JP7107692B2 - 光源用パッケージ及び光源用パッケージの製造方法 - Google Patents

光源用パッケージ及び光源用パッケージの製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、光源用パッケージ及びその製造方法に関する。
図9A及び図9Bは、従来の光源用パッケージを示す概略的な断面図である。図示する光源用パッケージは、たとえば水殺菌装置用光源に使用される。
光源用パッケージは、たとえば凹部を備えるキャビティ51、キャビティ51上(キャビティ51の凹部上方)に配置されたガラス基板(石英ガラス基板)53、及び、光源56を含んで構成される。光源56は、基板57を介し、キャビティ51上(キャビティ51の凹部底面上)に配置され、ガラス基板53は、キャビティ51(キャビティ51の凹部)に蓋をするように配置される。光源56は、たとえば紫外光を発光する半導体発光素子、一例としてLED(light emitting diode)素子である。
キャビティ51とガラス基板53は、AuSn等の金属合金(接着部材)55を用いて接着される。接着部には、キャビティ51上に金属膜52が配置され、ガラス基板53上に金属膜54が配置される。金属膜52、54は、金属合金55と濡れ性のよい材料で形成される。金属膜52によって、金属合金55とキャビティ51が密に接着され、金属膜54によって、金属合金55とガラス基板53が密に接着される。
ガラス基板53がキャビティ51上に密着配置されることで、光源56は外部から遮断される。キャビティ51とガラス基板53は、たとえばヘリウムを用いたリークテストで1.0×10-7[Pa・m/sec]以下の気密性が保たれる程度に、密に接着されることが望ましい。
なお、図9Aに示す光源用パッケージは、キャビティ51上面上にガラス基板53を配置した構造を有する。図9Bに示す光源用パッケージは、キャビティ51上部に段差を設け、キャビティ51の最外周部より内側にガラス基板53を落とし込んだ構造を有する。図9Bに示す光源用パッケージは、図9Aに示す光源用パッケージよりも厚さが薄い。
LEDパッケージ等の光源用パッケージに関する種々の発明が知られている(たとえば特許文献1参照)。
特開2016-63196号公報
図9A及び図9Bに示す、従来の光源用パッケージにおいては、所望の気密性が確保できないという不具合が生じることがあった。また、ガラス基板53がキャビティ51から脱離するという不具合が発生することもあった。
本願発明者は、このような不具合について研究し、その原因を考察した。
図10Aは、不具合の発生した光源用パッケージを、ガラス基板53上面側(金属膜54配置面とは反対側)から撮影した写真である。本写真から、金属膜54がガラス基板53面から剥離していることが確認される。
図10Bは、光源用パッケージのインクテスト(グロスリークテスト)の様子を示す写真である。写真には、インクの侵入が確認された箇所を楕円で囲って示した。楕円で囲った位置においては、金属膜54がガラス基板53から剥離し、光源用パッケージ内にインクが侵入していることが確認される。写真に示す光源用パッケージにおいては、金属膜54の剥離部からグロスリークが発生し、所望の気密レベルを維持することができない。また、金属膜54の剥離が進行すると、ガラス基板53がキャビティ51から脱離する。
写真を参照すると、特に光源用パッケージの角部(金属膜54の角部)において、インクの侵入が著しい(金属膜54の剥離が著しい)ことも認められる。
本願発明者は、金属合金55からの応力によって金属膜54がガラス基板53から剥離したものと考えた。
図10Cに、図10Bの写真の金属膜54角部を拡大した写真を示す。金属膜54の剥離部においては、溶融した金属合金55が金属膜54の端部からはみ出していることが確認される。これは、キャビティ51とガラス基板53の接着時、溶融した金属合金55が金属膜52、54の配置位置よりも広がってしまった状態で凝固したためであると考えられる。
本願発明者は、金属膜54の配置位置からはみ出した金属合金55が凝固する際、金属膜54の端部をガラス基板53から引き剥がすように収縮することが、金属膜54の剥離原因であると考えた。
