004-10-22 | 2008-05-29 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 改善されたヒートシンクを備える半導体発光装置 |
| KR100852100B1 (ko) * | 2006-11-06 | 2008-08-13 | 주식회사 이츠웰 | 초박형 표면실장 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 |
| JP2008205516A (ja) * | 2008-05-29 | 2008-09-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2008205515A (ja) * | 2008-05-29 | 2008-09-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2008263205A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Itswell Co Ltd | 回路基板を用いた大電流表面実装型発光ダイオードランプ｛ＶｅｒｙＨｉｇｈＣｕｒｒｅｎｔＳＭＤＬＥＤＬａｍｐＵｓｉｎｇＰＣＢ｝ |
| JP2010073855A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-02 | Ikeda Mekki Kogyo Kk | 半導体装置およびその製法 |
| JP2010267910A (ja) * | 2009-05-18 | 2010-11-25 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
| JP2013016406A (ja) * | 2011-07-06 | 2013-01-24 | Teijin Engineering Ltd | 発光装置 |
| JP2014508398A (ja) * | 2010-12-29 | 2014-04-03 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | リモート蛍光体ｌｅｄ構造 |
| JP2014146801A (ja) * | 2013-01-28 | 2014-08-14 | Osram Gmbh | 回路基板、オプトエレクトロニクスモジュールならびにオプトエレクトロニクスモジュールを有する装置 |
| EP1700349B1 (de) * | 2003-12-30 | 2017-11-01 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Verfahren zum herstellen einer mehrzahl strahlungsemittierender und/oder strahlungsempfangender halbleiterbauelemente |
| JP2019195104A (ja) * | 2012-05-09 | 2019-11-07 | ローム株式会社 | 発光装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9698563B2 (en) | 2010-11-03 | 2017-07-04 | 3M Innovative Properties Company | Flexible LED device and method of making |
| WO2012061183A2 (en) | 2010-11-03 | 2012-05-10 | 3M Innovative Properties Company | Flexible led device for thermal management and method of making |
| KR20130132828A (ko) | 2010-11-03 | 2013-12-05 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 중합체 에칭제 및 그의 사용 방법 |
-
1995
- 1995-03-23 JP JP06369095A patent/JP3535602B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1162669A2 (en) * | 2000-06-09 | 2001-12-12 | SANYO ELECTRIC Co., Ltd. | Light irradiating device, manufacturing method thereof, and lighting apparatus using the light irradiating device |
| EP1162669A3 (en) * | 2000-06-09 | 2006-07-05 | SANYO ELECTRIC Co., Ltd. | Light irradiating device, manufacturing method thereof, and lighting apparatus using the light irradiating device |
| US6613610B2 (en) | 2000-07-18 | 2003-09-02 | Sony Corporation | Image display unit and method of producing image display unit |
| US7880184B2 (en) | 2000-07-18 | 2011-02-01 | Sony Corporation | Image display unit |
| JP2002043632A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-02-08 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
| US7446347B2 (en) | 2000-08-23 | 2008-11-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for the production thereof, module and device comprising a module of this type |
| WO2002017405A1 (de) * | 2000-08-23 | 2002-02-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung, modul und vorrichtung mit einem solchen modul |
| US6939729B2 (en) | 2000-12-14 | 2005-09-06 | Sony Corporation | Method of transferring a device, a method of producing a device holding substrate, and a device holding substrate |
| US7233030B2 (en) | 2001-02-01 | 2007-06-19 | Sony Corporation | Device transfer method and panel |
| US6830946B2 (en) | 2001-02-01 | 2004-12-14 | Sony Corporation | Device transfer method and panel |
| US6921675B2 (en) | 2001-02-01 | 2005-07-26 | Sony Corporation | Device transfer method and panel |
| US7195687B2 (en) | 2001-04-11 | 2007-03-27 | Sony Corporation | Device transferring method, and device arraying method and image display unit fabricating method using the same |
| US6872635B2 (en) | 2001-04-11 | 2005-03-29 | Sony Corporation | Device transferring method, and device arraying method and image display unit fabricating method using the same |
| US6972204B2 (en) | 2001-09-06 | 2005-12-06 | Sony Corporation | Method of transferring devices, method of arranging devices using the same, and method of manufacturing an image display system |
| US6833563B2 (en) * | 2001-09-25 | 2004-12-21 | Intel Corporation | Multi-stack surface mount light emitting diodes |
| JP2005531152A (ja) * | 2002-06-26 | 2005-10-13 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 表面実装可能な小型発光ダイオードおよび／またはフォトダイオードおよび該ダイオードを製造するための方法 |
| CN100388512C (zh) * | 2002-06-26 | 2008-05-14 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 可表面安装的微型发光二极管或光电二极管以及它们的制造方法 |
| WO2004004017A2 (de) * | 2002-06-26 | 2004-01-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbare lumineszenz- und/oder photo-diode und verfahren zu deren herstellung |
