JP2915706B2 - 発光装置 - Google Patents
発光装置Info
- Publication number
- JP2915706B2 JP2915706B2 JP4187964A JP18796492A JP2915706B2 JP 2915706 B2 JP2915706 B2 JP 2915706B2 JP 4187964 A JP4187964 A JP 4187964A JP 18796492 A JP18796492 A JP 18796492A JP 2915706 B2 JP2915706 B2 JP 2915706B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- printed circuit
- light emitting
- emitting device
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、複写機やレーザービー
ムプリンタ等に使用される表面実装用のリードレス発光
装置に関し、特に組立後の全体の厚みをできるだけ薄く
したい場合に使用される発光装置にかかる。
ムプリンタ等に使用される表面実装用のリードレス発光
装置に関し、特に組立後の全体の厚みをできるだけ薄く
したい場合に使用される発光装置にかかる。
【0002】
【従来の技術】従来の発光装置を図7〜9に示す。従来
では、プリント基板のパターン配線面に平行な方向へ光
照射を行う場合、プリント基板に発光装置を上向きにし
て直接搭載し、反射ケース等を用いて上向きの光を反射
させて光照射を行っていた(従来例1)。図中、1は絶
縁性ケース、2は半田付け用電極、3は透明封止樹脂、
4は発光素子としてのLEDチップ、5は金ワイヤー、
6はダイレクトボンディングパット、7は金ワイヤー用
セカンド側パットである。
では、プリント基板のパターン配線面に平行な方向へ光
照射を行う場合、プリント基板に発光装置を上向きにし
て直接搭載し、反射ケース等を用いて上向きの光を反射
させて光照射を行っていた(従来例1)。図中、1は絶
縁性ケース、2は半田付け用電極、3は透明封止樹脂、
4は発光素子としてのLEDチップ、5は金ワイヤー、
6はダイレクトボンディングパット、7は金ワイヤー用
セカンド側パットである。
【0003】また、電極部を側面に形成した発光装置を
使用し、それを横置きにしてプリント基板に取り付ける
といったものもあった(従来例2:図示せず)。
使用し、それを横置きにしてプリント基板に取り付ける
といったものもあった(従来例2:図示せず)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来例1では、プリン
ト基板のパターン配線面と水平方向への光照射をする場
合、反射光を利用するため、どうしても反射ケースが必
要となり、コスト、作業性の点で不利になってしまう。
また、反射光の為、光出力が直接光の場合に比べ、減衰
してしまうといった問題が発生してしまう。
ト基板のパターン配線面と水平方向への光照射をする場
合、反射光を利用するため、どうしても反射ケースが必
要となり、コスト、作業性の点で不利になってしまう。
また、反射光の為、光出力が直接光の場合に比べ、減衰
してしまうといった問題が発生してしまう。
【0005】従来例2では、電極部を側面に形成してい
るが、プリント基板への搭載具合や半田ペーストの状態
から、発光素子の位置及び方向のずれが発生し、光照射
がうまくいかないことがある。
るが、プリント基板への搭載具合や半田ペーストの状態
から、発光素子の位置及び方向のずれが発生し、光照射
がうまくいかないことがある。
【0006】また、上記両従来例とも、プリント基板へ
の搭載後の部品高さが絶縁性ケース1の高さに等しく高
くなり、全体の厚みが厚くなってしまい、より薄い形状
を要求される場合には不適となっていた。
の搭載後の部品高さが絶縁性ケース1の高さに等しく高
くなり、全体の厚みが厚くなってしまい、より薄い形状
を要求される場合には不適となっていた。
【0007】さらに、上記両従来例とも、反射ケース部
をそれぞれ外部あるいは内部にもっていることから、い
ずれも組立品の全体厚みが厚くなってしまう。
をそれぞれ外部あるいは内部にもっていることから、い
ずれも組立品の全体厚みが厚くなってしまう。
【0008】本発明は、上記課題に鑑み、プリント基板
のパターン配線面と水平方向への光照射を直接光で行
え、容易に、位置精度が高く確実に搭載でき、また、部
品高さを低く抑えることができる発光装置の提供を目的
とする。
のパターン配線面と水平方向への光照射を直接光で行
え、容易に、位置精度が高く確実に搭載でき、また、部
品高さを低く抑えることができる発光装置の提供を目的
とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明請求項1による課
題解決手段は、図1〜6の如く、プリント基板11のパ
ターン配線面12に平行な方向へ光照射を行う発光装置
であって、成形品としてのパッケージ21の素子搭載面
24に、素子収納用凹部25が形成され、該素子収納用
凹部25からパッケージ21の底面26にかけて、薄膜
状の金属配線電極部22,23が形成され、該金属配線
電極部22に発光素子29が搭載され、前記パッケージ
21の底面26に、前記プリント基板11の端部に係合
する係合凹部27が形成されたものである。
題解決手段は、図1〜6の如く、プリント基板11のパ
ターン配線面12に平行な方向へ光照射を行う発光装置
であって、成形品としてのパッケージ21の素子搭載面
24に、素子収納用凹部25が形成され、該素子収納用
凹部25からパッケージ21の底面26にかけて、薄膜
状の金属配線電極部22,23が形成され、該金属配線
電極部22に発光素子29が搭載され、前記パッケージ
21の底面26に、前記プリント基板11の端部に係合
