JP2002353514A - 発光ダイオード - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プリント配線基板に開設した孔にＴ字状の発
光ダイオードを貫通させて表面実装する場合に、前記孔
の開口面積をできるだけ小さくし、発光ダイオード以外
にも表面実装される各種電子部品の高密度化を図ること
である。 【解決手段】 一対の外部接続用電極３４，３５が設け
られたベース部３２ａ，３２ｂと、このベース部３２
ａ，３２ｂの略中央部から立ち上がる本体部３３とで略
Ｔ字状に形成され、前記本体部３３には発光ダイオード
素子４５が配置され、この発光ダイオード素子４５と前
記外部接続用電極３４，３５とが電気的に接続されると
共に発光ダイオード素子４５が樹脂封止体４７によって
被覆され、且つベース部３２ａ，３２ｂから本体部３３
に立ち上がる両者の角部４０ａ，４０ｂにはベース部３
２ａ，３２ｂ側をえぐる凹部４１ａ，４１ｂが形成され
ている。
光ダイオードを貫通させて表面実装する場合に、前記孔
の開口面積をできるだけ小さくし、発光ダイオード以外
にも表面実装される各種電子部品の高密度化を図ること
である。 【解決手段】 一対の外部接続用電極３４，３５が設け
られたベース部３２ａ，３２ｂと、このベース部３２
ａ，３２ｂの略中央部から立ち上がる本体部３３とで略
Ｔ字状に形成され、前記本体部３３には発光ダイオード
素子４５が配置され、この発光ダイオード素子４５と前
記外部接続用電極３４，３５とが電気的に接続されると
共に発光ダイオード素子４５が樹脂封止体４７によって
被覆され、且つベース部３２ａ，３２ｂから本体部３３
に立ち上がる両者の角部４０ａ，４０ｂにはベース部３
２ａ，３２ｂ側をえぐる凹部４１ａ，４１ｂが形成され
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオードに
係り、特にＴ字状に形成された側面発光タイプの発光ダ
イオードに関するものである。
係り、特にＴ字状に形成された側面発光タイプの発光ダ
イオードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、携帯電話に代表される小型電子機
器の液晶表示では、バックライト用の光源としてチップ
型の発光ダイオードが利用されることが多い。このチッ
プ型発光ダイオード１は、例えば図１０に示したよう
に、ガラスエポキシ基板２（以下、ガラエポ基板とい
う）の上面に一対の電極３，４をパターン形成し、一方
の電極３の上に導電性接着剤（図示せず）を用いて発光
ダイオード素子６を固着すると共に、発光ダイオード素
子６の上面電極と前記他方の電極４とをボンディングワ
イヤ７で接続し、このボンディングワイヤ７及び発光ダ
イオード素子６を透明樹脂体８によって封止した構造で
あり、プリント配線基板（以下ＰＣＢという）９に表面
実装されるタイプである。
器の液晶表示では、バックライト用の光源としてチップ
型の発光ダイオードが利用されることが多い。このチッ
プ型発光ダイオード１は、例えば図１０に示したよう
に、ガラスエポキシ基板２（以下、ガラエポ基板とい
う）の上面に一対の電極３，４をパターン形成し、一方
の電極３の上に導電性接着剤（図示せず）を用いて発光
ダイオード素子６を固着すると共に、発光ダイオード素
子６の上面電極と前記他方の電極４とをボンディングワ
イヤ７で接続し、このボンディングワイヤ７及び発光ダ
イオード素子６を透明樹脂体８によって封止した構造で
あり、プリント配線基板（以下ＰＣＢという）９に表面
実装されるタイプである。
【０００３】上記のチップ型発光ダイオード１を液晶表
示のバックライト用の光源として利用する場合、例えば
図１１に示すように、チップ型発光ダイオード１をＰＣ
Ｂ９の裏面側に配置し、ガラエポ基板２の上記電極３，
４を半田１０で固定すると共に、ＰＣＢ９に開設した孔
１１の中にチップ型発光ダイオード１の透明樹脂体８を
差し込む方法が取られている。発光ダイオード素子６か
ら上方向に発光した光は、ＰＣＢ９の上面側に配置した
導光板１３の端部の反射面１４に当たって略直角方向に
屈折され、導光板１３内に真っ直ぐ導かれることで、液
晶表示の裏面側を照射する。
示のバックライト用の光源として利用する場合、例えば
図１１に示すように、チップ型発光ダイオード１をＰＣ
Ｂ９の裏面側に配置し、ガラエポ基板２の上記電極３，
４を半田１０で固定すると共に、ＰＣＢ９に開設した孔
１１の中にチップ型発光ダイオード１の透明樹脂体８を
差し込む方法が取られている。発光ダイオード素子６か
ら上方向に発光した光は、ＰＣＢ９の上面側に配置した
導光板１３の端部の反射面１４に当たって略直角方向に
屈折され、導光板１３内に真っ直ぐ導かれることで、液
