WO2012038303A1 - Gehäuse und verfahren zum herstellen eines gehäuses - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 67
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 144
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 5
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 2
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- WZZBNLYBHUDSHF-DHLKQENFSA-N 1-[(3s,4s)-4-[8-(2-chloro-4-pyrimidin-2-yloxyphenyl)-7-fluoro-2-methylimidazo[4,5-c]quinolin-1-yl]-3-fluoropiperidin-1-yl]-2-hydroxyethanone Chemical compound CC1=NC2=CN=C3C=C(F)C(C=4C(=CC(OC=5N=CC=CN=5)=CC=4)Cl)=CC3=C2N1[C@H]1CCN(C(=O)CO)C[C@@H]1F WZZBNLYBHUDSHF-DHLKQENFSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/0231—Stems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/0232—Lead-frames
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/02345—Wire-bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02375—Positioning of the laser chips
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
- H05K5/0091—Housing specially adapted for small components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
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- H01S5/02216—Butterfly-type, i.e. with electrode pins extending horizontally from the housings
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
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- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/02476—Heat spreaders, i.e. improving heat flow between laser chip and heat dissipating elements
Definitions
- the present application relates to a housing, a
- T056, T038 or T09 housing application for example T056, T038 or T09 housing application.
- An object is to specify a housing for an optoelectronic semiconductor component which can be produced simply and inexpensively and at the same time ensures good heat dissipation from the radiation-generating semiconductor chip.
- a method is to be specified, with which a housing can be manufactured easily and reliably.
- a housing has a housing
- Optoelectronic semiconductor device a housing body with a mounting plane and a lead frame with a first connection conductor and a second connection conductor.
- the housing body transforms the leadframe partially.
- the lead frame has a main extension plane which runs obliquely or perpendicularly to the mounting plane.
- Housing body is clamped, wherein the mounting plane at a mounting of the housing body to a
- Connection carrier such as a printed circuit board, parallel or substantially parallel, approximately with a tilt of
- connection carrier runs.
- Housing body may be formed so that it over a large area or even selectively, for example in the form of a
- Tripod or a multi-leg rests on the connection carrier.
- a semiconductor component is realized, which is characterized by a simple and inexpensive production, wherein
- waste heat generated simultaneously in the semiconductor chip during operation can be efficiently dissipated.
- the housing body preferably has a first main area, wherein the first connection conductor furthermore preferably extends out of the housing body on the part of the first main area
- Connection conductor is preferred for mounting a
- the semiconductor chip can thus be mounted in the prefabricated housing body.
- the housing body can be any suitable housing body.
- Housing body is in this case, however, not to the
- first connection conductor and the second connection conductor protrude from the housing body on the part of the first main surface.
- the electrical contacting of the semiconductor chip is simplified.
- the first major surface is in the mounting plane or parallel to it.
- the main extension plane of the first major surface is in the mounting plane or parallel to it.
- connection carrier can be effected such that the first main surface parallel to the
- Direction is along which the extension of the lead frame is the smallest.
- the thickness of the metal sheet determines the smallest dimension of the leadframe.
- the main plane of extension runs along the surface of the metal sheet. In the case of a partially curved Surface thus also extends the main extension plane according to regions curved.
- Main extension plane of the lead frame formed completely planar. That is, the lead frame is free of kinks or bends.
- the connecting conductors during manufacture can be produced in a simple manner by structuring from a base material present in planar form, for example from an unstructured, planar metal sheet. On additional manufacturing steps for bending or buckling of the base material can thus
- the housing is preferably designed such that the semiconductor device is surface mountable.
- the housing body in addition to the mounting plane on another mounting plane.
- the housing can be attached in different ways.
- the mounting plane and the further mounting plane parallel to each other. In this case, the radiation direction of the radiation of the semiconductor chip relative to the
- connection conductor and the second connection conductor between the mounting plane and the other mounting level externally electrically contacted.
- the production of an electrically conductive connection between the connection carrier and the Connection conductors regardless of the mounting level used is thus further simplified.
- Main extension plane extending side surface of the first connection conductor for the attachment of the semiconductor chip is provided.
- the housing body is a plastic body which is connected to the lead frame, in particular to the first lead and to the second
- Connection conductor is molded.
- Such a housing body is particularly simple and by means of a casting process
- a casting process is generally understood to mean a process by means of which a molding composition can be designed according to a predetermined shape, for example by means of casting, injection molding or transfer molding.
- the housing body On one side opposite the first main surface, the housing body is preferably delimited by a second main surface, preferably flat, and furthermore preferably parallel to the first main surface.
- Main surface and / or the second main surface can the
- first connection conductor and the second connection conductor are in an in the main extension plane extending direction spaced from each other.
- the lead frame preferably the first lead and the second lead, in a preferred
- Embodiment a thickness of at least 0.5 mm, more preferably a thickness of at least 1 mm on. This ensures in a simple manner that resulting in a arranged on the first terminal conductor semiconductor chip
- the thickness is adjustable in the manufacture of the housing by the thickness of the base material for the connection conductors.
- connection conductor at least partially, in particular in the part of the first
- An efficient heat dissipation from the semiconductor chip is also for
- Cross section of the first connecting conductor on the part of the first main surface of the housing body be greater than that
- Housing body at least one support element with a
- Main extension level in each case at least one bearing surface.
- the bearing surfaces can be replaced by a continuous Support member or by two spaced apart
- Support elements may be formed.
- the housing in particular prior to the formation of an electrically conductive connection of the connection conductor with the connection carrier, rest on at least one support surface of the at least one support element. The risk of tilting of the housing during assembly is reduced.
- Support surface to be formed the further mounting plane or vice versa.
- first connection conductor and the second connection conductor each form an external contact region, which is provided for the external electrical contacting of the housing.
- a region extending in the lateral direction that is to say in a direction running along the mounting plane, can project out of the housing body
- Connecting conductor and / or the second connection conductor form one of the external contact areas.
- the contact region extends in a direction perpendicular to the mounting plane vertical direction between each of a first side surface and a second side surface.
- the mounting plane is formed by means of the support surface of the support member and the support surface is in a direction perpendicular to the mounting plane vertical direction offset to one of the
- the offset is preferably so large that between the
- connection carrier and the nearest side surface of the contact region so depending on the positioning of the housing relative to the connection carrier between the connection carrier and the first side surface or between the connection carrier and the second side surface, a connection layer for electrical contacting, for example, a solder or an electrically conductive adhesive formed can be when the support member rests on the connection carrier.
- the offset is between 5 ⁇ inclusive and 50 ⁇ inclusive.
- the housing is designed such that the contact region on the first side surface or on the second side surface is electrically contactable.
- a housing is realized in a simple manner, the on
- connection conductors has an extension which is, for example, pin-shaped.
- the extension is preferably intended to project into a recess of the connection carrier when the housing is mounted on a connection carrier.
- the extension preferably has a main extension direction running in the vertical direction.
- Extension can also be provided for electrical contacting of the connection conductor.
- the housing is designed such that the first connection conductor and the second connection conductor can be contacted electrically by means of the external contact regions and / or by means of the extension.
- the housing is depending on the
- connection conductors has a positioning element for an optical element.
- the positioning element preferably runs in the main extension plane of the leadframe.
- Terminal conductor arranged semiconductor chip can be positioned.
- the optical element is designed so that it can be attached to the positioning element, for example by means of a plug connection.
- Terminal conductor composite In a method of manufacturing a package for a semiconductor device, according to an embodiment, it is a form Terminal conductor composite with a plurality of
- Connecting conductor regions are formed with a molding compound in such a way that in each lead region of the
- connection conductor network is severed between adjacent connection conductor regions, so that each housing has a housing body and from each connection conductor region emerge a first connection conductor and a second connection conductor.
- the connecting conductors can be made of a planar
- connection conductor composite can be formed by structuring a planar metal sheet, for example mechanically, for example by means of stamping or milling, or chemically, for example by means of etching.
- a planar metal sheet for example mechanically, for example by means of stamping or milling, or chemically, for example by means of etching.
- connection conductor composite is in
- Housing body is filled with the molding material.
- the housing body at least three spaced locations.
- the Bridging area assigned to the connection conductor group.
- the bridging area connects the first terminal conductor and the second terminal conductor before cutting
- connection conductors of the respective housing are mechanically stably connected to each other by means of the housing body, so that the associated
- the method described is particularly suitable for producing a housing described above. in the
- Figures 1A and 1B a first embodiment of a housing of a semiconductor device in a schematic
- FIGS. 2A to 2C show a second exemplary embodiment of a housing in a schematic side view (FIG. 2B),
- Figures 3A and 3B show two mounting variants for a housing according to the second embodiment in more schematic
- Figure 4 shows a third embodiment of a housing in a schematic sectional view
- Figure 5 shows a fourth embodiment of a housing in a schematic sectional view
- Figure 6 shows a fifth embodiment of a housing in a schematic sectional view
- FIG. 7 shows a sixth embodiment of a housing in a schematic sectional view
- FIGS. 8A to 8C show an exemplary embodiment of FIG
- FIGS. 1A and 1B show a first exemplary embodiment of a housing 1 for a surface-mountable housing
- the housing 1 has a first connection conductor 31 and a second connection 32.
- the connection conductors form a lead frame 3, to which a housing body 2 is integrally formed.
- the housing body is made of a plastic.
- the housing body 2 extends in a vertical
- Terminal conductor 32 each protrude from the first main surface 21 of the housing body 2.
- the outstanding areas of the connecting conductors run parallel to each other.
- the protruding areas are provided for electrical contacting of a semiconductor chip.
- the lead frame 3 extends planar along a
- connection conductors 31, 32 thus run in a common plane.
- the main extension plane is perpendicular to the first main surface 21.
