JP2007508708A - 電子装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
装置はキャリアと電気素子を有する。キャリアは第1及び対向する第2の面を有し、接続層、中間層及びコンタクトパッドを備える。素子は第1の面にあり、接続層と結合される。それは中間層のパターン間の分離領域内にのびている封止により少なくとも一部は封入されている。保護層はキャリアの第2の面にあり、コンタクトパッドと中間層との間の接続部を覆う。
Description
本発明は、電気素子と第1の面及び対向する第2の面を有するキャリアを備える電子装置の製造方法に関し、
パターニングされた接続層、中間層及び連続的なキャリア層からなり、接続層はキャリアの第1の面にあり、前記中間層は導電材料からなり接続層のパターンとほぼ対応するパターンを有するキャリアを設けるステップ、
電気素子をキャリアに搭載するステップ、
中間層の表面まで延びる電機絶縁材料を塗布するステップ、及び
キャリア層の少なくとも一部を除去し、外部接続用であり、中間層の相互接続を介して対応する接着パッドと接続されるコンタクトパッドを形成するステップ
を含む。
パターニングされた接続層、中間層及び連続的なキャリア層からなり、接続層はキャリアの第1の面にあり、前記中間層は導電材料からなり接続層のパターンとほぼ対応するパターンを有するキャリアを設けるステップ、
電気素子をキャリアに搭載するステップ、
中間層の表面まで延びる電機絶縁材料を塗布するステップ、及び
キャリア層の少なくとも一部を除去し、外部接続用であり、中間層の相互接続を介して対応する接着パッドと接続されるコンタクトパッドを形成するステップ
を含む。
本発明はまた、電気素子、絶縁材料の封止および素子に面する第1の面と対向する第2の面を有するキャリアを備える電子装置に関し、前記キャリアは、
パターニングされた接続層と、
外部のキャリアまたは素子との結合のためのコンタクトパッドと、
導電材料の中間層であって、相互接続層とコンタクトパッドとの間の相互接続を形成するためにパターニングされ、相互接続は互いに分離領域により分離され、封止が分離領域内にまでのびているものを含む。
パターニングされた接続層と、
外部のキャリアまたは素子との結合のためのコンタクトパッドと、
導電材料の中間層であって、相互接続層とコンタクトパッドとの間の相互接続を形成するためにパターニングされ、相互接続は互いに分離領域により分離され、封止が分離領域内にまでのびているものを含む。
このような方法およびこのような装置は米国特開2001/0049456号により公知である。この公知の装置は、例えば銅の、中間層を含むキャリアを有する。この文書では接着パッドはニッケルと金の二層構造である。キャリア層は例えばポリイミドテープまたはポリエステルテープであり、シリコン接着剤の層を有する中間層と付着される。中間層はエッチング法でパターニングされ、接着パッドがエッチマスクの役割をする。エッチングは中間層に形成される側面が凹状のプロファイルを有するよう行われる。このことは中間層と後に封止を形成するために備える電気絶縁材料との間の接着性を増す。エッチングの後、電気素子がキャリア上に搭載される。この素子は、この場合、後で封止内に封入される半導体素子である。封止後、キャリア層は完全に除去される。そして、コンタクトパッドは保護フラッシュ処理で設けられる。この処理は、パターニング後に残っている中間層の部分がニッケルと金の二層構造を有する結果をもたらす。
この発明の装置は、コンタクトパッドが接着パッドの正反対側に位置することが不利である。これは、接着パッドのピッチを接続される外部基板のコンタクトパッドのピッチに合わせるために一般にある程度経路変更が必要であるため不利である。異なるパターンが、キャリア層の除去後に塗布されるフォトレジストマスクの助けによって得られるかもしれない。しかし、フォトリソグラフィ工程は組み立て工場では望まれていない。
したがって、本発明の第1の目的は冒頭部分で説明した種類の方法で、キャリア内での経路変更および/または相互接続を許容し、キャリアの封止に対する接着性が良く、どんなはんだ付け工程の最中でも層間剥離のおそれのない装置をもたらす方法を提供することである。
この目的は、キャリアに導電材料を用いたキャリア層を有するキャリアを使用し、パターニングのためキャリアの第2の面からキャリア層を部分的に除去し、それとともに中間層の相互接続を介して接続層の対応するパターンに接続される外部接続用のコンタクトパッドをつくり、そして、キャリアの第2の面に中間層とコンタクトパッドの間の接続部を覆う保護層を備えることで達成される。