する係合凹部27が形成されたものである。
【0010】
【0011】
【作用】上記請求項1による課題解決手段において、M
IDプロセスにより、成形品としてのパッケージ21に
薄膜状の金属配線電極部22,23を形成し、パッケー
ジ21の底面26に係合凹部27を形成しているので、
プリント基板11の端部に容易に半田付けでき、プリン
ト基板11のパターン配線面と平行方向への光照射が容
易に行える。
IDプロセスにより、成形品としてのパッケージ21に
薄膜状の金属配線電極部22,23を形成し、パッケー
ジ21の底面26に係合凹部27を形成しているので、
プリント基板11の端部に容易に半田付けでき、プリン
ト基板11のパターン配線面と平行方向への光照射が容
易に行える。
【0012】
【0013】
【実施例】図1は本発明の一実施例を示す発光装置の斜
視図、図2は図1のA−A断面図、図3は図1のB−B
断面図、図4は複数の発光装置をプリント基板の端部に
嵌め込んだ状態を示す斜視図、図5は発光装置をプリン
ト基板の係合孔に嵌め込んで表側に半田付けした状態を
示す図、図6は発光装置をプリント基板の係合孔に嵌め
込んで裏側に半田付けした状態を示す図である。
視図、図2は図1のA−A断面図、図3は図1のB−B
断面図、図4は複数の発光装置をプリント基板の端部に
嵌め込んだ状態を示す斜視図、図5は発光装置をプリン
ト基板の係合孔に嵌め込んで表側に半田付けした状態を
示す図、図6は発光装置をプリント基板の係合孔に嵌め
込んで裏側に半田付けした状態を示す図である。
【0014】本実施例の発光装置は、複写機やレーザー
ビームプリンタ等に使用され、両面プリント基板11の
両パターン配線面12に平行な方向へ光照射を行う発光
装置であって、リードフレームを用いずに、小型、薄型
の一体化した部品を得るためのMolded Inte
rconnection Device(以下、MID
と称す)プロセスを用いたものである。ここで、MID
法とは、射出成形または押出し成形によつて得られた成
形品としてのパッケージ21に、化学めつき等の方法で
薄膜状の一対の金属配線電極部22,23が形成された
ものである。
ビームプリンタ等に使用され、両面プリント基板11の
両パターン配線面12に平行な方向へ光照射を行う発光
装置であって、リードフレームを用いずに、小型、薄型
の一体化した部品を得るためのMolded Inte
rconnection Device(以下、MID
と称す)プロセスを用いたものである。ここで、MID
法とは、射出成形または押出し成形によつて得られた成
形品としてのパッケージ21に、化学めつき等の方法で
薄膜状の一対の金属配線電極部22,23が形成された
ものである。
【0015】前記パツケージ21は、耐熱性のある液晶
ポリマー、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、ポ
リエーテルスルフォン(PES)等の電気的絶縁性を有
する遮光性樹脂やセラミックス材が使用され、一枚の有
機樹脂基板に数百個のデバイスが規則正しく配列される
よう金型成形され、後に図1〜3のような個別のデバイ
スにダイシング分割される。
ポリマー、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、ポ
リエーテルスルフォン(PES)等の電気的絶縁性を有
する遮光性樹脂やセラミックス材が使用され、一枚の有
機樹脂基板に数百個のデバイスが規則正しく配列される
よう金型成形され、後に図1〜3のような個別のデバイ
スにダイシング分割される。
【0016】該パッケージ21の素子搭載面24(上
面)には、素子収納用凹部25が形成され、該パッケー
ジ21の底面26には、両面プリント基板11の端部に
係合する係合凹部27が形成されている。
面)には、素子収納用凹部25が形成され、該パッケー
ジ21の底面26には、両面プリント基板11の端部に
係合する係合凹部27が形成されている。
【0017】前記素子収納用凹部25は、LEDチップ
29を収納してこれが上方にはみ出ないよう充分な深さ
に形成されている。該素子収納用凹部25は、発光素子
としてのLEDチップ29を収納した後、透光性封止樹
脂28にて封止される。
29を収納してこれが上方にはみ出ないよう充分な深さ
に形成されている。該素子収納用凹部25は、発光素子
としてのLEDチップ29を収納した後、透光性封止樹
脂28にて封止される。
【0018】前記係合凹部27の幅は、両面プリント基
板11の厚みより若干大きく形成され、両面プリント基
板11の端部と係合する際に生じる間隙は半田充填域と
される。
板11の厚みより若干大きく形成され、両面プリント基
板11の端部と係合する際に生じる間隙は半田充填域と
される。
【0019】前記金属配線電極部22,23は、スズ、
半田、金、銀等のめっき材が用いられ、前記パッケージ
21の素子収納用凹部25からパッケージ21の底面2
6の係合凹部27内にかけてめっき形成されている。凹
部25内の一側の金属配線電極部22には、LEDチッ
プ29が上向きに搭載される。凹部25内の他側の金属
配線電極部23は、ボンデイングワイヤ31を介してL
EDチップ29に接続される。なお、該金属配線電極部
22,23は、LEDチップ29を搭載するためのみな
らず、LEDチップ29からの照射光を凹部25の傾斜
壁面で反射させることにより光指向特性を高める機能を
有する。
半田、金、銀等のめっき材が用いられ、前記パッケージ
21の素子収納用凹部25からパッケージ21の底面2
6の係合凹部27内にかけてめっき形成されている。凹
部25内の一側の金属配線電極部22には、LEDチッ
プ29が上向きに搭載される。凹部25内の他側の金属
配線電極部23は、ボンデイングワイヤ31を介してL
EDチップ29に接続される。なお、該金属配線電極部
22,23は、LEDチップ29を搭載するためのみな
