JPH0766206A - ウェットバック式バンプ形成方法 - Google Patents
ウェットバック式バンプ形成方法Info
- Publication number
- JPH0766206A JPH0766206A JP5235642A JP23564293A JPH0766206A JP H0766206 A JPH0766206 A JP H0766206A JP 5235642 A JP5235642 A JP 5235642A JP 23564293 A JP23564293 A JP 23564293A JP H0766206 A JPH0766206 A JP H0766206A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bump
- wafer
- ball
- bumps
- wet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 リフロー後のバンプ高さが均一で且つ頂部に
平坦な部分を有するボール型のバンプを形成する。 【構成】 ウェハー３上に多数形成された半導体素子の
電極部２上に、ボール型のバンプ４をウェットバンプ式
に形成するに於いて、リフロー時に溶融するマッシュル
ーム型のバンプ１に対面して該バンプを濡れ性の悪い平
滑なプレート６をウェハーと平行に設置した上リフロー
して高さが均一で頂部が平坦なボール型のバンプを得る
ことを特徴とするウェットバック式バンプ形成方法。
平坦な部分を有するボール型のバンプを形成する。 【構成】 ウェハー３上に多数形成された半導体素子の
電極部２上に、ボール型のバンプ４をウェットバンプ式
に形成するに於いて、リフロー時に溶融するマッシュル
ーム型のバンプ１に対面して該バンプを濡れ性の悪い平
滑なプレート６をウェハーと平行に設置した上リフロー
して高さが均一で頂部が平坦なボール型のバンプを得る
ことを特徴とするウェットバック式バンプ形成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェハー上に多数形成
された半導体素子の電極部上に、チップ部品の実装に用
いるバンプの形成方法に係り、特にウェットバック式バ
ンプ形成方法に関する。
された半導体素子の電極部上に、チップ部品の実装に用
いるバンプの形成方法に係り、特にウェットバック式バ
ンプ形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のウェットバック式バンプ形成方法
は、図４に示すようにマッシュルーム型のバンプ１が半
導体素子の電極部２上に形成されたウェハー３を、バン
プ１を有する表面を上にして、水平に炉内に設置し、バ
ンプ１が溶融する温度までウェハー３ごとに加熱してマ
ッシュルーム型のバンプ１を図５に示すようにリフロー
してボール型のバンプ４にすることで、バンプ高さを得
ると共にバンプを構成する金属組織の均一化を図ってい
た。
は、図４に示すようにマッシュルーム型のバンプ１が半
導体素子の電極部２上に形成されたウェハー３を、バン
プ１を有する表面を上にして、水平に炉内に設置し、バ
ンプ１が溶融する温度までウェハー３ごとに加熱してマ
ッシュルーム型のバンプ１を図５に示すようにリフロー
してボール型のバンプ４にすることで、バンプ高さを得
ると共にバンプを構成する金属組織の均一化を図ってい
た。
【０００３】ところで、フリップチップの場合、ＴＡＢ
（Tape Automated Bonding) と異なり、相手基板にフレ
キシブル性が無い為、バンプ高さは均一な方が好まし
い。しかし、上記従来のウェットバック式バンプ形成方
法では、リフロー後のバンプの体積のばらつきにより均
一なバンプ高さが得られない。従って、チップ部品の実
装時、ハンダの厚盛りによる補充が必要となる。また、
リフロー後のバンプ形状がボール型である為、チップ部
品の実装時に相手側に接する部分が一点となり、不安定
でアライメントがやりにくい。
（Tape Automated Bonding) と異なり、相手基板にフレ
キシブル性が無い為、バンプ高さは均一な方が好まし
い。しかし、上記従来のウェットバック式バンプ形成方
法では、リフロー後のバンプの体積のばらつきにより均
一なバンプ高さが得られない。従って、チップ部品の実
装時、ハンダの厚盛りによる補充が必要となる。また、
リフロー後のバンプ形状がボール型である為、チップ部
品の実装時に相手側に接する部分が一点となり、不安定
でアライメントがやりにくい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、リフ
ロー後のバンプ高さが均一で且つ頂部に平坦な部分を有
するボール型のバンプを形成することのできる方法を提
供しようとするものである。