本発明の手法では、中間層に対向する金属層を含む特別なキャリアを用いる。これらの層の一つはキャリア層の役割を果たし、電気絶縁材料の付与後にパターニングされる。このようなキャリアの使用は未早期公開出願WO―IB03/01421(PHNL020327)に記述されている。それは接続層のパターンが電気絶縁材料内で機械的に固定され、中間層に沿って延在しているという重要な利点がある。さらに、接続層のパターンはキャリア層で備えるものと同じである必要がないという利点がある。
しかし、中間層とコンタクトパッドの間に層間剥離という問題が起きるかもしれないことがわかっている。そのような問題は素子を外部基板にはんだ付けするときの後続の工程において起こる。この問題は現在、中間層とコンタクトパッドの間の接続部を保護層で覆うことで解決している。
好ましい実施形態において、キャリアは第2の面にパターニングされたマスク層を有する。このマスク層はまずキャリア層のパターニング用のエッチマスクとしての役割をする。次いで、外部基板への接続に必要なはんだへの接着層の役割を果たす。適当な材料としてニッケルパラジウム、ニッケル金、さらにニッケルパラジウム金がある。キャリアがエッチマスクを有することにより、組み立て工程で追加のフォトマスクが必要ない。このようなエッチマスクを有するキャリアとその使用は未早期公開出願WO―IB03/01299(PHNL021100)に記述されている。
保護層の構造と適用方法は素子へのさらなる要件や組み立て工場の技術的実現性に基づいて変わる。吹きつけ、浸漬、被膜や蒸着といった技術はすべて適用できる。これは、アセンブリが複数の個々の素子に分離される前に保護層が塗布されるからである。もちろん主要な要求は外部基板への結合ができなくなるような損傷をコンタクトパッドが受けるべきでないということである。
保護層は導電性でも絶縁性でも良い。装置が鉛フリーはんだを使用する場合、このタイプのはんだの安定温度、現在は約260℃、が必要となる。コンタクトパッドの銅と中間層のアルミニウムもしくはアルミニウム合金により構成されるキャリアと組み合わせる好ましい導電層は例えばスズである。これはアルミニウムによく接着することはないので、アルミニウムの露出した表面ははんだ付けしにくい。代替はニッケルの使用であろうが、中間層の表面に沿ってのびている部分がはんだ付けできるようになることを防ぐ方法が必要になる。
保護層が絶縁層の場合には、保護層をパターニングされたものとして与えることは特に好ましい。これは別の方法で実現できる。
第1の実施形態では、コンタクトパッド、特にその上の接着層、とその他の材料との表面特性の違いを用いる。例えば、これは好適な溶媒における好適な材料の選択により実現される。
この第1の実施形態の代替例は2ステップの方法でも実現できる。第1のステップでは、コンタクトパッドに選択的に接着する第1の材料を設ける。結果としてコンタクトパッドの表面は所望の表面特性に変わる。第2のステップでは、コンタクトパッドで材料には接着しない保護層が与えられる。第1の材料の層は後で除去されてもよい。しかし、もしこの層が十分に薄くはんだの障害とならない場合は、これは不要である。ここで、特に例えば金の接着層と組み合わせる場合、変性した末端基を持つチオールが好ましい。そのようなチオールは金表面に単層を形成する。単層の露出した背面には所望の表面特性を与えることができる。
第2の実施形態では、ある程度の加熱で液体になる材料を使用する。外部基板への接合のためのリフロー処理中のはんだボールの圧力は、保護層を局所的に除去するのに十分である。そのような材料の例には、アクリル酸塩やステアリン酸のような脂肪酸が含まれる。
脂肪酸ははんだフラックスとして用いられることが知られている。好ましくは、これらはんだフラックスにアルコールのような有機溶媒を加えたものが使用される。これは外部基板に素子を配置する前に従来用いられているいかなる洗浄液に対する保護を与える傾向がある。
アクリル酸塩は弱い加熱、例えば100℃、で溶け、その後硬化する。組み立て工程でのこのタイプの材料の使用は未早期公開出願WO―IB03/02292(PHNL020471)に記載されており、ここに参考として含まれる。加熱は素子を下方へ動かし、あらゆるはんだボールとコンタクトパッドの間の接続を確立する。その後、例えばリフロー工程や切り離しの間、の温度上昇はアクリル酸塩を架橋させ温度に対して安定的な層とする。
