JP2737768B2 - 半導体素子の接続工法 - Google Patents
半導体素子の接続工法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に実装する半導
体素子の接続工法に関し、特に半導体素子を基板に対し
フェイスダウンにて金バンプを用いて接続する工法に関
する。
体素子の接続工法に関し、特に半導体素子を基板に対し
フェイスダウンにて金バンプを用いて接続する工法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子を基板上に実装する方
法として、基板面に対し半導体素子をフェイスダウンに
て直接実装する、いわゆるフリップチップ実装工法が注
目を浴びている。
法として、基板面に対し半導体素子をフェイスダウンに
て直接実装する、いわゆるフリップチップ実装工法が注
目を浴びている。
【０００３】特に半導体素子の接続用電極を一般的なア
ルミニウム電極のままとし、電極上に金バンプを形成し
て基板上の電極と接続する方法は安価な工法として採用
されている。
ルミニウム電極のままとし、電極上に金バンプを形成し
て基板上の電極と接続する方法は安価な工法として採用
されている。
【０００４】従来、金バンプを用いたフリップチップ実
装工法においては、特開平５−２１８０４４号公報、特
開平５−２１８０４６号公報、および特開平５−３３５
３１２号公報などに示される工法が用いられている。
装工法においては、特開平５−２１８０４４号公報、特
開平５−２１８０４６号公報、および特開平５−３３５
３１２号公報などに示される工法が用いられている。
【０００５】以下図面を参照しながら、上述したフリッ
プチップ実装工法について説明する。
プチップ実装工法について説明する。
【０００６】上述した３つの公報に記載された工法の主
な特徴は、図５に示すように、半導体素子３の接続用の
アルミニウム電極（以下、「接続用電極」と言う）４の
上に金バンプ５を形成した後に、金バンプ５の上に半田
膜１０を半田の再溶融にて形成することを基本としてい
る。
な特徴は、図５に示すように、半導体素子３の接続用の
アルミニウム電極（以下、「接続用電極」と言う）４の
上に金バンプ５を形成した後に、金バンプ５の上に半田
膜１０を半田の再溶融にて形成することを基本としてい
る。
【０００７】特開平５−２１８０４４号公報記載の発明
は、図６に示すように、半田の濡れないセラミックやガ
ラス基板１１上にマスクにより半導体素子３の接続用電
極４と同位置にペースト状の半田（以下、「半田ペース
ト」と言う）１２を印刷し、基板１１上に印刷された半
田ペースト１２と金バンプ５の位置を合わせ基板１１上
に押しつけた後に基板１１ごと、リフロー装置などによ
り半田ペースト１２を再溶融させ金バンプ５上に半田膜
を形成する工法である。
は、図６に示すように、半田の濡れないセラミックやガ
ラス基板１１上にマスクにより半導体素子３の接続用電
極４と同位置にペースト状の半田（以下、「半田ペース
ト」と言う）１２を印刷し、基板１１上に印刷された半
田ペースト１２と金バンプ５の位置を合わせ基板１１上
に押しつけた後に基板１１ごと、リフロー装置などによ
り半田ペースト１２を再溶融させ金バンプ５上に半田膜
を形成する工法である。
【０００８】特開平５−２１８０４６号公報記載の発明
は、図７に示すように、金バンプ５の上に半田ワイヤー
１４を金バンプ５と同様の工法にてキャピラリー１３に
より半田バンプを形成し、酸化防止用ガス１６を供給し
ながら半田バンプを光照射１５により再溶融し、金バン
プ５上に半田膜１０を形成する工法である。
は、図７に示すように、金バンプ５の上に半田ワイヤー
１４を金バンプ５と同様の工法にてキャピラリー１３に
より半田バンプを形成し、酸化防止用ガス１６を供給し
ながら半田バンプを光照射１５により再溶融し、金バン
プ５上に半田膜１０を形成する工法である。
【０００９】特開平５−３３５３１２号公報記載の発明
は、図８に示すように、上述の特開平５−２１８０４４
号公報記載の発明では半田ペースト１２の供給を平板状
の基板１１を使用したのに対し、鋳型１７に半導体素子
３の接続用電極４と同位置に形成したくぼみ１８に半田
ペーストを充填し、金バンプ５を半田ペーストが充填さ
れたくぼみ１８に位置を合わせ、くぼみ１８に押し込ん
だ後に、半田ペーストを加熱再溶融させ、くぼみ１８と