- an optoelectronic semiconductor chip 6 is arranged, for example, as an edge-emitting laser chip
- the semiconductor chip is at the first Terminal conductor 31 attached and electrically connected to this, for example by means of a solder or an electrically conductive adhesive.
- the second Terminal conductor 31 attached and electrically connected to this, for example by means of a solder or an electrically conductive adhesive.
- Terminal conductor 32 is electrically conductively connected to the semiconductor chip 6 by means of a connecting line 65, for example a bonding wire.
- the semiconductor chip 6 is fastened to a side surface 310 of the first connection conductor 31, which along the main extension plane of the
- Ladder frame runs.
- the radiation thus takes place perpendicularly to the first main surface of the semiconductor chip
- Housing body 2 ie in the vertical direction.
- the radiation does not have the housing body 2
- connection conductor 31 is spaced from the second connection conductor 32.
- the connection conductors are thus electrically insulated from each other in the housing 1 and only via the
- Housing body 2 mechanically stable interconnected.
- the connecting conductors 31, 32 protrude out of the housing body 2 in the lateral direction, wherein the protruding part of the first connecting conductor 31 has a first external contact region 33 and that of FIG
- Housing body outstanding part of the second connection conductor 32 form a second external contact region 34.
- charge carriers from different sides can be injected into the semiconductor chip 6 and recombined there with the emission of radiation.
- the semiconductor chip preferably contains a III-V
- I I I-V semiconductor materials are for radiation generation in the ultraviolet
- Al x In y Gai-x- y P in particular for yellow to red radiation
- Al x In y Ga x - particularly suitable y As infrared
- the contact areas 33, 34 are designed such that the housing in different orientation to a
- Connection carrier such as a rigid or flexible
- Printed circuit board attached and can be electrically connected to this. This will be explained in more detail in connection with FIGS. 3A and 3B.
- the housing body 2 further has in plan view of the
- the support member 25 extends in a direction to the main extension plane of the lead frame third perpendicular direction over the remaining part of the housing body out. In the vertical direction, the support element 25 extends in each case between a first bearing surface 251 facing away from the second main surface 22 and a second bearing surface 252 facing the second main surface 22.
- a mounting plane 20 is formed. Accordingly, a further mounting plane 201 is formed by means of the second bearing surface 251. The mounting plane and the further mounting plane are parallel to each other and continue parallel to the first main surface 21 of the
- the support element 25 is provided for the housing during assembly of the semiconductor device 10 on a
- connection carrier Mechanically stabilize the connection carrier, in particular before the semiconductor device is connected to the connection conductors 31, 32 to the connection carrier.
- connection conductors 31, 32 may be formed from a base material in planar form, for example a metal sheet, for example a copper sheet, from a copper-containing alloy sheet. On bending or buckling of the lead frame can be omitted during manufacture.
- Lead frame extend the connection conductors 31, 32 of the
- the main extension plane of the connection conductors 31, 32 does not necessarily have to be perpendicular to the first main surface 21
- Housing body 2 stand. Depending on the desired
- Direction of radiation of the semiconductor device may also be useful another angle of the plane relative to the main surface 21 and to the mounting planes.
- the housing is therefore particularly suitable for
- the housing is suitable for semiconductor chips which are used to generate coherent
- incoherent or partially coherent radiation are provided.
- a cross section of the first connecting conductor 31 is preferably at least 1 mm 2, more preferably at least 2 mm 2.
- the cross section of the second connection conductor may also be smaller than the cross section of the first connection conductor 31, since this only serves for electrical contacting of the semiconductor chip.
- the extension of the lead frame 3 in the lateral direction can thus be the same
- a second embodiment of a housing is in
- This second embodiment substantially corresponds to the first embodiment described in connection with FIGS. 1A and 1B.
- the housing has a cap 5.
- the cap 5 surrounds the protruding from the first main surface 21 of the housing body 2 parts of the connecting conductors 31, 32.
- the cap 5 is
- a mounted on the first terminal conductor 31 semiconductor chip can by means of the cap 5 against external influences such as mechanical
- Semiconductor chip can be dispensed with.
- the housing body 2 has a circular basic shape in plan view.
- Such a housing shape is characterized in the production of the
- Housing body made of a molding material by a particularly good mold release. Deviating from this, however, other curved, for example elliptical or even polygonal basic forms can be used.
- the support member 25 is formed in the embodiment shown as a continuous elliptical element through which the main extension plane of the lead frame 3 extends and which forms the mounting plane 20 and the further mounting plane 201. Deviating from this, as in the first
- Embodiment also two or more separate Support elements may be provided. Furthermore, it is also conceivable, the housing body only with a support element
- Connection carrier 4 has a recess 41.
- the connection carrier has a first main surface 44 and one of the first
- Connection carrier 4 on the second main surface on a first pad 42 and a second pad 43.
- the first connection surface and the second connection surface are connected to the first connection conductor 31 or the second connection conductor 32 by means of a connection layer, for example a solder or an electrically conductive adhesive (not explicitly shown).
- the first side surface 331 of the first connection carrier 31 and the first side surface 341 of the contact region of the second connection conductor 32 are each for electrical
- Lead frame 3 provided for contacting, resulting in the structuring of the lead frame, such as by punching. These side surfaces are perpendicular or at least substantially perpendicular to the side surface 310, which is provided for the attachment of the semiconductor chip.
- the bearing surface 251 forms the mounting surface 20.
- the first bearing surface 251 of the support element 25 is offset relative to the first side surfaces 331, 341 of the contact region 33, 34 of the connecting conductors 31, 32, so that the housing 2 rests on the first bearing surface 251 during assembly and between the connection carrier 4 and the connecting conductors 31, 32, the connecting means can be formed.
- the offset is between 5 and 50 ⁇ inclusive. Deviating from that
- Support surfaces of the support element or the support elements but also be flush with the respective nearest side surfaces of the contact area.
- connection conductors 31, 32 projecting from the housing body 2 on the part of the first main surface 21 extend through the recess 41 of the connection carrier 4.
- the contact regions 33, 34 of the connection conductors 31 and 32 and the housing body 2 are arranged on the same side of the connection carrier 4.
- connection carrier 4 the connecting surfaces 42, 43 are arranged on the first main surface 44 of the connection carrier 4 in the second assembly variant shown in Figure 3B.
- the recess 41 of the connection carrier 4 is so large that the housing body 2 can be partially inserted into the recess 41.
- housing body 2 is located with the second
- connection carrier 4 in each case the first side surface or the second side surface of the contact regions of the connection carrier 4, in each case the first side surface or the second side surface of the contact regions of the connection carrier 4.
- Connection carrier serve for electrical contacting.
- a semiconductor component with such a housing body with at least two mounting planes is therefore characterized by a particularly high flexibility with respect to the assembly. In mutually parallel mounting planes, the radiation takes place independently of the mounting with respect to the
- Connection carrier in the same direction. Deviating from the mounting plane and the other mounting level but also be tilted to each other, so that the
- Mounting level is adjustable.
- FIG. 4 A third embodiment of a housing is shown in Figure 4 in a schematic sectional view. This third embodiment corresponds essentially to the in
- Terminal conductor 31, 32 each have an extension 35.
- the extensions 35 extend through the second main surface 22 of the housing body 2.
- the housing 1 is arranged on a connection carrier 4, wherein the connection carrier 4 has connection openings 46, through which the extensions 35 extend.
- the second main surface 22 of the housing body 2 serves as a mounting surface 20 for arrangement on the connection carrier 4.
- the extensions extend in the
- the connecting conductors 31, 32 are on the side facing away from the housing body 2 of the connection carrier 4 with the
- the electrical contacting of the housing therefore does not take place via the contact regions 33, 34 extending laterally out of the housing body 2, but via the extensions 35.
- the lead frame 3 protrudes from the housing body 2 on the part of the first main face 21, on the side of the second main face 22 and laterally out of the side face 23, that is, at four spaced apart locations
- the housing according to the illustrated embodiment, but also as shown in Figure 3B may be mounted so that the
- FIG. 33 A fourth embodiment of a housing is shown in FIG.
- This fourth embodiment substantially corresponds to the im
- first connection conductor 31 and the second connection conductor 32 each have a
- Positioning element 36 extending from the first
- the electrical contacting takes place here as in
- the positioning elements 36 extend through
- connection openings 46 of the connection carrier 4 therethrough.
- Positioning elements 36 not the electrical
- Main surface 44 of the connection carrier 4 may be formed.
- the positioning elements can also be used for the electrical contacting of the housing.
- This fifth embodiment corresponds essentially to the
- the housing has an optical element 7.
- the optical element 7 is on the side facing away from the housing body 2
- connection carrier 4 arranged.
- the optical element 7 can continue to fulfill the function of a cap, so that can be dispensed with a separate cap.
- the optical element 7 has recesses 71 into which the positioning elements 36 protrude. Because the
- Positioning elements 36 with the side surface 310 for the semiconductor chip form a common plane, by means of the positioning elements 36, a precise adjustment of the optical element 7 relative to the semiconductor chip of
- the optical element 7 can in particular for the collimation of the radiation emitted by the semiconductor chip, in particular a collimation along the strongly diverging
- the optical element 7 may be formed as a diffractive optic.
- FIG. 1 A sixth exemplary embodiment of a housing 1 is shown schematically in FIG. This sixth
- the housing 2 has a further optical element 75.
- the further optical element 75 is fixed to the housing body 2.
- the housing is mounted so that the housing body 2 extends in sections through the recess 41 of the connection carrier 4.
- the positioning elements 36 do not extend through the connection carrier 4, but merely serve to position the optical element 7 relative to the
- Terminal conductor 31, 32 and thus relative to the mounted
- FIGS. 8A to 8C with reference to FIG.
- Embodiment of a method for producing a housing shown.