晶表示の裏面側を照射する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
チップ型発光ダイオード１にあっては、反射面１４で直
角方向に屈曲した光だけが導光板１３内に導かれること
から、発光ダイオード素子６で発光しても有効に利用さ
れない光が多く存在すると共に、反射面１４でも光の損
失が生じてしまうといった問題があった。
チップ型発光ダイオード１にあっては、反射面１４で直
角方向に屈曲した光だけが導光板１３内に導かれること
から、発光ダイオード素子６で発光しても有効に利用さ
れない光が多く存在すると共に、反射面１４でも光の損
失が生じてしまうといった問題があった。
【０００５】そこで、本件出願人は、上記の問題を解決
するために、特願２０００−２７８０８７号において、
図１２及び図１３に示すようなＴ字状の発光ダイオード
１６を提案した。このＴ字状の発光ダイオード１６は、
左右のベース部１７ａ，１７ｂと、このベース部１７
ａ，１７ｂの中央から立ち上がる本体部１８とで略Ｔ字
状に形成され、ベース部１７ａ，１７ｂの上面をＰＣＢ
１９の裏面に固定すると共に、本体部１８をＰＣＢ１９
に設けた円孔２０から上面側に貫通させたものである。
このような構成からなる発光ダイオード１６では、発光
部２１がＰＣＢ１９の上面側で横方向に発光するので、
その発光した光をそのまま導光板１４の端部に導くこと
ができ、光損失が少なくて済むといった効果がある。
するために、特願２０００−２７８０８７号において、
図１２及び図１３に示すようなＴ字状の発光ダイオード
１６を提案した。このＴ字状の発光ダイオード１６は、
左右のベース部１７ａ，１７ｂと、このベース部１７
ａ，１７ｂの中央から立ち上がる本体部１８とで略Ｔ字
状に形成され、ベース部１７ａ，１７ｂの上面をＰＣＢ
１９の裏面に固定すると共に、本体部１８をＰＣＢ１９
に設けた円孔２０から上面側に貫通させたものである。
このような構成からなる発光ダイオード１６では、発光
部２１がＰＣＢ１９の上面側で横方向に発光するので、
その発光した光をそのまま導光板１４の端部に導くこと
ができ、光損失が少なくて済むといった効果がある。
【０００６】ところで、上記提案したＴ字状の発光ダイ
オード１６は、ベース部１７ａ，１７ｂから本体部１８
が立ち上がる角部２２ａ，２２ｂが成形工程上、アール
の付いた湾曲形状となってしまう。それ故、円孔２０の
周縁部が角部２２の湾曲部分に当たらないように、ＰＣ
Ｂ１９に開設した円孔２０の直径Ｒ１を大きくして、ベ
ース部１７ａ，１７ｂの上面を円孔２０の周縁部の下面
に密着させて確実に半田固定できるようにしている。し
かし、上記のように円孔２０を大きく形成してしまう
と、ＰＣＢ１９に表面実装される電子部品の高密度化及
び搭載機器の小型化を図る上からは不利となる。
オード１６は、ベース部１７ａ，１７ｂから本体部１８
が立ち上がる角部２２ａ，２２ｂが成形工程上、アール
の付いた湾曲形状となってしまう。それ故、円孔２０の
周縁部が角部２２の湾曲部分に当たらないように、ＰＣ
Ｂ１９に開設した円孔２０の直径Ｒ１を大きくして、ベ
ース部１７ａ，１７ｂの上面を円孔２０の周縁部の下面
に密着させて確実に半田固定できるようにしている。し
かし、上記のように円孔２０を大きく形成してしまう
と、ＰＣＢ１９に表面実装される電子部品の高密度化及
び搭載機器の小型化を図る上からは不利となる。
【０００７】そこで、本発明の目的は、Ｔ字状の発光ダ
イオードをＰＣＢ上に表面実装する場合に、発光ダイオ
ードを貫通させるためにＰＣＢに開設する孔の開口をで
きるだけ小さくして、表面実装される電子部品の高密度
化及び搭載機器の小型化を図ることである。
イオードをＰＣＢ上に表面実装する場合に、発光ダイオ
ードを貫通させるためにＰＣＢに開設する孔の開口をで
きるだけ小さくして、表面実装される電子部品の高密度
化及び搭載機器の小型化を図ることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の請求項１に係る発光ダイオードは、一対の
外部接続用電極が設けられたベース部と、このベース部
の略中央部から立ち上がる本体部とで略Ｔ字状に形成さ
れ、前記本体部には発光部が設けられ、この発光部と前
記外部接続用電極とが電気的に接続されると共に発光部
が樹脂封止され、且つベース部から本体部に立ち上がる
両者の角部にはベース部側及び本体部側の少なくとも一
方側をえぐる凹部が形成されていることを特徴とする。
に、本発明の請求項１に係る発光ダイオードは、一対の
外部接続用電極が設けられたベース部と、このベース部
の略中央部から立ち上がる本体部とで略Ｔ字状に形成さ
れ、前記本体部には発光部が設けられ、この発光部と前