図11A~図12Cを参照し、金属膜54の剥離について具体的に説明する。
図11Aは、キャビティ51とガラス基板53の接着時における合金金属温度プロファイルを示す概略的なグラフであり、図11B、図11C、図11Dは、それぞれ金属合金55の溶融前(固相領域)、溶融後(液相領域)、凝固後(収縮変化)の様子を示す概略的な断面図である。また、図11Eは、図11Dの一部拡大図である。
加熱前、合金金属55は固相を示す(図11A及び図11B参照)。加熱を開始し、固相線を超える温度になると、合金金属55は徐々に液化し、液相線を超える温度では完全に液相となる(図11A及び図11C参照)。金属合金55が液体となることで、金属膜52、54と金属合金55の金属原子が互いに混ざりあい、接合界面で金属間化合物を形成し、接合可能な状態をつくる。
冷却過程を経て、金属合金55は固体化し、金属膜52、54と金属合金55の界面が完全に接合される(図11A及び図11D参照)。冷却過程において、合金金属55は体積収縮する。この収縮現象は、合金金属55が液体から固体に遷移する過程で継続的に発生するものである(図11A参照)。収縮率は、合金金属55材料に依存する。
本願発明者は、予備実験を行い、合金金属55材料としてAuSnを用いる場合とSnSbを用いる場合を比較した。
図12Aは、合金金属55材料としてAuSnを用いた光源用パッケージを、ガラス基板53上面側(金属膜54配置面とは反対側)から撮影した写真である。金属膜54がガラス基板53面から剥離している。
図12Bは、合金金属55材料としてSnSbを用いた光源用パッケージを、ガラス基板53上面側(金属膜54配置面とは反対側)から撮影した写真である。金属膜54のガラス基板53面からの剥離は認められない。
図12Cに、AuSnとSnSbに関する物性を示す。熱膨張係数はSnSbが大きいが、AuSnを構成するAuの凝固収縮率が大きい。本願発明者は、AuSnは溶融して金属膜52、54と金属間化合物を形成した後の固液共存領域での体積収縮による変化が大きいため、金属合金55が所定位置から広がってしまうと、金属膜52、54を巻き込んで収縮し、金属膜54剥離を生じさせる(図11E参照)力が大きいためこのような結果が生じたものと考えた。なお、同様のことはAuSnに限らず、金属膜52、54と金属間化合物を形成した後の体積収縮による変化が生じる材料であれば生じうる。
本発明の目的は、高品質の光源用パッケージ及びその製造方法を提供することである。
本発明の一観点によると、凹部を備えるキャビティと、前記キャビティの凹部底面上に配置された光源と、前記キャビティと接着部材を用いて接着され、前記光源上方に配置された透明基板とを有し、前記キャビティと前記透明基板の接着部においては、前記接着部材の前記透明基板側に金属膜が配置され、前記金属膜の縁部上に堰堤膜が配置され、前記金属膜面と前記堰堤膜側面で画定される領域に前記接着部材が配置されている光源用パッケージが提供される。
また、本発明の他の観点によると、(a)凹部を備え、前記凹部底面上に配置された光源を有するキャビティと、金属膜及び前記金属膜の縁部上に配置された堰堤膜を備える透明基板を準備する工程と、(b)前記金属膜面と前記堰堤膜側面で画定される領域に接着部材を配置して、前記光源上方に前記透明基板が配置されるように、前記キャビティと前記透明基板を接着する工程とを有する光源用パッケージの製造方法が提供される。
本発明によれば、高品質の光源用パッケージ及びその製造方法を提供することができる。