ロー後のバンプ高さが均一で且つ頂部に平坦な部分を有
するボール型のバンプを形成することのできる方法を提
供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明のウェットバック式バンプ形成方法は、ウェハ
ー上に多数形成された半導体素子の電極部上に、ボール
型のバンプをウェットバック式に形成するに於いて、リ
フロー時に溶融するマッシュルーム型のバンプに対面し
て該バンプと濡れ性の悪い平滑なプレートをウェハーと
平行に設置した上リフローして頂部が平坦なボール型の
バンプを得ることを特徴とするものである。
の本発明のウェットバック式バンプ形成方法は、ウェハ
ー上に多数形成された半導体素子の電極部上に、ボール
型のバンプをウェットバック式に形成するに於いて、リ
フロー時に溶融するマッシュルーム型のバンプに対面し
て該バンプと濡れ性の悪い平滑なプレートをウェハーと
平行に設置した上リフローして頂部が平坦なボール型の
バンプを得ることを特徴とするものである。
【０００６】
【作用】上記のように本発明のウェットバック式バンプ
形成方法は、リフロー時に溶融するマッシュルーム型バ
ンプに対面して該バンプと濡れ性の悪い平滑なプレート
をウェハーと平行に設置するので、溶融したバンプは表
面張力によりボール形状になろうとしても平滑なプレー
トにより各バンプが一定の高さのところでボール形状に
なることが妨げられ、冷えて凝固した時にはウェハー又
は半導体素子とプレートとの距離と同じ一定高さのボー
ル型のバンプが形成される。また、溶融したバンプとプ
レートとは濡れ性が悪いので接合されず冷却後そのまま
外れ、平滑なプレートと接していたボール型のバンプの
頂部はプレートにならって平坦となる。
形成方法は、リフロー時に溶融するマッシュルーム型バ
ンプに対面して該バンプと濡れ性の悪い平滑なプレート
をウェハーと平行に設置するので、溶融したバンプは表
面張力によりボール形状になろうとしても平滑なプレー
トにより各バンプが一定の高さのところでボール形状に
なることが妨げられ、冷えて凝固した時にはウェハー又
は半導体素子とプレートとの距離と同じ一定高さのボー
ル型のバンプが形成される。また、溶融したバンプとプ
レートとは濡れ性が悪いので接合されず冷却後そのまま
外れ、平滑なプレートと接していたボール型のバンプの
頂部はプレートにならって平坦となる。
【０００７】
【実施例】本発明のウェットバック式バンプ形成方法の
一実施例を図によって説明すると、図１に示すようにマ
ッシュルーム型の高さ70μｍ (マッシュルーム部35μ
ｍ、ストレート部35μｍ) 、直径マッシュルーム部 120
μｍ、ストレート部70μｍの共晶ハンダよりなるバンプ
１が半導体素子の電極部２上に形成された直径 125mmの
ウェハー３を、バンプ１を有する表面を下にして得たい
バンプ高さと同じ高さのスペーサー５を介してハンダと
の濡れ性の悪い平滑なガラス板６上に載せて水平に炉内
に設置し、 300℃にウェハー３ごとバンプ１を加熱して
溶融し、バンプ１を図２に示すようにガラス板６上でボ
ール型にリフローした。リフロー後ガラス板６を取り外
し、図３に示すボール型のバンプ４′の高さを全て測定
した処、80μｍの均一な高さであった。また、各バンプ
４′の頂部には直径約20μｍの平坦部７が形成されてい
た。
一実施例を図によって説明すると、図１に示すようにマ
ッシュルーム型の高さ70μｍ (マッシュルーム部35μ
ｍ、ストレート部35μｍ) 、直径マッシュルーム部 120
μｍ、ストレート部70μｍの共晶ハンダよりなるバンプ
１が半導体素子の電極部２上に形成された直径 125mmの
ウェハー３を、バンプ１を有する表面を下にして得たい
バンプ高さと同じ高さのスペーサー５を介してハンダと
の濡れ性の悪い平滑なガラス板６上に載せて水平に炉内
に設置し、 300℃にウェハー３ごとバンプ１を加熱して
溶融し、バンプ１を図２に示すようにガラス板６上でボ
ール型にリフローした。リフロー後ガラス板６を取り外
し、図３に示すボール型のバンプ４′の高さを全て測定
した処、80μｍの均一な高さであった。また、各バンプ
４′の頂部には直径約20μｍの平坦部７が形成されてい
た。
【０００８】一方、従来例について説明すると、図に示
すように実施例と同一寸法、同一材質のバンプ１が半導
体素子の電極部２上に形成された直径 125mmのウェハー
３をバンプ１を有する表面を上にして図示せぬガラス板
上に載せた上、水平に炉内に設置し、 300℃に加熱して
溶融し、バンプ１を図に示すようにボール型にリフロー
してバンプ４を得た。このボール型のバンプ４の高さを
全て測定した処、80μｍ〜 100μｍと不均一で大きさも
ばらついていた。
すように実施例と同一寸法、同一材質のバンプ１が半導