記外部接続用電極とが電気的に接続されると共に発光部
が樹脂封止され、且つベース部から本体部に立ち上がる
両者の角部にはベース部側及び本体部側の少なくとも一
方側をえぐる凹部が形成されていることを特徴とする。
【０００９】この発明によれば、発光ダイオードを略Ｔ
字状に形成したことから、発光ダイオードをＰＣＢの裏
面側で固定した場合でも発光ダイオードの発光部を表面
側に露出させ、側面発光させることができるので、液晶
表示のバックライト用の光源として使用した場合には、
従来のような光の反射を利用することなく発光部で発光
した光の多くを導光板内に導くことができる。また、ベ
ース部と本体部との角部に凹部を形成したことによっ
て、ＰＣＢに開設した孔の周縁部が角部での湾曲形状の
影響を受けにくくなり、結果的に孔の開口を小さくする
ことができる。
字状に形成したことから、発光ダイオードをＰＣＢの裏
面側で固定した場合でも発光ダイオードの発光部を表面
側に露出させ、側面発光させることができるので、液晶
表示のバックライト用の光源として使用した場合には、
従来のような光の反射を利用することなく発光部で発光
した光の多くを導光板内に導くことができる。また、ベ
ース部と本体部との角部に凹部を形成したことによっ
て、ＰＣＢに開設した孔の周縁部が角部での湾曲形状の
影響を受けにくくなり、結果的に孔の開口を小さくする
ことができる。
【００１０】請求項２の発明は、請求項１に記載の発光
ダイオードにおいて、前記凹部がベース部側に形成さ
れ、このベース部側を実装基板の裏面側に配置して前記
本体部を実装基板に開設した孔に貫通させた時、孔の開
口縁が凹部の上方に位置していることを特徴とする。
ダイオードにおいて、前記凹部がベース部側に形成さ
れ、このベース部側を実装基板の裏面側に配置して前記
本体部を実装基板に開設した孔に貫通させた時、孔の開
口縁が凹部の上方に位置していることを特徴とする。
【００１１】この発明によれば、凹部を発光ダイオード
のベース部側に凹部を設けたことで、実装基板に開設し
た孔の周縁部を凹部の上方に位置させても湾曲部の影響
が殆どない。
のベース部側に凹部を設けたことで、実装基板に開設し
た孔の周縁部を凹部の上方に位置させても湾曲部の影響
が殆どない。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
に係る発光ダイオードの実施形態を詳細に説明する。図
１及び図２に示した発光ダイオードにおいて、図１はＰ
ＣＢとの関係を示す発光ダイオード全体の外観図、図２
は前記図１における発光ダイオードの正面図である。
に係る発光ダイオードの実施形態を詳細に説明する。図
１及び図２に示した発光ダイオードにおいて、図１はＰ
ＣＢとの関係を示す発光ダイオード全体の外観図、図２
は前記図１における発光ダイオードの正面図である。
【００１３】図１及び図２に示されるように、この実施
形態に係る発光ダイオード３０は、ガラエポ基板やＢＴ
レジン（Bismaleimide Triazine Resin）基板などで作
られており、ＰＣＢ３１の裏面側に固着される横長のベ
ース部３２ａ，３２ｂと、このベース部３２ａ，３２ｂ
の略中央部分から立ち上がる本体部３３とで略Ｔ字状に
形成される。ベース部３２ａ，３２ｂの上面にはそれぞ
れの外部接続用電極３４，３５が全面に形成され、また
一方のベース部３２ａの前面側には発光ダイオード３０
の極性を示すカソードマーク４２が印刷されている。な
お、同じベース部３２ａの裏面側にも同様のカソードマ
ークが印刷されている。
形態に係る発光ダイオード３０は、ガラエポ基板やＢＴ
レジン（Bismaleimide Triazine Resin）基板などで作
られており、ＰＣＢ３１の裏面側に固着される横長のベ
ース部３２ａ，３２ｂと、このベース部３２ａ，３２ｂ
の略中央部分から立ち上がる本体部３３とで略Ｔ字状に
形成される。ベース部３２ａ，３２ｂの上面にはそれぞ
れの外部接続用電極３４，３５が全面に形成され、また
一方のベース部３２ａの前面側には発光ダイオード３０
の極性を示すカソードマーク４２が印刷されている。な
お、同じベース部３２ａの裏面側にも同様のカソードマ
ークが印刷されている。
【００１４】前記ベース部３２ａ，３２ｂの略中央部分
から立ち上がる本体部３３は直方体形状をしており、そ
の左右側面には前記外部接続用電極３４，３５から連続
して一体に延びる側面電極３６，３７が形成されてい
る。また、左右の側面電極３６，３７からは、本体部３
３の前面側にカソード電極３８とアノード電極３９が延
びており、結果的にこれらカソード電極３８及びアノー
ド電極３９が前記側面電極３６，３７を介して外部接続
用電極３４，３５にそれぞれ接続されることになる。
から立ち上がる本体部３３は直方体形状をしており、そ