同じ形状の半田を金バンプ上に形成する工法である。
は、図８に示すように、上述の特開平５−２１８０４４
号公報記載の発明では半田ペースト１２の供給を平板状
の基板１１を使用したのに対し、鋳型１７に半導体素子
３の接続用電極４と同位置に形成したくぼみ１８に半田
ペーストを充填し、金バンプ５を半田ペーストが充填さ
れたくぼみ１８に位置を合わせ、くぼみ１８に押し込ん
だ後に、半田ペーストを加熱再溶融させ、くぼみ１８と
同じ形状の半田を金バンプ上に形成する工法である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】前述した、図６および
図７の２つの工法では、金バンプ５上に半田を再溶融さ
せた時に金バンプ５の周囲に半田が広がり、接続電極４
まで半田が回り込む可能性が高く、接続用電極４まで回
り込んだ半田が金バンプ５と接続用電極４間に入り込
み、半田の凝縮時の機械的応力により、接続不良を起こ
す可能性がある。また、一定量の半田供給と一定加熱し
たとしても金バンプ上の半田膜の広がりをコントロール
するのが非常に困難であるため、同様に半田膜を含むバ
ンプの高さを均一にコントロールすることができず、基
板との接続を行った際に、基板上の電極とのバンプ高さ
にバラツキが生じることにより、基板電極側の半田不足
などによる接続不良が起きやすい。また、鋳型に定量半
田ペーストを供給する図８の工法やマスクを使った半田
ペーストの供給方法を用いた図６の工法では、半導体素
子の形状、接続用電極のピッチに合った鋳型やマスクを
個々に作成する必要があり、汎用的ではないという問題
点があった。
図７の２つの工法では、金バンプ５上に半田を再溶融さ
せた時に金バンプ５の周囲に半田が広がり、接続電極４
まで半田が回り込む可能性が高く、接続用電極４まで回
り込んだ半田が金バンプ５と接続用電極４間に入り込
み、半田の凝縮時の機械的応力により、接続不良を起こ
す可能性がある。また、一定量の半田供給と一定加熱し
たとしても金バンプ上の半田膜の広がりをコントロール
するのが非常に困難であるため、同様に半田膜を含むバ
ンプの高さを均一にコントロールすることができず、基
板との接続を行った際に、基板上の電極とのバンプ高さ
にバラツキが生じることにより、基板電極側の半田不足
などによる接続不良が起きやすい。また、鋳型に定量半
田ペーストを供給する図８の工法やマスクを使った半田
ペーストの供給方法を用いた図６の工法では、半導体素
子の形状、接続用電極のピッチに合った鋳型やマスクを
個々に作成する必要があり、汎用的ではないという問題
点があった。
【００１１】それ故に本発明の課題は、接続の信頼性が
高く、しかも安価で汎用性に富んだ半導体素子の接続工
法を提供することにある。
高く、しかも安価で汎用性に富んだ半導体素子の接続工
法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明によ
れば、半導体素子の所定の位置に金バンプを形成する金
バンプ接続工程と、該金バンプ接続工程後に前記金バン
プ上に所定量の板状に形成された半田を固着する半田固
着工程と、該半田固着工程後に前記半田が固着された前
記金バンプを電極が形成された基板上に接続する実装工
程とを有し、前記半田固着工程において吸着コレットが
用いられ、該吸着コレットによって、前記金バンプ上に
前記所定量の板状に形成された半田を固着する共に、該
半田および前記金バンプの高さを調整するようにしたこ
とを特徴とする半導体素子の接続工法が得られる。
れば、半導体素子の所定の位置に金バンプを形成する金
バンプ接続工程と、該金バンプ接続工程後に前記金バン
プ上に所定量の板状に形成された半田を固着する半田固
着工程と、該半田固着工程後に前記半田が固着された前
記金バンプを電極が形成された基板上に接続する実装工
程とを有し、前記半田固着工程において吸着コレットが
用いられ、該吸着コレットによって、前記金バンプ上に
前記所定量の板状に形成された半田を固着する共に、該
半田および前記金バンプの高さを調整するようにしたこ
とを特徴とする半導体素子の接続工法が得られる。
【００１３】請求項２記載の発明によれば、前記半田と
して、打ち抜きによって所定量の板状に形成された半田
が用いられていることを特徴とする請求項１記載の半導
体素子の接続工法が得られる。
して、打ち抜きによって所定量の板状に形成された半田
が用いられていることを特徴とする請求項１記載の半導