第3の実施形態では、キャリアの第2の面を空洞状構造とする。空洞内にあるときは固まったり硬化したりするが、コンタクトパッド上に薄いフィルムとしてある時は硬化しない材料を使用する。例として嫌気的に硬化する材料がある。これは、例えばヒドロペルオキシド内のアクリレートエステルのような特別に選ばれた溶剤内のアクリレートエステルである。好適な例は、クメンヒドロペルオキシド内のジメチルアクリレートエステルである。代替的には、空洞状構造を充填する充填材料が与えられ、それから表面にコンタクトパッドを再び作るために洗浄や磨き工程が行われる。
第4の好ましい実施形態では、キャリアは第2の面にマスキング層を有し、マスキング層を介してまずキャリア層がコンタクトパッドにパターニングされ、パターニング後マスキング層は対応するコンタクトパッドよりも大きい表面領域を有し、その後、キャリアの第2の面にポジ型感光組成物を塗布し、フォトリドグラフィ処理でマスキング層をマスクとして使用し、照射領域が浸食され照射領域と非照射領域でパターニングされる。本実施形態でのキャリアの使用は、未早期公開出願WOIB03/01299(PHNL021100)に記載されている。キャリア層のエッチングによりマスキング層はキャリア層に沿って延び、マスキング層は次のステップでも再び使用できる。ポジ型感光組成物はそれ自体、ポジ型フォトレジストとして知られている。代替的には、適当な光化学性質の開始剤を適当な組成に加えてもよい。そのような組成は、コンタクトパッドの材料および中間層の材料の両方に良好な接着性を有する材料を含んでもよい。この材料は導電ポリマーにしてもよい。
電気素子は絶縁材料内に封止されることが好ましい。しかし本来は必要でない。素子はキャリアの第1の面の空洞部に備えてもよい。素子は工程の最後にキャリアの第2の面に取り付けてもよい。この場合、接続層はキャリアの第1の面と平行な相互接続層として機能する。もし封止する場合、封止は素子の側面のみに設けてもよい。キャリアからみて外方に向いている面は放熱層となる。これは特に素子が集積回路や電源デバイスの時に適している。
さらなる方法として、溶液、特に水溶液、に浸したり漬けたりできる材料の使用がある。好適な材料は中間層12及び/または第2の金属層13に化学的に結合されるようなものである。その例は、CrO2、TiO2、ZrO2、CeO2などの無機物である。加えて、銅に似た熱膨張率の有機被膜を適用してもよい。好適な被膜は、例えばシリコーン、エポキシやアミドである。
電気素子は半導体素子でもよく、キャリアの分解能はワイヤボンドやフリップチップとの結合に十分である。フリップチップに電気素子を取り付けることが予測される場合、キャリア層の厚さは中間層や接続層に比べて大きくなる。このことは機械的安定性を失うこと無く、接続層や同様に中間層で画定されるパターンの解像度を高める。
導入部で説明した種類の電子装置で、キャリアでの経路変更および/または相互接続を許容し、封止に対するキャリアの接着性が良好で装置でのはんだ付けの最中に層間剥離のおそれのないものを提供することが本発明の第2の目的である。
この目的は、中間層とコンタクトパッドとの境界部を保護するためにキャリアの第2の面に保護層を配置することで達成される。本発明の手法の参照に述べられているように、保護層は層間剥離の問題を解決し、封止内で相互接続層が機械的に固定されているキャリアの使用を可能にする。
接続層とコンタクトパッドは銅で作り、中間層には異なる材料を用いるのが好ましい。銅は導電性の良い材料として知られている。さらに、もし接着層や二重層を与えた後に必要であれば、異なる組成の多くの種類のバンプを用いることができる。中間層に適した材料には、Fe−Ni、Fe−Cr−Ni、Al、望ましくは0.5≦x≦0.99であるAlxSi1−x、AlxCu1−x、AlxGe1−xのような、Al、Ni、Cr合金等がある。
好ましい実施の形態では、接続層の対応するパターンに合わせて多くのコンタクトパッドが横方向に配置される。本発明は特にコンタクトパッドと中間層との接続部がキャリアの第2の面で完全に露出している実施形態に適している。従来技術で知られている装置では、ニッケル金が中間層を完全に覆っている。また、中間層は銅からなる。しかし、銅とニッケルの接着は、例えば銅とアルミニウムの接着ほどは問題でない。
