JPH0258229A - 半田バンプ型電極の製造方法 - Google Patents
半田バンプ型電極の製造方法Info
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- JPH0258229A JPH0258229A JP63209025A JP20902588A JPH0258229A JP H0258229 A JPH0258229 A JP H0258229A JP 63209025 A JP63209025 A JP 63209025A JP 20902588 A JP20902588 A JP 20902588A JP H0258229 A JPH0258229 A JP H0258229A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
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-
- H—ELECTRICITY
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- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、半導体装置、？！極パクド上の半田バンプ型
電極に関する。
電極に関する。
［発明の概要コ
本発明は、半導体装置、電極パッド上の半田バンプ型電
極において、 集積回路基板と平行に配置した板を用いてリフローし、
半田上部を平担化することＫより、半田バンプ型電極間
高さばらつきを低減、かつ半田と実装基板の接触面積を
広くして、高い実装安定性を得ようとしたものである。
極において、 集積回路基板と平行に配置した板を用いてリフローし、
半田上部を平担化することＫより、半田バンプ型電極間
高さばらつきを低減、かつ半田と実装基板の接触面積を
広くして、高い実装安定性を得ようとしたものである。
［従来の技術］
従来、半導体装置、電極パッド上の半田バンプ型電極の
構造に関しては数多くの提案がなされ、改良が加えられ
ている。
構造に関しては数多くの提案がなされ、改良が加えられ
ている。
例えば、５ｏｌｉｄｓｔａｔｅ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
、 Ａｐｒｉｌ 。
、 Ａｐｒｉｌ 。
１９８０ 年版の様に、フォトレジストを使用し、メツ
キによりバンプ型電極を形成した場合には第２図（ａ）
にあるように、大きなキノコ状の半田パンダ型電極が形
成されるものであった。これを解決するために半田リフ
ロー処理で半田を溶融し、その表面張力により第２図（
ｂ）のような球状の半田バンプ型電極を得たものであっ
た。
キによりバンプ型電極を形成した場合には第２図（ａ）
にあるように、大きなキノコ状の半田パンダ型電極が形
成されるものであった。これを解決するために半田リフ
ロー処理で半田を溶融し、その表面張力により第２図（
ｂ）のような球状の半田バンプ型電極を得たものであっ
た。
［発明が解決しようとする課Ｍ］
しかし従来の技術では、メツキ時の半田量が、リフロー
後の半田バンプ型電極高さを支配する。
後の半田バンプ型電極高さを支配する。
半田量がわずかでもばらつくと、リフロー後の高さは大
きくばらつくため、低いバンプ型電極は、実装する場合
、実装基板との接触が悪く大きな問題となっていた。し
かも球状であるため、接触面積が少な（、特に半導体装
置または実装基板の片側から熱する実装方法では熱の伝
わりが悪く、大きな問題となっていた。
きくばらつくため、低いバンプ型電極は、実装する場合
、実装基板との接触が悪く大きな問題となっていた。し
かも球状であるため、接触面積が少な（、特に半導体装
置または実装基板の片側から熱する実装方法では熱の伝
わりが悪く、大きな問題となっていた。
そこで、本発明は従来のこのような問題点を解決するた
め、集積回路基板と平行に配置した板を用いてリフロー
し、半田上部を平担化することにより、半田バンプ型電
極間高さばらつきの低域、かつ半田と実装基板の接触面
積を広（して高い実装安定性を得ることを目的として〜
）る。
め、集積回路基板と平行に配置した板を用いてリフロー
し、半田上部を平担化することにより、半田バンプ型電
極間高さばらつきの低域、かつ半田と実装基板の接触面
積を広（して高い実装安定性を得ることを目的として〜
）る。
［課題を解決するための手段］
上記課題な解決するために、本発明の半田バンプ型電極
形状及びその製造方法は、 α） リフロー後の半田の上部が平担な形状と、ｂ）
集積回路基板と平行に配置した板を用いてリフローする
ことにより、前記形状を得ることを特徴とする。
形状及びその製造方法は、 α） リフロー後の半田の上部が平担な形状と、ｂ）
集積回路基板と平行に配置した板を用いてリフローする
ことにより、前記形状を得ることを特徴とする。
［実施例］
以下に、本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。
第１図（ａ）にあるように、半田バンプ型？１１極とは
集積回路基板１の電極パッド上に、拡散バリア金属２．
スペーサー金属３．半田４から成るもので、スペーサー
金属３と半ＥＥ４はメツキにより形成されるためキノコ
のような形状となる。従来の半田バンプ型電極は、半田
リフロー処理で半田を溶融し、その表面張力により第２
図Ｃｈ）のような球状の半田バンプ型電極を形成したも
のでありた。本発明は、半田リフローの際、集積回路基
板１と平行にガラス板６を配することによって、半田の
高さは全て一定に保つことができ、メツキ後の半ＦＥｆ
Ｉｋばらつきは、はとんど無視することができるように
なる。集積回路基板１とガラス板６の距離を変えること
により、半田バンプ型電極の高さや平担部分の面積を自
由に変えることができる。
集積回路基板１の電極パッド上に、拡散バリア金属２．
スペーサー金属３．半田４から成るもので、スペーサー
金属３と半ＥＥ４はメツキにより形成されるためキノコ
のような形状となる。従来の半田バンプ型電極は、半田
リフロー処理で半田を溶融し、その表面張力により第２
図Ｃｈ）のような球状の半田バンプ型電極を形成したも
のでありた。本発明は、半田リフローの際、集積回路基
板１と平行にガラス板６を配することによって、半田の
高さは全て一定に保つことができ、メツキ後の半ＦＥｆ
Ｉｋばらつきは、はとんど無視することができるように
なる。集積回路基板１とガラス板６の距離を変えること
により、半田バンプ型電極の高さや平担部分の面積を自
由に変えることができる。
このような形状及び製造方法の半田バンプ型電極は、従
来の半田バンプ型電極に比べると、高さばらつきが極め
て小さく、実装基板との接触面積も広く、安定した実装
を行なうことができるばかりか、多様な実装方式にも対
応することができるものである。
来の半田バンプ型電極に比べると、高さばらつきが極め
て小さく、実装基板との接触面積も広く、安定した実装
を行なうことができるばかりか、多様な実装方式にも対