体素子の接続工法が得られる。
【００１４】請求項３記載の発明によれば、前記半田と
して、定量半田ボールを加熱しながら変形させて板状に
形成した半田が用いられていることを特徴とする請求項
１記載の半導体素子の接続工法が得られる。
して、定量半田ボールを加熱しながら変形させて板状に
形成した半田が用いられていることを特徴とする請求項
１記載の半導体素子の接続工法が得られる。
【００１５】
【作用】本発明によれば、従来のように半田ペースト印
刷用のマスクや半田ペーストを定量で供給するための鋳
型を必要とせず、板状の半田を所定の大きさに切断また
は金型で打ち抜いたものを金バンプの上に固着させるこ
とで、基板の電極との半田付けの際の半田量の均一化を
図ることが可能である。
刷用のマスクや半田ペーストを定量で供給するための鋳
型を必要とせず、板状の半田を所定の大きさに切断また
は金型で打ち抜いたものを金バンプの上に固着させるこ
とで、基板の電極との半田付けの際の半田量の均一化を
図ることが可能である。
【００１６】また、金バンプ上の板状の半田は基板との
接続時まで一時的に金バンプ上に固着されていればいい
ので特に不要な接着剤などを使用する必要がない。金バ
ンプと基板上の電極との接続時に半田が再溶融するた
め、金バンプと基板の電極へ半田が均等に供給され、均
一な接続が可能である。また、金バンプのテールの部分
を含む高さを板状の半田を固着する際に吸着コレットに
よりコントロールする事で、金バンプの高さが一定とな
り、基板に接続する時の高さのバラツキによる接続不良
をなくすことが出来る。
接続時まで一時的に金バンプ上に固着されていればいい
ので特に不要な接着剤などを使用する必要がない。金バ
ンプと基板上の電極との接続時に半田が再溶融するた
め、金バンプと基板の電極へ半田が均等に供給され、均
一な接続が可能である。また、金バンプのテールの部分
を含む高さを板状の半田を固着する際に吸着コレットに
よりコントロールする事で、金バンプの高さが一定とな
り、基板に接続する時の高さのバラツキによる接続不良
をなくすことが出来る。
【００１７】また、板状の半田を供給する装置を金バン
プを形成する装置と同様の装置で構成することで半導体
素子の接続電極にあったピッチで、しかもプログラマブ
ルに位置を設定できるため汎用性が高い実装工法であ
る。
プを形成する装置と同様の装置で構成することで半導体
素子の接続電極にあったピッチで、しかもプログラマブ
ルに位置を設定できるため汎用性が高い実装工法であ
る。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の半導体素子の接続工法の一実
施例について図面を参照しながら説明する。図１は本発
明の一実施例による半導体素子の接続工法における実装
工程を示す工程断面図である。図において、１は基板、
２は基板１に形成された電極、３は半導体素子、４は半
導体素子３の上に形成された接続用の電極、５は金バン
プ、６は板状の半田である。まず、図２に示す金バンプ
接続工程により、半導体素子３の接続用電極４の上に金
属バンプ５を形成する。図２の工程では半導体素子３を
ワイヤーボンディング装置の上に固定し、所定の温度を
加熱しながら、半導体素子３の接続用電極４の上に一般
のワイヤーボンディング装置を用い、スタッドバンプ方
式により、キャピラリー８と金ワイヤー７により、金の
突起物を形成する。その金の突起物を金バンプ５と呼
ぶ。金バンプ５の高さはキャピラリー８の圧力と金ワイ
ヤー７の切断後のテール５ａにより決定され、その高さ
のバラツキは十数μｍあり、基板１との接続を確実に行
うために一定に高さを揃える必要がある。そのため従来
では金バンプ形成後、平らな金属やガラスを押し当てて
高さを揃えるレベリング工程を設けるが本発明ではこの
まま次工程へ進める。
施例について図面を参照しながら説明する。図１は本発
明の一実施例による半導体素子の接続工法における実装
工程を示す工程断面図である。図において、１は基板、
２は基板１に形成された電極、３は半導体素子、４は半
導体素子３の上に形成された接続用の電極、５は金バン
プ、６は板状の半田である。まず、図２に示す金バンプ
接続工程により、半導体素子３の接続用電極４の上に金
属バンプ５を形成する。図２の工程では半導体素子３を
ワイヤーボンディング装置の上に固定し、所定の温度を
加熱しながら、半導体素子３の接続用電極４の上に一般