- the production is shown here by way of example for a housing which is designed as described in connection with FIGS. 1A and 1B.
- a lead connection 30 is provided with a plurality of lead sections 300.
- a lead portion 300 is provided for each of a housing.
- FIGS. 8A to 8C For the sake of simplified illustration, only one connecting conductor region 300 as well as partial regions of the respectively adjacent connecting conductor regions are shown in FIGS. 8A to 8C.
- the connecting conductor composite 30 can be produced by structuring a metal sheet, for example mechanically, for example by stamping or milling, or chemically, for example by etching. Alternatively to a structuring of one
- connection conductor composite can also be formed in an already structured form, for example by means of casting.
- the connecting conductor composite 300 is in planar form, so that it is possible to dispense with bending or buckling of the starting material for the connecting conductor composite.
- the connecting conductor areas 300 are each one
- connection carrier assembly 30 may be provided in a contiguous form.
- Connecting conductor areas protrude from a first main surface of the housing body 2 ( Figure 8B). Furthermore, the lead portions 300 protrude from a side surface 23 of the case body at opposite sides.
- the bridging region 301 extends outside of
- the formation of the housing body can be done for example by means of casting, injection molding or transfer molding.
- Terminal conductor compound 30 is between adjacent ones
- the bridging regions 301 are completely separated during the separation of the connecting conductor composite 30, so that the first connecting conductor 31 and the second connecting conductor 32 are mechanically connected to one another in the finished housing only via the housing body 2 (FIG. 8C).
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Abstract
Es wird ein Gehäuse (1) für ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) angegeben, das einen Gehäusekörper (2) mit einer Montageebene (20) und einen Leiterrahmen (3) mit einem ersten Anschlussleiter (31) und einem zweiten Anschlussleiter (32) aufweist. Der Gehäusekörper (2) umformt den Leiterrahmen (3) bereichsweise. Der Leiterrahmen (3) weist eine Haupterstreckungsebene auf, die schräg oder senkrecht zur Montageebene (20) verläuft. Weiterhin werden ein Halbleiterbauelement (10) mit einem solchen Gehäuse (1) und einem Halbleiterchip (6) und ein Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses (1) angegeben.
Description
Beschreibung
Gehäuse und Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses
Die vorliegende Anmeldung betrifft ein Gehäuse, ein
Halbleiterbauelement mit einem solchen Gehäuse und ein
Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2010 046 088.5, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Für Halbleiterlaserdioden mit Abwärmeleistungen bis in den Watt-Bereich finden oftmals so genannte TO-Gehäuse,
beispielsweise T056-, T038- oder T09-Gehäuse Anwendung.
Aufgrund des vergleichsweise komplizierten Aufbaus dieser Metallgehäuse sind diese jedoch für Anwendungen im Consumer- Markt zu aufwendig und kostenintensiv.
Eine Aufgabe ist es ein Gehäuse für ein optoelektronisches Halbleiterbauelement anzugeben, das einfach und kostengünstig herstellbar ist und gleichzeitig eine gute Wärmeabfuhr aus dem Strahlungserzeugenden Halbleiterchip gewährleistet.
Weiterhin soll ein Verfahren angegeben werden, mit dem ein Gehäuse einfach und zuverlässig hergestellt werden kann.
Diese Aufgabe wird durch ein Gehäuse beziehungsweise ein Verfahren gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst. Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche.
Gemäß einer Aus führungs form weist ein Gehäuse für ein
optoelektronisches Halbleiterbauelement einen Gehäusekörper
mit einer Montageebene und einen Leiterrahmen mit einem ersten Anschlussleiter und einem zweiten Anschlussleiter auf. Der Gehäusekörper umformt den Leiterrahmen bereichsweise. Der Leiterrahmen weist eine Haupterstreckungsebene auf, die schräg oder senkrecht der Montageebene verläuft.
Unter einer Montageebene wird allgemein eine Ebene
verstanden, die durch Teilbereiche einer Oberfläche des
Gehäusekörpers aufgespannt wird, wobei die Montageebene bei einer Befestigung des Gehäusekörpers an einem
Anschlussträger, etwa einer Leiterplatte, parallel oder im Wesentlichen parallel, etwa mit einer Verkippung von
höchstens 10°, zu dem Anschlussträger verläuft. Der
Gehäusekörper kann so ausgebildet sein, dass er großflächig oder auch nur punktuell, beispielsweise in Form eines
Dreibeins oder eines Mehrbeins, auf dem Anschlussträger aufliegt .
Durch die Montage des Halbleiterchips an dem vorgefertigten Gehäuse, insbesondere an dem ersten Anschlussleiter, ist ein Halbleiterbauelement realisiert, das sich durch eine einfache und kostengünstige Herstellung auszeichnet, wobei
gleichzeitig im Halbleiterchip im Betrieb erzeugte Abwärme effizient abgeführt werden kann.
Der Gehäusekörper weist vorzugsweise eine erste Hauptfläche auf, wobei der erste Anschlussleiter weiterhin bevorzugt seitens der ersten Hauptfläche aus dem Gehäusekörper
herausragt. Ein seitens der ersten Hauptfläche aus dem
Gehäusekörper herausragender Bereich des ersten
Anschlussleiters ist bevorzugt zur Befestigung eines
Halbleiterchips vorgesehen.
Der Halbleiterchip kann also in dem vorgefertigten Gehäusekörper montiert werden. Der Gehäusekörper kann
bereichsweise an den Halbleiterchip angrenzen. Der
Gehäusekörper ist in diesem Fall jedoch nicht an den
Halbleiterchip angeformt. Mit anderen Worten ist der
Halbleiterchip nicht oder zumindest nicht vollständig in eine Formmasse für den Gehäusekörper eingebettet.
Weiterhin bevorzugt ragen der erste Anschlussleiter und der zweite Anschlussleiter seitens der ersten Hauptfläche aus dem Gehäusekörper heraus. Die elektrische Kontaktierung des Halbleiterchips ist so vereinfacht.
In einer bevorzugten Ausgestaltung verläuft die erste
Hauptfläche entlang der Montageebene. Das heißt, die erste Hauptfläche verläuft in der Montageebene oder parallel dazu. In diesem Fall verläuft die Haupterstreckungsebene des
Leiterrahmens zu der Montageebene in demselben Winkel wie zu der ersten Hauptfläche. Weiterhin kann in diesem Fall die Montage des Gehäusekörpers an einem Anschlussträger derart erfolgen, dass die erste Hauptfläche parallel zu dem
Anschlussträger verläuft.
Unter einer Haupterstreckungsebene des Leiterrahmens wird im Zweifel eine parallel zu einer Oberfläche des Leiterrahmens verlaufende Fläche verstanden, die senkrecht zu einer
Richtung steht, entlang der die Ausdehnung des Leiterrahmens am kleinsten ist. Beispielsweise bestimmt bei einem aus einem Metallblech gefertigten Leiterrahmen typischerweise die Dicke des Metallblechs die kleinste Ausdehnung des Leiterrahmens. Die Haupterstreckungsebene verläuft entlang der Oberfläche des Metallblechs. Im Fall einer bereichsweise gekrümmten
Oberfläche verläuft also auch die Haupterstreckungsebene entsprechend bereichsweise gekrümmt.
In einer bevorzugten Ausgestaltung ist die
Haupterstreckungsebene des Leiterrahmens vollständig planar ausgebildet. Das heißt, der Leiterrahmen ist frei von Knicken oder Biegungen. Mit anderen Worten sind die Anschlussleiter bei der Herstellung auf einfache Weise durch Strukturierung aus einem in planarer Form vorliegenden Grundmaterial herstellbar, beispielsweise aus einem unstrukturierten, planaren Metallblech. Auf zusätzliche Herstellungsschritte zum Biegen oder Knicken des Grundmaterials kann also
verzichtet werden.
Das Gehäuse ist vorzugsweise derart ausgeführt, dass das Halbleiterbauelement oberflächenmontierbar ist.
Weiterhin bevorzugt weist der Gehäusekörper zusätzlich zu der Montageebene eine weitere Montageebene auf. Das Gehäuse kann so auf unterschiedliche Arten befestigt werden. Vorzugsweise verlaufen die Montageebene und die weitere Montageebene parallel zueinander. In diesem Fall kann die Abstrahlrichtung der Strahlung des Halbleiterchips relativ zu dem
Anschlussträger unabhängig davon sein, ob die erste oder die zweite Montageebene für die Befestigung des Gehäuses
verwendet wird.
In einer bevorzugten Weiterbildung sind der erste
Anschlussleiter und der zweite Anschlussleiter zwischen der Montageebene und der weiteren Montageebene extern elektrisch kontaktierbar . Das Herstellen einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen dem Anschlussträger und den
Anschlussleitern unabhängig von der verwendeten Montageebene ist so weitergehend vereinfacht.
In einer bevorzugten Ausgestaltung ist eine entlang der
Haupterstreckungsebene verlaufende Seitenfläche des ersten Anschlussleiters für die Befestigung des Halbleiterchips vorgesehen. Bei einem als kantenemittierender Laser
ausgeführten Halbleiterchip ist somit die
Abstrahlungsrichtung bezüglich des Anschlussträgers durch die Ausrichtung des ersten Anschlussleiters relativ zur
Montageebene des Gehäusekörpers vorgegeben.
In einer bevorzugten Ausgestaltung ist der Gehäusekörper ein Kunststoffkörper, der an den Leiterrahmen, insbesondere an den ersten Anschlussleiter und an den zweiten
Anschlussleiter, angeformt ist. Ein solcher Gehäusekörper ist mittels eines Gießverfahrens besonders einfach und
kostengünstig herstellbar. Unter einem Gießverfahren wird allgemein ein Verfahren verstanden, mit dem eine Formmasse gemäß einer vorgegebenen Form ausgestaltet werden kann, beispielsweise mittels Gießens, Spritzgießens (injection molding) oder Spritzpressens (transfer molding) .
