JP2000036621A - 側面型電子部品の電極構造 - Google Patents
側面型電子部品の電極構造Info
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- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子部品集合体をダイシング等で切断して得
るチップ部品の切断面にできるバリ等が半田付け不良を
発生する。 【解決手段】 絶縁基板１の上面端部に対向する一対の
上面電極２と、その裏面に下面電極３と、その側面に、
上下面電極２、３と連なる側面電極４を形成して、一方
の上面電極２にＬＥＤ素子５の一方の電極を、他方の上
面電極２にＬＥＤ素子５の他方の電極をそれぞれ接続
し、封止樹脂７で封止してなる側面発光型ＬＥＤ８の電
極構造で、電極の中で少なくともプリント基板９と半田
付けする電極部を半田の濡れ性の良い電解半田メッキに
より半田メッキ層１２（半田電極）を形成する。カット
断面の多少のバリ等があり、又は薄い半田クリームを使
用しても半田付け不良は発生しない。製品の信頼性が著
しく向上した。側面受光型フォトトランジスタ・フォト
ダイオードでも同様である。
るチップ部品の切断面にできるバリ等が半田付け不良を
発生する。 【解決手段】 絶縁基板１の上面端部に対向する一対の
上面電極２と、その裏面に下面電極３と、その側面に、
上下面電極２、３と連なる側面電極４を形成して、一方
の上面電極２にＬＥＤ素子５の一方の電極を、他方の上
面電極２にＬＥＤ素子５の他方の電極をそれぞれ接続
し、封止樹脂７で封止してなる側面発光型ＬＥＤ８の電
極構造で、電極の中で少なくともプリント基板９と半田
付けする電極部を半田の濡れ性の良い電解半田メッキに
より半田メッキ層１２（半田電極）を形成する。カット
断面の多少のバリ等があり、又は薄い半田クリームを使
用しても半田付け不良は発生しない。製品の信頼性が著
しく向上した。側面受光型フォトトランジスタ・フォト
ダイオードでも同様である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント基板に側
面実装する構造の側面発光型ＬＥＤ又は側面受光型フォ
トトランジスタ及び側面受光型フォトダイオード等の電
極構造に関する。
面実装する構造の側面発光型ＬＥＤ又は側面受光型フォ
トトランジスタ及び側面受光型フォトダイオード等の電
極構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子機器は、高性能化、多機能化
とともに小型化、軽量化を追求している。そのため電子
部品をプリント基板上に実装し、樹脂封止するものが多
い。ＳＭＤ部品の多くは略平行六面体形状をしており、
プリント基板上の配線パターンに半田付け等の固着手段
で接続される。
とともに小型化、軽量化を追求している。そのため電子
部品をプリント基板上に実装し、樹脂封止するものが多
い。ＳＭＤ部品の多くは略平行六面体形状をしており、
プリント基板上の配線パターンに半田付け等の固着手段
で接続される。
【０００３】前記一般的なＳＭＤ型ＬＥＤの構造につい
て、図面に基づいてその概要を説明する。
て、図面に基づいてその概要を説明する。
【０００４】図３〜図５は、従来の一般的なＳＭＤ型Ｌ
ＥＤに係わり、図３は、ＳＭＤ型ＬＥＤの外観を示す斜
視図、図４は、ＬＥＤ素子の実装状態を説明する斜視
図、図５は、ＳＭＤ型ＬＥＤをプリント基板に半田付け
して側面発光型に実装した状態の説明図である。
ＥＤに係わり、図３は、ＳＭＤ型ＬＥＤの外観を示す斜
視図、図４は、ＬＥＤ素子の実装状態を説明する斜視
図、図５は、ＳＭＤ型ＬＥＤをプリント基板に半田付け
して側面発光型に実装した状態の説明図である。
【０００５】図３及び図４において、絶縁基板１は、ガ
ラスエポキシ樹脂等よりなる上下両面が銅箔張りされた
多数個取りするための集合絶縁基板を工程の最後にダイ
シング等で単体に切断されたものである。前記銅箔部を
露光、エッチング等で必要な電極パターンを形成し、そ
の上にＮｉメッキ層を形成し、更に、その上にＡｕメッ
キ層を積層した金属部の総厚が概ね２０〜３０μｍ程度
形成されている絶縁基板である。
ラスエポキシ樹脂等よりなる上下両面が銅箔張りされた