図1A~図1Eは、ガラス基板11側の準備を示す概略図である。 図1F~図1Iは、ガラス基板11側の準備を示す概略図である。 図2A~図2Eは、キャビティ21側の準備を示す概略図である。 図3は、第1実施例による光源用パッケージを示す概略的な断面図である。 図4Aは、堰堤膜15を配置しない構造を示す概略的な断面図であり、図4Bは、第1実施例による光源用パッケージのガラス基板11側を示す概略的な断面図である。 図5A~図5Eは、第2実施例による光源用パッケージの製造方法を示す概略的な断面図である。 図5F~図5Iは、第2実施例による光源用パッケージの製造方法を示す概略的な断面図である。 図6A~図6Eは、第3実施例による光源用パッケージの製造方法を示す概略的な断面図である。 図6F~図6Iは、第3実施例による光源用パッケージの製造方法を示す概略的な断面図である。 図7Aは、実施例による光源用パッケージにおける堰堤膜15配置領域の一例を示す概略的な断面図であり、図7Bは、堰堤膜15配置領域の他の例を示す概略的な断面図である。 図8Aは、実施例による光源用パッケージのキャビティ21側を示す概略的な断面図であり、図8Bは、キャビティ21側の他の例を示す概略的な断面図である。 図9A及び図9Bは、従来の光源用パッケージを示す概略的な断面図である。 図10Aは、不具合の発生した光源用パッケージを、ガラス基板53上面側から撮影した写真であり、図10Bは、光源用パッケージのインクテストの様子を示す写真であり、図10Cは、図10Bの写真の金属膜54角部を拡大した写真である。 図11Aは、キャビティ51とガラス基板53の接着時における合金金属温度プロファイルを示す概略的なグラフであり、図11B、図11C、図11Dは、それぞれ金属合金55の溶融前、溶融後、凝固後の様子を示す概略的な断面図であり、図11Eは、図11Dの一部拡大図である。 図12Aは、合金金属55材料としてAuSnを用いた光源用パッケージを、ガラス基板53上面側から撮影した写真であり、図12Bは、合金金属55材料としてSnSbを用いた光源用パッケージを、ガラス基板53上面側から撮影した写真であり、図12Cは、AuSnとSnSbに関する物性を示す表である。
図1A~図3を参照し、第1実施例による光源用パッケージの製造方法を説明する。
まず、図1A~図1Iを参照し、透明基板(ガラス基板(石英ガラス基板)11)側の準備について説明する。
図1A及び図1Bを参照する。ガラス基板11を準備し、準備したガラス基板11上にフォトリソ工程を用い、レジスト12パターンを形成する。
図1Cを参照する。レジスト12パターンが形成されたガラス基板11上に、第1接着層13a、第2接着層13b、第3接着層13cを順次成膜する。第1~第3接着層13a~13cは、たとえば抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等を用いて成膜することができる。第1~第3接着層13a~13cにより金属膜13が構成される。
第1接着層13aは、ガラス基板11と接着しやすい材料、たとえばCr、Ni、Fe、Co等を用いて形成する。第3接着層13cは、後工程で使用する金属合金(接着部材)25(一例としてAuSn)と金属間化合物を形成する材料、たとえばAuを用いて形成する。第2接着層13bは、第1、第3接着層13a、13cの両者と接着しやすい材料、たとえばNi、Pt、Tiを用いて形成する。
図1Dを参照する。リフトオフ工程により、レジスト12を除去する。図1A~図1Dに示す工程までで、ガラス基板11上に、所望形状の金属膜13を配置することができる。
図1Eに、金属膜13の配置領域の一例を示す。金属膜13は、矩形状のガラス基板11の輪郭に沿って帯状に配置される。
図1Fを参照する。金属膜13が形成されたガラス基板11上に、フォトリソ工程を用い、レジスト14パターンを形成する。
図1Gを参照する。金属膜13及びレジスト14パターンが形成されたガラス基板11上に、たとえば抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等を用い、堰堤膜15を成膜する。
堰堤膜15は、たとえば第1接着層13aを形成する材料と等しい材料、または第1接着層13aを形成する材料と線膨張係数が近い材料で形成される。一例として、第1接着層13aがCr、Ni、Fe、Coのうちのいずれかで形成される場合、堰堤膜15もCr、Ni、Fe、Coのうちのいずれかで形成することができる。