応することができるものである。
実施例では半田リフローの際にガラス板６を使用したが
、半田にぬれな（、かつリフロー温度に耐えることので
きる材料ならばそのほとんどが応用することができる。
、半田にぬれな（、かつリフロー温度に耐えることので
きる材料ならばそのほとんどが応用することができる。
［発明の効゛果］
本発明は、半導体装置の半田バンプ型電極において、
集積回路基板と平行に配した板を用いてリフローシ、半
田上部を平担化することにより、半田バンプ型電極間高
さばらつきを低減、かつ半田と実装基板の接触面積を広
くして、高い実装安定性を得ることができた。
田上部を平担化することにより、半田バンプ型電極間高
さばらつきを低減、かつ半田と実装基板の接触面積を広
くして、高い実装安定性を得ることができた。
第１図（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施例による半田バ
ンプ型電極の製造工程の断面図。 第２図（ａ）−ｒｃｂ）は、従来の半田バンプ型電極の
製造工程の断面図。 １・・・・・・・・・集積回路基板 ２・・・・・・・・・拡散バリア金属膜５・・・・・・
・・・スペーサー金属 ４・・・・・・・・・半 田 ５・・・・・・・・・リフロー後の半田６・・・・・・
・・・ガラス板 ７・・・・・・・・・集積回路基板 ８・・・・・・・・・拡散バリア金属膜９・・・・・・
・・・スペーサー金属 ０・・・・・・半 田 １・・・・・・リフロー後の半田 以 上
ンプ型電極の製造工程の断面図。 第２図（ａ）−ｒｃｂ）は、従来の半田バンプ型電極の
製造工程の断面図。 １・・・・・・・・・集積回路基板 ２・・・・・・・・・拡散バリア金属膜５・・・・・・
・・・スペーサー金属 ４・・・・・・・・・半 田 ５・・・・・・・・・リフロー後の半田６・・・・・・
・・・ガラス板 ７・・・・・・・・・集積回路基板 ８・・・・・・・・・拡散バリア金属膜９・・・・・・
・・・スペーサー金属 ０・・・・・・半 田 １・・・・・・リフロー後の半田 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 集積回路の電極パッド上の半田バンプ型電極の製造方法
において、 （ａ）リフロー後の半田の上部が平担な形状と、 （ｂ）集積回路基板と平行に配置した板を用いてリフロ
ーをすることにより、前記形状を得ることを特徴とする
半田バンプ型電極の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63209025A JPH0258229A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 半田バンプ型電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63209025A JPH0258229A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 半田バンプ型電極の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258229A true JPH0258229A (ja) | 1990-02-27 |
Family
ID=16566021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63209025A Pending JPH0258229A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 半田バンプ型電極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0258229A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08148495A (ja) * | 1994-11-25 | 1996-06-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法、半導体装置におけるバンプ密着性評価方法 |
| US6660944B1 (en) | 1996-03-29 | 2003-12-09 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Circuit board having solder bumps |
| JP2007311456A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Fujikura Ltd | 接合基材の製造方法 |
| US7864385B2 (en) | 2004-05-24 | 2011-01-04 | Chung-Kai Wang | Planar light source of scanning apparatus |
| US11062731B1 (en) * | 2020-05-11 | 2021-07-13 | Western Digital Technologies, Inc. | Solder bump height stabilization for micro and fine pitch electrode pads |
-
1988
- 1988-08-23 JP JP63209025A patent/JPH0258229A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08148495A (ja) * | 1994-11-25 | 1996-06-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法、半導体装置におけるバンプ密着性評価方法 |
| US6660944B1 (en) | 1996-03-29 | 2003-12-09 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Circuit board having solder bumps |
| US7864385B2 (en) | 2004-05-24 | 2011-01-04 | Chung-Kai Wang | Planar light source of scanning apparatus |
| JP2007311456A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Fujikura Ltd | 接合基材の製造方法 |
| US11062731B1 (en) * | 2020-05-11 | 2021-07-13 | Western Digital Technologies, Inc. | Solder bump height stabilization for micro and fine pitch electrode pads |
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