JP6668022B2 - 発光モジュールおよび発光モジュールの製造方法 - Google Patents

発光モジュールおよび発光モジュールの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6668022B2
JP6668022B2 JP2015184169A JP2015184169A JP6668022B2 JP 6668022 B2 JP6668022 B2 JP 6668022B2 JP 2015184169 A JP2015184169 A JP 2015184169A JP 2015184169 A JP2015184169 A JP 2015184169A JP 6668022 B2 JP6668022 B2 JP 6668022B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting module
light
lens
window member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015184169A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017059716A (ja
Inventor
英典 小永吉
英典 小永吉
信宏 鳥井
信宏 鳥井
鉄美 越智
鉄美 越智
裕紀 木内
裕紀 木内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikkiso Co Ltd
Original Assignee
Nikkiso Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikkiso Co Ltd filed Critical Nikkiso Co Ltd
Priority to JP2015184169A priority Critical patent/JP6668022B2/ja
Priority to PCT/JP2016/075012 priority patent/WO2017047358A1/ja
Priority to EP16846229.9A priority patent/EP3352231B1/en
Priority to CN201680050639.8A priority patent/CN108140704B/zh
Publication of JP2017059716A publication Critical patent/JP2017059716A/ja
Priority to US15/912,043 priority patent/US10883680B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6668022B2 publication Critical patent/JP6668022B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21SNON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S8/00Lighting devices intended for fixed installation
    • F21S8/02Lighting devices intended for fixed installation of recess-mounted type, e.g. downlighters
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V15/00Protecting lighting devices from damage
    • F21V15/01Housings, e.g. material or assembling of housing parts
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938Using specific optical elements
    • G02B27/095Refractive optical elements
    • G02B27/0955Lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、発光素子を内部に封止した発光モジュールおよびその製造方法に関する。
発光ダイオード(LED、Light Emitting Diode)は、主に可視光から赤外光の波長域における光源として照明や信号、光通信など様々な用途で利用される。一般に、LED素子は、化合物半導体からなる発光素子を外部環境から保護するため、光透過性を有する材料により封止してパッケージ化される。
封止方法として、リード電極に取り付けた発光素子を樹脂材料で被覆する方法や、開口を設けたパッケージ本体に発光素子を収容し、ガラス板などの窓部材で開口部に蓋をする方法が挙げられる。後者に示す方法として、パッケージ本体の開口部に金属枠を設けるとともに、金属枠とガラス板との間を低融点ガラスで接合する技術が挙げられる。また、出射光をコリメートするためのボールレンズがガラス板に代えて接合されることもある(例えば、特許文献1参照)。
特開2002−33519号公報
上述の封止方法では、パッケージ本体とボールレンズとが金属枠を介して接合されるため、金属枠を用意する分だけ部品点数が増えるとともに、接合箇所が増えることとなる。高い封止性を保ちつつ、より簡易な構造でパッケージ本体とボールレンズとを接合できることが望ましい。