の左右側面には前記外部接続用電極３４，３５から連続
して一体に延びる側面電極３６，３７が形成されてい
る。また、左右の側面電極３６，３７からは、本体部３
３の前面側にカソード電極３８とアノード電極３９が延
びており、結果的にこれらカソード電極３８及びアノー
ド電極３９が前記側面電極３６，３７を介して外部接続
用電極３４，３５にそれぞれ接続されることになる。
【００１５】一方、前記ベース部３２ａ，３２ｂから本
体部３３が立ち上がる両者の角部４０ａ，４０ｂは、前
述したように、ルーター（図示せず）によって成形加工
されるため湾曲形状をしているが、この実施形態では角
部４０ａ，４０ｂを成形した後さらにベース部３２ａ，
３２ｂ側をルーターでえぐり、ベース部３２ａ，３２ｂ
側に凹部４１ａ，４１ｂを形成する。凹部４１ａ，４１
ｂの溝深さおよび溝幅は特に限定されないが、少なくと
もベース部３２ａ，３２ｂに湾曲面を残さないように凹
部４１ａ，４１ｂを形成する必要がある。そうすること
によって、ベース部３２ａ，３２ｂの上面に形成された
外部接続用電極３４，３５の平滑性が確保されることに
なる。なお、上記凹部４１ａ，４１ｂは発光ダイオード
３０の成形工程の中で作られるためその内周面にもメッ
キが施され、外部接続用電極３４，３５に連続してい
る。
体部３３が立ち上がる両者の角部４０ａ，４０ｂは、前
述したように、ルーター（図示せず）によって成形加工
されるため湾曲形状をしているが、この実施形態では角
部４０ａ，４０ｂを成形した後さらにベース部３２ａ，
３２ｂ側をルーターでえぐり、ベース部３２ａ，３２ｂ
側に凹部４１ａ，４１ｂを形成する。凹部４１ａ，４１
ｂの溝深さおよび溝幅は特に限定されないが、少なくと
もベース部３２ａ，３２ｂに湾曲面を残さないように凹
部４１ａ，４１ｂを形成する必要がある。そうすること
によって、ベース部３２ａ，３２ｂの上面に形成された
外部接続用電極３４，３５の平滑性が確保されることに
なる。なお、上記凹部４１ａ，４１ｂは発光ダイオード
３０の成形工程の中で作られるためその内周面にもメッ
キが施され、外部接続用電極３４，３５に連続してい
る。
【００１６】前記本体部３３の前面側には先に提案した
発光ダイオード（特願２０００−２７８０８７号）と同
様の発光部が形成される。即ち、前記カソード電極３８
の上面には発光ダイオード素子４５が載置され、その下
面電極が導電性接着剤（図示せず）を介して固着されて
いる。また、発光ダイオード素子４５の上面電極はアノ
ード電極３９にボンディングワイヤ４６で接続されてい
る。そのため、外部接続用電極３４，３５からカソード
電極３８及びアノード電極３９を介して発光ダイオード
素子４５に電流が供給され、発光ダイオード素子４５の
上面から全方向に向けて発光される。なお、上記発光ダ
イオード素子４５の種類や発光色は何ら限定されるもの
ではない。
発光ダイオード（特願２０００−２７８０８７号）と同
様の発光部が形成される。即ち、前記カソード電極３８
の上面には発光ダイオード素子４５が載置され、その下
面電極が導電性接着剤（図示せず）を介して固着されて
いる。また、発光ダイオード素子４５の上面電極はアノ
ード電極３９にボンディングワイヤ４６で接続されてい
る。そのため、外部接続用電極３４，３５からカソード
電極３８及びアノード電極３９を介して発光ダイオード
素子４５に電流が供給され、発光ダイオード素子４５の
上面から全方向に向けて発光される。なお、上記発光ダ
イオード素子４５の種類や発光色は何ら限定されるもの
ではない。
【００１７】また、前記発光ダイオード素子４５及びボ
ンディングワイヤ４６は、本体部３３の前面側に設けら
れた樹脂封止体４７によって被覆されている。この樹脂
封止体４７は、本体部３３の前面側にブロック状に形成
されるもので、前述の発光ダイオード素子４５及びボン
ディングワイヤ４６の他、カソード電極３８及びアノー
ド電極３９を被覆している。樹脂封止体４７の材料には
例えば透光性を有するエポキシ系樹脂が用いられる。
ンディングワイヤ４６は、本体部３３の前面側に設けら
れた樹脂封止体４７によって被覆されている。この樹脂
封止体４７は、本体部３３の前面側にブロック状に形成
されるもので、前述の発光ダイオード素子４５及びボン
ディングワイヤ４６の他、カソード電極３８及びアノー
ド電極３９を被覆している。樹脂封止体４７の材料には
例えば透光性を有するエポキシ系樹脂が用いられる。
【００１８】上記のように樹脂封止体４７によって保護
された発光ダイオード３０は、図１及び図２に示したよ
うに、ＰＣＢ３１に開設された円孔４３に本体部３３を
裏面側から貫通させ、円孔４３の裏面周縁にベース部３
２の上面が固定されるが、前記円孔４３の直径Ｒ２は、
