JPS6059743B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPS6059743B2
JPS6059743B2 JP53115787A JP11578778A JPS6059743B2 JP S6059743 B2 JPS6059743 B2 JP S6059743B2 JP 53115787 A JP53115787 A JP 53115787A JP 11578778 A JP11578778 A JP 11578778A JP S6059743 B2 JPS6059743 B2 JP S6059743B2
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JP
Japan
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solder
chip
semiconductor integrated
connection
circuit device
Prior art date
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Expired
Application number
JP53115787A
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English (en)
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JPS5543811A (en
Inventor
宗夫 大島
正則 中村
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS5543811A publication Critical patent/JPS5543811A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector

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  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は半導体集積回路などの電気回路部品を基板上に
組立てた半導体集積回路装置に関するものである。
〔発明の背景〕
ICチップのような電気部品の基板へのはんだ溶融接続
は、一般に次のようにして行なわれている。
まず第1図に示すICチップ1上に配置された電極2上
に、たとえばはんだのマスク蒸着を行なうことなどによ
つてはんだを盛つた後、該はんA ゆに:【:図)の断
面図に示すようにはんだバンプ3を形成する。
次に、第3図、第4図に示すように形成された厚膜印刷
基板4、即ち、導体5、誘導体7、迎えはんだ8および
第2図に示すチップ1の電極2の位置に対応して作られ
た電極6を有する厚膜印刷基板4に、第2図に示したI
Cチップ1をフェースダウンで位置合わせを行ない搭載
する。しかる後はんだを加熱溶融し、第5図に示すよう
に、ICチップ1と基板4との電気的接続はんだ柱9に
よつてとるものである。なお、基板4上の電極6にも、
はんだ溶浸漬などによつてはんだバンプ8をつける場合
もある。第6図は第5図のはんだ柱9の拡大図である。
なお、第6図においては基板4上の電極6は省略してい
る。さて、加熱され溶融し接続が完了したはんだ柱9は
、表面張力によつて第6図に示したように中央部がふく
らんだ形状になる。このふくらんだ形状のものに温度変
化などにより矢印の方向に変形が生ずると、はんだ柱9
の各点におけJるひずみ量は異なり、最も細つたところ
に最も大きなひずみが発生することになる。この最大ひ
ずみは、はんだ柱9のふくらみ具合が大きい程大きくな
る。また、温度変動によりはんだ柱9に変形が繰り返し
加わると、はんだ柱9は疲労破壊ははiんだ柱9の中の
最もひずみの大きい部分に発生し、ひずみが大きいほど
その寿命は短かくなる。なお、この種の半導体集積回路
装置に類似する公知例として特公昭43−28735号
が挙げられる。この発明は、はんだ溶融接続時にはんだ
の基板側電極へのねれ拡がりによりチップと基板間距離
(接続高さ)がなくなるのを防ぐために、能動電気接点
(接続用はんだ)とは別個に受動離隔子(制御用はんだ
)を設け、はんだ量の違うはんだバンプを用いて上記接
続高さを確保するものである。しかしながらこの公知例
には、上述した温度変化による接続用はんだの疲労破壊
を如何に防止するかについては何ら配慮されていなかつ
た。
〔発明の目的〕本発明の目的は、上記した従来技術の欠
点をなくし、寿命の長い半導体集積回路装置を堤供する
にある。
〔発明の↑既要〕
本発明は、チップ及び基板に設けられた複数個の電極同
志を接続用はんだて接続するとともに、上記チップ基板
間に制御用はんだを介在せしめるようになした半導体集
積回路装置において、上記制御用はんだは上記チップの
各辺に対して少なくとも2個設け、かつ、上記接続用は
んだの電極は上記制御用はんたの電極より小さく形成す
るとと−もに接続用はんだの体積は制御用はんだの体積
よりも小さくなし、上記両はんだの加熱溶融に基づく制
御用はんだのふくらみをもつて上記接続用はんだを柱状
に引延はして構成し、接続用はんだを疲労破壊寿命の長
い形状になしたことを特徴とす!る。
〔発明の実施例〕
以下本発明を図面に示した一実施例によつて詳細に説明
する。
第7図は本発明による半導体チップの平面図てある。I
Cチップ1上に電極2のほ!かに電極2より大きな制御
用電極11が設けられ、これらの上にはんだ蒸着するこ
とや、はんだボールを置くことなどによつてバンプを形
成する。その時、蒸着用のマスクの形状や寸法を変える
ことにより、また、はんだボールの大きさを変えること
により、電極2部および制御用電極11部にそれぞれ所
望のバンプ体積を実現することが出来る。これら電極2
、制御用電極11に対応した配置でペデスタルが形成さ
れている基板にフェイスダウンで位置決めを行ない、加
熱溶融することによつて接続を完了させる。接続を完了
した後の接続用はんだの形状は、第8図に示すようには
んだ柱9は制御用はんだ柱10のため接続間隔が″引伸
ばされたままとなり、第6図のようなふくらんだ形状と
ならず、疲労破壊寿命の長い第9図のはんだ柱9の形状
となる。〔発明の効果〕 以上述べた如く本発明によつて、はんだ溶融方式によつ
てICチップと基板とを接続している接続用はんだに加
わる熱応力などによる疲労破壊の寿命を飛躍的に伸長す
ることが出来る。
なお本発明では、制御用はんだチップの各辺に対して少
なくとも2個(実施例では合計4個)設けているため、
チップの基板に対する平行度が充分に確保される効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のはんだ溶融接続方式のICチップ平面図
、第2図は第1図のA−A線断面図、第3図は従来の厚
膜印刷配線基板を示す平面図、第4図は第3図のB−B
線断面図、第5図は従来のはんだ溶融接続法によつて電
気的接続がなされている電気回路装置の接続部の断面図
、第6図は従来のはんだ溶融接続法によつて実現される
はんだ接続部の形状、第7図は本発明によるはんだ溶融
方式のICチップ、第8図は本発明によつて組立てられ
た半導体集積回路装置の側面図、第9図は本発明のはん
だ接続部の形状てある。 1・・・・・・Ieチップ、2・・・・・・電極、3・
・・・・・はんだバンプ、4・・・・・・厚膜印刷基板
、5・・・・・・導体、6・・・・・・電極、7・・・
・・・誘導体、8・・・・・・迎えはんだ、9・・・・
・・接続用はんだ柱、10・・・・・・制御用はんだ柱
、11・・・・・・制御用電極。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 チップ及び基板に設けられた複数個の電極同志を接
    続用はんだで接続するとともに、上記チップ・基板間に
    制御用はんだを介在せしめるようになした半導体集積回
    路装置において、上記制御用はんだ上記チップの各辺に
    対して少なくとも2個設け、かつ、上記接続用はんだの
    電極は上記制御用はんだの電極より小さく形成するとと
    もに接続用はんだの体積は制御用はんだだの体積より小
    さくなし、上記両はんだの加熱溶融に基づく制御用はん
    だのふくらみをもつて上記接続用はんだを柱状に引延ば
    して構成されたことを特徴とする半導体集積回路装置。
JP53115787A 1978-09-22 1978-09-22 半導体集積回路装置 Expired JPS6059743B2 (ja)

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JPS5543811A JPS5543811A (en) 1980-03-27
JPS6059743B2 true JPS6059743B2 (ja) 1985-12-26

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JPH08298264A (ja) * 1995-04-27 1996-11-12 Hitachi Ltd 電子回路装置

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US5726861A (en) * 1995-01-03 1998-03-10 Ostrem; Fred E. Surface mount component height control
JP6555247B2 (ja) * 2016-12-28 2019-08-07 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

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