本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、レンズ機能を一体化させた信頼性の高い発光モジュールを提供することにある。
本発明のある態様の発光モジュールは、上面に開口を有する凹部が設けられるパッケージ基板と、凹部に収容される発光素子と、開口を覆うように上面に設けられる窓部材と、パッケージ基板と窓部材の間を接合する封止部と、を備える。窓部材は、発光素子と対向するレンズ部と、レンズ部から突出して封止部と接合されるフランジ部とを含む。レンズ部およびフランジ部は、同じガラス材料で構成される。
この態様によると、レンズ部とフランジ部が一体的に形成され、フランジ部によってパッケージ基板との接合がなされるため、パッケージ基板と窓部材の間の封止性を高めることができる。また、レンズ機能を有する窓部材とパッケージ基板とを直接接合できるため、他の部材を介して両者を接合させる場合と比べて接合箇所を少なくできる。これにより、レンズ機能を有する窓部材を接合させる場合であっても、封止性が損なわれる原因となる接合箇所を減らして、発光モジュールの信頼性を高めることができる。
レンズ部およびフランジ部は、石英ガラスで構成されてもよい。
発光素子は、波長200nm以上360nm以下の帯域に含まれる紫外光を発してもよい。
レンズ部は、発光素子からの光を平行光に変換して外部に出射させてもよい。
レンズ部は、球体または球体の一部であってもよい。
レンズ部は、フレネルレンズであってもよい。
本発明の別の態様は、発光モジュールの製造方法である。この方法は、溶融石英を材料として、レンズ部とレンズ部から突出するフランジ部とを含む窓部材を射出成形する工程と、上面に開口を有する凹部が設けられるパッケージ基板の凹部に発光素子を収容する工程と、レンズ部と発光素子が対向するようにして上面に窓部材を配置する工程と、パッケージ基板とフランジ部の間を封止材で接合する工程と、を備える。
この態様によれば、レンズ部とフランジ部とを有する窓部材を射出成形により一体的に形成することができるため、石英ガラスの母材を切削および研磨して窓部材を形成する場合と比べて、発光モジュールの製造コストを低減できる。
本発明によれば、レンズ機能を一体化させた信頼性の高い発光モジュールを提供できる。
実施の形態に係る発光モジュールを示す断面図である。 図1の窓部材の構造を示す上面図である。 図1の窓部材の構造を示す下面図である。 発光モジュールの製造方法を示すフローチャートである。 変形例に係る発光モジュールを示す断面図である。 変形例に係る発光モジュールを示す断面図である。 変形例に係る発光モジュールを示す断面図である。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
図1は、実施の形態に係る発光モジュール10を示す断面図である。図2は、図1の窓部材30の構造を示す上面図であり、図3は、下面図である。発光モジュール10は、パッケージ基板12と、発光素子20と、窓部材30と、封止部48とを備える。
本明細書の説明において、発光モジュール10から出力される光の進行方向をz方向とし、z方向と直交する方向をx方向およびy方向とする。なお、z方向のことを縦方向または上下方向といい、x方向およびy方向を横方向または水平方向ということがある。
パッケージ基板12は、上面14と下面15を有する平板状の部材であり、上面14に開口を有する凹部16が設けられる。パッケージ基板12は、アルミナ(Al)や窒化アルミニウム(AlN)などを含むセラミック基板であり、いわゆる高温焼成セラミック多層基板(HTCC、High Temperature Co-fired Ceramic)である。
上面14は、矩形状であり、その中央部に矩形の開口を形成する凹部16が設けられる。上面14のうち凹部16が設けられていない領域にはメタライズ処理が施される。上面14は、例えば、タングステン(W)やモリブデン(Mo)等を含む基材にニッケル(Ni)や金(Au)等がメッキされて形成される。上面14には、封止部48を介して窓部材30が接合される。
下面15は、矩形状であり、発光素子20のアノードまたはカソードと接続される外部電極(不図示)が設けられる。凹部16は、上面14に開口しており、その内部に発光素子20を収容する。発光素子20は、凹部16の底面18上に載置される。
発光素子20は、化合物半導体で構成されるLEDであり、凹部16に収容され、窓部材30を通して発光モジュール10の外部に光を放射する。本実施の形態では、発光素子20として紫外光LEDを用い、その中心波長又はピーク波長が約200nm〜360nmの紫外領域に含まれるものを用いる。例えば、殺菌効率の高い波長である260nm付近の紫外光を発するものを用いる。このような紫外光LEDとして、例えば、窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)を用いたものが知られている。
発光素子20は、発光面22と、発光面22に対向する取付面24とを有する。発光素子20は、取付面24が底面18と接するように配置される。これにより、発光素子20が発する熱は、パッケージ基板12を介して外部に放熱される。
窓部材30は、レンズ部32と、フランジ部38とを含み、凹部16の開口を覆うように上面14に設けられる。窓部材30は、レンズ部32が発光素子20と対向し、フランジ部38の接合面44が上面14と対向する位置となるように設けられる。窓部材30は、発光素子20が発する紫外光を透過する材料で構成され、例えば、石英(SiO)ガラスで構成される。