先に提案した発光ダイオード１６の円孔２０の直径Ｒ１
に比べて小さくて済む。即ち、この実施形態では円孔４
３を小さく形成したとしても、裏面側の開口縁４４が角
部４０ａ，４０ｂの湾曲形状に干渉することがなく、前
記凹部４１ａ，４１ｂの上方に位置するので、円孔４３
の裏面にベース部３２ａ，３２ｂの上面を隙間なくぴっ
たりと密着させることができる。その結果、外部接続用
電極３４，３５とＰＣＢ３１の裏面に形成されたプリン
ト配線４９ａ，４９ｂとの間に塗布した半田（図示せ
ず）による両者の固着が確実となり、両者間で確実な導
通が図られる。また、円孔４３の開口を小さくできた
分、電子部品の実装面積が拡大することになり、表面実
装される電子部品の高密度化が可能となる。
された発光ダイオード３０は、図１及び図２に示したよ
うに、ＰＣＢ３１に開設された円孔４３に本体部３３を
裏面側から貫通させ、円孔４３の裏面周縁にベース部３
２の上面が固定されるが、前記円孔４３の直径Ｒ２は、
先に提案した発光ダイオード１６の円孔２０の直径Ｒ１
に比べて小さくて済む。即ち、この実施形態では円孔４
３を小さく形成したとしても、裏面側の開口縁４４が角
部４０ａ，４０ｂの湾曲形状に干渉することがなく、前
記凹部４１ａ，４１ｂの上方に位置するので、円孔４３
の裏面にベース部３２ａ，３２ｂの上面を隙間なくぴっ
たりと密着させることができる。その結果、外部接続用
電極３４，３５とＰＣＢ３１の裏面に形成されたプリン
ト配線４９ａ，４９ｂとの間に塗布した半田（図示せ
ず）による両者の固着が確実となり、両者間で確実な導
通が図られる。また、円孔４３の開口を小さくできた
分、電子部品の実装面積が拡大することになり、表面実
装される電子部品の高密度化が可能となる。
【００１９】上記のように、ＰＣＢ３１に固定された発
光ダイオード３０は、発光ダイオード素子４５が横向き
の状態でＰＣＢ３１の表面に露出することになる。それ
故、これを液晶表示のバックライト用の光源として利用
する場合は、図３に示したように、ＰＣＢ３１の表面側
に配設された導光板５０の側端面５１の近傍に発光ダイ
オード素子４５を設定し、側端面５１に対向させる。発
光ダイオード素子４５からは強い光が横方向に向けて発
光されるが、その発光方向と導光板５０の導光方向とが
略一致するので、導光板５０の側端面５１に入射された
光は屈曲することなく、そのまま水平方向に真っ直ぐに
導かれる。このような方法では、導光板５０への入射光
量が増加すると共に、従来のような反射面を利用した光
の屈曲がないので、光の損失が極めて少なくなる。
光ダイオード３０は、発光ダイオード素子４５が横向き
の状態でＰＣＢ３１の表面に露出することになる。それ
故、これを液晶表示のバックライト用の光源として利用
する場合は、図３に示したように、ＰＣＢ３１の表面側
に配設された導光板５０の側端面５１の近傍に発光ダイ
オード素子４５を設定し、側端面５１に対向させる。発
光ダイオード素子４５からは強い光が横方向に向けて発
光されるが、その発光方向と導光板５０の導光方向とが
略一致するので、導光板５０の側端面５１に入射された
光は屈曲することなく、そのまま水平方向に真っ直ぐに
導かれる。このような方法では、導光板５０への入射光
量が増加すると共に、従来のような反射面を利用した光
の屈曲がないので、光の損失が極めて少なくなる。
【００２０】次に、上記構成からなる表面実装型の発光
ダイオード３０の製造工程を説明する。図４は本発明に
係る製造方法の全工程を示したもの、図５〜図９は個々
の製造工程を順に示したものである。先ず、図４及び図
５に示したように、両面に銅箔が形成されたエポキシ基
板５３にルーター（図示せず）を用いて四角孔５４を開
設した後、この四角孔５４の各コーナ部に前記と同じル
ーターを用いて凹部４１を形成する（第１工程）。高圧
洗浄によって切り子除去などを行なった後、四角孔５４
の内周面に銅メッキを施し、エポキシ基板５３の表面側
と裏面側との導通性を確保する（第２工程）。
ダイオード３０の製造工程を説明する。図４は本発明に
係る製造方法の全工程を示したもの、図５〜図９は個々
の製造工程を順に示したものである。先ず、図４及び図
５に示したように、両面に銅箔が形成されたエポキシ基
板５３にルーター（図示せず）を用いて四角孔５４を開
設した後、この四角孔５４の各コーナ部に前記と同じル
ーターを用いて凹部４１を形成する（第１工程）。高圧
洗浄によって切り子除去などを行なった後、四角孔５４
の内周面に銅メッキを施し、エポキシ基板５３の表面側
と裏面側との導通性を確保する（第２工程）。
【００２１】次に、エポキシ基板５３の両面に電極パタ
ーンのマスクとなる保護膜を被せ、図６に示すように、
エッチングによって前述の外部接続用電極３４，３５、
カソード電極３８及びアノード電極３９をパターン形成