体素子の電極部２上に形成された直径 125mmのウェハー
３をバンプ１を有する表面を上にして図示せぬガラス板
上に載せた上、水平に炉内に設置し、 300℃に加熱して
溶融し、バンプ１を図に示すようにボール型にリフロー
してバンプ４を得た。このボール型のバンプ４の高さを
全て測定した処、80μｍ〜 100μｍと不均一で大きさも
ばらついていた。
【０００９】尚、上記実施例では、マッシュルーム型の
バンプ１を下にしてウェハー３をスペーサー５を介して
平滑なガラス６上に載せているが、ウェハー３の自重が
小さいものであれば、スペーサー５を置かずに直接ウェ
ハー３ごと、又はダイシング後の半導体素子をガラス板
などの濡れ性の悪い平滑なプレート上に載せて、リフロ
ーしても同様に頂部が平坦なボール型のバンプ４′が得
られる。
バンプ１を下にしてウェハー３をスペーサー５を介して
平滑なガラス６上に載せているが、ウェハー３の自重が
小さいものであれば、スペーサー５を置かずに直接ウェ
ハー３ごと、又はダイシング後の半導体素子をガラス板
などの濡れ性の悪い平滑なプレート上に載せて、リフロ
ーしても同様に頂部が平坦なボール型のバンプ４′が得
られる。
【００１０】
【発明の効果】以上の通り本発明のウェットバック式バ
ンプ形成方法によれば、リフロー後の高さが均一で且つ
頂部に平坦な部分を有するボール型のバンプを形成でき
る。従って、チップ部品実装時に相手側に面接触するの
で、アライメントがし易くなる。また、チップ部品実装
時に、ハンダの厚盛りによる補充が不要で、ハンダを節
約できるばかりではなく、厚盛りによるブリッジなどの
危険も減少する。
ンプ形成方法によれば、リフロー後の高さが均一で且つ
頂部に平坦な部分を有するボール型のバンプを形成でき
る。従って、チップ部品実装時に相手側に面接触するの
で、アライメントがし易くなる。また、チップ部品実装
時に、ハンダの厚盛りによる補充が不要で、ハンダを節
約できるばかりではなく、厚盛りによるブリッジなどの
危険も減少する。
【図１】本発明のウェットバック式バンプ形成方法にお
いてバンプをリフローする前の状態を示す図である。
いてバンプをリフローする前の状態を示す図である。
【図２】図１のバンプをリフローした状態を示す図であ
る。
る。
【図３】本発明のウェットバック式バンプ形成方法によ
って得られたボール型のバンプを示す図である。
って得られたボール型のバンプを示す図である。
【図４】従来のウェットバック式バンプ形成方法におい
てバンプをリフローする前の状態を示す図である。
てバンプをリフローする前の状態を示す図である。
【図５】図４のバンプをリフローした状態を示す図であ
る。
る。
１ マッシュルーム型のバンプ ２ 電極部 ３ ウェハー ４ ボール型のバンプ ４′ボール型のバンプ ６ 平滑なガラス板（濡れ性の悪いプレート） ７ 平坦部
Claims (1)
- 【請求項１】 ウェハー上に多数形成された半導体素子
の電極部上にボール型のバンプをウェットバック式に形
成するに於いて、リフロー時に溶融するマッシュルーム
型のバンプに対面して該バンプを濡れ性の悪い平滑なプ
レートをウェハーと平行に設置した上、リフローして頂
部が平坦なボール型のバンプを得ることを特徴とするウ
ェットバック式バンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5235642A JPH0766206A (ja) | 1993-08-27 | 1993-08-27 | ウェットバック式バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5235642A JPH0766206A (ja) | 1993-08-27 | 1993-08-27 | ウェットバック式バンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766206A true JPH0766206A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=16989046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5235642A Pending JPH0766206A (ja) | 1993-08-27 | 1993-08-27 | ウェットバック式バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766206A (ja) |
-
1993
- 1993-08-27 JP JP5235642A patent/JPH0766206A/ja active Pending
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