レンズ部32は、球体で構成され、ボールレンズとして機能する。レンズ部32は、発光素子20の発光面22と対向して発光素子20からの光が入射する光入射面34と、発光モジュール10の外部に露出して発光素子20からの光を出射する光出射面36とを有する。光入射面34および光出射面36は、それぞれ球面で構成される。レンズ部32は、レンズ部32の焦点に発光素子20が位置するように配置され、光入射面34が発光素子20に近接するよう配置される。よって、レンズ部32は、発光素子20からの光を平行光に変換して出射させるコリメート機能を有する。
フランジ部38は、レンズ部32から横方向に突出し、外周がパッケージ基板12に対応した矩形状となる板状部材である。フランジ部38は、パッケージ基板12の上面14に対向する接合部42と、レンズ部32と接合部42の間をつなぐ接続部40とを有する。フランジ部38は、レンズ部32と一体的に形成されており、同じガラス材料で構成される。
接合部42は、メタライズ処理が施された接合面44が形成される部分である。接合面44は、真空蒸着やスパッタリングなどの方法により形成され、例えば、石英ガラスで構成される接合部42にチタン(Ti)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、金(Au)を順に積層した多層膜で形成される。なお、チタンの代わりにクロム(Cr)を用いてもよい。
接続部40は、メタライズ処理が施されていない部分であり、z方向の厚さd1が接合部42の厚さd2と比べて小さい部分である。接続部40は、パッケージ基板12の上面14から離れるようにして段差が設けられる部分とも言える。接続部40に段差を設けることで、球面となる光入射面34の範囲Wを広くすることができる。光入射面34の範囲Wを広くすることで、発光素子20から出力される光のより多くを光入射面34に入射させ、レンズ部32によりコリメートされて光出射面36から出射される光量を多くできる。
封止部48は、パッケージ基板12と窓部材30との間に設けられ、その隙間を充填する封止材である。封止部48は、低融点の金属材料で構成され、例えば、金錫(AuSn)や銀錫(AgSn)の合金を含む。封止部48は、溶融状態において上面14と接合面44の間に広がり、上面14および接合面44と共晶結合を形成する。これにより、封止部48は、パッケージ基板12と窓部材30の間を封止する。なお、封止時には、凹部16の内部に窒素(N)などの不活性ガスが充填される。
以上の構成により、発光モジュール10は、紫外光LEDである発光素子20を内部に封止し、窓部材30を通して紫外光を外部に出力可能とする。発光素子20からの光は、レンズ部32により集光され、平行光もしくは平行光に近い状態の光に変換されて出射される。窓部材30として石英ガラスを用いるため、波長360nm以下の紫外光を発する発光素子20を用いた場合でも、紫外光を効率よく外部に取り出すことができる。
つづいて、発光モジュール10の製造方法について説明する。図4は、発光モジュール10の製造方法を示すフローチャートである。石英ガラスを材料として窓部材30を射出成形するとともに(S10)、パッケージ基板12の凹部16に発光素子20を収容する(S12)。次に、窓部材30のレンズ部32と発光素子20を対向させて凹部16の上に窓部材30を配置し(S14)、パッケージ基板12の上面14と窓部材30の接合面44を封止材を用いて接合する(S16)。
S12の射出成形工程では、レンズ部32とフランジ部38を含む窓部材30の形状に対応した金型を用意し、石英ガラスのペレット等を材料とする溶融石英を流し込むことで窓部材30が成型される。成型された石英を金型から取り出した後、石英の余熱を取り除き、表面を研磨することにより透明な石英ガラス製の窓部材30に加工される。射出成形後に研磨された窓部材30の接合面44には、メタライズ処理が施される。S16の封止工程では、パッケージ基板12の凹部16に窒素(N)などの不活性ガスが充填された状態で、パッケージ基板12と窓部材30が接合される。
以下、本実施の形態に係る発光モジュール10が奏する効果について示す。
本実施の形態によれば、レンズ部32とフランジ部38が一体的に形成され、フランジ部38によってパッケージ基板12との接合がなされるため、パッケージ基板12と窓部材30の間の封止性を高めることができる。また、レンズ機能を有する窓部材30とパッケージ基板12とを直接接合できるため、他の部材を介して両者を接合させる場合と比べて接合箇所を少なくできる。これにより、発光モジュール10にレンズ機能を持たせる場合であっても、封止性が損なわれる原因となる接合箇所を減らして、発光モジュール10の信頼性を高めることができる。
本実施の形態によれば、窓部材30が石英ガラスで構成されるため、波長が360nm以下の紫外光を発する発光素子20を用いる場合であっても、窓部材30による紫外光の透過率を高めることができる。また、窓部材30にレンズ機能を持たせているため、発光素子20からの紫外光を効率的に発光モジュール10の外部に取り出すことができる。これにより、発光モジュール10の紫外光の出力強度を高めることができる。
本実施の形態では、パッケージ基板12と窓部材30との接合に金属枠を設けない構成としているため、両者の間に金属枠を挿入する場合と比べて、発光素子20とレンズ部32の光入射面34との距離を短くすることができる。これにより、発光素子20が発する紫外光のより多くをレンズ部32に結合させて、紫外光の取り出し効率を高めることができる。
本実施の形態によれば、平坦な接合面44を有するフランジ部38を用いてパッケージ基板12への接合をしているため、平坦なガラス板と接合するために設計されたパッケージ基板をそのまま流用することができる。言いかえれば、レンズ機能を有する窓部材30との接合のために、パッケージ基板12の設計を変更することなく、窓部材30をパッケージ基板12に接合することができる。新たにパッケージ基板を設計製造する必要がないため、発光モジュール10のコストを低減させることができる。