Auf einer der ersten Hauptfläche gegenüberliegenden Seite ist der Gehäusekörper bevorzugt durch eine, vorzugsweise ebene und weiterhin bevorzugt parallel zur ersten Hauptfläche verlaufende, zweite Hauptfläche begrenzt. Die erste
Hauptfläche und/oder die zweite Hauptfläche können die
Montageebene des Gehäusekörpers bilden.
In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung sind der erste Anschlussleiter und der zweite Anschlussleiter in einer in
der Haupterstreckungsebene verlaufenden Richtung voneinander beabstandet .
Der Leiterrahmen, vorzugsweise der erste Anschlussleiter und der zweite Anschlussleiter, weisen in einer bevorzugten
Ausgestaltung eine Dicke von mindestens 0,5 mm, besonders bevorzugt eine Dicke von mindestens 1 mm, auf. So ist auf einfache Weise gewährleistet, dass in einem auf dem ersten Anschlussleiter angeordneten Halbleiterchip entstehende
Verlustwärme effizient aus dem Halbleiterchip abgeführt werden kann. Die Dicke ist bei der Herstellung des Gehäuses durch die Dicke des Grundmaterials für die Anschlussleiter einstellbar .
Weiterhin bevorzugt weist der erste Anschlussleiter zumindest bereichsweise, insbesondere in dem seitens der ersten
Hauptfläche aus dem Gehäusekörper herausragenden Bereich, einen Querschnitt von mindestens 1 mm2 auf. Eine effiziente Wärmeabfuhr aus dem Halbleiterchip ist so auch für
Halbleiterchips gewährleistet, die im Betrieb
Abwärmeleistungen von 0,1 W oder mehr erzeugen. Zur
Verbesserung der Wärmeabfuhr kann insbesondere der
Querschnitt des ersten Anschlussleiters seitens der ersten Hauptfläche des Gehäusekörpers größer sein als der
Querschnitt des zweiten Anschlussleiters.
In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung weist der
Gehäusekörper zumindest ein Stützelement mit einer
Auflagefläche auf. Mittels der Auflagefläche kann die
Montageebene gebildet sein. Vorzugsweise weist der
Gehäusekörper auf zwei gegenüberliegenden Seiten der
Haupterstreckungsebene jeweils zumindest eine Auflagefläche auf. Die Auflageflächen können durch ein durchgehendes
Stützelement oder durch zwei voneinander beabstandete
Stützelemente gebildet sein. Bei der Montage des Gehäuses kann das Gehäuse, insbesondere vor dem Ausbilden einer elektrisch leitenden Verbindung der Anschlussleiter mit dem Anschlussträger, auf mindestens einer Auflagefläche des mindestens einen Stützelements aufliegen. Die Gefahr eines Verkippens des Gehäuses bei der Montage ist so vermindert.
Weiterhin kann das Stützelement auf der der ersten
Auflagefläche gegenüberliegenden Seite eine zweite
Auflagefläche bilden. Insbesondere kann mittels der ersten Auflagefläche die Montageebene und mittels der zweiten
Auflagefläche die weitere Montageebene gebildet sein oder umgekehrt .
In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung bilden der erste Anschlussleiter und der zweite Anschlussleiter jeweils einen externen Kontaktbereich, der für die externe elektrische Kontaktierung des Gehäuses vorgesehen ist.
Insbesondere kann ein in lateraler Richtung, also in einer entlang der Montageebene verlaufenden Richtung, aus dem Gehäusekörper herausragender Bereich des ersten
Anschlussleiters und/oder des zweiten Anschlussleiters einen der externen Kontaktbereiche bilden.
Vorzugsweise erstreckt sich der Kontaktbereich in einer senkrecht zur Montageebene verlaufenden vertikalen Richtung jeweils zwischen einer ersten Seitenfläche und einer zweiten Seitenfläche .
In einer bevorzugten Weiterbildung ist die Montageebene mittels der Auflagefläche des Stützelements gebildet und die Auflagefläche ist in einer senkrecht zur Montageebene
verlaufenden vertikalen Richtung versetzt zu einer der
Auflagefläche nächstgelegenen, insbesondere parallel zur Auflagefläche verlaufenden Seitenfläche des Leiterrahmens ausgebildet. Insbesondere kann die erste Seitenfläche
versetzt zu der ersten Auflagefläche des Stützelements angeordnet sein. Alternativ oder zusätzlich kann die zweite Seitenfläche versetzt zu der zweiten Auflagefläche des
Stützelements angeordnet sein.
Mit anderen Worten bilden die Seitenfläche eines der
Anschlussleiter im Kontaktbereich und die in vertikaler
Richtung nächstgelegene Auflagefläche keine gemeinsame Ebene. Der Versatz ist vorzugsweise so groß, dass zwischen dem
Anschlussträger und der nächstgelegenen Seitenfläche des Kontaktbereichs, also je nach Positionierung des Gehäuses relativ zu dem Anschlussträger zwischen dem Anschlussträger und der ersten Seitenfläche oder zwischen dem Anschlussträger und der zweiten Seitenfläche, eine Verbindungsschicht zur elektrischen Kontaktierung, beispielsweise ein Lot oder ein elektrisch leitfähiges Klebemittel, ausgebildet werden kann, wenn das Stützelement auf dem Anschlussträger aufliegt.
Bevorzugt beträgt der Versatz zwischen einschließlich 5 μπι und einschließlich 50 μπι.
In einer Weiterbildung ist das Gehäuse so ausgebildet, dass der Kontaktbereich an der ersten Seitenfläche oder an der zweiten Seitenfläche elektrisch kontaktierbar ist. So ist auf einfache Weise ein Gehäuse realisiert, das auf
unterschiedliche Weisen elektrisch kontaktierbar ist,
beispielsweise von einer der zweiten Hauptfläche zugewandten Seite oder einer der zweiten Hauptfläche abgewandten Seite her .
In einer bevorzugten Ausgestaltung weist zumindest einer der Anschlussleiter einen beispielsweise stiftartigen Fortsatz auf. Der Fortsatz ist vorzugsweise dafür vorgesehen, bei einer Montage des Gehäuses auf einem Anschlussträger in eine Ausnehmung des Anschlussträgers hineinzuragen. Der Fortsatz weist vorzugsweise eine in vertikaler Richtung verlaufende Haupterstreckungsrichtung auf. Mittels des Fortsatzes kann die Montagegenauigkeit des Gehäuses erhöht werden. Der
Fortsatz kann weiterhin auch zur elektrischen Kontaktierung des Anschlussleiters vorgesehen sein.
In einer bevorzugten Weiterbildung ist das Gehäuse derart ausgebildet, dass der erste Anschlussleiter und der zweite Anschlussleiter mittels der externen Kontaktbereiche und/oder mittels des Fortsatzes elektrisch kontaktierbar sind. Mit anderen Worten ist das Gehäuse also je nach dem
Verwendungszweck auf verschiedene Arten elektrisch
kontaktierbar, so dass die Vielseitigkeit des Gehäuses auf einfache Weise erhöht ist.
In einer bevorzugten Ausgestaltung weist zumindest einer der Anschlussleiter ein Positionierungselement für ein optisches Element auf. Das Positionierungselement verläuft vorzugsweise in der Haupterstreckungsebene des Leiterrahmens. So kann das optische Element mittels des Positionierungselements auf zuverlässige Weise relativ zu dem auf dem ersten
Anschlussleiter angeordneten Halbleiterchip positioniert werden. Vorzugsweise ist das optische Element so ausgebildet, dass es an dem Positionierungselement befestigt werden kann, beispielsweise mittels einer Steckverbindung.
Bei einem Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für ein Halbleiterbauelement wird gemäß einer Aus führungs form ein
Anschlussleiterverbund mit einer Mehrzahl von
Anschlussleiterbereichen bereitgestellt. Die
Anschlussleiterbereiche werden mit einer Formmasse derart umformt, dass in jedem Anschlussleiterbereich aus der
Formmasse ein Gehäusekörper hervorgeht, wobei die
Anschlussleiterbereiche in einer Haupterstreckungsebene des Anschlussleiterverbunds jeweils seitens einer ersten
Hauptfläche des Gehäusekörpers aus dem Gehäusekörper herausragen. Der Anschlussleiterverbund wird zwischen benachbarten Anschlussleiterbereichen durchtrennt, so dass jedes Gehäuse einen Gehäusekörper aufweist und aus jedem Anschlussleiterbereich ein erster Anschlussleiter und ein zweiter Anschlussleiter hervorgehen.
Die Anschlussleiter können aus einem planaren
Anschlussleiterverbund hervorgehen. Insbesondere kann der Anschlussleiterverbund durch Strukturierung eines planaren Metallblechs ausgebildet werden, beispielsweise mechanisch, etwa mittels Stanzens oder Fräsens, oder chemisch, etwa mittels Ätzens. Alternativ ist auch denkbar, den
Anschlussleiterverbund mittels eines Gießverfahrens
auszubilden, so dass eine nachfolgende Strukturierung nicht erforderlich ist.
Vorzugsweise wird der Anschlussleiterverbund in
zusammenhängender Form bereitgestellt, wobei zwischen
Bereichen, aus denen die Anschlussleiter hervorgehen,
Zwischenraum ausgebildet ist, der beim Ausbilden des
Gehäusekörpers mit der Formmasse befüllt wird.