コンタクトパッドが十分な厚みをもつと有利である。これにより本発明の手法に従って、コンタクトパッドの層をキャリア層として用いることができる。さらに、コンタクトパッドの表面は中間層の表面を越えてのびている。このように中間層は、横方向に延在する保護層によって覆われている。
変形例には、保護層がコンタクトパッド間の空洞状構造を埋めるものがある。この結果、装置はキャリアの第2の面にほぼ平坦な表面を持つ。キャリアの第2の面を適切に観察するとコンタクトパッドが中間層の表面に突起部のように現れる。空洞状構造は導体パッド間の空間のことであり、空洞形状はコンタクトパッドの横断面図にみられる。
好ましい実施形態において、導体パッドは主層とマスキング層を有し、前記マスキング層はキャリアの第2の面にあり主層より大きな表面領域をもつ。保護層はマスキング層と中間層との間に確実に存在し、マスキング層上の保護層の垂直突起に確実に重なりが存在する。この構造は本発明の方法の第4の実施形態の結果である。これは組み立て時にフォトリソグラフィマスクを必要としない実施に適している。光源への露出は十分である。さらに、この実施形態は、コンタクトパッド間の空間が完全には埋められないという有利な点がある。これはいろいろな層間の熱膨張率の違いにより容易に対処することを可能にする。
素子は少なくとも一部は封止される半導体素子が好ましい。
本発明のこれらの特徴およびその他の特徴は図面を参照することによりさらに明らかなものとなるであろう。
図面は正確には描かれていない。同じ参照番号は同等の部分を指す。その他の実施形態は添付した請求の範囲の保護範囲内である。
図1は第1の実施形態の電気素子10の断面図である。この場合、前記電気素子は5つのコンタクトを持った半個別半導体素子である。しかしこれは決して必須ではない。図2は第1の実施形態の平面図であり、線A−Aは図1の断面を表す。半導体素子は第1の金属層11、中間層12、第2の金属層13を有するキャリア30を備える。この例では、第1の金属層11及び第2の金属層13は銅からなり、中間層はAl.99Si.01からなる。さらに、キャリア30は第1のエッチマスク14と第2のエッチマスク17を備える。第1のエッチマスク14および第2のエッチマスク17はNiAuの接着層からなる。キャリア30は第1のエッチマスク14を用いて第1の面からパターン加工され、その結果、開口15と接続導体31―35が形成される。このために、まず第1の金属層11がエッチングされ、次に中間層12がエッチングされるというエッチング工程が用いられ、それにより接続導体31―35の側面にくぼみ16が形成される。続いて、接続領域21を有する半導体素子20が接続手段22、この場合は金バンプ、により接続導体31―35に接続されている。このために、フリップチップ技術が用いられる。続いて、エンベロープ40が与えられ、エンベロープ40はキャリアのくぼみ16の中までのびるので機械的固定がなされる。機械的固定はどんな手法でもよく、エンベロープ40に覆われた層の一つがのびているものでよく、また、少なくとも一部が覆われているものでもよい。これらの層には第1のエッチマスク14、第1の金属層11および中間層12が含まれる。特にもし第1の金属層11が10μm程度、好ましくは少なくとも20μm、の十分な厚みを持っていた場合、第1の金属層11のエッチングは側面にまであがる。このように、第1のエッチマスク14は第1の金属層11を越えて延在し、これは固定に十分である。中間層12は、ここでの接続に際し、所望の厚み、材料を選択できる。続いて、第2の金属層13が第2のエッチマスク17によりパターン加工される。これは、第2のエッチマスク17に合わせてだけでなく、中間層に合わせても第2の金属層13を選択的に除去するエッチング溶液内に素子を置くことで行える。エッチング材料自体は知られており、出願WOIB03/01299に記載されている。さらに、開口15は半導体装置10の分離にも用いられる。これは、機械的固定がしっかりと接続導体31−35を封入する、言い換えれば、半導体素子20の位置だけでなくその素子を越えて固定するというさらなる有利点を有する。半導体装置10のサイズは、例えば、約1×1mmである。開口15の幅は、例えば、40−100μmである。第1の金属層11、中間層12及び第2の金属層13の厚さはそれぞれ30μm、40μm、30μmが選択される。しかし、これは用途による要求に応じて選ばれる。第1の金属層11と中間層12が約20μmの厚みである一方、第3の金属層の厚さは60μmである。本発明によれば、さらに保護層19が取り付けられる。これは、本実施形態では、クメンヒドロペルオキシドにジメチルアクリレートエステルの組成を与えることで行える。この組成は導体パッド31、32の間の空間を固め、表面は固めない。結果として、表面層17には保護層19がないままである。図では保護層が平面状に現されているが、これは必要事項ではない。