図1Hを参照する。リフトオフ工程により、レジスト14を除去する。図1F~図1Hに示す工程により、ガラス基板11及び金属膜13(第3接着層13c)上に、堰堤膜15を配置することができる。堰堤膜15は、金属膜13(第3接着層13c)上の一部(金属膜13(第3接着層13c)の縁部上)から、金属膜13(第1~第3接着層13a~13c)の側面を覆って、ガラス基板11上に至る領域に配置される。金属膜13(第3接着層13c)上面と堰堤膜15の側面により、凹部(堰堤膜15の開口部)16領域が画定される。
図1Iに、堰堤膜15の配置領域の一例を示す。堰堤膜15は、平面視上、金属膜13の内側輪郭をまたぐ領域、及び、金属膜13の外側輪郭をまたぐ領域に配置される。
次に、図2A~図2Eを参照し、キャビティ21側の準備について説明する。なお、キャビティ21側の準備と、図1A~図1Iを参照して説明したガラス基板11側の準備は、どちらを先に行ってもよく、並行して行うこともできる。
図2Aを参照する。キャビティ21をホットプレート30上に載置する。キャビティ21は凹部を備え、また、上面に金属膜22が配置されている。金属膜22は、たとえば平面視上、矩形状であるキャビティ21の輪郭に沿って帯状に配置される。
図2Bを参照する。基板24上に配置された光源23を、キャビティ21上(キャビティ21の凹部底面上)にセットする。光源23は、たとえば紫外光を発光する半導体発光素子、一例としてLED素子である。基板24は、たとえばAlNで形成される。
図2Cを参照する。ホットプレート30の温度を所定温度まで上昇させる。基板24の裏面、及び、キャビティ21の凹部底面の所定位置には、あらかじめ接合剤が配置されている。接合剤は、ホットプレート30による加熱で溶融する。
図2Dを参照する。冷却工程で接合剤が凝固し、基板24の裏面と、キャビティ21の凹部底面が接合される。
なお、図2Eに、キャビティ21側構造の概略的な平面図を示した。
図3を参照する。図1H及び図1Iに示すガラス基板11(金属膜13及び堰堤膜15が配置されたガラス基板11)と、図2D及び図2Eに示すキャビティ21(上面に金属膜22が配置され、凹部底面上に基板24を介して光源23が配置されたキャビティ21)を、たとえばAuSn、SnCu等である金属合金(接着部材)25を用いて接着する。
具体的には、金属膜13(第3接着層13c)上面(凹部16)に、金属合金25を配置して加熱する。金属合金25は、たとえば小片状、ペースト状、薄膜状等の状態で配置される。配置時点で金属膜13と接着されている必要はない。
加熱された金属合金25は溶融して液体となる。金属合金25と金属膜13、22の金属原子は互いに混ざりあい、接合界面で金属間化合物を形成し、接合可能な状態をつくる。
冷却過程を経て、金属合金25は固体化し、金属合金25と金属膜13、22の界面が完全に接合される。
こうして、第1実施例による光源用パッケージが製造される。
なお、「発明が解決しようとする課題」で述べたように、本願発明者による予備実験では、合金金属材料としてSnSbを用いた場合に金属膜の剥離は認められなかったにもかかわらず、第1実施例による光源パッケージの製造においては、AuSn、SnCu等である金属合金25を用いて、キャビティ21とガラス基板11を接合する。これは、キャビティ21とガラス基板11を接合した後の光源用パッケージは、約260℃の雰囲気下で、はんだ材等を用い回路基板と接合されるためである。金属合金25としてSnSb(固相線約238℃、液相線約241℃)を使用すると、約260℃の雰囲気中でSnSbが軟化(再溶融)して、ガラス基板11の浮きが発生し、または、ガラス基板11がキャビティ21から脱離し、光源用パッケージ内部の気密性を保持できなくなるという不具合が生じる。このため、金属合金25には、AuSn(固相線約278℃)、SnCu等、合金化後の固相温度が270℃以上である材料を使用する。
第1実施例による光源用パッケージは、凹部を備えるキャビティ21、キャビティ21上(キャビティ21の凹部底面上)に、基板24を介して配置された光源23、及び、キャビティ21上(キャビティ21の凹部上方、光源23上方)に配置されたガラス基板11を含んで構成される。ガラス基板11は、たとえば光源23から出射される光に対して透明な基板であり、キャビティ21(キャビティ21の凹部)に蓋をするように配置される。