多数個取りするための集合絶縁基板を工程の最後にダイ
シング等で単体に切断されたものである。前記銅箔部を
露光、エッチング等で必要な電極パターンを形成し、そ
の上にＮｉメッキ層を形成し、更に、その上にＡｕメッ
キ層を積層した金属部の総厚が概ね２０〜３０μｍ程度
形成されている絶縁基板である。
【０００６】前記絶縁基板１の上面端部には対向する一
対の上面電極２と、下面端部には対向する一対の下面電
極３及び、前記上面電極２及び前記下面電極３と連なる
ように側面電極４が形成されている。前記一対の上面電
極２の一方の上面電極２ａに、ＬＥＤ素子５がダイボン
ディングされ、他方の上面電極２ｂにＡｕワイヤ等より
なるボンディングワイヤ６で接続されている。７は、前
記ＬＥＤ素子５及び接続部の保護と、前記ＬＥＤ素子５
の発光を効果的にするために、透光性のエポキシ樹脂等
で封止する封止樹脂である。
対の上面電極２と、下面端部には対向する一対の下面電
極３及び、前記上面電極２及び前記下面電極３と連なる
ように側面電極４が形成されている。前記一対の上面電
極２の一方の上面電極２ａに、ＬＥＤ素子５がダイボン
ディングされ、他方の上面電極２ｂにＡｕワイヤ等より
なるボンディングワイヤ６で接続されている。７は、前
記ＬＥＤ素子５及び接続部の保護と、前記ＬＥＤ素子５
の発光を効果的にするために、透光性のエポキシ樹脂等
で封止する封止樹脂である。
【０００７】上記したＳＭＤ型ＬＥＤ８は、集合体で多
数個取りするために、１個の単体完成チップ部品とする
のにダイシング等で切断したカット断面（図１、図２の
Ａ）が後述するプリント基板の半田付けランドと接す
る。このカット断面ＡにはＣｕ／Ｎｉ等のカット断面が
露出しダイシング工程でカッターの切れ味が落ちるとバ
リＢが大きく発生する。
数個取りするために、１個の単体完成チップ部品とする
のにダイシング等で切断したカット断面（図１、図２の
Ａ）が後述するプリント基板の半田付けランドと接す
る。このカット断面ＡにはＣｕ／Ｎｉ等のカット断面が
露出しダイシング工程でカッターの切れ味が落ちるとバ
リＢが大きく発生する。
【０００８】図５において、プリント基板等のマザーボ
ード９上のランド１０に、ＳＭＤ型ＬＥＤ８のカット断
面ＡにＡｕメッキを施すか、又はカット面Ａをそのまま
使用して載置し、側面電極４とランド１０とを半田１１
により半田付けし側面発光型として実装する。
ード９上のランド１０に、ＳＭＤ型ＬＥＤ８のカット断
面ＡにＡｕメッキを施すか、又はカット面Ａをそのまま
使用して載置し、側面電極４とランド１０とを半田１１
により半田付けし側面発光型として実装する。
【０００９】前記絶縁基板１はガラスエポキシ基板を使
用したが、アルミナセラミック基板、ポリエステルやポ
リイミド等のプラスチックフィルム基板等を使用しても
良いことは言うまでもない。
用したが、アルミナセラミック基板、ポリエステルやポ
リイミド等のプラスチックフィルム基板等を使用しても
良いことは言うまでもない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来のＳＭＤ型ＬＥＤを側面発光型として使用するの
には次のような問題点がある。即ち、近年の実装技術の
進歩に伴い、半田クリームの厚みが薄くなり、従来の電
極構造ではダイシング等におけるカット時のバリ等が悪
影響して半田の濡れ性が悪く、図５に示すように、半田
が上方へ濡れ上がっていかずＬＥＤチップとマザーボー
ドのランドの接触端面に半田が付かない、所謂、半田付
け不良が発生し、製品の信頼性を損ねる等の致命的な問
題が発生した。
た従来のＳＭＤ型ＬＥＤを側面発光型として使用するの
には次のような問題点がある。即ち、近年の実装技術の
進歩に伴い、半田クリームの厚みが薄くなり、従来の電
極構造ではダイシング等におけるカット時のバリ等が悪
影響して半田の濡れ性が悪く、図５に示すように、半田
が上方へ濡れ上がっていかずＬＥＤチップとマザーボー
ドのランドの接触端面に半田が付かない、所謂、半田付
け不良が発生し、製品の信頼性を損ねる等の致命的な問
題が発生した。
【００１１】本発明は上記従来の課題に鑑みなされたも
のであり、その目的は、半田付け電極部にバリを含めて
電解半田メッキを施し、電極面全てに半田メッキが付き