し、集合回路基板５５を形成する（第３工程）。電極パ
ターンはエッチング以外に金属蒸着によっても形成する
ことができる。
ーンのマスクとなる保護膜を被せ、図６に示すように、
エッチングによって前述の外部接続用電極３４，３５、
カソード電極３８及びアノード電極３９をパターン形成
し、集合回路基板５５を形成する（第３工程）。電極パ
ターンはエッチング以外に金属蒸着によっても形成する
ことができる。
【００２２】次いで、図４及び図７に示したように、前
記形成されたカソード電極３８の上に導電性接着剤を介
して発光ダイオード素子４５を接着固定すると共に、発
光ダイオード素子４５の上面から延びるボンディングワ
イヤ４６の先端をアノード電極３９に接合する（第４工
程）。
記形成されたカソード電極３８の上に導電性接着剤を介
して発光ダイオード素子４５を接着固定すると共に、発
光ダイオード素子４５の上面から延びるボンディングワ
イヤ４６の先端をアノード電極３９に接合する（第４工
程）。
【００２３】次に、図４及び図８に示したように、前記
集合回路基板５５の上に金型５６を被せる。この金型５
６は、発光ダイオード素子４５及びボンディングワイヤ
４６の配設部分に対応して凹所５７が形成されたもので
あり、集合回路基板５５上に被せた時に外部接続用電極
３４，３５及び四角孔５４の上方を被覆する。このよう
にして被せた金型５６の凹所５７に無色透明のエポキシ
樹脂５８を充填し、発光ダイオード素子４５及びボンデ
ィングワイヤ４６を樹脂封止する。充填されたエポキシ
樹脂５８は硬化処理工程を経て硬化する（第５工程）。
集合回路基板５５の上に金型５６を被せる。この金型５
６は、発光ダイオード素子４５及びボンディングワイヤ
４６の配設部分に対応して凹所５７が形成されたもので
あり、集合回路基板５５上に被せた時に外部接続用電極
３４，３５及び四角孔５４の上方を被覆する。このよう
にして被せた金型５６の凹所５７に無色透明のエポキシ
樹脂５８を充填し、発光ダイオード素子４５及びボンデ
ィングワイヤ４６を樹脂封止する。充填されたエポキシ
樹脂５８は硬化処理工程を経て硬化する（第５工程）。
【００２４】最後の工程では、図４及び図９に示したよ
うに、先ず前記の金型５６を取り外す。この時、先の工
程で凹所５７に充填したエポキシ樹脂５８が硬化してす
だれ状の樹脂封止体４７を形成し、この樹脂封止体４７
によって発光ダイオード素子４５及びボンディングワイ
ヤ４６が封止される。次いで、集合回路基板５５上に想
定されたＸ軸（Ｘ１，Ｘ２，…Ｘｎ）とＹ軸（Ｙ１，Ｙ
２，…Ｙｎ）方向に沿って集合回路基板５５を切断し、
チップ状の発光ダイオードごとに分割する（第６工
程）。上述した一連の工程を経て、図１に示したような
Ｔ字状の発光ダイオード３０が完成する。
うに、先ず前記の金型５６を取り外す。この時、先の工
程で凹所５７に充填したエポキシ樹脂５８が硬化してす
だれ状の樹脂封止体４７を形成し、この樹脂封止体４７
によって発光ダイオード素子４５及びボンディングワイ
ヤ４６が封止される。次いで、集合回路基板５５上に想
定されたＸ軸（Ｘ１，Ｘ２，…Ｘｎ）とＹ軸（Ｙ１，Ｙ
２，…Ｙｎ）方向に沿って集合回路基板５５を切断し、
チップ状の発光ダイオードごとに分割する（第６工
程）。上述した一連の工程を経て、図１に示したような
Ｔ字状の発光ダイオード３０が完成する。
【００２５】なお、上述の実施形態では、凹部４１ａ，
４１ｂをベース部３２ａ，３２ｂ側に設けた場合につい
て説明したが、本体部３３側にも同様の凹部を形成し、
角部４０ａ，４０ｂの湾曲形状を殆どなくすることで、
ＰＣＢ３１に開設される円孔４３の直径をさらに小さく
することができる。
４１ｂをベース部３２ａ，３２ｂ側に設けた場合につい
て説明したが、本体部３３側にも同様の凹部を形成し、
角部４０ａ，４０ｂの湾曲形状を殆どなくすることで、
ＰＣＢ３１に開設される円孔４３の直径をさらに小さく
することができる。
【００２６】また、上記の実施形態では本発明に係る発
光ダイオード３０を液晶表示のバックライト用の光源と
して利用した場合について説明したが、これ以外にも利
用できることは勿論である。
光ダイオード３０を液晶表示のバックライト用の光源と
して利用した場合について説明したが、これ以外にも利
用できることは勿論である。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るＴ字
状の発光ダイオードによれば、ベース部と本体部とがＴ
字状をなし、その角部にＰＣＢに開設された孔の周縁部
との干渉を防ぐ凹部を形成したので、前記孔の開口を小
さくすることができ、表面実装される電子部品の高密度
化及び搭載機器の小型化が図られる。
状の発光ダイオードによれば、ベース部と本体部とがＴ