キャビティ21とガラス基板11は、金属合金25を用いて接着される。接着部には、キャビティ21上に金属膜22が配置され、ガラス基板11上に金属膜13が配置される。キャビティ21とガラス基板11の接着部においては、金属合金25のガラス基板11側に金属膜13が配置され、金属膜13上の一部(金属膜13の縁部上)から、金属膜13の側面を覆う領域に堰堤膜15が配置され、金属膜13面と堰堤膜15の側面で画定される領域に金属合金25が配置されている。
ガラス基板11上の金属膜13は、複数の層、第1実施例においては、ガラス基板11側から順に配置される、第1、第2、第3接着層13a、13b、13cで構成される。金属膜22、及び、金属膜13の第3接着層13cは、金属合金25と濡れ性のよい材料で形成される。金属膜22によって、金属合金25とキャビティ21が密に接着され、金属膜13によって、金属合金25とガラス基板11が密に接着される。
ガラス基板11がキャビティ21上に密着配置されることで、光源23は外部から遮断される。キャビティ21とガラス基板11は、たとえばヘリウムを用いたリークテストで1.0×10-7[Pa・m/sec]以下の、高い気密性が保たれる程度に、密に接着されている。
図4Aを参照する。堰堤膜15を配置しない構造においては、加熱され、溶融された金属合金25は、金属膜13の側面を被覆した状態で凝固収縮し、収縮時に、金属膜13をガラス基板11から剥離させる応力を発生させる。図示するように、堰堤膜15を配置しない構造においては、金属間化合物形成領域と金属膜13配置領域がほぼ等しいため、また、異種材料間の応力は界面端部で強くなることから、金属合金25の収縮時に、金属膜13の剥離はその端部から発生しやすくなる。
図4Bを参照する。これに対し、第1実施例による光源用パッケージにおいては、金属膜13の側面を被覆してガラス基板11上面まで配置される堰堤膜15を形成する。このため、まず、金属膜13とガラス基板11の間の接着強度を強くすることができる。
更に、金属膜13の側面を被覆する堰堤膜15は、金属膜13の上面にも配置され、金属合金25は、金属膜13上面と堰堤膜15の側面により形成される凹部(堰堤膜15の開口部)16に配置される。このため、金属合金25は溶融されてもガラス基板11上に流れず、金属合金25と金属膜13(第3接着層13c)とで金属間化合物が形成される領域が限定される。たとえば溶融された金属合金25は、金属膜13配置領域からはみ出さず、金属膜13の側面に濡れ広がらない。したがって、冷却過程において金属合金25が収縮する際、ガラス基板11と金属膜13の界面において、ガラス基板11面に接触した金属膜13(第1接着層13a)の端部にかかる収縮応力が低減され、金属膜13のガラス基板11からの剥離を防止することができる。
第1実施例による光源用パッケージは、たとえば金属膜13の剥離が防止され、高い気密性を有する、高品質の光源用パッケージである。
なお、堰堤膜15は、金属膜13(第3接着層13c)上面の面積の5%以上50%以下の領域を覆うように、金属膜13(第3接着層13c)上面に配置されること(堰堤膜15による金属膜13上面の被覆領域の面積が、堰堤膜15が配置されないときの金属膜13上面の面積の5%以上50%以下であること)が好ましい。
また、第1実施例においては、堰堤膜15を、たとえばCr,Ni,Fe,Coのうちのいずれかで形成する。
図5A~図5Iを参照し、第2実施例による光源用パッケージの製造方法を説明する。第2実施例による光源用パッケージは金属膜13及び堰堤膜15の構成において第1実施例と相違する。
第2実施例においては、たとえば以下の方法で透明基板(ガラス基板(石英ガラス基板)11)側の準備を行う。
図5Aを参照する。ガラス基板11を準備し、準備したガラス基板11上にフォトリソ工程を用い、レジスト41パターンを形成する。
図5Bを参照する。レジスト41パターンが形成されたガラス基板11上に、第1接着層13aを成膜する。第1接着層13aは、たとえば抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等を用いて成膜することができる。