半田濡れ性が向上し、半田付け不良の発生しない、信頼
性が著しく向上した側面発光型ＬＥＤ等の側面型電子部
品の電極構造を提供するものである。
のであり、その目的は、半田付け電極部にバリを含めて
電解半田メッキを施し、電極面全てに半田メッキが付き
半田濡れ性が向上し、半田付け不良の発生しない、信頼
性が著しく向上した側面発光型ＬＥＤ等の側面型電子部
品の電極構造を提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明における側面型電子部品の電極構造は、集合
絶縁基板の上面側に複数の対向する一対の上面電極を設
け、該一対の上面電極は、それぞれその裏面に下面電極
と、その側面に、前記上面電極及び前記下面電極と連な
る側面電極を形成して、前記一方の上面電極に電子部品
の一方の電極を、他方の上面電極に前記電子部品の他方
の電極をそれぞれ接続した複数個の電子部品と前記集合
絶縁基板の上面全域を樹脂封止し、前記集合絶縁基板を
切断・分離して、切断面をプリント基板に向けて実装す
る側面型電子部品の電極構造において、前記側面型電子
部品の前記上面、下面、側面電極の中で少なくとも前記
プリント基板と半田付けする電極部及び該電極部の切断
面上に、半田の濡れ性部材を形成したことを特徴とする
ものである。
に、本発明における側面型電子部品の電極構造は、集合
絶縁基板の上面側に複数の対向する一対の上面電極を設
け、該一対の上面電極は、それぞれその裏面に下面電極
と、その側面に、前記上面電極及び前記下面電極と連な
る側面電極を形成して、前記一方の上面電極に電子部品
の一方の電極を、他方の上面電極に前記電子部品の他方
の電極をそれぞれ接続した複数個の電子部品と前記集合
絶縁基板の上面全域を樹脂封止し、前記集合絶縁基板を
切断・分離して、切断面をプリント基板に向けて実装す
る側面型電子部品の電極構造において、前記側面型電子
部品の前記上面、下面、側面電極の中で少なくとも前記
プリント基板と半田付けする電極部及び該電極部の切断
面上に、半田の濡れ性部材を形成したことを特徴とする
ものである。
【００１３】また、前記側面型電子部品が側面発光型Ｌ
ＥＤであって、この側面発光型ＬＥＤの前記上面、下
面、側面電極の中で少なくともプリント基板と半田付け
する電極部及び該電極部の切断面上に半田の濡れ性部材
を形成したことを特徴とするものである。
ＥＤであって、この側面発光型ＬＥＤの前記上面、下
面、側面電極の中で少なくともプリント基板と半田付け
する電極部及び該電極部の切断面上に半田の濡れ性部材
を形成したことを特徴とするものである。
【００１４】また、前記側面型電子部品が側面受光型フ
ォトトランジスタ又は側面受光型フォトダイオードであ
って、この側面受光型フォトトランジスタ又は側面受光
型フォトダイオードの前記上面、下面、側面電極の中で
少なくともプリント基板と半田付けする電極部及び該電
極部の切断面上に半田の濡れ性部材を形成したことを特
徴とするものである。
ォトトランジスタ又は側面受光型フォトダイオードであ
って、この側面受光型フォトトランジスタ又は側面受光
型フォトダイオードの前記上面、下面、側面電極の中で
少なくともプリント基板と半田付けする電極部及び該電
極部の切断面上に半田の濡れ性部材を形成したことを特
徴とするものである。
【００１５】また、前記半田の濡れ性部材は、半田メッ
キにより形成された半田メッキ層であることを特徴する
ものである。
キにより形成された半田メッキ層であることを特徴する
ものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下図面に基づいて本発明におけ
る側面発光型ＬＥＤの電極構造について説明する。図１
及び図２は本発明の実施の形態に係わり、図１は、側面
発光型ＬＥＤの電極構造を示す外観斜視図である。図２
は、図１の側面発光型ＬＥＤをマザーボードに半田付け
し側面発光型に実装した状態を示す説明図である。図に
おいて、従来技術と同一部材は同一符号で示す。
る側面発光型ＬＥＤの電極構造について説明する。図１
及び図２は本発明の実施の形態に係わり、図１は、側面
発光型ＬＥＤの電極構造を示す外観斜視図である。図２
は、図１の側面発光型ＬＥＤをマザーボードに半田付け
し側面発光型に実装した状態を示す説明図である。図に