字状をなし、その角部にＰＣＢに開設された孔の周縁部
との干渉を防ぐ凹部を形成したので、前記孔の開口を小
さくすることができ、表面実装される電子部品の高密度
化及び搭載機器の小型化が図られる。
【図１】本発明に係る発光ダイオードの一実施形態を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図２】上記発光ダイオードをＰＣＢに実装した時の正
面図である。
面図である。
【図３】上記図２におけるＡ−Ａ線に沿った断面図であ
る。
る。
【図４】上記発光ダイオードの製造工程図である。
【図５】エポキシ基板に四角孔と凹部を形成する際の工
程図である。
程図である。
【図６】エポキシ基板上に電極パターンをエッチングし
て集合回路基板を形成する際の工程図である。
て集合回路基板を形成する際の工程図である。
【図７】集合回路基板上に発光ダイオード素子を搭載す
る際の工程図である。
る際の工程図である。
【図８】発光ダイオード素子とボンディングワイヤを樹
脂封止する際の工程図である。
脂封止する際の工程図である。
【図９】樹脂封止された集合回路基板をＸ，Ｙ軸方向に
分割する際の工程図である。
分割する際の工程図である。
【図１０】従来における発光ダイードの断面図である。
【図１１】従来の発光ダイオードをバックライト用の光
源として利用する場合の断面図である。
源として利用する場合の断面図である。
【図１２】先に提案したＴ字状発光ダイオードの斜視図
である。
である。
【図１３】Ｔ字状発光ダイオードをＰＣＢに実装したと
きの正面図である。
きの正面図である。
３０ 発光ダイオード ３１ プリント配線基板（実装基板） ３２ａ，３２ｂ ベース部 ３３ 本体部 ３４，３５ 外部接続用電極 ４０ａ，４０ｂ 角部 ４１ａ，４１ｂ 凹部 ４３ 孔（円孔） ４４ 開口縁 ４５ 発光ダイオード素子（発光部） ４７ 樹脂封止体
Claims (2)
- 【請求項１】 一対の外部接続用電極が設けられたベー
ス部と、このベース部の略中央部から立ち上がる本体部
とで略Ｔ字状に形成され、前記本体部には発光部が設け
られ、この発光部と前記外部接続用電極とが電気的に接
続されると共に発光部が樹脂封止され、且つベース部か
ら本体部に立ち上がる両者の角部にはベース部側及び本
体部側の少なくとも一方側をえぐる凹部が形成されてい
ることを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項２】 前記凹部がベース部側に形成され、この
ベース部側を実装基板の裏面側に配置して前記本体部を
実装基板に開設した孔に貫通させた時、孔の開口縁が凹
部の上方に位置していることを特徴とする請求項１記載
の発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001161976A JP4746767B2 (ja) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001161976A JP4746767B2 (ja) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | 発光ダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002353514A true JP2002353514A (ja) | 2002-12-06 |
| JP4746767B2 JP4746767B2 (ja) | 2011-08-10 |
Family
ID=19005174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001161976A Expired - Fee Related JP4746767B2 (ja) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | 発光ダイオード |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4746767B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009176847A (ja) * | 2008-01-23 | 2009-08-06 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
| US7942539B2 (en) | 2007-06-20 | 2011-05-17 | Denso Corporation | Light-emitting diode module for instrument panel |