本実施の形態によれば、レンズ機能を有する窓部材30を石英ガラスを用いて射出成形により製造するため、石英ガラスの母材を切削および研磨して加工する場合よりも製造コストを下げることができる。したがって、封止性および信頼性が高く、出力強度の高い発光モジュール10を低コストで実現できる。
本実施の形態では、パッケージ基板12と窓部材30の接合に低融点ガラスではなく、金属材料で構成される封止部48を用いる。窓部材30として用いる石英は、一般に低融点ガラスに対する濡れ性が好ましくないため、低融点ガラスを封止部として用いると、封止の信頼性が低下するおそれがある。一方、本実施形態では、メタライズ処理を施した窓部材30を濡れ性の高い金属材料により封止するため、封止の信頼性を高めることができる。
本実施の形態では、封止部48として、パッケージ基板12や窓部材30と比べて柔らかい材料である金属を用いている。これにより、パッケージ基板12および窓部材30に用いる材料の熱膨張率差に起因して応力が加わる場合においても、封止部48が応力を緩和させる緩衝層として機能する。これにより、比較的硬い材料である低融点ガラスを封止部48として用いる場合と比べて、応力緩和の効果を高めることができ、封止の信頼性を上げることができる。
(変形例1)
図5は、変形例に係る発光モジュール110を示す断面図である。発光モジュール110は、窓部材130のレンズ部132が球体ではなく、球体の一部を切り取ったような形状を有する点で上述の実施の形態と相違する。以下、上述の実施の形態との相違点を中心に述べる。
窓部材130は、レンズ部132と、フランジ部138を含み、フランジ部138は、接続部140と接合部142を有する。接合部142には、パッケージ基板12の上面14との接合のための接合面144が設けられる。レンズ部132は、球面で構成される光入射面134と、平面で構成される光出射面136とを有する。したがって、レンズ部132は、フランジ部138から上方に突出せず、フランジ部138とともに平坦な露出面を形成する。したがって、本変形例によれば、レンズ部132の光出射面136が平坦面で形成されるため、上述の実施の形態と比べて発光モジュール110の上下方向の厚みを小さくでき、発光モジュール110を小型化できる。
(変形例2)
図6は、変形例に係る発光モジュール210を示す断面図である。発光モジュール210は、窓部材230の光入射面234がフレネル面で構成される点で、上述の変形例1と相違する。以下、変形例1との相違点を中心に述べる。
窓部材230は、レンズ部232と、フランジ部238を含み、フランジ部238は、接続部240と接合部242を有する。接合部242には、パッケージ基板12の上面14との接合のための接合面244が設けられる。レンズ部232は、いわゆるフレネルレンズであり、フレネル面で構成される光入射面234と、平面で構成される光出射面236とを有する。本変形例によれば、上述の変形例に係るレンズ部132よりも上下方向の厚みが小さいため、レンズ部232を発光素子20により近接させて配置することが可能となり、発光素子20からの光をより効率的に外部に出力できる。
(変形例3)
図7は、変形例に係る発光モジュール310を示す断面図である。発光モジュール310は、窓部材330の光入射面334と光出射面336の双方がフレネル面で構成される点で上述の実施の形態と相違する。以下、実施の形態との相違点を中心に述べる。
窓部材330は、レンズ部332と、フランジ部338を含みフランジ部338は、接続部340と接合部342を有する。接合部342には、パッケージ基板12の上面14との接合のための接合面344が設けられる。レンズ部332は、いわゆるフレネルレンズであり、光入射面234と光出射面236の双方がフレネル面で構成される。
本変形例によれば、上述の実施の形態に係るレンズ部32と比べて、上下方向の厚さを小さくできるため、発光モジュール310を小型化できる。また、レンズ部232を発光素子20により近接させて配置することが可能となり、発光素子20からの光をより効率的に外部に出射させることができる。
本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、当業者の知識に基づいて各種の設計変更等の変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施形態も本発明の範囲に含まれうるものである。
上述の実施の形態および変形例においては、発光素子として紫外光を発するものを用いる場合を示したが、可視光や赤外光を発する発光素子を用いてもよい。
上述の実施の形態および変形例においては、窓部材の材質として石英ガラスを用いる場合を示したが、窓部材の材質はこれらに限られず、BK7といった石英以外の光学ガラスを用いてもよいし、透明プラスチックなどの樹脂材料を窓部材として用いてもよい。
上述の実施の形態および変形例においては、パッケージ基板として高温焼成セラミック多層基板(HTCC)を用いる場合を示したが、セラミック材料としてシリカ(SiO)、酸化カルシウム(CaO)、酸化ホウ素(B)等を含む低温焼成セラミック多層基板(LTCC、Low Temperature Co-fired Ceramic)を用いてもよい。この場合、上面14へのメタライズ処理として、タングステンやモリブデンなどの高融点材料の代わりに、銅や銀など比較的融点の低い材料を用いてもよい。
10…発光モジュール、12…パッケージ基板、14…上面、16…凹部、20…発光素子、30…窓部材、32…レンズ部、38…フランジ部、48…封止部。