In einer bevorzugten Ausgestaltung durchdringt der
Anschlussleiterbereich den Gehäusekörper an mindestens drei voneinander beabstandeten Stellen. Vorzugsweise ragt der
Anschlussleiterbereich in der Haupterstreckungsebene des Anschlussleiterverbunds, insbesondere in einer parallel zur ersten Hauptfläche verlaufenden Richtung, aus
gegenüberliegenden Seiten aus dem Gehäusekörper heraus.
In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist den
bereitgestellten Anschlussleiterbereichen jeweils ein
Uberbrückungsbereich des Anschlussleiterverbunds zugeordnet. Der Uberbrückungsbereich verbindet den ersten Anschlussleiter und den zweiten Anschlussleiter vor dem Durchtrennen
miteinander. Beim Durchtrennen des Anschlussleiterverbunds werden die Überbrückungsbereiche von den
Anschlussleiterbereichen abgetrennt. Mittels der
Überbrückungsbereiche kann vereinfacht ein zusammenhängender Anschlussleiterverbund ausgebildet werden. Nach dem Umformen des Anschlussleiterverbunds sind die Anschlussleiter des jeweiligen Gehäuses mittels des Gehäusekörpers mechanisch stabil miteinander verbunden, so dass der zugeordnete
Uberbrückungsbereich nicht mehr erforderlich ist.
Das beschriebene Verfahren ist zur Herstellung eines weiter oben beschriebenen Gehäuses besonders geeignet. Im
Zusammenhang mit dem Gehäuse ausgeführte Merkmale können daher auch für das Verfahren herangezogen werden und
umgekehrt .
Weitere Merkmale, Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten ergeben sich aus der folgenden Beschreibung der
Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Figuren.
Es zeigen:
die Figuren 1A und 1B ein erstes Ausführungsbeispiel für ein Gehäuse eines Halbleiterbauelements in schematischer
Seitenansicht (Figur 1B) und zugehöriger Schnittansicht (Figur 1A) ; die Figuren 2A bis 2C ein zweites Ausführungsbeispiel für ein Gehäuse in schematischer Seitenansicht (Figur 2B) ,
zugehöriger Schnittansicht (Figur 2A) und in Aufsicht (Figur 2C) ; die Figuren 3A und 3B zwei Montagevarianten für ein Gehäuse gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel in schematischer
Schnittansieht ;
Figur 4 ein drittes Ausführungsbeispiel für ein Gehäuse in schematischer Schnittansicht;
Figur 5 ein viertes Ausführungsbeispiel für ein Gehäuse in schematischer Schnittansicht;
Figur 6 ein fünftes Ausführungsbeispiel für ein Gehäuse in schematischer Schnittansicht;
Figur 7 ein sechstes Ausführungsbeispiel für ein Gehäuse in schematischer Schnittansicht; und die Figuren 8A bis 8C ein Ausführungsbeispiel für ein
Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses anhand von jeweils in schematischer Schnittansicht dargestellten
Zwischenschritten .
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen.
Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als
maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren
Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
In den Figuren 1A und 1B ist ein erstes Ausführungsbeispiel für ein Gehäuse 1 für ein oberflächenmontierbares
Halbleiterbauelement 10 schematisch dargestellt.
Das Gehäuse 1 weist einen ersten Anschlussleiter 31 und einen zweiten Anschluss 32 auf. Die Anschlussleiter bilden einen Leiterrahmen 3, an den ein Gehäusekörper 2 angeformt ist. Der Gehäusekörper ist aus einem Kunststoff gefertigt.
Der Gehäusekörper 2 erstreckt sich in einer vertikalen
Richtung bereichsweise zwischen einer ersten Hauptfläche 21 und einer zweiten Hauptfläche 22. Ein Bereich 311 des ersten Anschlussleiters 31 und ein Bereich 321 des zweiten
Anschlussleiters 32 ragen jeweils aus der ersten Hauptfläche 21 des Gehäusekörpers 2 heraus. Die herausragenden Bereiche der Anschlussleiter verlaufen parallel zueinander. Die herausragenden Bereiche sind zur elektrischen Kontaktierung eines Halbleiterchips vorgesehen.
Der Leiterrahmen 3 erstreckt sich planar entlang einer
Haupterstreckungsebene . Die Anschlussleiter 31, 32 verlaufen also in einer gemeinsamen Ebene. Die Haupterstreckungsebene verläuft senkrecht zu der ersten Hauptfläche 21.
Wie in Figur 1B gezeigt, ist in dem vorgefertigten Gehäuse 1 ein optoelektronischer Halbleiterchip 6 angeordnet, der beispielsweise als ein kantenemittierender Laserchip
ausgeführt sein kann. Der Halbleiterchip ist an dem ersten
Anschlussleiter 31 befestigt und mit diesem elektrisch leitend verbunden, beispielsweise mittels eines Lots oder eines elektrisch leitfähigen Klebemittels. Der zweite
Anschlussleiter 32 ist mit dem Halbleiterchip 6 mittels einer Verbindungsleitung 65, beispielsweise einem Bonddraht, elektrisch leitend verbunden.
Der Halbleiterchip 6 ist in dem gezeigten Ausführungsbeispiel an einer Seitenfläche 310 des ersten Anschlussleiters 31 befestigt, die entlang der Haupterstreckungsebene des
Leiterrahmens verläuft. Bei einem als kantenemittierenden Halbleiterlaser ausgeführten Halbleiterchip 6 erfolgt die Abstrahlung somit senkrecht zur ersten Hauptfläche des
Gehäusekörpers 2, also in vertikaler Richtung.
Die Strahlung muss also nicht den Gehäusekörper 2
durchlaufen, so dass der Gehäusekörper auch für die im
Halbleiterchip zu erzeugende Strahlung undurchlässig
ausgebildet sein kann.
In der Haupterstreckungsebene des Leiterrahmens 3 ist der erste Anschlussleiter 31 vom zweiten Anschlussleiter 32 beabstandet. Die Anschlussleiter sind somit im Gehäuse 1 elektrisch voneinander isoliert und lediglich über den
Gehäusekörper 2 mechanisch stabil miteinander verbunden.
In einer zur vertikalen Richtung senkrecht verlaufenden lateralen Richtung ist der Gehäusekörper 2 durch eine
Seitenfläche 23 begrenzt. Die Anschlussleiter 31, 32 ragen in lateraler Richtung aus dem Gehäusekörper 2 heraus, wobei der herausragende Teil des ersten Anschlussleiters 31 einen ersten externen Kontaktbereich 33 und der aus dem
Gehäusekörper herausragende Teil des zweiten Anschlussleiters
32 einen zweiten externen Kontaktbereich 34 bilden. Durch Anlegen einer externen elektrischen Spannung zwischen den Kontaktbereichen können Ladungsträger von unterschiedlichen Seiten in den Halbleiterchip 6 injiziert werden und dort unter Emission von Strahlung rekombinieren.
Der Halbleiterchip enthält vorzugsweise ein III-V-
Verbindungshalbleitermaterial . I I I-V-Halbleitermaterialien sind zur Strahlungserzeugung im ultravioletten
(Alx Iny Gai-x-y N) über den sichtbaren (Alx Iny Gai-x-y N,
insbesondere für blaue bis grüne Strahlung, oder
Alx Iny Gai-x-y P, insbesondere für gelbe bis rote Strahlung) bis in den infraroten (Alx Iny Gai-x-y As ) Spektralbereich besonders geeignet. Hierbei gilt jeweils 0 < x < 1, 0 < y < 1 und x + y < 1, insbesondere mit x Φ 1, y 1, x Φ 0 und/oder y 0.
In vertikaler Richtung erstrecken sich der erste
Kontaktbereich 33 und der zweite Kontaktbereich 34 zwischen einer ersten Seitenfläche 331 beziehungsweise 341 und einer zweiten Seitenfläche 332 beziehungsweise 342.
Die Kontaktbereiche 33, 34 sind derart ausgeführt, dass das Gehäuse in unterschiedliche Orientierung an einem
Anschlussträger, etwa einer starren oder flexiblen
Leiterplatte, befestigt und mit diesem elektrisch leitend verbunden werden kann. Dies wird im Zusammenhang mit den Figuren 3A und 3B näher erläutert.
Der Gehäusekörper 2 weist weiterhin in Aufsicht auf das
Gehäuse auf beiden Seiten der Haupterstreckungsebene jeweils ein Stützelement 25 auf. Das Stützelement 25 erstreckt sich in einer zu der Haupterstreckungsebene des Leiterrahmens 3
senkrecht verlaufenden Richtung über den verbleibenden Teil des Gehäusekörpers heraus. In vertikaler Richtung erstreckt sich das Stützelement 25 jeweils zwischen einer der zweiten Hauptfläche 22 abgewandten ersten Auflagefläche 251 und einer der zweiten Hauptfläche 22 zugewandten zweiten Auflagefläche 252.
Mittels der ersten Auflagefläche 251 ist eine Montageebene 20 gebildet. Entsprechend ist mittels der zweiten Auflagefläche 251 eine weitere Montageebene 201 gebildet. Die Montageebene und die weitere Montageebene verlaufen parallel zueinander und weiterhin parallel zur ersten Hauptfläche 21 des
Gehäusekörpers 2.
Das Stützelement 25 ist dafür vorgesehen, das Gehäuse bei der Montage des Halbleiterbauelements 10 auf einem
Anschlussträger mechanisch zu stabilisieren, insbesondere bevor das Halbleiterbauelement an den Anschlussleitern 31, 32 mit dem Anschlussträger verbunden wird.
Zur Herstellung des Gehäuses 1 können die Anschlussleiter 31, 32 aus einem in planarer Form vorliegenden Grundmaterial, beispielsweise einem Metallblech, etwa einem Kupferblech einem Blech aus einer kupferhaltigen Legierung, ausgebildet werden. Auf ein Biegen oder Knicken des Leiterrahmens kann bei der Herstellung verzichtet werden.