| WO2011115395A2 (ko) * | 2010-03-15 | 2011-09-22 | 주식회사 포인트 엔지니어링 | 광소자 디바이스 및 그 제조 방법 |
| WO2012038303A1 (de) * | 2010-09-20 | 2012-03-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse und verfahren zum herstellen eines gehäuses |
| US9070853B2 (en) | 2010-09-20 | 2015-06-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Package for an optoelectronic semiconductor component and semiconductor component |
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|---|---|---|---|---|
| JPS55108786A (en) * | 1979-02-14 | 1980-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Luminous diode |
| JPH10117043A (ja) * | 1996-10-09 | 1998-05-06 | Toshiba Corp | 発光素子 |
| WO2001069693A1 (fr) * | 2000-03-17 | 2001-09-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif semi-conducteur a emission de lumiere et dispositif a emission par la surface |
-
2001
- 2001-05-30 JP JP2001161976A patent/JP4746767B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| WO2011115395A2 (ko) * | 2010-03-15 | 2011-09-22 | 주식회사 포인트 엔지니어링 | 광소자 디바이스 및 그 제조 방법 |
| WO2011115395A3 (ko) * | 2010-03-15 | 2011-12-29 | 주식회사 포인트 엔지니어링 | 광소자 디바이스 및 그 제조 방법 |
| WO2012038303A1 (de) * | 2010-09-20 | 2012-03-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse und verfahren zum herstellen eines gehäuses |
| US20130266035A1 (en) * | 2010-09-20 | 2013-10-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Housing and Method for Producing a Housing |
| US9070853B2 (en) | 2010-09-20 | 2015-06-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Package for an optoelectronic semiconductor component and semiconductor component |
| US9178332B2 (en) | 2010-09-20 | 2015-11-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Housing for an optoelectronic semiconductor component and method for producing such a housing |
| US9461438B2 (en) | 2010-09-20 | 2016-10-04 | Osram Opto Semiconductor Gmbh | Housing for laser diodes and method for producing a housing |
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| JP4746767B2 (ja) | 2011-08-10 |
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