のワイヤーボンディング装置を用い、スタッドバンプ方
式により、キャピラリー８と金ワイヤー７により、金の
突起物を形成する。その金の突起物を金バンプ５と呼
ぶ。金バンプ５の高さはキャピラリー８の圧力と金ワイ
ヤー７の切断後のテール５ａにより決定され、その高さ
のバラツキは十数μｍあり、基板１との接続を確実に行
うために一定に高さを揃える必要がある。そのため従来
では金バンプ形成後、平らな金属やガラスを押し当てて
高さを揃えるレベリング工程を設けるが本発明ではこの
まま次工程へ進める。
【００１９】図３は金バンプ５上に予め板状に形成した
半田６を固着する半田固着工程断面図である。板状の半
田６は金バンプ５と基板１上の電極２との接続に必要な
一定量で構成されている。板状の半田６の製造方法は板
状に形成した半田からポンチ等で打ち抜いたり、定量半
田ボールを加熱しながら変形させて板状にするなどの工
法が考えられる。一定量の板状の半田６は吸着機能があ
る吸着コレット９にて金バンプ５の上から一定の高さで
固着される。この時金バンプ５の高さは板状の半田６の
高さバラツキと吸着コレット９の装置の高さバラツキに
より数μｍまでコントロールされる。図４に示すように
金バンプ５上に半田６が固着された半導体素子３は基板
１に対し、半導体素子３の回路面側、接続用電極４側を
基板１の電極２側に対向させて実装するフェイスダウン
により、金バンプ５と基板１の電極２の位置合わせを行
ったあとに、基板１ごと加熱するか、または基板１を加
熱し半導体素子３の下面側（図面上では上側）から加圧
・加熱することにより半田６を再溶融させ、金バンプ５
と基板１の電極２との接続を行い、半導体素子３を基板
１に実装する。
半田６を固着する半田固着工程断面図である。板状の半
田６は金バンプ５と基板１上の電極２との接続に必要な
一定量で構成されている。板状の半田６の製造方法は板
状に形成した半田からポンチ等で打ち抜いたり、定量半
田ボールを加熱しながら変形させて板状にするなどの工
法が考えられる。一定量の板状の半田６は吸着機能があ
る吸着コレット９にて金バンプ５の上から一定の高さで
固着される。この時金バンプ５の高さは板状の半田６の
高さバラツキと吸着コレット９の装置の高さバラツキに
より数μｍまでコントロールされる。図４に示すように
金バンプ５上に半田６が固着された半導体素子３は基板
１に対し、半導体素子３の回路面側、接続用電極４側を
基板１の電極２側に対向させて実装するフェイスダウン
により、金バンプ５と基板１の電極２の位置合わせを行
ったあとに、基板１ごと加熱するか、または基板１を加
熱し半導体素子３の下面側（図面上では上側）から加圧
・加熱することにより半田６を再溶融させ、金バンプ５
と基板１の電極２との接続を行い、半導体素子３を基板
１に実装する。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体素子
の実装工法によれば、金バンプの形成した上に一定量の
半田板を供給する簡単な方法で、かつ半田の再溶融回数
が少なく、基板との接続が確実な接続工法を提供するこ
とが可能である。
の実装工法によれば、金バンプの形成した上に一定量の
半田板を供給する簡単な方法で、かつ半田の再溶融回数
が少なく、基板との接続が確実な接続工法を提供するこ
とが可能である。
【００２１】また、本発明では、半田固着工程において
吸着コレットが用いられ、この吸着コレットによって、
金バンプのテールの部分を含む高さを板状の半田を固着
する際にコントロールする事ができ、従って、本発明
は、金バンプの高さを一定にすることができ、基板に接
続する時のバンプの高さのバラツキによる接続不良をな
くすことが出来る。
吸着コレットが用いられ、この吸着コレットによって、
金バンプのテールの部分を含む高さを板状の半田を固着
する際にコントロールする事ができ、従って、本発明
は、金バンプの高さを一定にすることができ、基板に接
続する時のバンプの高さのバラツキによる接続不良をな
くすことが出来る。
【図１】本発明の一実施例による半導体素子の接続工法
における実装工程を示す工程断面図である。
における実装工程を示す工程断面図である。
【図２】図１に示す半導体素子の接続工法における金バ
ンプ接続工程を示す工程断面図である。
ンプ接続工程を示す工程断面図である。
【図３】図１に示す半導体素子の接続工法における半田
固着工程を示す工程断面図である。