Claims (10)

  1. 上面に開口を有する凹部が設けられるパッケージ基板と、
    前記凹部に収容される発光素子と、
    前記開口を覆うように前記上面に設けられる窓部材と、
    前記パッケージ基板と前記窓部材の間を接合する封止部と、を備え、
    前記窓部材は、前記発光素子と対向するレンズ部と、前記レンズ部から突出して前記封止部と接合されるフランジ部とを含み、
    前記レンズ部および前記フランジ部は、同じガラス材料で構成され、
    前記フランジ部は、前記封止部と接合される接合部と、前記レンズ部および前記接合部の間をつなぐ接続部とを有し、前記フランジ部の突出方向と直交する方向の前記接続部の厚さが前記接合部の厚さより小さく、前記接合部は、前記パッケージ基板の上面と対向し、前記接続部は、前記パッケージ基板の上面から離れることを特徴とする発光モジュール。
  2. 前記レンズ部および前記フランジ部は、石英ガラスで構成されることを特徴とする請求項1に記載の発光モジュール。
  3. 前記発光素子は、波長200nm以上360nm以下の帯域に含まれる紫外光を発することを特徴とする請求項1または2に記載の発光モジュール。
  4. 前記レンズ部は、前記発光素子からの光を平行光に変換して外部に出射させることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の発光モジュール。
  5. 前記レンズ部は、球体または球体の一部であることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の発光モジュール。
  6. 前記レンズ部は、フレネルレンズであることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の発光モジュール。
  7. 前記レンズ部は球体であり、球の中心が前記フランジ部より外側に位置することを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の発光モジュール。
  8. 前記接合部は、前記上面と対向する接合面を有し、前記接合面にチタン(Ti)/銅(Cu)/ニッケル(Ni)/金(Au)の積層膜またはクロム(Cr)/Cu/Ni/Auの積層膜が形成されており、
    前記封止部は、金錫(AuSn)または銀錫(AgSn)の合金を含み、前記接合面との間で共晶結合を形成することを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の発光モジュール。
  9. 前記接続部は、前記封止部と接合するためのメタライズ処理が施されていないことを特徴とする請求項8に記載の発光モジュール。
  10. 溶融石英を材料として、請求項1から9のいずれか一項に記載の窓部材を射出成形する工程と、
    上面に開口を有する凹部が設けられるパッケージ基板の前記凹部に発光素子を収容する工程と、
    前記レンズ部と前記発光素子が対向するようにして前記上面に前記窓部材を配置する工程と、
    前記パッケージ基板と前記フランジ部の間を封止材で接合する工程と、を備えることを特徴とする発光モジュールの製造方法。
JP2015184169A 2015-09-17 2015-09-17 発光モジュールおよび発光モジュールの製造方法 Active JP6668022B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015184169A JP6668022B2 (ja) 2015-09-17 2015-09-17 発光モジュールおよび発光モジュールの製造方法
PCT/JP2016/075012 WO2017047358A1 (ja) 2015-09-17 2016-08-26 発光モジュールおよび発光モジュールの製造方法
EP16846229.9A EP3352231B1 (en) 2015-09-17 2016-08-26 Light emitting module and method for manufacturing light emitting module
CN201680050639.8A CN108140704B (zh) 2015-09-17 2016-08-26 发光模块及发光模块的制造方法
US15/912,043 US10883680B2 (en) 2015-09-17 2018-03-05 Light-emitting module and method of manufacturing light-emitting module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015184169A JP6668022B2 (ja) 2015-09-17 2015-09-17 発光モジュールおよび発光モジュールの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017059716A JP2017059716A (ja) 2017-03-23
JP6668022B2 true JP6668022B2 (ja) 2020-03-18