第1接着層13aは、ガラス基板11と接着しやすい材料、たとえばCr、Ni、Fe、Co等を用いて形成する。
図5Cを参照する。リフトオフ工程により、レジスト41を除去する。なお、図5Cに示す第1接着層13aは堰堤膜15の一部を構成する。
図5Dを参照する。第1接着層13aが配置されたガラス基板11上にフォトリソ工程を用い、レジスト42パターンを形成する。
図5Eを参照する。第1接着層13a及びレジスト42パターンが形成されたガラス基板11上に、第2接着層13b、第3接着層13cを順次成膜する。第2、第3接着層13b、13cは、たとえば抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等を用いて成膜することができる。
第3接着層13cは、後工程で使用する金属合金(接着部材)25(一例としてAuSn)と金属間化合物を形成する材料、たとえばAuを用いて形成する。第2接着層13bは、第1、第3接着層13a、13cの両者と接着しやすい材料、たとえばNi、Pt、Tiを用いて形成する。
図5Fを参照する。リフトオフ工程により、レジスト42を除去することで、第1接着層13a上に、第2、第3接着層13b、13cが配置される。第2接着層13b及び第3接着層13cにより、金属膜13が構成される。
図5Gを参照する。第1、第2、第3接着層13a、13b、13cが形成されたガラス基板11上に、フォトリソ工程を用い、レジスト43パターンを形成する。
図5Hを参照する。第1、第2、第3接着層13a、13b、13c及びレジスト43パターンが形成されたガラス基板11上に、第1接着層13aと等しい材料を用い成膜を行う。たとえば抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等を用いて成膜可能である。
図5Iを参照する。リフトオフ工程により、レジスト43を除去する。図5Cに示す第1接着層13aとその上に形成された第1接着層13aとで、堰堤膜15が構成される。堰堤膜15(第1接着層13a)は、ガラス基板11及び金属膜13(第3接着層13c)上(金属膜13(第3接着層13c)上の一部(金属膜13(第3接着層13c)の縁部上)から、金属膜13(第2、第3接着層13b、13c)の側面を覆って、ガラス基板11上に至る領域)に配置される。
キャビティ21側の準備は第1実施例と同様に行うことができる(図2A~図2E参照)。また、ガラス基板11(金属膜13及び堰堤膜15が配置されたガラス基板11)と、キャビティ21(上面に金属膜22が配置され、凹部底面上に基板24を介して光源23が配置されたキャビティ21)の接合についても、第1実施例と同様である。
こうして、第2実施例による光源用パッケージが製造される。
第2実施例による光源用パッケージも、第1実施例と同様に、たとえば金属膜13の剥離が防止され、高い気密性を有する、高品質の光源用パッケージである。
なお、第2実施例による光源用パッケージにおいては、第1実施例よりも、ガラス基板11と堰堤膜15の密着力、及び、金属膜13と堰堤膜15の密着力が強い。
図6A~図6Iを参照し、第3実施例による光源用パッケージの製造方法を説明する。第3実施例による光源用パッケージは金属膜13及び堰堤膜15の構成において第1、第2実施例と相違する。
第3実施例においては、たとえば以下の方法で透明基板(ガラス基板(石英ガラス基板)11)側の準備を行う。
図6Aを参照する。ガラス基板11を準備し、準備したガラス基板11上にフォトリソ工程を用い、レジスト44パターンを形成する。
図6Bを参照する。レジスト44パターンが形成されたガラス基板11上に、第1接着層13aを成膜する。第1接着層13aは、たとえば抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等を用いて成膜することができる。
第1接着層13aは、ガラス基板11と接着しやすい材料、たとえばCr、Ni、Fe、Co等を用いて形成する。
図6Cを参照する。リフトオフ工程により、レジスト44を除去する。
図6Dを参照する。第1接着層13aが配置されたガラス基板11上にフォトリソ工程を用い、レジスト45パターンを形成する。
図6Eを参照する。第1接着層13a及びレジスト45パターンが形成されたガラス基板11上に、第2接着層13b、第3接着層13cを順次成膜する。第2、第3接着層13b、13cは、たとえば抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等を用いて成膜可能である。
第3接着層13cは、後工程で使用する金属合金(接着部材)25(一例としてAuSn)と金属間化合物を形成する材料、たとえばAuを用いて形成する。第2接着層13bは、第1、第3接着層13a、13cの両者と接着しやすい材料、たとえばNi、Pt、Tiを用いて形成する。
図6Fを参照する。リフトオフ工程により、レジスト45を除去することで、第1接着層13a上に、第2、第3接着層13b、13cが配置される。第2、第3接着層13b、13cは、第1接着層13aの配置範囲よりも狭い範囲に配置される。第1~第3接着層13a~13cにより金属膜13が構成される。
図6Gを参照する。金属膜13(第1、第2、第3接着層13a、13b、13c)が形成されたガラス基板11上に、フォトリソ工程を用い、レジスト46パターンを形成する。
図6Hを参照する。金属膜13(第1、第2、第3接着層13a、13b、13c)及びレジスト46パターンが形成されたガラス基板11上に、たとえば抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等を用い、堰堤膜15を成膜する。
堰堤膜15は、たとえば第1接着層13aを形成する材料と等しい材料、または第1接着層13aを形成する材料と線膨張係数が近い材料で形成する。一例として、第1接着層13aがCr、Ni、Fe、Coのうちのいずれかで形成される場合、堰堤膜15もCr、Ni、Fe、Coのうちのいずれかで形成することができる。
図6Iを参照する。リフトオフ工程により、レジスト46を除去することで、第3接着層13c上の一部(第3接着層13cの縁部上)から、第2、第3接着層13b、13cの側面を覆って、第1接着層13a上に至る領域に、堰堤膜15が形成される。
キャビティ21側の準備は第1、第2実施例と同様に行うことができる(図2A~図2E参照)。また、ガラス基板11(金属膜13及び堰堤膜15が配置されたガラス基板11)と、キャビティ21(上面に金属膜22が配置され、凹部底面上に基板24を介して光源23が配置されたキャビティ21)の接合についても、第1、第2実施例と同様である。
こうして、第3実施例による光源用パッケージが製造される。
第3実施例による光源用パッケージも、第1、第2実施例と同様に、たとえば金属膜13の剥離が防止され、高い気密性を有する、高品質の光源用パッケージである。
また、第3実施例による光源用パッケージにおいては、第2、第3接着層13b、13cを第1接着層13aの配置範囲よりも狭い範囲に配置するため、ガラス基板11とキャビティ21の接合時に、金属合金25が収縮する際、ガラス基板11面に接触した金属膜13(第1接着層13a)の端部にかかる収縮応力が一層低減される。したがって、金属膜13(第1接着層13a)のガラス基板11からの剥離を、一層防止することができる。
以上、実施例等に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
たとえば第1~第3実施例による光源用パッケージにおいては、一例として図7Aに示すように、堰堤膜15は、金属膜13上の一部(金属膜13の縁部上)から、金属膜13の側面を覆う領域に配置されたが、たとえば図7Bに示すように、金属膜13上の一部(金属膜13の縁部上)にのみ配置することもできる。
また、実施例による光源用パッケージは、図8Aに示すように、上面の一部に金属膜22が配置されたキャビティ21を備えるが、図8Bに示すように、上面全体に金属膜22が配置されたキャビティ21を備えてもよい。
更に、実施例による光源用パッケージは、キャビティ21上面上にガラス基板11を配置した構造を有するが、キャビティ21上部に段差を設け、キャビティ21の最外周部より内側にガラス基板11を落とし込んだ構造としてもよい。実施例による光源用パッケージよりも厚さを薄くすることができる。