Im Unterschied zu einem herkömmlichen Gehäuse mit einem
Leiterrahmen verlaufen die Anschlussleiter 31, 32 des
Leiterrahmens 3 in dem beschriebenen Gehäuse 1 in einer
Ebene, wobei die Ebene senkrecht oder zumindest schräg zu einer Montageebene des Gehäuses und somit senkrecht oder zumindest Schräg zu dem Anschlussträger verläuft, auf dem das Gehäuse angeordnet wird.
Von dem beschriebenen Ausführungsbeispiel abweichend muss die Haupterstreckungsebene der Anschlussleiter 31, 32 nicht notwendigerweise senkrecht zur ersten Hauptfläche 21
beziehungsweise zu den Montageebenen 20, 201 des
Gehäusekörpers 2 stehen. Je nach gewünschter
Abstrahlungsrichtung des Halbleiterbauelements kann auch ein anderer Winkel der Ebene relativ zur der Hauptfläche 21 beziehungsweise zu den Montageebenen zweckmäßig sein.
Die Dicke des ersten Anschlussleiters 31 und des zweiten Anschlussleiters 32, also die Ausdehnung senkrecht zur
Haupterstreckungsebene der Anschlussleiter, beträgt
vorzugsweise mindestens 0,5 mm, besonders bevorzugt
mindestens 1,0 mm. So ist gewährleistet, dass im Betrieb des Halbleiterbauelements 10 im Halbleiterchip 6 erzeugte Abwärme effizient über den ersten Anschlussleiter 31 abgeführt werden kann. Das Gehäuse eignet sich somit besonders für
Halbleiterchips, bei denen im Betrieb eine vergleichsweise hohe Wärmeleistung abgeführt werden muss, beispielsweise 0,1 W oder mehr. Insbesondere eignet sich das Gehäuse für Halbleiterchips, die zur Erzeugung von kohärenter,
inkohärenter oder teilkohärenter Strahlung vorgesehen sind.
Ein Querschnitt des ersten Anschlussleiters 31 beträgt vorzugsweise mindestens 1 mm^, besonders bevorzugt mindestens 2 rnm^ . Der Querschnitt des zweiten Anschlussleiters kann auch kleiner sein als der Querschnitt des ersten Anschlussleiters 31, da dieser lediglich der elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips dient. Die Ausdehnung des Leiterrahmens 3 in lateraler Richtung kann so bei gleichbleibender
Funktionalität minimiert werden.
Ein zweites Ausführungsbeispiel für ein Gehäuse ist in
Figuren 2A bis 2C schematisch in Schnittansicht, in
Seitenansicht beziehungsweise in Aufsicht dargestellt.
Dieses zweite Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem im Zusammenhang mit den Figuren 1A und 1B beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu weist das Gehäuse eine Kappe 5 auf. Die Kappe 5 umgibt die aus der ersten Hauptfläche 21 des Gehäusekörpers 2 herausragenden Teile der Anschlussleiter 31, 32. Die Kappe 5 ist
zweckmäßigerweise für die im Halbleiterbauelement zu
erzeugende Strahlung transparent oder zumindest transluzent ausgebildet. Beispielsweise kann die Kappe aus einem
Kunststoff oder einem Glas gefertigt sein. Ein auf dem ersten Anschlussleiter 31 befestigter Halbleiterchip kann mittels der Kappe 5 vor äußeren Einflüssen wie mechanischer
Belastung, Feuchtigkeit oder Staub geschützt werden. Auf eine mittels einer Vergussmasse gebildete Umhüllung für den
Halbleiterchip kann verzichtet werden.
Wie in Figur 2C dargestellt, weist der Gehäusekörper 2 in Aufsicht eine kreisförmige Grundform auf. Eine derartige Gehäuseform zeichnet sich bei der Herstellung des
Gehäusekörpers aus einer Formmasse durch eine besonders gute Entformbarkeit aus. Davon abweichend können aber auch andere gekrümmte, beispielsweise elliptische, oder auch mehreckige Grundformen Anwendung finden.
Das Stützelement 25 ist in dem gezeigten Ausführungsbeispiel als ein durchgängiges elliptisches Element ausgebildet, durch das die Haupterstreckungsebene des Leiterrahmens 3 verläuft und das die Montageebene 20 sowie die weitere Montageebene 201 bildet. Davon abweichend können wie im ersten
Ausführungsbeispiel auch zwei oder mehr separate
Stützelemente vorgesehen sein. Weiterhin ist auch denkbar, den Gehäusekörper lediglich mit einem Stützelement
auszubilden .
In den Figuren 3A und 3B sind verschiedene
Montagemöglichkeiten für ein Gehäuse dargestellt, das wie im Zusammenhang mit den Figuren 2A bis 2C beschrieben ausgeführt ist .
Bei der in Figur 3A dargestellten Variante weist ein
Anschlussträger 4 eine Aussparung 41 auf. Der Anschlussträger weist eine erste Hauptfläche 44 und eine der ersten
Hauptfläche 44 gegenüberliegende zweite Hauptfläche 45 auf. In der in Figur 3A dargestellten Variante weist der
Anschlussträger 4 auf der zweiten Hauptfläche eine erste Anschlussfläche 42 und eine zweite Anschlussfläche 43 auf. Die erste Anschlussfläche und die zweite Anschlussfläche sind mit dem ersten Anschlussleiter 31 beziehungsweise dem zweiten Anschlussleiter 32 mittels einer Verbindungsschicht, etwa einem Lot oder einem elektrisch leitfähigen Klebemittel (nicht explizit dargestellt) verbunden.
Die erste Seitenfläche 331 des ersten Anschlussträgers 31 und die erste Seitenfläche 341 des Kontaktbereichs des zweiten Anschlussleiters 32 sind jeweils zur elektrischen
Kontaktierung mit den Anschlussflächen vorgesehen. Mit anderen Worten sind diejenigen Seitenflächen des
Leiterrahmens 3 zur Kontaktierung vorgesehen, die bei der Strukturierung des Leiterrahmens, etwa durch Stanzen, entstehen. Diese Seitenflächen verlaufen senkrecht oder zumindest im Wesentlichen senkrecht zu der Seitenfläche 310, die für die Befestigung des Halbleiterchips vorgesehen ist.
Die Auflagefläche 251 bildet die Montagefläche 20. Die erste Auflagefläche 251 des Stützelements 25 ist relativ zu den ersten Seitenflächen 331, 341 der Kontaktbereich 33, 34 der Anschlussleiter 31, 32 versetzt, so dass das Gehäuse 2 bei der Montage auf der ersten Auflagefläche 251 aufliegt und zwischen dem Anschlussträger 4 und den Anschlussleitern 31, 32 das Verbindungsmittel ausgebildet werden kann.
Vorzugsweise beträgt der Versatz zwischen einschließlich 5 und einschließlich 50 μπι. Davon abweichend können die
Auflageflächen des Stützelements oder der Stützelemente aber auch bündig zu den jeweils nächstgelegenen Seitenflächen des Kontaktbereichs ausgebildet sein.
In diesem Ausführungsbeispiel erstrecken sich lediglich die seitens der ersten Hauptfläche 21 aus dem Gehäusekörper 2 herausragenden Bereiche 311, 312 der Anschlussleiter 31, 32 durch die Aussparung 41 des Anschlussträgers 4 hindurch. Die Kontaktbereiche 33, 34 der Anschlussleiter 31 beziehungsweise 32 und der Gehäusekörper 2 sind auf derselben Seite des Anschlussträgers 4 angeordnet.
Im Unterschied zu der in Figur 3A dargstellten ersten
Montagevariante sind bei dem in Figur 3B dargestellten zweiten Montagevariante die Anschlussflächen 42, 43 auf der ersten Hauptfläche 44 des Anschlussträgers 4 angeordnet. Die Aussparung 41 des Anschlussträgers 4 ist so groß, dass der Gehäusekörper 2 teilweise in die Aussparung 41 eingeführt werden kann.
In diesem Ausführungsbeispiel dienen die der zweiten
Hauptfläche 22 des Gehäusekörpers 2 zugewandten zweiten
Seitenflächen 332, 342 des ersten Kontaktbereichs 33
beziehungsweise des zweiten Kontaktbereichs 34 der
elektrischen Kontaktierung mit der ersten Anschlussfläche 42 beziehungsweise der zweiten Anschlussfläche 43.
Weiterhin liegt der Gehäusekörper 2 mit der der zweiten
Hauptfläche 22 zugewandten zweiten Auflagefläche 252 des Stützelements 25, die die weitere Montagefläche 201 bildet, auf dem Anschlussträger 4 auf.
Wie die Figuren zeigen, kann je nach der Ausgestaltung des Anschlussträgers 4 also jeweils die erste Seitenfläche oder die zweite Seitenfläche der Kontaktbereiche der
Anschlussträger zur elektrischen Kontaktierung dienen. Ein Halbleiterbauelement mit einem solchen Gehäusekörper mit zumindest zwei Montageebenen zeichnet sich daher durch eine besonders hohe Flexibilität hinsichtlich der Montage aus. Bei parallel zueinander angeordneten Montageebenen erfolgt die Abstrahlung unabhängig von der Montage bezogen auf den
Anschlussträger in dieselbe Richtung. Davon abweichend können die Montageebene und die weitere Montageebene aber auch verkippt zueinander ausgebildet sein, so dass die
Abstrahlrichtung des Halbleiterchips durch die Wahl der
Montageebene einstellbar ist.
Ein drittes Ausführungsbeispiel für ein Gehäuse ist in Figur 4 in schematischer Schnittansicht dargestellt. Dieses dritte Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem im
Zusammenhang mit den Figuren 2A bis 2C beschriebenen zweiten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu weisen die
Anschlussleiter 31, 32 jeweils einen Fortsatz 35 auf. Die Fortsätze 35 erstrecken sich durch die zweite Hauptfläche 22 des Gehäusekörpers 2 hindurch.