おいて、従来技術と同一部材は同一符号で示す。
【００１７】図１において、電極構造を除く他の側面発
光型ＬＥＤ８（ＳＭＤ型ＬＥＤ）の構造は、従来技術と
同様であるので説明は省略する。本発明の側面発光型Ｌ
ＥＤ８の電極構造は、従来の全電極面、即ち、絶縁基板
１の上面端部に対向する一対の上面電極２と、下面電極
３と、上面電極２と下面電極３と連なる側面電極４及び
前記カット断面Ａに現れるＣｕ／Ｎｉ等の金属面と、カ
ット断面Ａに現れるバリＢ等を含む、チップＬＥＤ全て
の金属面に半田の付きを良くする半田の濡れ性部材とし
て、電解半田メッキを施し半田メッキ層１２（半田電
極）を形成する。
光型ＬＥＤ８（ＳＭＤ型ＬＥＤ）の構造は、従来技術と
同様であるので説明は省略する。本発明の側面発光型Ｌ
ＥＤ８の電極構造は、従来の全電極面、即ち、絶縁基板
１の上面端部に対向する一対の上面電極２と、下面電極
３と、上面電極２と下面電極３と連なる側面電極４及び
前記カット断面Ａに現れるＣｕ／Ｎｉ等の金属面と、カ
ット断面Ａに現れるバリＢ等を含む、チップＬＥＤ全て
の金属面に半田の付きを良くする半田の濡れ性部材とし
て、電解半田メッキを施し半田メッキ層１２（半田電
極）を形成する。
【００１８】図２において、プリント基板等のマザーボ
ード９上のランド１０に、側面発光型ＬＥＤ８としてカ
ット断面Ａを接し所定の位置に載置した状態で、ランド
１０と側面電極４の半田メッキ層１２とを半田１１で半
田付け等の固着手段により側面実装する。バリＢ等を含
む全ての金属面に半田メッキ層１２が施されているの
で、半田の濡れ性が著しく向上し、半田不良の発生がな
い。近年使用さている薄い半田クリーム（例えば、０．
１２ｍｍ厚）を使用しても半田付け不良が発生しない。
ード９上のランド１０に、側面発光型ＬＥＤ８としてカ
ット断面Ａを接し所定の位置に載置した状態で、ランド
１０と側面電極４の半田メッキ層１２とを半田１１で半
田付け等の固着手段により側面実装する。バリＢ等を含
む全ての金属面に半田メッキ層１２が施されているの
で、半田の濡れ性が著しく向上し、半田不良の発生がな
い。近年使用さている薄い半田クリーム（例えば、０．
１２ｍｍ厚）を使用しても半田付け不良が発生しない。
【００１９】上記した様に、電解半田メッキによる半田
メッキ層１２は全ての金属面に施したが、電極の中で少
なくとも側面発光型ＬＥＤとしてプリント基板と半田付
けする電極（図１、図２の側面電極４とバリＢを含む）
に半田メッキ層１２が形成されていれば良い。
メッキ層１２は全ての金属面に施したが、電極の中で少
なくとも側面発光型ＬＥＤとしてプリント基板と半田付
けする電極（図１、図２の側面電極４とバリＢを含む）
に半田メッキ層１２が形成されていれば良い。
【００２０】上述した実施の形態の電極構造は、側面発
光型ＬＥＤの電極構造について説明したが、ＬＥＤ素子
の代わりに、フォトダイオード又はフォトトランジスタ
等の受光素子を実装した側面受光型フォトダイオード又
はフォトトランジスタについても、側面受光型としてプ
リント基板と半田付けする電極に半田メッキ層を形成す
ることにより、同様な作用効果を得ることは言うまでも
ない。
光型ＬＥＤの電極構造について説明したが、ＬＥＤ素子
の代わりに、フォトダイオード又はフォトトランジスタ
等の受光素子を実装した側面受光型フォトダイオード又
はフォトトランジスタについても、側面受光型としてプ
リント基板と半田付けする電極に半田メッキ層を形成す
ることにより、同様な作用効果を得ることは言うまでも
ない。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
側面型電子部品の電極構造において、プリント基板に少
なくとも半田付けする電極部及び該電極部の切断面に半
田メッキを施すことで、半田の濡れ性が著しく向上する
ので、カット断面に多少のバリ等があっても、また、近
年使用されている薄い半田クリームを使用しても半田付
け不良が発生しない、高い信頼性の側面型電子部品の電
極構造を提供することが出来た。
側面型電子部品の電極構造において、プリント基板に少
なくとも半田付けする電極部及び該電極部の切断面に半
田メッキを施すことで、半田の濡れ性が著しく向上する
ので、カット断面に多少のバリ等があっても、また、近