固着工程を示す工程断面図である。
【図４】図１に示す実装工程後の完成状態を示す断面図
である。
である。
【図５】従来の半導体素子の接続工法の共通概念を示す
工程断面図である。
工程断面図である。
【図６】従来の半導体素子の接続工法の第１の例を示す
工程断面図である。
工程断面図である。
【図７】従来の半導体素子の接続工法の第２の例を示す
工程断面図である。
工程断面図である。
【図８】従来の半導体素子の接続工法の第３の例を示す
工程断面図である。
工程断面図である。
１ 基板 ２ 電極 ３ 半導体素子 ４ 接続用電極 ５ 金バンプ ６ 半田 ７ 金ワイヤー ８ キャピラリー ９ 吸着コレット １０ 半田膜 １１ セラミックまたはガラス基板 １２ 半田ペースト １３ キャピラリー １４ 半田ワイヤー １５ 光照射装置 １６ 酸化防止装置 １７ 鋳型 １８ くぼみ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体素子の所定の位置に金バンプを形
成する金バンプ接続工程と、該金バンプ接続工程後に前
記金バンプ上に所定量の板状に形成された半田を固着す
る半田固着工程と、該半田固着工程後に前記半田が固着
された前記金バンプを電極が形成された基板上に接続す
る実装工程とを有し、前記半田固着工程において吸着コ
レットが用いられ、該吸着コレットによって、前記金バ
ンプ上に前記所定量の板状に形成された半田を固着する
共に、該半田および前記金バンプの高さを調整するよう
にしたことを特徴とする半導体素子の接続工法。 - 【請求項２】 前記半田として、打ち抜きによって所定
量の板状に形成された半田が用いられていることを特徴
とする請求項１記載の半導体素子の接続工法。 - 【請求項３】 前記半田として、定量半田ボールを加熱
しながら変形させて板状に形成した半田が用いられてい
ることを特徴とする請求項１記載の半導体素子の接続工
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7157362A JP2737768B2 (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | 半導体素子の接続工法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7157362A JP2737768B2 (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | 半導体素子の接続工法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098045A JPH098045A (ja) | 1997-01-10 |
| JP2737768B2 true JP2737768B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=15648006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7157362A Expired - Fee Related JP2737768B2 (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | 半導体素子の接続工法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2737768B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2725501B2 (ja) * | 1991-10-31 | 1998-03-11 | 日本電気株式会社 | ハンダバンプ構造および形成方法 |
| JPH05166811A (ja) * | 1991-12-19 | 1993-07-02 | Fujitsu General Ltd | 半田バンプの形成方法 |
-
1995
- 1995-06-23 JP JP7157362A patent/JP2737768B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH098045A (ja) | 1997-01-10 |
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