| DE10228634A1 (de) * | 2002-06-26 | 2004-01-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbare Miniatur-Lumineszenz-und/oder Photo-Diode und Verfahren zu deren Herstellung |
| WO2004004017A3 (de) * | 2002-06-26 | 2004-08-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbare lumineszenz- und/oder photo-diode und verfahren zu deren herstellung |
| KR20040031882A (ko) * | 2002-10-07 | 2004-04-14 | 울트라스타 리미티드 | 표면장착 ｌｅｄ의 패키지 구조와 그 제조방법 |
| EP2398080A3 (de) * | 2003-07-11 | 2014-04-23 | Tridonic Jennersdorf GmbH | Leuchtdiode sowie Leuchtdiode-Lichtquelle |
| US8614456B2 (en) | 2003-07-11 | 2013-12-24 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | LED and LED light source |
| WO2005008790A2 (de) * | 2003-07-11 | 2005-01-27 | Leising Guenther | Leuchtdiode sowie led-lichtquelle |
| EP1700349B1 (de) * | 2003-12-30 | 2017-11-01 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Verfahren zum herstellen einer mehrzahl strahlungsemittierender und/oder strahlungsempfangender halbleiterbauelemente |
| JP2008515236A (ja) * | 2004-09-28 | 2008-05-08 | アジライト・インコーポレーテッド | Ｌｅｄを微細実装するための方法及びマイクロパッケージ |
| JP2008518434A (ja) * | 2004-10-22 | 2008-05-29 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 改善されたヒートシンクを備える半導体発光装置 |
| US7675085B2 (en) | 2005-09-29 | 2010-03-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Radiation emitting component |
| EP1770796A1 (de) * | 2005-09-29 | 2007-04-04 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Strahlungsemittierendes Bauelement |
| JP2007281396A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
| KR100852100B1 (ko) * | 2006-11-06 | 2008-08-13 | 주식회사 이츠웰 | 초박형 표면실장 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 |
| JP2008263205A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Itswell Co Ltd | 回路基板を用いた大電流表面実装型発光ダイオードランプ｛ＶｅｒｙＨｉｇｈＣｕｒｒｅｎｔＳＭＤＬＥＤＬａｍｐＵｓｉｎｇＰＣＢ｝ |
| JP2008205515A (ja) * | 2008-05-29 | 2008-09-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2008205516A (ja) * | 2008-05-29 | 2008-09-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2010073855A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-02 | Ikeda Mekki Kogyo Kk | 半導体装置およびその製法 |
| JP2010267910A (ja) * | 2009-05-18 | 2010-11-25 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
| JP2014508398A (ja) * | 2010-12-29 | 2014-04-03 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | リモート蛍光体ｌｅｄ構造 |
| US9360176B2 (en) | 2010-12-29 | 2016-06-07 | 3M Innovative Properties Company | Remote phosphor LED constructions |
| JP2016197756A (ja) * | 2010-12-29 | 2016-11-24 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | リモート蛍光体ｌｅｄ構造 |
| JP2013016406A (ja) * | 2011-07-06 | 2013-01-24 | Teijin Engineering Ltd | 発光装置 |
| JP2019195104A (ja) * | 2012-05-09 | 2019-11-07 | ローム株式会社 | 発光装置 |
| JP2014146801A (ja) * | 2013-01-28 | 2014-08-14 | Osram Gmbh | 回路基板、オプトエレクトロニクスモジュールならびにオプトエレクトロニクスモジュールを有する装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3535602B2 (ja) | 2004-06-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3535602B2 (ja) | 面実装型ｌｅｄ | |
| US6392294B1 (en) | Semiconductor device with stable protection coating | |
| US5814837A (en) | Compact light-emitting device with sealing member | |
| JP3956965B2 (ja) | チップ部品型発光装置及びそのための配線基板 | |
| US8357950B2 (en) | Semiconductor light emitting device, semiconductor element, and method for fabricating the semiconductor light emitting device | |
| US6800508B2 (en) | Semiconductor device, its manufacturing method and electrodeposition frame | |
| JP2002368286A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JP2002368279A (ja) | チップ発光ダイオード | |
| JP2006190814A (ja) | 発光素子用の配線基板 | |
| JP2001196640A (ja) | サイド発光型ｌｅｄ装置及びその製造方法 | |
| JPH1050734A (ja) | チップ型半導体 | |
| JP4593201B2 (ja) | チップ部品型発光装置及びそのための配線基板 | |
| JP2002111065A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP4822484B2 (ja) | 表面実装型電子部品とその製造方法 | |
| JP2003204081A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2000082827A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2009260395A (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
| JP2000036621A (ja) | 側面型電子部品の電極構造 | |
| JP2006073842A (ja) | 配線基板 | |
| JP2002353514A (ja) | 発光ダイオード | |
| JP2000353825A (ja) | Ｌｅｄモジュール実装用基台の製造方法 | |
| JPH0870141A (ja) | Ｌｅｄランプ | |
| JP2001177151A (ja) | チップ部品型ｌｅｄ | |
| JP2005294292A (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
| JP2000091645A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040309 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040312 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080319 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |