JP2007311456A - 接合基材の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る接合基材の製造方法は、基板1を構成し、絶縁性を有する面上の少なくとも一部に導電層3を形成する。次に、前記基板と前記導電層とを覆い、該導電層の所定の領域を露呈するように開口部6を備えた保護層5を形成する。さらに、前記基板を溶融金属中に浸漬させて、前記開口部に凸部を形成する。その後、前記保護層を除去することを少なくとも順に備える。
【選択図】図1
Description
図7に示すよう、まず、(i)シード層成膜工程において、電極52が形成された基板51の上に、金属凸部の材料と電極52の材料との双方に密着性の良いシード層53を形成する。シード層53の被着は、通常の薄膜形成技術を使用して行なう。次いで、(ii)フォトリソグラフィ工程において、めっき用パターニングを形成する。また、(iii)めっき処理工程において、めっき処理によって金属凸部54を形成する。次に、(iv)レジスト剥離工程において、不要になったレジストを除去する。そして、(v)シード層除去工程において、不要部分のシード層をエッチングする。その後、(vi)熱処理工程において、金属凸部54に熱処理を施す。これにより、図6に示すような、電気めっきによる金属凸部54が形成される。
まず、第一に、時間がかかる。第二に、合金を作製するにあたって成分比のコントロールが困難である。第三に、選択できる金属の幅が非常に狭まってしまう。第四に、繊細なめっき液管理が必要である。第五に、膜厚が面内で一様にすることは困難である。
したがって、凸部はこの凹部空間内に収まるように構成されるので、その隣接間隔は凹部空間によって決定され、それぞれの凸部の形成領域となる導電層同士が平面的に近接している場合であっても、十分な凸部の形成領域を高さ方向に確保して所望の大きさ(高さ)の凸部を形成することができると共に、電気めっき法に比べて短時間で、かつ、容易に凸部を形成できる接合基材の製造方法を提供することができる。しかも、高さ方向に展開する保護層の厚さや、該保護層に形成された開口部の大きさ(径)によって、凹部空間の大きさが決まるので、凸部の大きさ(高さや広さ)を容易に制御することができる。
たとえば、保護層に設ける開口部の形状を変更することにより、凸部を、上方から見て円形や楕円形、リング状としてもよい。
図1及び図2は、本発明に係る接合基材の製造方法の一例を工程順に示す概略断面図である。図3は、本発明で用いる基板に導電層を形成したパターンの一例を示す図であり、(a)の断面図は、(b)の平面図に示すA−A線に沿った断面を表している。
また、絶縁層2は、たとえば基体1の表層部を酸化して、酸化膜を形成することにより形成したものであっても良い。
したがって、開口部6の様々なパターンに応じて、後述する凸部を、開口部形状と同じ形状に制御(形成)することが可能となる。
その後、保護層5を除去する[図2(b)]。
また、この方法で形成された凸部の高さは、母材や凸部の材料となる半田の表面張力、母材と半田の界面張力のバランス、すなわち母材と半田の濡れ性によって決まるので、開口径で容易に凸部の高さを制御することができる。このことは、凸部の体積が制御可能であることを意味し、予め計算しておけば、再溶融熱処理工程後にシール状に濡れ拡がった半田の高さも制御することが可能となる。したがって、開口径を小さくすれば、凸部の大きさを小さく、低くすることができ、パッケージの小型化、バンプの高密度化の観点から非常に有利である。
そこで、そのときには、予め半田のAn−Sn組成比を共晶よりもSn側にずらしておいて、再溶融熱処理後に共晶に近づけるようにすると良い。
このように平坦化処理を行うことによって、他基板との接続性が向上し、接合面全体の均一性が図れるものとなる。
さらに、本発明では、フラックスを含まないため、洗浄工程は必要なく、ボイドや腐食による凸部の劣化なども無い。しかも、ボイドやフラックス残りがない凸部が形成できるので、強い密着強度を有した凸部を得ることができる。
Claims (3)
- 基板を構成し、絶縁性を有する面上の少なくとも一部に導電層を形成する工程Aと、
前記基板と前記導電層とを覆い、該導電層の所定の領域を露呈するように開口部を備えた保護層を形成する工程Bと、
前記基板を溶融金属中に浸漬させて、前記開口部に凸部を形成する工程Cと、
前記保護層を除去する工程Dと、
を順に少なくとも備えることを特徴とする接合基材の製造方法。 - 前記工程Dの後、平坦化処理を行う工程Eを、
さらに備えることを特徴とする請求項1に記載の接合基材の製造方法。 - 前記保護層として、前記溶融金属と濡れ性の低い材料を用いることを特徴とする請求項1又は2に記載の接合基材の製造方法。
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