Das Gehäuse 1 ist auf einem Anschlussträger 4 angeordnet, wobei der Anschlussträger 4 Anschlussöffnungen 46 aufweist, durch die sich die Fortsätze 35 hindurch erstrecken. In diesem Ausführungsbeispiel dient die zweite Hauptfläche 22 des Gehäusekörpers 2 als Montagefläche 20 zur Anordnung auf dem Anschlussträger 4. Die Fortsätze verlaufen in der
Haupterstreckungsebene des Leiterrahmens 3.
Die Anschlussleiter 31, 32 sind auf der dem Gehäusekörper 2 abgewandten Seite des Anschlussträgers 4 mit den
Anschlussflächen 42 beziehungsweise 43 elektrisch leitend verbunden .
Im Unterschied zu dem zweiten Ausführungsbeispiel erfolgt die elektrische Kontaktierung des Gehäuses also nicht über die sich lateral aus dem Gehäusekörper 2 heraus erstreckenden Kontaktbereiche 33, 34, sondern über die Fortsätze 35.
Der Leiterrahmen 3 ragt aus dem Gehäusekörper 2 seitens der ersten Hauptfläche 21, seitens der zweiten Hauptfläche 22 und in lateraler Richtung aus der Seitenfläche 23, also insgesamt an vier voneinander beabstandeten Stellen, aus dem
Gehäusekörper heraus. Die Flexibilität des Gehäuses
hinsichtlich dessen Montierbarkeit kann so weitergehend erhöht werden.
Von der beschriebenen Art der Montage abweichend kann das Gehäuse gemäß dem dargestellten Ausführungsbeispiel aber auch wie in Figur 3B dargestellt montiert sein, sodass die
Kontaktbereiche 33, 34 der elektrischen Kontaktierung des Gehäuses dienen können.
Ein viertes Ausführungsbeispiel für ein Gehäuse ist in Figur
5 in schematischer Schnittansicht dargestellt. Dieses vierte Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem im
Zusammenhang mit den Figuren 2A bis 2C beschriebenen zweiten Ausführungsbeispiel .
Im Unterschied hierzu weisen der erste Anschlussleiter 31 und der zweite Anschlussleiter 32 jeweils ein
Positionierungselement 36 auf, das sich von den ersten
Seitenflächen 331, 341 des ersten Kontaktbereichs 31
beziehungsweise des zweiten Kontaktbereichs 34 weg erstreckt.
Die elektrische Kontaktierung erfolgt hierbei wie im
Zusammenhang mit Figur 3A beschrieben.
Die Positionierungselemente 36 erstrecken sich durch
Anschlussöffnungen 46 des Anschlussträgers 4 hindurch.
In diesem Ausführungsbeispiel dienen die
Positionierungselemente 36 nicht der elektrischen
Kontaktierung des Gehäuses, sondern der genauen
Positionierung des Gehäuses relativ zu dem Anschlussträger 4.
Von dem beschriebenen Ausführungsbeispiel abweichend können die Anschlussflächen 42, 43 aber auch auf der ersten
Hauptfläche 44 des Anschlussträgers 4 ausgebildet sein. In diesem Fall können die Positionierungselemente auch für die elektrische Kontaktierung des Gehäuses Anwendung finden.
Ein fünftes Ausführungsbeispiel für ein Gehäuse ist in Figur
6 in schematischer Schnittansicht dargestellt. Dieses fünfte Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem im
Zusammenhang mit Figur 5 beschriebenen vierten
Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu weist das Gehäuse ein optisches Element 7 auf. Das optische Element 7 ist auf der dem Gehäusekörper 2 abgewandten Seite des
Anschlussträgers 4 angeordnet. Das optische Element 7 kann weiterhin die Funktion einer Kappe erfüllen, sodass auf eine separate Kappe verzichtet werden kann.
Das optische Element 7 weist Ausnehmungen 71 auf, in die die Positionierungselemente 36 hineinragen. Da die
Positionierungselemente 36 mit der Seitenfläche 310 für den Halbleiterchip eine gemeinsame Ebene bilden, kann mittels der Positionierungselemente 36 eine genaue Justage des optischen Elements 7 relativ zu dem Halbleiterchip des
Halbleiterbauelements erfolgen.
Das optische Element 7 kann insbesondere zur Kollimation der vom Halbleiterchip abgestrahlten Strahlung, insbesondere einer Kollimation entlang der stark divergierenden
Abstrahlebene („fast axis") oder der schwach divergierenden Abstrahlebene („slow axis") erfolgen. Alternativ oder
ergänzend kann das optische Element 7 als eine diffraktive Optik ausgebildet sein.
Ein sechstes Ausführungsbeispiel für ein Gehäuse 1 ist in Figur 7 schematisch dargestellt. Dieses sechste
Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem im
Zusammenhang mit Figur 6 beschriebenen fünften
Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu weist das Gehäuse 2 ein weiteres optisches Element 75 auf. Das weitere optische Element 75 ist an dem Gehäusekörper 2 befestigt.
Beispielsweise kann das weitere optische Element 75 der
Kollimation entlang der stark divergierenden Abstrahlebene und das optische Element 7 der Kollimation entlang der schwach divergierenden Abstrahlebene dienen oder umgekehrt.
Weiterhin ist das Gehäuse wie im Zusammenhang mit Figur 3B beschrieben so montiert, dass der Gehäusekörper 2 sich bereichsweise durch die Aussparung 41 des Anschlussträgers 4 hindurch erstreckt. In diesem Ausführungsbeispiel erstrecken sich die Positionierungselemente 36 also nicht durch den Anschlussträger 4 hindurch, sondern dienen lediglich der Positionierung des optischen Elements 7 relativ zu den
Anschlussleiter 31, 32 und somit relativ zum montierten
Halbleiterchip .
In den Figuren 8A bis 8C ist anhand von schematisch in
Schnittansicht dargestellten Zwischenschritten ein
Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses gezeigt. Die Herstellung wird hierbei exemplarisch für ein Gehäuse gezeigt, das wie in Zusammenhang mit den Figuren 1A und 1B beschrieben ausgeführt ist.
Wie in Figur 8A dargestellt, wird ein Anschlussleiterverbund 30 mit einer Mehrzahl von Anschlussleiterbereichen 300 bereitgestellt. Ein Anschlussleiterbereich 300 ist jeweils für die Herstellung eines Gehäuses vorgesehen.
Zur vereinfachten Darstellung sind in den Figuren 8A bis 8C lediglich ein Anschlussleiterbereich 300 sowie Teilbereiche der jeweils angrenzenden Anschlussleiterbereiche gezeigt.
Der Anschlussleiterverbund 30 kann durch Strukturierung eines Metallblechs, beispielsweise mechanisch, etwa durch Stanzen oder Fräsen, oder chemisch, etwa durch Ätzen, hergestellt werden. Alternativ zu einer Strukturierung aus einem
Metallblech kann der Anschlussleiterverbund auch in bereits strukturierter Form ausgebildet werden, beispielsweise mittels Gießens.
Der Anschlussleiterverbund 300 liegt in planarer Form vor, sodass auf ein Biegen oder Knicken des Ausgangsmaterials für den Anschlussleiterverbund verzichtet werden kann.
Den Anschlussleiterbereichen 300 ist jeweils ein
Uberbrückungsbereich 301 zugeordnet, der die Teile des
Anschlussleiterbereichs, aus denen der erste Anschlussleiter 31 und der zweite Anschlussleiter 32 hervorgehen, mechanisch stabil miteinander verbindet. Mittels der
Überbrückungsbereiche 301 kann der Anschlussträgerverbund 30 in zusammenhängender Form bereitgestellt werden.
Zum Ausbilden des Gehäusekörpers 2 werden die
Anschlussleiterbereiche derart mit einer Formmasse umformt, dass ein Gehäusekörper entsteht, bei dem die
Anschlussleiterbereiche aus einer ersten Hauptfläche des Gehäusekörpers 2 herausragen (Figur 8B) . Weiterhin ragen die Anschlussleiterbereiche 300 aus einer Seitenfläche 23 des Gehäusekörpers an gegenüberliegenden Seiten heraus.
Der Uberbrückungsbereich 301 verläuft außerhalb des
Gehäusekörpers 2.
Das Ausbilden des Gehäusekörpers kann beispielsweise mittels Gießens, Spritzgießens oder Spritzpressens erfolgen.
Zur Fertigstellung des Gehäuses wird der
Anschlussleiterverbund 30 wird zwischen benachbarten
Anschlussleiterbereichen 300 durchtrennt. In den Bereichen, in denen das Durchtrennen erfolgt, weisen die
Anschlussleiterbereiche einen gegenüber den Kontaktbereichen 33, 34 verringerten Querschnitt, insbesondere eine
verringerte vertikale Ausdehnung, auf. So ist gewährleistet, dass beim Durchtrennen entstehende Grate bei der Montage des
Gehäuses das Ausbilden einer leitenden Verbindung zwischen den Seitenflächen der Kontaktbereiche und dem Anschlussträger nicht behindern.
Die Überbrückungsbereiche 301 werden beim Vereinzeln des Anschlussleiterverbunds 30 vollständig abgetrennt, sodass der erste Anschlussleiter 31 und der zweite Anschlussleiter 32 im fertig gestellten Gehäuse lediglich über den Gehäusekörper 2 mechanisch miteinander verbunden sind (Figur 8C) .
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die
Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von
Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder den Ausführungsbeispielen angegeben ist .