Family

ID=58289112

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015184169A Active JP6668022B2 (ja) 2015-09-17 2015-09-17 発光モジュールおよび発光モジュールの製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10883680B2 (ja)
EP (1) EP3352231B1 (ja)
JP (1) JP6668022B2 (ja)
CN (1) CN108140704B (ja)
WO (1) WO2017047358A1 (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102337364B1 (ko) * 2016-06-01 2021-12-09 신에쯔 세끼에이 가부시키가이샤 자외선smd형 led소자의 기밀봉지용 석영유리 부재 및 자외선led용 석영유리 부재의 제조방법
JP2017216389A (ja) * 2016-06-01 2017-12-07 信越石英株式会社 紫外線smd型led素子の気密封止用シリカガラス部材
JP6966556B2 (ja) * 2017-08-23 2021-11-17 日本碍子株式会社 光学部品の製造方法及び透明封止部材の製造方法
JP6644745B2 (ja) * 2017-08-25 2020-02-12 エーディーワイ株式会社 紫外線光素子、紫外線光素子用パッケージ及び紫外線光素子に用いられる光学部材並びにその光学部材の製造方法
JP6871184B2 (ja) * 2018-01-31 2021-05-12 日機装株式会社 半導体発光装置の製造方法
JP7107692B2 (ja) * 2018-02-13 2022-07-27 スタンレー電気株式会社 光源用パッケージ及び光源用パッケージの製造方法
JP7239804B2 (ja) 2018-08-31 2023-03-15 日亜化学工業株式会社 レンズ及び発光装置並びにそれらの製造方法
JP7206475B2 (ja) * 2018-08-31 2023-01-18 日亜化学工業株式会社 レンズ及び発光装置並びにそれらの製造方法
JP7288172B2 (ja) 2018-09-26 2023-06-07 日亜化学工業株式会社 光源装置とその製造方法
CN109309154B (zh) * 2018-10-12 2020-05-19 京东方科技集团股份有限公司 显示单元、显示基板及其制备方法、显示装置
JP7252820B2 (ja) * 2019-04-12 2023-04-05 日機装株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
CN113394320B (zh) * 2020-03-11 2023-04-07 隆达电子股份有限公司 发光二极管封装结构
JP7500317B2 (ja) 2020-07-22 2024-06-17 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
US20230335692A1 (en) 2020-12-25 2023-10-19 Coorstek Kk Silica member and led device
CN113113524A (zh) * 2021-03-30 2021-07-13 佛山市国星光电股份有限公司 一种深紫外led器件及其制造方法