らず、LEDチップ29からの照射光を凹部25の傾斜
壁面で反射させることにより光指向特性を高める機能を
有する。
【0020】上記構成の発光装置を両面プリント基板1
1に実装する際、図1,4の如く、発光装置の凹部27
を両面プリント基板11の端部に嵌込み、半田付けを行
う。この場合、電極はプリント基板11の表面と裏面の
両面にくる。したがって、両面プリント基板11の各面
の配線パターンに半田付けしてやればよい。
1に実装する際、図1,4の如く、発光装置の凹部27
を両面プリント基板11の端部に嵌込み、半田付けを行
う。この場合、電極はプリント基板11の表面と裏面の
両面にくる。したがって、両面プリント基板11の各面
の配線パターンに半田付けしてやればよい。
【0021】そうすると、発光装置をプリント基板11
の端部に容易に半田付けでき、プリント基板11のパタ
ーン配線面と平行方向への光照射が容易に行える。
の端部に容易に半田付けでき、プリント基板11のパタ
ーン配線面と平行方向への光照射が容易に行える。
【0022】この場合、従来のように反射ケースを用い
てパターン配線面と平行方向へ光照射するのに比べ、光
の減衰無しに照射可能となり、コスト、作業性の点で優
位になる。
てパターン配線面と平行方向へ光照射するのに比べ、光
の減衰無しに照射可能となり、コスト、作業性の点で優
位になる。
【0023】また、図5,6の如く、プリント基板11
の表面に一対の係合孔41を形成し、これに段差凹部2
7を嵌込することで、容易に位置決めおよび搭載ができ
る。図中、42は半田、43は他の搭載部品である。こ
の場合、組立後の全体の厚みを抑えることになり、ま
た、プリント基板11の両面に電極が表れることから、
両面どちら側からでも半田付けを行えることで、生産工
程の効率化が可能である。
の表面に一対の係合孔41を形成し、これに段差凹部2
7を嵌込することで、容易に位置決めおよび搭載ができ
る。図中、42は半田、43は他の搭載部品である。こ
の場合、組立後の全体の厚みを抑えることになり、ま
た、プリント基板11の両面に電極が表れることから、
両面どちら側からでも半田付けを行えることで、生産工
程の効率化が可能である。
【0024】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修
正および変更を加え得ることは勿論である。
ものではなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修
正および変更を加え得ることは勿論である。
【0025】例えば、上記実施例では、各配線電極部2
2,23をめっき法にて形成していたが、金属蒸着等の
他の方法で形成してもよい。
2,23をめっき法にて形成していたが、金属蒸着等の
他の方法で形成してもよい。
【0026】また、発光装置をプリント基板11の端部
に嵌込む場合、上記実施例では、プリント基板11の両
面に配線パターンを形成していたが、発光装置の配線電
極部22,23を凹部27の片側に集めて形成すれば、
片面プリント基板での半田付けも可能となる。
に嵌込む場合、上記実施例では、プリント基板11の両
面に配線パターンを形成していたが、発光装置の配線電
極部22,23を凹部27の片側に集めて形成すれば、
片面プリント基板での半田付けも可能となる。
【0027】
【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明請
求項1によると、MIDプロセスにより、成形品として
のパッケージに薄膜状の金属配線電極部を形成し、パッ
ケージの底面に係合凹部を形成しているので、プリント
基板の端部に容易に半田付けでき、プリント基板のパタ
ーン配線面と平行方向への光照射が容易に行える。
求項1によると、MIDプロセスにより、成形品として
のパッケージに薄膜状の金属配線電極部を形成し、パッ
ケージの底面に係合凹部を形成しているので、プリント
基板の端部に容易に半田付けでき、プリント基板のパタ
ーン配線面と平行方向への光照射が容易に行える。
【0028】
【図1】本発明の一実施例を示す発光装置の斜視図
【図2】図1のA−A断面図
【図3】図1のB−B断面図
【図4】複数の発光装置をプリント基板の端部に嵌め込
んだ状態を示す斜視図
んだ状態を示す斜視図
【図5】発光装置をプリント基板の係合孔に嵌め込んで
表側に半田付けした状態を示す図
表側に半田付けした状態を示す図
【図6】発光装置をプリント基板の係合孔に嵌め込んで
裏側に半田付けした状態を示す図
裏側に半田付けした状態を示す図
【図7】従来の発光装置の斜視図
【図8】図7のC−C断面図
【図9】図7のD−D断面図
11 プリント基板 12 パターン配線面 21 パッケージ 24 素子搭載面 25 素子収納用凹部 26 底面 22,23 金属配線電極部 27 係合凹部 41 係合孔
Claims (1)
- 【請求項1】 プリント基板のパターン配線面に平行な
方向へ光照射を行う発光装置であって、成形品としての
パッケージの素子搭載面に、素子収納用凹部が形成さ
れ、該素子収納用凹部からパッケージの底面にかけて、
薄膜状の金属配線電極部が形成され、該金属配線電極部
に発光素子が搭載され、前記パッケージの底面に、前記
プリント基板の端部に係合する係合凹部が形成されたこ
とを特徴とする発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4187964A JP2915706B2 (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4187964A JP2915706B2 (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0637359A JPH0637359A (ja) | 1994-02-10 |