図3は図1の詳細であり、本発明の実施形態で得られる層の形成がより正確に現される。中間層12は第1の金属層11と接続する面の径が反対側より小さく、その結果中間層の機械的固定となる。さらに、エッチマスク17が第3の金属層13を越えて延在していることが明らかである。好ましくは、エッチマスクは制御手段で変形される。これは、例えば、ゴム製のブロックをエッチマスク17の表面に与えることで実行できる。エッチマスク17に何か変形可能なブロックを押しつけることで、エッチマスク17の端が中間層12に向かって押される。これは後々エッチマスクへの損傷を防ぐ。
Claims (10)
- 電気素子と、第1の面および対向する第2の面を有するキャリアと、を備える電子装置の製造方法において、
パターニングされた接続層、中間層及び導電材料の連続的なキャリア層を備えるキャリアであって、前記接続層は前記キャリアの第1の面にあり、前記中間層は導電材料からなり前記接続層のパターンとほぼ対応するパターンを有しているものを設けるステップと、
電気素子を前記キャリアに搭載するステップと、
絶縁材料を前記中間層の表面に達するように塗布するステップと、
前記キャリアの第2の面からキャリア層をパターン加工して、中間層の相互接続部を介して対応する接続層のパターンと接続される外部接触用のコンタクトパッドをつくるステップと、
キャリアの第2の面に中間層とコンタクトパッドの間の接続部分を覆う保護層を設けるステップと、
を含む方法。 - 前記保護層は絶縁材料からなり、コンタクトパッドは露出したままにしておくことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記キャリアにはその第2の面にマスキング層が設けられ、コンタクトパッドにキャリア層がパターン加工され、そのパターン工程の結果、前記マスキング層は対応するコンタクトパッドよりも大きい表面領域を有し、ポジ型感光組成物をキャリアの第2の面に加えて、照射領域を浸食しマスキング層をマスクとして用いるフォトリソグラフィ処理にて照射領域と非照射領域のパターンを形成することを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 前記キャリアの接続層が接合パッドを有し、
電気素子がキャリアの第1の面に取り付けられ、素子の接合パッドとそれに対応する前記接続層の接合パッドとが結合されることを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 電気素子と、絶縁材料の封止と、素子に面する第1の面とそれに対向する第2の面を有するキャリアを備えた電子装置において、前記キャリアは
パターニングされた接続層と、
外部のキャリアや素子と結合するためのコンタクトパッドと、
相互接続層と前記コンタクトパッドの間の相互接続部をつくるためにパターン形成された導電材料の中間層と、
前記相互接続部は分離領域により互いに分離され、その分離領域内までのびている封止と、
前記中間層と前記コンタクトパッドの間の境界部を保護するために前記キャリアの第2の面に設けられている保護層と、
を有する電子装置。 - キャリアの第1の面にある接着パッド及びその他の導電素子が封止内で機械的に固定されていることを特徴とする請求項5に記載の電子装置。
- 少なくともコンタクトパッドが対応する接着パッドに合わせて延在されていることを特徴とする請求項5または6に記載の電子装置。
- 保護層が中間層を覆うように延在していることを特徴とする請求項5に記載の電子装置。
- コンタクトパッドが主層とマスキング層を有し、前記マスキング層はキャリアの第2の面にあり前記主層よりも大きい表面領域を有し、
保護層はマスキング層と中間層の間に確実に存在し、マスキング層上の保護層の垂直突起に確実に重なりが存在することを特徴とする請求項5に記載の電子装置。 - 電気素子は少なくとも一部が封止内に封入されている半導体素子であることを特徴とする請求項5に記載の電子装置。
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