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS637674A (ja) * 1986-06-27 1988-01-13 Mitsubishi Electric Corp 発光ダイオ−ド
JP2002033519A (ja) 2000-07-14 2002-01-31 Sumitomo Electric Ind Ltd 光通信用パッケージ及びその窓部材並びにその製造方法
JP2005038956A (ja) * 2003-07-17 2005-02-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光部品とその製造方法
JP3898721B2 (ja) * 2004-01-28 2007-03-28 京セラ株式会社 発光装置および照明装置
JP2005235864A (ja) 2004-02-17 2005-09-02 Hamamatsu Photonics Kk 光半導体装置
JP4471685B2 (ja) * 2004-03-10 2010-06-02 シチズン電子株式会社 照明装置
US7105875B2 (en) * 2004-06-03 2006-09-12 Wide Bandgap, Llc Lateral power diodes
KR100576866B1 (ko) * 2004-06-16 2006-05-10 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 그 제조방법
KR100662844B1 (ko) * 2005-06-10 2007-01-02 삼성전자주식회사 Led 패키지 및 그 제조방법과 이를 이용한 led어레이 모듈
US7758204B2 (en) * 2006-01-26 2010-07-20 Brasscorp Limited LED spotlight
JP5130680B2 (ja) * 2006-03-02 2013-01-30 日亜化学工業株式会社 半導体装置およびその形成方法
JP5041732B2 (ja) * 2006-05-16 2012-10-03 アルプス電気株式会社 発光体及びその製造方法
CN200990388Y (zh) * 2006-09-30 2007-12-12 东贝光电科技股份有限公司 发光元件
CN101302079A (zh) * 2007-05-09 2008-11-12 深圳富泰宏精密工业有限公司 镀膜玻璃、制备该镀膜玻璃的镀膜系统及镀膜方法
TWI351115B (en) * 2007-05-18 2011-10-21 Everlight Electronics Co Ltd Light-emitting diode module and the manufacturing method thereof
US20100237378A1 (en) * 2009-03-19 2010-09-23 Tzu-Han Lin Light emitting diode package structure and fabrication thereof
JP2012028436A (ja) * 2010-07-21 2012-02-09 Seiko Instruments Inc 発光デバイス、及びその製造方法
DE102010046088A1 (de) * 2010-09-20 2012-03-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse und Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses
JP2012109475A (ja) * 2010-11-19 2012-06-07 Rohm Co Ltd 発光装置、発光装置の製造方法、および光学装置
CN202111088U (zh) * 2011-05-31 2012-01-11 宁波市鄞州雷迈半导体科技有限公司 一种大功率led芯片的封装结构
KR101959035B1 (ko) * 2011-10-31 2019-03-18 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
JP2013105140A (ja) * 2011-11-16 2013-05-30 Olympus Corp 光学素子の製造方法、微細構造形成用型、および微細構造形成用型組立体
DE102012200327B4 (de) * 2012-01-11 2022-01-05 Osram Gmbh Optoelektronisches Bauelement
WO2013133594A1 (en) * 2012-03-05 2013-09-12 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
US9263658B2 (en) * 2012-03-05 2016-02-16 Seoul Viosys Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
KR101516358B1 (ko) * 2012-03-06 2015-05-04 삼성전자주식회사 발광 장치
JP6048880B2 (ja) 2013-01-25 2016-12-21 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光素子用パッケージ及びそれを用いた発光装置
US9799802B2 (en) * 2013-05-23 2017-10-24 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting module
CN204088315U (zh) * 2014-08-26 2015-01-07 北京大学东莞光电研究院 Mcob led荧光粉分离封装结构
EP3038173B1 (en) * 2014-12-23 2019-05-22 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device
US9895459B2 (en) * 2015-10-21 2018-02-20 Stanley Electric Co., Ltd. Ultraviolet ray emitting package having resin adhesive layer and ultraviolet ray irradiating apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017047358A1 (ja) 2017-03-23
EP3352231B1 (en) 2020-09-09
JP2017059716A (ja) 2017-03-23
EP3352231A1 (en) 2018-07-25
EP3352231A4 (en) 2019-02-13
US20180195677A1 (en) 2018-07-12
US10883680B2 (en) 2021-01-05
CN108140704B (zh) 2021-03-16
CN108140704A (zh) 2018-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6668022B2 (ja) 発光モジュールおよび発光モジュールの製造方法
JP2015018873A (ja) 半導体モジュール
CN109643748B (zh) 光半导体装置及光半导体装置的制造方法
EP2270887B1 (en) High powered light emitter packages with compact optics
EP3001466B1 (en) Light-emitting module
EP1830417A2 (en) Semiconductor device and its manufacturing method
JP2015018872A (ja) 窓部材、半導体モジュールおよび窓部材の製造方法
US20100213479A1 (en) Light emitting diode package structure
JP6936574B2 (ja) 光半導体装置
JP2021163950A (ja) 光半導体パッケージの製造方法及び光半導体パッケージ
JP2006156662A (ja) 発光装置
KR102049380B1 (ko) 발광 모듈
JP7149563B2 (ja) 発光装置
JP7371642B2 (ja) 半導体発光デバイス
KR102369978B1 (ko) 발광 소자 패키지
JP2018174207A (ja) 発光装置および発光装置の製造方法
KR20240034857A (ko) 광전자 조립체를 생성하기 위한 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180329

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190305

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190405

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190806

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190904

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200204

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200226

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6668022

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250