その他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者には自明であろう。
実施例による光源用パッケージは、LEDパッケージ、深紫外LEDパッケージ等に好適に利用可能である。たとえば水殺菌装置用光源に使用することができる。
11 ガラス基板
12 レジスト
13 金属膜
13a 第1接着層
13b 第2接着層
13c 第3接着層
14 レジスト
15 堰堤膜
16 凹部
21 キャビティ
22 金属膜
23 光源
24 基板
25 金属合金
30 ホットプレート
41~46 レジスト
51 キャビティ
52 金属膜
53 ガラス基板
54 金属膜
55 金属合金
56 光源
57 基板

Claims (12)

  1. 凹部を備えるキャビティと、
    前記キャビティの凹部底面上に配置された紫外光を発光する光源と、
    前記キャビティと接着部材を用いて接着され、前記光源上方に配置された透明基板と
    を有し、
    前記キャビティと前記透明基板の接着部においては、前記接着部材の前記透明基板側に金属膜が配置され、前記金属膜の縁部上に堰堤膜が配置され、前記堰堤膜は金属によって形成され、前記金属膜面と前記堰堤膜側面で画定される領域に前記接着部材が配置されている光源用パッケージ。
  2. 前記堰堤膜は、前記金属膜の縁部上から前記金属膜の側面の少なくとも一部を覆う領域に配置されている請求項1に記載の光源用パッケージ。
  3. 前記堰堤膜は、前記金属膜面の面積の5%以上50%以下の領域を覆うように、前記金属膜上に配置されている請求項1または2に記載の光源用パッケージ。
  4. 前記金属膜は複数の層で構成され、前記堰堤膜は、前記複数の層のうち最も前記透明基板側に位置する層を形成する材料と等しい材料で形成されている請求項1~3のいずれか1項に記載の光源用パッケージ。
  5. 前記金属膜は複数の層で構成され、前記複数の層のうち最も前記透明基板側に位置する層は、Cr、Ni、Fe、Coのうちのいずれかで形成され、前記堰堤膜は、Cr、Ni、Fe、Coのうちのいずれかで形成されている請求項1~のいずれか1項に記載の光源用パッケージ。
  6. 前記接着部材は、合金化後の固相温度が270℃以上である金属合金材料で形成されている請求項1~5のいずれか1項に記載の光源用パッケージ。
  7. (a)凹部を備え、前記凹部底面上に配置された紫外光を発光する光源を有するキャビティと、金属膜及び前記金属膜の縁部上に配置された金属によって形成された堰堤膜を備える透明基板を準備する工程と、
    (b)前記金属膜面と前記堰堤膜側面で画定される領域に接着部材を配置して、前記光源上方に前記透明基板が配置されるように、前記キャビティと前記透明基板を接着する工程と
    を有する光源用パッケージの製造方法。
  8. 前記堰堤膜は、前記金属膜の縁部上から前記金属膜の側面の少なくとも一部を覆う領域に配置されている請求項7に記載の光源用パッケージの製造方法。
  9. 前記堰堤膜は、前記金属膜面の面積の5%以上50%以下の領域を覆うように、前記金属膜上に配置されている請求項7または8に記載の光源用パッケージの製造方法。
  10. 前記金属膜は複数の層で構成され、前記堰堤膜は、前記複数の層のうち最も前記透明基板側に位置する層と等しい材料で形成されている請求項7~9のいずれか1項に記載の光源用パッケージの製造方法。
  11. 前記金属膜は複数の層で構成され、前記複数の層のうち最も前記透明基板側に位置する層は、Cr、Ni、Fe、Coのうちのいずれかで形成され、前記堰堤膜は、Cr、Ni、Fe、Coのうちのいずれかで形成されている請求項7~10のいずれか1項に記載の光源用パッケージの製造方法。
  12. 前記接着部材は、合金化後の固相温度が270℃以上である金属合金材料で形成されている請求項7~11のいずれか1項に記載の光源用パッケージの製造方法。
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