年使用されている薄い半田クリームを使用しても半田付
け不良が発生しない、高い信頼性の側面型電子部品の電
極構造を提供することが出来た。
【図１】本発明の実施の形態に係わる側面発光型ＬＥＤ
の電極構造を示す外観斜視図である。
の電極構造を示す外観斜視図である。
【図２】図１の側面発光型ＬＥＤをマザーボードに半田
付けし側面発光型に実装した状態を示す説明図である。
付けし側面発光型に実装した状態を示す説明図である。
【図３】従来のＳＭＤ型ＬＥＤの電極構造を示す外観斜
視図である。
視図である。
【図４】図３のＬＥＤの実装状態を説明する斜視図であ
る。
る。
【図５】図３のＳＭＤ型ＬＥＤをプリント基板に半田付
けし側面発光型に実装した状態を示す説明図である。
けし側面発光型に実装した状態を示す説明図である。
１ 絶縁基板 ２ 上面電極 ３ 下面電極 ４ 側面電極 ５ ＬＥＤ素子 ６ ボンディングワイヤ ７ 封止樹脂 ８ 側面発光型ＬＥＤ（ＳＭＤ型ＬＥＤ） ９ マザーボード １０ ランド １１ 半田 １２ 半田メッキ層（半田電極） Ａ カット断面 Ｂ バリ
Claims (4)
- 【請求項１】 集合絶縁基板の上面側に複数の対向する
一対の上面電極を設け、該一対の上面電極は、それぞれ
その裏面に下面電極と、その側面に、前記上面電極及び
前記下面電極と連なる側面電極を形成して、前記一方の
上面電極に電子部品の一方の電極を、他方の上面電極に
前記電子部品の他方の電極をそれぞれ接続した複数個の
電子部品と前記集合絶縁基板の上面全域を樹脂封止し、
前記集合絶縁基板を切断・分離して、切断面をプリント
基板に向けて実装する側面型電子部品の電極構造におい
て、前記側面型電子部品の前記上面、下面、側面電極の
中で少なくとも前記プリント基板と半田付けする電極部
及び該電極部の切断面上に、半田の濡れ性部材を形成し
たことを特徴とする側面型電子部品の電極構造。 - 【請求項２】 前記側面型電子部品が側面発光型ＬＥＤ
であって、この側面発光型ＬＥＤの前記上面、下面、側
面電極の中で少なくともプリント基板と半田付けする電
極部及び該電極部の切断面上に半田の濡れ性部材を形成
したことを特徴とする請求項１記載の側面型電子部品の
電極構造。 - 【請求項３】 前記側面型電子部品が側面受光型フォト
トランジスタ又は側面受光型フォトダイオードであっ
て、この側面受光型フォトトランジスタ又は側面受光型
フォトダイオードの前記上面、下面、側面電極の中で少
なくともプリント基板と半田付けする電極部及び該電極
部の切断面上に半田の濡れ性部材を形成したことを特徴
とする請求項１記載の側面型電子部品の電極構造。 - 【請求項４】 前記半田の濡れ性部材は、半田メッキに
より形成された半田メッキ層であることを特徴する請求
項１〜３のいづれかに記載の側面型電子部品の電極構
造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21656898A JP2000036621A (ja) | 1998-07-16 | 1998-07-16 | 側面型電子部品の電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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ID=16690474
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|---|---|---|---|
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008153698A (ja) * | 2008-03-07 | 2008-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 面実装型光電変換装置 |
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-
1998
- 1998-07-16 JP JP21656898A patent/JP2000036621A/ja active Pending
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