Claims
1. Gehäuse (1) für ein optoelektronisches
Halbleiterbauelement (10), wobei
- das Gehäuse einen Gehäusekörper (2) mit einer Montageebene (20) und einen Leiterrahmen (3) mit einem ersten
Anschlussleiter (31) und einem zweiten Anschlussleiter (32) aufweist ;
- der Gehäusekörper den Leiterrahmen bereichsweise umformt; und
- der Leiterrahmen (3) eine Haupterstreckungsebene aufweist, die schräg oder senkrecht zu der Montageebene (20) verläuft.
2. Gehäuse nach Anspruch 1,
bei dem der Gehäusekörper eine erste Hauptfläche ( 21 )
aufweist, wobei der erste Anschlussleiter (31) und der zweite Anschlussleiter (32) seitens der ersten Hauptfläche aus dem Gehäusekörper (2) herausragen und ein seitens der ersten Hauptfläche aus dem Gehäusekörper herausragender Bereich (311) des ersten Anschlussleiters (31) zur Befestigung eines Halbleiterchips vorgesehen ist.
3. Gehäuse nach Anspruch 2,
wobei die erste Hauptfläche entlang der Montageebene
verläuft .
4. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
bei dem eine entlang der Haupterstreckungsebene verlaufende Seitenfläche (310) des ersten Anschlussleiters für die
Befestigung des Halbleiterchips vorgesehen ist.
5. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
bei dem die Haupterstreckungsebene des Leiterrahmens
vollständig planar ausgebildet ist.
6. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
bei dem der Leiterrahmen eine Dicke von mindestens 0,5 mm aufweist .
7. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
bei dem der Gehäusekörper ein Stützelement (25) mit einer Auflagefläche (251, 252) aufweist, wobei die Montageebene mittels der Auflagefläche gebildet ist und die Auflagefläche in einer senkrecht zur Montageebene verlaufenden vertikalen Richtung versetzt zu einer der Auflagefläche nächstgelegenen parallel zur Auflagefläche verlaufenden Seitenfläche des Leiterrahmens ausgebildet ist.
8. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
bei dem zumindest einer der Anschlussleiter einen Fortsatz (35) aufweist, der dafür vorgesehen ist, bei einer Montage des Gehäuses auf einem Anschlussträger (4) in eine Ausnehmung (41) des Anschlussträgers hineinzuragen.
9. Gehäuse nach Anspruch 8,
bei dem der erste Anschlussleiter und der zweite
Anschlussleiter jeweils einen aus dem Gehäusekörper
herausragenden externen Kontaktbereich (33, 34) aufweisen, wobei der erste Anschlussleiter und der zweite
Anschlussleiter mittels der externen Kontaktbereiche und/oder mittels des Fortsatzes elektrisch kontaktierbar ist.
10. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 9,
bei dem zumindest einer der Anschlussleiter ein Positionierungselement (36) für ein optisches Element (7) aufweist .
11. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) mit einem Gehäuse (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 10,
bei dem ein Halbleiterchip (6) an dem ersten Anschlussleiter befestigt ist.
12. Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses (1) für ein Halbleiterbauelement (10) mit den Schritten:
a) Bereitstellen eines Anschlussleiterverbunds (30) mit einer Mehrzahl von Anschlussleiterbereichen (300);
b) Umformen der Anschlussleiterbereiche (300) mit einer
Formmasse derart, dass in jedem Anschlussleiterbereich (300) aus der Formmasse ein Gehäusekörper (2) hervorgeht, wobei die Anschlussleiterbereiche (300) in einer Haupterstreckungsebene des Anschlussleiterverbunds (30) eweils seitens einer ersten Hauptfläche (21) des Gehäusekörpers (2) aus dem Gehäusekörper (2) herausragen;
c) Durchtrennen des Anschlussleiterverbunds (30) zwischen benachbarten Anschlussleiterbereichen (300), so dass jedes Gehäuse (1) einen Gehäusekörper (2) aufweist und aus jedem Anschlussleiterbereich (300) ein erster Anschlussleiter (31) und ein zweiter Anschlussleiter (32) hervorgehen.
13. Verfahren nach Anspruch 12,
bei dem der Anschlussleiterbereich in der
Haupterstreckungsebene des Anschlussleiterverbunds in einer parallel zur ersten Hauptfläche verlaufenden Richtung aus gegenüberliegenden Seiten aus dem Gehäusekörper herausragt.
14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13,
bei dem den Anschlussleiterbereichen in Schritt a) jeweils ein Uberbrückungsbereich (301) des Anschlussleiterverbunds zugeordnet ist, wobei der Uberbrückungsbereich den ersten Anschlussleiter und den zweiten Anschlussleiter vor Schritt c) miteinander verbindet und bei dem die
Überbrückungsbereiche in Schritt c) von den
Anschlussleiterbereichen abgetrennt werden.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 14,
bei dem ein Gehäuse gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10 hergestellt wird.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/825,290 US9178332B2 (en) | 2010-09-20 | 2011-09-13 | Housing for an optoelectronic semiconductor component and method for producing such a housing |
CN201180045253.5A CN103119806B (zh) | 2010-09-20 | 2011-09-13 | 壳体和用于制造壳体的方法 |
EP11760448.8A EP2619860A1 (de) | 2010-09-20 | 2011-09-13 | Gehäuse und verfahren zum herstellen eines gehäuses |
US14/884,500 US9461438B2 (en) | 2010-09-20 | 2015-10-15 | Housing for laser diodes and method for producing a housing |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102010046088A DE102010046088A1 (de) | 2010-09-20 | 2010-09-20 | Gehäuse und Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses |
DE102010046088.5 | 2010-09-20 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
US13/825,290 A-371-Of-International US9178332B2 (en) | 2010-09-20 | 2011-09-13 | Housing for an optoelectronic semiconductor component and method for producing such a housing |
US14/884,500 Continuation US9461438B2 (en) | 2010-09-20 | 2015-10-15 | Housing for laser diodes and method for producing a housing |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2012038303A1 true WO2012038303A1 (de) | 2012-03-29 |
Family
ID=44674779
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/EP2011/065842 WO2012038303A1 (de) | 2010-09-20 | 2011-09-13 | Gehäuse und verfahren zum herstellen eines gehäuses |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9178332B2 (de) |
EP (1) | EP2619860A1 (de) |
CN (1) | CN103119806B (de) |
DE (1) | DE102010046088A1 (de) |
WO (1) | WO2012038303A1 (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010046088A1 (de) * | 2010-09-20 | 2012-03-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse und Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses |
JP6668022B2 (ja) * | 2015-09-17 | 2020-03-18 | 日機装株式会社 | 発光モジュールおよび発光モジュールの製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002261332A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-13 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
JP2002353514A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-06 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
US20030231673A1 (en) * | 2002-04-03 | 2003-12-18 | Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. | Optical semiconductor device increasing productivity and method of fabricating the same |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05121841A (ja) | 1991-10-25 | 1993-05-18 | Nec Corp | 半導体レーザモジユール |
US5557116A (en) | 1992-12-24 | 1996-09-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and resin layer |
EP0658933B1 (de) | 1993-12-16 | 2001-10-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Herstellungsverfahren für lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen |
JP2611640B2 (ja) * | 1993-12-20 | 1997-05-21 | 日本電気株式会社 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
JPH07297479A (ja) * | 1994-04-27 | 1995-11-10 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置およびその製造方法 |
US5825054A (en) * | 1995-12-29 | 1998-10-20 | Industrial Technology Research Institute | Plastic-molded apparatus of a semiconductor laser |
TW357470B (en) * | 1997-07-15 | 1999-05-01 | Kai-Feng Huang | Vertical resonance cavity injection-type glowing laser package |
DE10041079A1 (de) | 2000-08-22 | 2002-03-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lasermodul mit Ansteuerschaltung |
JP3891115B2 (ja) | 2001-04-17 | 2007-03-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
TW567714B (en) | 2001-07-09 | 2003-12-21 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Light-emitting unit and illumination device and image reading device using light-emitting unit |
DE10260432A1 (de) | 2002-12-21 | 2004-07-08 | Ming, Fuh Lih, Tali | Leuchtdiode |
JP3802896B2 (ja) | 2003-10-06 | 2006-07-26 | ローム株式会社 | 半導体レーザ |
JP4970924B2 (ja) | 2006-03-28 | 2012-07-11 | 三菱電機株式会社 | 光素子用パッケージとこれを用いた光半導体装置 |
US7801191B2 (en) | 2007-10-22 | 2010-09-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
JP5324894B2 (ja) * | 2008-11-21 | 2013-10-23 | パナソニック株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
DE102010046088A1 (de) * | 2010-09-20 | 2012-03-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse und Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses |
-
2010
- 2010-09-20 DE DE102010046088A patent/DE102010046088A1/de not_active Withdrawn
-
2011
- 2011-09-13 CN CN201180045253.5A patent/CN103119806B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-13 US US13/825,290 patent/US9178332B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-13 WO PCT/EP2011/065842 patent/WO2012038303A1/de active Application Filing
- 2011-09-13 EP EP11760448.8A patent/EP2619860A1/de not_active Withdrawn
-
2015
- 2015-10-15 US US14/884,500 patent/US9461438B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002261332A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-13 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
JP2002353514A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-06 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
US20030231673A1 (en) * | 2002-04-03 | 2003-12-18 | Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. | Optical semiconductor device increasing productivity and method of fabricating the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130266035A1 (en) | 2013-10-10 |
CN103119806B (zh) | 2016-05-18 |
US9461438B2 (en) | 2016-10-04 |
US20160036198A1 (en) | 2016-02-04 |
EP2619860A1 (de) | 2013-07-31 |
US9178332B2 (en) | 2015-11-03 |
CN103119806A (zh) | 2013-05-22 |
DE102010046088A1 (de) | 2012-03-22 |
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Publication | Publication Date | Title |
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WWE | Wipo information: entry into national phase |
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121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
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