JP2915706B2 true JP2915706B2 (ja) | 1999-07-05 |
Family
ID=16215242
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4187964A Expired - Fee Related JP2915706B2 (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2915706B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4631175B2 (ja) * | 2001-01-26 | 2011-02-16 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ成形体と発光装置 |
AT501081B8 (de) * | 2003-07-11 | 2007-02-15 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Led sowie led-lichtquelle |
DE102005017527A1 (de) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement |
US7467552B2 (en) * | 2005-11-10 | 2008-12-23 | Honeywell International Inc. | Miniature package for translation of sensor sense axis |
JP7331331B2 (ja) * | 2019-07-11 | 2023-08-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光モジュール |
JP7330853B2 (ja) * | 2019-10-21 | 2023-08-22 | 株式会社小糸製作所 | 光半導体素子、光センサの製造方法、およびコンピュータプログラム |
-
1992
- 1992-07-15 JP JP4187964A patent/JP2915706B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0637359A (ja) | 1994-02-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW508843B (en) | Chip type light emitting diode and method of manufacture thereof | |
US6355946B1 (en) | Semiconductor device with reflector | |
US7026654B2 (en) | Package for optical semiconductor | |
US20120115263A1 (en) | Chip-type led and method of manufacturing the same | |
JPH1187780A (ja) | 発光装置 | |
KR100969144B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
JP2007201361A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JPH08264842A (ja) | 側面発光装置 | |
JP2915706B2 (ja) | 発光装置 | |
KR100714628B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
KR20080062505A (ko) | 양면 발광형 발광 다이오드 패키지 | |
JP4813691B2 (ja) | 発光ダイオード | |
JP2802411B2 (ja) | 光学装置 | |
JP2006156643A (ja) | 表面実装型発光ダイオード | |
JP2004095576A (ja) | 光半導体装置及び光半導体モジュール及び光半導体装置の製造方法 | |
JP2000031545A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP2535786Y2 (ja) | 発光表示装置 | |
KR100888180B1 (ko) | 측면 발광 led 조립체 | |
JP4746767B2 (ja) | 発光ダイオード | |
KR101445804B1 (ko) | 비대칭 led 패키지를 채택한 백라이트 모듈 | |
JP2006013144A (ja) | 光半導体パッケージの製造方法およびその製造方法を用いて製造した光半導体パッケージ。 | |
JPH08242020A (ja) | 発光ダイオードの実装構造 | |
JPH03108391A (ja) | 光集積回路装置及び集積回路用パッケージ | |
JPH0690027A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JPS58118175A (ja) | フオトカプラ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080416 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090416 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090416 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100416 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |